JP2002038263A - スパッタリング装置 - Google Patents
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
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- Organic Chemistry (AREA)
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】スパッタリング法により誘電体膜を連続的に複
数の基板に成膜しても、成膜速度や組成比が一定になる
技術を提供する。 【解決手段】本発明のスパッタリング装置１は、真空槽
１１の内部底面に、載置台１５の周囲に位置するように
対向電極２１が設けられている。対向電極２１の表面に
は多数の孔２３が形成され、表面積が大きくなってい
る。従って、スパッタリングされた誘電体材料が対向電
極２１の表面に付着し、その表面に誘電体膜が成膜され
て正電荷が分布しても、対向電極２１の表面に分布した
電荷の電荷密度は従来に比して小さくなり、結果とし
て、対向電極表面の電位は、ほぼ接地電位に保たれる。
このように、対向電極２１表面の電位がほぼ接地電位に
保たれることにより、真空槽１１内での放電が安定にな
るので、従来生じていた、膜厚分布及び成膜速度の変動
や、放電が不安定になるという問題が生じにくくなる。
数の基板に成膜しても、成膜速度や組成比が一定になる
技術を提供する。 【解決手段】本発明のスパッタリング装置１は、真空槽
１１の内部底面に、載置台１５の周囲に位置するように
対向電極２１が設けられている。対向電極２１の表面に
は多数の孔２３が形成され、表面積が大きくなってい
る。従って、スパッタリングされた誘電体材料が対向電
極２１の表面に付着し、その表面に誘電体膜が成膜され
て正電荷が分布しても、対向電極２１の表面に分布した
電荷の電荷密度は従来に比して小さくなり、結果とし
て、対向電極表面の電位は、ほぼ接地電位に保たれる。
このように、対向電極２１表面の電位がほぼ接地電位に
保たれることにより、真空槽１１内での放電が安定にな
るので、従来生じていた、膜厚分布及び成膜速度の変動
や、放電が不安定になるという問題が生じにくくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は真空処理装置に関
し、特に、スパッタリング装置の改善に関する。
し、特に、スパッタリング装置の改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８の符号１０１に、従来のスパッタリ
ング装置を示す。この真空処理装置１０１は、真空槽１
１１を有している。真空槽１１１には排気口１１８が設
けられている。排気口１１８は図示しない真空排気系に
接続され、真空排気系を駆動すると、真空槽１１１内部
を真空排気することができるように構成されている。
ング装置を示す。この真空処理装置１０１は、真空槽１
１１を有している。真空槽１１１には排気口１１８が設
けられている。排気口１１８は図示しない真空排気系に
接続され、真空排気系を駆動すると、真空槽１１１内部
を真空排気することができるように構成されている。
【０００３】真空槽１１１にはガス導入口１１７が設け
られている。このガス導入口１１７は図示しないガス導
入系に接続されており、真空槽１１１内にガス導入口１
１７からガスを導入することができるように構成されて
いる。
られている。このガス導入口１１７は図示しないガス導
入系に接続されており、真空槽１１１内にガス導入口１
１７からガスを導入することができるように構成されて
いる。
【０００４】真空槽１１１の天井には、バッキングプレ
ート１１２が配置され、バッキングプレート１１２の真
空槽１１１の内部に面する側には、誘電体材料からなる
ターゲット１１３が配置されている。
ート１１２が配置され、バッキングプレート１１２の真
空槽１１１の内部に面する側には、誘電体材料からなる
ターゲット１１３が配置されている。
【０００５】真空槽１１１の内部底面には、ターゲット
１１３と対向して載置台１１５が配置されている。載置
台１１５の表面は平坦にされており、その表面に後述す
る基板を載置できるように構成されている。
１１３と対向して載置台１１５が配置されている。載置
台１１５の表面は平坦にされており、その表面に後述す
る基板を載置できるように構成されている。
【０００６】真空槽１１１外部には、高周波電源１１４
が設けられている。この高周波電源１１４はバッキング
プレート１１２に接続されており、高周波電源１１４を
起動すると、バッキングプレート１１２を介してターゲ
ット１１３に高周波電力を供給することができるように
構成されている。
が設けられている。この高周波電源１１４はバッキング
プレート１１２に接続されており、高周波電源１１４を
起動すると、バッキングプレート１１２を介してターゲ
ット１１３に高周波電力を供給することができるように
構成されている。
【０００７】かかる構成のスパッタリング装置１０１を
用いて、シリコン基板表面にスパッタリング法で誘電体
薄膜を成膜するには、まず、真空槽１１１内部を真空排
気し、真空状態を維持しながら基板１２０を真空槽１１
１内に搬入し、載置台１１５表面に載置する。このとき
基板１２０の電位はフローティング状態になっている。
用いて、シリコン基板表面にスパッタリング法で誘電体
薄膜を成膜するには、まず、真空槽１１１内部を真空排
気し、真空状態を維持しながら基板１２０を真空槽１１
１内に搬入し、載置台１１５表面に載置する。このとき
基板１２０の電位はフローティング状態になっている。
【０００８】次に、ガス導入口１１７からアルゴンガス
等のスパッタガスを一定量導入しながらターゲット１１
３に高周波電力を供給すると、放電が生じる。防着板１
１９は接地されており、その結果、真空槽１１１内で生
じる放電が安定になっている。
等のスパッタガスを一定量導入しながらターゲット１１
３に高周波電力を供給すると、放電が生じる。防着板１
１９は接地されており、その結果、真空槽１１１内で生
じる放電が安定になっている。
【０００９】放電が生じると、ターゲット１１３がスパ
ッタリングされる。このとき、スパッタリングされたタ
ーゲット材料は、基板１２０の表面方向に飛び出す他
