JP2002052644A

JP2002052644A - 電子部品

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Publication number: JP2002052644A
Application number: JP2000241439A
Authority: JP
Inventors: Minoru Takatani; 稔高谷; Toshiichi Endo; 敏一遠藤
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2000-08-09
Filing date: 2000-08-09
Publication date: 2002-02-19
Anticipated expiration: 2020-08-09
Also published as: JP3546001B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】複数のハイブリッド材を組み合わせること
で、波長短縮効果が高く、高周波特性にも優れ、小型で
高性能の、ひいては総合的な電気的特性に優れた電子部
品を提供する。【解決手段】バルントラスト４０は、ハイブリッド材
により形成されている構成層４０ａ等が積層され、その
上下および中間にＧＮＤ４５と、内部導体４３を有す
る。ハイブリッド材の少なくとも１層に形成されている
導電体層とを有し、この導電体層により所定の電気回路
が構成され、前記ハイブリッド材は、少なくとも１種ま
たは２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁
性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属
粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉
から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有
する構成の電子部品とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリプレグおよび
基板を用いた電子部品や積層回路に関し、特に高周波数
領域（１００MHz以上）での使用に好適であり、波長短
縮効果の優れたプリプレグおよび基板を用いた電子部品
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、通信用、民生用、産業用等の電子
機器の分野における実装方法の小型化・高密度化への指
向は著しいものがあり、それに伴って材料の面でもより
優れた耐熱性、寸法安定性、電気特性、成形性が要求さ
れつつある。

【０００３】高周波用電子部品もしくは高周波用多層基
板としては、焼結フェライトや焼結セラミックを基板状
に多層化、成形したものが一般に知られている。これら
の材料を多層基板にすることは、小型化が図れるという
メリットがあることから従来より用いられてきた。

【０００４】しかしながら、これら焼結フェライトや焼
結セラミックを用いた場合、焼成工程や厚膜印刷工程数
が多く、また、焼成時のクラックや反り等、焼結材料特
有の問題が多いことと、プリント基板との熱膨張係数の
違い等によるクラックの発生等といった問題が多いこと
から、樹脂系材料への要求が年々高まっている。

【０００５】しかしながら、樹脂系の材料ではそれ自体
で十分な誘電率を得ることが極めて困難であり、透磁率
の向上を図ることも困難である。このため、単に樹脂材
料を利用した電子部品では、十分な特性を得ることがで
きず、形状的にも大きなものとなり、小型、薄型化を図
ることが困難である。

【０００６】また、樹脂材料にセラミック粉末をコンポ
ジットする手法も、例えば特開平８−６９７１２号公
報、同１１−１９２６２０号公報に開示されているが、
いずれも十分な高周波特性や磁気特性を得られてはいな
い。また、波長短縮に関する材料の具体的な検討もなさ
れていない。

【０００７】また、特公平６−１４６００号公報には、
シート法による複数材料を多層化する例が示されている
が、工程数が多いなどの問題を有し、１つの層に複数材
料を含有するハイブリット化への具体的な検討はなされ
ていない。しかも個々で検討されている周波数は高々数
ＭHz程度であり、１００ＭHz以上の高周波領域における
性能については何ら検討されていない。また、波長短縮
に関する材料の具体的な検討もなされていない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、複数
のコンポジット材料を組み合わせることで、波長短縮効
果が高く、高周波特性にも優れ、小型で高性能の、ひい
ては総合的な電気的特性に優れた電子部品を提供するこ
とである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記の本発
明によって達成される。（１）少なくともハイブリッド材により形成されてい
る構成層と、前記構成層の少なくとも１層に形成されて
いる導電体層とを有し、この導電体層により所定の電気
回路が構成され、前記ハイブリッド材は、少なくとも１
種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上
の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆
金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金
属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを
含有する電子部品。（２）前記誘電体被覆金属粉は、金属粒子の表面が誘
電体で覆われており、前記絶縁体被覆磁性金属粉は、磁
性金属粒子の表面が絶縁体で覆われている上記（１）の
電子部品。（３）前記誘電体材料粉は、セラミック誘電体破砕粉
であり、前記磁性材料粉は、強磁性金属粉、磁性フェラ
イト破砕粉、または単結晶フェライト破砕粉である上記
（１）または（２）の電子部品。（４）少なくとも誘電体材料粉と、磁性材料粉、誘電
体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉から選択さ
れる１種以上の材料粉とを含有する上記（１）〜（３）
のいずれかの電子部品。（５）少なくともいずれかの層に１種または２種以上
の難燃剤を含有する上記（１）〜（４）のいずれかの電
子部品。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の電子部品は、少なくともハイブリッド材
により形成されている構成層と、この構成層の少なくと
も１層に形成されている導電体層とを有し、この導電体
層により所定の電気回路が構成され、前記ハイブリッド
材は、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、
１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２
種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上
の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料
粉と、樹脂材料とを含有するものである。

【００１１】このように２種以上の種類の異なる粉体、
また同種であっても組成、電気、磁気特性の異なる粉体
と樹脂とを混合することによって、誘電率や透磁率の調
整が容易となり、各種電子部品に合わせた特性に調整す
ることができる。特に、波長短縮効果のある誘電率や透
磁率を最適な値にすることにより、装置の小型化、薄型
化が実現できる。また、比較的周波数の低い領域で良好
な電気特性が得られる材料と、比較的周波数の高い領域
で良好な電気特性が得られる材料とを組み合わせること
により、広い周波数帯域で良好な電気特性を得ることが
できる。

【００１２】また、このようなハイブリッド層を用いて
基板、電子部品を形成する場合、接着剤等を用いること
なく、銅箔との接着やパターニングが実現でき、かつ多
層化を実現することができる。こうしたパターニングや
多層化処理は、通常の基板製造工程と同じ工程でできる
ので、コストダウンおよび作業性の改善を図ることがで
きる。また、このようにして得られる基板による電子部
品は、高強度で、高周波特性の向上したものである。

【００１３】さらに、本発明を詳細に説明する。電子部
品、基板上での実行波長λは、λ＝λ0 ／（ε・μ）
^1/2で与えられる。ここで、λ0 は実際の波長、ε、μ
は電子部品や基板の誘電率、透磁率である。従って、例
えばλ／４の電子部品、回路を設計する場合、その回路
を構成する部材のε、μを高めることで、長さλ／４が
必要な部分を、ε、μの積の平方根で除した値だけ小さ
くすることができる。従って、電子部品、基板材料の少
なくともε、μのいずれか一方、好ましくは双方を高め
ることにより電子部品、基板の大きさを小さくすること
ができる。

【００１４】また、比較的周波数の低い領域で良好な電
気特性が得られる材料と、比較的周波数の高い領域で良
好な電気特性が得られる材料とを組み合わせることによ
り、広い周波数帯域、具体的には１〜２０００MHz、特
に５０〜１０００MHzの広い周波数帯域で良好なＨＰＦ
等の電気特性を得ることができる。

【００１５】具体的には、波長短縮効果だけを考えた場
合、高誘電率材を樹脂材料に混合することにより目的を
達成することが可能である。しかし、このような高誘電
率材は高周波特性がさほど優れていないため、これを補
う必要がある。そこで、高誘電率材、例えばＢａＴｉＯ
₃ 、ＢａＺｒＯ₃ 等と共に、高周波特性に優れた磁性材
料、例えばカーボニール鉄等を併用することにより、高
周波領域においても所望の特性を得ることができる。

【００１６】このような、波長短縮と高周波特性の必要
な電子部品としては、積層フィルタ、バルントランス、
誘電体フィルタ、カプラ、アンテナ、ＶＣＯ（電圧制御
発振器）、ＲＦ（高周波）ユニット、共振器等を挙げる
ことができる。

【００１７】さらに、ある材料を用いて一つの電気的特
性を高めるたとき、他の材料により不足した電気特性を
補うことができる。

【００１８】具体的には、単結晶フェライトを用いると
高いＱが得られるが、それだけでは十分な波長短縮効果
を得ることが困難である。そこで、誘電率材を併用する
ことにより、高いＱと十分な波長短縮効果とを得ること
ができる。

【００１９】次に、目的別による各材料の好ましい組み
合わせについて説明する。

【００２０】（１）高周波化、および小型化が主な目的
の場合この場合用いる誘電体材料粉は、誘電率７０００以上、
好ましくは８０００以上の誘電材、例えばＢａＴｉＯ₃
−ＢａＺｒＯ₃ 系が好ましい。また、これと組み合わせ
る磁性材料粉としては、カーボニール鉄が好ましい。ま
た、これとは別に、あるいはこれと共に絶縁体被覆磁性
金属粉を用いてもよい。この場合、内部金属が鉄、被覆
誘電体層がＢａＴｉＯ₃ 系の絶縁体被覆磁性金属粉が特
に好ましい。

【００２１】（２）高いＱ、および小型化が主な目的の
場合この場合用いる誘電体材料粉は、誘電率７０００以上、
好ましくは８０００以上の誘電材、例えばＢａＴｉＯ₃
−ＢａＺｒＯ₃ 系が好ましい。また、これと組み合わせ
る磁性材料粉としては、単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト、
単結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライトが好ましい。

【００２２】（３）広帯域化が目的の場合この場合用いる誘電体材料粉は、誘電率７０００以上、
好ましくは８０００以上の誘電材、例えばＢａＴｉＯ₃
−ＢａＺｒＯ₃ 系が好ましい。また、これと組み合わせ
る磁性材料粉としては、単結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライト、
および絶縁体被覆磁性金属粉、特に内部金属が鉄、被覆
誘電体層がＢａＴｉＯ₃ 系の絶縁体被覆磁性金属粉が好
ましい。あるいは磁性粉同士の組み合わせであってもよ
く、例えばカーボニール鉄と、単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェラ
イト等の組み合わせも好ましい。

