JP2002074665A - 情報記録方法 - Google Patents
情報記録方法Info
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- JP2002074665A JP2002074665A JP2000264151A JP2000264151A JP2002074665A JP 2002074665 A JP2002074665 A JP 2002074665A JP 2000264151 A JP2000264151 A JP 2000264151A JP 2000264151 A JP2000264151 A JP 2000264151A JP 2002074665 A JP2002074665 A JP 2002074665A
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- polymer compound
- thin film
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
Landscapes
- Holo Graphy (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アゾベンゼン構造を含む高分子化合物の薄膜
に光照射して、表面に凹凸パターンを形成させて情報記
録を行う際に、凹凸の形成速度を高速化することを目的
とする。 【解決手段】 アゾベンゼン構造を含む高分子化合物
の薄膜表面の特定領域（２）に書き込み光（１）を照射
して情報記録用凹凸パターンを形成させるに当り、前記
特定領域（２）を含むより広い領域（４）にバイアス光
（３）を同時に照射する。
に光照射して、表面に凹凸パターンを形成させて情報記
録を行う際に、凹凸の形成速度を高速化することを目的
とする。 【解決手段】 アゾベンゼン構造を含む高分子化合物
の薄膜表面の特定領域（２）に書き込み光（１）を照射
して情報記録用凹凸パターンを形成させるに当り、前記
特定領域（２）を含むより広い領域（４）にバイアス光
（３）を同時に照射する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アゾベンゼン構造
を含む高分子化合物の薄膜表面に、特定波長の光を照射
して凹凸パターンを形成させ、情報記録を行う方法の改
良に関するものである。
を含む高分子化合物の薄膜表面に、特定波長の光を照射
して凹凸パターンを形成させ、情報記録を行う方法の改
良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】アゾベンゼン構造を含む高分子化合物の
薄膜表面にその高分子化合物の吸収帯に相当する波長の
光、例えばアルゴンレーザーのような５１５〜４５８ｎ
ｍの波長の光を照射すると、レーザービームの幾何形状
と偏光状態に応じた高分子鎖の移動が起り、表面に凹凸
パターンが形成されることが知られている［「アプライ
ド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌ
ｅｔｔ．），第６６巻（１９９５年），第１３６〜１３
８ページ、同誌第６６巻（１９９５年），第１１６６〜
１１６８ページ］。
薄膜表面にその高分子化合物の吸収帯に相当する波長の
光、例えばアルゴンレーザーのような５１５〜４５８ｎ
ｍの波長の光を照射すると、レーザービームの幾何形状
と偏光状態に応じた高分子鎖の移動が起り、表面に凹凸
パターンが形成されることが知られている［「アプライ
ド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌ
ｅｔｔ．），第６６巻（１９９５年），第１３６〜１３
８ページ、同誌第６６巻（１９９５年），第１１６６〜
１１６８ページ］。
【０００３】この現象は、アゾベンゼン構造を含む高分
子化合物の薄膜に対し、光のパターンを照射することに
よって、その表面部分が光の強弱に感応し、光の強い部
分から弱い部分へと分子が移動する結果、凹凸が形成さ
れることによる。そして、このようにして形成された表
面の凹凸は、さらに波長の異なる光を照射するか、ある
いは加熱によって消去が可能であるため、現像過程不要
の書き換え可能なホログラムや光回折格子の可逆的形
成、ビームの形状と偏光状態を正確に記録再生できる性
質を利用して、高密度光情報記録方法などへの応用がは
かられている。
子化合物の薄膜に対し、光のパターンを照射することに
よって、その表面部分が光の強弱に感応し、光の強い部
分から弱い部分へと分子が移動する結果、凹凸が形成さ
れることによる。そして、このようにして形成された表
