JP2002171107A - デュアルモード・バンドパスフィルタ、デュプレクサ及び無線通信装置 - Google Patents
デュアルモード・バンドパスフィルタ、デュプレクサ及び無線通信装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 設計の自由度にすぐれ、所望とする帯域幅を
容易に得ることができるデュアルモード・バンドパスフ
ィルタを提供する。 【解決手段】 誘電体基板２の一方紙面または誘電体基
板内のある高さ位置に部分的に金属膜３が形成されてお
り、該金属膜３に、第１，第２の入出力結合回路５，６
が結合されており、一方の入出力結合回路から入力信号
が印加された場合に、金属膜３において生じる２つの共
振モードが結合されるように、金属膜３に少なくとも１
個のコンデンサが付加されており、該コンデンサが金属
膜３に対向されているビアホール電極７，８により構成
されているデュアルモード・バンドパスフィルタ１。
容易に得ることができるデュアルモード・バンドパスフ
ィルタを提供する。 【解決手段】 誘電体基板２の一方紙面または誘電体基
板内のある高さ位置に部分的に金属膜３が形成されてお
り、該金属膜３に、第１，第２の入出力結合回路５，６
が結合されており、一方の入出力結合回路から入力信号
が印加された場合に、金属膜３において生じる２つの共
振モードが結合されるように、金属膜３に少なくとも１
個のコンデンサが付加されており、該コンデンサが金属
膜３に対向されているビアホール電極７，８により構成
されているデュアルモード・バンドパスフィルタ１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばマイクロ波
〜ミリ波帯の通信機において帯域フィルタとして用いら
れるデュアルモード・バンドパスフィルタの帯域幅調整
方法及び該デュアルモード・バンドパスフィルタに関す
る。
〜ミリ波帯の通信機において帯域フィルタとして用いら
れるデュアルモード・バンドパスフィルタの帯域幅調整
方法及び該デュアルモード・バンドパスフィルタに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、高周波領域で用いられるバンドパ
スフィルタとして、デュアルモード・バンドパスフィル
タが種々提案されている（MINIATURE DUAL MODE MICROS
TRIP FILTERS, J.A. Curtis and S.J. Fiedziuszko, 19
91 IEEE MTT-S Digestなど）。
スフィルタとして、デュアルモード・バンドパスフィル
タが種々提案されている（MINIATURE DUAL MODE MICROS
TRIP FILTERS, J.A. Curtis and S.J. Fiedziuszko, 19
91 IEEE MTT-S Digestなど）。
【０００３】図２３及び図２４は、従来のデュアルモー
ド・バンドパスフィルタを説明するための各模式的平面
図である。図２３に示すバンドパスフィルタ２００で
は、誘電体基板（図示せず）上に円形の導電膜２０１が
形成されている。この導電膜２０１に、互いに９０°の
角度をなすように、入出力結合回路２０２及び入出力結
合回路２０３が結合されている。そして、上記入出力結
合回路２０３が配置されている部分に対して中心角４５
°の角度をなす位置に、先端開放スタブ２０４が形成さ
れている。これによって共振周波数が異なる２つの共振
モードが結合され、バンドパスフィルタ２００は、デュ
アルモード・バンドパスフィルタとして動作するように
構成されている。
ド・バンドパスフィルタを説明するための各模式的平面
図である。図２３に示すバンドパスフィルタ２００で
は、誘電体基板（図示せず）上に円形の導電膜２０１が
形成されている。この導電膜２０１に、互いに９０°の
角度をなすように、入出力結合回路２０２及び入出力結
合回路２０３が結合されている。そして、上記入出力結
合回路２０３が配置されている部分に対して中心角４５
°の角度をなす位置に、先端開放スタブ２０４が形成さ
れている。これによって共振周波数が異なる２つの共振
モードが結合され、バンドパスフィルタ２００は、デュ
アルモード・バンドパスフィルタとして動作するように
構成されている。
【０００４】また、図２４に示すデュアルモード・バン
ドパスフィルタ２１０では、誘電体基板上に略正方形の
導電膜２１１が形成されている。この導電膜２１１に、
互いに９０°の角度をなすように、入出力結合回路２１
２，２１３が結合されている。また、入出力結合回路２
１３に対して１３５°の位置のコーナー部が欠落されて
いる。欠落部分２１１ａを設けることにより、２つの共
振モードの共振周波数が異ならされており、該２つのモ
ードの共振が結合されて、バンドパスフィルタ２１０
は、デュアルモード・バンドパスフィルタとして動作す
る。
ドパスフィルタ２１０では、誘電体基板上に略正方形の
導電膜２１１が形成されている。この導電膜２１１に、
互いに９０°の角度をなすように、入出力結合回路２１
２，２１３が結合されている。また、入出力結合回路２
１３に対して１３５°の位置のコーナー部が欠落されて
いる。欠落部分２１１ａを設けることにより、２つの共
振モードの共振周波数が異ならされており、該２つのモ
ードの共振が結合されて、バンドパスフィルタ２１０
は、デュアルモード・バンドパスフィルタとして動作す
る。
【０００５】他方、円形の導電膜に代えて、円環状の導
電膜を用いたデュアルモードフィルタも提案されている
（特開平９−１３９６１２号公報、特開平９−１６２６
１０号公報など）。すなわち、円環状のリング伝送路を
用い、図２４に示したデュアルモード・バンドパスフィ
ルタと同様に、中心角９０°の角度をなすように入出力
結合回路を配置し、かつリング状伝送路の一部に先端開
放スタブを設けてなるデュアルモードフィルタが開示さ
れている。
電膜を用いたデュアルモードフィルタも提案されている
（特開平９−１３９６１２号公報、特開平９−１６２６
１０号公報など）。すなわち、円環状のリング伝送路を
用い、図２４に示したデュアルモード・バンドパスフィ
ルタと同様に、中心角９０°の角度をなすように入出力
結合回路を配置し、かつリング状伝送路の一部に先端開
放スタブを設けてなるデュアルモードフィルタが開示さ
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図２３及び図２４に示
した従来のデュアルモード・バンドパスフィルタでは、
１つの導電膜パターンを形成することにより２段のバン
ドパスフィルタを構成することができ、従ってバンドパ
スフィルタの小型化を図り得る。
した従来のデュアルモード・バンドパスフィルタでは、
１つの導電膜パターンを形成することにより２段のバン
ドパスフィルタを構成することができ、従ってバンドパ
スフィルタの小型化を図り得る。
【０００７】しかしながら、円形や正方形の導電膜パタ
ーンにおいて、上記特定の角度を隔てて入出力結合回路
を結合する構成を有するため、結合度を大きくすること
ができず、広い通過帯域を得ることができないという欠
点があった。
ーンにおいて、上記特定の角度を隔てて入出力結合回路
を結合する構成を有するため、結合度を大きくすること
ができず、広い通過帯域を得ることができないという欠
点があった。
【０００８】また、図２３に示されているバンドパスフ
ィルタでは、導電膜２０１が円形であり、図２４に示す
バンドパスフィルタでは、導電膜２１１がほぼ正方形と
形状が限定されている。従って、設計の自由度が低いと
いう問題もあった。
ィルタでは、導電膜２０１が円形であり、図２４に示す
バンドパスフィルタでは、導電膜２１１がほぼ正方形と
