JP2002057507A - 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 - Google Patents
誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】全体に低背化を図った場合でも、隣接共振器間
を大きく、且つ高精度に結合させて、所望のフィルタ特
性を容易に得られるようにした誘電体フィルタ、誘電体
デュプレクサおよびそれらを備えた通信装置を提供す
る。 【解決手段】 内面に内導体を形成した内導体形成孔２
ａ，２ｂを誘電体ブロック１の内部に設け、誘電体ブロ
ック１の外面に、内導体に導通する結合用電極３ａ，３
ｂを形成するが、この結合用電極３ａ，３ｂを内導体形
成孔の開口面の縁端部を経て内導体形成孔２ａ，２ｂの
配列方向に平行な側面にまで延出形成する。
を大きく、且つ高精度に結合させて、所望のフィルタ特
性を容易に得られるようにした誘電体フィルタ、誘電体
デュプレクサおよびそれらを備えた通信装置を提供す
る。 【解決手段】 内面に内導体を形成した内導体形成孔２
ａ，２ｂを誘電体ブロック１の内部に設け、誘電体ブロ
ック１の外面に、内導体に導通する結合用電極３ａ，３
ｂを形成するが、この結合用電極３ａ，３ｂを内導体形
成孔の開口面の縁端部を経て内導体形成孔２ａ，２ｂの
配列方向に平行な側面にまで延出形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、誘電体ブロック
に内導体および外導体を形成してなる誘電体フィルタ、
誘電体デュプレクサ、およびそれらを備えた通信装置に
関するものである。
に内導体および外導体を形成してなる誘電体フィルタ、
誘電体デュプレクサ、およびそれらを備えた通信装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】誘電体ブロックを用いた従来の誘電体フ
ィルタの例を図９に示す。図９の（Ａ）は誘電体フィル
タの斜視図、（Ｂ）は内導体の開放面側から見た図であ
る。図９において１は略直方体形状の誘電体ブロックで
あり、それぞれ内面に内導体を形成した内導体形成孔２
ａ，２ｂをその内部に設けていて、その一方の開口面に
は内導体に導通する結合用電極３ａ，３ｂを形成してい
る。また誘電体ブロック１の他の五面には外導体４を形
成している。
ィルタの例を図９に示す。図９の（Ａ）は誘電体フィル
タの斜視図、（Ｂ）は内導体の開放面側から見た図であ
る。図９において１は略直方体形状の誘電体ブロックで
あり、それぞれ内面に内導体を形成した内導体形成孔２
ａ，２ｂをその内部に設けていて、その一方の開口面に
は内導体に導通する結合用電極３ａ，３ｂを形成してい
る。また誘電体ブロック１の他の五面には外導体４を形
成している。
【０００３】このような構造により、誘電体ブロックに
構成した２つの共振器は、結合用電極３ａ，３ｂの間に
生じる静電容量を介して結合する。
構成した２つの共振器は、結合用電極３ａ，３ｂの間に
生じる静電容量を介して結合する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、誘電体ブロ
ックに複数の共振器を設けた帯域通過フィルタの通過帯
域を広帯域化するには、共振器間の結合度を高める必要
がある。図９に示したように、内導体の開放面となる誘
電体ブロックの端面に結合用電極を設けた従来の誘電体
フィルタにおいて、共振器間の結合度を高めるには、結
合用電極３ａ−３ｂ間の間隙ｇを狭めればよい。ところ
が、内導体の開放面となる誘電体ブロックの端面におい
て、隣接する内導体に導通する結合用電極の間隙を定め
る方法では、電極パターンの形成精度の範囲で最も狭く
しても、結合用電極３ａ−３ｂ間に得られる静電容量値
は限られる。そこで、図９の（Ｃ）に示す例のように、
結合用電極３ａ，３ｂの対向する部分を櫛型とすること
によって、限られた面積内に比較的大きな静電容量を生
じさせることもできる。しかし、このような電極パター
ンを形成するには、高精度な電極パターン形成法を採用
しなければならず、結果的に、特性の揃った誘電体フィ
ルタが得にくく、歩留りの低下や、コスト上昇を招く。
ックに複数の共振器を設けた帯域通過フィルタの通過帯
域を広帯域化するには、共振器間の結合度を高める必要
がある。図９に示したように、内導体の開放面となる誘
電体ブロックの端面に結合用電極を設けた従来の誘電体
フィルタにおいて、共振器間の結合度を高めるには、結
合用電極３ａ−３ｂ間の間隙ｇを狭めればよい。ところ
が、内導体の開放面となる誘電体ブロックの端面におい
て、隣接する内導体に導通する結合用電極の間隙を定め
る方法では、電極パターンの形成精度の範囲で最も狭く
しても、結合用電極３ａ−３ｂ間に得られる静電容量値
は限られる。そこで、図９の（Ｃ）に示す例のように、
結合用電極３ａ，３ｂの対向する部分を櫛型とすること
によって、限られた面積内に比較的大きな静電容量を生
じさせることもできる。しかし、このような電極パター
