JP2002059361A

JP2002059361A - 半導体製造装置及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002059361A
Application number: JP2000249406A
Authority: JP
Inventors: Masao Oda; 昌雄織田; Katsuhiko Honda; 豁彦本田; Hitoshi Sakamoto; 均坂元; Takanori Murata; 貴則村田; Takeshi Ninomiya; 武志二宮; Masahito Fujimura; 雅人藤村; Shunichi Kamakura; 俊一鎌倉; Hiroaki Miyamoto; 寛章宮本
Original assignee: Shikoku Instrumentation Co Ltd; Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Shikoku Instrumentation Co Ltd; Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2000-08-21
Filing date: 2000-08-21
Publication date: 2002-02-26
Anticipated expiration: 2020-08-21
Also published as: JP4131898B2

Abstract

(57)【要約】【課題】電子デバイス材料等の被加工物を加工する半
導体製造装置において、加工屑の装置内部に対する蓄積
を抑制する効果が不充分なために、電子デバイス材料が
欠けたり、割れたりする課題がある。【解決手段】被加工物を加工する時に、加工領域を覆
うカバーの加工領域側の面にぬれ性を持たせ、この面に
純水等の流体を複数の小孔から吐出させて水膜を形成
し、加工屑を水膜に取り込んで加工領域外に排出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電子デバイス材
料である被加工物に研磨部材で加工を施す半導体製造装
置及びその製造方法に関するものであり、より具体的に
は半導体用の研磨装置及びその研磨方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】図８は、従来の半導体製造装置の要部を
略示的に示した側面図である。また、図９は、同じ従来
の半導体製造装置の要部を略示的に示す斜視図である。
装置本体１０の機台には、テーブル１１の所定位置にチ
ャックテーブル１２が配設され、チャックテーブル１２
は、支持部材１３により支持されサーボモータ１４によ
り回転可能に配設されている。

【０００３】チャックテーブル１２には、被加工物とし
て研磨加工に供せられる電子デバイス材料２がそのまま
の状態で載置され、適宜の吸引手段等によって吸着固定
される構成になっている。チャックテーブル１２の上部
には、研磨手段が配設されている。

【０００４】この研磨手段は、筒状の胴部１７と、胴部
１７の上部に取り付けられたモータ１８と、モータ１８
によって駆動され胴部１７から下方に突出したスピンド
ル１９と、スピンドル１９に取り付けられたホイール２
０と、ホイール２０に着脱自在に取り付けられた研磨部
材２１とから構成されている。研磨部材２１として、例
えば、砥石がある。

【０００５】また、胴部１７は、テーブル１１から起立
して設けた壁体２２に対して、上下動可能に取り付けら
れている。壁体２２に縦方向に一対のレール２３が設け
られ、レール２３に沿って上下動するスライド板２４が
配設されている。

【０００６】このスライド板２４に対し、胴部１７に取
り付けられている支持板２５がボルト等の適宜の固定手
段により固定され、スライド板２４の上下動によって研
磨手段が上下動するように構成されている。研磨手段を
上下動させることによって、電子デバイス材料２をチャ
ックテーブル１２に装着して、研磨工程後に、電子デバ
イス材料２をチャックテーブル１２から取り外すことに
なる。

【０００７】このような構成の装置本体１０において、
研磨手段である加工領域を囲むようにして、胴部１７の
下方部分にはカバー３４が取り付けられ、カバー３４に
はエアー供給用のホース３５の一端部が接続され、ホー
ス３５の他端部には静電気除去装置（イオナイザー）３
６が接続することもできる。ここで、加工領域とは、加
工時において、垂直方向には、胴部１７の下方でチャッ
クテーブル１２を含み、胴部１７から突出したスピンド
ル１９、ホイール２０及び研磨部材２１が位置している
部分であり、水平方向には、カバー３４で囲まれる部分
のことである。