に、真空槽１１１の内部側面方向や内部底面方向にも飛
散するが、真空槽１１１内部には、略半球形状で、底に
円形の開口が形成された防着板１１９が設けられてい
る。この防着板１１９の底にある開口は載置台１１５近
くに位置し、ターゲット１１３と、真空槽１１１の内部
側面及び内部底面とは、防着板１１９により仕切られて
いるので、スパッタリングされたターゲット材料は、真
空槽１１１の内部底面や内部側面には直接付着しない。
こうして基板１２０の表面に到達したターゲット材料に
より、基板１２０の表面に薄膜が成膜される。
ッタリングされる。このとき、スパッタリングされたタ
ーゲット材料は、基板１２０の表面方向に飛び出す他
に、真空槽１１１の内部側面方向や内部底面方向にも飛
散するが、真空槽１１１内部には、略半球形状で、底に
円形の開口が形成された防着板１１９が設けられてい
る。この防着板１１９の底にある開口は載置台１１５近
くに位置し、ターゲット１１３と、真空槽１１１の内部
側面及び内部底面とは、防着板１１９により仕切られて
いるので、スパッタリングされたターゲット材料は、真
空槽１１１の内部底面や内部側面には直接付着しない。
こうして基板１２０の表面に到達したターゲット材料に
より、基板１２０の表面に薄膜が成膜される。
【００１０】しかしながら、上記構成のスパッタリング
装置によれば、特に誘電体薄膜を成膜する際に、連続し
て複数の基板に成膜を行なおうとすると、基板表面の膜
厚分布や成膜速度が変化してしまうという問題が生じ
る。さらに成膜を続けると、放電が不安定になり場合に
よっては放電が維持できなくなってしまう。
装置によれば、特に誘電体薄膜を成膜する際に、連続し
て複数の基板に成膜を行なおうとすると、基板表面の膜
厚分布や成膜速度が変化してしまうという問題が生じ
る。さらに成膜を続けると、放電が不安定になり場合に
よっては放電が維持できなくなってしまう。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたものであり、その
目的は、スパッタリング法による成膜において、誘電体
膜を連続的に複数の基板に成膜した場合であっても、放
電が安定になり、成膜速度や膜厚分布が一定になること
を可能にする技術を提供することにある。
の不都合を解決するために創作されたものであり、その
目的は、スパッタリング法による成膜において、誘電体
膜を連続的に複数の基板に成膜した場合であっても、放
電が安定になり、成膜速度や膜厚分布が一定になること
を可能にする技術を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、スパッタリング装置であっ
て、真空槽と、前記真空槽内部に配置されたターゲット
と、前記ターゲットと対向して前記真空槽内部に配置さ
れ、基板を保持できるように構成された基板保持部と、
表面がターゲット側を向くように前記基板保持部の周囲
に配置され、かつ表面に凹凸が形成され、接地された対
向電極とを有することを特徴とする。請求項２記載の発
明は、請求項１記載のスパッタリング装置であって、前
記対向電極は、中央に貫通孔を有し、前記基板保持部
は、前記貫通孔内部に配置されたことを特徴とする。請
求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれか
１項記載のスパッタリング装置であって、前記凹凸は、
前記対向電極の表面に、複数の孔が形成されることで形
成されることを特徴とする。請求項４記載の発明は、請
求項３記載のスパッタリング装置であって、前記孔の深
さは、前記孔の径に比して２倍以上であることを特徴と
する。請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求項４の
いずれか１項記載のスパッタリング装置であって、前記
ターゲットは、前記真空槽の内部天井側に配置され、前
記対向電極は、前記真空槽の内部底面側に配置され、前
記対向電極の表面は、その外側の高さが、内側の高さよ
りも低くなるように傾いていることを特徴とする。請求
項６記載の発明は、請求項５記載のスパッタリング装置
であって、前記対向電極の表面は、水平面に対して１０
°以上傾いていることを特徴とする。請求項７記載の発
明は、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載のスパ
ッタリング装置であって、前記ターゲットは、BaTiO3、
SrTiO3、(BaSr)TiO3、Pb(ZrTi)O3、又はSrBi2Ta2O9のい
ずれか一つを主成分とする誘電体であることを特徴とす
る。請求項８記載の発明は、請求項１乃至請求項７のい
ずれか１項記載のスパッタリング装置であって、前記真
空槽内では、前記対向電極のみが接地されるように構成
されたことを特徴とする。
に、請求項１記載の発明は、スパッタリング装置であっ
て、真空槽と、前記真空槽内部に配置されたターゲット
と、前記ターゲットと対向して前記真空槽内部に配置さ
れ、基板を保持できるように構成された基板保持部と、
表面がターゲット側を向くように前記基板保持部の周囲
に配置され、かつ表面に凹凸が形成され、接地された対
向電極とを有することを特徴とする。請求項２記載の発
明は、請求項１記載のスパッタリング装置であって、前
記対向電極は、中央に貫通孔を有し、前記基板保持部
は、前記貫通孔内部に配置されたことを特徴とする。請
求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれか
１項記載のスパッタリング装置であって、前記凹凸は、
前記対向電極の表面に、複数の孔が形成されることで形
成されることを特徴とする。請求項４記載の発明は、請
求項３記載のスパッタリング装置であって、前記孔の深
さは、前記孔の径に比して２倍以上であることを特徴と
する。請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求項４の
いずれか１項記載のスパッタリング装置であって、前記
ターゲットは、前記真空槽の内部天井側に配置され、前
記対向電極は、前記真空槽の内部底面側に配置され、前
記対向電極の表面は、その外側の高さが、内側の高さよ
りも低くなるように傾いていることを特徴とする。請求
項６記載の発明は、請求項５記載のスパッタリング装置
であって、前記対向電極の表面は、水平面に対して１０
