JP2002057113A - 半導体製造用化学蒸着装置のビューポート - Google Patents

半導体製造用化学蒸着装置のビューポート

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JP2002057113A JP2001018763A JP2001018763A JP2002057113A JP 2002057113 A JP2002057113 A JP 2002057113A JP 2001018763 A JP2001018763 A JP 2001018763A JP 2001018763 A JP2001018763 A JP 2001018763A JP 2002057113 A JP2002057113 A JP 2002057113A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 チャンバー内の熱損失を防止し、透視窓への
ポリマー凝着を極小化させてその管理を容易にし、製品
不良率を低減することができる半導体製造用化学蒸着装
置のビューポートを提供する。 【解決手段】 プロセスチャンバー３の外壁をなす第２
エレクトロ１０の一側面に形成された開口１１の外側周
縁部に突設されたブラケット２０と、ブラケット２０の
内部に挿入され開口１１の外側周縁部とＯリング３１に
より密着する透視窓３０と、ブラケット２０の一側面に
形成されたホール２１の外周縁端部に沿って設けられ、
ブラケット２０の互いに対応する外周縁の端部に一端が
ヒンジ結合され、他端は結合または解除可能にロッキン
グ手段４１により結合されるキャップ部材４０と、キャ
ップ部材４０の内側面に付着し透視窓３０の一面に密着
するようにホール２１に挿入される断熱部材５０とから
構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術の分野】本発明は、半導体製造用化
学蒸着装置のビューポートに関し、詳しくは、プラズマ
蒸着のときにチャンバー内の熱損失を防止して透視窓へ
のポリマー凝着を極小化させることにより、その管理が
容易になり、加工のときに製品不良率が低減される半導
体製造用化学蒸着装置のビューポートに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体製造工程において気体状
態の化合物を化学的反応によりウェーハの表面に積層す
る工程を化学蒸着工程（Chemical Vapor Deposition、
以下CVDと称する）と呼び、これはシステムの圧力に従
い大気圧化学蒸着システム、低圧化学蒸着システム、高
圧化学蒸着システムなどに分類される。一方、プラズマ
を用いて蒸着を行うPE（Plasma Enhanced）CVDは、0.1
〜5.0Torr（13〜670Pa）の低圧状態でグロー放電により
高いエネルギーを得た電子が中性状態のガス分子と衝突
してガス分子を分解し、これらの分解されたガス相互間
の反応により蒸着を行う蒸着法である。
【０００３】このようなPE CVDでプラズマの形成のため
には、図３に示すように、通常一つ以上のエレクトロ
１、２が必要とされ、このエレクトロ１、２に高周波電
力が供給されることにより、プロセスチャンバ３内に充
填されたガス成分のうちプラズマがウェーハ４に蒸着す
る。また、プロセスチャンバー３の外壁をなすと共に高
周波電力が通電されるようにしたエレクトロ１、２には
チャンバー３内に内装されたウェーハ４の高さと同一か
またはそれ以上の高さに複数個のビューポート５が形成
される。このビューポート５は使用者が必要とするプロ
セスチャンバー３内の情報を可視的に直接得るために設
けられるもので、このようなビューポート５は石英系列
の透明な材料で隔壁をなすようにして設けられ、チャン
バー３内部の状況をプロセス実施中に観察できるように
している。
【０００４】一方、一定量のガスがチャンバー３の内部
に存在すべきであり、必要以上のガスは真空ポート６を
通して排出されるべきである。しかし、真空ポート６を
通しては、過剰のガスと共に乾式食刻の時に発生する不
必要な不純物も同時に排出され、外部に抜け出る。この
ように真空ポート６を通して排出される不純物中にはプ
ラズマの形成のときに発生する一部のポリマーが含ま
れ、これらのたいていはチャンバー３の内壁のエレクト
ロ１、２に蒸着し、これは周期的に強制洗浄作業を通し
て除去される。
【０００５】このとき、エレクトロ１、２と共にビュー
ポート５の内壁にもポリマーが蒸着し、エレクトロ１、
２とビューポート５に設けられる図４に示すような透視
窓５ａの材質特性及び環境的な影響による表面温度の差
により、エレクトロ１、２よりも透視窓の表面にポリマ
ーがもっと蒸着し、このように蒸着したポリマーがチャ
ンバー３の内部に落ちてウェーハ４の表面に残留するこ
とにより、ウェーハ４の加工工程の際に致命的な工程不
良を惹起させる。