面の凹凸は、さらに波長の異なる光を照射するか、ある
いは加熱によって消去が可能であるため、現像過程不要
の書き換え可能なホログラムや光回折格子の可逆的形
成、ビームの形状と偏光状態を正確に記録再生できる性
質を利用して、高密度光情報記録方法などへの応用がは
かられている。
【０００４】しかしながら、上記の現象を利用して、１
００ｎｍ程度の凹凸の書き込みを行うには、数分ないし
数１０分間という長時間にわたって光照射を継続する必
要があり、これが高速性を要求される情報記録方法とし
て実用化するための大きな障害となっていた。
００ｎｍ程度の凹凸の書き込みを行うには、数分ないし
数１０分間という長時間にわたって光照射を継続する必
要があり、これが高速性を要求される情報記録方法とし
て実用化するための大きな障害となっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情のもとで、アゾベンゼン構造を含む高分子化合物の
薄膜に光照射して、表面に凹凸パターンを形成させて情
報記録を行う際に、凹凸の形成速度を高速化することを
目的としてなされたものである。
事情のもとで、アゾベンゼン構造を含む高分子化合物の
薄膜に光照射して、表面に凹凸パターンを形成させて情
報記録を行う際に、凹凸の形成速度を高速化することを
目的としてなされたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、アゾベン
ゼン構造を含む高分子化合物の薄膜表面に、凹凸パター
ンを形成させるための書き込み光を照射すると同時に、
書き込み光とほぼ同じ波長のバイアス光を、書き込み光
の照射領域を包含する広い領域に照射した場合に、意外
にも凹凸形成速度が５倍以上加速されることを見出し、
この知見に基づいて本発明をなすに至った。
ゼン構造を含む高分子化合物の薄膜表面に、凹凸パター
ンを形成させるための書き込み光を照射すると同時に、
書き込み光とほぼ同じ波長のバイアス光を、書き込み光
の照射領域を包含する広い領域に照射した場合に、意外
にも凹凸形成速度が５倍以上加速されることを見出し、
この知見に基づいて本発明をなすに至った。
【０００７】すなわち、本発明は、アゾベンゼン構造を
含む高分子化合物の薄膜表面の特定領域に書き込み光を
照射して情報記録用凹凸パターンを形成させるに当り、
前記特定領域を含むより広い領域にバイアス光を同時に
照射することを特徴とする情報記録方法を提供するもの
である。
含む高分子化合物の薄膜表面の特定領域に書き込み光を
照射して情報記録用凹凸パターンを形成させるに当り、
前記特定領域を含むより広い領域にバイアス光を同時に
照射することを特徴とする情報記録方法を提供するもの
である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明方法における情報用材料と
しては、アゾベンゼン構造を、その分子構造中に有する
高分子化合物が用いられる。上記のアゾベンゼン構造
は、一般式
しては、アゾベンゼン構造を、その分子構造中に有する
高分子化合物が用いられる。上記のアゾベンゼン構造
は、一般式
【化１】 （式中のＲ1は電子供与性基、Ｒ2は電子吸引性をもつ二
価の置換基、Ｘ及びＹは単結合若しくは高分子鎖を形成
する他の構成単位、ｍ及びｎは１以上の整数である）で
表わされる化合物のように主鎖構造中に含まれていても
よいし、また、一般式
価の置換基、Ｘ及びＹは単結合若しくは高分子鎖を形成
する他の構成単位、ｍ及びｎは１以上の整数である）で
表わされる化合物のように主鎖構造中に含まれていても
よいし、また、一般式
【化２】 （式中のＲ1、Ｘ、Ｙ、ｍ及びｎは前記と同じ意味をも
ち、ＸとＹはその末端同士が連結して環状構造を形成し
ていてもよく、Ｒ3は電子吸引性基である）で表わされ
る化合物のように側鎖として含まれていてもよい。
ち、ＸとＹはその末端同士が連結して環状構造を形成し
ていてもよく、Ｒ3は電子吸引性基である）で表わされ
る化合物のように側鎖として含まれていてもよい。
【０００９】前記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）の中の電子
供与性基Ｒ1と電子吸引性基Ｒ2又はＲ3は、シス−トラ
ンスの光異性化を促進し、結果として凹凸パターンの書
き込み速度を加速する役割を果たしている。前記電子供
与性基Ｒ1としては、例えば、アミノ基、アルキルアミ
ノ基、アルコキシル基、エーテル基などから水素原子１
個を除いた残基が挙げられる。電子吸引性をもつ二価の
置換基Ｒ2としては、例えば、ジシアノエチレン基、ト
リシアノエチレン基、カルボニル基、カルボニルオキシ
基、カルボニルメチレン基、スルホン基などが挙げられ
る。また、電子吸引性基Ｒ3としては、ハロゲン原子
