JP2002071462A - チャンバ内等に含まれる試料の楕円偏光測定方法および装置 - Google Patents
チャンバ内等に含まれる試料の楕円偏光測定方法および装置Info
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- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チャンバ内の試料を取り出すことなくその表
面状態を非破壊測定する。 【解決手段】 照明ビーム生成用の光源（２）をチャン
バ外部に設け、チャンバ外部に照明ビームの偏光デバイ
ス（１０）を設け、試料表面と平行な平面内に配置され
チャンバを少なくとも部分的に閉鎖する窓（２２）を設
け、偏光デバイスから窓を通し試料の一領域に伸長する
試料表面に対し所定の入射角第１光路に沿って偏光され
た照明ビームを試料の前記領域に向けさせ、照明ビーム
による試料の前記領域への照明により生じる試料表面の
法線に対し照明ビームと対称な反射ビームを生成し、チ
ャンバ外部に偏光解析デバイス（２４）を設け、試料か
ら窓を通して解析デバイスに伸長する第２光路に沿って
反射ビームを解析デバイスに集束させ、解析デバイスか
らの出力ビームを検出して出力信号を供給し、出力信号
を処理し前記領域での反射により生じる偏光の位相・振
幅状態の変化を決定する。
面状態を非破壊測定する。 【解決手段】 照明ビーム生成用の光源（２）をチャン
バ外部に設け、チャンバ外部に照明ビームの偏光デバイ
ス（１０）を設け、試料表面と平行な平面内に配置され
チャンバを少なくとも部分的に閉鎖する窓（２２）を設
け、偏光デバイスから窓を通し試料の一領域に伸長する
試料表面に対し所定の入射角第１光路に沿って偏光され
た照明ビームを試料の前記領域に向けさせ、照明ビーム
による試料の前記領域への照明により生じる試料表面の
法線に対し照明ビームと対称な反射ビームを生成し、チ
ャンバ外部に偏光解析デバイス（２４）を設け、試料か
ら窓を通して解析デバイスに伸長する第２光路に沿って
反射ビームを解析デバイスに集束させ、解析デバイスか
らの出力ビームを検出して出力信号を供給し、出力信号
を処理し前記領域での反射により生じる偏光の位相・振
幅状態の変化を決定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料をチャンバ等
から取り出すことなく、試料の表面状態を非破壊的に測
定するためのチャンバ内等に含まれる試料の楕円偏光測
定に関する。
から取り出すことなく、試料の表面状態を非破壊的に測
定するためのチャンバ内等に含まれる試料の楕円偏光測
定に関する。
【０００２】
【従来の技術】楕円偏光測定は一般的に試料の光学特性
化で適用され、さらに詳しくは、薄い半導体層の試料に
適用される。したがって、楕円偏光測定は集積回路の生
産の一連の過程で適用される。
化で適用され、さらに詳しくは、薄い半導体層の試料に
適用される。したがって、楕円偏光測定は集積回路の生
産の一連の過程で適用される。
【０００３】一般的に、楕円偏光法は、集積回路の製造
工程の過程で、例えば基板上の層の成長中に、実時間に
その場で表面の変化を測定するために使用される。
工程の過程で、例えば基板上の層の成長中に、実時間に
その場で表面の変化を測定するために使用される。
【０００４】周知の方途で、楕円偏光デバイスは、偏光
した照明ビームを試料の表面に関して予め定められた斜
めの入射角で試料上に向ける。光ビームは試料によっ
て、試料表面の法線に対して対称的に反射される。試料
の照明から生じる反射ビームは次いで、偏光解析デバイ
ス上に向けられ、その出力ビームは処理される前に検出
される。試料での反射によってもたらされる偏光の位相
および振幅の状態の変化は、試料を表す物理的パラメー
タを演繹するために処理される。
した照明ビームを試料の表面に関して予め定められた斜
めの入射角で試料上に向ける。光ビームは試料によっ
て、試料表面の法線に対して対称的に反射される。試料
の照明から生じる反射ビームは次いで、偏光解析デバイ
ス上に向けられ、その出力ビームは処理される前に検出
される。試料での反射によってもたらされる偏光の位相
および振幅の状態の変化は、試料を表す物理的パラメー
タを演繹するために処理される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】実際に、集積回路の製
造は複数の作業段階を含み、その一部は複数の連続的な
層の堆積を含む。これらの層の堆積は、非常に頻繁に、
特にチャンバの制御された雰囲気の破壊または試料の汚
染を防止するために、試料を堆積チャンバから取り出す
ことなく実行しなければならない。
造は複数の作業段階を含み、その一部は複数の連続的な
層の堆積を含む。これらの層の堆積は、非常に頻繁に、
特にチャンバの制御された雰囲気の破壊または試料の汚
染を防止するために、試料を堆積チャンバから取り出す
ことなく実行しなければならない。
【０００６】１つの層の物理的パラメータを次の層の堆
積または処理の前に測定することが、しばしば必要にな
る。
積または処理の前に測定することが、しばしば必要にな
る。
【０００７】公知の解決方法では、楕円偏光測定装置に
よって層の成長（またはエッチング）を実時間でその場
で測定する。
よって層の成長（またはエッチング）を実時間でその場
で測定する。
【０００８】このような解決方法は、堆積室または処理
室と同じ数の楕円偏光測定装置が必要であるという欠点
を持ち、それにより相対的にコストが高くなる。
室と同じ数の楕円偏光測定装置が必要であるという欠点
を持ち、それにより相対的にコストが高くなる。
【０００９】さらに、層の特定の処理段階（例えば金属
被覆段階）では、層の光吸収のため、楕円偏光法による
解決策を実行することが困難または不可能である。
被覆段階）では、層の光吸収のため、楕円偏光法による
解決策を実行することが困難または不可能である。
【００１０】最後に、試料をチャンバから取り出しかつ
／または照明ビームに対して相対的に試料を移動させな
ければ、試料の地図作成を完成することは事実上不可能
であり、そうしたことをチャンバ内で実行するのは、チ
ャンバの制限された寸法のため、またはＸ、Ｙおよび／
またはＺ軸に沿って運動可能な試料キャリヤをチャンバ
内に組み込むことの困難さのために、時において実行が
困難となる。
／または照明ビームに対して相対的に試料を移動させな
ければ、試料の地図作成を完成することは事実上不可能
であり、そうしたことをチャンバ内で実行するのは、チ
ャンバの制限された寸法のため、またはＸ、Ｙおよび／
またはＺ軸に沿って運動可能な試料キャリヤをチャンバ
内に組み込むことの困難さのために、時において実行が
困難となる。
【００１１】本発明は、上述した問題を克服するための
ものである。
ものである。
【００１２】したがって、本発明の主要な目的は、例え
ば２つの製造段階の間で、または製造段階の１つの終了
時に試料を測定するために試料をチャンバから取り出す
ことなく、しかも製造中に集積回路を汚染することな
く、かつ／またはチャンバの制御された雰囲気を破壊す
ることなく、楕円偏光測定をチャンバ内に組み込むこと
にある。
ば２つの製造段階の間で、または製造段階の１つの終了
時に試料を測定するために試料をチャンバから取り出す
ことなく、しかも製造中に集積回路を汚染することな
く、かつ／またはチャンバの制御された雰囲気を破壊す
ることなく、楕円偏光測定をチャンバ内に組み込むこと
にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この目的のため、本発明
は、チャンバ内に含まれる試料のための楕円偏光測定の
方法に関する。
は、チャンバ内に含まれる試料のための楕円偏光測定の
方法に関する。
【００１４】本発明の１つの重要な特徴によると、この
方法は次の段階を含む。すなわち、 ａ）照明ビームを生成するためにチャンバの外部に光源
を設け、 ｂ）照明ビームを偏光させるためにチャンバの外部に偏
光デバイスを設け、 ｃ）試料の表面に実質的に平行な平面内に配置され、チ
ャンバを少なくとも部分的に閉鎖する、選択された寸法
および特徴を持ち窓を設け、 ｄ）偏光デバイスから窓を通して試料まで伸長する第１
光路であって、試料表面に対して予め定められた斜めの
入射角を形成する前記第１光路に沿って、偏光された照
明ビームを試料へ向けさせ、 ｅ）前記照明ビームによる試料の照明から結果的に生じ
る反射ビームであって、試料表面の法線に対して照明ビ
ームに対称な反射ビームを生成し、 ｆ）チャンバの外部に偏光解析デバイスを設け、 ｇ）試料から窓を通して解析デバイスまで伸長する第２
光路に沿って、反射ビームを解析デバイスに集束させ、 ｈ）出力信号を供給するために解析デバイスから生じる
出力ビームを検出し、 ｉ）試料の領域における反射によって生じる偏光の位相
および振幅の状態の変化を決定するために出力信号を処
理する。
方法は次の段階を含む。すなわち、 ａ）照明ビームを生成するためにチャンバの外部に光源
を設け、 ｂ）照明ビームを偏光させるためにチャンバの外部に偏
光デバイスを設け、 ｃ）試料の表面に実質的に平行な平面内に配置され、チ
ャンバを少なくとも部分的に閉鎖する、選択された寸法
および特徴を持ち窓を設け、 ｄ）偏光デバイスから窓を通して試料まで伸長する第１
光路であって、試料表面に対して予め定められた斜めの
入射角を形成する前記第１光路に沿って、偏光された照
明ビームを試料へ向けさせ、 ｅ）前記照明ビームによる試料の照明から結果的に生じ
る反射ビームであって、試料表面の法線に対して照明ビ
ームに対称な反射ビームを生成し、 ｆ）チャンバの外部に偏光解析デバイスを設け、 ｇ）試料から窓を通して解析デバイスまで伸長する第２
光路に沿って、反射ビームを解析デバイスに集束させ、 ｈ）出力信号を供給するために解析デバイスから生じる
出力ビームを検出し、 ｉ）試料の領域における反射によって生じる偏光の位相
および振幅の状態の変化を決定するために出力信号を処
理する。
【００１５】本発明による方法は、こうして、試料をチ
ャンバから取り出すことなく、試料の楕円偏光測定を実
行することを可能にし、これは特に集積回路の製造中の
汚染の問題を防止する。本発明による方法はまた、チャ
ンバの制御された雰囲気を破壊しないという利点も持
