JP2002043162A - 非還元性誘電体材料の製造方法 - Google Patents
非還元性誘電体材料の製造方法Info
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- JP2002043162A JP2002043162A JP2000224912A JP2000224912A JP2002043162A JP 2002043162 A JP2002043162 A JP 2002043162A JP 2000224912 A JP2000224912 A JP 2000224912A JP 2000224912 A JP2000224912 A JP 2000224912A JP 2002043162 A JP2002043162 A JP 2002043162A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 非還元性積層セラミックコンデンサーにおけ
るＢサイトドナーの寿命改善効果を向上させることがで
きる非還元性積層セラミックコンデンサーの製造方法を
提供することにある。 【解決手段】 構成元素にＭｇ及びＭｎの内の少なくと
も一種からなるＡと、Ｗ及びＭｏの内の少なくとも一種
からなるＢとを含む非還元性誘電体材料の製造方法にお
いて、ＡのＢ酸塩の内の少なくとも１種を出発原料とし
て用いる。
るＢサイトドナーの寿命改善効果を向上させることがで
きる非還元性積層セラミックコンデンサーの製造方法を
提供することにある。 【解決手段】 構成元素にＭｇ及びＭｎの内の少なくと
も一種からなるＡと、Ｗ及びＭｏの内の少なくとも一種
からなるＢとを含む非還元性誘電体材料の製造方法にお
いて、ＡのＢ酸塩の内の少なくとも１種を出発原料とし
て用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックコンデ
ンサーに用いられる誘電体材料の製造方法に関し、特
に、Ｎｉ，Ｃｕなどの卑金属を内部電極とする非還元性
誘電体材料の製造方法に関する。
ンサーに用いられる誘電体材料の製造方法に関し、特
に、Ｎｉ，Ｃｕなどの卑金属を内部電極とする非還元性
誘電体材料の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】誘電体材料と内部電極材料とを交互に積
層することにより製造される積層セラミックコンデンサ
ーは、小型で大きな静電容量が得られるため、多くの電
子機器に使用されている。
層することにより製造される積層セラミックコンデンサ
ーは、小型で大きな静電容量が得られるため、多くの電
子機器に使用されている。
【０００３】従来、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）
を主成分とする誘電体材料を積層セラミックコンデサー
に用いる場合、内部電極材料としてＰｄやＡｇ／Ｐｄ合
金などの貴金属を使用する必要があり、コストアップの
要因となっていた。近年、この欠点を補うために、内部
電極材料としてＮｉやＣｕなどの卑金属を利用した積層
セラミックコンデンサーが開発されてきている。
を主成分とする誘電体材料を積層セラミックコンデサー
に用いる場合、内部電極材料としてＰｄやＡｇ／Ｐｄ合
金などの貴金属を使用する必要があり、コストアップの
要因となっていた。近年、この欠点を補うために、内部
電極材料としてＮｉやＣｕなどの卑金属を利用した積層
セラミックコンデンサーが開発されてきている。
【０００４】このような積層セラミックコンデンサーに
おいて、内部電極材料を卑金属とするためには、内部電
極材料の酸化を防止するために水素雰囲気などの還元雰
囲気で焼成を行う必要があり、誘電体材料を非還元性材
料とする必要がある。
おいて、内部電極材料を卑金属とするためには、内部電
極材料の酸化を防止するために水素雰囲気などの還元雰
囲気で焼成を行う必要があり、誘電体材料を非還元性材
料とする必要がある。
【０００５】非還元性誘電体セラミック材料としては、
一般に、主成分であるＢａＴｉＯ３粉末に加えて、以下