（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ニトロ基、カルボ
キシル基、アシル基、スルホニル基、ジシアノビニル
基、トリシアノビニル基などが挙げられる。
供与性基Ｒ1と電子吸引性基Ｒ2又はＲ3は、シス−トラ
ンスの光異性化を促進し、結果として凹凸パターンの書
き込み速度を加速する役割を果たしている。前記電子供
与性基Ｒ1としては、例えば、アミノ基、アルキルアミ
ノ基、アルコキシル基、エーテル基などから水素原子１
個を除いた残基が挙げられる。電子吸引性をもつ二価の
置換基Ｒ2としては、例えば、ジシアノエチレン基、ト
リシアノエチレン基、カルボニル基、カルボニルオキシ
基、カルボニルメチレン基、スルホン基などが挙げられ
る。また、電子吸引性基Ｒ3としては、ハロゲン原子
（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ニトロ基、カルボ
キシル基、アシル基、スルホニル基、ジシアノビニル
基、トリシアノビニル基などが挙げられる。
【００１０】骨格に用いられるＸ、Ｙは、必ずしも常に
必要とされる官能基ではないが、化合物の熱的、機械的
耐久性や溶媒溶解性などの材料特性を適切に与えるため
に用いられる。Ｘとしては、例えば、アクリル酸、メタ
クリル酸、スチレン、ビニルアルコール、酢酸ビニル、
ビニルオキシカルボン酸、クロトン酸、アルケン、シク
ロアルケン、ビシクロアルケン、マレイミド、イソプロ
ペニルベンゼン、フマル酸、ビニルカルバゾール、ブタ
ジエン、アクリルアミド、メタクリルアミド、ビニルア
ルキルケトンなどの単量体から誘導される単位又はモノ
（若しくはジ）ヒドロキシフェニレン基、イミド基、ジ
カルボニル基などを挙げることができ、Ｙとしては、例
えばアクリル酸、メタクリル酸、スチレン、ビニルアル
コール、酢酸ビニル、ビニルオキシカルボン酸、クロト
ン酸、アルケン、シクロアルケン、ビシクロアルケン、
マレイミド、イソプロペニルベンゼン、フマル酸、ビニ
ルカルバゾール、ブタジエン、アクリルアミド、メタク
リルアミド、ビニルアルキルケトンなどの単量体から誘
導された単体又はモノ（若しくはジ）ヒドロキシフェニ
レン基、アルキレン基、イミド基、ジカルボニル基、ア
ルキリデン基などを挙げることができる。
必要とされる官能基ではないが、化合物の熱的、機械的
耐久性や溶媒溶解性などの材料特性を適切に与えるため
に用いられる。Ｘとしては、例えば、アクリル酸、メタ
クリル酸、スチレン、ビニルアルコール、酢酸ビニル、
ビニルオキシカルボン酸、クロトン酸、アルケン、シク
ロアルケン、ビシクロアルケン、マレイミド、イソプロ
ペニルベンゼン、フマル酸、ビニルカルバゾール、ブタ
ジエン、アクリルアミド、メタクリルアミド、ビニルア
ルキルケトンなどの単量体から誘導される単位又はモノ
（若しくはジ）ヒドロキシフェニレン基、イミド基、ジ
カルボニル基などを挙げることができ、Ｙとしては、例
えばアクリル酸、メタクリル酸、スチレン、ビニルアル
コール、酢酸ビニル、ビニルオキシカルボン酸、クロト
ン酸、アルケン、シクロアルケン、ビシクロアルケン、
マレイミド、イソプロペニルベンゼン、フマル酸、ビニ
ルカルバゾール、ブタジエン、アクリルアミド、メタク
リルアミド、ビニルアルキルケトンなどの単量体から誘
導された単体又はモノ（若しくはジ）ヒドロキシフェニ
レン基、アルキレン基、イミド基、ジカルボニル基、ア
ルキリデン基などを挙げることができる。
【００１１】このアゾベンゼン構造を含む高分子化合物
の数平均分子量としては、１０００ないし１００万の範
囲、好ましくは３０００ないし１０万の範囲で選ばれ
る。
の数平均分子量としては、１０００ないし１００万の範
囲、好ましくは３０００ないし１０万の範囲で選ばれ
る。
【００１２】本発明に用いる高分子化合物薄膜は、適当
な溶媒、例えばクロロホルム、ジクロロメタン、シクロ
ヘキサノン、テトラヒドロフランなどに、通常高分子化
合物を１〜３０質量％、好ましくは３〜１０質量％の濃
度で溶解した溶液を用いてスピンコート法、あるいはキ
ャスト法により成膜する。スピンコート法による場合、
通常１００〜５０００回転／分、好ましくは５００〜２
０００回転／分で１０〜５００秒間回転することによっ
て高分子化合物薄膜を形成させる。薄膜の膜厚は１０ｎ
ｍ〜１ｍｍ、好ましくは３００ｎｍ〜１０μｍである。
その膜厚が前記範囲よりも大きくなると表面にゆがみや
ひび割れが発生しやすくなり、またその膜厚が前記範囲
よりも小さくなると、基板の拘束の影響が顕著に現れる
ため、凹凸パターンの形成が困難になる。なお、本発明
においては、後の工程にて光を照射する都合上、平滑で