つ。さらに、窓は、必要な場合、オペレータが顕微鏡に
よって照明ビームを試料上に正確に定置することを可能
にする。
ャンバから取り出すことなく、試料の楕円偏光測定を実
行することを可能にし、これは特に集積回路の製造中の
汚染の問題を防止する。本発明による方法はまた、チャ
ンバの制御された雰囲気を破壊しないという利点も持
つ。さらに、窓は、必要な場合、オペレータが顕微鏡に
よって照明ビームを試料上に正確に定置することを可能
にする。
【００１６】本発明は、試料をチャンバから取り出すこ
となく、かつ試料を移動することなく、試料の地図作成
の実現を可能にする楕円偏光測定というさらなる目的を
有する。
となく、かつ試料を移動することなく、試料の地図作成
の実現を可能にする楕円偏光測定というさらなる目的を
有する。
【００１７】この目的のため、本発明による方法は、試
料をチャンバ内に固定し続け、試料の別の領域を照明す
るために偏光照明ビームを長手方向および／または横方
向に移動させ、かつ同じ斜めの入射角で段階ｄ）〜ｉ）
を繰り返すことから成る段階ｊ）をさらに含む。
料をチャンバ内に固定し続け、試料の別の領域を照明す
るために偏光照明ビームを長手方向および／または横方
向に移動させ、かつ同じ斜めの入射角で段階ｄ）〜ｉ）
を繰り返すことから成る段階ｊ）をさらに含む。
【００１８】段階ｊ）はこうして、試料を移動させるこ
となく、かつ試料をチャンバから取り出すことなく、複
数の楕円偏光ステップを試料の複数の領域上に実行する
ことを可能にする。こうして、実現の問題なく、汚染を
生じることなく、かつチャンバの制御された雰囲気を破
壊することなく、試料の地図作成が達成される。
となく、かつ試料をチャンバから取り出すことなく、複
数の楕円偏光ステップを試料の複数の領域上に実行する
ことを可能にする。こうして、実現の問題なく、汚染を
生じることなく、かつチャンバの制御された雰囲気を破
壊することなく、試料の地図作成が達成される。
【００１９】段階ｊ）はさらに、測定装置と試料表面と
の間の距離を調整するために、固定された試料上で照明
ビームを窓を通して横方向に移動させることから成るこ
とが有利である。
の間の距離を調整するために、固定された試料上で照明
ビームを窓を通して横方向に移動させることから成るこ
とが有利である。
【００２０】この方法はさらに校正の段階を含み、そこ
で次の段階を実行することが好ましい。すなわち、 １）窓無しで、第１実験条件に従って、予め定められた
試料上で少なくとも１回の第１楕円偏光測定を実行し、 ２）段階１）と同一試料上で、窓を通す以外は第１実験
条件と同様の第２実験条件に従って少なくとも１回の第
２楕円偏光測定を実行し、 ３）補正係数を演繹するために、第１および第２楕円偏
光測定から、反射ビームの直交および平行偏光の正接振
幅ψに対し窓から生じる影響を決定し、 ４）こうして演繹された補正係数を段階１）による処理
内で考慮する。
で次の段階を実行することが好ましい。すなわち、 １）窓無しで、第１実験条件に従って、予め定められた
試料上で少なくとも１回の第１楕円偏光測定を実行し、 ２）段階１）と同一試料上で、窓を通す以外は第１実験
条件と同様の第２実験条件に従って少なくとも１回の第
２楕円偏光測定を実行し、 ３）補正係数を演繹するために、第１および第２楕円偏
光測定から、反射ビームの直交および平行偏光の正接振
幅ψに対し窓から生じる影響を決定し、 ４）こうして演繹された補正係数を段階１）による処理
内で考慮する。
【００２１】本発明はまた、本発明による方法を実行す
るための楕円偏光測定装置という目的をも有する。
るための楕円偏光測定装置という目的をも有する。
【００２２】本発明のさらなる目的は、試料を保持する
ためのボックスを形成し、試料表面に実質的に平行な平
面内に配置されボックスを少なくとも部分的に閉鎖する
選択された寸法および特徴の窓とのインタフェースを含
むチャンバであり、前記ボックスは上述の測定装置と関
連付けられるように意図されている。
ためのボックスを形成し、試料表面に実質的に平行な平
面内に配置されボックスを少なくとも部分的に閉鎖する
選択された寸法および特徴の窓とのインタフェースを含
むチャンバであり、前記ボックスは上述の測定装置と関
連付けられるように意図されている。
【００２３】本発明のさらなる特徴および利点は、以下
の詳細な説明および図面から明らかになるであろう。
の詳細な説明および図面から明らかになるであろう。
【００２４】
【発明の実施の形態】図面は、特定の特徴的な構成要素
を含む。それらは本発明のよりよい理解のためだけでな
く、必要な場合それを定義するのにもそれなりに役立つ
ことになる。
を含む。それらは本発明のよりよい理解のためだけでな
く、必要な場合それを定義するのにもそれなりに役立つ
ことになる。
【００２５】図１を参照すると、先行技術の集積回路を
製造するプラントが示されている。このプラントは、個
々にＣＨ１〜ＣＨ３の参照符号が付けられ、移送チャン
バの周囲にスター状に配置された複数のチャンバＣＨを
含む。チャンバＣＨ４内では、ロボットＲＯＢが少なく
とも一の試料ＥＣを一のチャンバＣＨから別のチャンバ
へ導入したり、取り出すことができる。試料ＥＣは、入
力インタフェースＩＥから来て、処理後に出力インタフ
ェースＩＳに差し向けられる。
製造するプラントが示されている。このプラントは、個
々にＣＨ１〜ＣＨ３の参照符号が付けられ、移送チャン
バの周囲にスター状に配置された複数のチャンバＣＨを
含む。チャンバＣＨ４内では、ロボットＲＯＢが少なく
とも一の試料ＥＣを一のチャンバＣＨから別のチャンバ
へ導入したり、取り出すことができる。試料ＥＣは、入
力インタフェースＩＥから来て、処理後に出力インタフ
ェースＩＳに差し向けられる。
【００２６】チャンバＣＨ１およびＣＨ２は例えば、エ
ピタキシによる層の堆積のためのチャンバである。チャ
ンバＣＨ３は、例えば冷却チャンバである実際には、チ
ャンバ内の雰囲気は、当該分野における当業者に周知の
装置によって制御される。
ピタキシによる層の堆積のためのチャンバである。チャ
ンバＣＨ３は、例えば冷却チャンバである実際には、チ
ャンバ内の雰囲気は、当該分野における当業者に周知の
装置によって制御される。
【００２７】例えば、チャンバＣＨ１は先行技術の楕円
偏光測定装置を装備しているが、そのうちの照明ビーム
ＦＩおよび試料ＥＣでの反射ビームＦＲのみが図示され
ている。この装置は、楕円偏光測定を実行して、例えば
基板上の層の成長中に、表面の変化を実時間にその場で
測定することができる。
偏光測定装置を装備しているが、そのうちの照明ビーム
ＦＩおよび試料ＥＣでの反射ビームＦＲのみが図示され
ている。この装置は、楕円偏光測定を実行して、例えば
基板上の層の成長中に、表面の変化を実時間にその場で
測定することができる。
【００２８】楕円偏光デバイスは、偏光された照明ビー
ムを、周知の方法で試料表面に対して予め定められた斜
めの入射角度で試料ＥＣ上に向けさせる。照明ビームＦ
Ｉは試料によって、試料の表面の法線に対して対称的に
反射する。試料の照明から生じる反射ビームＦＲは次い
で偏光解析デバイスに向けられ、その出力ビームが検出
され、次いで処理される。試料を表す物理的パラメータ
を演繹するために、試料での反射によって生じる偏光の
位相および振幅の状態の変化が処理される。
ムを、周知の方法で試料表面に対して予め定められた斜
めの入射角度で試料ＥＣ上に向けさせる。照明ビームＦ
Ｉは試料によって、試料の表面の法線に対して対称的に
反射する。試料の照明から生じる反射ビームＦＲは次い
で偏光解析デバイスに向けられ、その出力ビームが検出
され、次いで処理される。試料を表す物理的パラメータ
を演繹するために、試料での反射によって生じる偏光の
位相および振幅の状態の変化が処理される。
【００２９】窓Ｆ１およびＦ２はチャンバＣＨ１内で、
それぞれ照明ビームＦＩをチャンバＣＨ１に導き、反射
ビームＦＲをチャンバＣＨ１外に導く光路上に形成され
る。窓Ｆ１およびＦ２は、測定ビームに対して直角に配
置される。入射角は試料の法線に対して６０°〜７５°
でなければならず、これは、特定の配置方法とはしばし
ば両立しない幾何学的な制約を課す。
それぞれ照明ビームＦＩをチャンバＣＨ１に導き、反射
ビームＦＲをチャンバＣＨ１外に導く光路上に形成され
る。窓Ｆ１およびＦ２は、測定ビームに対して直角に配
置される。入射角は試料の法線に対して６０°〜７５°
でなければならず、これは、特定の配置方法とはしばし
ば両立しない幾何学的な制約を課す。
【００３０】図１に関連して、楕円偏光法は層の生成工
程（成長またはエッチング）中に実行される。
程（成長またはエッチング）中に実行される。
【００３１】これらの層の生成は、一般的に、試料を堆
積チャンバから取り出すことなく、かつチャンバの制御
された雰囲気を破壊することなく、実行される。
積チャンバから取り出すことなく、かつチャンバの制御
された雰囲気を破壊することなく、実行される。
【００３２】１つの層の物理的パラメータは、次の層を
堆積または生成する前に測定することがしばしば必要で
ある。
堆積または生成する前に測定することがしばしば必要で
ある。
【００３３】図１に示す楕円偏光法による解決策は、堆
積チャンバまたは層生成チャンバの数と同じ数の楕円偏
光測定装置を必要とするという欠点を持つ。さらに、層
を生成する特定の段階、特に金属被覆段階では、そのよ
うな楕円偏光法による解決策をその場で実行することは
困難である。最後に、試料の地図作成を完了するため
に、照明ビームに対して相対的に試料を移動させること
が適切であるが、これをチャンバ内で実行することは、
その制限された寸法のため、およびＸ、Ｙおよび／また
はＺ軸に沿って運動可能な試料キャリヤをチャンバ内に
組み込むことが困難であるため、時に困難を伴うもので
ある。
積チャンバまたは層生成チャンバの数と同じ数の楕円偏
光測定装置を必要とするという欠点を持つ。さらに、層
を生成する特定の段階、特に金属被覆段階では、そのよ
うな楕円偏光法による解決策をその場で実行することは
困難である。最後に、試料の地図作成を完了するため
に、照明ビームに対して相対的に試料を移動させること
が適切であるが、これをチャンバ内で実行することは、
その制限された寸法のため、およびＸ、Ｙおよび／また
