JP2002062493A - 干渉性変調素子を用いる表示素子 - Google Patents
干渉性変調素子を用いる表示素子Info
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- JP2002062493A JP2002062493A JP2000249816A JP2000249816A JP2002062493A JP 2002062493 A JP2002062493 A JP 2002062493A JP 2000249816 A JP2000249816 A JP 2000249816A JP 2000249816 A JP2000249816 A JP 2000249816A JP 2002062493 A JP2002062493 A JP 2002062493A
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- G02—OPTICS
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- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
Abstract
(57)【要約】
【課題】 干渉性変調（ＩＭＯＤ）素子を使用する表示
素子の色再現性を向上させ、消費電力を低減する。 【解決手段】 ＴＦＴ１０７が選択（導通）状態のと
き、映像信号がＴＦＴ電極１０８を通して光吸収膜１２
２に送られ、その信号レベルと反射電極１０５電位間で
の静電力により、反射電極が可動し、明（図１実線１０
５）または暗（図１点線１０５）状態表示を行う。従来
のＩＭＯＤ素子との違いは、静電力により変形する反射
電極の電位を複数の画素で共通の電位Ｖｃｏｍ２０３と
している点である。これによって、表示色の変動が抑制
される。又、従来の単純マトリクスに比べ、電極の取り
出し数が激減し実装コストの大幅な削減が可能となる。
また、同様の理由により、素子全体の容積が減少する。
素子の色再現性を向上させ、消費電力を低減する。 【解決手段】 ＴＦＴ１０７が選択（導通）状態のと
き、映像信号がＴＦＴ電極１０８を通して光吸収膜１２
２に送られ、その信号レベルと反射電極１０５電位間で
の静電力により、反射電極が可動し、明（図１実線１０
５）または暗（図１点線１０５）状態表示を行う。従来
のＩＭＯＤ素子との違いは、静電力により変形する反射
電極の電位を複数の画素で共通の電位Ｖｃｏｍ２０３と
している点である。これによって、表示色の変動が抑制
される。又、従来の単純マトリクスに比べ、電極の取り
出し数が激減し実装コストの大幅な削減が可能となる。
また、同様の理由により、素子全体の容積が減少する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、絶縁層／導体層／
絶縁層の少なくとも３層をこの順に透明基板上に積層し
た光入射部と、可動反射膜とを、空気層を介して対峙さ
せ、前記導体層と前記反射膜に電圧を印加して前記可動
反射膜を変形させる干渉性変調（ＩＭＯＤ）素子を使用
する表示素子に関する。
絶縁層の少なくとも３層をこの順に透明基板上に積層し
た光入射部と、可動反射膜とを、空気層を介して対峙さ
せ、前記導体層と前記反射膜に電圧を印加して前記可動
反射膜を変形させる干渉性変調（ＩＭＯＤ）素子を使用
する表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】干渉を利用する光学変調器の代表的な例
を以下に説明する。
を以下に説明する。
【０００３】Ｔ． Ｈａｔｓｕｚａｗａ等はＩｎｔｅｒ
ｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ
ｓ （Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓ '９９， １９９９，
