JP2002033419A - 高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法 - Google Patents
高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法Info
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【課題】シールドを行うときにも、部品点数の増加を抑
制する。 【解決手段】基板１上に搭載された電子部品７，８でも
って構成された高周波回路部３と、高周波回路部３を電
磁遮蔽するシールド被覆とを備えた構成において、電子
部品７，８を封入する樹脂モールド４を備え、樹脂モー
ルド４の表面に形成された金属膜５をシールド被覆とし
ている。
制する。 【解決手段】基板１上に搭載された電子部品７，８でも
って構成された高周波回路部３と、高周波回路部３を電
磁遮蔽するシールド被覆とを備えた構成において、電子
部品７，８を封入する樹脂モールド４を備え、樹脂モー
ルド４の表面に形成された金属膜５をシールド被覆とし
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無線通信が可能な
パーソナルコンピュータ等のような、無線通信機能を備
えた情報処理装置、あるいは、携帯電話等の無線通信装
置の分野において使用される高周波モジュール、および
高周波モジュールの製造方法に関するものである。
パーソナルコンピュータ等のような、無線通信機能を備
えた情報処理装置、あるいは、携帯電話等の無線通信装
置の分野において使用される高周波モジュール、および
高周波モジュールの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】携帯型の無線通信装置等に使用される高
周波モジュールの従来技術について、図５、図６を参照
しつつ説明する。なお、図５における（ａ）〜（ｅ）
は、各製造工程を順を追って示した斜視図となってお
り、（ｆ）は完成品の外観を示す斜視図となっている。
また、図６は、高周波モジュールの電気的構成を示して
いる。
周波モジュールの従来技術について、図５、図６を参照
しつつ説明する。なお、図５における（ａ）〜（ｅ）
は、各製造工程を順を追って示した斜視図となってお
り、（ｆ）は完成品の外観を示す斜視図となっている。
また、図６は、高周波モジュールの電気的構成を示して
いる。
【０００３】すなわち、高周波モジュールを製造する場
合、先ず、（ａ）に示すように、基板７４の所定の位置
に半田ペースト８１，・・・が塗布される。次いで、
（ｂ）に示すように、半田ペースト８１，・・・が塗布
された位置に対応して、高周波回路部７５を構成する電
子部品８２，・・・が搭載される。そして、（ｃ）に示
すように、高周波回路部７５を覆う形で、シールドケー
ス７６が基板７４上の所定の位置に搭載される。この
後、加熱が行われ、それぞれの半田ペースト８１，・・
・を溶融することによって、電子部品８２，・・・およ
びシールドケース７６が、基板７４に接続固定される。
合、先ず、（ａ）に示すように、基板７４の所定の位置
に半田ペースト８１，・・・が塗布される。次いで、
（ｂ）に示すように、半田ペースト８１，・・・が塗布
された位置に対応して、高周波回路部７５を構成する電
子部品８２，・・・が搭載される。そして、（ｃ）に示
すように、高周波回路部７５を覆う形で、シールドケー
ス７６が基板７４上の所定の位置に搭載される。この
後、加熱が行われ、それぞれの半田ペースト８１，・・
・を溶融することによって、電子部品８２，・・・およ
びシールドケース７６が、基板７４に接続固定される。
【０００４】次いで、（ｄ）に示すように、アンテナと
なる金属部材７８が、基板７４の所定の孔に嵌合された
後、基板７４の裏面側において、アンテナ７８は基板７
４のパターンに半田付けされる。次いで、（ｅ）に示す
ように、高周波回路部７５とアンテナ７８とを有する単
位区画がそれぞれに切り離され、（ｆ）に示す完成品と
なる。なお、７７は、基板７４の裏側において、高周波
回路部７５を電磁遮蔽する金属膜を示している（第１の
従来技術とする）。
なる金属部材７８が、基板７４の所定の孔に嵌合された
後、基板７４の裏面側において、アンテナ７８は基板７
４のパターンに半田付けされる。次いで、（ｅ）に示す
ように、高周波回路部７５とアンテナ７８とを有する単
位区画がそれぞれに切り離され、（ｆ）に示す完成品と
なる。なお、７７は、基板７４の裏側において、高周波
回路部７５を電磁遮蔽する金属膜を示している（第１の
従来技術とする）。
【０００５】また、高周波モジュールのシールドの構造
を示す従来技術が、特開平６−２０４６８１号として提
案されている。すなわち、この技術では、信号層におけ
る信号ラインを、電源層またはグランド層からなる一対
の層でもって、上下から挟んでいる。また、層を形成す
るパターンの縁部の間に生じるコンデンサ成分、また
は、層を互いに接続するスルホール、あるいは、基板の
側面に設けられ、層を互いに接続するコンデンサ素子に
よって、前記一対の層の縁部を高周波的に短絡してい
る。従って、信号ラインは、三次元的にシールドされる
ことになる。
を示す従来技術が、特開平６−２０４６８１号として提
案されている。すなわち、この技術では、信号層におけ
る信号ラインを、電源層またはグランド層からなる一対
の層でもって、上下から挟んでいる。また、層を形成す
るパターンの縁部の間に生じるコンデンサ成分、また
は、層を互いに接続するスルホール、あるいは、基板の
側面に設けられ、層を互いに接続するコンデンサ素子に
よって、前記一対の層の縁部を高周波的に短絡してい
る。従って、信号ラインは、三次元的にシールドされる
ことになる。
【０００６】また、金属箔シートまたは導電性塗料が、
貼着または塗布されたシートを所定形状に形成にした導
体キャップを、基板表面に設けられた素子に被せてい
る。かつ、この導体キャップを、最上層であるグランド
層に、半田や導電性接着剤によって電気的に接続してい
る。あるいは、前記導体キャップを、前記グランド層
に、容量的に結合している。従って、基板表面に設けら
れた素子についても、三次元的にシールドされることに
なる（第２の従来技術とする）。