【０００６】また、透視窓５ａの内壁に凝着するポリマ
ーによっては、実際にビューポート５を通したチャンバ
ー３の内部の観察が不可能になり、ビューポート５が実
質的な機能を発揮できなくなるという問題点があった。
このようなビューポートでのポリマーの凝着を予防また
は除去するため、日本特許公開平3-050723号では透視窓
に電熱用合金線を設置するかまたは加熱乾燥空気導入手
段を設ける構成、日本特許公開平8-246148号では透視窓
を耐食性をもつアクリル樹脂またはポリエステル樹脂ま
たはエポキシ樹脂またはポリカーボネイト樹脂またはポ
リイミド樹脂から形成する構成、日本特許公開平9-1069
50号ではポリマーの付着汚染防止のためにテフロン膜ま
たはフッ素系高分子薄膜を被覆し、超高真空用耐熱ゴム
を被覆させるようにする構成が開示されている。また、
日本特許公開平11-204294号では、ビューポートの窓部
材に蓄積物による汚染防止のためにヒーターが設置され
る構成が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】然るに、透視窓に電熱
用合金線または加熱乾燥空気導入手段を設けるのは、非
常に難解な作業であると共に、これらが透視窓に形成さ
れると、透視窓を通したチャンバー３の内部観察が容易
でなくなる。そして、透視窓を耐食性をもつ材質として
形成するのは、単純に透視窓の保護のためだけで、ポリ
マーの凝着を予防するかまたは除去することはできな
い。
【０００８】また、透視窓にポリマーの付着を防止する
ために特殊な薄膜を被覆させることは、その特殊な薄膜
が透明の材質でなければならず、耐熱性ももっていなけ
ればならないため、それに適切な特性をもつ薄膜の形成
が非常に難解であるだけでなく、特殊な素材の設置で費
用が過多に所要されるという非経済的な問題点があっ
た。そこで、本発明の目的は、透視窓によるチャンバー
内部の熱損失を防止する断熱手段を簡単かつ開閉可能に
設けることにより、より容易かつ低廉な構成により透視
窓へのポリマー付着を防止する半導体製造用化学蒸着装
置のビューポートを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため本発明の半導体製造用化学蒸着装置のビューポー
トは、チャンバーの外壁をなすエレクトロの一側面に所
定の大きさで形成された開口の外側の周縁部を突出させ
て形成したブラケットと、ブラケットの内部に挿入され
開口の周縁部とOリングをによって密着した透視窓と、
前記ブラケット２０の一側面を開放させて形成したホー
ルの外周縁端部に沿って設けられ、前記ブラケット２０
の互いに対応する外周縁端部に一端がヒンジ結合され他
端がロッキング及び解除ができるようにロッキング手段
により結合されるキャップ部材と、前記キャップ部材の
内側面に付着し前記透視窓の一面に密着するように前記
ブラケットの外側面に形成されたホールに挿入される断
熱部材とを含むことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施例を
添付図を用いて詳しく説明する。図１は、本発明の第１
実施例による半導体製造用化学蒸着装置のビューポート
を図示したもので、図面符号１０はプロセスチャンバー
３の外壁をなす第２エレクトロである。プロセスチャン
バー３内にはウェーハが第１エレクトロに安着される構
造が設けられ、このようなウェーハと同一であるかまた
はそれよりも高い位置の第２エレクトロ１０にはチャン
バー３の内部を外部から見ることができるように所定の
大きさで開口１１を形成し、この開口１１の外側周縁部
には”⊂”字形のブラケット２０が設置され、ブラケッ
ト２０内部には、開口１１の周縁部とOリング３１を介
して緊密な挿入状態が維持されるようにして透視窓３０
を設ける。
【００１１】この場合透視窓３０は、外部と隔離させる
ための構成であって、通常石英またはサファイア系列の
材質であり、Oリング３１は透視窓３０の破損及び亀裂
を防止しかつシリング作用をするように通常ゴムまたは
テフロン（登録商標）系列の材質である。このような構
成は従来のビューポートと同一な構成であるが、本実施
例は上記のような構成の他に透視窓３０を通した熱エネ
ルギーの損失を防止する構成を一体的に設けたのが一番
の特徴である。
【００１２】即ち、透視窓３０が挿入されるブラケット
２０の第２エレクトロ１０と対応する一側面を透視窓３
０より小さい内径で開放してホール２１を形成し、外部
から透視窓３０を通してチャンバー１の内部を観察でき
るように形成したホール２１を外部と遮断して、透視窓
３０を通したチャンバー３０内の熱エネルギー損失を防
止できる断熱部材を結合することをその特徴とする。
【００１３】以下、これを詳しく説明する。第２エレク
トロ１０に設置されたブラケット２０でホール２１の外
周縁端部に沿ってキャップ部材４０が設けられ、このキ