形状が限定されている。従って、設計の自由度が低いと
いう問題もあった。
【０００９】また、上記バンドパスフィルタでは、円形
や正方形の導電膜の寸法などにより周波数帯域が決定さ
れ、帯域を調整することが困難であった。本発明の目的
は、上述した従来技術の欠点を解消し、小型化を図るこ
とができ、小型化・広帯域化を図ることができ、設計の
自由度に優れたデュアルモード・バンドパスフィルタを
提供することにある。
や正方形の導電膜の寸法などにより周波数帯域が決定さ
れ、帯域を調整することが困難であった。本発明の目的
は、上述した従来技術の欠点を解消し、小型化を図るこ
とができ、小型化・広帯域化を図ることができ、設計の
自由度に優れたデュアルモード・バンドパスフィルタを
提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体基板
と、前記誘電体基板の一方主面または誘電体基板内のあ
る高さ位置において、部分的に形成された金属膜と、前
記金属膜と誘電体基板層を介して対向するように、前記
誘電体基板内部または誘電体基板の主面に形成されたグ
ラウンド電極と、前記金属膜に結合されている第１，第
２の入出力結合回路と、前記第１または第２の入出力結
合回路から入力信号が印加された場合に、前記金属膜に
おいて生じる２つの共振モードが結合されるように、前
記金属膜に付加されており、かつ前記誘電体基板内に構
成されている少なくとも１個のコンデンサとを備えるこ
とを特徴とする、デュアルモード・バンドパスフィルタ
である。
と、前記誘電体基板の一方主面または誘電体基板内のあ
る高さ位置において、部分的に形成された金属膜と、前
記金属膜と誘電体基板層を介して対向するように、前記
誘電体基板内部または誘電体基板の主面に形成されたグ
ラウンド電極と、前記金属膜に結合されている第１，第
２の入出力結合回路と、前記第１または第２の入出力結
合回路から入力信号が印加された場合に、前記金属膜に
おいて生じる２つの共振モードが結合されるように、前
記金属膜に付加されており、かつ前記誘電体基板内に構
成されている少なくとも１個のコンデンサとを備えるこ
とを特徴とする、デュアルモード・バンドパスフィルタ
である。
【００１１】本発明の特定の局面では、前記コンデンサ
が付加されている部分は、残りの部分に比べて相対的に
強い共振電界を生じる金属膜部分である。本発明のさら
に他の特定の局面では、前記コンデンサが、前記グラウ
ンド電極に接続されており、かつ前記誘電体基板内に構
成されている第１の容量取り出し電極を有し、該第１の
容量取り出し電極と前記金属膜との間の誘電体基板層に
より静電容量が取り出される。
が付加されている部分は、残りの部分に比べて相対的に
強い共振電界を生じる金属膜部分である。本発明のさら
に他の特定の局面では、前記コンデンサが、前記グラウ
ンド電極に接続されており、かつ前記誘電体基板内に構
成されている第１の容量取り出し電極を有し、該第１の
容量取り出し電極と前記金属膜との間の誘電体基板層に
より静電容量が取り出される。
【００１２】上記第１の容量取り出し電極は、誘電体基
板内に形成されており、かつ一端が前記グラウンド電極
に電気的に接続されているビアホール電極により構成す
ることができる。
板内に形成されており、かつ一端が前記グラウンド電極
に電気的に接続されているビアホール電極により構成す
ることができる。
【００１３】また、上記第１の容量取り出し電極が、ビ
アホール電極の先端に形成されており、かつ誘電体基板
層を介して上記金属膜に部分的に対向するように配置さ
れている対向電極膜をさらに備えていてもよい。
アホール電極の先端に形成されており、かつ誘電体基板
層を介して上記金属膜に部分的に対向するように配置さ
れている対向電極膜をさらに備えていてもよい。
【００１４】上記のように、第１の容量取り出し電極の
構造及び平面形状等については特に限定されるものでは
ない。また、本発明においては、上記１つの共振モード
が生じる金属膜の平面形状については特に限定されず、
例えば、矩形、菱形、多角形等の適宜の形状とすること
ができる。
構造及び平面形状等については特に限定されるものでは
ない。また、本発明においては、上記１つの共振モード
が生じる金属膜の平面形状については特に限定されず、
例えば、矩形、菱形、多角形等の適宜の形状とすること
ができる。
【００１５】本発明に係るデュプレクサは、本発明に従
って構成されたデュアルモード・バンドパスフィルタを
少なくとも１つ有する。本発明に係る無線通信装置は、
上記のようにして構成されたデュアルモード・バンドパ
スフィルタ、またはデュプレクサを有する。
って構成されたデュアルモード・バンドパスフィルタを
少なくとも１つ有する。本発明に係る無線通信装置は、
上記のようにして構成されたデュアルモード・バンドパ
スフィルタ、またはデュプレクサを有する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
に係るデュアルモード・バンドパスフィルタの具体的な
実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
に係るデュアルモード・バンドパスフィルタの具体的な
実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１７】図１は、本発明の第１の実施例に係るデュ
アルモード・バンドパスフィルタを説明するための斜視
図であり、図２はその要部を模式的に示す平面図であ
る。デュアルモード・バンドパスフィルタ１は、矩形板
状の誘電体基板２を有する。誘電体基板２は、本実施例
では、比誘電率εｒ＝６．２７のＢａ，Ａｌ，Ｓｉの酸
化物を主成分とするセラミック材により構成されてい
る。もっとも、本実施例及び以下の実施例において、誘
電体基板２を構成する誘電体材料については、フッ素樹
脂のような合成樹脂やＢＡＳ材等の適宜の誘電体材料を
用いることができる。
アルモード・バンドパスフィルタを説明するための斜視
図であり、図２はその要部を模式的に示す平面図であ
る。デュアルモード・バンドパスフィルタ１は、矩形板
状の誘電体基板２を有する。誘電体基板２は、本実施例
では、比誘電率εｒ＝６．２７のＢａ，Ａｌ，Ｓｉの酸
化物を主成分とするセラミック材により構成されてい
る。もっとも、本実施例及び以下の実施例において、誘
電体基板２を構成する誘電体材料については、フッ素樹
脂のような合成樹脂やＢＡＳ材等の適宜の誘電体材料を
用いることができる。
【００１８】誘電体基板２の厚みは特に限定されない
が、本実施例では、３００μｍとされている。誘電体基
板２の上面２ａには、共振器を構成するために、矩形の
金属膜３が形成されている。矩形の金属膜３は、誘電体
基板２の上面２ａにおいて部分的に形成されており、か
つ本実施例では、外形が２．０×２．０ｍｍの正方形の
形状を有する。
が、本実施例では、３００μｍとされている。誘電体基
板２の上面２ａには、共振器を構成するために、矩形の
金属膜３が形成されている。矩形の金属膜３は、誘電体
基板２の上面２ａにおいて部分的に形成されており、か
つ本実施例では、外形が２．０×２．０ｍｍの正方形の
形状を有する。
【００１９】他方、誘電体基板２の下面には、全面にグ
ラウンド電極４が形成されている。上記金属膜３には、
所定のギャップを隔てて、入出力結合回路５，６が配置
されている。本実施例では、入出力結合回路５，６は、
特に詳細は図示しないが、誘電体基板２の上面におい
て、金属膜３の対向し合っている一対の辺３ａ，３ｂと
所定のギャップを隔てて配置された金属膜により構成さ
れている。すなわち、入出力結合回路５，６は、金属膜
３に容量結合されている。
ラウンド電極４が形成されている。上記金属膜３には、