ンを形成するには、高精度な電極パターン形成法を採用
しなければならず、結果的に、特性の揃った誘電体フィ
ルタが得にくく、歩留りの低下や、コスト上昇を招く。
【０００５】また、このような誘電体ブロックを用いた
誘電体フィルタが用いられる通信装置の小型化の要請に
伴って、部品を低背化する場合に、結合用電極の対向す
る幅（図中のｈ）を大きくとれなくなり、得られる結合
度の大きさも制限され、結果的に所望の帯域幅を有する
誘電体フィルタが得られない。換言すると、結合すべき
２つの共振器間の結合度の条件から、低背化も制限され
てしまうことになる。
誘電体フィルタが用いられる通信装置の小型化の要請に
伴って、部品を低背化する場合に、結合用電極の対向す
る幅（図中のｈ）を大きくとれなくなり、得られる結合
度の大きさも制限され、結果的に所望の帯域幅を有する
誘電体フィルタが得られない。換言すると、結合すべき
２つの共振器間の結合度の条件から、低背化も制限され
てしまうことになる。
【０００６】この発明の目的は、全体に低背化を図った
場合でも、隣接共振器間を大きく、且つ高精度に結合さ
せて、所望のフィルタ特性を容易に得られるようにした
誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよびそれらを備
えた通信装置を提供することにある。
場合でも、隣接共振器間を大きく、且つ高精度に結合さ
せて、所望のフィルタ特性を容易に得られるようにした
誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよびそれらを備
えた通信装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、それぞれの
内面に内導体を形成した複数の内導体形成孔を略直方体
形状の誘電体ブロック内に配列し、当該誘電体ブロック
の外面に、前記内導体に導通する結合用電極と、外導体
とをそれぞれ形成して成る誘電体フィルタにおいて、前
記誘電体ブロックの前記内導体形成孔の少なくとも一方
の開口面と、前記内導体形成孔の配列方向に平行な側面
との交わる縁端部にまで、または当該縁端部を経て前記
側面にまで、前記結合用電極を延出形成することによっ
て、結合用電極間に生じる静電容量を大きく稼ぐ。
内面に内導体を形成した複数の内導体形成孔を略直方体
形状の誘電体ブロック内に配列し、当該誘電体ブロック
の外面に、前記内導体に導通する結合用電極と、外導体
とをそれぞれ形成して成る誘電体フィルタにおいて、前
記誘電体ブロックの前記内導体形成孔の少なくとも一方
の開口面と、前記内導体形成孔の配列方向に平行な側面
との交わる縁端部にまで、または当該縁端部を経て前記
側面にまで、前記結合用電極を延出形成することによっ
て、結合用電極間に生じる静電容量を大きく稼ぐ。
【０００８】また、この発明は、誘電体ブロックの上記
縁端部または上記側面に対向する他方の側面に内導体の
開放端付近との間で静電容量を生じさせる入出力電極を
形成する。この構造により、入出力電極を、実装すべき
回路基板上の電極に接続した状態で、結合用電極が誘電
体ブロックの上面に位置するようにし、実装基板上の各
種電極パターンが、誘電体ブロック内の共振器間の結合
に影響を与えないようにする。
縁端部または上記側面に対向する他方の側面に内導体の
開放端付近との間で静電容量を生じさせる入出力電極を
形成する。この構造により、入出力電極を、実装すべき
回路基板上の電極に接続した状態で、結合用電極が誘電
体ブロックの上面に位置するようにし、実装基板上の各
種電極パターンが、誘電体ブロック内の共振器間の結合
に影響を与えないようにする。
【０００９】また、この発明は、上記の誘電体フィルタ
を送信信号入力用電極、受信信号出力用電極およびアン
テナ接続用電極として、それぞれ入出力電極を設けるこ
とによって誘電体デュプレクサを構成する。
を送信信号入力用電極、受信信号出力用電極およびアン
テナ接続用電極として、それぞれ入出力電極を設けるこ
とによって誘電体デュプレクサを構成する。
【００１０】また、この発明は上記の誘電体フィルタま
たは誘電体デュプレクサを、たとえば高周波回路部にお
ける送信信号または受信信号のフィルタ回路部分に設け
て、通信装置を構成する。
たは誘電体デュプレクサを、たとえば高周波回路部にお
ける送信信号または受信信号のフィルタ回路部分に設け
て、通信装置を構成する。
【００１１】
【発明の実施の形態】第１の実施形態に係る誘電体フィ
ルタの構成を図１および図２を参照して説明する。図１
において（Ａ）は実装基板への実装状態での斜視図、
（Ｂ）は（Ａ）に示した状態から上下を裏返した状態で
の斜視図である。１は略直方体形成の誘電体ブロックで
あり、その内部に、内面に内導体を形成した内導体形成
孔２ａ，２ｂを設けている。内導体形成孔２ａ，２ｂの
一方の開口面（図における左手前の端面）には、内導体
に導通する結合用電極３ａ，３ｂを形成している。また
誘電体ブロック１の内導体形成孔２ａ，２ｂの軸に平行
な側面（図１の（Ａ）における上面）にまで、上記結合
用電極３ａ，３ｂを延出形成している。