の（イ），（ロ），（ハ）の酸化物粉末を同時に添加す
る場合が多い。
一般に、主成分であるＢａＴｉＯ３粉末に加えて、以下
の（イ），（ロ），（ハ）の酸化物粉末を同時に添加す
る場合が多い。
【０００６】（イ）ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＭｎＯ，ＣａＯ，
ＢａＯ，ＳｒＯ，ＺｒＯ２などの、誘電率の温度特性や
耐還元性を調整する成分； （ロ）希土類酸化物（Ｙ２Ｏ３，Ｄｙ２Ｏ３，Ｈｏ２Ｏ
３，Ｓｍ２Ｏ３，Ｅｒ ２Ｏ３など）の、ＢａＴｉＯ３の
Ａサイトに置換して寿命を向上させる成分（以下、Ａサ
イトドナーと呼ぶ）； （ハ）Ｖ２Ｏ５，ＭｏＯ３，ＷＯ３，Ｔａ２Ｏ５などの
Ｂサイトに置換して寿命を向上させる成分（以下、Ｂサ
イトドナーと呼ぶ）。
ＢａＯ，ＳｒＯ，ＺｒＯ２などの、誘電率の温度特性や
耐還元性を調整する成分； （ロ）希土類酸化物（Ｙ２Ｏ３，Ｄｙ２Ｏ３，Ｈｏ２Ｏ
３，Ｓｍ２Ｏ３，Ｅｒ ２Ｏ３など）の、ＢａＴｉＯ３の
Ａサイトに置換して寿命を向上させる成分（以下、Ａサ
イトドナーと呼ぶ）； （ハ）Ｖ２Ｏ５，ＭｏＯ３，ＷＯ３，Ｔａ２Ｏ５などの
Ｂサイトに置換して寿命を向上させる成分（以下、Ｂサ
イトドナーと呼ぶ）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、内部電
極をＮｉとした積層ヤラミックコンデンサーが実用化さ
れてはいるが、さらなる信頼性の向上が求められてい
る。
極をＮｉとした積層ヤラミックコンデンサーが実用化さ
れてはいるが、さらなる信頼性の向上が求められてい
る。
【０００８】そこで、本発明の一般的な技術的課題は、
非還元性積層セラミックコンデンサーにおけるＢサイト
ドナーの寿命改善効果を向上させることができる非還元
性積層セラミックコンデンサーの製造方法を提供するこ
とにある。
非還元性積層セラミックコンデンサーにおけるＢサイト
ドナーの寿命改善効果を向上させることができる非還元
性積層セラミックコンデンサーの製造方法を提供するこ
とにある。
【０００９】また、本発明の具体的な技術的課題は、コ
ンデンサーとして用いた場合に寿命特性の優れた非還元
性誘電体材料の製造方法を提供することにある。
ンデンサーとして用いた場合に寿命特性の優れた非還元
性誘電体材料の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、構成元
素にＭｇ及びＭｎの内の少なくとも一種からなるＡと、
Ｗ及びＭｏの内の少なくとも一種からなるＢとを含む非
還元性誘電体材料の製造方法において、ＡのＢ酸塩の内
の少なくとも１種を出発原料として用いることを特徴と
する非還元性誘電体材料の製造方法が得られる。
素にＭｇ及びＭｎの内の少なくとも一種からなるＡと、
Ｗ及びＭｏの内の少なくとも一種からなるＢとを含む非
還元性誘電体材料の製造方法において、ＡのＢ酸塩の内
の少なくとも１種を出発原料として用いることを特徴と
する非還元性誘電体材料の製造方法が得られる。
【００１１】また、本発明によれば、構成元素にＭｇお
よびＷを含む非還元性誘電体材料の製造方法において、
タングステン酸マグネシウム化合物を出発原料として用
いることを特徴とする非還元性誘電体材料の製造方法が
得られる。
よびＷを含む非還元性誘電体材料の製造方法において、
タングステン酸マグネシウム化合物を出発原料として用
いることを特徴とする非還元性誘電体材料の製造方法が
得られる。
【００１２】また、本発明によれば、構成元素にＭｎお
よびＷを含む非還元性誘電体材料の製造方法において、
タングステン酸マンガン化合物を出発原料として用いる
ことを特徴とする非還元性誘電体材料の製造方法が得ら
れる。
よびＷを含む非還元性誘電体材料の製造方法において、
タングステン酸マンガン化合物を出発原料として用いる
ことを特徴とする非還元性誘電体材料の製造方法が得ら
れる。
【００１３】また、本発明によれば、構成元素にＭｇお
よびＭｏを含む非還元性誘電体材料の製造方法におい
て、モリブデン酸マグネシウム化合物を出発原料として
用いることを特徴とする非還元性誘電体材料の製造方法