貼着または塗布されたシートを所定形状に形成にした導
体キャップを、基板表面に設けられた素子に被せてい
る。かつ、この導体キャップを、最上層であるグランド
層に、半田や導電性接着剤によって電気的に接続してい
る。あるいは、前記導体キャップを、前記グランド層
に、容量的に結合している。従って、基板表面に設けら
れた素子についても、三次元的にシールドされることに
なる（第２の従来技術とする）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第１の
従来技術を用いた場合には、以下に示す問題を生じてい
た。すなわち、高周波回路部７５、アンテナ７８、シー
ルドケース７６のそれぞれを、基板７４に搭載する必要
があり、部品点数が多くなる。
従来技術を用いた場合には、以下に示す問題を生じてい
た。すなわち、高周波回路部７５、アンテナ７８、シー
ルドケース７６のそれぞれを、基板７４に搭載する必要
があり、部品点数が多くなる。
【０００８】また、シールドケース７６は、基板７４に
電気的に接続するため、基板７４に密着する折曲部７６
１が形成されている。従って、折曲部７６１のための面
積を基板７４上に確保する必要があるので、基板７４の
形状が大きくなり、高周波モジュールの小型化の障害の
１つとなっている。
電気的に接続するため、基板７４に密着する折曲部７６
１が形成されている。従って、折曲部７６１のための面
積を基板７４上に確保する必要があるので、基板７４の
形状が大きくなり、高周波モジュールの小型化の障害の
１つとなっている。
【０００９】また、製造工程においても、アンテナ７８
の半田付け作業時の姿勢の保持や、半田付け後の姿勢の
補正が必要になる。このため、品質の安定および製造工
程の自動化が困難である。
の半田付け作業時の姿勢の保持や、半田付け後の姿勢の
補正が必要になる。このため、品質の安定および製造工
程の自動化が困難である。
【００１０】また、第２の従来技術を用いた場合には、
以下に示す問題を生じていた。すなわち、第２の従来技
術は、６層あるいは８層等のように、極めて多くの層か
らなる多層基板に適用可能な技術となっている。このた
め、基板表面の全面に渡るグランド層を形成しないよう
な場合には、適用することが困難である。また、導体キ
ャップで搭載部品を覆う構成となっているので、部品点
数が増加する。
以下に示す問題を生じていた。すなわち、第２の従来技
術は、６層あるいは８層等のように、極めて多くの層か
らなる多層基板に適用可能な技術となっている。このた
め、基板表面の全面に渡るグランド層を形成しないよう
な場合には、適用することが困難である。また、導体キ
ャップで搭載部品を覆う構成となっているので、部品点
数が増加する。
【００１１】本発明は上記課題を解決するため創案され
たものであって、その目的は、搭載部品を封入する樹脂
モールドの表面に形成された金属膜をシールドに用いる
ことにより、シールドを行うときにも、部品点数の増加
を抑制することのできる高周波モジュールを提供するこ
とにある。
たものであって、その目的は、搭載部品を封入する樹脂
モールドの表面に形成された金属膜をシールドに用いる
ことにより、シールドを行うときにも、部品点数の増加
を抑制することのできる高周波モジュールを提供するこ
とにある。
【００１２】また、上記目的に加え、アンテナを基板の
内部の層に設けたパターンでもって形成することで、製
造工程の簡単化と形状の小型化とを行うことのできる高
周波モジュールを提供することにある。
内部の層に設けたパターンでもって形成することで、製
造工程の簡単化と形状の小型化とを行うことのできる高
周波モジュールを提供することにある。
【００１３】また、上記目的に加え、樹脂モールドに形
成された金属膜を、極めて低いインピーダンスで接地電
極に接続することのできる高周波モジュールを提供する
ことにある。
成された金属膜を、極めて低いインピーダンスで接地電
極に接続することのできる高周波モジュールを提供する
ことにある。
【００１４】また、本発明は、電子部品を封入した樹脂
モールドの表面に、電磁遮蔽する金属膜を形成すると共
に、金属膜の形成と金属膜の接地電極への接続を同時に
行うことにより、工程数の削減および工程の簡単化を図
ることのできる高周波モジュールの製造方法を提供する
ことにある。
モールドの表面に、電磁遮蔽する金属膜を形成すると共
に、金属膜の形成と金属膜の接地電極への接続を同時に
行うことにより、工程数の削減および工程の簡単化を図
ることのできる高周波モジュールの製造方法を提供する
ことにある。
【００１５】また、上記目的に加え、導電性接着剤を用
いることによって、電子部品の搭載と電気的接続とを同
時に行うことにより、製造工程を、より簡単化すること
のできる高周波モジュールの製造方法を提供することに
ある。
いることによって、電子部品の搭載と電気的接続とを同
時に行うことにより、製造工程を、より簡単化すること
のできる高周波モジュールの製造方法を提供することに
ある。
【００１６】また、上記目的に加え、接地電極の形成の
工程を簡単化することのできる高周波モジュールの製造
方法を提供することにある。
工程を簡単化することのできる高周波モジュールの製造
方法を提供することにある。
【００１７】また、上記目的に加え、金属膜を形成する
範囲を容易に限定することのできる高周波モジュールの
製造方法を提供することにある。
範囲を容易に限定することのできる高周波モジュールの
製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明に係る高周波モジュールは、基板上に搭載された
電子部品でもって構成された高周波回路部と、前記高周
波回路部を電磁遮蔽するシールド被覆とを備えた高周波
モジュールに適用し、前記電子部品を封入する樹脂モー
ルドを備え、前記シールド被覆を、前記樹脂モールドの
表面に形成された金属膜としている。すなわち、シール
ド被覆とするための専用の部材が不要になる。
本発明に係る高周波モジュールは、基板上に搭載された
電子部品でもって構成された高周波回路部と、前記高周
波回路部を電磁遮蔽するシールド被覆とを備えた高周波
モジュールに適用し、前記電子部品を封入する樹脂モー
ルドを備え、前記シールド被覆を、前記樹脂モールドの
