JP2001156039A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP2001156039A
JP2001156039A JP33446699A JP33446699A JP2001156039A JP 2001156039 A JP2001156039 A JP 2001156039A JP 33446699 A JP33446699 A JP 33446699A JP 33446699 A JP33446699 A JP 33446699A JP 2001156039 A JP2001156039 A JP 2001156039A
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幸宏 高村
Kazuki Kajino
一樹 梶野
Mikio Masuichi
幹雄 増市
Takashi Kawamura
隆 河村
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Abstract

(57)【要約】 【課題】基板の表面端部に形成された薄膜を確実に除去
でき、エッチングむらの発生を防止する。 【解決手段】表面に薄膜Fが形成されたウエハWの裏面
に対向する対向面を有するスピンベース2と、スピンベ
ース2の対向面に複数設けられ、スピンベース2に対し
て回転自在なベース部31、ベース部31に設けられウ
エハWの端部を保持する第1のピン33a、およびベー
ス部31に設けられウエハWの端部を保持する第2のピ
ン33bを備えた保持部材3と、スピンベース2を回転
させるモータ10と、第1のピン33aまたは第2のピ
ン33bに保持されたウエハWの裏面にエッチング液を
供給するための吐出口7と、第1のピン33aによるウ
エハWの端部の保持と第2のピン33bによるウエハW
の端部の保持とを切り換える切り換え機構40と、を有
している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスク用ガラス基板、液晶用ガラス基板、光ディス
ク用基板等の基板に、エッチング液を供給して基板にエ
ッチング処理等の所定の処理を行う基板処理装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハ等の基板の一連の処理工程
においては、基板の表面にフォトレジスト等の薄膜を形
成するための成膜工程を複数工程有しているが、この成
膜工程では基板の裏面あるいは表面端部にも成膜される
ことがある。しかし、一般的には基板において成膜が必
要なのは基板の表面のみであり、基板の裏面あるいは表
面端部に成膜されてしまうと、成膜工程の後工程におい
て、他の装置との接触により基板の裏面あるい表面端部
に形成された薄膜が剥がれたりすることがあり、これが
原因となって歩留まりの低下や基板処理装置自体のトラ
ブルが起こることがある。
【0003】そこで、基板の裏面あるいは表面端部に形
成された薄膜を除去するために、従来の基板処理装置で
は次のような除去方法が採用されている。
【0004】図5は、従来の基板処理装置の概略構成図
である。図5に示す中空の回転軸101は、図示しない
モータに伝導連結されていて、鉛直軸回りに回転可能で
ある。この回転軸101の上端部には、ベース部材とし
ての円板状のスピンベース102が一体的に連結されて
いる。このスピンベース102の周縁部付近には基板の
外周端部を3箇所以上で保持する保持部材103が設け
られている。この保持部材103は、スピンベース10
2に対して回転可能な基部103aと、基部103aの
中央上部から突出し、かつ基板Wの裏面に当接する支持
部材103bと、基部103aの上部から突出し基板W
の外周端部に当接するチャックピン103cとを備えて
いる。なお、基部103aは、支持部材103bを中心
として回転可能である。
【0005】また、中空の回転軸101には、回転軸1
01と同軸で、かつ内周にエッチング液供給管104が
設けられている。このエッチング液供給管104は、エ
ッチング液供給源105に連通接続されており、このエ
ッチング液供給管104の途中には開閉弁106が設け
られている。この開閉弁106は、基板Wの裏面へのエ
ッチング液供給量を制御する。そして、基板Wの裏面お
よび表面端部のエッチング処理を行う際には、基板Wを
回転させた状態で、開閉弁106を開状態にして、エッ
チング液をエッチング液供給源105からエッチング液