が得られる。
よびＭｏを含む非還元性誘電体材料の製造方法におい
て、モリブデン酸マグネシウム化合物を出発原料として
用いることを特徴とする非還元性誘電体材料の製造方法
が得られる。
【００１４】また、本発明によれば、構成元素にＭｇお
よびＭｏを含む非還元性誘電体材料の製造方法におい
て、モリブデン酸マグネシウム化合物を出発原料として
用いることを特徴とする非還元性誘電体材料の製造方法
が得られる。
よびＭｏを含む非還元性誘電体材料の製造方法におい
て、モリブデン酸マグネシウム化合物を出発原料として
用いることを特徴とする非還元性誘電体材料の製造方法
が得られる。
【００１５】さらに、本発明によれば、前記非還元性誘
電体材料の製造方法によって、非還元性誘電体材料から
なるグリーンシートを複数製造し、このグリーンシート
上に導電材料のペーストを塗布し、重ね合わせて圧着し
て積層体を形成し、焼成することを特徴とする積層セラ
ミックコンデンサーの製造方法が得られる。
電体材料の製造方法によって、非還元性誘電体材料から
なるグリーンシートを複数製造し、このグリーンシート
上に導電材料のペーストを塗布し、重ね合わせて圧着し
て積層体を形成し、焼成することを特徴とする積層セラ
ミックコンデンサーの製造方法が得られる。
【００１６】
【発明の実施の形態】まず、本発明の非還元性誘電体材
料の製造方法の原理について説明する。
料の製造方法の原理について説明する。
【００１７】本発明は、構成元素にＭｇ及びＭｎの内の
少なくとも一種からなるＡと、Ｗ及びＭｏの内の少なく
とも一種からなるＢとを含む非還元性誘電体材料の製造
方法において、ＡのＢ酸塩の内の少なくとも１種を出発
原料として用いる非還元性誘電体材料の製造方法であ
る。
少なくとも一種からなるＡと、Ｗ及びＭｏの内の少なく
とも一種からなるＢとを含む非還元性誘電体材料の製造
方法において、ＡのＢ酸塩の内の少なくとも１種を出発
原料として用いる非還元性誘電体材料の製造方法であ
る。
【００１８】また、本発明の一態様においては、構成元
素にＭｇおよびＷを含む非還元性誘電体材料の製造方法
において、タングステン酸マグネシウム化合物を出発原
料として用いることである。このＭｇとＷを構成元素に
含む非還元性誘電体材料において、ＭｇおよびＷの原料
として、タングステン酸マグネシウム化合物を用いるこ
とにより、Ｗ６＋イオンが効果的にＴｉ４＋と置換す
る。そのため、ＷＯ３などの酸化物を原料とする場合に
比べて、コンデンサーの寿命に対する効果が向上する。
素にＭｇおよびＷを含む非還元性誘電体材料の製造方法
において、タングステン酸マグネシウム化合物を出発原
料として用いることである。このＭｇとＷを構成元素に
含む非還元性誘電体材料において、ＭｇおよびＷの原料
として、タングステン酸マグネシウム化合物を用いるこ
とにより、Ｗ６＋イオンが効果的にＴｉ４＋と置換す
る。そのため、ＷＯ３などの酸化物を原料とする場合に
比べて、コンデンサーの寿命に対する効果が向上する。
【００１９】また、本発明のもう一つの態様において
は、構成元素にＭｎおよびＷを含む非還元性誘電体材料
の製造方法において、タングステン酸マンガン化合物を
出発原料として用いることである。このＭｎとＷを構成
元素に含む非還元性誘電体材料において、ＭｎおよびＷ
の原料として、タングステン酸マンガン化合物を用いる
ことにより、Ｗ６＋イオンが効果的にＴｉ４＋と置換す
る。そのため、ＷＯ３などの酸化物を原料とする場合に
比べて、コンデンサーの寿命に対する効果が向上する。
は、構成元素にＭｎおよびＷを含む非還元性誘電体材料
の製造方法において、タングステン酸マンガン化合物を
出発原料として用いることである。このＭｎとＷを構成
元素に含む非還元性誘電体材料において、ＭｎおよびＷ
の原料として、タングステン酸マンガン化合物を用いる
ことにより、Ｗ６＋イオンが効果的にＴｉ４＋と置換す
る。そのため、ＷＯ３などの酸化物を原料とする場合に
比べて、コンデンサーの寿命に対する効果が向上する。
【００２０】また、本発明のさらにもう一つの態様にお
いては、構成元素にＭｇおよびＭｏを含む非還元性誘電