【００２３】これらは、総計６０質量％となるように含
有させることが好ましく、特に各材料を５〜５０質量％
含有させることが好ましい。

【００２４】本発明の電子部品に用いられる樹脂は特に
限定されるものではなく、成形性、加工性、積層時の接
着性、電気的特性に優れた樹脂材料の中から適宜選択し
て用いることができる。具体的には、熱硬化性樹脂、熱
可塑性樹脂等が好ましい。

【００２５】熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステ
ル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル（オ
キサイド）樹脂、ビスマレイミドトリアジン（シアネー
トエステル）樹脂、フマレート樹脂、ポリブタジエン樹
脂、ポリビニルベンジルエーテル樹脂等が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリエステル樹脂、ポリ
フェニレンサルファイド樹脂、ポリエチレンテレフタレ
ート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチ
レンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹
脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、グラフト樹脂等
が挙げられる。これらのなかでも、特にフェノール樹
脂、エポキシ樹脂、低誘電率エポキシ樹脂、ポリブタジ
エン樹脂、ＢＴレジン、ポリビニルベンジルエーテル樹
脂等が、ベースレジンとして好ましい。

【００２６】これらの樹脂は、単独で用いてもよいし、
２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を混合して
用いる場合の混合比は任意である。

【００２７】本発明に用いる誘電体材料粉はセラミクス
粉末が好ましく、高周波数帯域において、分散媒となる
樹脂よりも大きい比誘電率とＱを持つセラミクス粉末で
あればよく、２種類以上用いてもよい。

【００２８】特に本発明に用いるセラミクス粉末は、比
誘電率が１０〜２００００、誘電正接が０．０５以下の
ものを使用することが好ましい。

【００２９】比較的高い誘電率を得るためには、特に以
下の材料を用いることが好ましい。チタン−バリウム−
ネオジウム系セラミックス、チタン−バリウム−スズ系
セラミックス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化
チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミック
ス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウ
ム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミック
ス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネ
シウム系セラミックス、ＣａＷＯ₄ 系セラミックス、Ｂ
ａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ₃ 系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔ
ａ）Ｏ₃ 系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ
₃ 系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ₃ 系セ
ラミックス。なお、二酸化チタン系セラミックスとは、
二酸化チタンのみを含有するもののほか、他の少量の添
加物を含有するものも含み、二酸化チタンの結晶構造が
保持されているものをいう。また、他のセラミックスも
同様である。特に、二酸化チタン系セラミックスは、ル
チル構造を有するものが好ましい。

【００３０】誘電率をあまり高くせずに、高いＱを得る
ためには以下の材料を用いることが好ましい。

【００３１】シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタン酸
カリウムウイスカ、チタン酸カルシウムウイスカ、チタ
ン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウイスカ、ガラスチョ
ップ、ガラスビーズ、カーボン繊維、酸化マグネシウム
（タルク）。

【００３２】これらは単独で用いてもよいし２種以上を
混合して用いてもよい。２種以上を混合して用いる場
合、その混合比は任意である。

【００３３】セラミクス粉末の粒径は、樹脂との混練性
等を考えると、平均粒径０．１〜１００μm 、特に０．
２〜１００μm 程度が好ましい。粒径が小さくなると、
粉末の表面積が増大し、分散、混合時の粘度、チクソ性
が上昇し、高充填率化が困難となり、樹脂との混練がし
難くなる。また、粒径が大きくなると、均一な分散・混
合を行うことが困難となり、沈降が激しくなって不均一
となり、粉末の含有量が多い組成の成形の際に、緻密な
成型体を得られない。

【００３４】一般に、上記セラミックの含有量は、樹脂
とセラミクス粉末との合計量を１００体積％としたと
き、セラミクス粉末１０体積％以上６５体積％未満であ
り、好ましくは２０体積％以上６０体積％以下の範囲で
ある。

【００３５】ハイブリッド材により形成されている構成
層に含有されるセラミック粉末は高いＱとある程度の比
誘電率を持つことを必要とする。特に２GHzでの比誘電
率が５〜１００００、誘電正接が０．０１〜０．０００
０２であることが好ましく、さらにＱが２５０〜５００
００であることが好ましい。このような構成により高い
Ｑと比誘電率の複合誘電体を得ることが可能である。

【００３６】ハイブリッド材により形成されている構成
層に用いるセラミック粉末は、構成層全体の比誘電率が
５〜２０、誘電正接が０．００２５〜０．００７５とな
るように含有されていればよい。

【００３７】セラミクス粉末はサファイヤなどの単結晶
粉末や多結晶のアルミナ粉末でもよく、これらも含め
て、セラミクス粉末の種類は例えば以下の組成を主成分
とする誘電体の粉末であることが好ましい。併せて２GH
zにおける比誘電率εおよびＱ値を示す。

【００３８】Ｍｇ₂ＳｉＯ₄［ε＝７、Ｑ＝２０００
０］、Ａｌ₂Ｏ₃［ε＝９．８、Ｑ＝４００００］、Ｍｇ
ＴｉＯ₃［ε＝１７、Ｑ＝２２０００］、ＺｎＴｉＯ
₃［ε＝２６、Ｑ＝８００］、Ｚｎ₂ＴｉＯ₄［ε＝１
５、Ｑ＝７００］、ＴｉＯ₂［ε＝１０４、Ｑ＝１５０
００］、ＣａＴｉＯ₃［ε＝１７０、Ｑ＝１８００］、
ＳｒＴｉＯ₃［ε＝２５５、Ｑ＝７００］、ＳｒＺｒＯ₃
［ε＝３０、Ｑ＝１２００］、ＢａＴｉ₂Ｏ₅［ε＝４
２、Ｑ＝５７００］、ＢａＴｉ₄Ｏ₉［ε＝３８、Ｑ＝９
０００］、Ｂａ₂Ｔｉ₉Ｏ₂₀［ε＝３９、Ｑ＝９００
０］、Ｂａ₂（Ｔｉ，Ｓｎ）₉Ｏ₂₀［ε＝３７、Ｑ＝５０
００］、ＺｒＴｉＯ₄［ε＝３９、Ｑ＝７０００］、
（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ₄［ε＝３８、Ｑ＝７０００］、
ＢａＮｄ₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝８３、Ｑ＝２１００］、Ｂａ
Ｓｍ₂ＴｉＯ₁₄［ε＝７４、Ｑ＝２４００］、Ｂｉ₂Ｏ ₃
−ＢａＯ−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系［ε＝８８、Ｑ＝２０
００］、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系［ε＝
９０、Ｑ＝５２００］、（Ｂｉ₂Ｏ₃、ＰｂＯ）−ＢａＯ
−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系［ε＝１０５、Ｑ＝２５０
０］、Ｌａ₂Ｔｉ₂Ｏ₇［ε＝４４、Ｑ＝４０００］、Ｎ
ｄ₂Ｔｉ₂Ｏ₇［ε＝３７、Ｑ＝１１００］、（Ｌｉ，Ｓ
ｍ）ＴｉＯ₃［ε＝８１、Ｑ＝２０５０］、Ｂａ（Ｍｇ
_1/3Ｔａ_2/3）Ｏ₃［ε＝２５、Ｑ＝３５０００］、Ｂａ
（Ｚｎ_1/3Ｔａ_2/3）Ｏ₃［ε＝３０、Ｑ＝１４００
０］、Ｂａ（Ｚｎ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃［ε＝４１、Ｑ＝９
２００］、Ｓｒ（Ｚｎ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃［ε＝４０、Ｑ
＝４０００］等。

【００３９】より好ましくは、以下の組成を主成分とす
るものである。ＴｉＯ₂、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、ＢａＯ−Ｎｄ₂Ｏ
₃−ＴｉＯ₂系、Ｂｉ₂Ｏ₃−ＢａＯ−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂
系、ＢａＴｉ₄Ｏ₉、Ｂａ₂Ｔｉ₉Ｏ₂₀、Ｂａ₂（Ｔｉ，Ｓ
ｎ）₉Ｏ₂₀系、ＭｇＯ−ＴｉＯ₂系、ＺｎＯ−ＴｉＯ
₂系、ＭｇＯ−ＳｉＯ₂系、Ａｌ₂Ｏ₃ 等。

【００４０】セラミクスの含有量は、樹脂とセラミクス
粉末との合計量を１００体積％としたとき、セラミクス
粉末の含有量は１０体積％以上６５体積％未満であり、
好ましくは２０体積％以上６０体積％以下の範囲であ
る。

【００４１】セラミクス粉末が６５体積％以上であると
緻密な組成物が得られなくなる。また、セラミクス粉末
を添加しない場合に比べて、Ｑが大きく低下することも
ある。一方、セラミクス粉末が１０体積％未満である
と、セラミクス粉末を含有する効果があまりみられな
い。

【００４２】本発明の電子部品は、各成分を上記の範囲
内で適宜設定することにより、樹脂単体から得られる誘
電率よりも大きくすることができ、必要に応じた比誘電
率と高いＱを得ることが可能となる。

【００４３】ＢａＴｉＯ₃［ε＝１５００］、（Ｂａ，
Ｐｂ）ＴｉＯ₃系［ε＝６０００］、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚ
ｒ）Ｏ₃系［ε＝９０００］（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃系
［ε＝７０００］。

【００４４】より好ましくは、以下の組成を主成分とす
る誘電体の粉末から選択される。ＢａＴｉＯ₃、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃系。

【００４５】セラミクス粉末は単結晶や多結晶の粉末で
もよい。

【００４６】セラミクス粉末の粒径は、樹脂との混練性
等を考えると、平均粒径０．２〜１００μm 程度が好ま
しく、粒径が小さくなると、樹脂との混練がしにくくな
る。また、粒径が大きくなると、不均一となり、均一な
分散を行うことができず、粉末の含有量が多い組成の成
形の際に、緻密な成形体を得られない。