【０００８】加工領域に静電気除去装置３６でイオン化
されたエアーがホース３５を介して供給され、加工領域
の雰囲気を全面的に除電するようもできる。しかしなが
ら、チャックテーブル１２にセットされた半導体電子デ
バイス材料２等を研磨部材２１で研磨した場合に、加工
屑４０の大半は切削液と共にテーブル１１上を流れて除
去されるが、周囲に飛び散ったり浮遊したりする加工屑
４０の中には、カバー３４によって受け止められ付着す
る加工屑４１がある。

【０００９】なぜならば、加工屑４１は、静電気による
ものとは限らず、メカニカルな付着によるものが含まれ
ているからである。なお、加工屑４０、４１は、ここで
は図示していない。

【００１０】より具体的には、切削液によって湿った状
態の加工屑４１の中には、カバー３４が垂直面であった
としても、微量ながらもメカニカル的に付着するものが
ある。また、僅かながらでも一旦加工屑４０がカバー３
４に付着すると、カバー３４に付着した加工屑４１をき
っかけにして、さらに加工屑４１が蓄積されることにな
る。

【００１１】図１０はカバー３４に対して、加工屑４１
の蓄積が進行した状態を示す装置要部の断面図である。
図において、４２は加工屑４１の蓄積が進行した加工屑
である。

【００１２】このような従来の半導体製造装置が記載さ
れた文献としては、例えば、特開平１０−１５７９０号
公報があり、そこには、電子デバイス材料の研磨加工方
法が示されており、また、静電気除去手段によって加工
屑の帯電を防ぐことで、加工屑の付着を防止する加工法
について開示されているが、これではメカニカルな加工
屑の付着に対処するのに充分ではない。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】カバー３４に付着した
加工屑４１、４２があると、電子デバイス材料２がチャ
ックテーブル１２に載置される前の時点で、加工屑４
１、４２が剥離してチャックテーブル１２上に飛散し、
続いて電子デバイス材料２がチャックテーブル１２に載
置されると、電子デバイス材料２とチャックテーブル１
２が加工屑４２を挟み込んだ状態になることがある。

【００１４】この状態で、研磨部材２１により電子デバ
イス材料２を研磨すると、電子デバイス材料２の一部に
集中的に力が加わることとなり、電子デバイス材料２が
欠けたり、割れたりするという問題点があった。

【００１５】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたものであり、加工屑の蓄積と剥離とに
起因する被加工物の破損を防止できる半導体製造装置を
提供することを目的とするものである。また、この発明
は、加工屑の蓄積と剥離とに起因する被加工物の破損を
防止できる半導体製造方法を提供することを目的とする
ものである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置は、カバーの内壁に向かって流体を供給する流体
供給手段と、カバーの内壁に沿って流れた流体を排出す
る流体排出機構とを備えたことを特徴とする。

【００１７】この発明に係る半導体製造装置は、流体供
給手段は、流体供給源と、カバーの内壁に沿って設けた
環状の流体供給経路とを備え、流体供給経路にカバーの
内壁に向かう方向に孔を形成したことを特徴とする。

【００１８】この発明に係る半導体製造装置は、カバー
の内壁がぬれ性を有することを特徴とする。

【００１９】この発明に係る半導体製造装置は、カバー
は複数のカバー部品からなり、カバー部品の少なくとも
一部は着脱可能としたことを特徴とする。

【００２０】この発明に係る半導体製造装置は、カバー
は複数のカバー部品からなり、カバー部品の少なくとも
一部は着脱可能としたことを特徴とする。

【００２１】この発明に係る半導体製造装置は、カバー
は複数のカバー部品からなり、少なくとも一つのカバー
部品にスリットを設け、スリットに挿入されたピン状の
部品を介して、別のカバー部品と連結したことを特徴と
する。

