JP2002033261A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板を高速回転させることなく基板の表面に
均一に処理液を供給することができる基板処理装置を提
供することを目的とする。 【解決手段】 基板処理装置は、スピンチャックに支持
されて回転する基板Ｗの回転中心Ｃからこの基板Ｗの端
縁より距離Ｄだけ内側の位置に至るまでの領域に対し連
続的に処理液を供給可能なスリット１４を備えた処理液
供給ノズル１３と、この処理液供給ノズル１３を、スピ
ンチャックに支持されて回転する基板Ｗの端縁より内側
の位置を中心に、スリット１４の先端部が基板Ｗの回転
中心Ｃと対向する位置と基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内
側の位置と対向する位置との間で回動させるノズル回動
機構とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ等
の略円形の基板の表面にフォトレジスト等の処理液を均
一に供給するための基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、このような基板処理装置として
は、スピンチャックに保持された基板の表面に処理液を
供給するとともに、スピンチャックを高速回転させるこ
とにより、基板の表面に供給された処理液を遠心力を利
用して基板の表面に均一に拡張する構成を有するものが
使用されている。

【０００３】しかしながら、このような基板処理装置に
おいては、基板の表面に処理液を均一に拡張するために
は、基板を極めて速い回転速度で、しかも、長時間回転
させる必要がある。また、このように基板を高速かつ長
時間回転させている間に、基板の表面に供給された処理
液が基板の端縁から振り切られることから、基板の表面
に多量の処理液を供給する必要があり、処理液の利用効
率が悪いという欠点がある。

【０００４】このため、特開平６−３４９７２１号公報
においては、基板としての半導体ウエハの直径方向に配
置された溝状の滴下ノズルから処理液を滴下するととも
に、半導体ウエハを１／２回転以上回転させることによ
り、半導体ウエハの表面全域に処理液を供給する基板処
理装置が提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
６−３４９７２１号公報に記載された基板処理装置にお
いては、滴下ノズルにおける半導体ウエハの半径方向の
位置によって、滴下ノズルと半導体ウエハとの相対的な
周速度が異なることになるため、半導体ウエハの表面に
供給される処理液の量が半導体ウエハの半径方向の位置
により異なることになる。従って、半導体ウエハの表面
に均一に処理液を供給することは不可能となる。このた
め、特開平６−３４９７２１号公報に記載された基板処
理装置においても、結局は基板を高速回転させ、処理液
に均一化を図る必要がある。

【０００６】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、基板を高速回転させることなく基板の
表面に均一に処理液を供給することができる基板処理装
置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、略円形の基板の表面に処理液を均一に供給するため
の基板処理装置であって、基板を回転可能に支持するス
ピンチャックと、前記スピンチャックに支持されて回転
する基板の回転中心からこの基板の端縁より内側の位置
に至るまでの領域に対し連続的に処理液を供給可能な処
理液の吐出部を備えた処理液供給ノズルと、前記処理液
供給ノズルを、前記スピンチャックに支持されて回転す
る基板の端縁付近を中心に、前記吐出部の先端部が前記
スピンチャックに支持されて回転する基板の回転中心と
対向する位置とこの基板の端縁より内側の位置と対向す
る位置との間で回動させるノズル回動機構と、を備えた
ことを特徴とする。

【０００８】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記ノズル移動機構は、前記処理液供
給ノズルを、前記スピンチャックに支持されて回転する
基板の端縁より内側の位置に配置された軸を中心として
回動させている。

【０００９】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記ノズル移動機構は、前記処理液供
給ノズルを、前記スピンチャックに支持されて回転する
基板の端縁より外側の位置に配置された軸を中心として
回動させている。

【００１０】請求項４に記載の発明は、請求項１乃至請
求項３いずれかに記載の発明において、前記吐出部は、
その先端部と基端部との距離が前記スピンチャックに支
持されて回転する基板の半径より小さなスリットから構
成されている。