【００４７】本発明の電子部品は、１種または２種以上
の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆
金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金
属粉を有していてもよい。

【００４８】磁性材料であるフェライトとしては、Ｍｎ
−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系などであ
り、特にこれらの単結晶、あるいはＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ
系、Ｎｉ−Ｚｎ系などが好ましい。

【００４９】磁性材料である強磁性金属としては、カー
ボニール鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素系
合金（商標名：センダスト）、鉄−ニッケル系合金（商
標名：パーマロイ）、アモルファス系（鉄系、コバルト
系）などが好ましい。

【００５０】これらを粉末にするための手段は、粉砕、
造粒など公知の方法に従えばよい。

【００５１】磁性材料粉の粒径は０．０１〜１００μm
、特に０．０１〜５０μm であることが好ましく、平
均粒径は１〜５０μm であることが好ましい。このよう
な粒径とすることによって、磁性材料粉の分散性が良好
となり、本発明の効果が向上する。これに対し、磁性材
料粉の粒径がこれより小さいと、比表面積が大きくな
り、高充填率化が困難になってくる。一方、これより大
きくなるとペースト化した際に沈降し易くなり、均一に
分散しにくくなってくる。また、肉薄の基板、プリプレ
グを形成しようとした場合に、表面の平滑性を得ること
が困難になってくる。粒径をあまり小さくすることは実
際上困難であり、０．０１μm 程度が限度である。

【００５２】磁性材料粉の粒度は均一であることが好ま
しく、必要に応じ、ふるい分けなどにより粒度をそろえ
てもよい。磁性材料粉の形状は、球形、扁平、楕円形の
いずれのものでも良く、その用途により使い分ければよ
い。また、必要に応じて表面に酸化、カップリング、有
機絶縁材のコーティングなどの処理を施してもよい。

【００５３】さらに、種類、粒度分布の異なる磁性材料
粉を２種以上用いてもよい。その際の混合比は任意であ
り、用途により用いる材料、粒度分布、混合比を調整す
ればよい。

【００５４】磁性材料粉の透磁率μは１０〜１００００
００であることが好ましい。また、バルクの絶縁性は高
い方が基板化した際の絶縁性が向上して好ましい。

【００５５】誘電体被覆金属粉は、望ましくは噴霧熱分
解法で製造される。噴霧熱分解法は、特公昭６３−３１
５２２号公報や特開平６−１７２８０２号公報、特開平
６−２７９８１６号公報等に記載されているように、１
種又は２種以上の熱分解性金属化合物を含む溶液を噴霧
して微細な液滴にし、その液滴を該金属化合物の分解温
度より高い温度、望ましくは該金属の融点近傍又はそれ
以上の高温で加熱し、金属化合物を熱分解して金属又は
合金の粉末を析出させる方法である。

【００５６】この方法によれば、結晶性が良く、高密度
かつ高分散性の金属粉末又は合金粉末が得られ、粒径の
コントロールも容易である他、原料の金属化合物溶液中
に酸化物前駆体を添加しておくことにより、粉末の生成
と同時にガラス被覆を行うことができ、新たに被覆工程
を必要としないという優れた利点がある。即ち、噴霧熱
分解法によって得られる金属粉末は結晶性が良好で、粒
子内部に欠陥が少なく粒界をほとんど含まないので、熱
分解により析出した酸化物は粒子内部には析出しにく
く、金属粒子の表面に弾き出され、表面近傍に高濃度に
偏析してセラミックス化する。しかも析出したセラミッ
クス質は表面を比較的均一に覆うので、少量でも酸化や
焼結に対する保護層として作用する。又噴霧熱分解法で
は、生成粒子の組成は基本的に溶液中の金属組成と一致
するので、組成の抑制が容易であり、本発明の粉末の製
造に適している。

【００５７】誘電体被覆金属粉において、金属粉末とし
ては、例えば銀、金、白金、パラジウム等の貴金属や
銅、ニッケル、コバルト、鉄、アルミニウム、モリブデ
ン、タングステン等の卑金属などいかなるものでも良
く、また単一の金属のほか合金粉末や混合粉末も含む。
特に銀粉末および銀−パラジウム等の銀合金粉末の場合
に有効である。金属粉末の出発塩としては硝酸塩、硫酸
塩、塩化物、アンモニウム塩、リン酸塩、カルボン酸
塩、金属アルコラート、樹脂酸塩などの熱分解性塩の１
種または２種以上や複塩や錯塩が使用される。２種以上
の金属の塩を混合使用すれば合金粉末や混合粉末を得る
ことができる。

【００５８】酸化物前駆体は、熱分解後生じる酸化物
が、本法による金属粉末生成条件では金属粉末中にほと
んど固溶せず、セラミックス化するようなものであれば
制限はない。酸化物前駆体としては、例えば、硼酸、珪
酸、燐酸や、各種硼酸塩、珪酸塩、燐酸塩、また種々の
金属の硝酸塩、硫酸塩、塩化物、アンモニウム塩、燐酸
塩、カルボン酸塩、アルコラート、樹脂酸塩などの熱分
解性塩や、複塩、錯塩などから適宜選択されて使用され
る。

【００５９】主成分金属化合物と酸化物前駆体の混合溶
液は超音波式、二流体ノズル式等の噴霧器により微細な
液滴とし、次いで金属化合物及び酸化物前駆体の分解温
度より高い温度で加熱することにより熱分解を行う。加
熱処理は主成分金属の融点又はそれ以上の高温で行うこ
とが望ましいが、融点より２００℃程度低い温度でも十
分弾き出しの効果が得られる。特に高密度、形状の均一
性等が要求されない場合は融点より相当低い温度でも差
支えない。加熱時の雰囲気は、金属や酸化物前駆体の種
類、加熱温度などに応じて酸化性、還元性、不活性雰囲
気が適宜選択される。

【００６０】酸化物前駆体の添加量は、金属粉末に対し
て酸化物換算で０．０１重量％より少ないと効果がな
い。一方あまり多くなると表面に偏析しにくくなるの
で、析出するセラミックス質の密度にもよるが５０重量
％程度までが実用的である。特に０．０５〜２０重量％
の範囲で添加するのが望ましい。なお、必要であれば粉
末生成後、表面に析出したセラミックス薄膜の少なくと
も一部を洗浄又はエッチング等の方法で除去することに
より、被覆量を調節することもできる。本発明の金属粉
末を導電成分とする導体ペースト、抵抗ペースト等の厚
膜ペーストは、常法に従って製造される。必要に応じて
他の導電性粉末やセラミックス粉末等の無機結合剤、そ
の他の添加剤を含有させてもよい。

【００６１】本発明で用いる絶縁体被覆磁性金属粉は、
上記誘電体被覆金属粉と同様に噴霧熱分解法で製造され
る。この場合、誘電体材料の代わりに絶縁材料で被覆
し、中心の金属材料は磁性金属である。

【００６２】中心の磁性金属としては、例えば、Ｆｅ、
Ｎｉ、およびそれらを含む合金、特に少なくともＦｅを
含む２種以上の成分からなる合金が好ましい。

【００６３】磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被
覆磁性金属粉の粒径は０．０１〜１００μm 、特に０．
０１〜５０μm であることが好ましく、平均粒径は１〜
５０μm であることが好ましい。このような粒径とする
ことによって、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体
被覆磁性金属粉の分散性が良好となり、本発明の効果が
向上する。これに対し、磁性材料粉、誘電体被覆金属
粉、絶縁体被覆磁性金属粉の粒径がこれより小さいと、
比表面積が大きくなり、高充填率化が困難になってく
る。一方、これより大きくなるとペースト化した際に沈
降し易くなり、均一に分散しにくくなってくる。また、
肉薄の基板、プリプレグを形成しようとした場合に、表
面の平滑性を得ることが困難になってくる。粒径をあま
り小さくすることは実際上困難であり、０．０１μm 程
度が限度である。

【００６４】樹脂と磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶
縁体被覆磁性金属粉との混合比としては、形成される構
成層全体の透磁率が３〜２０となるように添加されてい
ればよい。特にガラスクロスなどに塗布するペースト段
階で、樹脂と磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被
覆磁性金属粉との比率で示した場合、磁性材料粉、誘電
体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の含有量は１０〜
６５体積％、特に２０〜６０体積％であることが好ま
しい。このような磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁
体被覆磁性金属粉の含有量とすることで、構成層全体の
透磁率が３〜２０となり、本発明の効果が向上する。こ
れに対し、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆
磁性金属粉の含有量が多くなるとスラリー化して塗工す
ることが困難になり、電子部品、基板、プリプレグの作
製が困難になる。一方、磁性材料粉の含有量が少なくな
ると透磁率を確保できなくなる場合があり、磁気特性が
低下してしまう。

【００６５】本発明に用いられる難燃剤としては、通常
基板の難燃化のために用いられている種々の難燃剤を用
いることができる。具体的には、ハロゲン化リン酸エス
テル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン化物、また、
リン酸エステルアミド系等の有機化合物や、三酸化アン
チモン、水素化アルミニウム等の無機材料を用いること
ができる。

【００６６】本発明に用いられるガラスクロス等の強化
繊維は、目的・用途に応じて種々のものであってよく、
市販品をそのまま用いることができる。このときの強化
繊維は、電気的な特性に応じてＥガラスクロス（ε＝
７、tanδ＝０．００３、１ＧHz）、Ｄガラスクロス
（ε＝４、tanδ＝０．００１３、１ＧHz）、Ｈガラ
スクロス（ε＝１１、tanδ＝０．００３、１ＧHz）
等を使い分けてもよい。また、層間密着力向上のため、
カップリング処理などを行ってもよい。その厚さは１０
０μm 以下、特に２０〜６０μm であることが好まし
い。布重量としては、１２０g／m² 以下、特に２０〜７
０g／m² が好ましい。