供給管104を通して、吐出部107から基板Wの裏面
へ供給される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の基板処理装置では、確かに基板Wの裏面をエッ
チングすることは可能であるが、チャックピン103c
と基板Wの外周端部とが当接しているので、当接してい
る部分においては、エッチング液が基板Wの外周端部に
到達しないという問題がある。そのため、図6に示すよ
うに、基板Wの表面の外周端部でエッチングされない部
分が発生し、その結果、基板Wの表面にエッチングむら
が発生してしまうことになる。
【0007】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板の表面の端部に形成された薄膜を
確実に除去でき、エッチングむらの発生を防止する基板
処理装置を提供することを目的とする
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の基板処理装置は、基板に所定の処
理を行う基板処理装置であって、表面に薄膜が形成され
た基板の裏面に対向する対向面を有するベース部材と、
前記ベース部材の対向面に複数設けられ、前記ベース部
材に対して回転自在な基部、前記基部に設けられ基板の
端部を保持する第1保持部、および前記基部に設けられ
基板の端部を保持する第2保持部を備えた基板保持手段
と、前記ベース部材を回転させるベース部材用駆動手段
と、前記第1保持部または前記第2保持部に保持された
基板の裏面にエッチング液を供給するエッチング液供給
手段と、前記第1保持部による基板の端部の保持と前記
第2保持部による基板の端部の保持とを切り換える切り
換え手段と、を有することを特徴とするものである。
【0009】請求項2に記載の基板処理装置は、請求項
1に記載の基板処理装置であって、前記第1保持部によ
り基板の端部を保持した状態で前記ベース部材用駆動手
段により基板を回転させつつ前記エッチング液供給手段
により基板の裏面にエッチング液を供給させ、前記ベー
ス部材用駆動手段による基板の回転を一旦停止させて前
記切り換え手段により基板の端部の保持を前記第1保持
部から前記第2保持部へ切り換え、前記第2保持部によ
り基板の端部を保持した状態で前記ベース部材用駆動手
段により基板を回転させつつ前記エッチング液供給手段
により基板の裏面にエッチング液を供給させる制御手段
をさらに有することを特徴とするものである。
【0010】請求項3に記載の基板処理装置は、請求項
2に記載の基板処理装置であって、前記制御手段は、前
記ベース部材用駆動手段による基板の回転を停止させて
前記切り換え手段により基板の端部の保持を前記第1保
持部から前記第2保持部へ切り換る際に、前記エッチン
グ液供給手段による基板の裏面へのエッチング液の供給
を停止させることを特徴とするものである。
【0011】請求項4に記載の基板処理装置は、請求項
1乃至請求項3に記載の基板処理装置であって、前記基
板保持手段は、前記ベース部材の対向面側において前記
基部を回転自在にさせ、かつ前記ベース部材に貫通して
いる軸部と、前記ベース部材の裏面側において前記軸部
に取り付けられ、第1突出部と第2突出部とを備えた回
転部材とを有し、前記切り換え手段は、前記第1突出部
または前記第2突出部に接触して前記第1保持部による
基板の端部の保持と前記第2保持部による基板の端部の
保持とを切り換えることを特徴とするものである。
【0012】請求項5に記載の基板処理装置は、請求項
4に記載の基板処理装置であって、前記軸部の上端が、
基板の裏面を支持することを特徴とするものである。
【0013】請求項6に記載の基板処理装置は、請求項
4または請求項5に記載の基板処理装置であって、前記
切り換え手段は、前記ベース部材の裏面の第1の位置と
前記ベース部材の裏面外の第2の位置に移動可能であ
り、前記第1の位置において前記第1突出部または前記
第2突出部に接触するアーム部材と、前記アーム部材を
前記第1の位置と前記第2の位置とに移動させるアーム
部材用駆動手段とを有することを特徴とするものであ
る。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図1は、本発明の実施の形
態に係る基板処理装置の縦断面図である。なお、この基
板処理装置は、基板の表面に形成された薄膜をエッチン
グ処理するエッチング処理装置である。
【0015】中空の回転軸1は、モータ10(図3)に
伝導連結されていて、鉛直軸回りに回転可能である。こ