可視光領域において透明性を有する基板上に高分子化合
物薄膜を形成することが望ましい。例えば、ガラス、石
英などが挙げられる。
な溶媒、例えばクロロホルム、ジクロロメタン、シクロ
ヘキサノン、テトラヒドロフランなどに、通常高分子化
合物を１〜３０質量％、好ましくは３〜１０質量％の濃
度で溶解した溶液を用いてスピンコート法、あるいはキ
ャスト法により成膜する。スピンコート法による場合、
通常１００〜５０００回転／分、好ましくは５００〜２
０００回転／分で１０〜５００秒間回転することによっ
て高分子化合物薄膜を形成させる。薄膜の膜厚は１０ｎ
ｍ〜１ｍｍ、好ましくは３００ｎｍ〜１０μｍである。
その膜厚が前記範囲よりも大きくなると表面にゆがみや
ひび割れが発生しやすくなり、またその膜厚が前記範囲
よりも小さくなると、基板の拘束の影響が顕著に現れる
ため、凹凸パターンの形成が困難になる。なお、本発明
においては、後の工程にて光を照射する都合上、平滑で
可視光領域において透明性を有する基板上に高分子化合
物薄膜を形成することが望ましい。例えば、ガラス、石
英などが挙げられる。
【００１３】次に添付図面に従って、本発明方法を説明
する。図１は、本発明方法における照射の状態を説明す
るための模式図であり、書き込み光１により凹凸形成領
域２に照射すると同時に、バイアス光３によって、凹凸
形成領域２を包含するより広い領域４に照射する状態を
示す。バイアス光には均一光又は干渉縞光を用いる。図
２は、バイアス光として均一光を用いた場合に、この際
の書き込み光１とバイアス光３の強度の重なり状態を示
すグラフである。バイアス光として干渉縞パターンの光
を照射すると、凹凸の形成速度が速くなるので好まし
い。
する。図１は、本発明方法における照射の状態を説明す
るための模式図であり、書き込み光１により凹凸形成領
域２に照射すると同時に、バイアス光３によって、凹凸
形成領域２を包含するより広い領域４に照射する状態を
示す。バイアス光には均一光又は干渉縞光を用いる。図
２は、バイアス光として均一光を用いた場合に、この際
の書き込み光１とバイアス光３の強度の重なり状態を示
すグラフである。バイアス光として干渉縞パターンの光
を照射すると、凹凸の形成速度が速くなるので好まし
い。
【００１４】このようにして、高分子化合物薄膜に対し
て光を照射する光学系としては、従来ＣＤやＤＶＤに用
いられているピット形成装置又は近接場光学顕微鏡を使
用することができる。図３は、このような光学系の１例
を示す説明図で、光源５から出力されたレーザービーム
６は、ハーフミラー７により書き込み用ビームライン６
ａとバイアス用ビームライン６ｂに分割され、前者は波
長板８ａ、コリメート用レンズ９、集光用レンズ１０を
通って、高分子化合物薄膜１１に照射され、後者は波長
板８ｂ及びフィルタ１２を通って強度を調節したのち、
再び書き込み用ビームラインと合流し、高分子化合物薄
膜１１に照射される。
て光を照射する光学系としては、従来ＣＤやＤＶＤに用
いられているピット形成装置又は近接場光学顕微鏡を使
用することができる。図３は、このような光学系の１例
を示す説明図で、光源５から出力されたレーザービーム
６は、ハーフミラー７により書き込み用ビームライン６
ａとバイアス用ビームライン６ｂに分割され、前者は波
長板８ａ、コリメート用レンズ９、集光用レンズ１０を
通って、高分子化合物薄膜１１に照射され、後者は波長
板８ｂ及びフィルタ１２を通って強度を調節したのち、
再び書き込み用ビームラインと合流し、高分子化合物薄
膜１１に照射される。
【００１５】この際の光源５は、高分子化合物の吸収波
長帯に合わせて選ばれるが、２５０〜５５０ｎｍの波長
の光を発振するものが好ましい。このような光源のう
ち、連続光源としては、重水素ランプ、キセノンラン
プ、ハロゲンランプ、タングステンランプなどがあり、
水銀ランプ、ホローカソードランプ、希ガス、水素、ナ
トリウム、カドミウムの放電管などの線スペクトル光源
も用いることができる。好ましいのは、干渉性の高い連
続発振型レーザー光源、例えば、ヘリウム−カドミウム
レーザー、クリプトンイオンレーザー、アルゴンイオン
レーザーなどであり、その他、窒素レーザー、赤外レー
ザーの高調波発振を利用したパルスレーザーも用いるこ
とができる。
長帯に合わせて選ばれるが、２５０〜５５０ｎｍの波長
の光を発振するものが好ましい。このような光源のう
ち、連続光源としては、重水素ランプ、キセノンラン
プ、ハロゲンランプ、タングステンランプなどがあり、
水銀ランプ、ホローカソードランプ、希ガス、水素、ナ
トリウム、カドミウムの放電管などの線スペクトル光源
も用いることができる。好ましいのは、干渉性の高い連
続発振型レーザー光源、例えば、ヘリウム−カドミウム