【００６７】また、樹脂とガラスクロスとの配合比は、
重量比で、樹脂／ガラスクロスが４／１〜１／１である
ことが好ましい。このような配合比とすることによって
本発明の効果が向上する。これに対し、この比が小さく
なって、エポキシ樹脂量が少なくなると銅箔との密着力
が低下し、基板の平滑性に問題が生じる。逆にこの比が
大きくなって、エポキシ樹脂量が多くなると使用できる
ガラスクロスの選択が困難となり、薄肉での強度の確保
が困難となる。

【００６８】使用する金属箔としては、金、銀、銅、ア
ルミニウムなど導電率の良好な金属のなかから好適なも
のを用いればよい。これらのなかでも特に銅が好まし
い。

【００６９】金属箔を作製する方法としては、電解、圧
延法等種々の公知の方法を用いることができるが、箔ピ
ール強度をとりたい場合には電解箔を、高周波特性を重
視したい場合には、表面凹凸による表皮効果の影響の少
ない圧延箔を使用するとよい。

【００７０】金属箔の厚みとしては、８〜７０μm が好
ましく、特に１２〜３５μm が好ましい。

【００７１】本発明において、電子部品の基礎となるプ
リプレグを得るには、所定の配合比とした誘電体材料
粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金
属粉、必要により難燃剤と樹脂とを含み、溶剤に混練し
てスラリー化したペーストを塗布して、乾燥（Ｂステー
ジ化）する工程に従う。この場合に用いられる溶剤は揮
発性溶剤が好ましく、上記極性中性溶媒が特に好まし
く、ペーストの粘度を調整し塗工しやすくする目的で用
いられる。混練はボールミル、撹拌等により公知の方法
によって行えばよい。ペーストを金属箔上に塗工、また
はガラスクロス上に含浸することにより、形成すること
ができる。

【００７２】プリプレグの乾燥（Ｂステージ化）は、含
有する誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、
絶縁体被覆磁性金属粉、必要により難燃剤の含有量など
により適宜調整すればよい。乾燥、Ｂステージ化した後
の厚みは５０〜３００μm 程度が好ましく、その用途や
要求される特性（パターン幅および精度、直流抵抗）等
により最適な膜厚に調整すればよい。

【００７３】プリプレグは、図５２または図５３に示す
ような方法により製造することができる。この場合、図
５２の方法は比較的量産に適しており、図５３の方法
は、膜厚制御を行い易く、特性の調整が比較的容易に行
えるという特徴を有している。図５２において、（ａ）
に示すように、ロール状に巻回されたガラスクロス１０
１ａは、このロール１０１ａから繰り出され、ガイドロ
ーラ１１１を介して塗工槽１１０に搬送される。この塗
工槽１１０には、溶剤中に分散されている誘電体材料
粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金
属粉、必要により難燃剤と樹脂がスラリー状調整されて
おり、この塗工槽１１０をガラスクロスが通過すると、
上記スラリー中に浸漬され、ガラスクロスに塗工される
とともに、その中のすきまが埋められることになる。

【００７４】塗工槽１１０を通過したガラスクロスは、
ガイドローラー１１２ａ，１１２ｂを介して乾燥炉１２
０に導入される。乾燥炉に導入された樹脂含浸ガラスク
ロスは、所定の温度と時間乾燥され、Ｂステージ化され
るとともに、ガイドローラー１２１により方向転換して
巻取ローラ１３０に巻回される。

【００７５】そして、所定の大きさに切断されると、
（ｂ）に示すように、ガラスクロス１０１の両面に誘電
体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆
磁性金属粉、必要により難燃剤を含有した樹脂１０２が
配置されたプリプレグが得られる。

【００７６】さらに、（ｃ）に示すように、得られたプ
リプレグの上下両面上に銅箔などの金属箔１０３を配置
し、これを加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すよう
な両面金属箔付き基板が得られる。成形は条件をかえて
複数段階に分けて行うことができる。なお、金属箔を設
けない場合には、金属箔を配置することなく加熱・加圧
プレスすればよい。

【００７７】次に、図５３の製造方法について説明す
る。図５３において、（ａ）に示すように、誘電体材料
粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金
属粉、必要により難燃剤と樹脂を溶剤中に分散したスラ
リー１０２ａをドクターブレード１５０等によってクリ
アランスを一定に保ちながら銅箔などの金属箔上に塗工
する。

【００７８】そして、所定の大きさに切断されると、
（ｂ）に示すように、金属箔１０３の上面に誘電体材料
粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金
属粉、必要により難燃剤を含有した樹脂１０２が配置さ
れたプリプレグが得られる。

【００７９】さらに、（ｃ）に示すように、ガラスクロ
ス１０１の上下両面に得られたプリプレグ１０２，１０
３をそれぞれ樹脂１０２側を内面にして配置し、これを
加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すような両面金属
箔付き基板が得られる。加熱加圧条件は上記と同様でよ
い。

【００８０】電子部品を構成する基板、およびプリプレ
グは、上記塗工法以外に材料を混練し、固体状とした混
練物を成型することによっても得ることができる。この
場合、原料が固体状であるため、厚みをとりやすく、比
較的厚みのある基板、プリプレグを形成する方法として
適している。

【００８１】混練は、ボールミル、撹拌、混練機などの
公知の方法で行えばよい。その際、必要により溶媒を用
いてもよい。また、必要に応じてペレット化、粉末化し
てもよい。

【００８２】この場合に得られるプリプレグの厚みとし
ては、０．０５〜５mm程度である。プリプレグの厚み
は、所望する板厚、誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体
被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の含有率に応じて適
宜調整すればよい。

【００８３】さらに、上記同様に得られたプリプレグの
上下両面上に銅箔などの金属箔を配置し、これを加熱・
加圧プレスすると両面金属箔付き基板が得られる。成形
は条件をかえて複数段階に分けて行うことができる。な
お、金属箔を設けない場合には、金属箔を配置すること
なく加熱・加圧プレスすればよい。

【００８４】このようにして得られる成形材料としての
基板（有機複合材料）は、透磁率および誘電率の高周波
数特性に優れる。また絶縁材として耐えうる絶縁特性に
優れる。さらには、後述のように銅箔付基板とした場
合、銅箔との接着強度が大きい。また半田耐熱性等の耐
熱性に優れる。

【００８５】本発明のプリプレグは銅箔と重ねて加熱加
圧して成形することにより銅箔付基板を形成することが
できる。この場合の銅箔の厚さは１２〜３５μm 程度で
ある。

【００８６】このような銅箔付基板には、両面パターン
ニング基板や多層基板などがある。

【００８７】図５４、図５５には両面パターンニング基
板形成例の工程図を示す。図５４、図５５に示されるよ
うに、所定厚さのプリプレグ１と所定厚さの銅（Ｃｕ）
箔２とを重ねて加圧加熱して成形する（工程Ａ）。次に
スルーホールをドリリングにより形成する（工程Ｂ）。
形成したスルーホールに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッ
キ膜４を形成する（工程Ｃ）。さらに両面の銅箔２にパ
ターニングを施し、導体パターン２１を形成する（工程
Ｄ）。その後、図５４に示されるように、外部端子等の
接続のためのメッキを施す（工程Ｅ）。この場合のメッ
キはＮｉメッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉ
メッキ後にさらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解
または無電解メッキ）、半田レベラーを用いる方法によ
り行われる。

【００８８】図５６、図５７には多層基板形成例の工程
図であり、４層積層する例が示されている。図５６、図
５７に示されるように、所定厚さのプリプレグ１と所定
厚さの銅（Ｃｕ）箔２とを重ねて加圧加熱して成形する
（工程ａ）。次に両面の銅箔２にパターニングを施し、
導体パターン２１を形成する（工程ｂ）。このようにし
て得られた両面パターンニング基板の両面に、さらに所
定厚さのプリプレグ１と銅箔２とを重ねて、同時に加圧
加熱して成形する（工程ｃ）。次にスルーホールをドリ
リングにより形成する（工程ｄ）。形成したスルーホー
ルに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜４を形成する
（工程ｅ）。さらに両面の銅箔２にパターニングを施
し、導体パターン２１を形成する（工程ｆ）。その後図
５６に示されるように、外部端子との接続のためのメッ
キを施す（工程ｇ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後
にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらに
Ａｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電解メッ
キ）、半田レベラーを用いる方法により行われる。

【００８９】本発明では、前記例に限らず、種々の基板
を形成することができる。例えば、成形材料としての基
板や、銅箔付基板とプリプレグとを用い、プリプレグを
接着層として多層化することも可能である。

【００９０】また、プリプレグや成形材料としての基板
と銅箔とを接着する態様において、前述の誘電体材料
粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金
属粉、必要により難燃剤と樹脂とブチルカルビトールア
セテート等の高沸点溶剤とを混練して得られたハイブリ
ッド材ペーストをパターニングした基板の上にスクリー
ン印刷等にて形成してもよく、これにより特性の向上を
図ることができる。

【００９１】このようなプリプレグ、銅箔付き基板、積
層基板等と素子構成パターン、構成材料を組み合わせる
ことにより、電子部品を得ることができる。

【００９２】本発明の電子部品は、上記のようなコンデ
ンサ（キャパシタ）、コイル（インダクタ）、フィルタ
ー等の他、これらと、あるいはそれ以外に配線パター
ン、増幅素子、機能素子を組み合わせ、アンテナや、Ｒ
Ｆモジュール（ＲＦ増幅段）、ＶＣＯ（電圧制御発振回
路）、パワーアンプ（電力増幅段）等の高周波電子回
路、光ピックアップなどに用いられる重畳モジュール等
の高周波用電子部品を得ることができる。

【００９３】

【実施例】以下、本発明の具体的実験例、実施例を示
し、本発明をさらに詳細に説明する。＜実験例１＞樹脂材料としてエポキシ樹脂（誘電率：
４）を用意し、これに表１−１．１−２に示す誘電体材
料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性
金属粉を所定の割合で混合して得られたハイブリッド材
の誘電率ε、Ｑをそれぞれ測定した。結果を表２に示
す。