°以上傾いていることを特徴とする。請求項７記載の発
明は、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載のスパ
ッタリング装置であって、前記ターゲットは、BaTiO3、
SrTiO3、(BaSr)TiO3、Pb(ZrTi)O3、又はSrBi2Ta2O9のい
ずれか一つを主成分とする誘電体であることを特徴とす
る。請求項８記載の発明は、請求項１乃至請求項７のい
ずれか１項記載のスパッタリング装置であって、前記真
空槽内では、前記対向電極のみが接地されるように構成
されたことを特徴とする。
【００１３】上述したように、従来のスパッタリング装
置では、誘電体膜を成膜する場合に、連続成膜すると基
板表面の膜厚分布や成膜速度が変化してしまい、さらに
成膜を続けると、放電が不安定になってしまうという問
題が生じていた。本発明の発明者等は、その原因は、タ
ーゲットや基板に近い位置に配置された防着板の表面
に、スパッタリングによって誘電体が付着し、誘電体膜
が成膜され、その誘電体膜の表面に正電荷が付着して、
防着板表面における正電荷の電荷分布密度が大きくなる
ことにより、防着板表面の電位を接地電位に保てなくな
り、放電が不安定になるものであると考えた。
置では、誘電体膜を成膜する場合に、連続成膜すると基
板表面の膜厚分布や成膜速度が変化してしまい、さらに
成膜を続けると、放電が不安定になってしまうという問
題が生じていた。本発明の発明者等は、その原因は、タ
ーゲットや基板に近い位置に配置された防着板の表面
に、スパッタリングによって誘電体が付着し、誘電体膜
が成膜され、その誘電体膜の表面に正電荷が付着して、
防着板表面における正電荷の電荷分布密度が大きくなる
ことにより、防着板表面の電位を接地電位に保てなくな
り、放電が不安定になるものであると考えた。
【００１４】本発明のスパッタリング装置は、かかる考
察に基づいて考案されたものであって、例えば表面に複
数の孔が形成されることにより、表面に凹凸が形成さ
れ、真空槽内部に、載置台の周囲に位置するように配置
され、接地電位におかれた対向電極を有しているので、
ターゲットがスパッタリングされた場合であっても、防
着板と対向電極とに付着することで、真空槽の内部底面
にはターゲット材料が直接付着しないようになってい
る。
察に基づいて考案されたものであって、例えば表面に複
数の孔が形成されることにより、表面に凹凸が形成さ
れ、真空槽内部に、載置台の周囲に位置するように配置
され、接地電位におかれた対向電極を有しているので、
ターゲットがスパッタリングされた場合であっても、防
着板と対向電極とに付着することで、真空槽の内部底面
にはターゲット材料が直接付着しないようになってい
る。
【００１５】また、対向電極は、その表面に孔が多数形
成されているため、その表面積は大きくなっている。従
って、スパッタリングされた誘電体材料が対向電極の表
面や孔内部に付着し、その表面に誘電体膜が成膜され、
誘電体膜に正電荷が分布しても、対向電極表面の表面積
が大きいため、分布した電荷の電荷密度は従来に比して
小さくなり、結果として、対向電極表面の電位は、ほぼ
接地電位に保たれる。
成されているため、その表面積は大きくなっている。従
って、スパッタリングされた誘電体材料が対向電極の表
面や孔内部に付着し、その表面に誘電体膜が成膜され、
誘電体膜に正電荷が分布しても、対向電極表面の表面積
が大きいため、分布した電荷の電荷密度は従来に比して
小さくなり、結果として、対向電極表面の電位は、ほぼ
接地電位に保たれる。
【００１６】このように、対向電極表面の電位がほぼ接
地電位に保たれることにより、誘電体膜を連続成膜して
も、真空槽内での放電が従来に比して安定になるので、
従来生じていた、膜厚分布及び成膜速度の変動や、放電
が不安定になるという問題が生じにくくなる。
地電位に保たれることにより、誘電体膜を連続成膜して
も、真空槽内での放電が従来に比して安定になるので、
従来生じていた、膜厚分布及び成膜速度の変動や、放電
が不安定になるという問題が生じにくくなる。
【００１７】なお、対向電極に複数の浅い孔を形成した
場合には、対向電極の表面積は、孔が深い場合に比して
小さくなるので、基板の処理枚数が多数になると、対向
電極表面の電位を接地電位に保つことができない場合が
あるが、本発明においては、孔の深さが孔の径の２倍以
上の深い孔を多数形成しているので、対向電極の表面積
は、孔が形成されていない場合に比して大きくなる。従
って、対向電極表面の電位を長期間接地電位に保ち、放
電を長期間安定させることができる。また、本発明にお
いて対向電極は、その表面が真空槽の内部側面側に向い
て傾くように構成されていてもよい。
場合には、対向電極の表面積は、孔が深い場合に比して
小さくなるので、基板の処理枚数が多数になると、対向
電極表面の電位を接地電位に保つことができない場合が
あるが、本発明においては、孔の深さが孔の径の２倍以
上の深い孔を多数形成しているので、対向電極の表面積
は、孔が形成されていない場合に比して大きくなる。従
って、対向電極表面の電位を長期間接地電位に保ち、放
電を長期間安定させることができる。また、本発明にお
いて対向電極は、その表面が真空槽の内部側面側に向い
て傾くように構成されていてもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下で図面を参照し、本発明の実
施形態について説明する。図１の符号１に、本発明の一
実施形態のスパッタリング装置を示す。このスパッタリ
ング装置１は、真空槽１１を有している。
施形態について説明する。図１の符号１に、本発明の一
実施形態のスパッタリング装置を示す。このスパッタリ
ング装置１は、真空槽１１を有している。
【００１９】真空槽１１には排気口１８が設けられてい
る。排気口１８は図示しない真空排気系に接続され、真
空排気系を駆動すると、真空槽１１内部を真空排気する
ことができるように構成されている。
る。排気口１８は図示しない真空排気系に接続され、真
空排気系を駆動すると、真空槽１１内部を真空排気する
ことができるように構成されている。
【００２０】真空槽１１にはガス導入口１７が設けられ
ている。このガス導入口１７は図示しないガス導入系に
接続されており、真空槽１１内にガス導入口１７からガ