レーザー、クリプトンイオンレーザー、アルゴンイオン
レーザーなどであり、その他、窒素レーザー、赤外レー
ザーの高調波発振を利用したパルスレーザーも用いるこ
とができる。
【００１６】照射する光の強度については、１〜５００
ｍＷ／ｃｍ2の範囲、好ましくは１０〜２００ｍＷ／ｃ
ｍ2の範囲である。光強度が強すぎる場合は、高分子化
合物に含有されるアゾベンゼンの光分解など、材料の劣
化が発生しやすくなる。また、照射する光の偏光状態
は、波長板などで制御されていることが望ましく、通
常、電場振動面が、水平、鉛直又は斜め４５゜の傾いた
直線偏光、あるいは円偏光が用いられる。バイアス光
は、通常、書き込み光の強度の０．０１〜１０倍、好ま
しくは０．１〜１倍の範囲で選ばれる。
ｍＷ／ｃｍ2の範囲、好ましくは１０〜２００ｍＷ／ｃ
ｍ2の範囲である。光強度が強すぎる場合は、高分子化
合物に含有されるアゾベンゼンの光分解など、材料の劣
化が発生しやすくなる。また、照射する光の偏光状態
は、波長板などで制御されていることが望ましく、通
常、電場振動面が、水平、鉛直又は斜め４５゜の傾いた
直線偏光、あるいは円偏光が用いられる。バイアス光
は、通常、書き込み光の強度の０．０１〜１０倍、好ま
しくは０．１〜１倍の範囲で選ばれる。
【００１７】
【発明の効果】本発明方法によれば、アゾベンゼン構造
を含む高分子化合物の薄膜に凹凸パターンを形成させる
場合、従来の方法によるよりも、５倍以上の形成速度で
行うことができる。このようにして形成された微細な凹
凸パターンは、情報記録以外にも、光スイッチ、光結合
器、画像相関装置、光空間変調器などにも利用すること
ができる。
を含む高分子化合物の薄膜に凹凸パターンを形成させる
場合、従来の方法によるよりも、５倍以上の形成速度で
行うことができる。このようにして形成された微細な凹
凸パターンは、情報記録以外にも、光スイッチ、光結合
器、画像相関装置、光空間変調器などにも利用すること
ができる。
【００１８】
【実施例】次に実施例により本発明をさらに詳細に説明
する。
する。
【００１９】実施例１ 式
【化３】 で表わされる循環単位からなり、共重合分率ｎ：ｍが
０．３６：０．６４、数平均分子量５９００、ガラス転
移温度１２８℃を有する高分子化合物をクロロホルムに
溶解し、濃度５質量％の塗布液を調製した。この塗布液
を厚さ１ｍｍのスライドガラス基板上にスピンコート法
（回転数７００回転／分、回転時間５０秒）で塗布し、
乾燥して厚さ１μｍの薄膜を形成させた。次にアルゴン
イオンレーザーの波長４８８ｎｍのラインを、書き込み
光及びバイアス光として用い、凹凸パターンを形成し
た。この際、書き込み光としては、斜め４５゜方向に電
場振動面をもつ強度１８１．８５ｍＷ／ｃｍ2の直線偏
光を用い、バイアス光としては、鉛直方向に電場振動面
をもつ直線偏光の干渉縞光（縞の間隔約３μｍ）を用
い、強度を０〜８９．８６ｍＷ／ｃｍ2の範囲内で変化
させた。この結果を図４に示す。この図から分るよう
に、バイアス光強度０ｍＷ／ｃｍ2の場合、書き込み光
により形成されたピットの深さが５．８ｎｍであったの
に対し、バイアス光強度８９．９６ｍＷ／ｃｍ2の場
合、形成されたピットの深さは５７．３ｎｍであり、ほ
ぼ１０倍に書き込み速度が加速された。
０．３６：０．６４、数平均分子量５９００、ガラス転
移温度１２８℃を有する高分子化合物をクロロホルムに
溶解し、濃度５質量％の塗布液を調製した。この塗布液
を厚さ１ｍｍのスライドガラス基板上にスピンコート法
（回転数７００回転／分、回転時間５０秒）で塗布し、
乾燥して厚さ１μｍの薄膜を形成させた。次にアルゴン
イオンレーザーの波長４８８ｎｍのラインを、書き込み
光及びバイアス光として用い、凹凸パターンを形成し
た。この際、書き込み光としては、斜め４５゜方向に電
場振動面をもつ強度１８１．８５ｍＷ／ｃｍ2の直線偏
光を用い、バイアス光としては、鉛直方向に電場振動面
をもつ直線偏光の干渉縞光（縞の間隔約３μｍ）を用
い、強度を０〜８９．８６ｍＷ／ｃｍ2の範囲内で変化
させた。この結果を図４に示す。この図から分るよう
に、バイアス光強度０ｍＷ／ｃｍ2の場合、書き込み光
により形成されたピットの深さが５．８ｎｍであったの
に対し、バイアス光強度８９．９６ｍＷ／ｃｍ2の場
合、形成されたピットの深さは５７．３ｎｍであり、ほ
ぼ１０倍に書き込み速度が加速された。
【００２０】実施例２ 実施例１におけるバイアス光を円偏光に変えた以外は、
実施例１と同様にして凹凸パターンを形成した。この結
果を図５に示す。この図から分るように、バイアス光強
度０ｍＷ／ｃｍ2の場合、書き込み光により形成された
ピットの深さが５．８ｎｍであったのに対し、バイアス
光強度８９．９６ｍＷ／ｃｍ2の場合、形成されたピッ