の回転軸1の上端部には、ベース部材としての円板状の
スピンベース2が一体的に連結されている。このスピン
ベース2の周縁部付近には基板の一種であるウエハWの
外周端部を3箇所以上で保持する保持部材3が設けられ
ている。ウエハWは、その外周端部が保持部材3に保持
されることで、スピンベース2の対向面から所定の間隔
だけ離れた状態で水平姿勢で保持され、モータ10(図
3参照)の回転駆動によって鉛直軸回りに回転されるよ
うになっている。なお、この基板処理装置のように、ウ
エハWをスピンベース2の上方で保持する装置は、通常
ウエハWの表面を上にして、すなわち、図1に示すウエ
ハWの上面が表面に、下面が裏面になるような状態で保
持部材3に保持される。なお、モータ10の回転駆動の
制御は制御部50で行われる。
【0016】回転軸1の中空部には、この回転軸1と同
軸で、かつ内周にエッチング液供給管4が設けられてい
る。このエッチング液供給管4は、エッチング液供給源
5に連通接続されており、このエッチング液供給管4の
途中には開閉弁6が設けられている。この開閉弁6はウ
エハWの裏面へのエッチング液の供給量を制御する。そ
して、エッチング液はエッチング液供給源5からエッチ
ング液供給管4を通して吐出口7からウエハWの裏面へ
供給される。
【0017】保持部材3は、スピンベース2の対向面
(表面)においてスピンベース2に対して回転自在なベ
ース部31を備えている。このベース部31は、スピン
ベース2に設けられた孔21に貫通された軸32(軸
部)と一体的に成形されている。この軸32の上端部
は、ウエハWの裏面を支持している。そうすれば、ウエ
ハWの裏面の汚染が抑制されるという効果がある。この
ベース部31の上面には、ウエハWの外周端部に当接す
る第1保持部に相当する第1のピン33aと第2保持部
に相当する第2のピン33bとが設けられている。第1
のピン33aおよび第2のピン33bにはウエハWの保
持を維持するために、先端に突出部が形成されている。
これにより、ウエハWが第1のピン33aによるウエハ
Wの外周端部の保持および第1のピン33bによるウエ
ハWの外周端部の保持が解除されることはない。
【0018】また、保持部材3は、スピンベース2の裏
面側においてスピンベース2に対して回転自在な、回転
部材34を備えている。この回転部材34は、スピンベ
ース2に設けられた孔21に貫通された軸32に取り付
けられている。この回転部材34の下側は、引張バネ3
5を介してスピンベース2の裏面に設けられたピン22
に取り付けられている。この回転部材34の両側には、
図2に示すように、第1突出部34aと第2突出部34
bとが設けられている。なお、第1突出部34aと第2
突出部34bとは、回転部材34本体に対して対向した
位置に設けられている。
【0019】図2に示すように、スピンベース2の側方
には、切り換え機構40が設けられている。この切り換
え機構40は、軸心42を中心として、スピンベース2
の下方の第1の位置とスピンベース2の下方外の第2の
位置とに移動可能なアーム部材41を備えている。この
アーム部材41は、第1突出部34aおよび第2突出部
34bにそれぞれ当接する当接部43を有している。こ
のアーム部材41の移動は、図1および図2に示すよう
に、ステッピングモータ44により矢印Aに示すように
移動する。なお、3つの回転部材34は、スピンベース
2の裏面にて図示しないリングで連結されており、1つ
の切り換え機構40が1つの回転部材34を作動すれ
ば、自動的に3つの回転部材34が回動し、3つの保持
部材3が同時にウエハWの保持およびその解除を行うこ
とになる。
【0020】次に、基板処理装置の制御系について説明
する。図3は、基板処理装置の制御系を示す図である。
制御部50は、モータ10の制御を行って、ウエハWの
駆動制御を行い、ウエハWの回転数を制御する。また、
制御部50は、1つのステッピングモータ44の制御を
行って、第1のピン33aと第2のピン33bとの切り
換えを行う。さらに、制御部50は、開閉弁6の制御を
行って、エッチング液の供給とその停止の制御を行う。
【0021】次に、本発明の実施の形態に係る基板処理
装置の処理動作について説明する。まず、制御部50が
ステッピングモータ44を制御して、アーム部材41を
第2の位置から第1の位置へ移動させて、アーム部材4
1の当接部43と第1突出部34aとを当接させ、第1
突出部34aを半押し込みして、3つの保持部材3を
「開」の状態にする。そして、表面に薄膜Fが形成され