【００９４】

【表１】

【００９５】

【表２】

【００９６】

【表３】

【００９７】表２から明らかなように、用いる樹脂と、
これに含有される誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被
覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の種類、含有量によ
り、誘電率、Ｑを所定の値に調整できることがわかる。

【００９８】＜実験例２＞樹脂材料としてエポキシ樹脂
（誘電率：４）を用意し、これに表３、４に示す添加量
で単結晶フェライト（Ｎｉ−Ｚｎ、Ｍｎ−Ｚｎ）を混合
して得られたハイブリッド材の誘電率εを測定した。単
結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライトの結果を表３に、単結晶Ｍｎ
−Ｚｎフェライトの結果を表４に示す。

【００９９】

【表４】

【０１００】

【表５】

【０１０１】表３，４から明らかなように、樹脂に含有
される磁性材料粉の含有量により、１００ＭHzの高周波
領域でも誘電率を所定の値に調整できることがわかる。

【０１０２】さらに単結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉を４
５体積％混合したハイブリッド材と、従来のＮｉ−Ｚｎ
フェライト破砕粉を４５体積％混合したハイブリッド材
のＱの周波数特性を測定した。結果を図５１に示す。図
５１から明らかなように、単結晶フェライトを用いたハ
イブリッド材は、高周波領域においてＱ特性が改善され
ていることがわかる。

【０１０３】＜実施例１＞図１〜図４は、本発明の第１
の実施態様を示したバルントランスを示している。ここ
で図１は透過斜視図、図２は断面図、図３は各構成層の
分解平面図、図４は等価回路図である。

【０１０４】図１〜４において、バルントランス４０
は、ハイブリッド材により形成されている構成層４０ａ
〜４０ｏが積層された積層体の上下および中間に配置さ
れた内部ＧＮＤ導体４５と、この内部ＧＮＤ導体４５間
に形成されている内部導体４３を有する。この内部導体
４３は、λg ／４長のスパイラル状導体４３を、図４の
等価回路に示される結合ライン５３ａ〜５３ｄを構成す
るようにビアホール４４等で連結している。

【０１０５】このバルントランス４０の構成層４０ａ〜
４０ｏは、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料
粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種また
は２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種
以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の
材料粉と、樹脂材料とを含有する。

【０１０６】全ての層は、同じ構成材料により形成され
ている必要はなく、それぞれ異なっていてもよい。

【０１０７】また、素体強度を保つために、前記樹脂中
にガラスクロス材を埋設してもよい。

【０１０８】バルントランスを設計するに当たって、小
型化を考えると前記λg ／４長の導体４３の長さを短く
する必要がある。この長さは、ベース材料の誘電率ε、
透磁率μにより、以下の式から導き出される。 λg ＝λ0 ／（ε×μ）^1/2 この式から明らかなように、長さを短くするためには、
比誘電率ε、比透磁率μはできるだけ高い方がよい。従
って、誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、
および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることにより
高比誘電率ε、高比透磁率μとすることができる。

【０１０９】（１）使用周波数が高い場合、高周波特性
のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電
体材料粉として、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系（誘電
率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニ
ール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高
く、小型で高周波まで使用可能なバルントランスとする
ことができる。（２）数十ＭHz〜１００ＭHzの周波数帯域で用いる場
合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系
（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることによ
り、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れたバ
ルントランスを得ることができる。（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶
フェライトと、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系誘電体材
料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の
優れたバルントランスを得ることができる。（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、
誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ₂ −Ｎｄ₂Ｏ₃ 系、
またはＢａＯ−４ＴｉＯ₂ 系の材料を用いてＱ特性を向
上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材
料粉を混合することで、高いＱで良好な特性のバルント
ランスを得ることができる。

【０１１０】＜実施例２＞図５〜図８は、本発明の第２
の実施態様を示した積層フィルターを示している。ここ
で図５は斜視図、図６は分解斜視図、図７は等価回路
図、図８は伝達特性図である。なお、この積層フィルタ
ーは２ポールとして構成されている。

【０１１１】図５〜８において、積層フィルター６０
は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ中
央に一対のストリップ線路６８と、一対のコンデンサ導
体６７とを有する。コンデンサ導体６７は下部構成層群
６０ｄ上に形成され、ストリップ線路６８はその上の構
成層６０ｃ上に形成されている。構成層６０ｂおよび６
０ｅの上部にはＧＮＤ導体６５が形成されていて、前記
ストリップ線路６８とコンデンサ導体６７とを挟み込む
ようになっている。コンデンサ導体６７はそれぞれ端面
に形成された端部電極（外部端子）６２とそれから僅か
に上下面方向に形成されたランドパターン６１と接続さ
れている。また、その両側面およびそこから僅かに上下
面方向に形成されたＧＮＤパターン６６はＧＮＤ導体６
５と接続されている。

【０１１２】ストリップ線路６８は、図７の等価回路図
に示されるλg ／４長またはそれ以下の長さを有するス
トリップ線路７４ａ、７４ｂであり、コンデンサ導体６
７は入出力結合容量Ｃｉを構成する。また、それぞれの
ストリップ線路７４ａ、７４ｂ間は、結合容量Ｃｍおよ
び結合係数Ｍにより結合されている。このような等価回
路により、図８に示すような２ポール型の伝達特性を有
する積層フィルタを得ることができる。

【０１１３】この積層フィルターの構成層６０ａ〜６０
ｅは、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、
１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２
種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上
の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料
粉と、樹脂材料とを含有する。

【０１１４】全ての層は、同じ構成材料により形成され
ている必要はなく、それぞれ異なっていてもよい。

【０１１５】また、素体強度を保つために、前記樹脂中
にガラスクロス材を埋設してもよい。

【０１１６】積層フィルターを設計するに当たって、小
型化を考えると前記λg ／４長の導体の長さを短くする
必要がある。この長さは、ベース材料の誘電率ε、透磁
率μにより、以下の式から導き出される。 λg ＝λ0 ／（ε×μ）^1/2 この式から明らかなように、長さを短くするためには、
比誘電率ε、比透磁率μはできるだけ高い方がよい。従
って、誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、
および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることにより
高比誘電率ε、高比透磁率μとすることができる。

【０１１７】（１）使用周波数が高い場合、高周波特性
のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電
体材料粉として、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系（誘電
率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニ
ール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高
く、小型で高周波まで使用可能な積層フィルターとする
ことができる。（２）数十ＭHz〜１００ＭHzの周波数帯域で用いる場
合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系
（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることによ
り、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れた積
層フィルターを得ることができる。（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶
フェライトと、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系誘電体材
料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の
優れた積層フィルターを得ることができる。（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、
誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ₂ −Ｎｄ₂Ｏ₃ 系、
またはＢａＯ−４ＴｉＯ₂ 系の材料を用いてＱ特性を向
上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材
料粉を混合することで、高いＱで良好な特性の積層フィ
ルターを得ることができる。

【０１１８】＜実施例３＞図９〜図１２は、本発明の第
３の実施態様を示した積層フィルターを示している。こ
こで図９は斜視図、図１０は分解斜視図、図１１は等価
回路図、図１２は伝達特性図である。なお、この積層フ
ィルターは４ポールとして構成されている。

【０１１９】図９〜１２において、積層フィルター６０
は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ中
央に４つのストリップ線路６８と、一対のコンデンサ導
体６７とを有する。このような４ポールの構成とするこ
とにより、図１２に示されるような、より急峻な伝達特
性を得ることができる。その他の構成要素は実施例２と
同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を
省略する。

【０１２０】＜実施例４＞図１３〜図１８は、本発明の
第４の実施態様を示したブロックフィルターを示してい
る。ここで図１３は透過斜視図、図１４は正面図、図１
５は側面断面図、図１６は平面断面図、図１７は等価回
路図、図１８は金型の構造を示した透過側面図である。
なお、このブロックフィルターは２ポールとして構成さ
れている。

【０１２１】図１３〜図１８において、ブロックフィル
ター８０は、構成ブロック８０ａに形成された一対の同
軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２とを有する。この
同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２とは、構成ブロ
ック８０ａをくりぬくように中空状に形成された導電体
で構成されている。また、構成ブロック８０ａの周囲に
は、これを覆うように表面ＧＮＤ導体８７が形成されて
いる。そしてコンデンサ同軸導体８２に対応する部分に
コンデンサ導体８３が形成されている。また、コンデン
サ導体８３と表面ＧＮＤ導体８７は、入出力端子、およ
び部品固着用端子としても使用される。なお、同軸導体
８１とコンデンサ同軸導体８２とは、構成ブロック８０
ａをくりぬくように形成された中空状の孔の内部に、導
電材料を無電解メッキ、蒸着などで付着させ伝送路を形
成する。

【０１２２】同軸導体８１は、図１７の等価回路図に示
されるλg ／４長またはそれ以下の長さを有する同軸線
路９４ａ、９４ｂであり、それらを囲むようにＧＮＤ導
体８７が形成されている。また、コンデンサ同軸導体８
２とコンデンサ導体８３は入出力結合容量Ｃｉを構成す
る。また、それぞれの同軸導体８１間は、結合容量Ｃｍ
および結合係数Ｍにより結合されている。このような構
成により、図１７に示すような等価回路となり、２ポー
ル型の伝達特性を有するブロックフィルターを得ること
ができる。

【０１２３】図１８はブロックフィルター８０の構成ブ
ロック８０ａを形成するための金型の一例を示した概略
断面図である。図において、金型は鉄などの金属ベース
１０３に、樹脂注入口１０４および注入孔１０６が形成
され、これと連結して部品形成部１０５ａ，１０５ｂが
形成されている。構成ブロック８０ａを形成するための
ハイブリッド材は、液体の状態で樹脂注入口１０４から
注入され、注入孔１０６を通って部品形成部１０５ａ，
１０５ｂに達する。そして、この金型の内部にハイブリ
ッド材が満たされた状態で、冷却または加熱処理を行い
ハイブリッド材を固化して金型から取り出し、注入口な
どで硬化した不要な部分を切断する。こうして、図１３
〜図１６に示される構成ブロック８０ａが形成される。