ｐ８０４−８０７）を開示している。これは、電圧を
印加することで、ハーフミラーが基板側に移動し、基板
側からの反射光がハーフミラーからの反射光と干渉し、
これより反射光の明るさを変調するものである。
ｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ
ｓ （Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓ '９９， １９９９，
ｐ８０４−８０７）を開示している。これは、電圧を
印加することで、ハーフミラーが基板側に移動し、基板
側からの反射光がハーフミラーからの反射光と干渉し、
これより反射光の明るさを変調するものである。
【０００４】他の例として、Ｍ． Ｗ． Ｍｉｌｅｓよ
り、ファブリ・ペロー干渉計の原理を応用した表示装置
が提案されている（ＳＩＤ '００ Ｄｉｇｅｓｔ，
２０００， ｐ３２−３４）。これは、可動ミラーとｉ
ｎｄｕｃｅｄ ａｂｓｏｒｂｅｒを有する干渉型共振器
との間での多重光束干渉により入射する多色光（自然
光）の特定波長領域の光のみを反射しカラー表示を可能
とするものである。
り、ファブリ・ペロー干渉計の原理を応用した表示装置
が提案されている（ＳＩＤ '００ Ｄｉｇｅｓｔ，
２０００， ｐ３２−３４）。これは、可動ミラーとｉ
ｎｄｕｃｅｄ ａｂｓｏｒｂｅｒを有する干渉型共振器
との間での多重光束干渉により入射する多色光（自然
光）の特定波長領域の光のみを反射しカラー表示を可能
とするものである。
【０００５】また、３色の光源を用いて、干渉の原理を
利用した反射型表示装置（Ｕｎｉｔｅｄ Ｓｔａｔｅｓ
Ｐａｔｅｎｔ Ｎｏ． ４，４０３，２４８）が開示
されている。
利用した反射型表示装置（Ｕｎｉｔｅｄ Ｓｔａｔｅｓ
Ｐａｔｅｎｔ Ｎｏ． ４，４０３，２４８）が開示
されている。
【０００６】また、ファブリ・ペロー干渉を用い紫外線
光源からの光を光変調し光変調器から射出される光を、
光変調器に対向配置した蛍光体照射する表示装置（特開
平１１−２５８５５８号公報）が開示されている。
光源からの光を光変調し光変調器から射出される光を、
光変調器に対向配置した蛍光体照射する表示装置（特開
平１１−２５８５５８号公報）が開示されている。
【０００７】上述の光変調器では、液晶表示装置とは異
なり偏光板が不要であり、光源から光変調器に入射する
光の利用効率を飛躍的に上げることが期待できる。デー
タプロジェクタや映画用表示装置では画面サイズが大き
く、高輝度化の要望が特に大きい。投影型表示装置への
応用が期待される。
なり偏光板が不要であり、光源から光変調器に入射する
光の利用効率を飛躍的に上げることが期待できる。デー
タプロジェクタや映画用表示装置では画面サイズが大き
く、高輝度化の要望が特に大きい。投影型表示装置への
応用が期待される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＩＭＯＤ素子
を使用する表示素子は、単純マトリクス駆動であった。
一般に、単純マトリクス駆動で問題となるクロストーク
が、ＩＭＯＤ素子についても問題となる。
を使用する表示素子は、単純マトリクス駆動であった。
一般に、単純マトリクス駆動で問題となるクロストーク
が、ＩＭＯＤ素子についても問題となる。
【０００９】図４に示すように、ＩＭＯＤデバイスは、
基本的に、ヒステリシス特性をもつ光学的には２値の表
示デバイスである。表示動作点は、暗状態（高電圧印
加）と明状態（低電圧印加）の２点である。
基本的に、ヒステリシス特性をもつ光学的には２値の表
示デバイスである。表示動作点は、暗状態（高電圧印
加）と明状態（低電圧印加）の２点である。
【００１０】図５は、このような表示デバイスを単純マ
トリクス駆動するためのタイミングチャートである。図
中に例示した電圧値は選択線、信号線に印加される電圧