【００１１】請求項５に記載の発明は、略円形の基板の
表面に処理液を均一に供給するための基板処理装置であ
って、基板を回転可能に支持するスピンチャックと、前
記スピンチャックに支持されて回転する基板の半径より
小さな領域に対し連続的に処理液を供給可能な処理液の
吐出部を備えた処理液供給ノズルと、前記処理液供給ノ
ズルを、前記吐出部の基端部付近を中心に回動させるノ
ズル回動機構と、前記回動機構により回動する処理液供
給ノズルを、前記スピンチャックに支持されて回転する
基板の半径方向に移動させるノズル移動機構と、を備え
たことを特徴とする。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図１はこの発明の第１実施形態
に係る基板処理装置の正面概要図であり、図２はその要
部を示す平面図である。

【００１３】この基板処理装置は、半導体ウエハからな
る基板Ｗの表面に処理液を均一に供給するためのもので
あり、モータ１１の駆動により基板Ｗを回転可能に支持
するスピンチャック１２と、このスピンチャック１２に
支持されて回転する基板Ｗの表面にフォトレジスト等の
処理液を供給するための処理液供給ノズル１３とを備え
る。

【００１４】この処理液供給ノズル１３は、その下面に
処理液の吐出部としてのスリット１４を備える。このス
リット１４は、処理液供給管２４を介して図示しない処
理液供給機構と連結されている。このスリット１４は、
スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの半径
方向を向く直線状の形状を有し、また、このスリット１
４の先端部は、スピンチャック１２に支持されて回転す
る基板Ｗの回転中心Ｃと対向する位置に配置されてい
る。さらに、このスリット１４における先端部と基端部
との距離Ｌ１は、スピンチャック１２に支持されて回転
する基板Ｗの半径Ｒよりわずかに小さくなっている。

【００１５】このため、このスリット１４は、スピンチ
ャック１２に支持されて回転する基板Ｗの回転中心Ｃか
らこの基板Ｗの端縁より内側の位置に至るまでの領域に
対し連続的に処理液を供給することが可能となる。

【００１６】また、この処理液供給ノズル１３は、支持
台２１上に固定されたモータ２２の回転軸と軸２３を介
して連結されており、軸２３を中心に回動自在となって
いる。この軸２３は、スピンチャック１２に支持されて
回転する基板Ｗの端縁より内側の位置の上方に配置され
ている。

【００１７】このため、処理液供給ノズル１３は、スピ
ンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの端縁より
内側の位置に配置された軸２３を中心として回動する。
そして、処理液供給ノズル１３の回動範囲は、スリット
１４の先端部が、スピンチャック１２に支持されて回転
する基板Ｗの回転中心Ｃと対向する位置と、この基板Ｗ
の端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対向する位置との間
となっている。

【００１８】次にこの発明に係る基板処理装置の電気的
構成について説明する。図３は、この発明の第１実施形
態に係る基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロッ
ク図である。

【００１９】この基板処理装置は、装置の制御に必要な
動作プログラムが格納されたＲＯＭ３１と、制御時にデ
ータ等が一時的にストアされるＲＡＭ３２と、論理演算
を実行するＣＰＵ３３とから成る制御部３０を備える。
この制御部３０は、インターフェース３４を介して、ス
ピンチャック１２を回転駆動するためのモータ１１と連
結されている。また、この制御部３０は、インターフェ
ース３４を介して、処理液供給ノズル１３を回動させる
ためのモータ２２と連結されている。

【００２０】次に、上述した基板処理装置により、基板
Ｗの表面にフォトレジスト等の処理液を均一に供給する
ための供給動作について説明する。

【００２１】この基板処理装置により基板Ｗの表面に処
理液を供給する際には、先ず、モータ２２の駆動により
処理液供給ノズル１３を、図２において実線で示す位置
まで移動させる。この状態においては、処理液供給ノズ
ル１３におけるスリット１４の先端部は、スピンチャッ
ク１２に支持された基板Ｗの中心Ｃと対向している。

【００２２】そして、モータ１１の駆動によりスピンチ
ャック１２に支持された基板Ｗを低速で回転させる。こ
のときの基板Ｗの回転速度は、例えば、数ＲＰＭ程度と
することが好ましい。