【０１２４】このようにして形成された構成ブロック８
０ａに、メッキ、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等
の処理を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウ
ム等により形成された表面ＧＮＤ導体８７、同軸導体８
１とコンデンサ同軸導体８２等を形成する。

【０１２５】このブロックフィルターの構成ブロック８
０ａは、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料
粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種また
は２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種
以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の
材料粉と、樹脂材料とを含有する。

【０１２６】ブロックフィルターを設計するに当たっ
て、以下のような用途別に、誘電体材料粉、磁性材料
粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を
組み合わせることが好ましい。

【０１２７】（１）使用周波数が高い場合、高周波特性
のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電
体材料粉として、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系（誘電
率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニ
ール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高
く、小型で高周波まで使用可能なブロックフィルターと
することができる。（２）数十ＭHz〜１００ＭHzの周波数帯域で用いる場
合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系
（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることによ
り、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れたブ
ロックフィルターを得ることができる。（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶
フェライトと、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系誘電体材
料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の
優れたブロックフィルターを得ることができる。（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、
誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ₂ −Ｎｄ₂Ｏ₃ 系、
またはＢａＯ−４ＴｉＯ₂ 系の材料を用いてＱ特性を向
上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材
料粉を混合することで、高いＱで良好な特性のブロック
フィルターを得ることができる。

【０１２８】＜実施例５＞図１９〜図２３は、本発明の
第５の実施態様を示したカプラを示している。ここで図
１９は透過斜視図、図２０は断面図、図２１は各構成層
の分解平面図、図２２は内部結線図、図２３は等価回路
図である。

【０１２９】図１９〜２３において、カプラ１１０は、
ハイブリッド材により形成されている構成層１１０ａ〜
１１０ｃが積層された積層体の上下に形成、配置された
内部ＧＮＤ導体１１５と、この内部ＧＮＤ導体１１５間
に形成されている内部導体１１３を有する。この内部導
体１１３は、２つのコイルによりトランスが構成される
ようにスパイラル状にビアホール１１４等で連結してい
る。また。形成されたコイルの終端と、内部ＧＮＤ導体
１１５とは、図２２に示すように、それぞれ端面に形成
された貫通ビア１１２とそれから僅かに上下面方向に形
成されたランドパターン１１１と接続されている。この
ように構成することにより、図２３の等価回路図で示す
ように、２つのコイル１２５ａ，１２５ｂが結合したカ
プラ１１０が得られる。

【０１３０】このカプラ１１０の構成層１１０ａ〜１１
０ｃは、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料
粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種また
は２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種
以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の
材料粉と、樹脂材料とを含有する。

【０１３１】カプラを設計するに当たって、用途別に以
下のような誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属
粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることが
好ましい。

【０１３２】（１）使用周波数が高い場合、高周波特性
のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電
体材料粉として、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系（誘電
率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニ
ール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高
く、小型で高周波まで使用可能なカプラとすることがで
きる。（２）数十ＭHz〜１００ＭHzの周波数帯域で用いる場
合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系
（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることによ
り、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れたブ
ロックフィルターを得ることができる。（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶
フェライトと、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系誘電体材
料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の
優れたブロックフィルターを得ることができる。（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、
誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ₂ −Ｎｄ₂Ｏ₃ 系、
またはＢａＯ−４ＴｉＯ₂ 系の材料を用いてＱ特性を向
上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材
料粉を混合することで、高いＱで良好な特性のブロック
フィルターを得ることができる。

【０１３３】＜実施例６＞図２４〜図２６は、本発明の
第６の実施態様であるアンテナを示した図であり、図２
４は透視斜視図、図２５（ａ）は平面図、（ｂ）は側面
断面図、（ｃ）は正面断面図、図２６は各構成層の分解
斜視図を表している。

【０１３４】図において、アンテナ１３０は本発明のハ
イブリッド材により形成されている構成層（プリプレグ
ないし基板）１３０ａ〜１３０ｃと、この構成層１３０
ｂと１３０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体（ア
ンテナパターン）１３３を有する。また、この内部導体
１３３の終端部は、アンテナの端面に形成された貫通ビ
ア１３２およびそれから僅かに上下面方向に形成された
ランドパターン１３１と接続されている。この例では内
部導体１３３は、使用周波数に対し、約λg ／４長とな
るようなリアクタンス素子として構成され、ミアンダ状
に形成されている。

【０１３５】このアンテナ１３０の構成層１３０ａ〜１
３０ｃには、少なくとも１種または２種以上の誘電体材
料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種ま
たは２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２
種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上
の材料粉と、樹脂材料とを含有する。

【０１３６】また、素体強度を保つために、前記樹脂中
にガラスクロス材を埋設してもよい。

【０１３７】アンテナを設計するに当たって、比誘電率
ε、比透磁率μはできるだけ高い方がよい。従って、誘
電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、および絶
縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることにより高比誘電
率ε、高比透磁率μとすることができる。また、用途別
に以下のような誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆
金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせるこ
とが好ましい。

【０１３８】（１）使用周波数が高い場合、高周波特性
のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電
体材料粉として、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系（誘電
率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニ
ール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高
く、小型で高周波まで使用可能なアンテナとすることが
できる。（２）数十ＭHz〜１００ＭHzの周波数帯域で用いる場
合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系
（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることによ
り、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れたア
ンテナを得ることができる。（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶
フェライトと、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系誘電体材
料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の
優れたアンテナを得ることができる。（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、
誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ₂ −Ｎｄ₂Ｏ₃ 系、
またはＢａＯ−４ＴｉＯ₂ 系の材料を用いてＱ特性を向
上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材
料粉を混合することで、高いＱで良好な特性のアンテナ
を得ることができる。

【０１３９】＜実施例７＞図２７、図２８は、本発明の
第７の実施態様を示したアンテナを示している。ここで
図２７は透過斜視図、図２８は分解斜視図である。な
お、この例のアンテナはヘリカル状の内部電極を有する
アンテナとして構成されている。

【０１４０】図２７、２８において、アンテナ１４０
は、本発明のハイブリッド材により形成されている構成
層（プリプレグないし基板）１４０ａ〜１４０ｃと、こ
の構成層１４０ｂと１４０ｃ上にそれぞれ形成されてい
る内部導体（アンテナパターン）１４３ａ，１４３ｂを
有する。そして、上下の内部導体１４３ａ，１４３ｂは
ビアホール１４４にて接続され、ヘリカル状のインダク
タンス素子を形成するようになっている。その他の構成
要素は実施例６と同様であり、同一構成要素には同一符
号を付して説明を省略する。

【０１４１】＜実施例８＞図２９、図３０は、本発明の
第８の実施態様であるパッチアンテナを示した図であ
り、図２９は透視斜視図、図３０は断面図を表してい
る。

【０１４２】図において、パッチアンテナ１５０はハイ
ブリッド材により形成されている構成層（プリプレグな
いし基板）１５０ａと、この構成層１５０ａ上に形成さ
れているパッチ導体１５９（アンテナパターン）と、こ
のパッチ導体１５９に対向するように構成層１５０ａの
底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。また、
パッチ導体１５９には給電用のスルー導体１５４が給電
部１５３で接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導
体１５５とは接続されないようにＧＮＤ導体１５５との
間にギャップ１５６が設けられている。このため、ＧＮ
Ｄ導体１５５の下部からスルー導体１５４を通って給電
が行われるようになっている。

【０１４３】このパッチアンテナ１５０の構成層１５０
ａには、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料
粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種また
は２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種
以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の
材料粉と、樹脂材料とを含有する。

【０１４４】また、素体強度を保つために、前記樹脂中
にガラスクロス材を埋設してもよい。

【０１４５】アンテナを設計するに当たって、比誘電率
ε、比透磁率μはできるだけ高い方がよい。従って、誘
電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、および絶
縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることにより高比誘電
率ε、高比透磁率μとすることができる。また、用途別
に以下のような誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆
金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせるこ
とが好ましい。

【０１４６】（１）使用周波数が高い場合、高周波特性
のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電
体材料粉として、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系（誘電
率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニ
ール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高
く、小型で高周波まで使用可能なアンテナとすることが
できる。（２）数十ＭHz〜１００ＭHzの周波数帯域で用いる場
合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系
（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることによ
り、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れたア
ンテナを得ることができる。（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶
フェライトと、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系誘電体材
料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の
優れたアンテナを得ることができる。（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、
誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ₂ −Ｎｄ₂Ｏ₃ 系、
またはＢａＯ−４ＴｉＯ₂ 系の材料を用いてＱ特性を向
上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材
料粉を混合することで、高いＱで良好な特性のアンテナ
を得ることができる。

【０１４７】＜実施例９＞図３１、図３２は、本発明の
第９の実施態様であるパッチアンテナを示した図であ
り、図３１は透視斜視図、図３２は断面図を表してい
る。

【０１４８】図において、パッチアンテナ１６０は本発
明のハイブリッド材により形成されている構成層（プリ
プレグないし基板）１６０ａと、この構成層１６０ａ上
に形成されているパッチ導体１６９（アンテナパター
ン）と、このパッチ導体１６９に対向するように構成層
１６０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１６５とを有す
る。また、パッチ導体１６９の近傍にこれと接触しない
ように給電用の給電導体１６１が配置され、給電端子１
６２を介してこれから給電が行われるようになってい
る。給電端子１６２は、メッキ、ターミネート、印刷、
スパッタ、蒸着等の処理を行い、銅、金、パラジウム、
白金、アルミニウム等により形成することができる。そ
の他の構成要素は実施例８と同様であり、同一構成要素
には同一符号を付して説明を省略する。