であり、クロストーク電位は、３．７５Ｖ±０．７５Ｖ
としてある。
トリクス駆動するためのタイミングチャートである。図
中に例示した電圧値は選択線、信号線に印加される電圧
であり、クロストーク電位は、３．７５Ｖ±０．７５Ｖ
としてある。
【００１１】単純マトリクス駆動では、画素の選択期間
では、上述の表示動作点に電圧が固定される。しかしな
がら、非選択期間では、他の選択線を駆動している関係
上、選択されていない画素に対しても、信号線の信号が
クロストーク電圧として印加されることになる。
では、上述の表示動作点に電圧が固定される。しかしな
がら、非選択期間では、他の選択線を駆動している関係
上、選択されていない画素に対しても、信号線の信号が
クロストーク電圧として印加されることになる。
【００１２】このクロストーク電圧が実際の表示特性に
どの程度影響するかを見積もってみる。
どの程度影響するかを見積もってみる。
【００１３】暗表示電圧５．２５Ｖ、明表示電圧２．２
５Ｖとすると、信号線電圧振幅±０．７５Ｖ程度のクロ
ストーク電圧が非選択期間に各画素に印加される。この
電圧変動によるＩＭＯＤ素子のＡＩＲギャップの変動量
は、もともとが明状態表示の場合、およそ＋４％、−８
％の変動量になる。
５Ｖとすると、信号線電圧振幅±０．７５Ｖ程度のクロ
ストーク電圧が非選択期間に各画素に印加される。この
電圧変動によるＩＭＯＤ素子のＡＩＲギャップの変動量
は、もともとが明状態表示の場合、およそ＋４％、−８
％の変動量になる。
【００１４】ＩＭＯＤ素子の場合、ＡＩＲギャップの変
動は、色の変化となって現れる。たとえば、青（Ｂ）を
表示しようとした場合、ＡＩＲギャップは、ほぼ３２５
ｎｍに設定されるが、これが、クロストークの影響で、
３４０ｎｍ〜３００ｎｍの振れを生じるようになる。こ
の結果、その画素は、純粋なＢ表示ができなくなる。具
体的には、長ギャップでは、緑（Ｇ）がかった色にな
り、狭ギャップでは、赤（Ｒ）味がかる。
動は、色の変化となって現れる。たとえば、青（Ｂ）を
表示しようとした場合、ＡＩＲギャップは、ほぼ３２５
ｎｍに設定されるが、これが、クロストークの影響で、
３４０ｎｍ〜３００ｎｍの振れを生じるようになる。こ
の結果、その画素は、純粋なＢ表示ができなくなる。具
体的には、長ギャップでは、緑（Ｇ）がかった色にな
り、狭ギャップでは、赤（Ｒ）味がかる。
【００１５】このようなクロストークによるギャップ変
動の影響は、明状態表示で起こる。これは、ＩＭＯＤの
動作原理が、２枚の電極間の静電力と反射膜すなわち反
射電極の弾性力によって動作するためである。静電力
は、２枚の電極間距離をＬ、電圧をＶとすると、 Ｆ＝（１／２）×ε×Ａ×（Ｖ2／Ｌ2） ここで、εは誘電率、Ａは電極面積である。
動の影響は、明状態表示で起こる。これは、ＩＭＯＤの
動作原理が、２枚の電極間の静電力と反射膜すなわち反
射電極の弾性力によって動作するためである。静電力
は、２枚の電極間距離をＬ、電圧をＶとすると、 Ｆ＝（１／２）×ε×Ａ×（Ｖ2／Ｌ2） ここで、εは誘電率、Ａは電極面積である。
【００１６】一方、反射電極の弾性力は、単純な１次元
モデルを仮定すると、弾性率ｋに比例する。
モデルを仮定すると、弾性率ｋに比例する。
【００１７】これら静電力と弾性力の両者がつりあった
ところで、ギャップが決まる。この結果、明状態では、
実際のヒステリシス曲線は、第４図中点線で示したよう
になだらかな変化を示すようになる。
ところで、ギャップが決まる。この結果、明状態では、
実際のヒステリシス曲線は、第４図中点線で示したよう
になだらかな変化を示すようになる。
【００１８】暗状態においては、反射電極が、光入射部
の積層膜に接触しているため、クロストークにより画素
電圧が振られ静電力が多少変化しても、接触は保たれ、
ギャップ自体は変化しない。
の積層膜に接触しているため、クロストークにより画素
電圧が振られ静電力が多少変化しても、接触は保たれ、