【００２２】この発明に係る半導体製造方法は、電子デ
バイス材料からなる被加工物と研磨部材とを囲むカバー
をかけるカバー工程と、被加工物を研磨部材で研磨する
と共に、カバーの内壁に向かって流体を供給し、カバー
の内壁に沿って流れた流体をカバーの外部へ排出する工
程と、カバーを外すカバー外し工程とを含むことを特徴
とする。

【００２３】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、この発明
を実施するための実施の形態１による半導体製造装置の
要部を示す断面図である。装置本体の機台には、テーブ
ル１１の所定位置にチャックテーブル１２が配設されて
いる。チャックテーブル１２には、被加工物として研磨
加工に供せられる電子デバイス材料２がそのままの状態
で載置され、適宜の吸引手段等によって吸着固定される
構成になっている。

【００２４】電子デバイス材料２としては、より具体的
には、例えば、シリコンウエハ、パイレックス（登録商
標）ガラスなどがある。チャックテーブル１２の上部に
は、研磨手段が配設される。この研磨手段は、筒状の胴
部１７と、胴部１７の上部に取り付けられたモータ１８
（図示せず）と、モータ１８によって駆動され胴部１７
から下方に突出したスピンドル１９と、スピンドル１９
に取り付けられたホイール２０と、ホイール２０に着脱
自在に取り付けられた研磨部材２１とから構成されてい
る。

【００２５】この研磨手段によって、被加工物である電
子デバイス材料２を研磨部材２１で研磨することができ
る。なお、研磨部材２１として、例えば、砥石がある。
また、胴部１７は、テーブル１１から起立して設けた壁
体に対して、上下動可能に取り付けられている。

【００２６】壁体に縦方向に一対のレールが設けられ、
レールに沿って上下動するスライド板が配設されてい
る。このスライド板に対し、胴部１７に取り付けられて
いる支持板がボルト等の適宜の固定手段により固定さ
れ、スライド板の上下動によって研磨手段が上下動する
ように構成されている。

【００２７】図において、３４は電子デバイス材料２等
の被加工物と研磨部材２１を含む加工領域を囲むカバー
である。カバー３４の材質としては、例えば、アクリ
ル、腐食に強いステンレスがある。ここで、加工領域と
は、加工時において、垂直方向には、胴部１７の下方で
チャックテーブル１２を含み、胴部１７から突出したス
ピンドル１９、ホイール２０及び研磨部材２１が位置し
ている部分であり、水平方向には、カバー３４で囲まれ
る部分のことである。

【００２８】また、カバー３４は、研磨手段と一体とな
って上下動することで、電子デバイス材料２からなる被
加工物と研磨部材２１とを囲むカバー３４をかけるカバ
ー工程と、カバー３４を外すカバー外し工程とが行われ
る。４４は流体供給源（全体は図示せず）と孔４５とを
接続し、孔４５（次に述べる）に流体を導く、カバー３
４の内壁に沿って設けた環状の流体供給経路である。４
５は流体供給経路４４にカバー３４の内壁に向かう方向
に形成した孔であり、カバー３４の内壁に向かって流体
が流出するためのものである。孔４５は、カバー３４に
近接して対向するように配設されている。

【００２９】４６は流体供給源（全体は図示せず）と流
体供給経路４４を繋ぐ流体配管であり、広義では流体供
給源の一部をなすものである。４３は、流体供給源、流
体供給経路４４、及び孔４５からなる、カバー３４の内
壁（加工側の側面）に流体を供給する流体供給手段であ
る。

【００３０】図２は、図１に示す半導体製造装置の要部
を上方より見た平面図であり、左上方はそのカット図で
ある。図２において、図１と同一の符号を付したもの
は、同一またはこれに相当するものである。ここでは、
孔４５として、複数の小孔とした場合を例として示して
いる。

【００３１】また、複数配設された孔４５の一部を示す
のみとしたが、孔４５はカバー３４に沿うようにして、
周上に亘り設けられている。さらに、孔４５はカバー３
４の内壁に対向するように設けられている。また、流体
経路４４も孔４５同様に、周上に亘り設けられている。