所定のギャップを隔てて、入出力結合回路５，６が配置
されている。本実施例では、入出力結合回路５，６は、
特に詳細は図示しないが、誘電体基板２の上面におい
て、金属膜３の対向し合っている一対の辺３ａ，３ｂと
所定のギャップを隔てて配置された金属膜により構成さ
れている。すなわち、入出力結合回路５，６は、金属膜
３に容量結合されている。
【００２０】図１及び図２に破線で示すように金属膜３
の下方には、容量取り出し電極としてのビアホール電極
７，８が配置されている。図３に要部を断面図で示すよ
うに、ビアホール電極７は、誘電体基板２の下面から上
方に延ばされており、ビアホール電極７の下端がグラウ
ンド電極４に電気的に接続されている。また、ビアホー
ル電極７の上端は誘電体基板層を介して金属膜３に対向
されている。ビアホール電極８も、ビアホール電極７と
同様に構成されている。従って、金属膜３とビアホール
電極７，８との間でコンデンサが構成され、ビアホール
電極７，８と金属膜３との間の誘電体基板層に基づく静
電容量が金属膜３に付加されている。
の下方には、容量取り出し電極としてのビアホール電極
７，８が配置されている。図３に要部を断面図で示すよ
うに、ビアホール電極７は、誘電体基板２の下面から上
方に延ばされており、ビアホール電極７の下端がグラウ
ンド電極４に電気的に接続されている。また、ビアホー
ル電極７の上端は誘電体基板層を介して金属膜３に対向
されている。ビアホール電極８も、ビアホール電極７と
同様に構成されている。従って、金属膜３とビアホール
電極７，８との間でコンデンサが構成され、ビアホール
電極７，８と金属膜３との間の誘電体基板層に基づく静
電容量が金属膜３に付加されている。
【００２１】本実施例では、上記ビアホール電極７，８
の上端面は、直径３００μｍの円形の形状を有するよう
に構成されている。なお、ビアホール電極の両端面、す
なわち金属膜３と対向する部分の平面形状は、円形の
他、四角形等の任意の形状とすることができる。
の上端面は、直径３００μｍの円形の形状を有するよう
に構成されている。なお、ビアホール電極の両端面、す
なわち金属膜３と対向する部分の平面形状は、円形の
他、四角形等の任意の形状とすることができる。
【００２２】また、上記ビアホール電極７，８の上端と
金属膜３との誘電体基板層の厚みは１００μｍとされて
いる。本実施例では、入出力結合回路５，６の一方とグ
ラウンド電極４との間に入力電圧を印可することによ
り、入出力結合回路５，６の他方とグラウンド電極４と
の間で出力が取り出される。この場合、金属膜３では、
入出力結合回路５，６が結合されている点を結ぶ方向
と、該方向と直交する方向に伝搬する２つのモードの共
振が発生する。そして、本実施例では、上記ビアホール
電極７，８によりコンデンサが金属膜３に付加されてお
り、該ビアホール電極７，８が上記２つの共振モードが
結合するように配置されている。従って、金属膜３にお
いて生じた２つのモードの共振が結合されてデュアルモ
ード・バンドパスフィルタとして動作する。
金属膜３との誘電体基板層の厚みは１００μｍとされて
いる。本実施例では、入出力結合回路５，６の一方とグ
ラウンド電極４との間に入力電圧を印可することによ
り、入出力結合回路５，６の他方とグラウンド電極４と
の間で出力が取り出される。この場合、金属膜３では、
入出力結合回路５，６が結合されている点を結ぶ方向
と、該方向と直交する方向に伝搬する２つのモードの共
振が発生する。そして、本実施例では、上記ビアホール
電極７，８によりコンデンサが金属膜３に付加されてお
り、該ビアホール電極７，８が上記２つの共振モードが
結合するように配置されている。従って、金属膜３にお
いて生じた２つのモードの共振が結合されてデュアルモ
ード・バンドパスフィルタとして動作する。
【００２３】なお、金属膜３において生じる２つのモー
ドの共振を結合するには、一方のモードの共振周波数
を、双方のモードが結合するように位置させれば良く、
本実施例では、モード、辺３ａ，３ｂを結ぶ方向に伝搬
するモードの共振電界が強い部分における共振電界を弱
めるようにビアホール電極７，８が配置されて、２つの
モードの共振が結合されている。
ドの共振を結合するには、一方のモードの共振周波数
を、双方のモードが結合するように位置させれば良く、
本実施例では、モード、辺３ａ，３ｂを結ぶ方向に伝搬
するモードの共振電界が強い部分における共振電界を弱
めるようにビアホール電極７，８が配置されて、２つの
モードの共振が結合されている。
【００２４】図５は、本実施例のデュアルモード・バン
ドパスフィルタ１の周波数特性と、上記ビアホール電極
７，８が設けられていないことを除いては上記実施例と
同様にして構成された比較例の周波数特性を示す図であ
る。図５において、実線Ａは実施例のデュアルモード・
バンドパスフィルタの反射特性を、実線Ｂは通過特性を
示し、破線Ｃは比較例の反射特性を、破線Ｄは比較例の
通過特性を示す。図５から明らかなようにビアホール電
極７，８が設けられていない比較例では、２つの共振モ
ードが結合されておらず、有効な帯域幅を得ることがで
きない。これに対して、実施例のデュアルモード・バン
ドパスフィルタでは、二つのモードの共振が結合され
て、Ｅで示す通過帯域の形成されていることがわかる。
ドパスフィルタ１の周波数特性と、上記ビアホール電極
７，８が設けられていないことを除いては上記実施例と
同様にして構成された比較例の周波数特性を示す図であ
る。図５において、実線Ａは実施例のデュアルモード・
バンドパスフィルタの反射特性を、実線Ｂは通過特性を
示し、破線Ｃは比較例の反射特性を、破線Ｄは比較例の
通過特性を示す。図５から明らかなようにビアホール電
極７，８が設けられていない比較例では、２つの共振モ
ードが結合されておらず、有効な帯域幅を得ることがで
きない。これに対して、実施例のデュアルモード・バン
ドパスフィルタでは、二つのモードの共振が結合され
て、Ｅで示す通過帯域の形成されていることがわかる。
【００２５】なお、本実施例では、第１の容量取り出し
電極が上記ビアホール電極７により構成されている。も
っとも、図４に示す変形例のように、誘電体基板２のあ
る高さ位置に対向電極膜９を形成しても良い。図４に示
す構造では、対向電極９の下面がビアホール電極７に接
続されており、ビアホール電極７の下端がグラウンド電
極４に接続されている。すなわち、ビアホール電極７
は、対向電極膜９をグラウンド電極４に電気的に接続す
る機能を果たしている。
電極が上記ビアホール電極７により構成されている。も
っとも、図４に示す変形例のように、誘電体基板２のあ
る高さ位置に対向電極膜９を形成しても良い。図４に示
す構造では、対向電極９の下面がビアホール電極７に接
続されており、ビアホール電極７の下端がグラウンド電
極４に接続されている。すなわち、ビアホール電極７
は、対向電極膜９をグラウンド電極４に電気的に接続す
る機能を果たしている。
【００２６】第１の容量取り出し電極をビアホール電極
７と共に構成している対向電極膜９の平面形状は特に限
定されず、四角形、円形、四角形以外の多角形などのさ
まざまな形状とすることができる。図４に示す変形例の
ようにビアホール電極７に加えて対向電極膜９を形成す
ることにより、より大きな静電容量を金属膜３に付加す
ることができる。
７と共に構成している対向電極膜９の平面形状は特に限
定されず、四角形、円形、四角形以外の多角形などのさ
まざまな形状とすることができる。図４に示す変形例の
ようにビアホール電極７に加えて対向電極膜９を形成す
ることにより、より大きな静電容量を金属膜３に付加す
ることができる。
【００２７】本願発明者らは、上述した実施例から明ら
かなように、金属膜３にコンデンサを付加することによ