はＺ軸に沿って運動可能な試料キャリヤをチャンバ内に
組み込むことが困難であるため、時に困難を伴うもので
ある。
【００３４】このような状況において、本出願人は本発
明に従って、試料をチャンバから取り出すことなく、特
に楕円偏光測定を試料に実行することが可能になる解決
策を提案する。
明に従って、試料をチャンバから取り出すことなく、特
に楕円偏光測定を試料に実行することが可能になる解決
策を提案する。
【００３５】図２および３を参照すると、図１のプラン
トの場合と同じチャンバＣＨ３およびＣＨ４が、移送ロ
ボットＲＯＢと共に図示されている。
トの場合と同じチャンバＣＨ３およびＣＨ４が、移送ロ
ボットＲＯＢと共に図示されている。
【００３６】本発明による楕円偏光測定装置ＥＬは、照
明ビーム４を生成するためにチャンバＣＨ３外に配置さ
れた光源２を含む。光源２は電源６およびランプ８、例
えば分光楕円偏光法の場合にはキセノンアークランプ、
単色楕円偏光法の場合にはレーザ源を含む。
明ビーム４を生成するためにチャンバＣＨ３外に配置さ
れた光源２を含む。光源２は電源６およびランプ８、例
えば分光楕円偏光法の場合にはキセノンアークランプ、
単色楕円偏光法の場合にはレーザ源を含む。
【００３７】照明ビーム２を偏光させるために、偏光デ
バイス１０をチャンバＣＨ３外に配置する。偏光デバイ
ス１０は、例えばロション型偏光子を含む。偏光子を含
む偏光デバイス１０は、光ファイバ１２によってランプ
８に接続する。偏光デバイス１０は、偏光子の寄生偏光
を抑制するために、光の伝搬方向に偏光子の上流および
光ファイバ入力カプラ１６の下流に装着したダイヤフラ
ム１４を含む。偏光デバイス１０、ダイヤフラム１４お
よび光ファイバ入力カプラ１６は、照明ヘッドを形成す
るアーム１８内に収容することが好ましい。
バイス１０をチャンバＣＨ３外に配置する。偏光デバイ
ス１０は、例えばロション型偏光子を含む。偏光子を含
む偏光デバイス１０は、光ファイバ１２によってランプ
８に接続する。偏光デバイス１０は、偏光子の寄生偏光
を抑制するために、光の伝搬方向に偏光子の上流および
光ファイバ入力カプラ１６の下流に装着したダイヤフラ
ム１４を含む。偏光デバイス１０、ダイヤフラム１４お
よび光ファイバ入力カプラ１６は、照明ヘッドを形成す
るアーム１８内に収容することが好ましい。
【００３８】照明ビーム２は、顕微鏡の対物レンズ型の
集束手段２０によって試料ＥＣに向けさせることができ
る。試料ＥＣは、好ましくは固定された物体キャリヤ
（図示せず）上に装着する。
集束手段２０によって試料ＥＣに向けさせることができ
る。試料ＥＣは、好ましくは固定された物体キャリヤ
（図示せず）上に装着する。
【００３９】チャンバＣＨ３は例えば冷却室であり、形
状は直方体である。それは様々なサイズの、例えば直径
２００ｍｍの試料を含むことができる。
状は直方体である。それは様々なサイズの、例えば直径
２００ｍｍの試料を含むことができる。
【００４０】チャンバＣＨ３は、試料表面と実質的に平
行な平面内に配置され、チャンバを少なくとも部分的に
閉鎖する、選択された寸法および特徴の窓２２によって
少なくとも部分的に閉鎖される。
行な平面内に配置され、チャンバを少なくとも部分的に
閉鎖する、選択された寸法および特徴の窓２２によって
少なくとも部分的に閉鎖される。
【００４１】例えば、窓の寸法は１３０ｍｍ×５０ｍｍ
×４ｍｍである。
×４ｍｍである。
【００４２】対物レンズ２０は、偏光された照明ビーム
４を、照明ヘッド１８から窓２２を通して試料の領域ま
で伸長する第１光路に従って、試料の領域上に向けさせ
る。
４を、照明ヘッド１８から窓２２を通して試料の領域ま
で伸長する第１光路に従って、試料の領域上に向けさせ
る。
【００４３】特定の試料の測定条件を改善するために、
必要な場合、偏光子１０と窓２２との間に補償ブレード
２１を挟むことができる（特に、試料での反射による位
相変動が＋／−９０°である場合）。
必要な場合、偏光子１０と窓２２との間に補償ブレード
２１を挟むことができる（特に、試料での反射による位
相変動が＋／−９０°である場合）。
【００４４】第１光路は、試料表面に対して予め定めら
れた斜めの入射角ＡＩを形成する。
れた斜めの入射角ＡＩを形成する。
【００４５】実際には、入射角ＡＩはおよそ５８°程度
である。
である。
【００４６】偏光解析デバイス２４は、チャンバＣＨ３
外に設けられる。
外に設けられる。
【００４７】照明ビーム４による試料の照明から反射ビ
ーム２６が生じる。反射ビーム２６は対物レンズ２８に
よって、試料から窓２２を通して解析デバイスまで伸長
する第２光路に沿って、解析デバイス２４へ向けられ
る。
ーム２６が生じる。反射ビーム２６は対物レンズ２８に
よって、試料から窓２２を通して解析デバイスまで伸長
する第２光路に沿って、解析デバイス２４へ向けられ
る。
【００４８】反射ビーム２６は、試料の表面の法線に対
して照明ビーム４と対称である。
して照明ビーム４と対称である。
【００４９】ブレード２１が無い場合、それと同様の役
割を持つために、補償ブレード２７を窓２２と偏光解析
デバイス２４との間に挟むことができる。
割を持つために、補償ブレード２７を窓２２と偏光解析
デバイス２４との間に挟むことができる。
【００５０】同様に、この補償機能は、窓の内面および
／または外面を被覆する適切な材料（図示せず）または
多層堆積物の層によって確保することができる。この被
覆の物理的性質（光学的指標、厚さ）は、使用可能なス
ペクトル範囲で９０°の窓による位相変化を誘発するよ
うに選択する。この被覆は、これらのスペクトル範囲で
は明らかに透明である（シリカ、窒化物、アルミニウ
ム）。
／または外面を被覆する適切な材料（図示せず）または
多層堆積物の層によって確保することができる。この被
覆の物理的性質（光学的指標、厚さ）は、使用可能なス
ペクトル範囲で９０°の窓による位相変化を誘発するよ
うに選択する。この被覆は、これらのスペクトル範囲で
は明らかに透明である（シリカ、窒化物、アルミニウ
ム）。
【００５１】出力信号を供給するために、例えば光検出
器型の検出デバイス３０は、解析デバイス２４からの出
力ビームを検出する。広帯域光源２の存在下で、光検出
器はモノクロメータまたはスペクトロメータ３２に先行
する。光ファイバ３４は、モノクロメータまたはスペク
トロメータ３２を、入力カプラ３６によって解析デバイ
ス２４に接続する。解析デバイス２４および入力カプラ
３６は解析ヘッドを形成するアーム３８に収容すれば有
利である。
器型の検出デバイス３０は、解析デバイス２４からの出
力ビームを検出する。広帯域光源２の存在下で、光検出
器はモノクロメータまたはスペクトロメータ３２に先行
する。光ファイバ３４は、モノクロメータまたはスペク
トロメータ３２を、入力カプラ３６によって解析デバイ
ス２４に接続する。解析デバイス２４および入力カプラ
３６は解析ヘッドを形成するアーム３８に収容すれば有
利である。
【００５２】処理手段４０は、試料の領域における反射
によって生じる偏光の位相および振幅の状態の変化を決
定するために、出力信号を処理する。処理手段４０は、
電子制御ユニット４２およびマイクロコンピュータを含
む。
によって生じる偏光の位相および振幅の状態の変化を決
定するために、出力信号を処理する。処理手段４０は、
電子制御ユニット４２およびマイクロコンピュータを含
む。
【００５３】照明アーム１８および解析アーム３８は、
測定装置を小型に改善するため、測定装置のサイズを縮
小するように構成される。
測定装置を小型に改善するため、測定装置のサイズを縮
小するように構成される。
【００５４】照明アーム１８および解析アーム３８は、
試料表面に平行な平面内でＸおよびＹ軸に沿って移動可
能なテーブル４６に堅固に接続される。
試料表面に平行な平面内でＸおよびＹ軸に沿って移動可
能なテーブル４６に堅固に接続される。
【００５５】このテーブルは、試料表面上の照明ビーム
４をＸおよびＹ軸に沿って変位させるために使用する。
実際には、Ｘ軸に沿った変位は、長さ１００ｍｍの経路
に沿って行われ、Ｙ軸に沿った変位は、より短い例えば
１０ｍｍの経路に沿って行われる。
４をＸおよびＹ軸に沿って変位させるために使用する。
実際には、Ｘ軸に沿った変位は、長さ１００ｍｍの経路
に沿って行われ、Ｙ軸に沿った変位は、より短い例えば
１０ｍｍの経路に沿って行われる。
【００５６】テーブル４６は、照明アームおよび解析ア
ームと試料表面との間の距離に適応させるために、Ｚ軸
に沿って移動可能であることが好ましい。この適応は、
テーブルの変位の精度に対して照明スポットの寸法が小
さい場合に有用である。
ームと試料表面との間の距離に適応させるために、Ｚ軸
に沿って移動可能であることが好ましい。この適応は、
テーブルの変位の精度に対して照明スポットの寸法が小
さい場合に有用である。
【００５７】入射角ＡＩは例えば、校正段階の後、５８
°付近に固定する。
°付近に固定する。
【００５８】試料の画像を撮影するために、試料の表面
に対して直角に、レンズ５０を含むＣＣＤカメラ型の画
像認識装置４８を装備することもできる。この装置４８
は、可動テーブルに堅固に接続することが好ましい。
に対して直角に、レンズ５０を含むＣＣＤカメラ型の画
像認識装置４８を装備することもできる。この装置４８
は、可動テーブルに堅固に接続することが好ましい。
【００５９】同様の仕方で、ＣＣＤカメラ型の自動焦点
調整デバイス５２は、装置の自動焦点調節に適応させる
ために、解析器２４によって伝送された信号をセパレー
タ５４によって捕捉する。このデバイス５２もまた、可
動テーブルに堅固に接続することが好ましい。
調整デバイス５２は、装置の自動焦点調節に適応させる
ために、解析器２４によって伝送された信号をセパレー
タ５４によって捕捉する。このデバイス５２もまた、可
動テーブルに堅固に接続することが好ましい。
【００６０】電子制御ユニット４２は、照明アーム１
８、解析アーム３８、画像認識装置４８および自動焦点
調整デバイス５２を変位させるために、特にテーブル４
６のＸ、ＹおよびＺ軸に沿った変位を操縦する。この電
子制御ユニット４２は、ランプ８および検出デバイス３
０をも制御する。
８、解析アーム３８、画像認識装置４８および自動焦点
調整デバイス５２を変位させるために、特にテーブル４
６のＸ、ＹおよびＺ軸に沿った変位を操縦する。この電
