JP2002062109A - 光学式位置検出装置 - Google Patents
光学式位置検出装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 投光素子とＰＳＤからなる光学式位置検出装
置の検出精度を上げる。 【構成】 投光素子１１とＰＳＤ１２からなる光学式位
置検出装置で、ＰＳＤ１２からの光電流の２出力は、電
流−電圧変換手段１３ａ、１３ｂによって、電圧に変換
される。投光素子駆動制御手段１４は、この２つの電圧
の内いずれか高い方が一定になる様に投光素子駆動手段
１５を制御する。また、２つの出力は、加算器１６で２
出力の和を求め、減算器１７で２出力の差を求め、除算
器１８により２出力の差／和を求め、既知であるＰＳＤ
１２のチップサイズを基に、入射位置を算出する。
置の検出精度を上げる。 【構成】 投光素子１１とＰＳＤ１２からなる光学式位
置検出装置で、ＰＳＤ１２からの光電流の２出力は、電
流−電圧変換手段１３ａ、１３ｂによって、電圧に変換
される。投光素子駆動制御手段１４は、この２つの電圧
の内いずれか高い方が一定になる様に投光素子駆動手段
１５を制御する。また、２つの出力は、加算器１６で２
出力の和を求め、減算器１７で２出力の差を求め、除算
器１８により２出力の差／和を求め、既知であるＰＳＤ
１２のチップサイズを基に、入射位置を算出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投光素子と位置検
出素子（Position Sensitive Detector、以下ＰＳＤと
表記する。）を使用して、位置検出を行う分野全般に関
する。特に、細かい位置検出や２軸の位置検出が求めら
れる分野に有効であり、その代表的な応用分野として
は、カメラレンズ等の携帯型の機器における防振装置用
の位置検出への適用がある。
出素子（Position Sensitive Detector、以下ＰＳＤと
表記する。）を使用して、位置検出を行う分野全般に関
する。特に、細かい位置検出や２軸の位置検出が求めら
れる分野に有効であり、その代表的な応用分野として
は、カメラレンズ等の携帯型の機器における防振装置用
の位置検出への適用がある。
【０００２】
【従来の技術】対向する投光素子とＰＳＤを用いて光学
式位置検出装置として利用する技術は従来よりあった。
式位置検出装置として利用する技術は従来よりあった。
【０００３】ここでＰＳＤについて説明する。ＰＳＤ
は、フォトダイオードの表面抵抗を利用して光スポット
の位置を検出するセンサである。ＰＳＤに入射した光
は、光電変換され、光電流として電極から分割出力され
る。抵抗層は全面に均一な抵抗値を持つように作られて
いるので、光電流は電極−入射光位置距離（∝抵抗値）
に逆比例して分割され、出力される。１次元のＰＳＤは
受光チップの両端から外部への出力端子が出ている。こ
の両端、２つの出力端子からの光電力をＩ１、Ｉ２とす
ると、図６のような検出位置との関係になる。
は、フォトダイオードの表面抵抗を利用して光スポット
の位置を検出するセンサである。ＰＳＤに入射した光
は、光電変換され、光電流として電極から分割出力され
る。抵抗層は全面に均一な抵抗値を持つように作られて
いるので、光電流は電極−入射光位置距離（∝抵抗値）
に逆比例して分割され、出力される。１次元のＰＳＤは
受光チップの両端から外部への出力端子が出ている。こ
の両端、２つの出力端子からの光電力をＩ１、Ｉ２とす
ると、図６のような検出位置との関係になる。
【０００４】チップの大きさをＬとすると、チップの中
心からの入射位置は式１の様にチップの半分の大きさ
（Ｌ／２）と（Ｉ１−Ｉ２）を積算し、（Ｉ１＋Ｉ２）
で除算すれば算出できる。
心からの入射位置は式１の様にチップの半分の大きさ
（Ｌ／２）と（Ｉ１−Ｉ２）を積算し、（Ｉ１＋Ｉ２）
で除算すれば算出できる。
【０００５】
【数１】
【０００６】式１には、投光素子のパラメータが一切出
ていないが、ＰＳＤの光電力が飽和状態にならない限
り、ＰＳＤの光電力（Ｉ１、Ｉ２）は投光素子の明るさ
に比例する。暗電流等の影響を考慮すると、できる限り
投光素子の明るさを上げて、ＰＳＤの光電流を上げた方
が精度的に有利になる。これはスポット光源についての
