JPH02118067A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH02118067A JPH02118067A JP26946288A JP26946288A JPH02118067A JP H02118067 A JPH02118067 A JP H02118067A JP 26946288 A JP26946288 A JP 26946288A JP 26946288 A JP26946288 A JP 26946288A JP H02118067 A JPH02118067 A JP H02118067A
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、スパッタリング装置に関するものである。
（従来の技術）
従来のスパッタリング装置は、一般に第２図に示すよう
に、基板４を平らな基板ホルダー５上に設置し、真空容
器１を真空にした後、放電ガスを導入し、電極２，２間
に高電圧を印加してプラズマを発生させ、ターゲット３
の構成原子を放電ガスイオンでたたき出し、基板４上に
堆積させて暎を形成していた。
に、基板４を平らな基板ホルダー５上に設置し、真空容
器１を真空にした後、放電ガスを導入し、電極２，２間
に高電圧を印加してプラズマを発生させ、ターゲット３
の構成原子を放電ガスイオンでたたき出し、基板４上に
堆積させて暎を形成していた。
（発明が解決しようとするａ題）
このような従来の構成においては、ターゲット３からた
たき出されたターゲット原子は、直接基板に到達せず、
放電ガス原子と衝突して散乱されながらあらゆる方向か
ら基板に到達して１模を形成する。このため１１情の構
造は柱状構造となる。特に導電材料をスパッタする場合
、）漠が柱状構造をしていれば１粒界が増え、′ｆｅＬ
気抵抗が高くなるという問題点があった。
たき出されたターゲット原子は、直接基板に到達せず、
放電ガス原子と衝突して散乱されながらあらゆる方向か
ら基板に到達して１模を形成する。このため１１情の構
造は柱状構造となる。特に導電材料をスパッタする場合
、）漠が柱状構造をしていれば１粒界が増え、′ｆｅＬ
気抵抗が高くなるという問題点があった。
瞑の柱状構造を防ぐ方法としては、基板加熱を行い、基
板へ到達したスパッタ原子の基板表面での表面拡散を促
進するか、ターゲット−基板間隔をスパッタ原子の平均
自由行程程度の長さまで縮める方法が考えられるが、前
者の方法では、基板の温度が十Ｖｉ、するという問題が
あり、後者の方法では、膜の均一性が悪くなるという問
題がある。
板へ到達したスパッタ原子の基板表面での表面拡散を促
進するか、ターゲット−基板間隔をスパッタ原子の平均
自由行程程度の長さまで縮める方法が考えられるが、前
者の方法では、基板の温度が十Ｖｉ、するという問題が
あり、後者の方法では、膜の均一性が悪くなるという問
題がある。
（課題を解決するための手段）
この問題点を解決するために、本発明は、断面凹形の基
板ホルダーの内底部に基板を設置し、り−ゲット原子の
斜め入射を防ぐようにして基板上に膜を形成するという
ものである。
板ホルダーの内底部に基板を設置し、り−ゲット原子の
斜め入射を防ぐようにして基板上に膜を形成するという
ものである。
（作 用）
本発明を用いることにより、斜め方向から基板へ入射す
るターゲット＋ｔｇ子を減らすことが可能となる。
るターゲット＋ｔｇ子を減らすことが可能となる。
（実施例）
第１図は、本発明の一実施例におけるスパッタリング装
置の構成を模式的に示したものであり、第２図と同一符
号のものは同一のものを示し、６は側壁６ａを有する断
面凹形の基板ホルダーである。スパッタを行う際は、基
板ホルダー６の内底部に基板４を設置する。
置の構成を模式的に示したものであり、第２図と同一符
号のものは同一のものを示し、６は側壁６ａを有する断
面凹形の基板ホルダーである。スパッタを行う際は、基
板ホルダー６の内底部に基板４を設置する。
例えば基板としてシリコンウェハを設置し、真空容器１
内を２．ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒ以下の真空に排気し
た後、放電ガスとしてアルゴン（Ａｒ）を導入し、電極
２，２間に高電圧を印加してプラズマを発生させ、ター
ゲット３１例えばタングステンをＡｒガスイオンでたた
き出し、基板４上に０．５戸厚の膜を形成した。この時