子制御ユニット４２は、ランプ８および検出デバイス３
０をも制御する。
【００６１】本発明による測定装置の主要な特徴の１つ
は、試料表面の平面と平行な平面内に配置され、試料を
含むチャンバを少なくとも部分的に閉鎖する平面窓２
２、チャンバの外部に配置された照明アーム１８および
解析アーム３８に存在する。
は、試料表面の平面と平行な平面内に配置され、試料を
含むチャンバを少なくとも部分的に閉鎖する平面窓２
２、チャンバの外部に配置された照明アーム１８および
解析アーム３８に存在する。
【００６２】照明アーム１８および解析アーム３８が
「直線」として知られる構成に配置された場合、０．２
５ｍｍ〜０．８５ｎｍの波長範囲で、正接パラメータの
プシー（Ψ）が１＋／−０．０１に等しいとき、および
余弦パラメータのデルタ（δ）が１＋／−０．０１に等
しいときに、楕円偏光測定装置が正しく機能すること
を、試験は示している。
「直線」として知られる構成に配置された場合、０．２
５ｍｍ〜０．８５ｎｍの波長範囲で、正接パラメータの
プシー（Ψ）が１＋／−０．０１に等しいとき、および
余弦パラメータのデルタ（δ）が１＋／−０．０１に等
しいときに、楕円偏光測定装置が正しく機能すること
を、試験は示している。
【００６３】出願人は、楕円偏光パラメータ、特に正接
プシーおよび余弦デルタの計算に対する窓の影響を決定
する計算を行った。
プシーおよび余弦デルタの計算に対する窓の影響を決定
する計算を行った。
【００６４】図４を参照すると、計算に関与する装置の
不可欠な構成要素が再び、光源はＥ L、偏光子はＰ、窓
はＷ、試料はＳ、解析器はＡ、検出器はＤで示される。
不可欠な構成要素が再び、光源はＥ L、偏光子はＰ、窓
はＷ、試料はＳ、解析器はＡ、検出器はＤで示される。
【００６５】追って記載する式１は、検出器の電場Ｅd
を計算する。
を計算する。
【００６６】式２は、検出器の電場Ｅdを行列として表
現する。
現する。
【００６７】式３は、窓が無い場合の強度Ｉを表す。式
３の係数Ｋ、α、およびβは、追って記載の式４、５お
よび６においてそれぞれ示す。
３の係数Ｋ、α、およびβは、追って記載の式４、５お
よび６においてそれぞれ示す。
【００６８】一般的に、正接パラメータのプシーおよび
余弦のデルタパラメータは、追って記載する式７および
８に従ってそれぞれ表される。
余弦のデルタパラメータは、追って記載する式７および
８に従ってそれぞれ表される。
【００６９】窓が試料と照明および解析アームとの間に
配置された場合、追って記載する式９に従って行列計算
が表され、これは、追って記載の式１０および１１に従
って窓がある場合またはない場合の正接パラメータのプ
シーおよび余弦パラメータのデルタを表すことを可能に
する。
配置された場合、追って記載する式９に従って行列計算
が表され、これは、追って記載の式１０および１１に従
って窓がある場合またはない場合の正接パラメータのプ
シーおよび余弦パラメータのデルタを表すことを可能に
する。
【００７０】図５を参照すると、窓を介する照明ビーム
または反射ビームの光路が示されている。出願人は、例
えば、厚さ４ｍｍおよび係数ｎ（例えばｎ＝１．５）の
ＰＵＲＯＰＳＩＬ（登録商標）型の窓の影響を評価し
た。
または反射ビームの光路が示されている。出願人は、例
えば、厚さ４ｍｍおよび係数ｎ（例えばｎ＝１．５）の
ＰＵＲＯＰＳＩＬ（登録商標）型の窓の影響を評価し
た。
【００７１】窓の透過率Ｔは式１２で与えられ、式中、
係数ｔ01、ｔ10、ｒ01、およびｒ10は、外気／窓界面お
よび外気窓における透過係数および反射係数に対応する
フレネル係数である（式１３、１４、１５、および１
６）。パラメータδは窓の厚さによる位相ずれを表す
（式１７）。
係数ｔ01、ｔ10、ｒ01、およびｒ10は、外気／窓界面お
よび外気窓における透過係数および反射係数に対応する
フレネル係数である（式１３、１４、１５、および１
６）。パラメータδは窓の厚さによる位相ずれを表す
（式１７）。
【００７２】係数ｔ01*ｔ10の積は、追って記載の式１
８で表される。
８で表される。
【００７３】式９で表されるマトリックスの２つの係数
ａおよびｂはそれぞれ、式１９および２０で与えられ
る。
ａおよびｂはそれぞれ、式１９および２０で与えられ
る。
【００７４】正接パラメータのプシーに適用するように
意図された補正係数は、式２１に関連して与えられる。
式２２は、位相ずれに適用される補正係数を表す。
意図された補正係数は、式２１に関連して与えられる。
式２２は、位相ずれに適用される補正係数を表す。
【００７５】したがって、理論計算（直線）から、正接
パラメータのプシーは、実質的に波長に応じて（波長の
関数として窓の屈折率のわずかな変化により）選択され
る係数によって補正しなければならないが、正接パラメ
ータのデルタは窓によって影響されないようである。
パラメータのプシーは、実質的に波長に応じて（波長の
関数として窓の屈折率のわずかな変化により）選択され
る係数によって補正しなければならないが、正接パラメ
ータのデルタは窓によって影響されないようである。
【００７６】図６を参照すると、直線状の楕円偏光法お
よび５８°に傾斜した窓を用いて、波長の関数として測
定された正接プシーの点値が示されている。これらの測
定点は、ＰＵＲＯＰＳＩＬ窓を使用し、上述の数式に従
って正接パラメータのプシーの計算を表した曲線Ｃ１と
比較される。
よび５８°に傾斜した窓を用いて、波長の関数として測
定された正接プシーの点値が示されている。これらの測
定点は、ＰＵＲＯＰＳＩＬ窓を使用し、上述の数式に従
って正接パラメータのプシーの計算を表した曲線Ｃ１と
比較される。
【００７７】式２１で表わされる補正係数は、窓を２回
通過するので（照明および反射）２回適用しなければな
らないことに注意されたい。
通過するので（照明および反射）２回適用しなければな
らないことに注意されたい。
【００７８】理論的には、窓の影響の校正は、例えば５
８°の入射に傾斜した窓で直線的に実現することができ
る。しかし、実際には、正接プシー（図７）の２つの大
きさ、すなわち測定位置における試料上で光学素子の調
整後に、窓無しで測定した１つ（曲線Ｃ２）と窓を用い
て測定したもう１つ（曲線Ｃ３）の比率（図８の曲線Ｃ
４）を使用して、正接パラメータψについて補正係数を
評価する必要がある。
８°の入射に傾斜した窓で直線的に実現することができ
る。しかし、実際には、正接プシー（図７）の２つの大
きさ、すなわち測定位置における試料上で光学素子の調
整後に、窓無しで測定した１つ（曲線Ｃ２）と窓を用い
て測定したもう１つ（曲線Ｃ３）の比率（図８の曲線Ｃ
４）を使用して、正接パラメータψについて補正係数を
評価する必要がある。
【００７９】実際には、校正段階は、次の段階を含む。
すなわち、 １）窓無しで、第１実験条件に従って、予め定められた
試料で少なくとも１回の第１楕円偏光測定を実行し、 ２）窓を通す以外は第１実験条件と一般的に同様の第２
実験条件に従って、段階１）の場合と同一試料で少なく
とも１回の第２楕円偏光測定を実行し、 ３）補正係数を演繹するために、反射ビームの直交およ
び平行偏光の正接振幅ψの関係に対して窓から生じる影
響を、第１および第２楕円偏光測定から決定し、 ４）こうして演繹された補正係数をその先行段階による
処理において考慮する。
すなわち、 １）窓無しで、第１実験条件に従って、予め定められた
試料で少なくとも１回の第１楕円偏光測定を実行し、 ２）窓を通す以外は第１実験条件と一般的に同様の第２
実験条件に従って、段階１）の場合と同一試料で少なく
とも１回の第２楕円偏光測定を実行し、 ３）補正係数を演繹するために、反射ビームの直交およ
び平行偏光の正接振幅ψの関係に対して窓から生じる影
響を、第１および第２楕円偏光測定から決定し、 ４）こうして演繹された補正係数をその先行段階による
処理において考慮する。
【００８０】多項式近似（図８）を使用して、他の例の
測定値を直接補正することができる。
測定値を直接補正することができる。
【００８１】本発明により、地図作成（cartography）
を実現することができる。地図作成は、試料をチャンバ
内に固定した状態で維持し、試料の別の領域を照明する
ために偏光された照明ビームを長手方向および／または
横方向に変位し、同じ斜めの入射角に従って様々な段階
の工程を繰り返すことから成り、それにより、試料を移
動させることなく、かつ試料をチャンバから取り出すこ
となく、試料の多数のゾーンに複数の楕円偏光測定を実
行することが可能になる。
を実現することができる。地図作成は、試料をチャンバ
内に固定した状態で維持し、試料の別の領域を照明する
ために偏光された照明ビームを長手方向および／または
横方向に変位し、同じ斜めの入射角に従って様々な段階
の工程を繰り返すことから成り、それにより、試料を移
動させることなく、かつ試料をチャンバから取り出すこ
となく、試料の多数のゾーンに複数の楕円偏光測定を実
行することが可能になる。
【００８２】この方法は、測定装置と試料表面との間の
距離を調整するために、窓を通して固定試料上の照明ビ
ームを横方向に移動させることから成る段階をさらに含
む。
距離を調整するために、窓を通して固定試料上の照明ビ
ームを横方向に移動させることから成る段階をさらに含
む。
【００８３】図９を参照すると、１００ｍｍの半径を有
するシリコン基板上の１層のシリカを含む試料のｎｍ単
位の厚さの測定値が示されている。曲線Ｃ５は窓無しで
行われた測定を表し、曲線Ｃ６は窓を使用して行われ
（かつ上述の補正係数に従って補正され）た測定を示
す。２つの曲線間の優れた一致は、１００ｍｍの軸Ｘ上
における本発明による窓を通しての試料の地図作成が、
窓無しで実行した同じ測定と完全に整合的であることを
示す。
するシリコン基板上の１層のシリカを含む試料のｎｍ単
位の厚さの測定値が示されている。曲線Ｃ５は窓無しで
行われた測定を表し、曲線Ｃ６は窓を使用して行われ
（かつ上述の補正係数に従って補正され）た測定を示
す。２つの曲線間の優れた一致は、１００ｍｍの軸Ｘ上
における本発明による窓を通しての試料の地図作成が、
窓無しで実行した同じ測定と完全に整合的であることを
示す。
【００８４】変形として、窓は、照明ビームおよび反射
ビームのそれぞれの通過が可能なように選択された同一