事になるが、ＰＳＤのチップの検出方向に対して巾の狭
い平行光や、検出方向に対した対称性の高い光強度分布
を持つような入射光を与えられた場合、近似的に式１が
成り立つ。
ていないが、ＰＳＤの光電力が飽和状態にならない限
り、ＰＳＤの光電力（Ｉ１、Ｉ２）は投光素子の明るさ
に比例する。暗電流等の影響を考慮すると、できる限り
投光素子の明るさを上げて、ＰＳＤの光電流を上げた方
が精度的に有利になる。これはスポット光源についての
事になるが、ＰＳＤのチップの検出方向に対して巾の狭
い平行光や、検出方向に対した対称性の高い光強度分布
を持つような入射光を与えられた場合、近似的に式１が
成り立つ。
【０００７】２次元の位置検出を２組の１次元位置検出
装置で行うことができる。移動する被検出物が各１次元
位置検出装置の検出方向のみにしか動かないような装置
にすることも可能であるが装置が大掛かりになってしま
う。一般的な方法としては、大元になる移動装置自体は
共通で、各１次元位置検出装置が必要な検出方向成分を
抽出することになる。検出方向に垂直な方向による投光
素子の光強度分布も投光光量に影響し、１次元的な動き
に比べて、検出位置毎にチップの受ける光量は大きく変
化する。しかしながら、光量や光量の総和が変化して
も、式１は、２出力の差を和で除算するので数字上は影
響は受けない。
装置で行うことができる。移動する被検出物が各１次元
位置検出装置の検出方向のみにしか動かないような装置
にすることも可能であるが装置が大掛かりになってしま
う。一般的な方法としては、大元になる移動装置自体は
共通で、各１次元位置検出装置が必要な検出方向成分を
抽出することになる。検出方向に垂直な方向による投光
素子の光強度分布も投光光量に影響し、１次元的な動き
に比べて、検出位置毎にチップの受ける光量は大きく変
化する。しかしながら、光量や光量の総和が変化して
も、式１は、２出力の差を和で除算するので数字上は影
響は受けない。
【０００８】図４及び図５は従来例の投光素子とＰＳＤ
を用いた光学式位置検出装置の回路ブロック図である。
を用いた光学式位置検出装置の回路ブロック図である。
【０００９】入射位置を算出するには、図４に示す光学
式位置検出装置で行うことができる。つまり、ＰＳＤ１
２の２出力の光電流を電流−電圧変換手段１３ａ、１３
ｂで電圧に変換し、その２出力の減算器１７の差の出力
を加算器１６の和出力を除算器１８で除算する。実際の
回路では、得られた電圧値をいずれかの段階でＡ／Ｄ変
換し、デジタル信号化する。投光素子１１の明るさは数
字上は影響はないが、実際の回路においては、暗電流の
影響や、演算精度の関係で、できる限り投光素子１１の
明るさを上げて、ＰＳＤ１２の光電流を上げた方が精度
的に有利になる。
式位置検出装置で行うことができる。つまり、ＰＳＤ１
２の２出力の光電流を電流−電圧変換手段１３ａ、１３
ｂで電圧に変換し、その２出力の減算器１７の差の出力
を加算器１６の和出力を除算器１８で除算する。実際の
回路では、得られた電圧値をいずれかの段階でＡ／Ｄ変
換し、デジタル信号化する。投光素子１１の明るさは数
字上は影響はないが、実際の回路においては、暗電流の
影響や、演算精度の関係で、できる限り投光素子１１の
明るさを上げて、ＰＳＤ１２の光電流を上げた方が精度
的に有利になる。
【００１０】図５に示す光学式位置検出装置でも投光素
子１１の光量をＰＳＤ１２の総光量出力を一定にする制
御するような投光素子１１の光量を制御する投光素子駆
動制御手段１４を有する技術があった。図４及び図５で
示す光学式位置検出装置で、光電流が低い場合、増幅器
が必要になる。また、実際に検出位置として利用する場
合、Ａ／Ｄ変換器や、ＣＰＵを使用する事もある。ＣＰ
ＵがＡ／Ｄ変換器やブロック図内の部品をも兼用する場
合もある。
子１１の光量をＰＳＤ１２の総光量出力を一定にする制
御するような投光素子１１の光量を制御する投光素子駆
動制御手段１４を有する技術があった。図４及び図５で
示す光学式位置検出装置で、光電流が低い場合、増幅器
が必要になる。また、実際に検出位置として利用する場
合、Ａ／Ｄ変換器や、ＣＰＵを使用する事もある。ＣＰ
ＵがＡ／Ｄ変換器やブロック図内の部品をも兼用する場
合もある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】投光素子とＰＳＤから