り、金属膜３に生じる２つの共振モードを結合させてバ
ンドパスフィルタを構成し得ることを見出した。
かなように、金属膜３にコンデンサを付加することによ
り、金属膜３に生じる２つの共振モードを結合させてバ
ンドパスフィルタを構成し得ることを見出した。
【００２８】そこで、上記ビアホール電極７，８の位置
を移動させた場合に、周波数特性がどのように変化する
かを調べた。すなわち、図６に模式的平面図で示すよう
に、上述したビアホール電極７，８が形成されている位
置を、破線Ｆ，Ｇで示すように辺３ｂ側に向かって１０
０μｍ、あるいは２００μｍ移動させて、２種類のデュ
アルモード・バンドパスフィルタを作製した。このよう
にして得られた２種類のデュアルモード・バンドパスフ
ィルタの周波数特性と、上記実施例のデュアルモード・
バンドパスフィルタの周波数特性とを図７に示す。
を移動させた場合に、周波数特性がどのように変化する
かを調べた。すなわち、図６に模式的平面図で示すよう
に、上述したビアホール電極７，８が形成されている位
置を、破線Ｆ，Ｇで示すように辺３ｂ側に向かって１０
０μｍ、あるいは２００μｍ移動させて、２種類のデュ
アルモード・バンドパスフィルタを作製した。このよう
にして得られた２種類のデュアルモード・バンドパスフ
ィルタの周波数特性と、上記実施例のデュアルモード・
バンドパスフィルタの周波数特性とを図７に示す。
【００２９】図７において、実線Ａは前述した実施例の
反射特性を、実線Ｂは通過特性を示し、破線Ｈ及び破線
Ｉは、それぞれ、１００μｍだけビアホール電極を移動
させた場合の反射特性及び通過特性を示し、一点鎖線
Ｊ，Ｋは、それぞれ、ビアホール電極の位置を２００μ
ｍを移動させた場合の反射特性及び通過特性を示す。
反射特性を、実線Ｂは通過特性を示し、破線Ｈ及び破線
Ｉは、それぞれ、１００μｍだけビアホール電極を移動
させた場合の反射特性及び通過特性を示し、一点鎖線
Ｊ，Ｋは、それぞれ、ビアホール電極の位置を２００μ
ｍを移動させた場合の反射特性及び通過特性を示す。
【００３０】図７から明らかなように、ビアホール電極
７，８の位置を移動させることにより、２つのモードの
内一方のモードの共振周波数が移動し、帯域幅を調整し
得ることがわかる。
７，８の位置を移動させることにより、２つのモードの
内一方のモードの共振周波数が移動し、帯域幅を調整し
得ることがわかる。
【００３１】また、上記実施例において、ビアホール電
極の上端面の径を、１８０μｍ、２００μｍ及び２３０
μｍに変更した場合の各周波数特性を図８に示す。図８
において、実線Ｌ，Ｍは、それぞれ、ビアホール電極の
径が２３０μｍの場合の反射特性及び通過特性を、一点
鎖線Ｎ，Ｏは、それぞれ、ビアホール電極の径が２００
μｍの場合の反射特性及び通過特性を、破線Ｐ，Ｑは、
ビアホール電極７，８の径が１８０μｍの場合の反射特
性及び通過特性を示す。
極の上端面の径を、１８０μｍ、２００μｍ及び２３０
μｍに変更した場合の各周波数特性を図８に示す。図８
において、実線Ｌ，Ｍは、それぞれ、ビアホール電極の
径が２３０μｍの場合の反射特性及び通過特性を、一点
鎖線Ｎ，Ｏは、それぞれ、ビアホール電極の径が２００
μｍの場合の反射特性及び通過特性を、破線Ｐ，Ｑは、
ビアホール電極７，８の径が１８０μｍの場合の反射特
性及び通過特性を示す。
【００３２】図８から明らかなように、上記ビアホール
電極７，８の径を変化させた場合、すなわち金属膜３と
ビアホール電極７，８との間で取り出される静電容量の
大きさを変更することにより、２つのモードのうち一方
の共振周波数が変化し、帯域幅を調整し得ることがわか
る。
電極７，８の径を変化させた場合、すなわち金属膜３と
ビアホール電極７，８との間で取り出される静電容量の
大きさを変更することにより、２つのモードのうち一方
の共振周波数が変化し、帯域幅を調整し得ることがわか
る。
【００３３】すなわち、図７及び図８の結果から明らか
なように、本実施例のデュアルモード・バンドパスフィ
ルタでは、金属膜３に、２つのモードの共振を結合させ
るためのコンデンサを付加するにあたり、該コンデンサ
の位置を及び静電容量の大きさを変化させることによ
り、帯域幅を容易に調整し得ることがわかる。
なように、本実施例のデュアルモード・バンドパスフィ
ルタでは、金属膜３に、２つのモードの共振を結合させ
るためのコンデンサを付加するにあたり、該コンデンサ
の位置を及び静電容量の大きさを変化させることによ
り、帯域幅を容易に調整し得ることがわかる。
【００３４】また、本実施例では、上記のように金属膜
３にコンデンサの付加することにより、２つのモードの
共振を結合させてデュアルモード・バンドパスフィルタ
が構成されているため、入出力結合回路５，６の金属膜
３に対する結合点の位置は、必ずしも、従来例のように
金属膜の中心に対して中心角で９０度をなすように配置
される必要はない。従って、デュアルモード・バンドパ
スフィルタの設計の自由度を高めることができると共
に、所望とする帯域幅のデュアルモード・バンドパスフ
ィルタを容易に得ることができる。
３にコンデンサの付加することにより、２つのモードの
共振を結合させてデュアルモード・バンドパスフィルタ
が構成されているため、入出力結合回路５，６の金属膜
３に対する結合点の位置は、必ずしも、従来例のように
金属膜の中心に対して中心角で９０度をなすように配置
される必要はない。従って、デュアルモード・バンドパ
スフィルタの設計の自由度を高めることができると共
に、所望とする帯域幅のデュアルモード・バンドパスフ
ィルタを容易に得ることができる。
【００３５】図９は、本発明の第２の実施例に係るデュ
アルモード・バンドパスフィルタを説明するための模式
的平面図であり、第１の実施例について示した図２に相
当する図である。
アルモード・バンドパスフィルタを説明するための模式
的平面図であり、第１の実施例について示した図２に相
当する図である。
【００３６】第２の実施例のデュアルモード・バンドパ
スフィルタ１１では、金属膜３に付加されるコンデンサ
がビアホール電極７により構成される１個のコンデンサ
のみである。すなわち、ビアホール電極８が形成されて
いないことを除いては、第１の実施例と同様に構成され
ている。
スフィルタ１１では、金属膜３に付加されるコンデンサ
がビアホール電極７により構成される１個のコンデンサ
のみである。すなわち、ビアホール電極８が形成されて
いないことを除いては、第１の実施例と同様に構成され
ている。
【００３７】図９に示した第２の実施例のデュアルモー
ド・バンドパスフィルタの周波数特性を図１０に示す。
図１０に示すように、本実施例においても、ビアホール
電極７によるコンデンサの付加により、デュアルモード
・バンドパスフィルタとしての帯域幅が得られているこ
とがわかる。また、図１０に示されている各特性を図５
の実線Ａ，Ｂと比較すると、コンデンサの数を変化させ
ることにより、帯域幅を調整し得ることがわかる。
ド・バンドパスフィルタの周波数特性を図１０に示す。
図１０に示すように、本実施例においても、ビアホール
電極７によるコンデンサの付加により、デュアルモード
・バンドパスフィルタとしての帯域幅が得られているこ
とがわかる。また、図１０に示されている各特性を図５
の実線Ａ，Ｂと比較すると、コンデンサの数を変化させ
ることにより、帯域幅を調整し得ることがわかる。
【００３８】図１１は、本発明の第３の実施例に係るデ
ュアルモード・バンドパスフィルタの模式的平面図であ
り、第１の実施例について示した図２に相当する図であ
る。第３の実施例のデュアルモード・バンドパスフィル
タ１２では、金属膜３に対向するように、３個のビアホ
ール電極７，８ａ，８ｂが配置されている。その他の点