ルタの構成を図１および図２を参照して説明する。図１
において（Ａ）は実装基板への実装状態での斜視図、
（Ｂ）は（Ａ）に示した状態から上下を裏返した状態で
の斜視図である。１は略直方体形成の誘電体ブロックで
あり、その内部に、内面に内導体を形成した内導体形成
孔２ａ，２ｂを設けている。内導体形成孔２ａ，２ｂの
一方の開口面（図における左手前の端面）には、内導体
に導通する結合用電極３ａ，３ｂを形成している。また
誘電体ブロック１の内導体形成孔２ａ，２ｂの軸に平行
な側面（図１の（Ａ）における上面）にまで、上記結合
用電極３ａ，３ｂを延出形成している。
【００１２】また、この誘電体フィルタが実装基板に対
向する面（図１の（Ｂ）における上面）には、内導体形
成孔２ａ，２ｂの内面に形成した内導体の開放端付近と
の間で静電容量で結合する入出力電極５ａ，５ｂを形成
している。さらに、誘電体ブロック１の外面（五面）に
は、結合用電極３ａ，３ｂ、および入出力電極５ａ，５
ｂから絶縁状態の外導体４を形成している。
向する面（図１の（Ｂ）における上面）には、内導体形
成孔２ａ，２ｂの内面に形成した内導体の開放端付近と
の間で静電容量で結合する入出力電極５ａ，５ｂを形成
している。さらに、誘電体ブロック１の外面（五面）に
は、結合用電極３ａ，３ｂ、および入出力電極５ａ，５
ｂから絶縁状態の外導体４を形成している。
【００１３】図２は図１に示した誘電体フィルタの等価
回路図である。ここでＲａ，Ｒｂは内導体形成孔２ａ，
２ｂの内導体と外導体４および誘電体ブロックによる一
端短絡、他端開放の１／４波長共振器である。また、Ｋ
ａｂは２つの共振器Ｒａ，Ｒｂ間の結合インピーダンス
である。Ｃａ，Ｃｂは内導体の開放端付近と入出力電極
５ａ，５ｂとの間の静電容量である。このように２段の
共振器が結合した、帯域通過特性を有するフィルタを構
成する。そして、その通過帯域幅は２つの共振器Ｒａ，
Ｒｂの結合の強さによって定める。結合用電極３ａ，３
ｂは内導体形成孔の開口面から側面にかけて延びている
ため、結合用電極間の間隙を極端に狭めることなく、ま
た櫛型電極にすることなく、両者間に生じる静電容量を
大きく稼ぐことができる。そのため、電極パターンの寸
法精度が高くなくてもよく、所望のフィルタ特性を有す
る誘電体フィルタを歩留りよく製造できる。
回路図である。ここでＲａ，Ｒｂは内導体形成孔２ａ，
２ｂの内導体と外導体４および誘電体ブロックによる一
端短絡、他端開放の１／４波長共振器である。また、Ｋ
ａｂは２つの共振器Ｒａ，Ｒｂ間の結合インピーダンス
である。Ｃａ，Ｃｂは内導体の開放端付近と入出力電極
５ａ，５ｂとの間の静電容量である。このように２段の
共振器が結合した、帯域通過特性を有するフィルタを構
成する。そして、その通過帯域幅は２つの共振器Ｒａ，
Ｒｂの結合の強さによって定める。結合用電極３ａ，３
ｂは内導体形成孔の開口面から側面にかけて延びている
ため、結合用電極間の間隙を極端に狭めることなく、ま
た櫛型電極にすることなく、両者間に生じる静電容量を
大きく稼ぐことができる。そのため、電極パターンの寸
法精度が高くなくてもよく、所望のフィルタ特性を有す
る誘電体フィルタを歩留りよく製造できる。
【００１４】図１に示した誘電体フィルタを実装基板に
実装する際、入出力電極５ａ，５ｂが実装基板上の電極
パッドに接続され、かつ外導体４が実装基板上のアース
パターンに接続されるように表面実装する。この状態で
結合用電極３ａ，３ｂは実装基板上の各種電極から離れ
ることになるので、実装基板上の各種電極が、共振器間
の結合に影響を与えることがない。
実装する際、入出力電極５ａ，５ｂが実装基板上の電極
パッドに接続され、かつ外導体４が実装基板上のアース
パターンに接続されるように表面実装する。この状態で
結合用電極３ａ，３ｂは実装基板上の各種電極から離れ
ることになるので、実装基板上の各種電極が、共振器間
の結合に影響を与えることがない。
【００１５】次に、第２の実施形態に係る誘電体フィル
タの斜視図を図３に示す。図３の（Ａ）は実装基板への
実装状態での斜視図、（Ｂ）は上下を裏返した状態での
斜視図である。この例では、結合用電極３ａ，３ｂを内
導体形成孔の開口面の縁端部にまで延ばすとともに、両
者の対向部分のみを、内導体形成孔の開口面から内導体
形成孔２ａ，２ｂの軸に平行な側面に延出形成してい
る。その他の構成は図１に示した誘電体フィルタと同様
である。
タの斜視図を図３に示す。図３の（Ａ）は実装基板への
実装状態での斜視図、（Ｂ）は上下を裏返した状態での
斜視図である。この例では、結合用電極３ａ，３ｂを内
導体形成孔の開口面の縁端部にまで延ばすとともに、両
者の対向部分のみを、内導体形成孔の開口面から内導体
形成孔２ａ，２ｂの軸に平行な側面に延出形成してい
る。その他の構成は図１に示した誘電体フィルタと同様
である。
【００１６】結合用電極間の静電容量に寄与する部分
は、両者の対向する間隙部分の領域であるので、このよ
うな形状であっても、図１に示したものと同様の特性が
得られる。
は、両者の対向する間隙部分の領域であるので、このよ