スを導入することができるように構成されている。
ている。このガス導入口１７は図示しないガス導入系に
接続されており、真空槽１１内にガス導入口１７からガ
スを導入することができるように構成されている。
【００２１】真空槽１１の天井には、真空槽１１と絶縁
された状態でバッキングプレート１２が配置され、バッ
キングプレート１２の真空槽１１の内部に面する側に
は、SrTiO3の焼結体からなるターゲット１３が配置され
ている。真空槽１１の内部側面には、ターゲット１３の
表面の周囲に対向するように接地されたアースシールド
１６が配置されている。
された状態でバッキングプレート１２が配置され、バッ
キングプレート１２の真空槽１１の内部に面する側に
は、SrTiO3の焼結体からなるターゲット１３が配置され
ている。真空槽１１の内部側面には、ターゲット１３の
表面の周囲に対向するように接地されたアースシールド
１６が配置されている。
【００２２】真空槽１１の内部底面には、ターゲット１
３と対向して載置台１５が配置されている。載置台１５
の表面は平坦にされており、その表面に後述する基板を
載置できるように構成されている。
３と対向して載置台１５が配置されている。載置台１５
の表面は平坦にされており、その表面に後述する基板を
載置できるように構成されている。
【００２３】真空槽１１の内部底面の、載置台１５の周
囲の位置には、対向電極２１が配置されている。対向電
極２１の詳細な構成を図２(ａ)、(ｂ)に示す。この対向
電極２１は、中央に円形の貫通孔２４を有するアルミニ
ウム製の円板２２を有しており、円板２２の表面に円形
の孔２３が複数形成されることで構成されている。ここ
では、円板２２の直径を２６cm、貫通孔の直径を２０cm
とし、その表面に直径５mm、深さ１０mmの孔２３が７２
個設けられているものとしている。そして、この貫通孔
２４の内部に、載置台１５が位置するようになってい
る。
囲の位置には、対向電極２１が配置されている。対向電
極２１の詳細な構成を図２(ａ)、(ｂ)に示す。この対向
電極２１は、中央に円形の貫通孔２４を有するアルミニ
ウム製の円板２２を有しており、円板２２の表面に円形
の孔２３が複数形成されることで構成されている。ここ
では、円板２２の直径を２６cm、貫通孔の直径を２０cm
とし、その表面に直径５mm、深さ１０mmの孔２３が７２
個設けられているものとしている。そして、この貫通孔
２４の内部に、載置台１５が位置するようになってい
る。
【００２４】真空槽１１の内部側面の近傍には、防着板
１９が設けられている。この防着板１９は、その上端部
が真空槽１１内部上方の側面に固定され、下端部が、対
向電極２１の表面近くに位置するように、真空槽１１の
内部側面に近接し、内部側面と略平行の状態で配置され
ている。
１９が設けられている。この防着板１９は、その上端部
が真空槽１１内部上方の側面に固定され、下端部が、対
向電極２１の表面近くに位置するように、真空槽１１の
内部側面に近接し、内部側面と略平行の状態で配置され
ている。
【００２５】真空槽１１外部には、高周波電源１４が設
けられている。この高周波電源１４はバッキングプレー
ト１２に接続されており、高周波電源１４を起動する
と、バッキングプレート１２を介してターゲット１３に
高周波電力を供給することができるように構成されてい
る。
けられている。この高周波電源１４はバッキングプレー
ト１２に接続されており、高周波電源１４を起動する
と、バッキングプレート１２を介してターゲット１３に
高周波電力を供給することができるように構成されてい
る。
【００２６】かかる構成のスパッタリング装置を用い
て、直径８インチ(約２０cm)のシリコン基板表面に誘電
体膜であるSrTiO3薄膜を成膜するには、まず、真空槽１
１内部を真空排気し、真空状態を維持しながらシリコン
からなる基板２０を真空槽１１内部に搬入し、載置台１
５表面に載置する。
て、直径８インチ(約２０cm)のシリコン基板表面に誘電
体膜であるSrTiO3薄膜を成膜するには、まず、真空槽１
１内部を真空排気し、真空状態を維持しながらシリコン
からなる基板２０を真空槽１１内部に搬入し、載置台１
５表面に載置する。
【００２７】次に、ガス導入口１７から、スパッタガス
としてアルゴン(Ａｒ)ガスを１０SCCM、酸素(Ｏ2)ガス
を１SCCM、それぞれ真空槽１１内に導入し、真空槽１１
内部の圧力が０．１Ｐａになるようにする。その後高周
波電源１４を起動し、ターゲット１３に、周波数１３．
５６ＭＨｚ、ＲＦパワー１ｋＷの高周波電力を供給する
と、真空槽１１内部で放電が生じる。放電が生じると、
ターゲット１３がスパッタリングされる。
としてアルゴン(Ａｒ)ガスを１０SCCM、酸素(Ｏ2)ガス
を１SCCM、それぞれ真空槽１１内に導入し、真空槽１１
内部の圧力が０．１Ｐａになるようにする。その後高周
波電源１４を起動し、ターゲット１３に、周波数１３．
５６ＭＨｚ、ＲＦパワー１ｋＷの高周波電力を供給する
と、真空槽１１内部で放電が生じる。放電が生じると、
ターゲット１３がスパッタリングされる。
【００２８】このとき、スパッタリングされたターゲッ
ト材料は、ターゲット１３直下に配置された基板２０の
表面方向に飛行するほか、真空槽１１の内部側面方向や
内部底面方向にも飛散するが、真空槽１１内部側面には
防着板１９が配置され、また、真空槽１１の内部底面に
は、載置台１５の周囲に対向電極２１が配置されている
ので、飛散したターゲット材料は、真空槽１１の内部側
面や内部底面には直接付着しない。こうして基板２０の
表面にSrTiO3がスパッタリングされることにより、基板
２０の表面にSrTiO3薄膜が成膜される。
ト材料は、ターゲット１３直下に配置された基板２０の
表面方向に飛行するほか、真空槽１１の内部側面方向や
内部底面方向にも飛散するが、真空槽１１内部側面には
防着板１９が配置され、また、真空槽１１の内部底面に
は、載置台１５の周囲に対向電極２１が配置されている
ので、飛散したターゲット材料は、真空槽１１の内部側
面や内部底面には直接付着しない。こうして基板２０の
表面にSrTiO3がスパッタリングされることにより、基板
２０の表面にSrTiO3薄膜が成膜される。
【００２９】基板２０の表面に所定膜厚のSrTiO3薄膜が
成膜されたら、スパッタガスであるＡｒガス、Ｏ2ガス
の導入と、高周波電力の供給を止めてスパッタリング処