体材料の製造方法において、モリブデン酸マグネシウム
化合物を出発原料として用いることである。このＭｇと
Ｍｏを構成元素に含む非還元性誘電体材料において、Ｍ
ｇおよびＭｏの原科として、モリブデン酸マグネシウム
化合物を用いることにより、Ｍｏ６＋イオンが効果的に
Ｔｉ４＋と置換する。そのため、ＭｏＯ３などの酸化物
を原料とする場合に比べて、コンデンサーの寿命に対す
る効果が向上する。
いては、構成元素にＭｇおよびＭｏを含む非還元性誘電
体材料の製造方法において、モリブデン酸マグネシウム
化合物を出発原料として用いることである。このＭｇと
Ｍｏを構成元素に含む非還元性誘電体材料において、Ｍ
ｇおよびＭｏの原科として、モリブデン酸マグネシウム
化合物を用いることにより、Ｍｏ６＋イオンが効果的に
Ｔｉ４＋と置換する。そのため、ＭｏＯ３などの酸化物
を原料とする場合に比べて、コンデンサーの寿命に対す
る効果が向上する。
【００２１】また、本発明の他の態様においては、構成
元素にＭｇおよびＭｏを含む非還元性誘電体材料の製造
方法において、モリブデン酸マグネシウム化合物を出発
原料として用いることである。このＭｎとＭｏを構成元
素に含む非還元性誘電体材料において、ＭｎおよびＭｏ
の原料として、モリブデン酸マンガン化合物を用いるこ
とにより、Ｍｏ６＋イオンが効果的にＴｉ４＋と置換す
る。そのため、ＭｏＯ ３などの酸化物を原料とする場合
に比べて、コンデンサーの寿命に対する効果が向上す
る。
元素にＭｇおよびＭｏを含む非還元性誘電体材料の製造
方法において、モリブデン酸マグネシウム化合物を出発
原料として用いることである。このＭｎとＭｏを構成元
素に含む非還元性誘電体材料において、ＭｎおよびＭｏ
の原料として、モリブデン酸マンガン化合物を用いるこ
とにより、Ｍｏ６＋イオンが効果的にＴｉ４＋と置換す
る。そのため、ＭｏＯ ３などの酸化物を原料とする場合
に比べて、コンデンサーの寿命に対する効果が向上す
る。
【００２２】また、本発明の別の態様では、前記非還元
性誘電体材料の製造方法によって、非還元性誘電体材料
からなるグリーンシートを複数製造し、このグリーンシ
ート上に導電材料のペーストを塗布し、重ね合わせて圧
着して積層体を形成し、焼成する積層セラミックコンデ
ンサーの製造方法である。
性誘電体材料の製造方法によって、非還元性誘電体材料
からなるグリーンシートを複数製造し、このグリーンシ
ート上に導電材料のペーストを塗布し、重ね合わせて圧
着して積層体を形成し、焼成する積層セラミックコンデ
ンサーの製造方法である。
【００２３】それでは、本発明の実施の形態について具
体的に説明する。
体的に説明する。
【００２４】まず、タングステン酸マグネシウム化合物
粉末，タングステン酸マグネシウム化合物粉末，モリブ
デン酸マグネシウム化合物粉末，モリブデン酸マンガン
化合物粉末を以下のように合成する。
粉末，タングステン酸マグネシウム化合物粉末，モリブ
デン酸マグネシウム化合物粉末，モリブデン酸マンガン
化合物粉末を以下のように合成する。
【００２５】まず、市販のＷＯ３粉末とＭｇＯ粉末をモ
ル比で１：１になるように秤量し、ボールミルを用いて
湿式混合した。これを、濾過乾燥し、その後、８００〜
１０００℃で反応させてタングステン酸マグネシウム化
合物粉末を得た。
ル比で１：１になるように秤量し、ボールミルを用いて
湿式混合した。これを、濾過乾燥し、その後、８００〜
１０００℃で反応させてタングステン酸マグネシウム化
合物粉末を得た。
【００２６】同様に、市販のＷＯ３粉末とＭｎＯ粉末を
モル比で１：１になるように秤量し、ボールミルを用い
て湿式混合した。これを、瀘過乾燥し、その後、８００
〜１０００℃で反応させてタングステン酸マンガン化合
物粉末を得た。
モル比で１：１になるように秤量し、ボールミルを用い
て湿式混合した。これを、瀘過乾燥し、その後、８００
〜１０００℃で反応させてタングステン酸マンガン化合
物粉末を得た。
【００２７】同様に、市販のＭｏＯ３粉末とＭｇＯ粉末
をモル比で１：１になるように秤量し、ボールミルを用
いて湿式混合した。これを、濾過乾燥し、その後、８０