ギャップ自体は変化しない。
【００１９】しかしながら、暗状態でのクロストークの
影響は、パネルの消費電力に現れる。
影響は、パネルの消費電力に現れる。
【００２０】ＩＭＯＤ素子は、等価回路的には、容量と
みなせる。明状態では、ＡＩＲギャップによる容量と光
入射部の積層膜すなわち干渉膜による容量の直列容量と
みなすことができ、その容量値は小さい。一方、暗状態
では、反射電極が干渉膜に接触しているため、ＩＭＯＤ
素子の等価容量は干渉膜の容量のみとなり、容量は非常
に大きくなる。
みなせる。明状態では、ＡＩＲギャップによる容量と光
入射部の積層膜すなわち干渉膜による容量の直列容量と
みなすことができ、その容量値は小さい。一方、暗状態
では、反射電極が干渉膜に接触しているため、ＩＭＯＤ
素子の等価容量は干渉膜の容量のみとなり、容量は非常
に大きくなる。
【００２１】暗状態でのクロストークの存在は、干渉膜
容量の充放電電流となり、これは、非選択期間、すなわ
ち、ほぼ、フィールド期間消費されることになる。たと
えば、表示対角２インチでＱｕａｒｔｅｒ Ｖｉｄｅｏ
Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ａｒｒａｙｓ（ＱＶＧＡ）（３２
０×３×２４０）の解像度を想定した場合、選択期間に
消費される電力は、約３ｍＷと非常に小さいのに対し
て、非選択期間のクロストークによる消費電力は、約２
０ｍＷにもなり、全体としての消費電力は、クロストー
クがない場合に比べ、非常に大きくなる。
容量の充放電電流となり、これは、非選択期間、すなわ
ち、ほぼ、フィールド期間消費されることになる。たと
えば、表示対角２インチでＱｕａｒｔｅｒ Ｖｉｄｅｏ
Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ａｒｒａｙｓ（ＱＶＧＡ）（３２
０×３×２４０）の解像度を想定した場合、選択期間に
消費される電力は、約３ｍＷと非常に小さいのに対し
て、非選択期間のクロストークによる消費電力は、約２
０ｍＷにもなり、全体としての消費電力は、クロストー
クがない場合に比べ、非常に大きくなる。
【００２２】そこで、本発明は、ＩＭＯＤ素子を使用す
る表示素子の色再現性を向上させ、消費電力を低減する
ことを課題としている。
る表示素子の色再現性を向上させ、消費電力を低減する
ことを課題としている。
【００２３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明は、絶縁層／導体層／絶縁層の少なくとも３層
をこの順に透明基板上に積層した光入射部と、可動反射
膜とを、空気層を介して対峙させ、前記導体層と前記反
射膜に電圧を印加して前記可動反射膜を変形させる干渉
性変調（ＩＭＯＤ）素子と、マトリクス状に配置された
複数の走査線及び複数の信号線と、前記複数の走査線及
び複数の信号線のそれぞれの交点に配置されたアクティ
ブ素子とを備え、前記ＩＭＯＤ素子の前記導体層を前記
アクティブ素子に接続し、前記アクティブ素子によっ
て、前記ＩＭＯＤ素子を駆動するようにしている。
の本発明は、絶縁層／導体層／絶縁層の少なくとも３層
をこの順に透明基板上に積層した光入射部と、可動反射
膜とを、空気層を介して対峙させ、前記導体層と前記反
射膜に電圧を印加して前記可動反射膜を変形させる干渉
性変調（ＩＭＯＤ）素子と、マトリクス状に配置された
複数の走査線及び複数の信号線と、前記複数の走査線及
び複数の信号線のそれぞれの交点に配置されたアクティ
ブ素子とを備え、前記ＩＭＯＤ素子の前記導体層を前記
アクティブ素子に接続し、前記アクティブ素子によっ
て、前記ＩＭＯＤ素子を駆動するようにしている。
【００２４】アクティブマトリクス素子を設けた表示素
子には、たとえば、液晶表示素子があり、ＴＮ液晶を用
いて、フラットパネルディスプレイとして、あるいは、