ャップ部材４０はブラケット２０の互いに対応する外周
縁端部に一端がヒンジ結合され、他端は結合または解除
可能にロッキング手段４１により結合される。
【００１４】このとき、キャップ部材４０の透視窓３０
の側にはブラケット２０のホール２１に緊密に挿入され
る断熱部材５０が付着するようにし、この断熱部材５０
はまたホール２１内で透視窓３０と密着する構造として
設けられる。断熱部材５０は、基本的に断熱機能をもた
なければならないため、外皮はシリコン系列及びガラス
繊維または石綿またはゴム系列の繊維材から形成される
ようにし、その厚みは約0.1mm以上に形成するのが好ま
しい。
【００１５】一方、上記のような構造の本実施例は、図
２に示すように、断熱部材５０の内部に熱線６０を設
け、前記熱線６０を外部のコントローラー６１により制
御するようにすることもできるし、前記熱線の代わりに
ホースを連結して熱気が直接断熱部材５０内に供給され
るようにする構造としても実施することができる。ま
た、断熱部材５０の代わりに透視窓３０に熱線６０が内
装されるようにし、この熱線６０はコントローラー６１
により制御されるようにすることもできる。
【００１６】図３は、本発明による第２実施例を示す図
で、本実施例では上記の第１実施例と同様に、チャンバ
ー３の外壁をなす第２エレクトロ１０の側面の一方に所
定の大きさで開口１１を形成し、前記開口１１の外側周
縁部に向かってブラケット２０を突設し、このブラケッ
ト２０の内部には透視窓３０を開口１１の外側周縁部と
Oリング３１により密着するように挿入する。
【００１７】このような構成において本実施例は、ブラ
ケット２０の一側面を開放させて形成しホール２１に内
部が断熱材５１で充填されたキャップ部材４０が挿入さ
れるようにし、キャップ部材４０は一端がブラケット２
０にヒンジ結合され、他端はブラケット２０にロッキン
グ手段４１により結合または解除可能に結合された構成
である。
【００１８】このような構成においても透視窓３０に
は、上記の実施例と同様に、熱線６０を内装し、この熱
線６０を別途に設けられるコントローラー６１により制
御するようにすることもできる。図４は、本発明による
第３実施例を示す図で、本実施例でのブラケット２０の
構造とこのブラケット２０の内部に透視窓３０が挿入さ
れるようにする構成は上記の実施例と同一であるが、キ
ャップ部材４０は透明材質であって、ブラケット２０の
一側面を開放させて形成したホール２１に離脱しないよ
うに挿入され、一側面が透視窓３０に密着し、内部に熱
線６０が設けられ、この熱線６０は外部のコントローラ
ー６１により制御されることにその特徴がある。
【００１９】以下、上述の各実施例のの作用について説
明する。上述の各実施例でのキャップ部材４０は開閉を
可能にするかまたは透明な材質として固定されるように
設けられる。また、第１実施例のようにキャップ部材４
０に断熱部材５０が付着するようにするか、またはそれ
自体に断熱材５１が内装されるようにして、キャップ部
材４０を一側端部のヒンジを軸にして開閉を可能にする
と、ブラケット２０のホール２１から断熱部材５０が離
脱し、透視窓３０を通してチャンバー３の内部を見るこ
とができる。
【００２０】そして、透視窓３０に密着させて透明の材
質としてキャップ部材４０を設ける場合にも、このキャ
ップ部材４０と透視窓３０を通してチャンバー３の内部
を見ることができる。それで、チャンバー３内にガスを
充填させウェーハが安着される第１エレクトロに高周波
電力が印加されると、第１エレクトロと第２エレクトロ
１０間に通電によりその間のガスからプラズマが発生
し、ウェーハに蒸着が始まる。
【００２１】一方、このようなプラズマの蒸着のとき
に、チャンバー３の内部は相当に高温の状態を維持し、
このとき、チャンバー３では多量の不純物、即ち、ポリ
マーが発生し、これらのポリマーは第１、２エレクトロ
の内周面と共に透視窓３０の内側面に付着する。しか
し、このようなチャンバー３の内部を見ることができる
ように設けられたビューポート５の透視窓３０には、断
熱部材５０が面密着し、この断熱部材５０を含むキャッ
プ部材４０はビューポート５のブラケット２０に形成さ
れたホール２１を完全にカバーした状態を維持するの
で、外部からチャンバー３の内部を見ることができなく
なり、透視窓３０を通して伝達されるチャンバー３内部
の高温の熱は断熱部材５０により放出が阻止される状態
となる。
【００２２】このとき、チャンバー３の内部で発生する
ポリマーが透視窓３０に凝着しようとしても、透視窓３
０を通した熱放出が阻止されながら透視窓３０は相当に
高温の状態を維持し、このような作用のため透視窓３０
にポリマーが容易に凝着できなくなる。即ち、ポリマー
がチャンバー３０の内部で発生しても、高温の状態を維
持する透視窓３０にはこれ以上凝着がなされなくなるた
め、結局たいていのポリマーは真空ポートを通して外部
に除去できる。
【００２３】一方、断熱部材５０による熱損失防止と共