については、第１の実施例と同様である。
ュアルモード・バンドパスフィルタの模式的平面図であ
り、第１の実施例について示した図２に相当する図であ
る。第３の実施例のデュアルモード・バンドパスフィル
タ１２では、金属膜３に対向するように、３個のビアホ
ール電極７，８ａ，８ｂが配置されている。その他の点
については、第１の実施例と同様である。
【００３９】ビアホール電極８ａ，８ｂをビアホール電
極７と同じ大きさを有するように構成した場合のデュア
ルモード・バンドパスフィルタ１２の周波数特性を図１
２に示す。
極７と同じ大きさを有するように構成した場合のデュア
ルモード・バンドパスフィルタ１２の周波数特性を図１
２に示す。
【００４０】図１２から明らかなように、第３の実施例
においても、３個のビアホール電極７，８ａ，８ｂに基
づくコンデンサが金属膜３に付加されて、２つのモード
の共振が結合されて、デュアルモード・バンドパスフィ
ルタとしての特性が得られていることがわかる。また、
図５及び図１０に示した第１，第２の実施例の周波数特
性と、図１２に示した第３の実施例の周波数特性を比較
すれば明らかなように、ビアホール電極の数を増大させ
ることにより、帯域幅を調整し得ることがわかる。
においても、３個のビアホール電極７，８ａ，８ｂに基
づくコンデンサが金属膜３に付加されて、２つのモード
の共振が結合されて、デュアルモード・バンドパスフィ
ルタとしての特性が得られていることがわかる。また、
図５及び図１０に示した第１，第２の実施例の周波数特
性と、図１２に示した第３の実施例の周波数特性を比較
すれば明らかなように、ビアホール電極の数を増大させ
ることにより、帯域幅を調整し得ることがわかる。
【００４１】同様に、図１３は、第４の実施例に係るデ
ュアルモード・バンドパスフィルタの模式的平面図であ
り、第１の実施例において示した図２に相当する図であ
る。第４の実施例では、４個のビアホール電極７ａ，７
ｂ，８ａ，８ｂが配置されている。ビアホール電極７
ａ，７ｂ，８ａ，８ｂは、第１の実施例のビアホール電
極７と同様の寸法で構成されている。このデュアルモー
ド・バンドパスフィルタ１３の周波数特性を図１４に示
す。
ュアルモード・バンドパスフィルタの模式的平面図であ
り、第１の実施例において示した図２に相当する図であ
る。第４の実施例では、４個のビアホール電極７ａ，７
ｂ，８ａ，８ｂが配置されている。ビアホール電極７
ａ，７ｂ，８ａ，８ｂは、第１の実施例のビアホール電
極７と同様の寸法で構成されている。このデュアルモー
ド・バンドパスフィルタ１３の周波数特性を図１４に示
す。
【００４２】図１４から明らかなように本実施例におい
ても、２つのモードがコンデンサの付加により結合され
て、デュアルモード・バンドパスフィルタとしての特性
の得られていることがわかる。
ても、２つのモードがコンデンサの付加により結合され
て、デュアルモード・バンドパスフィルタとしての特性
の得られていることがわかる。
【００４３】また、図５、図１０及び図１２に示した各
実施例の周波数特性と、図１４に示した周波数特性を比
較すれば明らかなように、ビアホール電極の数を変化さ
せることにより、帯域幅を調整し得ることがわかる。
実施例の周波数特性と、図１４に示した周波数特性を比
較すれば明らかなように、ビアホール電極の数を変化さ
せることにより、帯域幅を調整し得ることがわかる。
【００４４】図１５は、本発明の第５の実施例に係るデ
ュアルモード・バンドパスフィルタを説明するための模
式的平面図であり、第１の実施例について示した図２に
相当する図である。
ュアルモード・バンドパスフィルタを説明するための模
式的平面図であり、第１の実施例について示した図２に
相当する図である。
【００４５】第５の実施例のデュアルモード・バンドパ
スフィルタ１５では、金属膜３に付加されるコンデンサ
が、誘電体基板内に形成されたビアホール電極ではな
く、誘電体基板表面に形成された第１の容量取り出し電
極１６，１７により構成されている。すなわち、第１の
容量取り出し電極１６，１７は誘電体基板表面において
金属膜３の対向し合っている辺３ｃ，３ｄと所定のギャ
ップを隔てて配置されている矩形の金属膜により構成さ
れている。本実施例では、第１の容量取り出し電極１
６，１７は、辺３ｃ，３ｄと１５０μｍのギャップを隔
てて、かつ１４００μｍの長さに渡り対向されている。
その他の構造については、第１の実施例のデュアルモー
ド・バンドパスフィルタ１と同様であるため、詳細な説
明については第１の実施例の説明を援用することにする
ことにより省略する。
スフィルタ１５では、金属膜３に付加されるコンデンサ
が、誘電体基板内に形成されたビアホール電極ではな
く、誘電体基板表面に形成された第１の容量取り出し電
極１６，１７により構成されている。すなわち、第１の
容量取り出し電極１６，１７は誘電体基板表面において
金属膜３の対向し合っている辺３ｃ，３ｄと所定のギャ
ップを隔てて配置されている矩形の金属膜により構成さ
れている。本実施例では、第１の容量取り出し電極１
６，１７は、辺３ｃ，３ｄと１５０μｍのギャップを隔
てて、かつ１４００μｍの長さに渡り対向されている。
その他の構造については、第１の実施例のデュアルモー
ド・バンドパスフィルタ１と同様であるため、詳細な説
明については第１の実施例の説明を援用することにする
ことにより省略する。
【００４６】第５の実施例のデュアルモード・バンドパ
スフィルタ１５の周波数特性を図１６に示す。図１６か
ら明らかなように、第５の実施例においても、金属膜３
に対して、第１の容量取り出し電極１６，１７に基づく
コンデンサの付加により、２つのモードの共振が結合さ
れて、デュアルモード・バンドパスフィルタとしての特
性が得られていることがわかる。
スフィルタ１５の周波数特性を図１６に示す。図１６か
ら明らかなように、第５の実施例においても、金属膜３
に対して、第１の容量取り出し電極１６，１７に基づく
コンデンサの付加により、２つのモードの共振が結合さ
れて、デュアルモード・バンドパスフィルタとしての特
性が得られていることがわかる。
【００４７】なお、本実施例では、第１の容量取り出し
電極１６，１７は、誘電体基板の表面に金属膜を形成す
ることにより構成されている。従って、金属膜３の形成
と同じ工程で、第１の容量取り出し電極１６，１７を容
易に形成することができる。
電極１６，１７は、誘電体基板の表面に金属膜を形成す
ることにより構成されている。従って、金属膜３の形成
と同じ工程で、第１の容量取り出し電極１６，１７を容
易に形成することができる。
【００４８】また、容量取り出し電極１６，１７は、誘
電体基板の表面に形成されているので容量取り出し電極
１６，１７をトリミングすることなどにより、金属膜３
に付加される静電容量を容易に調整することができる。
電体基板の表面に形成されているので容量取り出し電極
１６，１７をトリミングすることなどにより、金属膜３
に付加される静電容量を容易に調整することができる。
【００４９】本実施例においても、入出力結合回路５，
６の金属膜３に対する結合点の位置は、必ずしも、中心
角で９０度の角度をなすように配置する必要がない。さ
らに、第１の容量取り出し電極１６，１７により付加さ
れる静電容量の大きさ、及び第１の容量取り出し電極１
６，１７の位置を変更することにより、すなわち一方の
共振モードにおける強い共振電界を発生する部分の該共
振電界を弱めるようにコンデンサの配置を変えることに
より、容易に帯域幅を調整することができる。
６の金属膜３に対する結合点の位置は、必ずしも、中心
角で９０度の角度をなすように配置する必要がない。さ
らに、第１の容量取り出し電極１６，１７により付加さ
れる静電容量の大きさ、及び第１の容量取り出し電極１