プロジェクションテレビとして商品化されている。薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）やダイオード素子、および、Ｍ
ＩＭ（メタル・インシュレータ・メタル）素子などに代
表される上記アクティブマトリクス素子は、そのスイッ
チング特性により、比較的応答の遅い上記ＴＮ液晶に対
し実質ライン選択周期より長い間電圧印加状態を保持す
ることにより液晶の光学スイッチ応答を助け、また、上
記ＴＮ液晶などのようにメモリ性（自己保持性）がない
液晶に対して、上記電圧印加状態保持により１フレーム
間の実質的メモリ状態をもたらすものである。あるい
は、各ライン間、画素間に対して原理的にはクロストー
クを与えず、良好な表示特性を与える特徴がある。
子には、たとえば、液晶表示素子があり、ＴＮ液晶を用
いて、フラットパネルディスプレイとして、あるいは、
プロジェクションテレビとして商品化されている。薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）やダイオード素子、および、Ｍ
ＩＭ（メタル・インシュレータ・メタル）素子などに代
表される上記アクティブマトリクス素子は、そのスイッ
チング特性により、比較的応答の遅い上記ＴＮ液晶に対
し実質ライン選択周期より長い間電圧印加状態を保持す
ることにより液晶の光学スイッチ応答を助け、また、上
記ＴＮ液晶などのようにメモリ性（自己保持性）がない
液晶に対して、上記電圧印加状態保持により１フレーム
間の実質的メモリ状態をもたらすものである。あるい
は、各ライン間、画素間に対して原理的にはクロストー
クを与えず、良好な表示特性を与える特徴がある。
【００２５】本発明は、このような従来は液晶表示装置
に用いられてきたアクティブマトリクス駆動をＩＭＯＤ
素子に適用することにより、より高性能な表示素子を提
供する。
に用いられてきたアクティブマトリクス駆動をＩＭＯＤ
素子に適用することにより、より高性能な表示素子を提
供する。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００２７】図１は、本発明の表示素子の１画素分の断
面図である。図１において、１０１はガラス基板、１０
４はＡＩＲギャップ、１０５は反射電極、１０７は薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）である。
面図である。図１において、１０１はガラス基板、１０
４はＡＩＲギャップ、１０５は反射電極、１０７は薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）である。
【００２８】干渉膜は、ある一定の干渉条件を満たす絶
縁膜１２１，１２３と、光吸収用導体膜１２２のサンド
イッチ構造である。具体的には、１２１は酸化ジルコニ
ウム膜５４．４６ｎｍ（ＺｒＯ膜）１２３は酸化シリコ
ン膜５０．００ｎｍ（ＳｉＯ膜）、１２２はタングステ
ン（Ｗ）１４．４９ｎｍを用いることができる。干渉膜
は、４層以上の多層膜であってもよい。
縁膜１２１，１２３と、光吸収用導体膜１２２のサンド
イッチ構造である。具体的には、１２１は酸化ジルコニ
ウム膜５４．４６ｎｍ（ＺｒＯ膜）１２３は酸化シリコ
ン膜５０．００ｎｍ（ＳｉＯ膜）、１２２はタングステ
ン（Ｗ）１４．４９ｎｍを用いることができる。干渉膜
は、４層以上の多層膜であってもよい。
【００２９】ＴＦＴ１０７は、通常のポリシリコンＴＦ
Ｔである。ＩＭＯＤ素子は基本的に２値表示素子である
ため、階調表現のためには、画素分割による面積諧調
や、時間的に発光期間を制御するパルス幅変調（ＰＷ
Ｍ）による時分割諧調が用いられる。特に、時分割階調
には、解像度と階調数にもよるが、高速の駆動回路が要
求される。そのため、本実施形態では、高速駆動が可能
なポリシリコンＴＦＴを用いた。面積諧調や、低解像度
の表示素子においては、アモルファスシリコンＴＦＴも
用いることが可能である。