うな形状であっても、図１に示したものと同様の特性が
得られる。
【００１７】次に、第３の実施形態に係る誘電体フィル
タの斜視図を図４に示す。（Ａ）は実装状態での斜視
図、（Ｂ）はそれを裏返した状態での斜視図である。全
体の構造は図３に示したものと類似しているが、２つの
結合用電極３ａ，３ｂ間に、外導体４′を形成してい
る。したがってこの例では、結合用電極３ａ，３ｂと外
導体４，４′との間に生じる静電容量が、先端容量とし
て共振器の開放端に付加された構造となる。この構造に
より、共振器間は誘導性結合する。また、先端容量を付
与することによって共振周波数が下がる。上記先端容量
は、結合用電極３ａ，３ｂの一部を誘電体ブロック１の
側面にまで延出形成したことにより、大きくすることが
でき、その分、共振器長すなわち内導体形成孔２ａ，２
ｂの軸長を短縮化でき、全体に小型化が図れる。
タの斜視図を図４に示す。（Ａ）は実装状態での斜視
図、（Ｂ）はそれを裏返した状態での斜視図である。全
体の構造は図３に示したものと類似しているが、２つの
結合用電極３ａ，３ｂ間に、外導体４′を形成してい
る。したがってこの例では、結合用電極３ａ，３ｂと外
導体４，４′との間に生じる静電容量が、先端容量とし
て共振器の開放端に付加された構造となる。この構造に
より、共振器間は誘導性結合する。また、先端容量を付
与することによって共振周波数が下がる。上記先端容量
は、結合用電極３ａ，３ｂの一部を誘電体ブロック１の
側面にまで延出形成したことにより、大きくすることが
でき、その分、共振器長すなわち内導体形成孔２ａ，２
ｂの軸長を短縮化でき、全体に小型化が図れる。
【００１８】次に、第４の実施形態に係る誘電体フィル
タの斜視図を図５に示す。この例では、結合用電極３
ａ，３ｂを、内導体形成孔２ａ，２ｂの開口面の縁端部
にまで延出形成している。これに伴い、外導体４がこの
縁端部にまで延出した結合用電極３ａ，３ｂに導通しな
いように、誘電体ブロックの側面において上記縁端部と
の間に間隙を設けている。その他の構成は図１に示した
ものと同様である。
タの斜視図を図５に示す。この例では、結合用電極３
ａ，３ｂを、内導体形成孔２ａ，２ｂの開口面の縁端部
にまで延出形成している。これに伴い、外導体４がこの
縁端部にまで延出した結合用電極３ａ，３ｂに導通しな
いように、誘電体ブロックの側面において上記縁端部と
の間に間隙を設けている。その他の構成は図１に示した
ものと同様である。
【００１９】このように、結合用電極３ａ，３ｂを誘電
体ブロックの側面にまで延ばさない構造では、図１に示
した誘電体フィルタに比べて、結合用電極間に得られる
静電容量は小さくなるが、従来の誘電体フィルタより共
振器間の結合を高めることができる。
体ブロックの側面にまで延ばさない構造では、図１に示
した誘電体フィルタに比べて、結合用電極間に得られる
静電容量は小さくなるが、従来の誘電体フィルタより共
振器間の結合を高めることができる。
【００２０】なお、結合用電極３ａ，３ｂの対向部分を
図９の（Ｃ）に示したように櫛型に形成してもよい。但
し、２つの結合用電極３ａ，３ｂの対向面積を十分に確
保できるので、従来の場合より高精度な電極パターンを
形成する必要がなく、特性ばらつきの少ない誘電体フィ
ルタを、歩留りよく製造できる。
図９の（Ｃ）に示したように櫛型に形成してもよい。但
し、２つの結合用電極３ａ，３ｂの対向面積を十分に確
保できるので、従来の場合より高精度な電極パターンを
形成する必要がなく、特性ばらつきの少ない誘電体フィ
ルタを、歩留りよく製造できる。
【００２１】次に、第５の実施形態に係る誘電体フィル
タの四面図を図６に示す。ここで（Ａ）は上面図、
（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は底面図、（Ｄ）は背面図であ
る。この例では、略直方体形状の誘電体ブロック１の内
部に、内面に内導体を形成した内導体形成孔２ａ，２ｂ
を設け、その一方の開口面から側面にかけて結合用電極
３ａ，３ｂを形成し、他方の開口面に結合用電極３
ａ′，３ｂ′をそれぞれ形成している。誘電体ブロック
１の下面（実装基板への実装面となる面）には入出力電
極５ａ，５ｂを形成している。また、誘電体ブロック１
の外面（四面）には、結合用電極３ａ，３ｂおよび入出
力電極５ａ，５ｂを避ける位置に外導体４を形成してい
る。
タの四面図を図６に示す。ここで（Ａ）は上面図、
（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は底面図、（Ｄ）は背面図であ
る。この例では、略直方体形状の誘電体ブロック１の内
部に、内面に内導体を形成した内導体形成孔２ａ，２ｂ
を設け、その一方の開口面から側面にかけて結合用電極
３ａ，３ｂを形成し、他方の開口面に結合用電極３
ａ′，３ｂ′をそれぞれ形成している。誘電体ブロック
１の下面（実装基板への実装面となる面）には入出力電
極５ａ，５ｂを形成している。また、誘電体ブロック１
の外面（四面）には、結合用電極３ａ，３ｂおよび入出
力電極５ａ，５ｂを避ける位置に外導体４を形成してい