なる従来例で示す光学式位置検出装置の検出精度を上げ
るには使用部品点数を増やしたり、精度の高い部品を使
うなどの大きな変更をしなければならなかった。
なる従来例で示す光学式位置検出装置の検出精度を上げ
るには使用部品点数を増やしたり、精度の高い部品を使
うなどの大きな変更をしなければならなかった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】投光素子とＰＳＤからな
る光学式位置検出装置において、ＰＳＤからの２つの出
力で、高出力側が常に一定となるように投光素子の光量
を制御する制御手段を設けることで検出精度を高くし
た。また、投光素子とＰＳＤからなる光学式位置検出装
置において、ＰＳＤからの出力により投光素子の光量の
制御を行う際に、投光素子の制御を間欠制御で行うこと
でＰＳＤから出力される光出力を可能な限り高く制御す
ることにより、少ない部品で光学式位置検出装置の検出
精度を上げる。
る光学式位置検出装置において、ＰＳＤからの２つの出
力で、高出力側が常に一定となるように投光素子の光量
を制御する制御手段を設けることで検出精度を高くし
た。また、投光素子とＰＳＤからなる光学式位置検出装
置において、ＰＳＤからの出力により投光素子の光量の
制御を行う際に、投光素子の制御を間欠制御で行うこと
でＰＳＤから出力される光出力を可能な限り高く制御す
ることにより、少ない部品で光学式位置検出装置の検出
精度を上げる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は実施例１の光学式位置検出
装置の回路ブロック図である。図において、１１が投光
素子、１２がＰＳＤである。ＰＳＤ１２は電流−電圧変
換手段１３ａ、１３ｂに接続されている。
装置の回路ブロック図である。図において、１１が投光
素子、１２がＰＳＤである。ＰＳＤ１２は電流−電圧変
換手段１３ａ、１３ｂに接続されている。
【００１４】投光素子とＰＳＤからなる光学式位置検出
装置においては、投光素子１１の明るさが一定であって
も、投光素子１１からの総受光量は必ずしも一定とは限
らない。例えば、その要因として、投光素子１１投光部
の指向性が角度によって異なったり、２次元的な動きを
する位置検出対象物の検出成分方向のみを検出するが、
検出成分方向以外の影響により、総受光量が変化してし
まったりすること等が要因になる。これを対策するため
に従来技術として図４で示した光学式位置検出装置の回
路ブロック図でも総受光量（２つの光出力の和）を一定
にすることで、図６に示すような関係ができる。
装置においては、投光素子１１の明るさが一定であって
も、投光素子１１からの総受光量は必ずしも一定とは限
らない。例えば、その要因として、投光素子１１投光部
の指向性が角度によって異なったり、２次元的な動きを
する位置検出対象物の検出成分方向のみを検出するが、
検出成分方向以外の影響により、総受光量が変化してし
まったりすること等が要因になる。これを対策するため
に従来技術として図４で示した光学式位置検出装置の回
路ブロック図でも総受光量（２つの光出力の和）を一定
にすることで、図６に示すような関係ができる。
【００１５】一般的に位置検出をするにあたり、計測さ
れる数値に対してどの程度の割合の分解能があるかとい
うのが位置検出の精度になる。
れる数値に対してどの程度の割合の分解能があるかとい
うのが位置検出の精度になる。
【００１６】例えば、１０μｍの計測に対しての１μｍ
の分解能が必要でも１ｍｍの計測に対しての１００μｍ
の分解能で十分になる場合が多い。総受光量を一定にす
る制御は、式１で示されるＰＳＤの位置検出の分母（２
出力の和）を一定にするので、分解能は位置によらず、
一定になる。
の分解能が必要でも１ｍｍの計測に対しての１００μｍ
の分解能で十分になる場合が多い。総受光量を一定にす
る制御は、式１で示されるＰＳＤの位置検出の分母（２
出力の和）を一定にするので、分解能は位置によらず、
一定になる。
【００１７】
【数２】
【００１８】この場合の位置は、中心部からのずれで示
す。これは図５に示す光学式位置検出装置のブロック図
で示すものである。
す。これは図５に示す光学式位置検出装置のブロック図
で示すものである。