Ｔである。ＩＭＯＤ素子は基本的に２値表示素子である
ため、階調表現のためには、画素分割による面積諧調
や、時間的に発光期間を制御するパルス幅変調（ＰＷ
Ｍ）による時分割諧調が用いられる。特に、時分割階調
には、解像度と階調数にもよるが、高速の駆動回路が要
求される。そのため、本実施形態では、高速駆動が可能
なポリシリコンＴＦＴを用いた。面積諧調や、低解像度
の表示素子においては、アモルファスシリコンＴＦＴも
用いることが可能である。
【００３０】本実施形態においては、ＴＦＴのソースあ
るいはドレイン電極材料１０８を光吸収膜として用いて
いるタングステン１２２と同時に形成している。これに
より特別な工程を増やすことなくＴＦＴとＩＭＯＤ素子
とのマッチングが可能となる。タングステンだけでＴＦ
Ｔ回路の配線を形成しても良いが、より高速駆動を実現
するため、本実施形態では、さらに、タングステン
（Ｗ）より１桁以上抵抗の低いアルミニウム（Ａｌ）を
積層してＴＦＴ配線材料として使用している。
るいはドレイン電極材料１０８を光吸収膜として用いて
いるタングステン１２２と同時に形成している。これに
より特別な工程を増やすことなくＴＦＴとＩＭＯＤ素子
とのマッチングが可能となる。タングステンだけでＴＦ
Ｔ回路の配線を形成しても良いが、より高速駆動を実現
するため、本実施形態では、さらに、タングステン
（Ｗ）より１桁以上抵抗の低いアルミニウム（Ａｌ）を
積層してＴＦＴ配線材料として使用している。
【００３１】このような構成のＩＭＯＤ素子において、
ＴＦＴ１０７が選択（導通）状態のとき、映像信号がＴ
ＦＴ電極１０８を通して光吸収膜１２２に送られ、その
信号レベルと反射電極１０５電位間での静電力により、
反射電極が可動し、明（図１実線１０５）または暗（図
１点線１０５）状態表示を行う。
ＴＦＴ１０７が選択（導通）状態のとき、映像信号がＴ
ＦＴ電極１０８を通して光吸収膜１２２に送られ、その
信号レベルと反射電極１０５電位間での静電力により、
反射電極が可動し、明（図１実線１０５）または暗（図
１点線１０５）状態表示を行う。
【００３２】図２は、本発明の表示素子の等価回路図で
ある。
ある。
【００３３】従来のＩＭＯＤ素子との違いは、静電力に
より変形する反射電極の電位を複数の画素で共通の電位
Ｖｃｏｍ２０３としている点である。従来の単純マトリ
クスに比べ、電極の取り出し数が激減し実装コストの大
幅な削減が可能となる。また、同様の理由により、素子
全体の容積が減少する。
より変形する反射電極の電位を複数の画素で共通の電位
Ｖｃｏｍ２０３としている点である。従来の単純マトリ
クスに比べ、電極の取り出し数が激減し実装コストの大
幅な削減が可能となる。また、同様の理由により、素子
全体の容積が減少する。
【００３４】図３は、本発明の表示素子の駆動タイミン
グチャートである。（ａ）〜（ｃ）は、図２の走査線２
０１を選択する走査線選択パルスである。又、（ｄ）
は、図２の信号２０２の信号パルスでありＰＷＭ波形で
ある。又、（ｅ）は、図２の共通電極信号Ｖｃｏｍ２０
３である。
グチャートである。（ａ）〜（ｃ）は、図２の走査線２
０１を選択する走査線選択パルスである。又、（ｄ）
は、図２の信号２０２の信号パルスでありＰＷＭ波形で
ある。又、（ｅ）は、図２の共通電極信号Ｖｃｏｍ２０
３である。
【００３５】ある走査線が選択されている期間に、それ
に接続されている各画素にＤｉｇｉｔａｌ信号（ｅｄ）
をＴＦＴを介して転送する。そのとき、共通信号線の電
位は、一定としている。これは、先に説明したように、
ＴＦＴによるアクティブマトリクス駆動においては、非
選択期間においても信号電圧が基本的に保持され、ま
た、クロストークもないため、共通電極電位を変動させ
る必要がないためである。
に接続されている各画素にＤｉｇｉｔａｌ信号（ｅｄ）
をＴＦＴを介して転送する。そのとき、共通信号線の電
位は、一定としている。これは、先に説明したように、