【０１４９】＜実施例１０＞図３３、図３４は、本発明
の第１０の実施態様である多層型のパッチアンテナを示
した図であり、図３３は透視斜視図、図３４は断面図を
表している。

【０１５０】図において、パッチアンテナ１７０は、ハ
イブリッド材により形成されている構成層（プリプレグ
ないし基板）１５０ａ、１５０ｂと、この構成層１５０
ａ、１５０ｂ上に形成されているパッチ導体１５９ａ，
１５９ｅと、このパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに対向
するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導
体１５５とを有する。また、パッチ導体１５９ａには給
電用のスルー導体１５４が給電部１５３ａで接続され、
このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５およびパッチ
導体１５９ｅとは接続されないようにＧＮＤ導体１５５
およびパッチ導体１５９ｅとの間にギャップ１５６が設
けられている。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部から
スルー導体１５４を通ってパッチ導体１５９ａに給電が
行われるようになっている。このときパッチ導体１５９
ｅにはパッチ導体１５９ａとの容量結合およびスルー導
体１５４とのギャップによって形成される容量により給
電される。その他の構成要素は実施例９と同様であり、
同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。

【０１５１】＜実施例１１＞図３５、図３６は本発明の
第１１の実施態様である多連型のパッチアンテナを示し
たであり、図３５は透視斜視図、図３６は断面図を表し
ている。

【０１５２】この例では、実施例１０において単独で構
成されていたパッチアンテナを、複数アレイ状に並べて
４連とした態様を表している。図において、ハイブリッ
ド材により形成されている構成層１５０ａ、１５０ｂ
と、この構成層１５０ａ上に形成されているパッチ導体
１５９ａ、１５９ｂ、１５９ｃ、１５９ｄと、構成層１
５０ｂ上に形成されているパッチ導体１５９ｅ、１５９
ｆ、１５９ｇ、１５９ｈと、このパッチ導体１５９ａ〜
１５９ｈに対向するように構成層１５０ｂの底面に形成
されたＧＮＤ導体１５５とを有する。その他の構成要素
は実施例１０と同様であり、同一構成要素には同一符号
を付して説明を省略する。

【０１５３】このようにアレイ状に形成することによ
り、セットの小型化と部品点数の削減が可能となる。

【０１５４】＜実施例１２＞図３７〜図３９は、本発明
の第１２の実施態様を示したＶＣＯ（電圧制御発振器）
を示している。ここで図３７は透過斜視図、図３８は断
面図、図３９は等価回路図である。

【０１５５】図３７〜３９において、ＶＣＯは、構成層
２１０ａ〜２１０ｇが積層された積層体の上に形成、配
置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等
の電子部品２６１と、この構成層２１０ａ〜２１０ｇ中
およびその上下面に形成されている導体パターン２６
２，２６３，２６４を有する。このＶＣＯは図３９に示
すような等価回路により構成されているため、ストリッ
プライン２６３、コンデンサ、信号線、半導体、電源ラ
インなどを有する。このため、それぞれの機能に適した
材料で構成層を形成するのが効果的である。

【０１５６】構成層２１０ａ〜２１０ｇには、少なくと
も１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種
以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体
被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁
性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料
とを含有する層を有する。

【０１５７】全ての層は、同じ構成材料により形成され
ている必要はなく、それぞれ異なっていてもよい。

【０１５８】また、素体強度を保つために、前記樹脂中
にガラスクロス材を埋設してもよい。

【０１５９】特に、ＶＣＯの場合、図３９の等価回路に
示すような共振器、コンデンサ、インダクタ、信号線、
半導体への電源ライン等から構成されている。このた
め、それぞれの機能に適した材料を構成層毎に使用する
のが効果的である。

【０１６０】ここでは、共振器の層２１０ｆ、２１０ｇ
には、本発明の少なくとも１種または２種以上の誘電体
材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種
または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または
２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以
上の材料粉と、樹脂材料とを含有する層が効果的であ
る。

【０１６１】コンデンサ構成層２１０ｃ〜２１０ｅに
は、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が
５〜４０となるようなセラミック破砕粉をコンポジット
したハイブリッド材を用いることが好ましい。配線、お
よびインダクタ構成層２１０ａ，２１０ｂには、誘電正
接が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜
３．５の樹脂材料（材料粉を含まない）を用いることが
好ましい。

【０１６２】各構成層２１０ａ〜２１０ｇの表面には、
内部導体であるストリップライン２６３、ＧＮＤ導体２
６２、コンデンサ導体２６４，配線インダクタ導体２６
５、および端子導体２６６が形成されている。また、そ
れぞれの内部導体はビアホール２１４により上下に接続
され、表面にはマウントされた電子部品２６１が搭載さ
れて図３９の等価回路に示すようなＶＣＯが形成され
る。

【０１６３】ＶＣＯの形状を決定する要因として、共振
器の影響が極めて大きい。従って、共振器をできるだけ
小さくするためには、比誘電率ε、比透磁率μはできる
だけ高い方がよい。従って、誘電体材料粉、磁性材料
粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を
組み合わせることにより高比誘電率ε、高比透磁率μと
することができる。また、用途別に以下のような誘電体
材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体
被覆磁性金属粉を組み合わせることが好ましい。

【０１６４】（１）使用周波数が高い場合、高周波特性
のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電
体材料粉として、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系（誘電
率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニ
ール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高
く、小型で高周波まで使用可能な共振器とすることがで
きる。（２）数十ＭHz〜１００ＭHzの周波数帯域で用いる場
合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系
（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることによ
り、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れた共
振器を得ることができる。（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶
フェライトと、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系誘電体材
料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の
優れた共振器を得ることができる。（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、
誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ₂ −Ｎｄ₂Ｏ₃ 系、
またはＢａＯ−４ＴｉＯ₂ 系の材料を用いてＱ特性を向
上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材
料粉を混合することで、高いＱで良好な特性の共振器を
得ることができる。

【０１６５】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

【０１６６】＜実施例１３＞図４０〜図４３は、本発明
の第１３の実施態様を示したＲＦモジュールを示してい
る。ここで図４０は斜視図、図４１は外装部材を外した
状態での斜視図、図４２は各構成層の分解斜視図、図４
３は断面図である。

【０１６７】図４０〜４３において、ＲＦモジュール
は、構成層５００ａ〜５００ｉが積層された積層体の上
に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、
レジスタ等の電子部品５６１と、この構成層５００ａ〜
５００ｉ中およびその上下面に形成されている導体パタ
ーン５１３，５１５、５７２と、アンテナパターン５７
３を有する。このＲＦモジュールは、上記のようにイン
ダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインな
どを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で
構成層を形成するのが効果的である。

【０１６８】この例では、アンテナ構成、ストリップラ
イン構成および配線構成層５００ａ〜５００ｄ、５００
ｇには、使用する周波数に合わせて調整された本発明の
少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種ま
たは２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上
の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁
体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、
樹脂材料とを含有する層が効果的である。

【０１６９】コンデンサ構成層５００ｅ〜５００ｆに
は、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が
１０〜４０となるような誘電体セラミック破砕粉を含有
するハイブリット材を用いることが好ましい。電源ライ
ン層５００ｈ〜５００ｉには、透磁率が３〜２０となる
ように調整されたフェライト磁性材料粉を含有するハイ
ブリッド材を用いることが好ましい。

【０１７０】そして、これらの構成層５００ａ〜５００
ｉの表面には、内部導体５１３、ＧＮＤ導体５１５、ア
ンテナ導体５７３等が形成されている。また、それぞれ
の内部導体はビアホール５１４により上下に接続され、
表面にはマウントされた電子部品５６１が搭載されてＲ
Ｆモジュールが形成される。

【０１７１】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

【０１７２】＜実施例１４＞図４４、図４５は、本発明
の第１４の実施態様を示した共振器を示している。ここ
で図４４は透過斜視図、図４５は断面図である。

【０１７３】図４４、４５において、共振器は、ベース
材６１０に貫通孔状の同軸型導電体６４１が形成されて
いる。その形成方法は、実施例４のブロックフィルタと
同様である。すなわち、金型成形されたベース材６１０
に、メッキ、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等の処
理を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等
により形成された表面ＧＮＤ導体６４７、およびこの表
面ＧＮＤ導体６４７と端部電極６８２で接続された同軸
導体６４１と、同軸導体６４１と接続されている共振器
用ＨＯＴ端子６８１等を形成する。そして、同軸導体６
４１は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路で
あり、これらを囲むように表面ＧＮＤ導体６４７が形成
されている。

【０１７４】この共振器のベース材６１０は、少なくと
も１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種
以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体
被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁
性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料
とを含有する。

【０１７５】共振器を設計するに当たって、比誘電率、
比透磁率はできるだけ大きい方がよい。また、用途別に
以下のような誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金
属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせること
が好ましい。

【０１７６】（１）使用周波数が高い場合、高周波特性
のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電
体材料粉として、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系（誘電
率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニ
ール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高
く、小型で高周波まで使用可能な共振器とすることがで
きる。（２）数十ＭHz〜１００ＭHzの周波数帯域で用いる場
合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系
（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることによ
り、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れた共
振器を得ることができる。（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶
フェライトと、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系誘電体材
料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の
優れた共振器を得ることができる。（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、
誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ₂ −Ｎｄ₂Ｏ₃ 系、
またはＢａＯ−４ＴｉＯ₂ 系の材料を用いてＱ特性を向
上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材
料粉を混合することで、高いＱで良好な特性の共振器を
得ることができる。