の寸法および特徴の第１および第２窓に分割することが
できる。
ビームのそれぞれの通過が可能なように選択された同一
の寸法および特徴の第１および第２窓に分割することが
できる。
【００８５】チャンバは例えば、生産ラインの生産チャ
ンバから排出された測定すべき試料を受容するために、
集積回路の生産ライン用に適応された冷却チャンバであ
る。
ンバから排出された測定すべき試料を受容するために、
集積回路の生産ライン用に適応された冷却チャンバであ
る。
【００８６】変形として（図１０Ａ〜１０Ｃ）、チャン
バは、試料ＥＣを含むことができ、かつ上述の測定装置
に試料を載置したりそこから除去することができる、試
料キャリヤを形成するボックスＢＯとすることができ
る。
バは、試料ＥＣを含むことができ、かつ上述の測定装置
に試料を載置したりそこから除去することができる、試
料キャリヤを形成するボックスＢＯとすることができ
る。
【００８７】例えば、ボックスＢＯは直方体である。そ
れは、試料ＥＣをボックスＢＯ内部に保持するために各
々スライドＧＬ１、ＧＬ２を備えた長手方向の壁ＰＬ１
およびＰＬ２を有する。ボックスはさらに横方向のフォ
ールディングウォールＰＬ３を含み、試料をボックスへ
／から載置する／取り出すことができる。本発明による
と、ボックスはボックスを閉鎖する窓ＦＮを備えた上面
を含む。
れは、試料ＥＣをボックスＢＯ内部に保持するために各
々スライドＧＬ１、ＧＬ２を備えた長手方向の壁ＰＬ１
およびＰＬ２を有する。ボックスはさらに横方向のフォ
ールディングウォールＰＬ３を含み、試料をボックスへ
／から載置する／取り出すことができる。本発明による
と、ボックスはボックスを閉鎖する窓ＦＮを備えた上面
を含む。
【００８８】本発明による窓は、特に熱制御環境（炉、
低温槽）で楕円偏光測定を実施する場合、断熱を提供す
る機能をも持つことができることに注意されたい。
低温槽）で楕円偏光測定を実施する場合、断熱を提供す
る機能をも持つことができることに注意されたい。
【００８９】また、本発明による窓は、外気環境とチャ
ンバ内の液体環境とを分離するためにも使用できること
に注意されたい。この窓は、プラニシティ（ｐｌａｎｉ
ｃｉｔｙ）および振動に関連して液体内で試料を測定す
るときの周知の問題を回避する。これは、湿式環境での
バイオキャプタ（ｂｉｏｃａｐｔｏｒ）の測定のみなら
ずエッチング、クリーニング等の湿式工程中のウェーハ
でも大きな利益を得ることができる。この場合、モデリ
ングは水媒体を考慮に入れる。
ンバ内の液体環境とを分離するためにも使用できること
に注意されたい。この窓は、プラニシティ（ｐｌａｎｉ
ｃｉｔｙ）および振動に関連して液体内で試料を測定す
るときの周知の問題を回避する。これは、湿式環境での
バイオキャプタ（ｂｉｏｃａｐｔｏｒ）の測定のみなら
ずエッチング、クリーニング等の湿式工程中のウェーハ
でも大きな利益を得ることができる。この場合、モデリ
ングは水媒体を考慮に入れる。
【００９０】
【数１】
【００９１】
【数２】
【００９２】
【数３】
【００９３】
【数４】
【００９４】
【数５】
【００９５】
【数６】
【００９６】
【数７】
【００９７】
【数８】
【００９８】
【数９】
【００９９】
【数１０】
【０１００】
【数１１】
【０１０１】
【数１２】
【０１０２】
【数１３】
【０１０３】
【数１４】
【０１０４】
【数１５】
【０１０５】
【数１６】
【０１０６】
【数１７】
【０１０７】
【数１８】
【０１０８】
【数１９】
【０１０９】
【数２０】
【０１１０】
【数２１】
【０１１１】
【数２２】
【図１】先行技術による層の堆積のための複数のチャン
バを装備した集積回路製造用プラントを示す図である。
バを装備した集積回路製造用プラントを示す図である。
【図２】図１によるプラントの冷却チャンバに組み込ま
れた、本発明による楕円偏光測定装置を示す図である。
れた、本発明による楕円偏光測定装置を示す図である。
【図３】本発明による別の楕円偏光測定装置を示す図で
ある。
ある。
【図４】本発明による楕円偏光測定装置の基本的要素を
示す図である。
示す図である。
【図５】本発明によるチャンバを少なくとも部分的に閉
鎖する窓を通る照明ビームの光路を示す図である。
鎖する窓を通る照明ビームの光路を示す図である。
【図６】５８°に傾斜した窓を通して直線として測定し
た正接パラメータΨの波長の関数としての曲線を示す図
である。
た正接パラメータΨの波長の関数としての曲線を示す図
である。
【図７】窓を使用してまたは使用せずにシリコン基板上
で測定した正接パラメータΨの波長の関数としての測定
曲線を示す図である。
で測定した正接パラメータΨの波長の関数としての測定
曲線を示す図である。
【図８】測定された正接パラメータΨに適用される窓の
影響から生じる補正係数の波長の関数としての曲線を示
す図である。
影響から生じる補正係数の波長の関数としての曲線を示
す図である。
【図９】大径の試料上で窓を使用してまたは使用せずに
シリコン基板上で測定したシリコンの厚さの曲線を示す
図である。
シリコン基板上で測定したシリコンの厚さの曲線を示す
図である。
【図１０Ａ】試料を含むチャンバを形成し、本発明によ
る測定装置に適用することが可能なボックスを示す図で
ある。
る測定装置に適用することが可能なボックスを示す図で
ある。
【図１０Ｂ】試料を含むチャンバを形成し、本発明によ
る測定装置に適用することが可能なボックスを示す図で
ある
る測定装置に適用することが可能なボックスを示す図で
ある
【図１０Ｃ】試料を含むチャンバを形成し、本発明によ
る測定装置に適用することが可能なボックスを示す図で
ある
る測定装置に適用することが可能なボックスを示す図で
ある
【符号の説明】 ２ 光源 ６ 電源 ８ ランプ １０ 偏光デバイス １２ 光ファイバ １４ ダイヤフラム １６ 光ファイバ入力カプラ １８ アーム ２０ 集束手段 ２１ ブレード ２２ 窓 ２４ 偏光解析デバイス ２６ 反射ビーム ２８ 対物レンズ ３０ 検出デバイス ３２ スペクトロメータ ３４ 光ファイバ ３６ 入力カプラ ３８ アーム ４０ 処理手段 ４２ 電子制御ユニット ４６ テーブル ４８ 画像認識装置 ５０ レンズ ５２ 自動焦点調整デバイス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ Ｆターム(参考） 2F065 AA30 BB01 CC17 CC25 EE00 FF44 FF50 GG02 GG03 GG04 GG12 HH04 HH10 HH12 JJ01 JJ08 LL02 LL33 LL68 PP03 QQ00 QQ26 2G059 AA05 BB10 BB16 DD13 DD18 EE02 EE05 FF01 FF04 GG01 GG04 GG10 JJ01 JJ17 JJ19 JJ22 KK01 KK04 MM01 4M106 AA01 BA04 BA05 CA48 DG08 DH03 DH12 DJ04 5F004 BB18 CB09 DA01 5F045 GB09
Claims (19)
- 【請求項１】 チャンバ内に含まれる試料の楕円偏光測
定方法であって、 ａ）照明ビームを生成するためにチャンバの外部に光源
を設けるステップと、 ｂ）照明ビームを偏光させるためにチャンバの外部に偏
光デバイスを設けるステップと、 ｃ）試料の表面に実質的に平行な平面内に配置され、チ
ャンバを少なくとも部分的に閉鎖する、選択された寸法
および特徴を有する窓を設けるステップと、 ｄ）前記偏光デバイスから前記窓を通して前記試料の一
領域まで伸長する第１光路であって、試料表面に対して
予め定められた斜めの入射角を形成する前記第１光路に
沿って、偏光された照明ビームを試料の前記領域に向け
させるステップと、 ｅ）前記照明ビームによる前記試料の前記領域の照明か
ら結果的に生じる反射ビームであって、前記試料表面の
法線に対して前記照明ビームに対称な反射ビームを生成
するステップと、 ｆ）チャンバの外部に偏光解析デバイスを設けるステッ
プと、 ｇ）前記試料から前記窓を通して前記解析デバイスまで
伸長する第２光路に沿って、前記反射ビームを前記解析
デバイスに集束させるステップと、 ｈ）出力信号を供給するために前記解析デバイスから送
信される出力ビームを検出するステップと、 ｉ）前記試料の前記領域における反射によって生じる偏
光の位相および振幅の状態の変化を決定するために前記
出力信号を処理するステップとを含む方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の方法であって、 前記試料を前記チャンバ内に固定し続け、前記試料の別
の領域を照明するために前記偏光された照明ビームを長
手方向および／または横方向に移動させ、同じ斜めの入
射角でステップｄ）〜ｉ）を繰り返すことから成り、前
記試料を移動することなく、かつ前記チャンバから前記
試料を取り出すことなく、前記試料の複数の領域で複数
の楕円偏光測定を実行することを可能にするステップ
ｊ）をさらに含む方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の方法であって、 前記ステップｊ）が、さらに、測定装置と前記試料表面
との間の距離を調整するために、前記固定された試料上
の照明ビームを前記窓を通して、横方向に変位させるこ
とを含む方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の方法であって、 １）窓無しで第１実験条件に従って予め定められた試料
に少なくとも１回の第１楕円偏光測定を実行するステッ
プと、 ２）窓を通す以外は前記第１実験条件と一般的に同様の
第２実験条件に従って、ステップ１）の場合と同一試料
に少なくとも１回の第２楕円偏光測定を実行するステッ
プと、 ３）補正係数を演繹するために、前記反射ビームの直交
および平行偏光の正接Ψ振幅の関係に対し前記窓から生
じる影響を、前記第１および第２楕円偏光測定から決定
するステップと、 ４）こうして演繹された補正係数をステップｊ）による
処理内で考慮するステップとを含む校正段階をさらに含
む方法。 - 【請求項５】 チャンバ内に含まれた試料のための楕円
偏光測定装置であって、 照明ビームを生成するためのチャンバ外の光源と、 照明ビームを偏光させるためのチャンバ外の偏光デバイ