たウエハWを軸心32の上端部へ載置する。次に、制御
部50がステッピングモータ44を制御して、アーム部
材41の当接部43と第1突出部34aとを当接させた
状態で第1突出部34aを最後まで押し込んで、図4
(a)に示すように、第1のピン33aをウエハWの外
周端部へ当接させ、ウエハWを保持する。その後、制御
部50がステッピングモータ44を制御して、アーム部
材41を第1の位置から第2の位置へ移動させ、アーム
部材41を一旦スピンベース2の下側の位置から退避さ
せる。
【0022】アーム部材41の退避が終了すると、第1
エッチング処理が開始される。この第1エッチング処理
では、まず、制御部50がモータ10を制御して所定の
回転数でウエハWの回転を開始する。そして、それと同
時に、制御部50は、開閉弁6を「閉」の状態から
「開」の状態へ切り換え、ウエハWを回転させた状態で
吐出口7からエッチング液をウエハWの裏面中央部へ供
給する。ウエハWの裏面中央部へ供給されたエッチング
液は、ウエハWの回転およびスピンベース2の回転にと
もなって、ウエハWの裏面とスピンベース2の対向面と
の空間をウエハWの外周側へ移動し、その結果、ウエハ
Wの裏面及び表面端部がエッチングされる。なお、この
とき、図4(a)に示すように、ウエハWの表面端部に
エッチングされていない部分Bが発生する。
【0023】第1エッチング処理が行われて所定の時間
経過すると、制御部50が、モータ10を制御してウエ
ハWの回転を停止するとともに、開閉弁6を「開」の状
態から「閉」の状態へ切り換え、エッチング液のウエハ
Wの裏面への供給を停止する。これにより、第1エッチ
ング処理が終了する。
【0024】第1エッチング処理が終了すると、制御部
50がステッピングモータ44を制御して、アーム部材
41を第2の位置から第1の位置へ移動させて、アーム
部材41の当接部43と第2突出部34bとを当接させ
た状態で図4(b)に示すように最後まで押し込んで、
第2のピン33bをウエハWの外周端部へ当接させ、ウ
エハWを保持する。その後、制御部50がステッピング
モータ44を制御して、アーム部材41を第1の位置か
ら第2の位置へ移動させ、アーム部材41を一旦スピン
ベース2の下側の位置から退避させる。
【0025】アーム部材41の退避が終了すると、第2
エッチング処理が開始される。この第2エッチング処理
では、まず、制御部50がモータ10を制御して所定の
回転数でウエハWの回転を開始する。そして、それと同
時に、制御部50は、開閉弁6を「閉」の状態から
「開」の状態へ切り換え、ウエハWを回転させた状態で
吐出口7からエッチング液をウエハWの裏面中央部へ供
給する。ウエハWの裏面中央部へ供給されたエッチング
液は、ウエハWの回転およびスピンベース2の回転にと
もなって、ウエハWの裏面とスピンベース2の対向面と
の空間をウエハWの外周側へ移動し、その結果、ウエハ
Wの裏面及び表面端部がエッチングされる。
【0026】第2エッチング処理が行われて所定の時間
経過すると、制御部50が、モータ10を制御してウエ
ハWの回転を停止するとともに、開閉弁6を「開」の状
態から「閉」の状態へ切り換え、エッチング液のウエハ
Wの裏面への供給を停止する。これにより、第2エッチ
ング処理が終了する。なお、第2エッチング処理の終了
により、図4(b)に示すように、第1エッチング処理
終了時に発生したウエハWの表面端部にエッチングされ
ていない部分Bは消滅する。
【0027】上述しました本発明の実施の形態に係る基
板処理装置の構成によれば次のような効果がある。
【0028】エッチング処理を行う際に、第1エッチン
グ処理として、第1のピン33aでウエハWの外周端部
を保持した状態でエッチング処理を行い、切り換え機構
40によりウエハWの外周端部の保持を第2のピン33
aから第1のピン33bへ切り換え、さらに、第2エッ
チング処理として、第2のピン33bでウエハWの外周
端部を保持した状態でエッチング処理を行っているの
で、ウエハWの表面の端部に形成された薄膜Fを確実に
除去でき、エッチングむらの発生を防止できる。
【0029】また、第1エッチング処理が行われて所定
の時間経過すると、制御部50が、モータ10を制御し
てウエハWの回転を停止するとともに、開閉弁6を
「開」の状態から「閉」の状態へ切り換え、エッチング
液のウエハWの裏面への供給を停止しているので、エッ
チング液を効率よく使用することができる。
【0030】また、ベース部31の上面に第1のピン3