６，１７の位置を変更することにより、すなわち一方の
共振モードにおける強い共振電界を発生する部分の該共
振電界を弱めるようにコンデンサの配置を変えることに
より、容易に帯域幅を調整することができる。
【００５０】なお、第５の実施例では、誘電体基板の表
面に第１，第２の容量取り出し電極１６，１７が形成さ
れていたが、誘電体基板内に金属膜３が形成されている
場合には、金属膜３の上方において、第１の容量取り出
し電極１６，１７を金属膜３と誘電体基板層を介して対
向するように構成しても良い。あるいは、誘電体基板内
において、金属膜３と第１の容量取り出し電極１６，１
７を本実施例と同様に同一高さ位置との平面内に形成し
ても良い。
面に第１，第２の容量取り出し電極１６，１７が形成さ
れていたが、誘電体基板内に金属膜３が形成されている
場合には、金属膜３の上方において、第１の容量取り出
し電極１６，１７を金属膜３と誘電体基板層を介して対
向するように構成しても良い。あるいは、誘電体基板内
において、金属膜３と第１の容量取り出し電極１６，１
７を本実施例と同様に同一高さ位置との平面内に形成し
ても良い。
【００５１】第１〜第５の実施例では、金属膜３は正方
形の形状を有するように構成されていたが、本発明にお
けるデュアルモード・バンドパスフィルタにおいて共振
器を構成するために金属膜の平面形状は特に限定される
ものではない。
形の形状を有するように構成されていたが、本発明にお
けるデュアルモード・バンドパスフィルタにおいて共振
器を構成するために金属膜の平面形状は特に限定される
ものではない。
【００５２】図１７は、本発明の第６の実施例に係るデ
ュアルモード・バンドパスフィルタを説明するための模
式的平面図であり、第１の実施例について示した図２に
相当する図である。第６の実施例のデュアルモード・バ
ンドパスフィルタ２１では、金属膜２３の平面形状が菱
形とされている。その他の点については、第１の実施例
と同様に構成されているため、第１の実施例の説明を援
用することにより詳細な説明を省略する。
ュアルモード・バンドパスフィルタを説明するための模
式的平面図であり、第１の実施例について示した図２に
相当する図である。第６の実施例のデュアルモード・バ
ンドパスフィルタ２１では、金属膜２３の平面形状が菱
形とされている。その他の点については、第１の実施例
と同様に構成されているため、第１の実施例の説明を援
用することにより詳細な説明を省略する。
【００５３】上記菱形の金属膜２３の寸法を、１７００
μｍとし、第１の実施例と同様にしてデュアルモード・
バンドパスフィルタを構成した。この周波数特性を図１
８に示す。図１８から明らかなように、本実施例におい
てもビアホール電極７，８によるコンデンサが金属膜２
３に付加されているため、一方の共振モードの共振周波
数がシフトされて、２つのモードの共振が結合されて、
デュアルモード・バンドパスフィルタとしての特性が得
られている。
μｍとし、第１の実施例と同様にしてデュアルモード・
バンドパスフィルタを構成した。この周波数特性を図１
８に示す。図１８から明らかなように、本実施例におい
てもビアホール電極７，８によるコンデンサが金属膜２
３に付加されているため、一方の共振モードの共振周波
数がシフトされて、２つのモードの共振が結合されて、
デュアルモード・バンドパスフィルタとしての特性が得
られている。
【００５４】また、第１〜第４の実施例から推測される
ように、第６の実施例においても、付加されるコンデン
サの静電容量の大きさやコンデンサの位置を変化させる
ことにより、帯域幅を容易に調整することができる。
ように、第６の実施例においても、付加されるコンデン
サの静電容量の大きさやコンデンサの位置を変化させる
ことにより、帯域幅を容易に調整することができる。
【００５５】図１９〜図２１は、本発明デュアルモード
・バンドパスフィルタの各変形例を示す模式的平面図で
あり、第１の実施例について示した図２に相当する図で
ある。
・バンドパスフィルタの各変形例を示す模式的平面図で
あり、第１の実施例について示した図２に相当する図で
ある。
【００５６】図１９に示すデュアルモード・バンドパス
フィルタ２４では、平面形状が三角形の金属膜２５が用
いられており、図２０に示す変形例のデュアルモード・
バンドパスフィルタ２６では、正五角形の平面形状を有
する金属膜２７が用いられており、図２１に示す変形例
のデュアルモード・バンドパスフィルタ２８では、正六
角形の平面形状を有する金属膜２９が用いられている。
フィルタ２４では、平面形状が三角形の金属膜２５が用
いられており、図２０に示す変形例のデュアルモード・
バンドパスフィルタ２６では、正五角形の平面形状を有
する金属膜２７が用いられており、図２１に示す変形例
のデュアルモード・バンドパスフィルタ２８では、正六
角形の平面形状を有する金属膜２９が用いられている。
【００５７】このように、金属膜の平面形状は適宜変形
することができ、これらの多角形状の他、楕円形や対称
性を有しない無秩序な平面形状を有するものであっても
良い。また、上述してきた実施例では、誘電体基板の上
面に共振器を構成するための金属膜が配置されていた
が、金属膜は誘電体基板内に埋設されていても良い。
することができ、これらの多角形状の他、楕円形や対称
性を有しない無秩序な平面形状を有するものであっても
良い。また、上述してきた実施例では、誘電体基板の上
面に共振器を構成するための金属膜が配置されていた
が、金属膜は誘電体基板内に埋設されていても良い。
【００５８】また、グラウンド電極４についても、誘電
体基板２の内部に埋設されていても良い。次に、本発明
に係るデュアルモード・バンドパスフィルタを用いたデ
ュプレクサ及び無線通信装置の実施例を、図２２を参照
して説明する。
体基板２の内部に埋設されていても良い。次に、本発明
に係るデュアルモード・バンドパスフィルタを用いたデ
ュプレクサ及び無線通信装置の実施例を、図２２を参照
して説明する。
【００５９】図２２は、上記デュアルモード・バンドパ
スフィルタを用いたデュプレクサＤＰＸを有する無線通
信装置３００の要部を示すブロック図である。本実施例
のデュプレクサＤＰＸは、本発明にしたがって構成され
たデュアルモード・バンドパスフィルタからなる第１，
第２のバンドパスフィルタＢＰＦ１，ＢＰＦ２を有す
る。第１，第２のバンドパスフィルタＢＰＦ１，ＢＰＦ
２の一端が、それぞれ、デュプレクサＤＰＸの第１，第
２のポートＰ１，Ｐ２に接続されており、バンドパスフ
ィルタＢＰＦ１，ＢＰＦ２の他端が共通接続され、デュ
プレクサＤＰＸの第３のポートＰ３に接続されいる。
スフィルタを用いたデュプレクサＤＰＸを有する無線通
信装置３００の要部を示すブロック図である。本実施例
のデュプレクサＤＰＸは、本発明にしたがって構成され
たデュアルモード・バンドパスフィルタからなる第１，
第２のバンドパスフィルタＢＰＦ１，ＢＰＦ２を有す
る。第１，第２のバンドパスフィルタＢＰＦ１，ＢＰＦ
２の一端が、それぞれ、デュプレクサＤＰＸの第１，第
２のポートＰ１，Ｐ２に接続されており、バンドパスフ
ィルタＢＰＦ１，ＢＰＦ２の他端が共通接続され、デュ
プレクサＤＰＸの第３のポートＰ３に接続されいる。
【００６０】また、第１のポートＰ１は、送信部ＴＸに
接続され、第２のポートＰ２は、受信部ＲＸに接続され
ている。さらに、デュプレクサＤＰＸの第３のポートＰ
３は、アンテナＡＮＴに接続されている。
接続され、第２のポートＰ２は、受信部ＲＸに接続され
ている。さらに、デュプレクサＤＰＸの第３のポートＰ
３は、アンテナＡＮＴに接続されている。
【００６１】本実施例のデュプレクサでは、本発明のデ
ュアルモード・バンドパスフィルタからなる第１，第２