０〜１０００℃で反応させてモリブデン酸マグネシウム
化合物粉末を得た。
をモル比で１：１になるように秤量し、ボールミルを用
いて湿式混合した。これを、濾過乾燥し、その後、８０
０〜１０００℃で反応させてモリブデン酸マグネシウム
化合物粉末を得た。
【００２８】同様に市販のＭｏＯ３粉末とＭｎＯ粉末を
モル比で１：１になるように秤量し、ボールミルを用い
て湿式混合した。これを、瀘過乾燥し、その後、８００
〜１０００℃で反応させてモリブデン酸マンガン化合物
粉末を得た。
モル比で１：１になるように秤量し、ボールミルを用い
て湿式混合した。これを、瀘過乾燥し、その後、８００
〜１０００℃で反応させてモリブデン酸マンガン化合物
粉末を得た。
【００２９】これら４種類の粉末を、粉末Ｘ線回折によ
り解析したところ、それぞれＭｇＷＯ４，ＭｎＷＯ４，
ＭｇＭｏＯ４，ＭｎＭｏＯ４を含んでいることが確認さ
れた。その他に、具体的な化合物を同定することができ
ない複雑な回折ピ−クが観察されたが、ＭｇＯあるいは
ＭｎＯと、ＷＯ３あるいはＭｏＯ３の比率が１：１から
はずれたタングステン酸マグネシウム化合物，タングス
テン酸マグネシウム化合物，モリブデン酸マグネシウム
化合物，モリブデン酸マンガン化合物が生成されたもの
と考えられる。
り解析したところ、それぞれＭｇＷＯ４，ＭｎＷＯ４，
ＭｇＭｏＯ４，ＭｎＭｏＯ４を含んでいることが確認さ
れた。その他に、具体的な化合物を同定することができ
ない複雑な回折ピ−クが観察されたが、ＭｇＯあるいは
ＭｎＯと、ＷＯ３あるいはＭｏＯ３の比率が１：１から
はずれたタングステン酸マグネシウム化合物，タングス
テン酸マグネシウム化合物，モリブデン酸マグネシウム
化合物，モリブデン酸マンガン化合物が生成されたもの
と考えられる。
【００３０】以下、これら４種類の粉末を、簡略化し
て、それぞれＭｇＷＯ４粉末，ＭｎＷＯ３粉末，ＭｇＭ
ｏＯ４粉末，ＭｎＭｏＯ４粉末と称する。次に、このＭ
ｇＷＯ ４粉末，ＭｎＷＯ３粉末，ＭｇＭｏＯ４粉末およ
びＭｎＭｏＯ４粉末と、市販のＢａＴｉＯ３，ＢａＣＯ
３，ＭｎＣＯ３，Ｙ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＭｇＯ粉末を出
発原料として、表１に示す配合比となるように秤量し
た。また、比較例として、ＭｇＷＯ４，ＭｎＷＯ３，Ｍ
ｇＭｏＯ４，ＭｎＭｏＯ４粉末の代わりに、ＭｇＯ，Ｍ
ｎＯ，ＷＯ３，ＭｏＯ３粉末を用いて、表１に示す配合
比で秤量した。
て、それぞれＭｇＷＯ４粉末，ＭｎＷＯ３粉末，ＭｇＭ
ｏＯ４粉末，ＭｎＭｏＯ４粉末と称する。次に、このＭ
ｇＷＯ ４粉末，ＭｎＷＯ３粉末，ＭｇＭｏＯ４粉末およ
びＭｎＭｏＯ４粉末と、市販のＢａＴｉＯ３，ＢａＣＯ
３，ＭｎＣＯ３，Ｙ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＭｇＯ粉末を出
発原料として、表１に示す配合比となるように秤量し
た。また、比較例として、ＭｇＷＯ４，ＭｎＷＯ３，Ｍ
ｇＭｏＯ４，ＭｎＭｏＯ４粉末の代わりに、ＭｇＯ，Ｍ
ｎＯ，ＷＯ３，ＭｏＯ３粉末を用いて、表１に示す配合
比で秤量した。
【００３１】
【表１】
【００３２】この秤量された本発明例および比較例の粉
末を、それぞれボールミルにて２０時間湿式混合し、濾
過乾燥して誘電体原料とした。各粉末について、所定量
の有機溶媒，バインダー，分散剤を加え、ボールミルで
混合して、粉末スラリーを製造した。
末を、それぞれボールミルにて２０時間湿式混合し、濾
過乾燥して誘電体原料とした。各粉末について、所定量
の有機溶媒，バインダー，分散剤を加え、ボールミルで
混合して、粉末スラリーを製造した。
【００３３】次に、これらの粉末スラリーを用いて、ド
クターブレード法によりＰＥＴフィルム上に厚さ１５μ
ｍのグリーンシートを作製した。次いで、Ｎｉ粉末ペー
ストをスクリーン印刷法でグリーンシート上に印刷した
後、ＰＥＴフィルムからグリーンシートを剥離し、加圧
圧着することで、グリーン積層体を得た。これらの積層
体を、それぞれ所定のサイズに切断し、脱バインダー処