【００１９】本発明ではＰＳＤ１２の２出力である電流
−電圧変換手段１３ａ、１３ｂの出力の内、大きくなる
側を光学素子駆動制御手段により一定にしている。
−電圧変換手段１３ａ、１３ｂの出力の内、大きくなる
側を光学素子駆動制御手段により一定にしている。
【００２０】従来例であるＰＳＤの入射位置と光電力Ｉ
１、Ｉ２を示す図６によると、ＰＳＤの中心部は、丁度
半分のレベルまでしか使用していない。しかし、本発明
を適応したＰＳＤの入射位置と光電力Ｉ１、Ｉ２を示す
図２の中心部を見ると、光電流のレベルが図６の２倍に
なっている事が分かる。中心部の精度は２倍になる。
１、Ｉ２を示す図６によると、ＰＳＤの中心部は、丁度
半分のレベルまでしか使用していない。しかし、本発明
を適応したＰＳＤの入射位置と光電力Ｉ１、Ｉ２を示す
図２の中心部を見ると、光電流のレベルが図６の２倍に
なっている事が分かる。中心部の精度は２倍になる。
【００２１】ＰＳＤ１２からの光電流の２出力は、電流
−電圧変換手段１３ａ、１３ｂによって、電圧に変換さ
れる。投光素子駆動制御手段１４は、この２つの電圧の
内いずれか高い方が一定になる様に投光素子駆動手段１
５を制御する。また、２つの出力は、加算器１６で２出
力の和を求め、減算器１７で２出力の差を求め、除算器
１８により２出力の差／和を求め、既知であるＰＳＤ１
２のチップサイズを基に、式１の位置を算出する。
−電圧変換手段１３ａ、１３ｂによって、電圧に変換さ
れる。投光素子駆動制御手段１４は、この２つの電圧の
内いずれか高い方が一定になる様に投光素子駆動手段１
５を制御する。また、２つの出力は、加算器１６で２出
力の和を求め、減算器１７で２出力の差を求め、除算器
１８により２出力の差／和を求め、既知であるＰＳＤ１
２のチップサイズを基に、式１の位置を算出する。
【００２２】本説明、及び、ブロック図は、極一般的な
モデルについて記したが、光電流が低い場合、増幅器が
必要になったり、除算器や、投光素子駆動制御手段に、
ＣＰＵ等を使用する事もある。また、ＰＳＤの光電流の
２出力を電圧に変換した後に投光素子駆動制御手段へ入
力しているが、電流のまま入力する制御方法もある。
モデルについて記したが、光電流が低い場合、増幅器が
必要になったり、除算器や、投光素子駆動制御手段に、
ＣＰＵ等を使用する事もある。また、ＰＳＤの光電流の
２出力を電圧に変換した後に投光素子駆動制御手段へ入
力しているが、電流のまま入力する制御方法もある。
【００２３】また、式１において、電流（図１における
電流−電圧変換手段１３ａ、１３ｂの出力では電圧）の
２つの変数の内一つが正確に制御できると、残りの変数
は一つなので演算という手段でなく、テーブル的に入射
位置を得られるというメリットもある。
電流−電圧変換手段１３ａ、１３ｂの出力では電圧）の
２つの変数の内一つが正確に制御できると、残りの変数
は一つなので演算という手段でなく、テーブル的に入射
位置を得られるというメリットもある。
【００２４】次に別の実施例について説明する。
【００２５】図３は実施例２の光学式位置検出装置の回
路ブロック図である。図において、１１が投光素子、１
２がＰＳＤである。ＰＳＤ１２は電流−電圧変換手段１
３ａ、１３ｂに接続されている。
路ブロック図である。図において、１１が投光素子、１
２がＰＳＤである。ＰＳＤ１２は電流−電圧変換手段１
３ａ、１３ｂに接続されている。
【００２６】投光素子１１とＰＳＤ１２からなる光学式
位置検出装置において、ＰＳＤ１２からの出力により投
光素子１１の光量の制御を行うとは、投光素子１１の明
るさを制御することになる。電流制御や、電圧制御等が
あるが、実際に生産するにあたって、携帯タイプへのそ
の方式を導入するには部品数等が大掛かりになる。間欠
制御で投光素子駆動手段を制御する場合、トランジスタ
ー等のスイッチング素子と、電流制限用の抵抗等で極め
て簡単な部品で実現することができる。また、投光素子
駆動手段制御側も簡単な部品で実現できる。しかしなが
ら、投光部の間欠制御を行った場合、投光部は、そのＯ
Ｎ・ＯＦＦ時のｄｕｔｙ比に比例した明るさで連続的に
発光し続ける訳でない。また、逆に、応答性良く投光部
が点滅し、ＰＳＤ１２もそれに極めて俊敏に対応する訳
でない。投光素子１１とＰＳＤ１２の応答速度によって