表面に形成された金属膜としている。すなわち、シール
ド被覆とするための専用の部材が不要になる。
【００１９】また、上記構成に加えて、前記高周波回路
部に接続されたアンテナを備え、前記アンテナは前記基
板の内層に設けられた導体パターンによって形成されて
いる。すなわち、アンテナとなる金属部材の取り付け、
接続、等の作業が不要になる。また、アンテナとなる金
属部材の占める空間が板状の空間となるので、占有する
体積が減少する。
部に接続されたアンテナを備え、前記アンテナは前記基
板の内層に設けられた導体パターンによって形成されて
いる。すなわち、アンテナとなる金属部材の取り付け、
接続、等の作業が不要になる。また、アンテナとなる金
属部材の占める空間が板状の空間となるので、占有する
体積が減少する。
【００２０】また、上記構成に加え、前記基板の側面に
は凹部が形成されると共に、前記凹部には接地電極とな
る金属膜が形成され、前記樹脂モールドに形成された金
属膜は前記凹部に形成された金属膜に接続されている。
すなわち、金属膜という低いインピーダンスの導体によ
って、シールド被覆となる金属膜は接地電極に接続され
る。
は凹部が形成されると共に、前記凹部には接地電極とな
る金属膜が形成され、前記樹脂モールドに形成された金
属膜は前記凹部に形成された金属膜に接続されている。
すなわち、金属膜という低いインピーダンスの導体によ
って、シールド被覆となる金属膜は接地電極に接続され
る。
【００２１】また、本発明に係る高周波モジュールの製
造方法は、分割溝によって複数の区画に区分けされた集
合基板に、電子部品の搭載と、搭載された電子部品の電
気的接続とを行う搭載接続工程と、前記区画のそれぞれ
に搭載された前記電子部品を樹脂によって封入するモー
ルド工程と、前記電子部品を封入した樹脂である樹脂モ
ールドの表面と、前記樹脂モールドの表面に連接するア
ース経路面とに金属膜を形成する金属膜形成工程と、前
記集合基板を前記分割溝に沿って分離することにより、
前記集合基板を前記区画毎に分離する分離工程とからな
っている。すなわち、搭載された電子部品を樹脂によっ
て封入するモールド工程と、樹脂モールドの表面と、樹
脂モールドの表面に連接するアース経路面とに金属膜を
形成する金属膜形成工程との２つの工程によって、シー
ルド被覆が形成される。
造方法は、分割溝によって複数の区画に区分けされた集
合基板に、電子部品の搭載と、搭載された電子部品の電
気的接続とを行う搭載接続工程と、前記区画のそれぞれ
に搭載された前記電子部品を樹脂によって封入するモー
ルド工程と、前記電子部品を封入した樹脂である樹脂モ
ールドの表面と、前記樹脂モールドの表面に連接するア
ース経路面とに金属膜を形成する金属膜形成工程と、前
記集合基板を前記分割溝に沿って分離することにより、
前記集合基板を前記区画毎に分離する分離工程とからな
っている。すなわち、搭載された電子部品を樹脂によっ
て封入するモールド工程と、樹脂モールドの表面と、樹
脂モールドの表面に連接するアース経路面とに金属膜を
形成する金属膜形成工程との２つの工程によって、シー
ルド被覆が形成される。
【００２２】また、上記構成に加え、前記搭載接続工程
は、前記区画のそれぞれの所定箇所に導電性接着剤を塗
布する塗布工程と、前記導電性接着剤の塗布箇所に対応
する位置に電子部品を搭載する搭載工程と、前記集合基
板を加熱することによって前記導電性接着剤を硬化させ
る加熱工程とからなっている。すなわち、加熱工程にお
いては、半田を溶融する高温が要求されない。
は、前記区画のそれぞれの所定箇所に導電性接着剤を塗
布する塗布工程と、前記導電性接着剤の塗布箇所に対応
する位置に電子部品を搭載する搭載工程と、前記集合基
板を加熱することによって前記導電性接着剤を硬化させ
る加熱工程とからなっている。すなわち、加熱工程にお
いては、半田を溶融する高温が要求されない。
【００２３】また、上記構成に加え、前記アース経路面
は、前記分割溝を挟んで隣接する前記区画の双方に渡る
形で前記集合基板に形成された孔の側面を含んでいる。
すなわち、１つのスルホールを形成することでもって、
２つの区画のそれぞれに接地電極を形成することができ
る。
は、前記分割溝を挟んで隣接する前記区画の双方に渡る
形で前記集合基板に形成された孔の側面を含んでいる。
すなわち、１つのスルホールを形成することでもって、
２つの区画のそれぞれに接地電極を形成することができ
る。
【００２４】また、上記構成に加え、前記金属膜の形成
の不要範囲をレジスト部材によって被覆している。すな
わち、レジスト部材によって被覆された範囲には、金属
膜が形成されない。
の不要範囲をレジスト部材によって被覆している。すな
わち、レジスト部材によって被覆された範囲には、金属
膜が形成されない。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例の形態を、
図面を参照しつつ説明する。
図面を参照しつつ説明する。
【００２６】図１は、本発明に係る高周波モジュールの
一実施形態の製造工程の途中における形状、および完成
品の外観を示す斜視図である。なお、電気的構成は、図
６に示す構成となっている。
一実施形態の製造工程の途中における形状、および完成
品の外観を示す斜視図である。なお、電気的構成は、図
６に示す構成となっている。
【００２７】図において、１は、高周波モジュールの基
板を示している。また、７は、電子部品の１種である集
積回路チップを示しており、８，・・・は、チップ化さ
れた電子部品のうち、集積回路チップ７を除く電子部品
を示している。また、３は、集積回路チップ７と電子部
品８，・・・とによって構成された高周波回路部を示し
ている。また、２は、基板１の内層（内部側の層）に形
成され、導体パターン（本実施形態では金属膜パターン
としている）からなるアンテナを示していて、高周波回
路部３の回路パターン（図示を省略）に電気的に接続さ
れている。
板を示している。また、７は、電子部品の１種である集
積回路チップを示しており、８，・・・は、チップ化さ
れた電子部品のうち、集積回路チップ７を除く電子部品
を示している。また、３は、集積回路チップ７と電子部
品８，・・・とによって構成された高周波回路部を示し
ている。また、２は、基板１の内層（内部側の層）に形
成され、導体パターン（本実施形態では金属膜パターン