【００２３】この状態において、処理液供給ノズル１３
におけるスリット１４から、基板Ｗの表面に向けて処理
液を吐出する。また、これと同時に、モータ２２の駆動
により、処理液供給ノズル１３を、基板Ｗの端縁より内
側の位置の上方に配置された軸２３を中心として反時計
方向（図２において矢印１０１で示す方向）に低速で回
動させる。

【００２４】処理液供給ノズル１３が処理液を吐出しな
がら回動を続け、処理液供給ノズル１３におけるスリッ
ト１４の先端部がスピンチャック１２に支持されて回転
する基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対向する
位置に到達すれば、処理液供給ノズル１３におけるスリ
ット１４からの処理液の吐出を停止する。また、基板Ｗ
を支持するスピンチャック１２の回転も停止させる。こ
れにより、基板Ｗの表面への処理液の供給動作は終了す
る。

【００２５】この基板処理装置においては、処理液供給
ノズル１３の回動速度と基板Ｗの回転速度とを適切な値
に制御することにより、上述した供給動作で基板Ｗの表
面に処理液が均一に供給される。

【００２６】以下、この点について説明する。図４は、
長さＬ１のスリット１４のうちの長さΔＬの微小領域に
より、基板Ｗに処理液が供給される状態を示す説明図で
ある。

【００２７】上述した基板処理装置において、処理液供
給ノズル１３を回動させないで基板Ｗに処理液を供給し
た場合においては、上述した特開平６−３４９７２１号
公報に記載された基板処理装置の場合と同様、スリット
１４における基板Ｗの半径方向の位置によって、スリッ
ト１４と基板Ｗとの相対的な周速度が異なることになる
ため、基板Ｗの表面に供給される処理液の量が基板Ｗの
半径方向の位置により異なることになり、基板Ｗに対す
る処理液の供給ムラが発生する。より具体的には、基板
Ｗの回転中心Ｃ付近においてはスリット１４と基板Ｗと
の相対的な周速度が小さくなり、基板Ｗに多量の処理液
が供給されることになる。一方、基板Ｗの端縁付近では
スリット１４と基板Ｗとの相対的な周速度が大きくな
り、基板Ｗに少量の処理液しか供給されないことにな
る。

【００２８】一方、この発明においては、処理液供給ノ
ズル１３を、スリット１４の先端部がスピンチャック１
２に支持された基板Ｗの中心Ｃと対向する位置から、ス
リット１４の先端部がスピンチャック１２に支持されて
回転する基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対向
する位置まで回動させている。

【００２９】処理液供給ノズル１３をこのように回動さ
せた場合には、図４に示すように、基板Ｗの回転中心Ｃ
付近においては、スリット１４における微小領域ΔＬ
は、基板Ｗにおける幅Ｓ１の量域に処理液を供給するこ
とになる。また、基板Ｗの半径の中央付近においては、
スリット１４における微小領域ΔＬは、基板Ｗにおける
上記幅Ｓ１より狭い幅Ｓ２の量域に処理液を供給するこ
とになる。さらに、基板Ｗの端縁付近においては、スリ
ット１４における微小領域ΔＬは、基板Ｗにおける上記
幅Ｓ２よりさらに狭い幅Ｓ３の量域に処理液を供給する
ことになる。

【００３０】このため、スリット１４から均一に処理液
を吐出させた場合においては、スリット１４における各
微小領域ΔＬから基板Ｗに供給される処理液の相対量
は、基板Ｗの回転中心Ｃ付近で少なく、また、基板Ｗの
端縁付近で多くなることになる。従って、スリット１４
を回動させない場合に発生する上述した処理液の供給ム
ラの発生の原因をうち消す作用が生じることになり、こ
の作用により基板Ｗの表面に処理液を均一に供給するこ
とが可能となる。

【００３１】なお、上述したように、基板Ｗの表面に処
理液を均一に供給するためには、基板Ｗの回転速度と処
理液供給ノズル１３の回動速度とを適切な値に制御する
必要がある。このためには、処理液を均一に供給するた
めの基板Ｗの回転速度と処理液供給ノズル１３の回動速
度との関係を予め実験的に求めるとともに、このときの
基板Ｗを回転させるためのモータ１１と処理液供給ノズ
ル１３を回動させるためのモータ２２との回転速度の関
係を示すデータを、制御部３０におけるＲＡＭ３２に記
憶させておく。そして、処理液の供給時には、このデー
タをＣＰＵ３１によりＲＡＭ３２から呼び出してモータ
１１、２２を制御するようにすればよい。