トの深さは２８．９ｎｍであり、ほぼ５倍に書き込み速
度が加速された。
実施例１と同様にして凹凸パターンを形成した。この結
果を図５に示す。この図から分るように、バイアス光強
度０ｍＷ／ｃｍ2の場合、書き込み光により形成された
ピットの深さが５．８ｎｍであったのに対し、バイアス
光強度８９．９６ｍＷ／ｃｍ2の場合、形成されたピッ
トの深さは２８．９ｎｍであり、ほぼ５倍に書き込み速
度が加速された。
【図１】 本発明方法における照射状態を示す模式図。
【図２】 書き込み光とバイアス光の強度の重なりを示
すグラフ。
すグラフ。
【図３】 本発明方法の光学系の１例を示す説明図。
【図４】 実施例１におけるバイアス光の強度変化と凹
凸の深さとの関係を示すグラフ。
凸の深さとの関係を示すグラフ。
【図５】 実施例２におけるバイアス光の強度変化と凹
凸の深さとの関係を示すグラフ。
凸の深さとの関係を示すグラフ。
１ 書き込み光 ３ バイアス光 ５ 光源 ６，６ａ，６ｂ レーザービーム ７ ハーフミラー ８ａ，８ｂ 波長板 ９ コリメート用レンズ １０ 集光用レンズ １１ 高分子化合物薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/125 Ｇ１１Ｂ 7/125 Ｃ (71)出願人 500409194 木村 龍実 茨城県つくば市東１丁目１番 工業技術院 物質工学工業技術研究所内 (74)上記３名の代理人 100071825 弁理士 阿形 明 (72)発明者 福田 隆史 茨城県つくば市東１丁目１番 工業技術院 物質工学工業技術研究所内 (72)発明者 松田 宏雄 茨城県つくば市東１丁目１番 工業技術院 物質工学工業技術研究所内 (72)発明者 須丸 公雄 茨城県つくば市東１丁目１番 工業技術院 物質工学工業技術研究所内 (72)発明者 木村 龍実 茨城県つくば市東１丁目１番 工業技術院 物質工学工業技術研究所内 (72)発明者 加藤 政雄 千葉県野田市山崎2641 東京理科大学基礎 工学部内 Ｆターム(参考） 2H049 AA07 AA13 AA33 AA43 AA56 2H123 AA00 AA51 2K008 AA04 BB03 DD12 EE04 HH03 HH06 HH14 HH16 HH18 5D090 BB03 DD01 KK12 KK15 5D119 AA22 AA42 BB02 DA01 FA02 HA36
Claims (2)
- 【請求項１】 アゾベンゼン構造を含む高分子化合物
の薄膜表面の特定領域に書き込み光を照射して情報記録
用凹凸パターンを形成させるに当り、前記特定領域を含
むより広い領域にバイアス光を同時に照射することを特
徴とする情報記録方法。 - 【請求項２】 バイアス光をアブレーションが起らない
強度の光にする請求項１記載の情報記録方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000264151A JP3876281B2 (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 情報記録方法 |
| EP00311542A EP1184849B1 (en) | 2000-08-31 | 2000-12-21 | Information recording method |
| US09/741,434 US20020034693A1 (en) | 2000-08-31 | 2000-12-21 | Information recording method |
| DE60026679T DE60026679T2 (de) | 2000-08-31 | 2000-12-21 | Informationsaufzeichnungsverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000264151A JP3876281B2 (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 情報記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002074665A true JP2002074665A (ja) | 2002-03-15 |
| JP3876281B2 JP3876281B2 (ja) | 2007-01-31 |
Family
ID=18751610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000264151A Expired - Lifetime JP3876281B2 (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 情報記録方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020034693A1 (ja) |