ＴＦＴによるアクティブマトリクス駆動においては、非
選択期間においても信号電圧が基本的に保持され、ま
た、クロストークもないため、共通電極電位を変動させ
る必要がないためである。
【００３６】本実施形態では、ＴＦＴを用いたが、クロ
ストークの防止のためには、これに限ったものではな
い。たとえば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒ−Ｍｅｔａｌ）素子をアクティブ素子として用いても
よい。又、ＭＩＭ素子の場合は、一方のメタル電極を光
吸収金属と共通化もしくは電気的に接続すればよい。
ストークの防止のためには、これに限ったものではな
い。たとえば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒ−Ｍｅｔａｌ）素子をアクティブ素子として用いても
よい。又、ＭＩＭ素子の場合は、一方のメタル電極を光
吸収金属と共通化もしくは電気的に接続すればよい。
【００３７】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、ＩＭＯＤ
素子とＴＦＴのようなアクティブ素子との組合せによっ
て、クロストークがなく、結果として、色再現性の良
い、消費電力の少ないＩＭＯＤ表示素子を提供すること
が可能となった。
素子とＴＦＴのようなアクティブ素子との組合せによっ
て、クロストークがなく、結果として、色再現性の良
い、消費電力の少ないＩＭＯＤ表示素子を提供すること
が可能となった。
【図１】本発明の表示素子の１画素分の断面図
【図２】本発明の表示素子の等価回路
【図３】本発明の表示素子の駆動タイミングチャート
【図４】干渉性変調（Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃ
Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ：ＩＭＯＤ）素子の特性図
Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ：ＩＭＯＤ）素子の特性図
【図５】ＩＭＯＤ素子のクロストークを説明するための
タイミングチャート
タイミングチャート
１０１ 透明基板 １０４ 空気層 １０７ ＴＦＴ １０８ ＴＦＴのソース又はドレイン １０５ 反射膜 １２１ 絶縁膜 １２２ 導体膜 １２３ 絶縁膜 ２０１ 行配線 ２０２ 画像信号線 ２０３ 共通電極線
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁層／導体層／絶縁層の少なくとも３
層をこの順に透明基板上に積層した光入射部と、可動反
射膜とを、空気層を介して対峙させ、前記導体層と前記
反射膜に電圧を印加して前記可動反射膜を変形させる干
渉性変調素子と、 マトリクス状に配置された複数の走査線及び複数の信号
線と、 前記複数の走査線及び複数の信号線のそれぞれの交点に
配置されたアクティブ素子とを備え、 前記干渉性変調素子の前記導体層を前記アクティブ素子
の各々に接続し、 前記アクティブ素子によって、前記干渉性変調素子を駆
動することを特徴とする表示素子。 - 【請求項２】 前記アクティブ素子は、薄膜トランジス
タであることを特徴とする請求項１記載の表示素子。 - 【請求項３】 前記薄膜トランジスタのソース又はドレ
イン電極の一方が、前記導体層と電気的に接続している
ことを特徴とする請求項１、２のいずれか一つに記載さ
れた表示素子。 - 【請求項４】 前記薄膜トランジスタのソース又はドレ
イン電極の少なくとも一部の材料は、前記導体層と同じ
材料であることを特徴とする請求項２、３のいずれか一
つに記載された表示素子。 - 【請求項５】 前記反射膜の電位を共通化することを特
徴とする請求項１記載の表示素子。
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