【００３２】このような場合においては、制御部３０
は、基板Ｗの回転速度と処理液供給ノズル１３の回動速
度とが所定の関係となるように制御する制御手段として
機能することになる。

【００３３】なお、上述した実施形態においては、処理
液供給ノズル１３を、スリット１４の先端部がスピンチ
ャック１２に支持された基板Ｗの中心Ｃと対向する位置
から、スリット１４の先端部がスピンチャック１２に支
持されて回転する基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位
置と対向する位置まで回動させている。このため、図５
に示すように、基板Ｗの端縁から距離Ｄだけ離隔した位
置までの領域Ｅには、処理液が供給されないことにな
る。このように、基板Ｗの端縁から距離Ｄだけ離隔した
位置までの領域Ｅに処理液を供給しないようにしている
のは、次のような理由による。

【００３４】すなわち、フォトレジスト等の処理液が基
板Ｗの端縁に供給された場合には、この処理液が基板搬
送機構や基板収納カセットの収納溝等に当接して基板Ｗ
から剥離し、パーティクル発生の原因となる。このた
め、従来、このようなパーティクルの発生を防止するた
めに、基板処理装置とは別に端縁洗浄装置を使用し、基
板Ｗの端縁から一定の領域にのみ洗浄液を供給すること
により、基板Ｗの端縁付近に供給された処理液を洗浄除
去するようにしている。

【００３５】しかしながら、この発明に係る基板処理装
置を使用した場合においては、スピンチャック１２に支
持されて回転する基板Ｗの端縁より距離Ｄ以上離隔した
位置にのみ処理液を供給する構成を採用することによ
り、基板Ｗの端縁付近の領域Ｅに処理液が供給されるこ
とを防止することができ、端縁洗浄装置による端縁洗浄
工程を省略することが可能となる。

【００３６】なお、上述した実施形態においては、処理
液供給ノズル１３を、スピンチャック１２に支持されて
回転する基板Ｗの端縁より内側の位置に配置された軸２
３を中心として回動させている。しかしながら、図６に
示すように、処理液供給ノズル１３をスピンチャック１
２に支持されて回転する基板Ｗの端縁より外側の位置に
配置された軸２５を中心として回動させるようにしても
よい。

【００３７】この場合においては、処理液の供給終了後
基板Ｗを搬出する際に、処理液供給ノズル１３を基板Ｗ
の上方から退避させるための退避工程を設けることな
く、基板Ｗをスピンチャック１２上から上昇させて次工
程へ搬送することが可能となる。但し、このようにスピ
ンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの端縁より
外側の位置に配置された軸２５を中心として回動させる
構成を採用した場合においては、図６に示すように、処
理液供給ノズル１３の回動位置に伴って軸２５の位置を
移動させる必要がある。

【００３８】なお、図６に示す実施形態においては、処
理液供給ノズル１３の回動中心となる軸２５自体が移動
することから、外側の系から観察した場合には、処理液
供給ノズル１３は軸２５以外の位置を中心として回動す
ることになる。例えば、図６に示す実施形態の場合にお
いては、処理液供給ノズル１３の外側の系から見た回動
中心は、スリット１４の一端の位置となっている。但
し、処理液供給ノズル１３の外側の系から見た回動中心
を、スリット１４の一端の位置以外の位置となるように
設定してもよい。要するに、処理液供給ノズル１３の回
動位置にかかわらず、スリット１４の全領域が基板Ｗの
表面と常に対向できるように軸２５を移動させればよ
い。

【００３９】また、上述した実施形態においては、処理
液供給ノズル１３として、直線状のスリット１４を備え
た構成のものを採用しているが、図７に示すように、基
板Ｗの端縁から距離Ｄだけ離隔するような、曲線状のス
リット１４を備えた処理液供給ノズル１３を使用しても
よい。この場合においては、スリット１４の曲率半径
は、基板Ｗの半径をＲとした場合［Ｒ−Ｄ］となってい
る。また、スリット１４における先端部と基端部との距
離Ｌ１は、図２および図６に示すスリット１４と同様、
スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの半径
Ｒよりわずかに小さくなっている。