理を終了し、真空槽１１内部の真空状態を維持しながら
処理済みの基板２０を真空槽１１外へ取り出す。
成膜されたら、スパッタガスであるＡｒガス、Ｏ2ガス
の導入と、高周波電力の供給を止めてスパッタリング処
理を終了し、真空槽１１内部の真空状態を維持しながら
処理済みの基板２０を真空槽１１外へ取り出す。
【００３０】次いで、真空槽１１内部の真空状態を維持
しながら、新たな基板を真空槽１１内へと搬入し、上述
した成膜処理と同様の成膜処理を行う。この成膜処理を
複数回繰り返すことにより、複数の基板に連続的にSrTi
O3薄膜を成膜することができる。
しながら、新たな基板を真空槽１１内へと搬入し、上述
した成膜処理と同様の成膜処理を行う。この成膜処理を
複数回繰り返すことにより、複数の基板に連続的にSrTi
O3薄膜を成膜することができる。
【００３１】本発明の発明者等は、このようにして複数
枚の基板の成膜処理をしつつ、基板ごとに、その成膜速
度と、Ｓｒ／Ｔｉ組成比とを逐次測定した。その測定結
果を図３の曲線(Ａ)、(Ｂ)に示す。曲線(Ａ)は、処理枚
数と成膜速度との関係を示しており、曲線(Ｂ)は、処理
枚数とＳｒ／Ｔｉ組成比との関係を示している。
枚の基板の成膜処理をしつつ、基板ごとに、その成膜速
度と、Ｓｒ／Ｔｉ組成比とを逐次測定した。その測定結
果を図３の曲線(Ａ)、(Ｂ)に示す。曲線(Ａ)は、処理枚
数と成膜速度との関係を示しており、曲線(Ｂ)は、処理
枚数とＳｒ／Ｔｉ組成比との関係を示している。
【００３２】曲線(Ａ)より、１枚目の基板における成膜
速度は１０nm/minであったが、１０枚目の基板では成膜
速度は８nm/minまで低下した。しかしながらその後は成
膜速度には変化はなく、８nm/minなる一定値を保った。
速度は１０nm/minであったが、１０枚目の基板では成膜
速度は８nm/minまで低下した。しかしながらその後は成
膜速度には変化はなく、８nm/minなる一定値を保った。
【００３３】また、曲線(Ｂ)に示すように、１枚目の基
板のＳｒ／Ｔｉ組成比は１．２であったものが、１０枚
目の基板では１．０まで低下したものの、その後は変化
はなく、１．０なる一定値を保った。本発明の発明者等
はその後処理枚数１００枚まで測定を行ったが、その間
成膜速度及びＳｒ／Ｔｉ組成比はともに一定値を保って
いた。
板のＳｒ／Ｔｉ組成比は１．２であったものが、１０枚
目の基板では１．０まで低下したものの、その後は変化
はなく、１．０なる一定値を保った。本発明の発明者等
はその後処理枚数１００枚まで測定を行ったが、その間
成膜速度及びＳｒ／Ｔｉ組成比はともに一定値を保って
いた。
【００３４】なお、１０枚目以降の基板について、その
表面に付着したパーティクルを測定したところ、１枚の
基板における０．３μｍ径以上のパーティクルの数は、
平均して２００個程度であった。
表面に付着したパーティクルを測定したところ、１枚の
基板における０．３μｍ径以上のパーティクルの数は、
平均して２００個程度であった。
【００３５】このように、本実施形態のスパッタリング
装置１によれば、表面に孔２３が形成された対向電極２
１が載置台１５の周囲に配置され、防着板１９が真空槽
１１の内部側面に近接した状態で配置されているので、
従来と同様、スパッタリングされたSrTiO3が真空槽１１
の内部側面や内部底面に直接付着することはない。
装置１によれば、表面に孔２３が形成された対向電極２
１が載置台１５の周囲に配置され、防着板１９が真空槽
１１の内部側面に近接した状態で配置されているので、
従来と同様、スパッタリングされたSrTiO3が真空槽１１
の内部側面や内部底面に直接付着することはない。
【００３６】しかも、連続成膜により、対向電極２１の
表面に誘電体膜であるSrTiO3薄膜が成膜され、SrTiO3薄
膜の表面に正電荷が分布しても、対向電極２１の表面に
は多数の孔２３が形成されており、その表面積は大きい
ので、SrTiO3薄膜の表面に分布する正電荷の電荷密度は
相対的に小さくなり、対向電極２１表面の電位は、ほぼ
接地電位に保たれた状態になっている。このため、従来
に比して放電が安定になり、かつ連続的に複数の基板表
面に成膜しても、各基板ごとに成膜速度や薄膜の組成比
をほぼ一定の状態に保つことができる。
表面に誘電体膜であるSrTiO3薄膜が成膜され、SrTiO3薄
膜の表面に正電荷が分布しても、対向電極２１の表面に
は多数の孔２３が形成されており、その表面積は大きい
ので、SrTiO3薄膜の表面に分布する正電荷の電荷密度は
相対的に小さくなり、対向電極２１表面の電位は、ほぼ
接地電位に保たれた状態になっている。このため、従来
に比して放電が安定になり、かつ連続的に複数の基板表
面に成膜しても、各基板ごとに成膜速度や薄膜の組成比
をほぼ一定の状態に保つことができる。
【００３７】本発明の発明者等は、上述した本実施形態
のスパッタリング装置と比較する意味で、図８に示した
従来の装置を用いて、上述した本実施形態と同じ条件で
複数の基板表面に連続的にSrTiO3薄膜の成膜処理を行
い、処理枚数と成膜速度の関係と、処理枚数とＳｒ／Ｔ
ｉ組成比の関係を調べた。図４の曲線(Ｃ)に、処理枚数
と成膜速度との関係を示し、曲線(Ｄ)に処理枚数とＳｒ
／Ｔｉ組成比との関係を示す。
のスパッタリング装置と比較する意味で、図８に示した
従来の装置を用いて、上述した本実施形態と同じ条件で
複数の基板表面に連続的にSrTiO3薄膜の成膜処理を行
い、処理枚数と成膜速度の関係と、処理枚数とＳｒ／Ｔ
ｉ組成比の関係を調べた。図４の曲線(Ｃ)に、処理枚数
と成膜速度との関係を示し、曲線(Ｄ)に処理枚数とＳｒ
／Ｔｉ組成比との関係を示す。
【００３８】曲線(Ｃ)に示すように、１枚目の基板で１
０nm/minであった成膜速度は、１５枚目で４．５nm/min
まで低下しており、当初の６５％まで低下した。また、
曲線(Ｄ)に示すように、Ｓｒ／Ｔｉ組成比は、１枚目の
基板で１．２であったが、１５枚目の基板では０．８２
となっており、大きく低下した。しかも、１６枚目以降
はターゲット１３にＲＦパワーを供給しても放電が生じ
なくなり、成膜が不可能になってしまった。
０nm/minであった成膜速度は、１５枚目で４．５nm/min
まで低下しており、当初の６５％まで低下した。また、
曲線(Ｄ)に示すように、Ｓｒ／Ｔｉ組成比は、１枚目の