としている）からなるアンテナを示していて、高周波回
路部３の回路パターン（図示を省略）に電気的に接続さ
れている。
【００２８】また４は、集積回路チップ７と電子部品
８，・・・とを封入する樹脂モールドを示しており、５
は、樹脂モールド４の表面に形成された金属膜を示して
いる。また、６は、基板１の側面に形成された凹部を示
している。なお、この凹部６は、樹脂モールド４の表面
（詳細には、（ｃ）に示された樹脂モールド４の裏側の
面）に連接するアース経路面となっており、このアース
経路面にも、金属膜が形成されている。すなわち、凹部
６は、樹脂モールド４の表面に形成された金属膜と連続
する金属膜が形成された接地電極となっている。
８，・・・とを封入する樹脂モールドを示しており、５
は、樹脂モールド４の表面に形成された金属膜を示して
いる。また、６は、基板１の側面に形成された凹部を示
している。なお、この凹部６は、樹脂モールド４の表面
（詳細には、（ｃ）に示された樹脂モールド４の裏側の
面）に連接するアース経路面となっており、このアース
経路面にも、金属膜が形成されている。すなわち、凹部
６は、樹脂モールド４の表面に形成された金属膜と連続
する金属膜が形成された接地電極となっている。
【００２９】以下に補助的な説明を行うと、（ａ）は、
基板１の所定の位置に導電性接着剤９，・・・を塗布す
る工程（塗布工程）が完了した状態を示している。ま
た、（ｂ）は、搭載工程と加熱工程が終了した状態を示
している。すなわち、集積回路チップ７と電子部品８，
・・・とが、導電性接着剤９，・・・の上に搭載される
（搭載工程）。次いで、基板１が加熱され、導電性接着
剤９，・・・が硬化される。次いで、集積回路チップ７
と基板１の回路パターンとが、金属線によって接続さ
れ、高周波回路部３が形成される（接続工程）。
基板１の所定の位置に導電性接着剤９，・・・を塗布す
る工程（塗布工程）が完了した状態を示している。ま
た、（ｂ）は、搭載工程と加熱工程が終了した状態を示
している。すなわち、集積回路チップ７と電子部品８，
・・・とが、導電性接着剤９，・・・の上に搭載される
（搭載工程）。次いで、基板１が加熱され、導電性接着
剤９，・・・が硬化される。次いで、集積回路チップ７
と基板１の回路パターンとが、金属線によって接続さ
れ、高周波回路部３が形成される（接続工程）。
【００３０】つまり、上記工程は、導電性接着剤９，・
・・が用いられた工程となっていて、集積回路チップ７
の搭載、および、電子部品８，・・・の搭載と接続とが
同時に行われるようになっている。また、アンテナ２の
取り付け、接続等の作業が不要になっている。つまり、
製造工程の工程数が削減された製造方法となっている。
・・が用いられた工程となっていて、集積回路チップ７
の搭載、および、電子部品８，・・・の搭載と接続とが
同時に行われるようになっている。また、アンテナ２の
取り付け、接続等の作業が不要になっている。つまり、
製造工程の工程数が削減された製造方法となっている。
【００３１】また、アンテナ２は基板１の内層に形成さ
れているので、上記した工程数の削減の効果の他に、高
周波モジュールの形状の小型化ができる。かつ、アンテ
ナ２の表面の酸化、アンテナ２への異物の付着、あるい
は、アンテナ２の変形等といったような、外的な要因に
よるアンテナ２の性能の劣化が防止されるので、信頼性
の向上が得られている。
れているので、上記した工程数の削減の効果の他に、高
周波モジュールの形状の小型化ができる。かつ、アンテ
ナ２の表面の酸化、アンテナ２への異物の付着、あるい
は、アンテナ２の変形等といったような、外的な要因に
よるアンテナ２の性能の劣化が防止されるので、信頼性
の向上が得られている。
【００３２】図２は、分割溝によって複数の区画に区分
けされた集合基板の状態を示す説明図であり、（ａ）は
平面図、（ｂ）は外観斜視図となっている。
けされた集合基板の状態を示す説明図であり、（ａ）は
平面図、（ｂ）は外観斜視図となっている。
【００３３】集合基板３１の状態においては、それぞれ
が高周波モジュールとなる区画２１，・・・は、分割溝
を挟んで、アンテナ２が形成された側同士が隣接し、樹
脂モールド４が形成された側同士が隣接するように、配
置されている。そして、分割溝１１を挟んで隣接する区
画の双方に渡る形で、その側面がアース経路面となる孔
１０ａが形成されると共に、その側面が入出力凹部とな
る孔１０ｂが形成されている。また、孔１０ａ，１０ｂ
の側面は、樹脂モールド４の表面に金属膜を形成すると
き、同時に金属膜が形成される。すなわち、孔１０ａ，
１０ｂはスルホールとなっている。
が高周波モジュールとなる区画２１，・・・は、分割溝
を挟んで、アンテナ２が形成された側同士が隣接し、樹
脂モールド４が形成された側同士が隣接するように、配
置されている。そして、分割溝１１を挟んで隣接する区
画の双方に渡る形で、その側面がアース経路面となる孔
１０ａが形成されると共に、その側面が入出力凹部とな
る孔１０ｂが形成されている。また、孔１０ａ，１０ｂ
の側面は、樹脂モールド４の表面に金属膜を形成すると
き、同時に金属膜が形成される。すなわち、孔１０ａ，
１０ｂはスルホールとなっている。
【００３４】従って、分割溝１１に沿って分離された区
画２１ａにおいては、孔１０ａの側面は、接地電極とな
る凹部６を形成し、孔１０ｂの側面は、入出力凹部５１
を形成することになる。すなわち、集合基板状態での各
区画２１，・・・の方向を、それぞれの凹部６，５１が
対向するように配置することで、凹部６，５１が、孔１
０ａ，１０ｂとして、共用されるようになっている。こ
のため、基板材料が効率的に使用され、コストを低減す
ることができるようになっている。
画２１ａにおいては、孔１０ａの側面は、接地電極とな
る凹部６を形成し、孔１０ｂの側面は、入出力凹部５１
を形成することになる。すなわち、集合基板状態での各
区画２１，・・・の方向を、それぞれの凹部６，５１が
対向するように配置することで、凹部６，５１が、孔１
０ａ，１０ｂとして、共用されるようになっている。こ
のため、基板材料が効率的に使用され、コストを低減す
ることができるようになっている。
【００３５】図３は、金属膜形成時のレジスト部材に関
する説明図であり、（ａ）は表面側を示す外観斜視図、
（ｂ）は裏面側を示す外観斜視図となっている。