【００４０】なお、このような曲線状のスリット１４を
有する処理液供給ノズル１３を使用した場合において
も、図８に示すように、処理液供給ノズル１３をスピン
チャック１２に支持されて回転する基板Ｗの端縁より外
側の位置に配置された軸２５を中心として回動させるよ
うにしてもよい。

【００４１】この場合においても、図６に示す実施形態
の場合と同様、処理液の供給終了後基板Ｗを搬出する際
に、処理液供給ノズル１３を基板Ｗの上方から退避させ
るための退避工程を設けることなく、基板Ｗをスピンチ
ャック１２上から上昇させて次工程へ搬送することが可
能となる。また、このようにスピンチャック１２に支持
されて回転する基板Ｗの端縁より外側の位置に配置され
た軸２５を中心として回動させる構成を採用した場合に
おいても、図８に示すように、処理液供給ノズル１３の
回動位置に伴って軸２５の位置を移動させる必要が生ず
る。

【００４２】次に、この発明の他の実施形態について説
明する。図９はこの発明の第２実施形態に係る基板処理
装置の正面概要図であり、図１０はその要部を示す平面
図である。

【００４３】上述した第１実施形態に係る基板処理装置
は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの
回転中心Ｃからこの基板Ｗの端縁より内側の位置に至る
までの領域に対し連続的に処理液を供給することが可能
なスリット１４を有する処理液供給ノズル１４と、この
処理液供給ノズル１４を回動させる回動機構とを備えて
いる。これに対し、この第２実施形態に係る基板処理装
置は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗ
の半径より小さな領域に対し連続的に処理液を供給可能
なスリット４４を備えた処理液供給ノズル４３と、この
処理液供給ノズル４３を回動させるノズル回動機構と、
この回動機構により回動する処理液供給ノズル４３をス
ピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの半径方
向に移動させるノズル移動機構とを備えている。

【００４４】すなわち、この基板処理装置も、第１実施
形態の係る基板処理装置と同様、半導体ウエハからなる
基板Ｗの表面に処理液を均一に供給するためのものであ
り、モータ１１の駆動により基板Ｗを回転可能に支持す
るスピンチャック１２と、このスピンチャック１２に支
持されて回転する基板Ｗの表面にフォトレジスト等の処
理液を供給するための処理液供給ノズル４３とを備え
る。

【００４５】この処理液供給ノズル４３は、その下面に
処理液の吐出部としてのスリット４４を備える。このス
リット４４は、図示を省略した処理液供給管を介して図
示しない処理液供給機構と連結されている。このスリッ
ト４４は、スピンチャック１２に支持されて回転する基
板Ｗの半径方向を向く直線状の形状を有し、また、この
スリット４４の先端部は、スピンチャック１２に支持さ
れて回転する基板Ｗの回転中心Ｃと対向可能な構成とな
っている。

【００４６】この処理液供給ノズル４３におけるスリッ
ト４４の先端部と基端部との距離Ｌ２は、スピンチャッ
ク１２に支持されて回転する基板Ｗの半径Ｒの数分の一
程度となっている。このため、このスリット４４は、距
離Ｌ２の領域に対し連続的に処理液を供給することが可
能となる。

【００４７】また、この処理液供給ノズル４３は、支持
腕５１上に固定されたモータ５２の回転軸と軸５３を介
して連結されており、軸５３を中心に回動自在となって
いる。この支持腕５１における基部５４はボールねじ５
５と螺合しており、また、このボールねじ５５は、支持
台５６上に固定されたモータ５７により回転する構成と
なっている。このため、支持腕５１はモータ５７の駆動
でボールねじ５５に沿って移動可能に構成されている。

【００４８】このため、処理液供給ノズル４３は、モー
タ５２の駆動により軸５３を中心として図１０に示す矢
印１０２方向に回動するとともに、モータ５７の駆動に
より図１０に示す矢印１０３方向に移動する。