【００３２】図３は、図１に示す半導体製造装置が被加
工物に対して加工を施している状態を示す断面図であ
る。図３において、図１および図２と同一の符号を付し
たものは、同一またはこれに相当するものである。

【００３３】４７は流体供給手段４３によって、孔４５
からカバー３４の加工領域側の面に向けて供給される流
体が水膜状となっていることを示している水膜状流体で
ある。これは、カバー３４の内壁に沿って流体を流す流
体供給工程である。５０は飛び散った加工屑である。

【００３４】加工屑５０はカバー３４に付着することな
く水膜状流体４７によって、水膜状流体４７と共にカバ
ー３４の内壁を流れ、さらにテーブル１１上を流れて、
カバー３４の外部へと排出される。このようにして、被
加工物を研磨部材２１で研磨すると共に、カバー３４の
内壁に向かって流体を供給し、カバー３４の内壁に沿っ
て流れた流体をカバー３４の外部へ排出することにな
る。

【００３５】ここで、カバー３４の内壁に沿って流れた
流体をカバー３４の外部へ排出するのが、流体排出機構
である。従来からある研磨工程時に使用される切削液を
排出する機構が、この流体排出機構を兼ね備えることが
でき、むしろ、別途流体排出機構を設けるより、従来の
使用後の切削液を排出する機構が利用できる機構であ
る。流体供給工程で使用される流体、及び研磨工程で使
用される切削液の具体例としては、純水、超純水等があ
る。

【００３６】以上のように、構成された半導体製造装置
では、チャックテーブル１２にセットされた電子デバイ
ス材料２を研磨部材２１で研磨する時に、流体が流体配
管４６を含めた流体供給源、流体供給経路４４を経て、
孔４５からカバー３４の内壁に沿って流体を流し、カバ
ー３４の外部へ流体を排出する。

【００３７】孔４５からカバー３４の内壁に沿って流体
を流す際には、カバー３４の内壁に沿って水膜状流体４
７を形成する。通常、流体供給手段に供給される流量が
多いほど、孔４５からできる水膜状流体４７は扇状に広
がろうとするので、より容易にカバー４３の内壁全体
（カバー４３の内壁上部は除く）を水膜状流体４７で覆
うことができる。

【００３８】このため、孔４５は水膜状流体４７がカバ
ー４３の内壁全体（カバー４３の内壁上部は除く）に広
がり易いような形状のものである方がより適している。

【００３９】図２では、孔４５は、複数の小孔である場
合を主として示したが、孔４５は小孔に特定されるもで
はない。例えば、流体の噴出口となる孔４５の先端の形
状は、円周状に曲折した長楕円であっても、円周状に沿
ったスリットであっても、水膜状流体４７を形成するこ
とができる。

【００４０】また、孔４５は、必ずしも複数である必要
はなく、一周する形のスリット形状であっても、水膜状
流体４７を形成することができる。また、孔４５が複数
ある場合、必ずしも同じ形状である必要はない。

【００４１】さらに、孔４５から放出されカバー３４の
内壁に向けて供給される流体が、水膜状流体４７を形成
しやすいように、カバー３４の内壁に向けて孔４５が適
度に傾くことで、より水膜状流体４７を容易に形成する
ことができる。ここで、適度に傾くとは、流体がカバー
３４の内壁にぶつかって跳ね返ることなく、流体の大半
が水膜状流体４７を形成する角度のことを指している。

【００４２】この傾きは、孔４５の形状（小孔、楕円
状、スリット状など）、及び流体の流量にも依存するも
のである。

【００４３】ところで、カバー４３の内壁で流体がはじ
かれる現象が発生すると、流体が扇状に広がることなく
水膜状流体４７が形成されることになる。よって、流体
供給手段に供給される流量を必要以上に多くせずとも、
例えば、孔４５を小数の小孔とした場合でも、カバー３
４の内壁がぬれ性を有することで、流体がはじかれる現
象を抑えることができるので、より効率的に扇状の水膜
状流体４７を形成することができ、カバー４３の内壁全
体（カバー４３の内壁上部は除く）を水膜状流体４７で
覆うことができる。