| EP (1) | EP1184849B1 (ja) |
| JP (1) | JP3876281B2 (ja) |
| DE (1) | DE60026679T2 (ja) |
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| EP2103992A2 (en) | 2008-03-18 | 2009-09-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing the same |
| DE10393007B4 (de) * | 2002-08-02 | 2010-11-11 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Auf einem lichtinduzierten Oberflächenrelief basierende Datenspeichermethode |
| JP2011128369A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Toshiba Corp | 個人認証媒体、その製造方法、及びこれを用いた真偽判定方法 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| ATE309553T1 (de) * | 2000-06-15 | 2005-11-15 | 3M Innovative Properties Co | Mikroherstellungsverfahren für organische optische bauteile |
| EP1295180B1 (en) * | 2000-06-15 | 2013-05-22 | 3M Innovative Properties Company | Process for producing microfluidic articles |
| EP1292862B1 (en) * | 2000-06-15 | 2009-08-19 | 3M Innovative Properties Company | Multipass multiphoton absorption method and apparatus |
| AU2001270320A1 (en) * | 2000-06-15 | 2001-12-24 | 3M Innovative Properties Company | Multicolor imaging using multiphoton photochemical processes |
| WO2001096917A2 (en) * | 2000-06-15 | 2001-12-20 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton curing to provide encapsulated optical elements |
| EP1292861B1 (en) * | 2000-06-15 | 2014-11-19 | 3M Innovative Properties Company | Multidirectional photoreactive absorption method |
| US6852766B1 (en) * | 2000-06-15 | 2005-02-08 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton photosensitization system |
| US20040012872A1 (en) * | 2001-06-14 | 2004-01-22 | Fleming Patrick R | Multiphoton absorption method using patterned light |
| CA2461908A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Bayer Aktiengesellschaft | Efficient non-linear optical polymers exhibiting high polarisation stability |
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| JP2005274629A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 光記録媒体、並びに、その製造方法およびこれを用いた光記録再生装置。 |