基板で１．２であったが、１５枚目の基板では０．８２
となっており、大きく低下した。しかも、１６枚目以降
はターゲット１３にＲＦパワーを供給しても放電が生じ
なくなり、成膜が不可能になってしまった。
【００３９】本発明の発明者等は、上述した図１のスパ
ッタリング装置１において、防着板１９を、絶縁ガラス
を用いて真空槽１１に固定することにより、防着板１９
及びアースシールド１６の電位をともにフローティング
状態にし、対向電極２１のみを接地した装置を用いて、
上述した成膜条件と同じ条件で複数の基板表面に連続的
にSrTiO3薄膜を成膜し、処理枚数と成膜速度の関係と、
処理枚数とＳｒ／Ｔｉ組成比の関係とをそれぞれ調べ
た。図５の曲線(Ｅ)に、処理枚数と成膜速度との関係を
示し、曲線(Ｆ)に処理枚数とＳｒ／Ｔｉ組成比との関係
を示す。
ッタリング装置１において、防着板１９を、絶縁ガラス
を用いて真空槽１１に固定することにより、防着板１９
及びアースシールド１６の電位をともにフローティング
状態にし、対向電極２１のみを接地した装置を用いて、
上述した成膜条件と同じ条件で複数の基板表面に連続的
にSrTiO3薄膜を成膜し、処理枚数と成膜速度の関係と、
処理枚数とＳｒ／Ｔｉ組成比の関係とをそれぞれ調べ
た。図５の曲線(Ｅ)に、処理枚数と成膜速度との関係を
示し、曲線(Ｆ)に処理枚数とＳｒ／Ｔｉ組成比との関係
を示す。
【００４０】曲線(Ｅ)に示すように、１枚目の基板で９
nm/minであった成膜速度は、２枚目には８nm/minまで低
下したが、その後は変化なく、一定値を保った。また、
曲線(Ｆ)に示すように、１枚目の基板で１．１であった
Ｓｒ／Ｔｉ組成比は、２枚目の基板では１．０に低下し
たが、その後は変化なく一定値を保ち、成膜速度及び組
成比が一定になることが確認できた。
nm/minであった成膜速度は、２枚目には８nm/minまで低
下したが、その後は変化なく、一定値を保った。また、
曲線(Ｆ)に示すように、１枚目の基板で１．１であった
Ｓｒ／Ｔｉ組成比は、２枚目の基板では１．０に低下し
たが、その後は変化なく一定値を保ち、成膜速度及び組
成比が一定になることが確認できた。
【００４１】本発明の発明者等はさらに調査研究を重
ね、対向電極２１に複数の孔２３を設けない場合にも、
成膜速度や組成比が一定になるか否かを調べた。この対
向電極の構成を図７(ａ)、(ｂ)の符号４１に示す。この
対向電極４１は、円板４２の中央に円形の貫通孔４４が
設けられることで構成されている点では図２の対向電極
２１と同じであるが、表面に孔が全く設けられていない
点で図２の対向電極２１と異なる。異なる点はこの点の
みであって、円板４２の直径、貫通孔４４の直径はいず
れも図２の対向電極２１と同じである。
ね、対向電極２１に複数の孔２３を設けない場合にも、
成膜速度や組成比が一定になるか否かを調べた。この対
向電極の構成を図７(ａ)、(ｂ)の符号４１に示す。この
対向電極４１は、円板４２の中央に円形の貫通孔４４が
設けられることで構成されている点では図２の対向電極
２１と同じであるが、表面に孔が全く設けられていない
点で図２の対向電極２１と異なる。異なる点はこの点の
みであって、円板４２の直径、貫通孔４４の直径はいず
れも図２の対向電極２１と同じである。
【００４２】かかる構造の対向電極４１を、図１の対向
電極２１に代えて載置台１５の周囲に配置し、上述の成
膜条件と同様の条件で、複数の基板表面に連続的にSrTi
O3薄膜を成膜し、処理枚数と成膜速度の関係と、処理枚
数とＳｒ／Ｔｉ組成比の関係とをそれぞれ調べた。
電極２１に代えて載置台１５の周囲に配置し、上述の成
膜条件と同様の条件で、複数の基板表面に連続的にSrTi
O3薄膜を成膜し、処理枚数と成膜速度の関係と、処理枚
数とＳｒ／Ｔｉ組成比の関係とをそれぞれ調べた。
【００４３】その結果、成膜速度は１枚目が１０nm/min
だったものが１５枚目には５nm/minとなり、５０％も減
少したことが確認された。同様に、Ｓｒ／Ｔｉ組成比
も、最初は１．２であったものが１６枚目には０．８ま
で低下したことが確認された。さらに、１６枚目以降は
プラズマが点滅して安定放電が不可能になった。
だったものが１５枚目には５nm/minとなり、５０％も減
少したことが確認された。同様に、Ｓｒ／Ｔｉ組成比
も、最初は１．２であったものが１６枚目には０．８ま
で低下したことが確認された。さらに、１６枚目以降は
プラズマが点滅して安定放電が不可能になった。
【００４４】この結果より、対向電極を設けても、その
表面に孔が形成されていない場合には、所望の効果を得
ることができないことがわかった。これは、表面に孔が
形成されないと、対向電極の表面積が大きくならないこ
とによるものと考えられる。
表面に孔が形成されていない場合には、所望の効果を得
ることができないことがわかった。これは、表面に孔が
形成されないと、対向電極の表面積が大きくならないこ
とによるものと考えられる。
【００４５】本発明の発明者等は、対向電極２１の表面
に形成される孔の直径、深さ、個数と、成膜速度、組成
比との関係を調べるため、その形状、大きさは同じであ
るが、孔の直径、深さ、個数がそれぞれ異なる複数の対
向電極を用意した。ここでは、各対向電極は、直径が２
６cmの円板の中央に、直径２０cmの円形の貫通孔が設け
られたものを使用している。こうして用意されたそれぞ
れの対向電極を、上述した図１で示したスパッタリング
装置１に設け、複数の基板に連続的にSrTiO3薄膜を成膜
し、各対向電極について成膜速度と組成比の関係を調べ
た。その結果を下記の表１に示す。
に形成される孔の直径、深さ、個数と、成膜速度、組成
比との関係を調べるため、その形状、大きさは同じであ
るが、孔の直径、深さ、個数がそれぞれ異なる複数の対
向電極を用意した。ここでは、各対向電極は、直径が２
６cmの円板の中央に、直径２０cmの円形の貫通孔が設け
られたものを使用している。こうして用意されたそれぞ
れの対向電極を、上述した図１で示したスパッタリング
装置１に設け、複数の基板に連続的にSrTiO3薄膜を成膜
し、各対向電極について成膜速度と組成比の関係を調べ
た。その結果を下記の表１に示す。
【００４６】
【表１】
【００４７】対向電極の表面積は、表面に形成された孔
の直径や深さが大きいほど大きくなり、また孔の個数が
多いほど大きくなるが、上記の表１より、直径に対する