する説明図であり、（ａ）は表面側を示す外観斜視図、
（ｂ）は裏面側を示す外観斜視図となっている。
【００３６】分割溝１１によって分離される以前の集合
基板の状態において、樹脂モールド４の表面、および樹
脂モールド４の形成部に対向する裏面は、メッキ等の手
段により、シールド被覆となる金属膜５，１５が形成さ
れる面となっている。このため、これらの面は、露出状
態となっている。また、接地電極となる凹部６、および
入出力凹部５１も、電極となる金属膜が形成される面と
なっている。このため、図２に示した孔１０ａ，１０ｂ
の側面も、露出状態となっている。
基板の状態において、樹脂モールド４の表面、および樹
脂モールド４の形成部に対向する裏面は、メッキ等の手
段により、シールド被覆となる金属膜５，１５が形成さ
れる面となっている。このため、これらの面は、露出状
態となっている。また、接地電極となる凹部６、および
入出力凹部５１も、電極となる金属膜が形成される面と
なっている。このため、図２に示した孔１０ａ，１０ｂ
の側面も、露出状態となっている。
【００３７】また、樹脂モールド４の表面に形成される
金属膜と、凹部６の側面に形成される金属膜とを、極め
て微少なインピーダンスで電気的に接続するため、基板
１の表面と裏面とのうち、樹脂モールド４の近傍となる
範囲にも、金属膜が形成されるようになっている。この
ため、上記範囲も露出状態となっている。
金属膜と、凹部６の側面に形成される金属膜とを、極め
て微少なインピーダンスで電気的に接続するため、基板
１の表面と裏面とのうち、樹脂モールド４の近傍となる
範囲にも、金属膜が形成されるようになっている。この
ため、上記範囲も露出状態となっている。
【００３８】そして、基板１の面のうち、入出力凹部５
１が互いに電気的に短絡されることを防止するため、内
層にアンテナ２が形成された側の表面と裏面とは、レジ
スト部材１２，１３によって被覆されている。なお、こ
のレジスト部材１２，１３は、導電性接着剤９（図１
（ａ）参照）を塗布する以前の集合基板の状態におい
て、形成される。そして、金属膜の形成を終了した後に
は、除去されるようになっている。
１が互いに電気的に短絡されることを防止するため、内
層にアンテナ２が形成された側の表面と裏面とは、レジ
スト部材１２，１３によって被覆されている。なお、こ
のレジスト部材１２，１３は、導電性接着剤９（図１
（ａ）参照）を塗布する以前の集合基板の状態におい
て、形成される。そして、金属膜の形成を終了した後に
は、除去されるようになっている。
【００３９】すなわち、レジスト部材による被覆工程、
および金属膜の形成の工程は、集合基板の状態において
行われる。つまり、多数の基板１が同時に処理されるよ
うになっている。このため、１回の処理において、同時
に、多数の基板１が処理される。その結果、基板１枚あ
たりにおける処理のコストが低減されるようになってい
る。
および金属膜の形成の工程は、集合基板の状態において
行われる。つまり、多数の基板１が同時に処理されるよ
うになっている。このため、１回の処理において、同時
に、多数の基板１が処理される。その結果、基板１枚あ
たりにおける処理のコストが低減されるようになってい
る。
【００４０】図４は、高周波モジュールの製造方法につ
いて説明するための斜視図であり、図中の矢印は、工程
の順序を示している。
いて説明するための斜視図であり、図中の矢印は、工程
の順序を示している。
【００４１】すなわち、集合基板３１は、（ａ）に示す
ように、レジスト部材１２が設けられた状態で、製造工
程に供給される。次いで、（ｂ）に示すように、各区画
の所定の位置に導電性接着剤９，・・・が塗布される。
次いで、（ｃ）に示すように、各区画の所定の位置に、
集積回路チップ７，・・・、および電子部品８，・・・
が搭載され、電気的に接続される。
ように、レジスト部材１２が設けられた状態で、製造工
程に供給される。次いで、（ｂ）に示すように、各区画
の所定の位置に導電性接着剤９，・・・が塗布される。
次いで、（ｃ）に示すように、各区画の所定の位置に、
集積回路チップ７，・・・、および電子部品８，・・・
が搭載され、電気的に接続される。
【００４２】そして、（ｄ）に示すように、集積回路チ
ップ７，・・・、および電子部品８，・・・でもって構
成された高周波回路部３，・・・は、樹脂４によってモ
ールドされる。次いで、（ｅ）に示すように、樹脂モー
ルド４，・・・の表面、および接地接続の必要な面に
は、金属膜５が形成される。次いで、（ｆ）に示すよう
に、レジスト部材１２が除去される。次いで、分割溝１
１によって各区画が分離され、（ｇ）に示すような高周
波モジュールとなる。この高周波モジュールは、分離さ
れた後には、電気的な検査を受け、完成品となる。
ップ７，・・・、および電子部品８，・・・でもって構
成された高周波回路部３，・・・は、樹脂４によってモ
ールドされる。次いで、（ｅ）に示すように、樹脂モー
ルド４，・・・の表面、および接地接続の必要な面に
は、金属膜５が形成される。次いで、（ｆ）に示すよう
に、レジスト部材１２が除去される。次いで、分割溝１
１によって各区画が分離され、（ｇ）に示すような高周
波モジュールとなる。この高周波モジュールは、分離さ
れた後には、電気的な検査を受け、完成品となる。
【００４３】すなわち、本実施形態では、図４に示した
ように、工程作業の省略、または工程の集約、簡素化等
で、各工程の装置による自動化と各装置の連結による統
合化を図ることができるので、製造効率を高めることが
可能になっている。
ように、工程作業の省略、または工程の集約、簡素化等
で、各工程の装置による自動化と各装置の連結による統
合化を図ることができるので、製造効率を高めることが
可能になっている。
【００４４】また、高周波回路部３を、でき得る限りチ
ップ化している（集積回路を集積回路チップ７としてい
る）ので、基板１に搭載される電子部品の数量が減少さ
れている。このため、基板１の面積が縮小されている。
ップ化している（集積回路を集積回路チップ７としてい
る）ので、基板１に搭載される電子部品の数量が減少さ
れている。このため、基板１の面積が縮小されている。
【００４５】また、入出力電極となる入出力凹部を、隣
接する区画において、分割溝１１を挟んで、対向する位