3aおよび第2のピン33bを設け、ベース部材31を
回転自在にさせる軸32に回転部材34を取り付け、こ
の回転部材34に第1突出部34aと第2突出部34b
を設け、切り換え機構40が第1突出部34aと第2突
出部34bとに接触して、ウエハWの保持を切り換えて
いるので、簡素な構成で、保持部材3を構成することが
できる。
【0031】さらに、切り換え機構40は、第1の位置
と第2の位置との間を移動するアーム部材41と、この
アーム部材41を移動させるステッピングモータ44と
を備えているので、簡素な構成で、切り換え機構40を
構成することができる。
【0032】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る基板処理装置によれば、切り換え手段により第1保持
部による基板の端部の保持と前記第2保持部による基板
の端部の保持とを切り換えて、エッチング液供給手段に
より基板の裏面にエッチング液を供給してエッチング処
理を行うので、基板の表面端部に形成された薄膜を確実
に除去でき、エッチングむらの発生を防止できるという
効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の縦断
面図である。
【図2】切り換え機構および保持部材を示す図である。
【図3】基板処理装置の制御系を示す図である。
【図4】(a)は、第1のピンがウエハの外周端部に当
接してウエハを保持している状態を示す図、(b)は、
第1のピンがウエハの外周端部に当接してウエハを保持
している状態を示す図である。
【図5】従来の基板処理装置の概略構成図である。
【図6】従来の基板処理装置の問題点を説明する図であ
る。
【符号の説明】
1 回転軸 2 スピンベース 3 保持部材 4 エッチング液供給管 7 吐出口 10 モータ 31 ベース部材 32 軸 33a 第1のピン 33b 第2のピン 34 回転部材 34a 第1突出部 34b 第2突出部 40 切り換え機構 41 アーム部材 42 軸 43 当接部 44 ステッピングモータ F 薄膜 W ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 増市 幹雄 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 河村 隆 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 5F031 CA01 CA02 CA05 FA01 FA12 HA24 HA28 HA29 MA24 5F043 DD30 EE07 EE08 EE27 EE35 EE40 GG10

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板に所定の処理を行う基板処理装置であ
    って、 表面に薄膜が形成された基板の裏面に対向する対向面を
    有するベース部材と、 前記ベース部材の対向面に複数設けられ、前記ベース部
    材に対して回転自在な基部、前記基部に設けられ基板の
    端部を保持する第1保持部、および前記基部に設けられ
    基板の端部を保持する第2保持部を備えた基板保持手段
    と、 前記ベース部材を回転させるベース部材用駆動手段と、 前記第1保持部または前記第2保持部に保持された基板
    の裏面にエッチング液を供給するエッチング液供給手段
    と、 前記第1保持部による基板の端部の保持と前記第2保持
    部による基板の端部の保持とを切り換える切り換え手段
    と、を有することを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の基板処理装置であって、 前記第1保持部により基板の端部を保持した状態で前記
    ベース部材用駆動手段により基板を回転させつつ前記エ
    ッチング液供給手段により基板の裏面にエッチング液を
    供給させ、前記ベース部材用駆動手段による基板の回転
    を一旦停止させて前記切り換え手段により基板の端部の
    保持を前記第1保持部から前記第2保持部へ切り換え、
    前記第2保持部により基板の端部を保持した状態で前記
    ベース部材用駆動手段により基板を回転させつつ前記エ
    ッチング液供給手段により基板の裏面にエッチング液を
    供給させる制御手段をさらに有することを特徴とする基
    板処理装置。
  3. 【請求項3】請求項2に記載の基板処理装置であって、 前記制御手段は、前記ベース部材用駆動手段による基板