に、断熱部材５０に上述のように熱線６０及び熱器を直
接設置及び供給すると、透視窓３０を基準に内外側の温
度が近似の高温の状態に形成されるので、ポリマーの凝
着を未然に防止することができる。このようにウェーハ
にプラズマを蒸着させる工程の遂行中、透視窓３０を通
した熱損失を防止するようにしてポリマーの凝着を防止
し、使用者が必要とするプロセスチャンバー３内の情報
を可視的に直接得るためには、キャップ部材４０のロッ
キング手段４１を簡単に解除してブラケット２０に形成
されるホール２１を開放状態にすれば、プロセス実施中
にこのホール２１を通して透視窓３０からチャンバー３
内部の状況を観察することができる。
【００２４】また、透視窓３０に密着するように透明の
キャップ部材４０を形成する場合にも、前記キャップ部
材４０の内部には熱線を設けて透視窓３０の内外の温度
差を克服することができるようにし、ポリマーの凝着を
防止する。そこで、透視窓３０の汚染が大幅に低減され
ることにより、透視窓３０を通したチャンバー３内部の
観察が安定になされ、チャンバー３内を掃除する周期を
より長時間に延長することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、プラズマ
の形成工程中に透視窓３０を通したチャンバー３内部の
観察が容易になされ、透視窓３の汚染によるクリーニン
グ周期を大幅に延長させるので、より容易な感知、装置
の耐久力増強ならびに製品生産効率の向上という効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例による半導体製造用化学蒸
着装置のビューポートを示す模式図である。
【図２】図１の断熱部材に熱線が設けられた状態を示す
模式図である。
【図３】本発明の第２実施例による半導体製造用化学蒸
着装置のビューポートを示す模式図である。
【図４】本発明の第３実施例による半導体製造用化学蒸
着装置のビューポートを示す模式図である。
【図５】従来の半導体製造用化学蒸着装置を示す模式図
である。
【図６】従来のビューポートを示す模式図である。
【符号の説明】
３ プロセスチャンバー １０ 第２エレクトロ １１ 開口 ２０ ブラケット ３０ 透視窓 ３１ Oリング ４０ キャップ部材 ４１ ロッキング手段 ５０ 断熱部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 孫 權 大韓民国京畿道水原市八達区永通洞967− ２番地シンナムシル克東アパート615−304 号 (72)発明者 任 俸淳 大韓民国京畿道水原市八達区牛満１洞481 −20番地 Ｆターム(参考） 4K030 CA04 CA12 KA10 KA37 5F045 BB14 EC03 EK06

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体製造用化学蒸着装置のチャンバー
    の外壁をなすエレクトロの一側面に所定の大きさで形成
    された開口の外側周縁部に突設されているブラケット
    と、 前記ブラケットの内部に挿入され、前記開口の外側周縁
    部とＯリングにより密着している透視窓と、 前記ブラケットの外側面に開設されたホールの外周縁端
    部に沿って設けられ、前記ブラケットの互いに対応する
    外周縁端部に一端がヒンジ結合され他端が結合または解
    除可能にロッキング手段により結合されるキャップ部材
    と、 前記キャップ部材の内側面に付着し前記透視窓の一面に
    密着するように前記ホールに緊密に挿入される断熱部材
    とを備えることを特徴とする半導体製造用化学蒸着装置
    のビューポート。
  2. 【請求項２】 前記断熱部材は、内部に熱線が設けら
    れ、前記熱線は外部のコントローラーにより制御される
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造用化学蒸
    着装置のビューポート。
  3. 【請求項３】 前記断熱部材は、内部に熱気が供給され
    るようにホースが内装されていることを特徴とする請求
    項１に記載の半導体製造用化学蒸着装置のビューポー
    ト。
  4. 【請求項４】 前記透視窓には内部に熱線が設けられ、
    前記熱線は外部のコントローラーにより制御されること
    を特徴とする請求項１に記載の半導体製造用化学蒸着装
    置のビューポート。
  5. 【請求項５】 半導体製造用化学蒸着装置のチャンバー
    の外壁をなすエレクトロの一側面に所定の大きさで形成
    された開口の外側周縁部に突設されているブラケット
    と、 前記ブラケットの内部に挿入され、前記開口の外側周縁
    部とＯリングにより密着している透視窓と、 前記ブラケットの一側面に開設されたホールに挿入さ
    れ、内部は断熱材で充填され、一端は前記ブラケットに