スと、 試料表面と実質的に平行な平面内に配置され、チャンバ
を少なくとも部分的に閉鎖する、選択された寸法および
特徴の窓と、 前記偏光デバイスから窓を通して前記試料の一領域まで
伸長する第１光路であって、前記試料表面に対して予め
定められた斜めの入射角を形成する前記第１光路に沿っ
て、偏光された照明ビームを試料の領域に向けさせるた
めの第１方向付けデバイスと、 チャンバ外の偏光解析デバイスと、 前記照明ビームによる試料の照明から生じる反射ビーム
であって、前記試料表面の法線に対し前記照明ビームと
対称な前記反射ビームを、前記試料から窓を通して前記
解析デバイスまで伸長する第２光路に沿って前記解析デ
バイスに向けさせるための第２方向付けデバイスと、 出力信号を供給するために、前記解析デバイスによって
送信される出力ビームを検出するための検出デバイス
と、 前記試料の前記領域での反射によって生じる偏光の位相
および振幅の状態の変化を決定するために、前記出力信
号を処理するための処理手段とを含む装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載の装置であって、 前記試料の別の領域を同じ斜めの入射角で照明するため
に、前記偏光された照明ビームを長手方向および／また
は横方向に変位させるための変位手段をさらに含み、そ
れにより、前記試料を移動することなく、かつ前記チャ
ンバから試料を取り出すことなく、前記試料の地図作成
を達成することを可能にした装置。 - 【請求項７】 請求項５に記載の装置であって、 前記窓が、前記照明ビームおよび反射ビームのそれぞれ
の通過を可能にするように選択された同一の寸法および
特徴の第１および第２窓を含む装置。 - 【請求項８】 請求項５に記載の装置であって、 前記変位手段が前記固定された試料上の前記照明ビーム
を横方向に変位させることができ、それが測定装置と前
記試料表面との間の距離を調整することを可能にする装
置。 - 【請求項９】 請求項６に記載の装置であって、 前記変位手段がＸ軸および／またはＹ軸および／または
Ｚ軸に沿って調整可能なテーブルを含む装置。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の装置であって、 前記テーブルが偏光デバイス、解析デバイス、ならびに
第１および第２方向付けデバイスを担持することが可能
である装置。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の装置であって、 前記光源と前記偏光デバイスとの間に配置された第１光
ファイバをさらに含む装置。 - 【請求項１２】 請求項１０に記載の装置であって、 前記解析デバイスと前記検出デバイスとの間に配置され
た第２光ファイバをさらに含む装置。 - 【請求項１３】 請求項５に記載の装置であって、 光の伝搬方向に前記偏光デバイスの上流に配置されたダ
イヤフラムをさらに含む装置。 - 【請求項１４】 請求項５に記載の装置であって、 前記偏光子と前記窓との間に挟まれた補償ブレードをさ
らに含む装置。 - 【請求項１５】 請求項５に記載の装置であって、 前記窓と前記解析デバイスとの間に挟まれた補償ブレー
ドをさらに含む装置。 - 【請求項１６】 請求項５に記載の装置であって、 前記窓の内側および／または外側表面を被覆する１層の
適切な材料をさらに含む装置。 - 【請求項１７】 請求項５に記載の装置であって、 前記チャンバが、生産ラインから出てくる測定すべき試
料を受容するために、集積回路の生産ラインに適応させ
ることができる冷却チャンバである装置。 - 【請求項１８】 請求項５に記載の装置であって、 前記チャンバが、試料を含むことができる試料キャリヤ
を形成し、かつ測定装置に接続されるインタフェースを
備えたボックスである装置。 - 【請求項１９】 試料を含むことができ、試料表面に実
質的に平行な平面内に配置され、かつボックスを閉鎖す
る選択された寸法および特徴の窓を備えた上面を含むボ
ックスであって、 照明ビームを生成するためのチャンバ外の光源と、 前記照明ビームを偏光させるためのチャンバ外の偏光デ
バイスと、 前記偏光デバイスから前記窓を通して前記試料の一領域
まで伸長する第１光路であって、前記試料表面に対し予
め定められた斜めの入射角を形成する前記第１光路に沿
って、前記偏光された照明ビームを前記試料の前記領域
に向けさせるための第１方向付けデバイスと、 チャンバ外の偏光解析デバイスと、 前記照明ビームによる前記試料の照明から生じる反射ビ
ームであって、前記試料表面の法線に対し前記照明ビー
ムに対称な前記反射ビームを、前記試料から前記窓を通
して前記解析デバイスまで伸長する第２光路に沿って前
記解析デバイスへ向けさせるための第２方向付けデバイ
スと、 出力信号を形成するために、前記解析デバイスによって
送信される出力ビームを検出するための検出デバイス
と、 前記試料の前記領域での反射によって生じる偏光の位相
および振幅の状態の変化を決定するために、前記出力信
号を処理するための処理手段とを備えた測定装置に結合
するように意図されたボックス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0006771A FR2809491B1 (fr) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | Procede et appareil de metrologie ellipsometrique pour echantillon contenu dans une chambre ou analogue |
| FR0006771 | 2000-05-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002071462A true JP2002071462A (ja) | 2002-03-08 |
Family
ID=8850668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001156684A Pending JP2002071462A (ja) | 2000-05-26 | 2001-05-25 | チャンバ内等に含まれる試料の楕円偏光測定方法および装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6687002B2 (ja) |
| EP (1) | EP1158291B9 (ja) |
| JP (1) | JP2002071462A (ja) |
| KR (1) | KR100808274B1 (ja) |
| AT (1) | ATE263965T1 (ja) |
| DE (1) | DE60102619T2 (ja) |
| FR (1) | FR2809491B1 (ja) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6937341B1 (en) | 1998-09-29 | 2005-08-30 | J. A. Woollam Co. Inc. | System and method enabling simultaneous investigation of sample with two beams of electromagnetic radiation |
| US7349092B1 (en) | 2000-02-22 | 2008-03-25 | J.A. Woollam Co., Inc | System for reducing stress induced effects during determination of fluid optical constants |
| US7274450B1 (en) | 2000-03-21 | 2007-09-25 | J.A. Woollam Co., Inc | Sample entry purge system in spectrophotometer, ellipsometer, polarimeter and the like systems |
| US7333198B1 (en) | 2003-04-03 | 2008-02-19 | J.A. Woollam Co., Inc. | Sample orientation system and method |
| US7230699B1 (en) | 2002-10-15 | 2007-06-12 | J.A. Woollam Co., Inc. | Sample orientation system and method |
| US7619752B2 (en) | 2000-03-21 | 2009-11-17 | J. A. Woollam Co., Inc. | Sample orientation system and method |
| US6982792B1 (en) | 2000-03-21 | 2006-01-03 | J.A. Woollam Co. Inc | Spectrophotometer, ellipsometer, polarimeter and the like systems |
| FR2812941B1 (fr) * | 2000-08-10 | 2002-10-11 | Air Liquide | Procede de controle en temps reel de l'elaboration d'une structure en couches minces par mesure elipsometrique |
| WO2004070363A1 (en) * | 2003-02-03 | 2004-08-19 | Beaglehole Instruments Ltd | Sample container |
| US8570513B2 (en) | 2003-02-28 | 2013-10-29 | J.A. Woollam Co., Inc. | Ellipsometric investigation and analysis of textured samples |