【０１７７】＜実施例１５＞図４６、図４７は、本発明
の第１５の実施態様を示したストリップ共振器を示して
いる。ここで図４６は透過斜視図、図４７は断面図であ
る。

【０１７８】図４６、４７において、ストリップ共振器
は、長方形のストリップ導体７８４と、これを構成層７
１０を介して上下面より挟み込むようにして配置された
矩形状のＧＮＤ導体７８３とを有する。また、ストリッ
プ導体７８４両端には共振器用共振器用ＨＯＴ端子７８
１、およびＧＮＤ端子７８２が形成され接続されてい
る。

【０１７９】この共振器の構成層７１０の材料は、少な
くとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または
２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘
電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被
覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂
材料とを含有する。

【０１８０】また、素体強度を保つために、前記樹脂中
にガラスクロス材を埋設してもよい。

【０１８１】共振器を設計するに当たって、比誘電率、
比透磁率はできるだけ大きい方がよい。また、用途別に
以下のような誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金
属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせること
が好ましい。

【０１８２】（１）使用周波数が高い場合、高周波特性
のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電
体材料粉として、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系（誘電
率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニ
ール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高
く、小型で高周波まで使用可能な共振器とすることがで
きる。（２）数十ＭHz〜１００ＭHzの周波数帯域で用いる場
合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系
（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることによ
り、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れた共
振器を得ることができる。（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶
フェライトと、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系誘電体材
料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の
優れた共振器を得ることができる。（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、
誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ₂ −Ｎｄ₂Ｏ₃ 系、
またはＢａＯ−４ＴｉＯ₂ 系の材料を用いてＱ特性を向
上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材
料粉を混合することで、高いＱで良好な特性の共振器を
得ることができる。

【０１８３】＜実施例１６＞図４８は、本発明の第１６
の実施態様を示した共振器を示す透過斜視図である。

【０１８４】図４８において、共振器は実施例１４同様
に、ベース材８１０に２つの貫通孔状の同軸型導電体８
４１，８４２が形成されている。そして、表面ＧＮＤ導
体８４７、およびこの表面ＧＮＤ導体８４７と端部電極
８８２で接続された同軸導体８４２と、同軸導体８４２
と接続用電極８８５を介して接続されている同軸導体８
４１と、この同軸導体８４１と接続されている共振器用
ＨＯＴ端子８８１等を形成する。そして、同軸導体８４
１、８４２は、ある特性インピーダンスを有する同軸型
線路であり、これらを囲むように表面ＧＮＤ導体８４７
が形成されている。

【０１８５】この共振器のベース材８１０も、実施例１
４と同様のものを用いることが好ましい。

【０１８６】＜実施例１７＞図４９は、本発明の第１７
の実施態様を示したストリップ共振器を示す透過斜視図
である。

【０１８７】図４９において、ストリップ共振器はコ字
状のストリップ導体８８４と、これを構成層８１０を介
して上下面より挟み込むようにして配置された矩形状の
ＧＮＤ導体８８３とを有する。また、ストリップ導体８
８４の両端には共振器用ＨＯＴ端子８８１、およびＧＮ
Ｄ端子８８２が形成され接続されている。その他の構成
は実施例１５と同様である。

【０１８８】この共振器の構成層８１０の材料は、少な
くとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または
２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘
電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被
覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂
材料とを含有する。

【０１８９】また、素体強度を保つために、前記樹脂中
にガラスクロス材を埋設してもよい。

【０１９０】共振器を設計するに当たって、比誘電率、
比透磁率はできるだけ大きい方がよい。また、用途別に
以下のような誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金
属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせること
が好ましい。

【０１９１】（１）使用周波数が高い場合、高周波特性
のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電
体材料粉として、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系（誘電
率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニ
ール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高
く、小型で高周波まで使用可能な共振器とすることがで
きる。（２）数十ＭHz〜１００ＭHzの周波数帯域で用いる場
合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系
（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることによ
り、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れた共
振器を得ることができる。（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶
フェライトと、ＢａＴｉＯ₃ −ＢａＺｒＯ₃ 系誘電体材
料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の
優れた共振器を得ることができる。（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、
誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ₂ −Ｎｄ₂Ｏ₃ 系、
またはＢａＯ−４ＴｉＯ₂ 系の材料を用いてＱ特性を向
上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材
料粉を混合することで、高いＱで良好な特性の共振器を
得ることができる。

【０１９２】図５０は、上記実施例１４〜１７の共振器
の等価回路図を示している。図において、共振器用ＨＯ
Ｔ端子９８１は同軸路、またはストリップラインから構
成される共振器９８４，９４１の一端に接続され、その
他端にはＧＮＤ端子９８２が接続されている。

【０１９３】本発明は、上記に例示した電子部品以外
に、上記同様の手法で、ディレイライン、ダイプレク
サ、デュプレクサ、アンテナスイッチモジュール、ＰＬ
Ｌモジュール、フロントエンドモジュール、チューナー
ユニット、方向性結合器、ダブルバランスドミキサー
（ＤＢＭ）、電力合成器、電力分配器、磁気シールド板
等に応用することができる。

【０１９４】以上の各実施例において、必要によりハロ
ゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロ
ゲン化物、また、リン酸エステルアミド系等の有機化合
物や、三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機
材料等の難燃剤を各構成層中に添加してもよい。

【０１９５】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、複数のハ
イブリッド材を組み合わせることで、波長短縮効果が高
く、高周波特性にも優れ、小型で高性能の、ひいては総
合的な電気的特性に優れた電子部品を提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子部品の構成例であるバルントラン
スを示す図である。

【図２】本発明の電子部品の構成例であるバルントラン
スを示す図である。

【図３】本発明の電子部品の構成例であるバルントラン
スを示す図である。

【図４】本発明の電子部品の構成例であるバルントラン
スを示す等価回路図である。

【図５】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタ
を示す図である。

【図６】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタ
を示す図である。

【図７】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタ
を示す等価回路図である。

【図８】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタ
の伝達特性を示す図である。

【図９】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタ
を示す図である。

【図１０】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。

【図１１】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す等価回路図である。

【図１２】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タの伝達特性を示す図である。

【図１３】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルタを示す図である。

【図１４】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルタを示す図である。

【図１５】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルタを示す図である。

【図１６】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルタを示す図である。

【図１７】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルタの等価回路を示す図である。

【図１８】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルタの金型を示す図である。

【図１９】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。

【図２０】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。

【図２１】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。

【図２２】本発明の電子部品の構成例であるカプラの内
部結線を示す図である。

【図２３】本発明の電子部品の構成例であるカプラの等
価回路を示す図である。

【図２４】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。

【図２５】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。

【図２６】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。

【図２７】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。

【図２８】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。

【図２９】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図３０】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図３１】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図３２】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図３３】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図３４】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図３５】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図３６】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図３７】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示
す図である。

【図３８】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示
す図である。

【図３９】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示
す等価回路図である。

【図４０】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図４１】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図４２】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図４３】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図４４】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。

【図４５】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。

【図４６】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。

【図４７】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。

【図４８】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。

【図４９】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。

【図５０】本発明の電子部品の構成例である共振器の等
価回路を示す図である。

【図５１】ハイブリッド材のＱ−周波数特性を示すグラ
フである。

【図５２】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す工
程図である。

【図５３】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す他
の工程図である。

【図５４】銅箔付基板の形成例を示す工程図である。

【図５５】銅箔付基板の形成例を示す他の工程図であ
る。

【図５６】多層基板の形成例を示す工程図である。

【図５７】多層基板の形成例を示す工程図である。

【符号の説明】

４０バルントランス４０４０ａ〜４０ｏ構成層４５ＧＮＤ導体４３内部導体４３６０積層フィルター８０ブロックフィルター１１０カプラ１３０、１４０アンテナ１５０、１６０、１７０パッチアンテナ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｐ 1/205 Ｈ０３Ｂ 5/18 Ｃ５Ｊ０８１Ｈ０３Ｂ 5/18 Ｈ０３Ｈ 7/075 ＡＨ０３Ｈ 7/075 7/09 Ａ 7/09 Ｈ０１Ｇ 4/40 ＡＦターム(参考） 4F100 AA23B AA23C AA23H AA34H AB01B AB01C AB01H AD00B AD00C AD00H AG00 AK01B AK01C AK53 AR00A BA02 BA03 BA04 BA05 BA10B BA10C CA08B CA08C CA30B CA30C DG12 GB41 GB43 JA11B JA11C JA11H JG01A JG04B JG04C JG04H JG05B JG05C JG05H JG10 5E070 AA05 AA16 AB01 BA12 BB03 CB03 CB12 CB17 5E082 AA01 AB03 BB02 BB05 CC03 DD13 EE04 EE16 EE23 EE35 FF05 FG06 FG26 GG10 KK08 LL15 5J006 HB03 HB21 JA00 5J024 AA01 BA11 CA06 DA01 DA29 EA09 5J081 AA11 CC42 DD03 EE06 EE18 GG05 KK02 KK09 KK22 MM01 MM06 MM07 MM08 MM09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくともハイブリッド材により形成さ
れている構成層と、前記構成層の少なくとも１層に形成されている導電体層
とを有し、この導電体層により所定の電気回路が構成さ
れ、前記ハイブリッド材は、少なくとも１種または２種以上
の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、お
よび１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１
種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択され
る２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有する電子部
品。
【請求項２】前記誘電体被覆金属粉は、金属粒子の表
面が誘電体で覆われており、前記絶縁体被覆磁性金属粉
は、磁性金属粒子の表面が絶縁体で覆われている請求項
１の電子部品。
【請求項３】前記誘電体材料粉は、セラミック誘電体
破砕粉であり、前記磁性材料粉は、強磁性金属粉、磁性
フェライト破砕粉、または単結晶フェライト破砕粉であ
る請求項１または２の電子部品。
【請求項４】少なくとも誘電体材料粉と、磁性材料
粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉か
ら選択される１種以上の材料粉とを含有する請求項１〜
３のいずれかの電子部品。
【請求項５】少なくともいずれかの層に１種または２
種以上の難燃剤を含有する請求項１〜４のいずれかの電
子部品。