    ヒンジ結合され、他端は前記ブラケットに結合または解
    除可能に開閉手段が設けられるキャップ部材とを備える
    ことを特徴とする半導体製造用化学蒸着装置のビューポ
    ート。
  6. 【請求項６】 前記透視窓には内部に熱線が設けられ、
    前記熱線は外部のコントローラーにより制御されること
    を特徴とする請求項５に記載の半導体製造用化学蒸着装
    置のビューポート。
  7. 【請求項７】 半導体製造用化学蒸着装置のチャンバー
    の外壁をなすエレクトロの一側面に所定大きさで形成さ
    れた開口の外側周縁部に突設されているブラケットと、 前記ブラケットの内部に挿入され、前記開口の外側周縁
    部とＯリングにより密着している透視窓と、 前記ブラケットの一側面に開設されたホールに離脱しな
    いように挿入され、前記透視窓に密着し、内部に熱線が
    設けられ、前記熱線は外部のコントローラーにより制御
    される透明のキャップ部材とを備えることを特徴とする
    半導体製造用化学蒸着装置のビューポート。
  8. 【請求項８】 前記キャップ部材には、内部に熱気が供
    給されるようにホースが内装されることを特徴とする請
    求項７に記載の半導体製造用化学蒸着装置のビューポー
    ト。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005277397A (ja) * 2004-02-26 2005-10-06 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2016134513A (ja) * 2015-01-20 2016-07-25 株式会社ダイヘン 配電用自動電圧調整器
KR20200043762A (ko) * 2018-10-18 2020-04-28 (주) 예스티 반도체 테스트 장치
KR20200043964A (ko) * 2020-04-20 2020-04-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW564498B (en) * 2001-08-20 2003-12-01 Asml Us Inc Apparatus and method for insulating a seal in a process chamber
KR100397193B1 (ko) * 2001-09-18 2003-09-13 주성엔지니어링(주) 웨이퍼 감지장치
KR100488541B1 (ko) * 2002-10-18 2005-05-11 삼성전자주식회사 플라즈마 처리장치
US7604701B2 (en) * 2003-07-14 2009-10-20 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for removing external components from a process chamber without compromising process vacuum
KR100640435B1 (ko) * 2004-10-15 2006-10-30 동부일렉트로닉스 주식회사 건식 식각장치의 반응 챔버
KR100717974B1 (ko) * 2005-02-04 2007-05-14 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리장치
DE102005034155B3 (de) * 2005-07-21 2006-11-16 Eos Gmbh Electro Optical Systems Vorrichtung zum schichtweisen Herstellen eines dreidimensionalen Objekts
US8312571B2 (en) 2006-06-23 2012-11-20 Kohler Co. Plumbing fixture seat
DE102007048203A1 (de) * 2007-10-08 2009-04-09 Vega Grieshaber Kg Füllstandmessgerät mit explosionssicherem Gehäuse
KR101058829B1 (ko) * 2008-12-31 2011-08-24 엘아이지에이디피 주식회사 진공챔버의 점검창
KR100892123B1 (ko) * 2008-12-31 2009-04-09 (주)세미머티리얼즈 폴리 실리콘 증착장치
US8189198B2 (en) * 2009-12-15 2012-05-29 Primestar Solar, Inc. Active viewport detection assembly for substrate detection in a vapor detection system