【００４４】ぬれ性は材質に依存するところがあるが、
例えば、ステンレス製のカバー４３であれば、カバー４
３の内壁にサンドブラストによる表面加工を施したり、
ヤスリ処理によって表面を粗くしたりすることで、ぬれ
性を向上させることができる。ここで、ぬれ性の有無の
判断基準としては、水膜状流体４７が跳ね返って形成さ
れなかったり、水膜状になることなく粒状になったり、
あるいは、例えば、孔４５が小孔である場合において水
膜状流体４７が扇状に広がることなく直下に流れ落ちた
りする場合をぬれ性を有していないとしている。

【００４５】以上のようにして形成された水膜状流体４
７によって、研磨工程で電子デバイス材料２と研磨部材
２１とから周囲に飛び散る加工屑５０は、カバー３４の
内壁にぶつかって蓄積されようとしても、その前に水膜
状流体４７に衝突し、さらに水膜状流体４７に取り込ま
れ、水膜流体４７の流体と加工屑５０とが一緒にカバー
４３の外部へと排出されることになる。

【００４６】以上のように、この実施の形態の半導体製
造装置によれば、加工屑５０がカバー３４の内壁に蓄積
して剥離することがないので、この加工屑５０に起因す
る電子デバイス材料２の欠け及び割れを防止することが
できる。また、加工屑５０がカバー３４の内壁に蓄積し
て剥離することによる電子デバイス材料２の汚染を防止
することができる。

【００４７】なお、明細書全文に表れている構成要素の
形容は、あくまで例示であってこれらの記載に限定され
るものではない。例えば、一貫して研磨と表現している
が、研削を含むことは言うまでもない。

【００４８】実施の形態２．図４は、この発明を実施す
るための実施の形態２による半導体製造装置の要部を上
方より見た平面図であり、左上方はそのカット図であ
る。図４において、図２と同一の符号を付したものは、
同一またはこれに相当するものである。

【００４９】図４において、３４（ａ）と３４（ｂ）
は、カバー３４を２分割したもので、カバー部品であ
る。カバー部品３４（ａ）とカバー部品３４（ｂ）と
は、少なくとも一方は流体供給手段４３に着脱可能な状
態で止められている。

【００５０】着脱可能な状態で止める方法としては、例
えば、カバー部品３４（ａ）とカバー部品３４（ｂ）と
を流体供給手段４３にネジ止めをしたり、流体供給手段
４３にフックを設けてカバー部品３４（ａ）とカバー部
品３４（ｂ）とを引っかけたりする方法がある。

【００５１】通常、カバー３４は円柱状（中空）の形状
をしているので、カバー３４全体が一体構成であると、
加工領域内部の保守点検を実施するには、カバー３４全
体を持ち上げることが必要になる。このようにして、カ
バー３４全体を持ち上げても、カバー３４の内側、内壁
の状態を確認することは容易なことではない。

【００５２】そこで、カバー３４を分割して、その一部
が容易に取り外せるように構成することで、加工領域内
部の保守点検性が向上することになる。保守点検性の向
上の具体例として、研磨部材２１の取り替えが容易にな
ること、カバー３４の状態を直接目視で確認できること
をあげることができる。また、カバー３４を２分割する
例をここでは示したが、さらに多数にカバー３４を分割
する構成にしても、同様の効果を得ることができる。

【００５３】さらに、加工領域内部のメンテナンス（保
守点検）ができれば良いのであって、複数に分割された
カバー３４の全てが着脱可能でなくても、同様の効果を
得ることができる。