理を施した後、以下の条件で焼成した。
クターブレード法によりＰＥＴフィルム上に厚さ１５μ
ｍのグリーンシートを作製した。次いで、Ｎｉ粉末ペー
ストをスクリーン印刷法でグリーンシート上に印刷した
後、ＰＥＴフィルムからグリーンシートを剥離し、加圧
圧着することで、グリーン積層体を得た。これらの積層
体を、それぞれ所定のサイズに切断し、脱バインダー処
理を施した後、以下の条件で焼成した。
【００３４】（ｉ）焼成：保持温度，時間：１３００℃
×２時間、雰囲気：加湿したＨ２とＮ２の混合ガス、酸
素分圧：１０−１０気圧、（ｉｉ）アニール保持温度，
時間：１０００℃×８時間、雰囲気：加湿したＮ ２ガ
ス。
×２時間、雰囲気：加湿したＨ２とＮ２の混合ガス、酸
素分圧：１０−１０気圧、（ｉｉ）アニール保持温度，
時間：１０００℃×８時間、雰囲気：加湿したＮ ２ガ
ス。
【００３５】この焼成チップをバレル研磨した後、Ｃｕ
粉末ペーストをチップ端面に塗布し、Ｎ２雰囲気中で８
００℃にて焼き付けて外部電極を形成し、積層セラミッ
クコンデンサーを得た。これらの積層ヤラミックコンデ
ンサーについて、以下の測定を行つた。
粉末ペーストをチップ端面に塗布し、Ｎ２雰囲気中で８
００℃にて焼き付けて外部電極を形成し、積層セラミッ
クコンデンサーを得た。これらの積層ヤラミックコンデ
ンサーについて、以下の測定を行つた。
【００３６】本発明例および比較例についての測定結果
をそれぞれ下記表２に示す。
をそれぞれ下記表２に示す。
【００３７】（ａ）２５℃における比誘電率：測定電圧
０．１Ｖｒｍｓ，測定周波数１ｋＨｚにおいて静電容量
を測定し、比誘電率を求めた。
０．１Ｖｒｍｓ，測定周波数１ｋＨｚにおいて静電容量
を測定し、比誘電率を求めた。
【００３８】（ｂ）絶縁抵抗ＩＲの加速寿命：１５０℃
において、コンデンサーに１５０Ｖの直流電圧印加する
ことで加速試験を行い絶縁抵抗ＩＲの経時変化を測定し
た。絶縁抵抗ＩＲが１０４Ω以下になるまでの時間を寿
命時間と定義した。
において、コンデンサーに１５０Ｖの直流電圧印加する
ことで加速試験を行い絶縁抵抗ＩＲの経時変化を測定し
た。絶縁抵抗ＩＲが１０４Ω以下になるまでの時間を寿
命時間と定義した。
【００３９】
【表２】
【００４０】上記表２の結果から、本発明例と比較例で
は比誘電率はほとんど変化しないが、ＩＲ加速寿命が飛
躍的に向上しており、本発明の有効性が確認された。
は比誘電率はほとんど変化しないが、ＩＲ加速寿命が飛
躍的に向上しており、本発明の有効性が確認された。
【００４１】本発明において、タングステン酸マグネシ
ウム化合物，タングステン酸マグネシウム化合物，モリ
ブデン酸マグネシウム化合物，モリブデン酸マンガン化
合物としては、それぞれ、ＭｇＷＯ４，ＭｎＷＯ３，Ｍ
ｇＭｏＯ４，ＭｎＭｏＯ４の単体粉末を用いることが好
ましい。しかし、ＭｇＷＯ４，ＭｎＷＯ３，ＭｇＭＯ ４
またはＭｎＭｏＯ４と、１：１以外の比率で形成されて
いる化合物との混合粉末であつても、本発明の効果が得
られることが、本発明例から確認された。
ウム化合物，タングステン酸マグネシウム化合物，モリ
ブデン酸マグネシウム化合物，モリブデン酸マンガン化
合物としては、それぞれ、ＭｇＷＯ４，ＭｎＷＯ３，Ｍ
ｇＭｏＯ４，ＭｎＭｏＯ４の単体粉末を用いることが好
ましい。しかし、ＭｇＷＯ４，ＭｎＷＯ３，ＭｇＭＯ ４
またはＭｎＭｏＯ４と、１：１以外の比率で形成されて
いる化合物との混合粉末であつても、本発明の効果が得
られることが、本発明例から確認された。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法で得
られる誘電体材料は、卑金属材料を内部電極に用いる積
層セラミックコンデンサーに使用した場合、寿命特性を
大幅に向上させるものであり、信頼性に優れた積層セラ
ミックコンデンサーを実現するのに好適な誘電体材料を
提供することができる。
られる誘電体材料は、卑金属材料を内部電極に用いる積
層セラミックコンデンサーに使用した場合、寿命特性を
大幅に向上させるものであり、信頼性に優れた積層セラ
ミックコンデンサーを実現するのに好適な誘電体材料を