る。
【００２２】図６に示した誘電体フィルタは、両端開放
の半波長共振器を容量結合させた誘電体フィルタとして
作用する。この例では、誘電体ブロックの内導体形成孔
の一方の開口面から側面にかけて結合用電極３ａ，３ｂ
を形成したが、両方の開口面から側面にかけて結合用電
極をそれぞれ延出形成してもよい。このように２つの開
放端において結合用電極を形成すれば、結合範囲を広範
囲にわたって設定できるようになる。
の半波長共振器を容量結合させた誘電体フィルタとして
作用する。この例では、誘電体ブロックの内導体形成孔
の一方の開口面から側面にかけて結合用電極３ａ，３ｂ
を形成したが、両方の開口面から側面にかけて結合用電
極をそれぞれ延出形成してもよい。このように２つの開
放端において結合用電極を形成すれば、結合範囲を広範
囲にわたって設定できるようになる。
【００２３】次に、第６の実施形態に係る誘電体デュプ
レクサの三面図を図７に示す。ここで（Ａ）は上面図、
（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は底面図である。略直方体形状
の誘電体ブロック１には、内面にそれぞれ内導体を形成
した内導体形成孔２ａ〜２ｇを設けている。これらの内
導体形成孔の正面側の開口面には、それらの内導体に導
通する結合用電極３ａ〜３ｇを形成している。またこれ
らの結合用電極のうち３ｂ，３ｃ，３ｅ，３ｆについて
は、誘電体ブロックの上面（内導体形成孔の軸に平行な
側面）にまで延出形成している。また、上記内導体形成
孔の開口面から誘電体ブロックの下面にかけて、入出力
電極５ａ，５ｂ，５ｃを形成している。さらにこの内導
体形成孔の開口面には、外導体４′を結合用電極３ｂと
３ｃとの間に形成している。これらの結合用電極３ａ〜
３ｇを形成した誘電体ブロック１の端面以外の外面（五
面）には外導体４を形成している。
レクサの三面図を図７に示す。ここで（Ａ）は上面図、
（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は底面図である。略直方体形状
の誘電体ブロック１には、内面にそれぞれ内導体を形成
した内導体形成孔２ａ〜２ｇを設けている。これらの内
導体形成孔の正面側の開口面には、それらの内導体に導
通する結合用電極３ａ〜３ｇを形成している。またこれ
らの結合用電極のうち３ｂ，３ｃ，３ｅ，３ｆについて
は、誘電体ブロックの上面（内導体形成孔の軸に平行な
側面）にまで延出形成している。また、上記内導体形成
孔の開口面から誘電体ブロックの下面にかけて、入出力
電極５ａ，５ｂ，５ｃを形成している。さらにこの内導
体形成孔の開口面には、外導体４′を結合用電極３ｂと
３ｃとの間に形成している。これらの結合用電極３ａ〜
３ｇを形成した誘電体ブロック１の端面以外の外面（五
面）には外導体４を形成している。
【００２４】図７に示した内導体形成孔２ａ，２ｂによ
る共振器間は、結合用電極３ａ−３ｂ間の静電容量によ
り容量結合し、内導体形成孔２ｂ，２ｃによる２つの共
振器間は、結合用電極３ｂ−３ｃ間に外導体４′を配置
したことにより誘導結合する。内導体形成孔２ｄ〜２ｇ
による４つの共振器は、結合用電極３ｄ〜３ｇのそれぞ
れの隣接する電極間に生じる静電容量により容量結合す
る。また、入出力電極５ａ−結合用電極３ａ間に生じる
静電容量により、入出力電極５ａと内導体形成孔２ａに
よる共振器とは容量結合する。同様に入出力電極５ｃは
内導体形成孔２ｇによる共振器と容量結合する。さらに
入出力電極５ｂは内導体形成孔２ｃ，２ｄによるそれぞ
れの共振器と容量結合する。
る共振器間は、結合用電極３ａ−３ｂ間の静電容量によ
り容量結合し、内導体形成孔２ｂ，２ｃによる２つの共
振器間は、結合用電極３ｂ−３ｃ間に外導体４′を配置
したことにより誘導結合する。内導体形成孔２ｄ〜２ｇ
による４つの共振器は、結合用電極３ｄ〜３ｇのそれぞ
れの隣接する電極間に生じる静電容量により容量結合す
る。また、入出力電極５ａ−結合用電極３ａ間に生じる
静電容量により、入出力電極５ａと内導体形成孔２ａに
よる共振器とは容量結合する。同様に入出力電極５ｃは
内導体形成孔２ｇによる共振器と容量結合する。さらに
入出力電極５ｂは内導体形成孔２ｃ，２ｄによるそれぞ
れの共振器と容量結合する。
【００２５】ここで、内導体形成孔２ａ〜２ｃによる３
段の共振器は送信フィルタ、内導体形成孔２ｄ〜２ｇよ
る４段の共振器は受信フィルタとし、入出力電極５ａは
送信信号入力端子、５ｂはアンテナ端子、５ｃは受信信
号出力端子としてそれぞれ用いる。
段の共振器は送信フィルタ、内導体形成孔２ｄ〜２ｇよ
る４段の共振器は受信フィルタとし、入出力電極５ａは
送信信号入力端子、５ｂはアンテナ端子、５ｃは受信信
号出力端子としてそれぞれ用いる。
【００２６】次に第７の実施形態に係る通信装置の構成
を図８を参照して説明する。図８においてＡＮＴは送受
信アンテナ、ＤＰＸはデュプレクサ、ＢＰＦａ，ＢＰＦ
ｂはそれぞれ帯域通過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂは
それぞれ増幅回路、ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキ
サ、ＯＳＣはオシレータ、ＳＹＮは周波数シンセサイザ
である。
を図８を参照して説明する。図８においてＡＮＴは送受
信アンテナ、ＤＰＸはデュプレクサ、ＢＰＦａ，ＢＰＦ
ｂはそれぞれ帯域通過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂは
それぞれ増幅回路、ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキ
サ、ＯＳＣはオシレータ、ＳＹＮは周波数シンセサイザ
である。
【００２７】ＭＩＸａは変調信号とＳＹＮから出力され
た信号とを混合し、ＢＰＦａはＭＩＸａからの混合出力
信号のうち送信周波数帯域のみを通過させ、ＡＭＰａは
これを電力増幅してＤＰＸを介しＡＮＴより送信する。
ＡＭＰｂはＤＰＸから取り出した受信信号を増幅する。
ＢＰＦｂはＡＭＰｂから出力される受信信号のうち受信
周波数帯域のみを通過させる。ＭＩＸｂは、ＳＹＮから
出力された周波数信号と受信信号とをミキシングして中
間周波信号ＩＦを出力する。
た信号とを混合し、ＢＰＦａはＭＩＸａからの混合出力
信号のうち送信周波数帯域のみを通過させ、ＡＭＰａは
これを電力増幅してＤＰＸを介しＡＮＴより送信する。
ＡＭＰｂはＤＰＸから取り出した受信信号を増幅する。
ＢＰＦｂはＡＭＰｂから出力される受信信号のうち受信
周波数帯域のみを通過させる。ＭＩＸｂは、ＳＹＮから
出力された周波数信号と受信信号とをミキシングして中
間周波信号ＩＦを出力する。
【００２８】図８に示したデュプレクサＤＰＸ部分に
は、図７に示した構造のデュプレクサを用いる。また帯
域通過フィルタＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰＦｃには図１
〜図６に示した構造の誘電体フィルタを用いる。
は、図７に示した構造のデュプレクサを用いる。また帯
域通過フィルタＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰＦｃには図１
〜図６に示した構造の誘電体フィルタを用いる。
【００２９】
【発明の効果】この発明によれば、結合用電極間に生じ
る静電容量が大きく稼げるので、全体に低背化を図った
場合でも、隣接共振器間を大きく、且つ高精度に結合さ
せて、所望のフィルタ特性が容易に得られるようにな
る。
る静電容量が大きく稼げるので、全体に低背化を図った
場合でも、隣接共振器間を大きく、且つ高精度に結合さ
せて、所望のフィルタ特性が容易に得られるようにな
る。
【００３０】また、誘電体ブロックの縁端部または側面
に対向する他方の側面に内導体の開放端付近との間で静
電容量を生じさせる入出力電極を形成する構造により、
入出力電極を、実装すべき回路基板上の電極に接続した
状態で、実装基板上の各種電極パターンが、誘電体ブロ
ック内の共振器間の結合に影響を与えないので、実装後
も、所定のフィルタ特性を維持することができる。
に対向する他方の側面に内導体の開放端付近との間で静
電容量を生じさせる入出力電極を形成する構造により、
入出力電極を、実装すべき回路基板上の電極に接続した
状態で、実装基板上の各種電極パターンが、誘電体ブロ
ック内の共振器間の結合に影響を与えないので、実装後
も、所定のフィルタ特性を維持することができる。
【００３１】また、小型化した誘電体フィルタまたは誘
電体デュプレクサを備えたことにより、全体に小型化を
図った通信装置が得られる。
電体デュプレクサを備えたことにより、全体に小型化を
図った通信装置が得られる。
【図１】 第１の実施形態に係る誘電体フィルタの斜視
図
図
【図２】 同誘電体フィルタの等価回路図
【図３】 第２の実施形態に係る誘電体フィルタの斜視
図
図
【図４】 第３の実施形態に係る誘電体フィルタの斜視
図
図
【図５】 第４の実施形態に係る誘電体フィルタの斜視
図
図
【図６】 第５の実施形態に係る誘電体フィルタの四面
図
図
【図７】 第６の実施形態に係る誘電体デュプレクサの
三面図
三面図
【図８】 第７の実施形態に係る通信装置の構成を示す
ブロック図
ブロック図
【図９】 従来の誘電体フィルタの構成例を示す斜視図
１−誘電体ブロック ２−内導体形成孔 ３−結合用電極 ４，４′−外導体 ５−入出力電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 英幸 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J006 HA04 HA11 HA19 HA33 JA01 KA01 LA05 LA12 LA21 LA28 NA04 NB07 NC02 NC03 NF03
Claims (4)
- 【請求項１】 それぞれの内面に内導体を形成した複数
の内導体形成孔を略直方体形状の誘電体ブロック内に配
列し、当該誘電体ブロックの外面に、前記内導体に導通
する結合用電極と、外導体とをそれぞれ形成して成る誘