【００５４】実施の形態３．図５は、この発明を実施す
るための実施の形態３による半導体製造装置の要部を示
す断面図である。図６は、図５に示す半導体製造装置の
要部を側面から見た側面図である。図７は、図５に示す
半導体製造装置の要部を上方から見た平面図である。図
５から図７において、図１と同一の符号を付したもの
は、同一またはこれに相当するものである。

【００５５】図５から図７において、３４（ｃ）と３４
（ｄ）とは、カバー３４を分割したもので、カバー部品
である。４９はカバー部品３４（ｃ）にネジ込むなどし
て設けられたピン状の部品である。４８はカバー部品３
４（ｄ）の上部に設けられたスリットである。

【００５６】ピン状の部品４９をカバー部品３４（ｃ）
にあるスリット４８を挿入することで、カバー部品３４
（ｄ）は、固定されているカバー部品３４（ｃ）に、ス
リット４８とピン状の部品４９とを介して連結され、カ
バー３４としては一体でありながら、円周方向にスライ
ドすることができる。カバー部品３４（ｄ）をカバー部
品３４（ｃ）に重なるようにスライドさせて、カバー３
４を開けることができる。

【００５７】具体的には、固定されているカバー部品３
４（ｃ）に対して、円周方向にカバー部品３４（ｄ）が
スライドできるので、研磨加工時にはカバー部品３４
（ｄ）は閉じられ、メンテナンス時にはカバー部品３４
（ｄ）を開いて保守点検を施することができ、保守点検
性が向上する。

【００５８】なお、スリット４８を固定されているカバ
ー部品３４（ｃ）側に設けた構成を示したが、カバー部
品３４（ｄ）側に設ける構成としても、同様の効果が得
られる。また、カバー部品３４（ｄ）が円周方向にスラ
イドする例を示したが、カバー部品３４（ｄ）を垂直方
向にスライドさせる構成にしても、同様の効果が得られ
る。

【００５９】例えば、カバー部品３４（ｄ）の円周方向
の両端側にピン状の部品４９を設け、カバー部品３４
（ｃ）の円周方向の両端側にスリット４８を垂直方向に
設けることで実現できる。また、カバー３４を２分割す
る例を示したが、さらに多数にカバー３４を分割する構
成にしても、同様の効果を得ることができる。

【００６０】

【発明の効果】この発明に係る半導体製造装置は、カバ
ーの内壁に向かって流体を供給する流体供給手段と、カ
バーの内壁に沿って流れた流体を排出する流体排出機構
とを備えたので、カバーの内壁に蓄積して剥離する加工
屑に起因する電子デバイス材料の欠け及び割れを防止す
ることができる。

【００６１】この発明に係る半導体製造装置は、流体供
給手段は、流体供給源と、カバーの内壁に沿って設けた
環状の流体供給経路とを備え、流体供給経路にカバーの
内壁に向かう方向に孔を形成したので、カバーの内壁に
蓄積して剥離する加工屑に起因する電子デバイス材料の
欠け及び割れを防止することができる。

【００６２】この発明に係る半導体製造装置は、カバー
の内壁がぬれ性を有するので、カバーの内壁に蓄積して
剥離する加工屑に起因する電子デバイス材料の欠け及び
割れを防止することができる。

【００６３】この発明に係る半導体製造装置は、カバー
は複数のカバー部品からなり、カバー部品の少なくとも
一部は着脱可能としたので、保守点検性が向上する。

【００６４】この発明に係る半導体製造装置は、カバー
は複数のカバー部品からなり、少なくとも一つのカバー
部品にスリットを設け、スリットに挿入されたピン状の
部品を介して、別のカバー部品と連結したので、保守点
検性が向上する。

【００６５】この発明に係る半導体製造方法は、電子デ
バイス材料からなる被加工物と研磨部材とを囲むカバー
をかけるカバー工程と、被加工物を研磨部材で研磨する
と共に、カバーの内壁に向かって流体を供給し、カバー
の内壁に沿って流れた流体をカバーの外部へ排出する工
程と、カバーを外すカバー外し工程とを含むので、カバ
ーの内壁に蓄積して剥離する加工屑に起因する電子デバ
イス材料の欠け及び割れを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態１の半導体製造装置及びその製造
方法を説明するための図である。