置関係としている。このため、１つスルホールを形成す
るのみで、隣接する区画の双方に、入出力凹部となる電
極を形成することができる。このため、製造工程の効率
が高められるので、基板１枚あたりの製造コストが、よ
り低減されるようになっている。
接する区画において、分割溝１１を挟んで、対向する位
置関係としている。このため、１つスルホールを形成す
るのみで、隣接する区画の双方に、入出力凹部となる電
極を形成することができる。このため、製造工程の効率
が高められるので、基板１枚あたりの製造コストが、よ
り低減されるようになっている。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る高周
波モジュールは、基板上に搭載された電子部品でもって
構成された高周波回路部と、高周波回路部を電磁遮蔽す
るシールド被覆とを備えた高周波モジュールにおいて、
電子部品を封入する樹脂モールドを備え、シールド被覆
を、樹脂モールドの表面に形成された金属膜としてい
る。従って、シールド被覆とするための専用の部材が不
要になるので、シールドを行うときにも、部品点数の増
加を抑制することができる。
波モジュールは、基板上に搭載された電子部品でもって
構成された高周波回路部と、高周波回路部を電磁遮蔽す
るシールド被覆とを備えた高周波モジュールにおいて、
電子部品を封入する樹脂モールドを備え、シールド被覆
を、樹脂モールドの表面に形成された金属膜としてい
る。従って、シールド被覆とするための専用の部材が不
要になるので、シールドを行うときにも、部品点数の増
加を抑制することができる。
【００４７】また、高周波回路部に接続されたアンテナ
を備え、このアンテナは基板の内層に設けられた導体パ
ターンによって形成されている。従って、アンテナとな
る金属部材の取り付けと接続の作業が不要になる。ま
た、アンテナとなる金属部材の占める空間が板状の空間
となるので、占有する体積が減少する。このため、製造
工程の簡単化と形状の小型化とを行うことができる。
を備え、このアンテナは基板の内層に設けられた導体パ
ターンによって形成されている。従って、アンテナとな
る金属部材の取り付けと接続の作業が不要になる。ま
た、アンテナとなる金属部材の占める空間が板状の空間
となるので、占有する体積が減少する。このため、製造
工程の簡単化と形状の小型化とを行うことができる。
【００４８】また、基板の側面には凹部が形成されると
共に、凹部には接地電極となる金属膜が形成され、樹脂
モールドに形成された金属膜が凹部に形成された金属膜
に接続されている。従って、シールド被覆となる金属膜
は、金属膜という低いインピーダンスの導体によって接
地電極に接続されるので、樹脂モールドに形成された金
属膜を、極めて低いインピーダンスで接地電極に接続す
ることができる。
共に、凹部には接地電極となる金属膜が形成され、樹脂
モールドに形成された金属膜が凹部に形成された金属膜
に接続されている。従って、シールド被覆となる金属膜
は、金属膜という低いインピーダンスの導体によって接
地電極に接続されるので、樹脂モールドに形成された金
属膜を、極めて低いインピーダンスで接地電極に接続す
ることができる。
【００４９】また、本発明に係る高周波モジュールの製
造方法は、分割溝によって複数の区画に区分けされた集
合基板に、電子部品の搭載と搭載された電子部品の電気
的接続とを行う搭載接続工程と、区画のそれぞれに搭載
された電子部品を樹脂によって封入するモールド工程
と、電子部品を封入した樹脂である樹脂モールドの表面
と、樹脂モールドの表面に連接するアース経路面とに金
属膜を形成する金属膜形成工程と、集合基板を分割溝に
沿って分離することにより、集合基板を区画毎に分離す
る分離工程とからなっている。従って、搭載された電子
部品を樹脂によって封入するモールド工程と、樹脂モー
ルドの表面と、樹脂モールドの表面に連接するアース経
路面とに金属膜を形成する金属膜形成工程との２つの工
程によって、シールド被覆が形成されるので、工程数の
削減および工程の簡単化を行うことができる。
造方法は、分割溝によって複数の区画に区分けされた集
合基板に、電子部品の搭載と搭載された電子部品の電気
的接続とを行う搭載接続工程と、区画のそれぞれに搭載
された電子部品を樹脂によって封入するモールド工程
と、電子部品を封入した樹脂である樹脂モールドの表面
と、樹脂モールドの表面に連接するアース経路面とに金
属膜を形成する金属膜形成工程と、集合基板を分割溝に
沿って分離することにより、集合基板を区画毎に分離す
る分離工程とからなっている。従って、搭載された電子
部品を樹脂によって封入するモールド工程と、樹脂モー
ルドの表面と、樹脂モールドの表面に連接するアース経
路面とに金属膜を形成する金属膜形成工程との２つの工
程によって、シールド被覆が形成されるので、工程数の
削減および工程の簡単化を行うことができる。
【００５０】また、搭載接続工程は、区画のそれぞれの
所定箇所に導電性接着剤を塗布する塗布工程と、導電性
接着剤の塗布箇所に対応する位置に電子部品を搭載する
搭載工程と、集合基板を加熱することによって導電性接
着剤を硬化させる加熱工程とからなっている。従って、
加熱工程においては、半田を溶融する高温が要求されな
いので、製造工程を、より簡単化することができる。
所定箇所に導電性接着剤を塗布する塗布工程と、導電性
接着剤の塗布箇所に対応する位置に電子部品を搭載する
搭載工程と、集合基板を加熱することによって導電性接
着剤を硬化させる加熱工程とからなっている。従って、
加熱工程においては、半田を溶融する高温が要求されな
いので、製造工程を、より簡単化することができる。
【００５１】また、アース経路面は、分割溝を挟んで隣
接する区画の双方に渡る形で集合基板に形成された孔の
側面を含んでいる。従って、１つのスルホールを形成す
ることでもって、２つの区画のそれぞれに接地電極を形
成することができるので、接地電極の形成工程を簡単化
することができる。
接する区画の双方に渡る形で集合基板に形成された孔の
側面を含んでいる。従って、１つのスルホールを形成す
ることでもって、２つの区画のそれぞれに接地電極を形
成することができるので、接地電極の形成工程を簡単化
することができる。
【００５２】また、金属膜の形成の不要範囲をレジスト
部材によって被覆している。従って、レジスト部材によ