のＡ「ガス圧力は１０ｍＴｏｒｒで、ターゲット−基板
間隔は６０Ｉｆｆ１１である。また基板は水冷しである
。以上の条件で形成した膜の電気抵抗率は、 ５．０Ｘ
１０−’Ω−１で、走査型電子顕微鏡（Ｓ ＥＭ）によ
る断面観察の結果、顕著な柱状構造は認められなかった
。
内を２．ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒ以下の真空に排気し
た後、放電ガスとしてアルゴン（Ａｒ）を導入し、電極
２，２間に高電圧を印加してプラズマを発生させ、ター
ゲット３１例えばタングステンをＡｒガスイオンでたた
き出し、基板４上に０．５戸厚の膜を形成した。この時
のＡ「ガス圧力は１０ｍＴｏｒｒで、ターゲット−基板
間隔は６０Ｉｆｆ１１である。また基板は水冷しである
。以上の条件で形成した膜の電気抵抗率は、 ５．０Ｘ
１０−’Ω−１で、走査型電子顕微鏡（Ｓ ＥＭ）によ
る断面観察の結果、顕著な柱状構造は認められなかった
。
第２図のように、平らな基板ホルダーに基板を設置し、
同条件で膜を形成した場合、膜の電気抵抗率は２．ＯＸ
１０−’Ω−１で、ＳＥＭによる断面観亭の結果、柱
状構造が認められ、平均粒径は０．１μｍであった。
同条件で膜を形成した場合、膜の電気抵抗率は２．ＯＸ
１０−’Ω−１で、ＳＥＭによる断面観亭の結果、柱
状構造が認められ、平均粒径は０．１μｍであった。
基板ホルダー６の側壁６ａで、斜め方向から基板へ入射
するターゲット原子が阻止されることにより、形成され
た膜の構造は柱状構造を示さなくなるものと考えられる
。
するターゲット原子が阻止されることにより、形成され
た膜の構造は柱状構造を示さなくなるものと考えられる
。
（発明の効果）
以−ヒ詳述したように、断面凹形の基板ホルダー内に基
板を設置し、膜を堆積することで、ターゲットからたた
き出されたターゲット原子のうち。
板を設置し、膜を堆積することで、ターゲットからたた
き出されたターゲット原子のうち。
放電ガス原子と衝突して散乱され、基板へ斜め方向から
入射するターゲット原子を、基板ホルダーの側壁で阻止
することができ、膜構造が柱状構造となるのを防ぐこと
ができる。
入射するターゲット原子を、基板ホルダーの側壁で阻止
することができ、膜構造が柱状構造となるのを防ぐこと
ができる。
第１図は１本発明の一実施例のスパッタ装置の構成を示
す模式［１４，第２図は、従来のスパッタ装置の構成を
示す模式図である。 １、・・真空容器、 ２ ・・電極、 ３ターゲツト、
４ ・・・基板、 ６ ・・・基板ホルダー、 ６ａ
・・・側壁。 第 図 特許出願人 松下電子工業株式会社
す模式［１４，第２図は、従来のスパッタ装置の構成を
示す模式図である。 １、・・真空容器、 ２ ・・電極、 ３ターゲツト、
４ ・・・基板、 ６ ・・・基板ホルダー、 ６ａ
・・・側壁。 第 図 特許出願人 松下電子工業株式会社
Claims (1)
- 放電ガスイオンによりたたき出されたターゲット原子の
基板への斜め入射を防ぐための側壁を有する断面凹形の
基板ホルダーを備え、その基板ホルダーの内底部に設置
した基板上に膜を形成することを特徴とするスパッタリ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26946288A JPH02118067A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26946288A JPH02118067A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02118067A true JPH02118067A (ja) | 1990-05-02 |
Family
ID=17472776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26946288A Pending JPH02118067A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02118067A (ja) |
-
1988
- 1988-10-27 JP JP26946288A patent/JPH02118067A/ja active Pending
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