【００４９】図１１は、この発明の第２実施形態に係る
基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図であ
る。

【００５０】この基板処理装置は、第１実施形態に係る
基板処理装置と同様、装置の制御に必要な動作プログラ
ムが格納されたＲＯＭ３１と、制御時にデータ等が一時
的にストアされるＲＡＭ３２と、論理演算を実行するＣ
ＰＵ３３とから成る制御部３０を備える。この制御部３
０は、インターフェース３４を介して、スピンチャック
１２を回転駆動するためのモータ１１と連結されてい
る。また、この制御部３０は、インターフェース３４を
介して、処理液供給ノズル４３を回動させるためのモー
タ５２と連結されている。さらに、この制御部３０は、
処理液供給ノズル４３を移動させるためのモータ５７と
連結されている。

【００５１】次に、上述した第２実施形態に係る基板処
理装置により、基板Ｗの表面にフォトレジスト等の処理
液を均一に供給するための供給動作について説明する。

【００５２】この基板処理装置により基板Ｗの表面に処
理液を供給する際には、先ず、処理液供給ノズル４３
を、図１０において実線で示す位置まで移動させる。こ
の状態においては、処理液供給ノズル４３におけるスリ
ット４４の先端部は、スピンチャック１２に支持された
基板Ｗの中心Ｃと対向している。

【００５３】そして、モータ１１の駆動によりスピンチ
ャック１２に支持された基板Ｗを低速で回転させる。こ
のときの基板Ｗの回転速度は、例えば、数ＲＰＭ程度と
することが好ましい。

【００５４】この状態において、処理液供給ノズル４３
におけるスリット４４から、基板Ｗの表面に向けて処理
液を吐出する。また、これと同時に、モータ５２の駆動
により、処理液供給ノズル４３を、軸５３を中心として
反時計方向（図１０において矢印１０２で示す方向）に
低速で回動させるとともに、モータ５７の駆動により回
動中の処理液供給ノズル４３を基板Ｗの半径方向（図１
０において矢印１０３で示す方向）に移動させる。

【００５５】処理液供給ノズル４３が処理液を吐出しな
がら反時計方向への回動および基板Ｗの半径方向への移
動を続け、処理液供給ノズル４３におけるスリット４４
の先端部がスピンチャック１２に支持されて回転する基
板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対向する位置に
到達すれば、処理液供給ノズル４３におけるスリット４
４からの処理液の吐出を停止する。また、基板Ｗを支持
するスピンチャック１２の回転も停止させる。これによ
り、基板Ｗの表面への処理液の供給動作は終了する。

【００５６】この基板処理装置においては、処理液供給
ノズル４３の回動および移動速度と基板Ｗの回転速度を
適切な値に制御することにより、第１実施形態に係る基
板処理装置の場合と同様、上述した供給動作により図４
に示す作用を奏し、基板Ｗの表面に処理液が均一に供給
される。

【００５７】なお、基板Ｗの表面に処理液を均一に供給
するためには、基板Ｗの回転速度と処理液供給ノズル４
３の回動および移動速度とを適切な値に制御する必要が
ある。このためには、処理液を均一に供給するための基
板Ｗの回転速度と処理液供給ノズル４３の回動および移
動速度との関係を予め実験的に求めるとともに、このと
きの基板Ｗを回転させるためのモータ１１と、処理液供
給ノズル４３を回動させるためのモータ５２と、処理液
供給ノズル４３を移動させるためのモータ５７との回転
速度の関係を示すデータを、制御部３０におけるＲＡＭ
３２に記憶させておく。そして、処理液の供給時には、
このデータをＣＰＵ３１によりＲＡＭ３２から呼び出し
てモータ１１、５２、５７を制御するようにすればよ
い。

【００５８】このような場合においては、制御部３０
は、基板Ｗの回転速度と処理液供給ノズル４３の回動お
よび移動速度とが所定の関係となるように制御する制御
手段として機能することになる。