って被覆された範囲には、金属膜が形成されないので、
金属膜を形成する範囲を容易に限定することができる。
部材によって被覆している。従って、レジスト部材によ
って被覆された範囲には、金属膜が形成されないので、
金属膜を形成する範囲を容易に限定することができる。
【図１】本発明に係る高周波モジュールの一実施形態の
製造工程の途中における形状、および完成品の外観を示
す斜視図である。
製造工程の途中における形状、および完成品の外観を示
す斜視図である。
【図２】分割溝によって複数の区画に区分けされた集合
基板の状態を示す説明図である。
基板の状態を示す説明図である。
【図３】レジスト部材の被覆範囲に関する説明図であ
る。
る。
【図４】高周波モジュールの製造方法について説明する
ための斜視図である。
ための斜視図である。
【図５】従来技術の高周波モジュールの構造を示す斜視
図である。
図である。
【図６】従来技術および実施形態の電気的構成を示すブ
ロック線図である。
ロック線図である。
１ 基板 ２ アンテナ ３ 高周波回路部 ４ 樹脂モールド ５ 金属膜 ６ 接地電極となる凹部 ７ 集積回路チップ ８ 電子部品 ９ 導電性接着剤 １０ａ スルホール １０ｂ スルホール １１ 分割溝 １２ レジスト部材 １３ レジスト部材 ５１ 入出力凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 1/38 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｘ ５Ｆ０６１ Ｈ０５Ｋ 1/11 3/32 Ｂ ５Ｋ０１１ 3/00 3/46 Ｑ 3/32 9/00 Ｑ 3/46 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｂ 9/00 23/14 Ｘ Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA03 CA21 EE08 5E317 AA24 CC31 CD27 CD32 GG17 5E319 AA03 AC01 CC61 CD26 5E321 AA17 AA22 BB23 GG05 5E346 AA15 AA51 BB02 BB04 BB06 BB16 BB20 FF45 HH02 HH22 HH31 5F061 AA01 BA03 CA21 CB13 FA02 5K011 AA15 DA01 DA03 DA05 DA12 JA01 JA03 KA00
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に搭載された電子部品でもって構
成された高周波回路部と、前記高周波回路部を電磁遮蔽
するシールド被覆とを備えた高周波モジュールにおい
て、 前記電子部品を封入する樹脂モールドを備え、 前記シールド被覆を、前記樹脂モールドの表面に形成さ
れた金属膜としたことを特徴とする高周波モジュール。 - 【請求項２】 前記高周波回路部に接続されたアンテナ
を備え、このアンテナは前記基板の内層に設けられた導
体パターンによって形成されていることを特徴とする請
求項１記載の高周波モジュール。 - 【請求項３】 前記基板の側面には凹部が形成されると
共に、前記凹部には接地電極となる金属膜が形成され、
前記樹脂モールドに形成された金属膜は前記凹部に形成
された金属膜に接続されていることを特徴とする請求項
１または請求項２記載の高周波モジュール。 - 【請求項４】 分割溝によって複数の区画に区分けされ
た集合基板に、電子部品の搭載と搭載された電子部品の
電気的接続とを行う搭載接続工程と、 前記区画のそれぞれに搭載された前記電子部品を樹脂に
よって封入するモールド工程と、 前記電子部品を封入した樹脂である樹脂モールドの表面
と、前記樹脂モールドの表面に連接するアース経路面と
に金属膜を形成する金属膜形成工程と、 前記集合基板を前記分割溝に沿って分離することによ
り、前記集合基板を前記区画毎に分離する分離工程とか
らなる高周波モジュールの製造方法。 - 【請求項５】 前記搭載接続工程は、 前記区画のそれぞれの所定箇所に導電性接着剤を塗布す
る塗布工程と、 前記導電性接着剤の塗布箇所に対応する位置に電子部品
を搭載する搭載工程と、 前記集合基板を加熱することによって前記導電性接着剤
を硬化させる加熱工程とからなることを特徴とする請求
項４記載の高周波モジュールの製造方法。 - 【請求項６】 前記アース経路面は、 前記分割溝を挟んで隣接する前記区画の双方に渡る形で
前記集合基板に形成された孔の側面を含むことを特徴と
する請求項４または請求項５記載の高周波モジュールの
製造方法。 - 【請求項７】 前記金属膜の形成の不要範囲をレジスト
部材によって被覆していることを特徴とする請求項４か
ら請求項６までのいずれかに記載の高周波モジュールの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000214636A JP2002033419A (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | 高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000214636A JP2002033419A (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | 高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002033419A true JP2002033419A (ja) | 2002-01-31 |
Family
ID=18710172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000214636A Pending JP2002033419A (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | 高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002033419A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004021435A1 (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | モジュール部品 |