のバンドパスフィルタＢＰＦ１，ＢＰＦ２を有するの
で、設計の自由度に優れ、所望とする帯域幅を容易に得
ることができる。また、無線通信装置３００では、上記
デュプレクサＤＰＸを有するため、通信品質を容易に高
めることができる。
ュアルモード・バンドパスフィルタからなる第１，第２
のバンドパスフィルタＢＰＦ１，ＢＰＦ２を有するの
で、設計の自由度に優れ、所望とする帯域幅を容易に得
ることができる。また、無線通信装置３００では、上記
デュプレクサＤＰＸを有するため、通信品質を容易に高
めることができる。
【００６２】
【発明の効果】本発明に係るデュアルモード・バンドパ
スフィルタでは、誘電体基板の一方主面または誘電体基
板内に、部分的に形成された金属膜に、第１，第２の入
出力結合回路が結合されており、第１または第２の入出
力係合回路から入力電圧が引加された場合に、金属膜に
おいて２つの共振モードが生じる。そして、該２つの共
振モードが結合されるように、少なくとも１個のコンデ
ンサが金属膜に付加されているので、デュアルモード・
バンドパスフィルタとして動作させることができる。従
来のデュアルモード・バンドパスフィルタでは、円形、
あるいは正方形の特定の平面形状の金属膜に対し、入出
力結合回路の結合点を、中心角が９０度をなすように配
置しなければならなかったのに対し、本発明に係るデュ
アルモード・バンドパスフィルタでは、上記コンデンサ
の付加により２つのモードの共振の結合が達成されてい
るので、入出力結合回路の金属膜に対する結合点を互い
に中心角で９０度をなすように配置する必要が必ずしも
ない。
スフィルタでは、誘電体基板の一方主面または誘電体基
板内に、部分的に形成された金属膜に、第１，第２の入
出力結合回路が結合されており、第１または第２の入出
力係合回路から入力電圧が引加された場合に、金属膜に
おいて２つの共振モードが生じる。そして、該２つの共
振モードが結合されるように、少なくとも１個のコンデ
ンサが金属膜に付加されているので、デュアルモード・
バンドパスフィルタとして動作させることができる。従
来のデュアルモード・バンドパスフィルタでは、円形、
あるいは正方形の特定の平面形状の金属膜に対し、入出
力結合回路の結合点を、中心角が９０度をなすように配
置しなければならなかったのに対し、本発明に係るデュ
アルモード・バンドパスフィルタでは、上記コンデンサ
の付加により２つのモードの共振の結合が達成されてい
るので、入出力結合回路の金属膜に対する結合点を互い
に中心角で９０度をなすように配置する必要が必ずしも
ない。
【００６３】また、上記コンデンサの静電容量及び形成
位置を調整することにより、帯域幅を容易に調整するこ
とができる。従って、設計の自由度が高く、所望とする
帯域幅を容易に得ることができるバンドパスフィルタを
提供とすることが可能となる。
位置を調整することにより、帯域幅を容易に調整するこ
とができる。従って、設計の自由度が高く、所望とする
帯域幅を容易に得ることができるバンドパスフィルタを
提供とすることが可能となる。
【００６４】上記コンデンサが付加されている部分が、
残りの部分に比べて相対的に強い共振電界を生じる金属
膜部分の場合には、一方のモードの共振において、上記
強い共振電界を生じる金属膜部分における共振電界がコ
ンデンサの付加により弱められて、２つのモードの共振
が結合される。
残りの部分に比べて相対的に強い共振電界を生じる金属
膜部分の場合には、一方のモードの共振において、上記
強い共振電界を生じる金属膜部分における共振電界がコ
ンデンサの付加により弱められて、２つのモードの共振
が結合される。
【００６５】上記コンデンサが、グラウンド電極に接続
されており、誘電体基板内に構成されている第１の容量
取り出し電極を有し、該第１の容量取り出し電極と金属
膜との間の誘電体基板層により静電容量が取り出される
構造の場合には、第１の容量取り出し電極の面積を調整
することにより、帯域幅を容易に調整することができ
る。また、誘電体基板内に積層セラミック電子部品製造
技術を用いてコンデンサを容易に構成することができ、
デュアルモード・バンドパスフィルタの小型化を進める
ことができる。
されており、誘電体基板内に構成されている第１の容量
取り出し電極を有し、該第１の容量取り出し電極と金属
膜との間の誘電体基板層により静電容量が取り出される
構造の場合には、第１の容量取り出し電極の面積を調整
することにより、帯域幅を容易に調整することができ
る。また、誘電体基板内に積層セラミック電子部品製造
技術を用いてコンデンサを容易に構成することができ、
デュアルモード・バンドパスフィルタの小型化を進める
ことができる。
【００６６】上記第１の容量取り出し電極がビアホール
電極である場合には、セラミック多層基板の製造方法を
用いて、容易に第１の容量取り出し電極を形成すること
ができる。
電極である場合には、セラミック多層基板の製造方法を
用いて、容易に第１の容量取り出し電極を形成すること
ができる。
【００６７】第１の容量取り出し電極がビアホール電極
と、誘電体基板層を介して金属膜に対向するように誘電
体基板内に設けられた対向電極膜とを備える場合には対
向し電極膜の面積を調整することにより、付加されるコ
ンデンサの静電容量を大きく調整することができる。
と、誘電体基板層を介して金属膜に対向するように誘電
体基板内に設けられた対向電極膜とを備える場合には対
向し電極膜の面積を調整することにより、付加されるコ
ンデンサの静電容量を大きく調整することができる。
【００６８】本発明に係るデュプレクサでは、本発明に
したがって構成されたデュアルモード・バンドパスフィ
ルタを備えるため、設計の自由度に優れ、所望とする帯
域幅を容易に得ることができる。
したがって構成されたデュアルモード・バンドパスフィ
ルタを備えるため、設計の自由度に優れ、所望とする帯
域幅を容易に得ることができる。
【００６９】また、本発明に係る無線通信装置では、本
発明にしたがって構成されたデュアルモード・バンドパ
スフィルタ、またはデュプレクサを有するので、設計の
自由度に優れ、所望とする帯域幅を容易に得ることがで
き、通信品質を容易に高めることができる。
発明にしたがって構成されたデュアルモード・バンドパ
スフィルタ、またはデュプレクサを有するので、設計の
自由度に優れ、所望とする帯域幅を容易に得ることがで
き、通信品質を容易に高めることができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係るデュアルモード・
バンドパスフィルタの斜視図。
バンドパスフィルタの斜視図。
【図２】第１の実施例のデュアルモード・バンドパスフ
ィルタの要部を示す模式的平面図。
ィルタの要部を示す模式的平面図。
【図３】第１の実施例のデュアルモード・バンドパスフ
ィルタの要部の断面図。
ィルタの要部の断面図。
【図４】第１の実施例のデュアルモード・バンドパスフ
ィルタの変形例を説明するための要部断面図。
ィルタの変形例を説明するための要部断面図。
【図５】第１の実施例及び比較例の周波数特性を示す
図。
図。
【図６】第１の実施例のデュアルモード・バンドパスフ
ィルタにおいて、付加されるコンデンサの位置を変更し
た構造を説明するための模式的平面図。
ィルタにおいて、付加されるコンデンサの位置を変更し
た構造を説明するための模式的平面図。
【図７】第１の実施例において、コンデンサの位置をず
らした場合の周波数特性の変化を示す図。
らした場合の周波数特性の変化を示す図。
【図８】第１の実施例のデュアルモード・バンドパスフ
ィルタにおいて、コンデンサを構成するビアホール電極
の径を変化させた場合の周波数特性の変化を示す図。
ィルタにおいて、コンデンサを構成するビアホール電極
の径を変化させた場合の周波数特性の変化を示す図。