ＰＳＤ１２の出力が鈍り、また、実際の回路において
は、電圧値をデジタル値にする際のＡ／Ｄ変換の電圧サ
ンプリング時間等によっても鈍る。また、式１に示す様
な関係なので、複数回のＡ／Ｄ変換のサンプリングタイ
ミングを一定にする事により、ｄｕｔｙ制御によるＰＳ
Ｄ１２のバラツキの影響を相殺させる。この際の制御対
象であるが、実施例１のＰＳＤ１２の出力の高い側ばか
りでなく、総受光量でも良い。
位置検出装置において、ＰＳＤ１２からの出力により投
光素子１１の光量の制御を行うとは、投光素子１１の明
るさを制御することになる。電流制御や、電圧制御等が
あるが、実際に生産するにあたって、携帯タイプへのそ
の方式を導入するには部品数等が大掛かりになる。間欠
制御で投光素子駆動手段を制御する場合、トランジスタ
ー等のスイッチング素子と、電流制限用の抵抗等で極め
て簡単な部品で実現することができる。また、投光素子
駆動手段制御側も簡単な部品で実現できる。しかしなが
ら、投光部の間欠制御を行った場合、投光部は、そのＯ
Ｎ・ＯＦＦ時のｄｕｔｙ比に比例した明るさで連続的に
発光し続ける訳でない。また、逆に、応答性良く投光部
が点滅し、ＰＳＤ１２もそれに極めて俊敏に対応する訳
でない。投光素子１１とＰＳＤ１２の応答速度によって
ＰＳＤ１２の出力が鈍り、また、実際の回路において
は、電圧値をデジタル値にする際のＡ／Ｄ変換の電圧サ
ンプリング時間等によっても鈍る。また、式１に示す様
な関係なので、複数回のＡ／Ｄ変換のサンプリングタイ
ミングを一定にする事により、ｄｕｔｙ制御によるＰＳ
Ｄ１２のバラツキの影響を相殺させる。この際の制御対
象であるが、実施例１のＰＳＤ１２の出力の高い側ばか
りでなく、総受光量でも良い。
【００２７】ＰＳＤ１２からの光電流の２出力は、電流
−電圧変換手段１３ａ、１３ｂによって、電圧に変換さ
れる。投光素子駆動制御手段１４ａは、この２つの電圧
の内いずれか高い方が一定になる様に投光素子駆動手段
１５を制御する。この投光素子駆動手段１５は、間欠制
御により、投光素子１１を制御し、複数回のＡ／Ｄ変換
を行って位置を算出したり、繰り返し位置算出を行いそ
の精度の高める等の必要がある場合、同期回路も用い投
光素子のＯＮ若しくは、ＯＦＦのタイミングにＡ／Ｄ変
換の開始等と同期をとらせる。また、２つに出力は、加
算器１６で２出力の和を求め、減算器１７で２出力の差
を求め、除算器１８により２出力の差／和を求め、既知
であるＰＳＤ１２のチップサイズを基に、式１の位置を
算出する。本説明、及び、ブロック図は、応用例１のＰ
ＳＤからの光電流の２出力の高い方を一定にする様な制
御方法について記しているが、総受光量を一定にする様
な制御方法も考え得る。また、極一般的なモデルについ
て記したが、光電流が低い場合、増幅器が必要になった
り、除算器や、投光素子駆動制御手段に、ＣＰＵ等を使
用する事もある。また、ＰＳＤの光電流の２出力を電圧
に変換した後に投光素子駆動制御手段へ入力している
が、電流のまま入力する制御方法もある。
−電圧変換手段１３ａ、１３ｂによって、電圧に変換さ
れる。投光素子駆動制御手段１４ａは、この２つの電圧
の内いずれか高い方が一定になる様に投光素子駆動手段
１５を制御する。この投光素子駆動手段１５は、間欠制
御により、投光素子１１を制御し、複数回のＡ／Ｄ変換
を行って位置を算出したり、繰り返し位置算出を行いそ
の精度の高める等の必要がある場合、同期回路も用い投
光素子のＯＮ若しくは、ＯＦＦのタイミングにＡ／Ｄ変
換の開始等と同期をとらせる。また、２つに出力は、加
算器１６で２出力の和を求め、減算器１７で２出力の差
を求め、除算器１８により２出力の差／和を求め、既知
であるＰＳＤ１２のチップサイズを基に、式１の位置を
算出する。本説明、及び、ブロック図は、応用例１のＰ
ＳＤからの光電流の２出力の高い方を一定にする様な制
御方法について記しているが、総受光量を一定にする様
な制御方法も考え得る。また、極一般的なモデルについ
て記したが、光電流が低い場合、増幅器が必要になった
り、除算器や、投光素子駆動制御手段に、ＣＰＵ等を使
用する事もある。また、ＰＳＤの光電流の２出力を電圧
に変換した後に投光素子駆動制御手段へ入力している
が、電流のまま入力する制御方法もある。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