| JP2006165198A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Ricoh Co Ltd | 三次元成形回路部品の製造方法およびこれにより製造された三次元成形回路部品 |
| JP2008034672A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Mitsumi Electric Co Ltd | チップ部品の実装方法および電子モジュール |
| US7542006B2 (en) | 2006-05-30 | 2009-06-02 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring board and semiconductor apparatus |
| JP2013162083A (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-19 | Aisin Aw Co Ltd | 回路基板及び回路装置 |
| US8759953B2 (en) | 2004-02-13 | 2014-06-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component including a shielding metal film disposed on a resin layer |
| WO2019014956A1 (zh) * | 2017-07-20 | 2019-01-24 | 胜宏科技（惠州）股份有限公司 | 一种不同板料混压的高频板制作方法 |
| KR20190089955A (ko) * | 2016-12-21 | 2019-07-31 | 인텔 코포레이션 | 무선 통신 기술, 장치 및 방법 |
| US10581157B2 (en) | 2013-07-29 | 2020-03-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna-integrated wireless module and method for manufacturing antenna-integrated wireless module |
-
2000
- 2000-07-14 JP JP2000214636A patent/JP2002033419A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004021435A1 (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | モジュール部品 |
| US7180012B2 (en) | 2002-08-29 | 2007-02-20 | Mitsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Module part |
| CN1302542C (zh) * | 2002-08-29 | 2007-02-28 | 松下电器产业株式会社 | 模块部件 |
| US8759953B2 (en) | 2004-02-13 | 2014-06-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component including a shielding metal film disposed on a resin layer |
| JP4675096B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-04-20 | 株式会社リコー | 三次元成形回路部品の製造方法およびこれにより製造された三次元成形回路部品 |
| JP2006165198A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Ricoh Co Ltd | 三次元成形回路部品の製造方法およびこれにより製造された三次元成形回路部品 |
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| US10581157B2 (en) | 2013-07-29 | 2020-03-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna-integrated wireless module and method for manufacturing antenna-integrated wireless module |
| US11108152B2 (en) | 2013-07-29 | 2021-08-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna-integrated wireless module and method for manufacturing antenna-integrated wireless module |
| KR20190089955A (ko) * | 2016-12-21 | 2019-07-31 | 인텔 코포레이션 | 무선 통신 기술, 장치 및 방법 |
| KR102635791B1 (ko) * | 2016-12-21 | 2024-02-08 | 인텔 코포레이션 | 무선 통신 기술, 장치 및 방법 |
| US11955732B2 (en) | 2016-12-21 | 2024-04-09 | Intel Corporation | Wireless communication technology, apparatuses, and methods |
| WO2019014956A1 (zh) * | 2017-07-20 | 2019-01-24 | 胜宏科技（惠州）股份有限公司 | 一种不同板料混压的高频板制作方法 |
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