【図９】第２の実施例のデュアルモード・バンドパスフ
ィルタの要部を示す模式的平面図。
ィルタの要部を示す模式的平面図。
【図１０】第２の実施例のデュアルモード・バンドパス
フィルタの周波数特性を示す図。
フィルタの周波数特性を示す図。
【図１１】第３の実施例のデュアルモード・バンドパス
フィルタの要部を示す模式的平面図。
フィルタの要部を示す模式的平面図。
【図１２】第３の実施例のデュアルモード・バンドパス
フィルタの周波数特性を示す図。
フィルタの周波数特性を示す図。
【図１３】第４の実施例のデュアルモード・バンドパス
フィルタの要部を示す模式的平面図。
フィルタの要部を示す模式的平面図。
【図１４】第４の実施例のデュアルモード・バンドパス
フィルタの周波数特性を示す図。
フィルタの周波数特性を示す図。
【図１５】第５の実施例のデュアルモード・バンドパス
フィルタの要部を示す模式的平面図。
フィルタの要部を示す模式的平面図。
【図１６】第５の実施例のデュアルモード・バンドパス
フィルタの周波数特性を示す図。
フィルタの周波数特性を示す図。
【図１７】第６の実施例のデュアルモード・バンドパス
フィルタの要部を示す模式的平面図。
フィルタの要部を示す模式的平面図。
【図１８】第６の実施例のデュアルモード・バンドパス
フィルタの周波数特性を示す図。
フィルタの周波数特性を示す図。
【図１９】本発明のデュアルモード・バンドパスフィル
タの変形例の要部を示す模式的平面図。
タの変形例の要部を示す模式的平面図。
【図２０】本発明のデュアルモード・バンドパスフィル
タの他の変形例の要部を示す模式的平面図。
タの他の変形例の要部を示す模式的平面図。
【図２１】本発明のデュアルモード・バンドパスフィル
タの他の変形例の要部を示す模式的平面図。
タの他の変形例の要部を示す模式的平面図。
【図２２】本発明にしたがって構成されたデュプレクサ
が組み込まれた無線通信装置の実施例を説明するための
概略ブロック図。
が組み込まれた無線通信装置の実施例を説明するための
概略ブロック図。
【図２３】従来のデュアルモード・バンドパスフィルタ
を説明するための要部を示す模式的平面図。
を説明するための要部を示す模式的平面図。
【図２４】従来のデュアルモード・バンドパスフィルタ
の他の例を示す模式的平面図。
の他の例を示す模式的平面図。
１…デュアルモード・バンドパスフィルタ ２…誘電体基板 ３…金属膜 ４…グラウンド電極 ５，６…入出力結合回路 ７，８，７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂ…ビアホール電極 ９…対向電極膜 １１…デュアルモード・バンドパスフィルタ １２…デュアルモード・バンドパスフィルタ １３…デュアルモード・バンドパスフィルタ １５…デュアルモード・バンドパスフィルタ １６，１７…第１の容量取り出し電極 ２１…デュアルモード・バンドパスフィルタ ２３…金属膜 ２４，２６，２８…デュアルモード・バンドパスフィル
タ ２５，２７，２９…金属膜 ３００…無線通信装置 ＤＰＸ…デュプレクサ Ｐ１〜Ｐ３…第１〜第３のポート ＢＰＦ１，ＢＰＦ２…第１，第２のバンドパスフィルタ ＡＮＴ…アンテナ ＲＸ…受信部 ＴＸ…送信部
タ ２５，２７，２９…金属膜 ３００…無線通信装置 ＤＰＸ…デュプレクサ Ｐ１〜Ｐ３…第１〜第３のポート ＢＰＦ１，ＢＰＦ２…第１，第２のバンドパスフィルタ ＡＮＴ…アンテナ ＲＸ…受信部 ＴＸ…送信部
フロントページの続き (72)発明者 神波 誠治 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J006 HB03 HB15 HB22 HC03 HC14 JA01 KA01 LA05 LA11 MA04 NA04 NB07 NC03 NE15
Claims (8)
- 【請求項１】 誘電体基板と、 前記誘電体基板の一方主面または誘電体基板内のある高
さ位置において、部分的に形成された金属膜と、 前記金属膜と誘電体基板層を介して対向するように、前
記誘電体基板内部または誘電体基板の主面に形成された
グラウンド電極と、 前記金属膜に結合されている第１，第２の入出力結合回
路と、 前記第１または第２の入出力結合回路から入力信号が印
加された場合に、前記金属膜において生じる２つの共振
モードが結合されるように、前記金属膜に付加されてお
り、かつ少なくとも１個のコンデンサとを備えることを
特徴とする、デュアルモード・バンドパスフィルタ。 - 【請求項２】 前記コンデンサが付加されている部分
が、残りの部分に比べて相対的に強い共振電界を生じる
金属膜部分である、請求項１に記載のデュアルモード・
バンドパスフィルタ。 - 【請求項３】 前記コンデンサが、前記グラウンド電極
に接続されており、かつ前記誘電体基板内に構成されて
いる第１の容量取り出し電極を有し、該第１の容量取り
出し電極と前記金属膜との間の誘電体基板層により静電
容量が取り出される、請求項１または２に記載のデュア
ルモード・バンドパスフィルタ。 - 【請求項４】 前記第１の容量取り出し電極がビアホー
ル電極である、請求項３に記載のデュアルモード・バン
ドパスフィルタ。 - 【請求項５】 前記第１の容量取り出し電極が、前記ビ
アホール電極の先端に形成されており金属膜に対向する
ように誘電体基板内に設けられている対向電極膜をさら
に備える、請求項４に記載のデュアルモード・バンドパ
スフィルタ。 - 【請求項６】 前記金属膜の平面形状が、矩形、菱形、
または多角形である、請求項１〜５のいずれかに記載の
デュアルモード・バンドパスフィルタ。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載のデュア
ルモード・バンドパスフィルタを少なくとも１つ有して
なる、デュプレクサ。 - 【請求項８】 請求項１〜６のいずれかに記載のデュア
ルモード・バンドパスフィルタ、または、請求項７に記
載のデュプレクサの少なくとも一方を有してなる、無線
通信装置。
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| EP08004411A EP1926173B1 (en) | 2000-09-19 | 2001-09-17 | Dual-mode bandpass filter |
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|---|---|
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| CN102723543B (zh) * | 2012-07-02 | 2014-08-06 | 电子科技大学 | 六边形谐振腔基片集成波导滤波器 |
| KR101444555B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2014-09-24 | 삼성전기주식회사 | 대역 통과 필터 |
| EP3041781B1 (de) | 2013-09-05 | 2017-10-18 | SQUELL Produktion und Handel GmbH | Zapfvorrichtung für eine beutel-im-karton-verpackung sowie betätigungseinrichtung und kassette dafür |
| CN104269588B (zh) * | 2014-10-22 | 2017-01-18 | 重庆大学 | 一种基于中心枝节加载的小型化六边形三模滤波器 |
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