孔の深さの比が２より小さい浅い孔が形成された対向電
極については、成膜速度や組成比が不安定になっている
ことがわかる。
の直径や深さが大きいほど大きくなり、また孔の個数が
多いほど大きくなるが、上記の表１より、直径に対する
孔の深さの比が２より小さい浅い孔が形成された対向電
極については、成膜速度や組成比が不安定になっている
ことがわかる。
【００４８】また、基板としては直径２０cmの基板を用
いており、その表面積は３１４cm2になっているが、対
向電極の表面積が基板の表面積３１４cm2よりも小さい
場合にも、放電が不安定になっていることがわかる。
いており、その表面積は３１４cm2になっているが、対
向電極の表面積が基板の表面積３１４cm2よりも小さい
場合にも、放電が不安定になっていることがわかる。
【００４９】これに対し、直径に対する孔の深さの比が
２以上である深い孔が形成され、かつその表面積が基板
の表面積よりも大きい対向電極を用いた場合には、成膜
開始後、数枚〜１０枚程度で成膜速度や組成比が一定に
なり、その後成膜を繰り返しても一定を保つことが確認
できた。これは孔が深くなると孔の側壁に誘電体膜が付
きづらくなることによると考えられる。従って、誘電体
膜を連続成膜しても、成膜速度や組成比が一定になるよ
うにするには、表面に深い孔が形成され、その表面積が
大きい対向電極を用いればよい。孔の深さは、孔の径に
対して２倍以上であればよく、例えば４倍であってもよ
い。
２以上である深い孔が形成され、かつその表面積が基板
の表面積よりも大きい対向電極を用いた場合には、成膜
開始後、数枚〜１０枚程度で成膜速度や組成比が一定に
なり、その後成膜を繰り返しても一定を保つことが確認
できた。これは孔が深くなると孔の側壁に誘電体膜が付
きづらくなることによると考えられる。従って、誘電体
膜を連続成膜しても、成膜速度や組成比が一定になるよ
うにするには、表面に深い孔が形成され、その表面積が
大きい対向電極を用いればよい。孔の深さは、孔の径に
対して２倍以上であればよく、例えば４倍であってもよ
い。
【００５０】本発明の発明者等は、さらに調査研究を重
ね、上述のスパッタリング装置１に、対向電極２１に代
えて、対向電極２１と形状が異なる対向電極を設け、そ
の装置を用いて複数のシリコン基板表面にSrTiO3薄膜を
連続的に成膜する処理を行った。
ね、上述のスパッタリング装置１に、対向電極２１に代
えて、対向電極２１と形状が異なる対向電極を設け、そ
の装置を用いて複数のシリコン基板表面にSrTiO3薄膜を
連続的に成膜する処理を行った。
【００５１】その対向電極の詳細な構成を図６(ａ)、
(ｂ)の符号３１に示す。この対向電極３１は、中央に円
形の貫通孔３４を有するアルミニウム製の円板３２の表
面に、円形の孔３３が複数形成されている点では、図２
に示した対向電極２１と同じであるが、円板３２の表面
が、貫通孔３４の開口面の法線方向に対して、外側に１
０°傾いている点で図２に示した対向電極２１と異な
る。異なる点はこの点だけであって、円板３２の直径
や、貫通孔３４の直径、孔３３の個数、直径、深さなど
は図２に示した対向電極２１と同じ値である。
(ｂ)の符号３１に示す。この対向電極３１は、中央に円
形の貫通孔３４を有するアルミニウム製の円板３２の表
面に、円形の孔３３が複数形成されている点では、図２
に示した対向電極２１と同じであるが、円板３２の表面
が、貫通孔３４の開口面の法線方向に対して、外側に１
０°傾いている点で図２に示した対向電極２１と異な
る。異なる点はこの点だけであって、円板３２の直径
や、貫通孔３４の直径、孔３３の個数、直径、深さなど
は図２に示した対向電極２１と同じ値である。
【００５２】かかる対向電極３１が設けられたスパッタ
リング装置を用いて、連続的に複数の基板に成膜処理を
し、基板ごとに、その成膜速度と、Ｓｒ／Ｔｉ組成比と
を逐次測定した。その結果、上述した対向電極２１を用
いたスパッタリング装置１とほぼ同様の結果が得られ、
成膜速度やＳｒ／Ｔｉ組成比はほぼ一定になった。
リング装置を用いて、連続的に複数の基板に成膜処理を
し、基板ごとに、その成膜速度と、Ｓｒ／Ｔｉ組成比と
を逐次測定した。その結果、上述した対向電極２１を用
いたスパッタリング装置１とほぼ同様の結果が得られ、
成膜速度やＳｒ／Ｔｉ組成比はほぼ一定になった。
【００５３】この場合に、１０枚目以降の基板表面に付
着したパーティクルを測定した結果、基板ごとの０．３
μｍ径以上のパーティクルの個数は、平均して４０個と
なっており、上述した対向電極２１を用いたスパッタリ
ング装置１に比して、パーティクルの個数は少なくなる
ことがわかった。
着したパーティクルを測定した結果、基板ごとの０．３
μｍ径以上のパーティクルの個数は、平均して４０個と
なっており、上述した対向電極２１を用いたスパッタリ
ング装置１に比して、パーティクルの個数は少なくなる
ことがわかった。
【００５４】なお、以上までで説明した実施形態では、
対向電極２１、３１として、それぞれ円板２２、３２に
貫通孔２４、３４が設けられたものを用いたが、本発明
の対向電極や貫通孔の形状はこれに限られるものではな
く、例えば矩形であってもよい。
対向電極２１、３１として、それぞれ円板２２、３２に
貫通孔２４、３４が設けられたものを用いたが、本発明
の対向電極や貫通孔の形状はこれに限られるものではな
く、例えば矩形であってもよい。
【００５５】また、対向電極２１、３１の表面にそれぞ
れ設けられた孔２３、３３の平面形状を円形としている
が、本発明の対向電極の孔の形状はこれに限られるもの
ではなく、例えば平面が矩形の孔であってもよい。
れ設けられた孔２３、３３の平面形状を円形としている
が、本発明の対向電極の孔の形状はこれに限られるもの
ではなく、例えば平面が矩形の孔であってもよい。
【００５６】さらに、ターゲットとして、SrTiO3の焼結
体を用いて、SrTiO3薄膜をシリコン基板表面に成膜する
ものとしているが、本発明はこれに限られるものではな
く、ターゲットとして例えばBaTiO3、(BaSr)TiO3、Pb(Z
rTi)O3、SrBi2Ta2O9等の誘電体の焼結体を用いて、これ
らの誘電体膜を成膜するようにしてもよい。
体を用いて、SrTiO3薄膜をシリコン基板表面に成膜する
ものとしているが、本発明はこれに限られるものではな
く、ターゲットとして例えばBaTiO3、(BaSr)TiO3、Pb(Z