投光素子とＰＳＤからなる光学式位置検出装置におい
て、検出精度を上げることができる。
投光素子とＰＳＤからなる光学式位置検出装置におい
て、検出精度を上げることができる。
【図１】実施例１の光学式位置検出装置の回路ブロック
図である。
図である。
【図２】ＳＤの入射位置と光電力Ｉ１、Ｉ２を示す図で
ある。
ある。
【図３】実施例２の光学式位置検出装置の回路ブロック
図である。
図である。
【図４】従来例の投光素子とＰＳＤを用いた光学式位置
検出装置の回路ブロック図である。
検出装置の回路ブロック図である。
【図５】従来例の投光素子とＰＳＤを用いた光学式位置
検出装置の回路ブロック図である。
検出装置の回路ブロック図である。
【図６】ＳＤの入射位置と光電力Ｉ１、Ｉ２を示す図で
ある。
ある。
１１ 投光素子 １２ ＰＳＤ １３ａ 電流−電圧変換手段 １３ｂ 電流−電圧変換手段 １４ 投光素子駆動制御手段 １４ａ 投光素子駆動制御手段 １４ｂ 同期回路 １５ 投光素子駆動手段 １６ 加算器 １７ 減算器 １８ 除算器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA06 BB05 DD02 DD04 FF09 JJ03 JJ09 JJ16 NN02 NN17 PP22 RR07 UU01 UU02 2F112 AA02 BA06 BA11 CA12 DA28 EA09 5J084 AA04 AC08 AD06 BA33 CA45 DA07 DA09 EA04 FA03
Claims (2)
- 【請求項１】 投光素子と位置検出素子（ＰＳＤ）から
なる光学式位置検出装置において、位置検出素子からの
２つの出力を、高出力側が常に一定となるように投光素
子の光量を制御する投光素子駆動制御手段を設けたこと
を特徴とする光学式位置検出装置。 - 【請求項２】 投光素子と位置検出素子（ＰＳＤ）から
なる光学式位置検出装置において、位置検出素子からの
出力により投光素子の光量の制御を行う際に、投光素子
の制御を間欠制御で行うことを特徴とする光学式位置検
出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000250406A JP2002062109A (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | 光学式位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000250406A JP2002062109A (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | 光学式位置検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002062109A true JP2002062109A (ja) | 2002-02-28 |
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ID=18739977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002062109A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2518533C1 (ru) * | 2013-04-02 | 2014-06-10 | Александр Абрамович Часовской | Оптико-локационное устройство |
-
2000
- 2000-08-22 JP JP2000250406A patent/JP2002062109A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| RU2518533C1 (ru) * | 2013-04-02 | 2014-06-10 | Александр Абрамович Часовской | Оптико-локационное устройство |
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