提供することができる。
Claims (6)
- 【請求項１】 構成元素にＭｇ及びＭｎの内の少なくと
も一種からなるＡと、Ｗ及びＭｏの内の少なくとも一種
からなるＢとを含む非還元性誘電体材料の製造方法にお
いて、ＡのＢ酸塩の内の少なくとも１種を出発原料とし
て用いることを特徴とする非還元性誘電体材料の製造方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の非還元性誘電体材料の製
造方法において、前記ＢはＷであり、前記少なくとも一
種のＡのＢ酸塩は、タングステン酸マグネシウム化合物
であることを特徴とする非還元性誘電体材料の製造方
法。 - 【請求項３】 請求項１記載の非還元性誘電体材料の製
造方法において、前記ＢはＷであり、前記少なくとも一
種のＡのＢ酸塩はタングステン酸マンガン化合物である
ことを特徴とする非還元性誘電体材料の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の非還元性誘電体材料の製
造方法において、前記ＢはＭｏであり、前記少なくとも
一種のＡのＢ酸塩はモリブデン酸マグネシウム化合物で
あることを特徴とする非還元性誘電体材料の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１記載の非還元性誘電体材料の製
造方法において、前記ＢはＭｏであり、前記少なくとも
一種のＡのＢ酸塩はモリブデン酸マンガン化合物である
ことを特徴とする非還元性誘電体材料の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１記載の非還元性誘電体材料の製
造方法によって、非還元性誘電体材料からなるグリーン
シートを複数製造し、このグリーンシート上に導電材料
のペーストを塗布し、重ね合わせて圧着して積層体を形
成し、焼成することを特徴とする積層セラミックコンデ
ンサーの製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2000224912A JP2002043162A (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 非還元性誘電体材料の製造方法 |
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| JP2000224912A JP2002043162A (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 非還元性誘電体材料の製造方法 |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004200155A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-15 | Celaya Emparanza Y Galdos Sa (Cegasa) | 電気化学的素子又は電池、及びその陰極 |
| JP2017228737A (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ、セラミック粉末、およびそれらの製造方法 |
| CN109285698A (zh) * | 2017-07-19 | 2019-01-29 | 太阳诱电株式会社 | 多层陶瓷电容器及其制造方法 |
| JP2019021817A (ja) * | 2017-07-19 | 2019-02-07 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
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-
2000
- 2000-07-26 JP JP2000224912A patent/JP2002043162A/ja not_active Withdrawn
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