【図２】実施の形態１の半導体製造装置及びその製造
方法を説明するための図である。

【図３】実施の形態１の半導体製造装置及びその製造
方法を説明するための図である。

【図４】実施の形態２の半導体製造装置及びその製造
方法を説明するための図である。

【図５】実施の形態３の半導体製造装置及びその製造
方法を説明するための図である。

【図６】実施の形態３の半導体製造装置及びその製造
方法を説明するための図である。

【図７】実施の形態３の半導体製造装置及びその製造
方法を説明するための図である。

【図８】従来の半導体製造装置及びその製造方法を説
明するための図である。

【図９】従来の半導体製造装置及びその製造方法を説
明するための図である。

【図１０】従来の半導体製造装置及びその製造方法を
説明するための図である。

【符号の説明】

２電子デバイス材料１０装置本体１１テーブル１２チャックテーブル１３支持部材１４サーボモータ１７胴部１８モータ１９スピンドル２０ホイール２１研磨部材２２壁体２３レール２４スライド板２５支持板３４カバー３４（ａ）カバー部品３４（ｂ）カバー部品３４（ｃ）カバー部品３４（ｄ）カバー部品３５ホース３６静電気除去装置４０加工屑４１加工屑４２加工屑４３流体供給手段４４流体供給経路４５孔４６流体配管４７水膜状流体４８スリット４９ピン状の部品５０加工屑

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者本田豁彦東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内 (72)発明者坂元均東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内 (72)発明者村田貴則東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内 (72)発明者二宮武志東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内 (72)発明者藤村雅人香川県仲多度郡多度津町若葉町12番地56号四国計測工業株式会社内 (72)発明者鎌倉俊一香川県仲多度郡多度津町若葉町12番地56号四国計測工業株式会社内 (72)発明者宮本寛章香川県仲多度郡多度津町若葉町12番地56号四国計測工業株式会社内Ｆターム(参考） 3C047 GG00 3C058 AA07 AC05 CB01 DA17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子デバイス材料からなる被加工物を研
磨する研磨部材と、前記被加工物と前記研磨部材とを囲
むカバーとを有するものであって、前記研磨部材によっ
て前記被加工物を研磨する半導体製造装置において、前
記カバーの内壁に向かって流体を供給する流体供給手段
と、前記カバーの内壁に沿って流れた流体を排出する流
体排出機構とを備えたことを特徴とする半導体製造装
置。
【請求項２】前記流体供給手段は、流体供給源と、前
記カバーの内壁に沿って設けた環状の流体供給経路とを
備え、前記流体供給経路に前記カバーの内壁に向かう方
向に孔を形成したことを特徴とする請求項１記載の半導
体製造装置。
【請求項３】前記カバーの内壁がぬれ性を有すること
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体製
造装置。
【請求項４】前記カバーは複数のカバー部品からな
り、前記カバー部品の少なくとも一部は着脱可能とした
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに
記載の半導体製造装置。
【請求項５】前記カバーは複数のカバー部品からな
り、少なくとも一つの前記カバー部品にスリットを設
け、前記スリットに挿入されたピン状の部品を介して、
別の前記カバー部品と連結したことを特徴とする請求項
１ないし請求項４のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項６】電子デバイス材料からなる被加工物と研
磨部材とを囲むカバーをかけるカバー工程と、前記被加
工物を前記研磨部材で研磨すると共に、前記カバーの内
壁に向かって流体を供給し、前記カバーの内壁に沿って
流れた前記流体を前記カバーの外部へ排出する工程と、
前記カバーを外すカバー外し工程とを含むことを特徴と
する半導体製造方法。