rTi)O3、SrBi2Ta2O9等の誘電体の焼結体を用いて、これ
らの誘電体膜を成膜するようにしてもよい。
【００５７】また、本実施形態では、ターゲット１３と
載置台１５が真空槽１１内部で上下に配置されるものと
しているが、本発明はこれに限らず、例えば載置台１５
表面の法線方向が水平になるように載置台１５を配置
し、これと対向するようにターゲット１３を配置しても
よい。
載置台１５が真空槽１１内部で上下に配置されるものと
しているが、本発明はこれに限らず、例えば載置台１５
表面の法線方向が水平になるように載置台１５を配置
し、これと対向するようにターゲット１３を配置しても
よい。
【００５８】さらに、上述した各実施形態では、対向電
極２１、３１は、厚い円板の表面に複数の深い孔を形成
し、表面に凹凸を設けたが、本発明の対向電極はこれに
限られるものではなく、例えば薄い板の表面に、棒状の
突起を多数設けて、凹凸を形成してもよい。
極２１、３１は、厚い円板の表面に複数の深い孔を形成
し、表面に凹凸を設けたが、本発明の対向電極はこれに
限られるものではなく、例えば薄い板の表面に、棒状の
突起を多数設けて、凹凸を形成してもよい。
【００５９】
【発明の効果】誘電体膜を連続成膜しても、放電が安定
になり、成膜速度や組成比を一定に保つことができる。
になり、成膜速度や組成比を一定に保つことができる。
【図１】本発明の一実施形態のスパッタリング装置の構
成を説明する断面図
成を説明する断面図
【図２】(ａ)：本発明の一実施形態のスパッタリング装
置に用いられる対向電極の一例を説明する平面図 (ｂ)：本発明の一実施形態のスパッタリング装置に用い
られる対向電極の一例を説明する断面図
置に用いられる対向電極の一例を説明する平面図 (ｂ)：本発明の一実施形態のスパッタリング装置に用い
られる対向電極の一例を説明する断面図
【図３】本発明の一実施形態のスパッタリング装置で連
続成膜した場合における、処理枚数と、成膜速度及び組
成比との関係を説明するグラフ
続成膜した場合における、処理枚数と、成膜速度及び組
成比との関係を説明するグラフ
【図４】従来のスパッタリング装置で連続成膜した場合
における、処理枚数と、成膜速度及び組成比との関係を
説明するグラフ
における、処理枚数と、成膜速度及び組成比との関係を
説明するグラフ
【図５】本発明の他の実施形態のスパッタリング装置で
連続成膜した場合における、処理枚数と、成膜速度及び
組成比との関係を説明するグラフ
連続成膜した場合における、処理枚数と、成膜速度及び
組成比との関係を説明するグラフ
【図６】(ａ)：本発明の一実施形態のスパッタリング装
置に用いられる他の対向電極の一例を説明する平面図 (ｂ)：本発明の一実施形態のスパッタリング装置に用い
られる他の対向電極の一例を説明する断面図
置に用いられる他の対向電極の一例を説明する平面図 (ｂ)：本発明の一実施形態のスパッタリング装置に用い
られる他の対向電極の一例を説明する断面図
【図７】(ａ)：本発明の一実施形態のスパッタリング装
置に用いられるその他の対向電極の一例を説明する平面
図 (ｂ)：本発明の一実施形態のスパッタリング装置に用い
られるその他の対向電極の一例を説明する断面図
置に用いられるその他の対向電極の一例を説明する平面
図 (ｂ)：本発明の一実施形態のスパッタリング装置に用い
られるその他の対向電極の一例を説明する断面図
【図８】従来のスパッタリング装置の構成を説明する断
面図
面図
１……スパッタリング装置 １１……真空槽 １３
……ターゲット １５……載置台 １９……防着板
２１……対向電極 ２３……孔 ２４……貫通
孔
……ターゲット １５……載置台 １９……防着板
２１……対向電極 ２３……孔 ２４……貫通
孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鄒 紅コウ 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 Ｆターム(参考） 4K029 BA50 DC05 DC28 DC35 5F045 AA19 AB31 AC11 AC16 AE13 BB03 BB08 BB15 DP04 EB02 EC05 EH08 EH13 EH20 GB11 5F103 AA08 BB09 BB22 BB23 BB25 BB33 DD30 NN02 RR01
Claims (8)
- 【請求項１】真空槽と、 前記真空槽内部に配置されたターゲットと、 前記ターゲットと対向して前記真空槽内部に配置され、
基板を保持できるように構成された基板保持部と、 表面がターゲット側を向くように前記基板保持部の周囲
に配置され、かつ表面に凹凸が形成され、接地された対
向電極とを有することを特徴とするスパッタリング装
置。 - 【請求項２】前記対向電極は、中央に貫通孔を有し、 前記基板保持部は、前記貫通孔内部に配置されたことを
特徴とする請求項１記載のスパッタリング装置。 - 【請求項３】前記凹凸は、前記対向電極の表面に、複数
の孔が形成されることで形成されることを特徴とする請
求項１又は請求項２のいずれか１項記載のスパッタリン
グ装置。 - 【請求項４】前記孔の深さは、前記孔の径に比して２倍
以上であることを特徴とする請求項３記載のスパッタリ
ング装置。 - 【請求項５】前記ターゲットは、前記真空槽の内部天井
側に配置され、前記対向電極は、前記真空槽の内部底面
側に配置され、 前記対向電極の表面は、その外側の高さが、内側の高さ
よりも低くなるように傾いていることを特徴とする請求
項１乃至請求項４のいずれか１項記載のスパッタリング
装置。 - 【請求項６】前記対向電極の表面は、水平面に対して１
０°以上傾いていることを特徴とする請求項５記載のス
パッタリング装置。 - 【請求項７】前記ターゲットは、BaTiO3、SrTiO3、(BaS
r)TiO3、Pb(ZrTi)O3、又はSrBi2Ta2O9のいずれか一つを
主成分とする誘電体であることを特徴とする請求項１乃
至請求項６のいずれか１項記載のスパッタリング装置。 - 【請求項８】前記真空槽内では、前記対向電極のみが接
地されるように構成されたことを特徴とする請求項１乃
至請求項７のいずれか１項記載のスパッタリング装置。
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