【００５９】なお、上述した実施形態においては、処理
液供給ノズル４３として、直線状のスリット４４を備え
た構成のものを採用しているが、図１２に示すように、
曲線状のスリット４４を備えた処理液供給ノズル４３を
使用してもよい。この場合においては、スリット４４の
曲率半径は、基板Ｗの半径をＲとした場合［Ｒ−Ｄ］と
なっている。

【００６０】上述した第１、第２実施形態に係る基板処
理装置によれば、基板Ｗを低速で回転させながらその表
面に均一に処理液を供給することが可能となる。このた
め、従来のように、基板Ｗの端縁から処理液が振り切ら
れることはなく、基板Ｗの表面に供給に必要な量以上の
処理液を供給する必要はなくなる。

【００６１】なお、上述した第１、第２実施形態に係る
基板処理装置において、処理液の供給が完了した後に、
基板Ｗの表面に供給された処理液を乾燥させる目的で、
基板Ｗを回転させるようにしてもよい。

【００６２】また、上述した第１、第２実施形態に係る
基板処理装置において、処理液の膜厚をより均一にする
目的から、処理液の供給後に基板Ｗを回転させるように
してもよい。この場合においても、処理液は基板Ｗの表
面に既に均一に供給させていることから、基板Ｗの回転
速度を極度に高める必要はなく、また、この回転工程を
短時間で完了することが可能となる。このため、基板Ｗ
の端縁から振り切られる処理液の量を最小とすることが
可能となる。

【００６３】なお、上述した実施形態においては、いず
れも、処理液供給ノズル１３、４３を、処理液供給ノズ
ル１３、４３におけるスリット１４、４４の先端部がス
ピンチャック１２に支持された基板Ｗの中心Ｃと対向す
る位置から基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対
向する位置まで反時計方向に回動させているが、処理液
供給ノズル１３、４３におけるスリット１４、４４の先
端部がスピンチャック１２に支持された基板Ｗの端縁よ
り距離Ｄだけ内側の位置と対向する位置から基板Ｗの中
心Ｃと対向する位置まで時計方向に回動させるようにし
てもよい。

【００６４】また、上述した実施形態においては、いず
れも、連続的に処理液を供給可能な処理液の吐出部とし
て、スリット１４、４４を使用しているが、多数の処理
液吐出孔を処理液供給ノズルの下面に連続した状態で穿
設し、これらの処理液吐出孔から処理液を連続的に供給
するようにしてもよい。

【００６５】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、スピン
チャックに支持されて回転する基板の回転中心からこの
基板の端縁より内側の位置に至るまでの領域に対し連続
的に処理液を供給可能な処理液の吐出部を備えた処理液
供給ノズルと、処理液供給ノズルを吐出部の先端部がス
ピンチャックに支持されて回転する基板の回転中心と対
向する位置とこの基板の端縁より内側の位置と対向する
位置との間で回動させるノズル回動機構とを備えたこと
から、基板を高速回転させることなく基板の表面に均一
に処理液を供給することが可能となる。また、基板の端
縁付近の領域に処理液が供給されることを防止すること
ができることから、端縁洗浄装置による端縁洗浄工程を
省略することが可能となる。

【００６６】請求項２に記載の発明によれば、ノズル移
動機構が処理液供給ノズルをスピンチャックに支持され
て回転する基板の端縁より内側の位置に配置された軸を
中心として回動させることから、処理液供給ノズルの回
動中心を移動させることなく基板の表面に有効に処理液
を供給することが可能となる。

【００６７】請求項３に記載の発明によれば、ノズル移
動機構が処理液供給ノズルをスピンチャックに支持され
て回転する基板の端縁より外側の位置に配置された軸を
中心として回動させることから、処理液の供給後に処理
液供給ノズルを移動させることなく基板をその表面方向
に搬出することが可能となる。

【００６８】請求項４に記載の発明によれば、吐出部が
その先端部と基端部との距離がスピンチャックに支持さ
れて回転する基板の半径より小さなスリットから構成さ
れることから、基板の端縁付近を除く表面全域に有効に
処理液を供給することが可能となる。