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Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4530080A (en) * | 1981-04-07 | 1985-07-16 | Tdk Electronics Co., Ltd. | Optical recording/reproducing system |
| US5272667A (en) * | 1989-12-29 | 1993-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording apparatus for recording optical information in a phase change type optical recording medium and method therefor |
| JP2851014B2 (ja) * | 1990-11-27 | 1999-01-27 | キヤノン株式会社 | 情報記録装置 |
| JP4104718B2 (ja) * | 1997-04-11 | 2008-06-18 | 富士ゼロックス株式会社 | 光記録方法 |
| JP3901867B2 (ja) * | 1999-02-08 | 2007-04-04 | 富士フイルム株式会社 | 近接場光記録再生装置 |
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2000
- 2000-08-31 JP JP2000264151A patent/JP3876281B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-21 US US09/741,434 patent/US20020034693A1/en not_active Abandoned
- 2000-12-21 DE DE60026679T patent/DE60026679T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-21 EP EP00311542A patent/EP1184849B1/en not_active Expired - Lifetime
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| EP2103992A2 (en) | 2008-03-18 | 2009-09-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and method of manufacturing the same |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1184849A2 (en) | 2002-03-06 |
| EP1184849B1 (en) | 2006-03-15 |
| DE60026679T2 (de) | 2006-10-19 |
| DE60026679D1 (de) | 2006-05-11 |
| JP3876281B2 (ja) | 2007-01-31 |
| US20020034693A1 (en) | 2002-03-21 |
| EP1184849A3 (en) | 2003-01-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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| A711 | Notification of change in applicant |
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| RD07 | Notification of extinguishment of power of attorney |
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|
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|
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
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