| US7253900B1 (en) | 2003-05-28 | 2007-08-07 | J.A. Woollam Co., Inc. | Ellipsometer or polarimeter and the like system with multiple detector element detector in environmental control chamber including secure sample access |
| EP1640706A1 (en) * | 2004-09-22 | 2006-03-29 | Eldim Sa | Wavelength and incidence angle resolved ellipsometer or reflectometer |
| JP4923066B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2012-04-25 | ナンヤン テクノロジカル ユニヴァーシティー | 免疫測定装置、免疫測定装置に用いられる光ファイバ及び免疫測定を行う方法 |
| US20090066970A1 (en) * | 2007-05-21 | 2009-03-12 | Muetec Automatisierte Mikroskopie Und Messtechnik Gmbh | Arrangement and method for improving the measurement accuracy in the nm range for optical systems |
| US7742160B2 (en) * | 2008-01-15 | 2010-06-22 | International Business Machines Corporation | Determining angle of incidence with respect to workpiece |
| US7800756B2 (en) * | 2008-07-09 | 2010-09-21 | Raytheon Company | Method and apparatus for analyzing coatings on curved surfaces |
| US8248606B1 (en) | 2008-09-15 | 2012-08-21 | J.A. Woollam Co., Inc. | Sample mapping in environmental chamber |
| TW201023286A (en) * | 2008-12-15 | 2010-06-16 | Inotera Memories Inc | Portable wafer inspection system |
| US8248607B1 (en) | 2009-08-04 | 2012-08-21 | J.A. Woollam Co., Inc. | Empirical correction for spectroscopic ellipsometric measurements of rough or textured surfaces |
| KR101105328B1 (ko) * | 2009-11-23 | 2012-01-16 | 한국표준과학연구원 | 분자 흡착 및 해리 동특성 측정장치 및 측정방법 |
| KR101037790B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2011-05-27 | 나노바이오시스 주식회사 | 듀얼 광원을 포함하는 형광 편광 분석 장치 |
| US8559008B2 (en) | 2011-04-07 | 2013-10-15 | Nanometrics Incorporated | Ellipsometer focusing system |
| KR101383652B1 (ko) * | 2012-10-15 | 2014-04-09 | 한국표준과학연구원 | 분자접합특성 및 완충용액 굴절률 동시 측정장치 및 측정방법 |
| WO2015126366A1 (en) * | 2014-02-18 | 2015-08-27 | Halliburton Energy Services, Inc. | Imaging systems for optical computing devices |
| US20200024727A1 (en) * | 2015-12-12 | 2020-01-23 | Indian Institute of Technology Guwahati | System, apparatus and method for monitoring of surface profile and thickness measurement in thin films |
| US9933357B1 (en) * | 2016-02-25 | 2018-04-03 | J. A. Woollam Co., Inc. | Elliposometer system with polarization state generator and polarization state analyzer in environmental chamber |
| US10551608B2 (en) * | 2016-03-24 | 2020-02-04 | Molecular Devices, Llc | Imaging system with ancillary image detector for sample location |
| IT201700118624A1 (it) * | 2017-10-19 | 2019-04-19 | Thales Alenia Space Italia Spa Con Unico Socio | Metodi e relativo sistema per misurare deformazioni termo-elastiche di un oggetto |
| US11385167B2 (en) | 2019-10-01 | 2022-07-12 | Onto Innovation Inc. | Beamsplitter based ellipsometer focusing system |
| US20230168185A1 (en) * | 2020-09-21 | 2023-06-01 | Korea Research Institute Of Standards And Science | Device and method for multi-reflection solution immersed silicon-based microchannel measurement |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02126106A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-15 | Shimadzu Corp | 偏光解析装置 |
| JPH047852A (ja) * | 1990-04-25 | 1992-01-13 | Fujitsu Ltd | 膜厚測定方法 |
| JPH04243123A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPH06504845A (ja) * | 1991-01-11 | 1994-06-02 | ルドルフ リサーチ コーポレイション | 同時多数角度／多数波長の楕円偏光器および方法 |
| JPH07502344A (ja) * | 1992-11-12 | 1995-03-09 | サンタ・バーバラ・リサーチ・センター | 小容積サンプルセルのための無反射の偏光解析システム |
| JPH0763671A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Ulvac Seimaku Kk | 薄膜の光学的特性測定方法及びその装置 |
| JPH07198342A (ja) * | 1993-11-09 | 1995-08-01 | Nova Measuring Instr Ltd | 薄膜厚測定装置 |
| JPH11101739A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | エリプソメトリ装置 |
| JPH11109129A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Nikon Corp | 斜め蒸着膜素子 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4053232A (en) * | 1973-06-25 | 1977-10-11 | International Business Machines Corporation | Rotating-compensator ellipsometer |
| US4198261A (en) * | 1977-12-05 | 1980-04-15 | Gould Inc. | Method for end point detection during plasma etching |
| FR2555308B1 (fr) * | 1983-11-21 | 1986-12-05 | Cit Alcatel | Tete photometrique et applications a des dispositifs de controle de l'epaisseur d'une couche mince |
| US5329357A (en) * | 1986-03-06 | 1994-07-12 | Sopra-Societe De Production Et De Recherches Appliquees | Spectroscopic ellipsometry apparatus including an optical fiber |
| US5276503A (en) * | 1990-11-05 | 1994-01-04 | Ninon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for gas phase synthesis |