電体フィルタにおいて、 前記誘電体ブロックの前記内導体形成孔の少なくとも一
方の開口面と、前記内導体形成孔の配列方向に平行な側
面との交わる縁端部にまで、または当該縁端部を経て前
記側面にまで、前記結合用電極を延出形成して成る誘電
体フィルタ。 - 【請求項２】 前記縁端部または前記側面に対向する前
記誘電体ブロックの他方の側面に、前記内導体の開放端
付近との間で静電容量を生じさせる入出力電極を形成し
た請求項１に記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の誘電体フィル
タにおける入出力電極を、送信信号入力用電極、受信信
号出力用電極、およびアンテナ接続用電極として設けて
成る誘電体デュプレクサ。 - 【請求項４】 請求項１もしくは２に記載の誘電体フィ
ルタまたは請求項３に記載の誘電体デュプレクサを備え
て成る通信装置。
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|---|---|---|---|
| JP2000239056A JP3582465B2 (ja) | 2000-08-07 | 2000-08-07 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
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| DE60109242T DE60109242T2 (de) | 2000-08-07 | 2001-08-03 | Dielektrisches Filter mit externen Kopplungselektroden |
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|---|---|---|---|
| JP2000239056A JP3582465B2 (ja) | 2000-08-07 | 2000-08-07 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030088993A (ko) * | 2002-05-15 | 2003-11-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 유전체 듀플렉서 |
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|---|---|---|---|---|
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| CN107706488B (zh) * | 2017-09-30 | 2020-12-11 | 厦门松元电子有限公司 | 一种结构型多阶谐振带通滤波器 |
| CN112086718A (zh) * | 2020-09-21 | 2020-12-15 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 基于半波长谐振器两端开路结构的高频一体式介质滤波器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60114004A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-20 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタの実装構造 |
| US4879533A (en) | 1988-04-01 | 1989-11-07 | Motorola, Inc. | Surface mount filter with integral transmission line connection |
| US5173672A (en) * | 1991-07-22 | 1992-12-22 | Motorola, Inc. | Dielectric block filter with included shielded transmission line inductors |
| US5374909A (en) | 1992-02-28 | 1994-12-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Stripline filter having internal ground electrodes |
| JP3101460B2 (ja) | 1992-04-03 | 2000-10-23 | 三洋電機株式会社 | 誘電体フィルタおよびこれを用いた分波器 |
| JP2860018B2 (ja) | 1992-09-16 | 1999-02-24 | 日本碍子株式会社 | 誘電体フィルタ |
| JPH0786807A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-03-31 | Sony Chem Corp | 誘電体フィルタ |