KR101037597B1 (ko) * 2009-12-21 2011-05-30 주식회사 케이씨텍 기판처리용 배스의 창 개폐 구조
GB201121818D0 (en) 2011-12-19 2012-02-01 Certification Information Ltd Apparatus and method
CN102418452A (zh) * 2011-12-19 2012-04-18 上海发电设备成套设计研究院 视窗保护罩装置
KR102507647B1 (ko) * 2016-12-07 2023-03-08 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치
US11670490B2 (en) * 2017-09-29 2023-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated circuit fabrication system with adjustable gas injector
WO2021042117A1 (en) * 2019-08-23 2021-03-04 Lam Research Corporation Plasma viewport
KR20220008662A (ko) 2020-07-14 2022-01-21 김정우 가시창 오염 방지 화학기상증착장치
CN117163955B (zh) * 2023-09-07 2024-04-30 煜爚(东海)新材料有限公司 煤基多孔碳分子筛及其加工工艺

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4809862A (en) * 1987-03-13 1989-03-07 Canty Thomas M Fuseview laminate safety sight glass
US4830216A (en) * 1987-07-08 1989-05-16 Yugen Gaisha Miyakei Company Lid for pressure-heat cooking vessel
JPH04103770A (ja) * 1990-08-22 1992-04-06 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマプロセス装置
US5129994A (en) * 1991-04-23 1992-07-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to inhibit obstruction of optical transmission through semiconductor etch process chamber viewport
US5141125A (en) * 1991-08-12 1992-08-25 J. M. Canty Associates, Inc. Quickport closure device
US5230437A (en) * 1992-01-24 1993-07-27 General Signal Corporation Viewport assembly
JPH08243379A (ja) * 1995-03-14 1996-09-24 Hitachi Ltd 区画領域内部監視用筒
JPH10168568A (ja) * 1996-12-06 1998-06-23 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の覗窓

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005277397A (ja) * 2004-02-26 2005-10-06 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2016134513A (ja) * 2015-01-20 2016-07-25 株式会社ダイヘン 配電用自動電圧調整器
KR20200043762A (ko) * 2018-10-18 2020-04-28 (주) 예스티 반도체 테스트 장치
KR102158601B1 (ko) * 2018-10-18 2020-09-22 (주) 예스티 반도체 테스트 장치
KR20200043964A (ko) * 2020-04-20 2020-04-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102201891B1 (ko) * 2020-04-20 2021-01-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치

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