| US5354575A (en) * | 1993-04-16 | 1994-10-11 | University Of Maryland | Ellipsometric approach to anti-reflection coatings of semiconductor laser amplifiers |
| US5764365A (en) * | 1993-11-09 | 1998-06-09 | Nova Measuring Instruments, Ltd. | Two-dimensional beam deflector |
| FR2737779B1 (fr) * | 1995-08-11 | 1997-09-12 | Soc D Production Et De Rech Ap | Dispositif ellipsometre a haute resolution spatiale |
| AUPN875296A0 (en) * | 1996-03-19 | 1996-04-18 | Manakato Pty Ltd | Method and apparatus for monitoring materials processing |
| FR2748562B1 (fr) * | 1996-05-10 | 1998-07-03 | Sofie Instr | Procede et dispositif a deux cameras d'observation pour des mesures tridimensionnelles d'une structure complexe |
| US5940175A (en) * | 1996-11-01 | 1999-08-17 | Msp Corporation | Method and apparatus for surface inspection in a chamber |
| DE19723729A1 (de) * | 1997-06-01 | 1998-12-03 | Heinrich Friedhelm Dr | In-situ Bestimmung optischer Schichtkonstanten beim Plasma und Ionenstrahl-unterstützten Ätzen und Beschichten |
| US5798837A (en) * | 1997-07-11 | 1998-08-25 | Therma-Wave, Inc. | Thin film optical measurement system and method with calibrating ellipsometer |
| US5969805A (en) * | 1997-11-04 | 1999-10-19 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus employing external light source for endpoint detection |
| US5917594A (en) * | 1998-04-08 | 1999-06-29 | Kla-Tencor Corporation | Spectroscopic measurement system using an off-axis spherical mirror and refractive elements |
| US6395563B1 (en) * | 1998-12-28 | 2002-05-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Device for manufacturing semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6469788B2 (en) * | 2000-03-27 | 2002-10-22 | California Institute Of Technology | Coherent gradient sensing ellipsometer |
-
2000
- 2000-05-26 FR FR0006771A patent/FR2809491B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-05-17 AT AT01401283T patent/ATE263965T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-05-17 EP EP01401283A patent/EP1158291B9/fr not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-17 DE DE60102619T patent/DE60102619T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-24 KR KR1020010028733A patent/KR100808274B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-05-25 US US09/866,503 patent/US6687002B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-25 JP JP2001156684A patent/JP2002071462A/ja active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02126106A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-15 | Shimadzu Corp | 偏光解析装置 |
| JPH047852A (ja) * | 1990-04-25 | 1992-01-13 | Fujitsu Ltd | 膜厚測定方法 |
| JPH06504845A (ja) * | 1991-01-11 | 1994-06-02 | ルドルフ リサーチ コーポレイション | 同時多数角度／多数波長の楕円偏光器および方法 |
| JPH04243123A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPH07502344A (ja) * | 1992-11-12 | 1995-03-09 | サンタ・バーバラ・リサーチ・センター | 小容積サンプルセルのための無反射の偏光解析システム |
| JPH0763671A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Ulvac Seimaku Kk | 薄膜の光学的特性測定方法及びその装置 |
| JPH07198342A (ja) * | 1993-11-09 | 1995-08-01 | Nova Measuring Instr Ltd | 薄膜厚測定装置 |
| JPH11101739A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | エリプソメトリ装置 |
| JPH11109129A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Nikon Corp | 斜め蒸着膜素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE263965T1 (de) | 2004-04-15 |
| EP1158291B1 (fr) | 2004-04-07 |
| KR100808274B1 (ko) | 2008-02-29 |
| EP1158291B9 (fr) | 2004-11-03 |
| US20020024668A1 (en) | 2002-02-28 |
| FR2809491B1 (fr) | 2008-07-04 |
| DE60102619T2 (de) | 2005-03-31 |
| EP1158291A1 (fr) | 2001-11-28 |
| FR2809491A1 (fr) | 2001-11-30 |
| US6687002B2 (en) | 2004-02-03 |
| DE60102619D1 (de) | 2004-05-13 |
| KR20010107735A (ko) | 2001-12-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080416 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100928 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101102 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110202 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110207 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110301 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110304 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110401 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110406 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110415 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110920 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111219 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111222 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121106 |