| US6008707A (en) * | 1993-11-18 | 1999-12-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna duplexer |
| EP0688059B2 (en) * | 1994-06-16 | 2013-07-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter |
| JPH0865009A (ja) | 1994-08-22 | 1996-03-08 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ |
| JP3450926B2 (ja) * | 1995-02-02 | 2003-09-29 | 日本特殊陶業株式会社 | 誘電体フィルタ及びその周波数帯域幅の調整方法 |
| US5721520A (en) * | 1995-08-14 | 1998-02-24 | Motorola, Inc. | Ceramic filter with ground plane features which provide transmission zero and coupling adjustment |
| JPH10308604A (ja) | 1997-03-05 | 1998-11-17 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよびそれらの設計方法 |
| US5793267A (en) * | 1996-03-07 | 1998-08-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric block filter having first and second resonator arrays coupled together |
| JP3389819B2 (ja) | 1996-06-10 | 2003-03-24 | 株式会社村田製作所 | 誘電体導波管型共振器 |
| EP0820115B1 (en) | 1996-07-15 | 2004-05-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric laminated device and its manufacturing method |
| JPH10163708A (ja) | 1996-12-03 | 1998-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 有極型誘電体フィルタ及びこれを用いた誘電体デュプレクサ |
| JP3577954B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2004-10-20 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ、デュプレクサ及び通信機装置 |
| JPH11205014A (ja) | 1997-11-12 | 1999-07-30 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置ならびにそれぞれの製造方法 |
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| JP2000165104A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ、デュプレクサ及び通信機装置 |
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- 2000-08-07 JP JP2000239056A patent/JP3582465B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 2001-07-31 US US09/919,517 patent/US6788167B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-01 KR KR10-2001-0046513A patent/KR100405325B1/ko active IP Right Grant
- 2001-08-03 EP EP01118699A patent/EP1180813B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-03 DE DE60109242T patent/DE60109242T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-07 CN CNB011250801A patent/CN1148011C/zh not_active Expired - Lifetime
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