【００６９】請求項５に記載の発明によれば、スピンチ
ャックに支持されて回転する基板の半径より小さな領域
に対し連続的に処理液を供給可能な処理液の吐出部を備
えた処理液供給ノズルと、処理液供給ノズルを吐出部の
基端部付近を中心に回動させるノズル回動機構と、回動
機構により回動する処理液供給ノズルをスピンチャック
に支持されて回転する基板の半径方向に移動させるノズ
ル移動機構とを備えたことから、基板を高速回転させる
ことなく基板の表面に均一に処理液を供給することが可
能となる。また、基板の端縁付近の領域に処理液が供給
されることを防止することができることから、端縁洗浄
装置による端縁洗浄工程を省略することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の
正面概要図である。

【図２】この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の
要部を示す平面図である。

【図３】この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の
主要な電気的構成を示すブロック図である。

【図４】長さＬ１のスリット１３のうちの長さΔＬの微
小領域により、基板Ｗに処理液が供給される状態を示す
説明図である。

【図５】基板Ｗの端縁付近の領域Ｅを示す説明図であ
る。

【図６】この発明の第１実施形態の変形例に係る基板処
理装置の要部を示す平面図である。

【図７】この発明の第１実施形態の変形例に係る基板処
理装置の要部を示す平面図である。

【図８】この発明の第１実施形態の変形例に係る基板処
理装置の要部を示す平面図である。

【図９】この発明の第２実施形態に係る基板処理装置の
正面概要図である。

【図１０】この発明の第２実施形態に係る基板処理装置
の要部を示す平面図である。

【図１１】この発明の第２実施形態に係る基板処理装置
の主要な電気的構成を示すブロック図である。

【図１２】この発明の第２実施形態の変形例に係る基板
処理装置の要部を示す平面図である。

【符号の説明】

１１ モータ １２ スピンチャック １３ 処理液供給ノズル １４ スリット ２１ 支持台 ２２ モータ ２３ 軸 ２５ 軸 ３０ 制御部 ４３ 処理液供給ノズル ４４ スリット ５１ 支持腕 ５２ モータ ５３ 軸 ５５ ボールねじ ５６ 支持台 ５７ モータ Ｗ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 茂森 和士 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB16 EA05 4F042 AA07 DD02 DD18 DD41 DF09 DF32 EB09 EB13 EB18 EB19 5F046 JA02 JA10

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 略円形の基板の表面に処理液を均一に供
   給するための基板処理装置であって、 基板を回転可能に支持するスピンチャックと、 前記スピンチャックに支持されて回転する基板の回転中
   心からこの基板の端縁より内側の位置に至るまでの領域
   に対し連続的に処理液を供給可能な処理液の吐出部を備
   えた処理液供給ノズルと、 前記処理液供給ノズルを、前記スピンチャックに支持さ
   れて回転する基板の端縁付近を中心に、前記吐出部の先
   端部が前記スピンチャックに支持されて回転する基板の
   回転中心と対向する位置とこの基板の端縁より内側の位
   置と対向する位置との間で回動させるノズル回動機構
   と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記ノズル移動機構は、前記処理液供給ノズルを、前記
   スピンチャックに支持されて回転する基板の端縁より内
   側の位置に配置された軸を中心として回動させる基板処
   理装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記ノズル移動機構は、前記処理液供給ノズルを、前記
   スピンチャックに支持されて回転する基板の端縁より外
   側の位置に配置された軸を中心として回動させる基板処
   理装置。
4. 【請求項４】 請求項１乃至請求項３いずれかに記載の
   基板処理装置において、 前記吐出部は、その先端部と基端部との距離が前記スピ
   ンチャックに支持されて回転する基板の半径より小さな
   スリットから構成される基板処理装置。
5. 【請求項５】 略円形の基板の表面に処理液を均一に供
   給するための基板処理装置であって、 基板を回転可能に支持するスピンチャックと、 前記スピンチャックに支持されて回転する基板の半径よ
   り小さな領域に対し連続的に処理液を供給可能な処理液
   の吐出部を備えた処理液供給ノズルと、 前記処理液供給ノズルを、前記吐出部の基端部付近を中
   心に回動させるノズル回動機構と、 前記回動機構により回動する処理液供給ノズルを、前記
   スピンチャックに支持されて回転する基板の半径方向に
   移動させるノズル移動機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。