    の回転を停止させて前記切り換え手段により基板の端部
    の保持を前記第1保持部から前記第2保持部へ切り換る
    際に、前記エッチング液供給手段による基板の裏面への
    エッチング液の供給を停止させることを特徴とする基板
    処理装置。
  4. 【請求項4】請求項1乃至請求項3に記載の基板処理装
    置であって、 前記基板保持手段は、 前記ベース部材の対向面側において前記基部を回転自在
    にさせ、かつ前記ベース部材に貫通している軸部と、 前記ベース部材の裏面側において前記軸部に取り付けら
    れ、第1突出部と第2突出部とを備えた回転部材とを有
    し、 前記切り換え手段は、前記第1突出部または前記第2突
    出部に接触して前記第1保持部による基板の端部の保持
    と前記第2保持部による基板の端部の保持とを切り換え
    ることを特徴とする基板処理装置。
  5. 【請求項5】請求項4に記載の基板処理装置であって、 前記軸部の上端が、基板の裏面を支持することを特徴と
    する基板処理装置。
  6. 【請求項6】請求項4または請求項5に記載の基板処理
    装置であって、 前記切り換え手段は、 前記ベース部材の裏面の第1の位置と前記ベース部材の
    裏面外の第2の位置に移動可能であり、前記第1の位置
    において前記第1突出部または前記第2突出部に接触す
    るアーム部材と、 前記アーム部材を前記第1の位置と前記第2の位置とに
    移動させるアーム部材用駆動手段とを有することを特徴
    とする基板処理装置。
JP33446699A 1999-11-25 1999-11-25 基板処理装置 Expired - Lifetime JP3625264B2 (ja)

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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003088793A (ja) * 2001-09-20 2003-03-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2004111902A (ja) * 2002-07-26 2004-04-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2005045287A (ja) * 2004-10-28 2005-02-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
WO2005053014A1 (de) * 2003-11-26 2005-06-09 Infineon Technologies Ag Anordnung elektronischer halbleiterbauelemente auf einem trägersystem zur behandlung der halbleiterbauelemente mit einem flüssigen medium
KR100513276B1 (ko) * 2003-05-23 2005-09-09 삼성전자주식회사 웨이퍼 고정 스핀 척
US6964724B2 (en) * 1999-03-15 2005-11-15 Nec Corporation Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatuses used therefor
US7323080B2 (en) 2004-05-04 2008-01-29 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate
KR100809593B1 (ko) 2006-09-12 2008-03-04 세메스 주식회사 스핀헤드
US7413628B2 (en) 2002-07-26 2008-08-19 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
CN100452314C (zh) * 2004-05-04 2009-01-14 细美事有限公司 基片处理装置和方法
US8123901B2 (en) * 2004-10-21 2012-02-28 Renesas Electronics Corporation Etching apparatus
EP4407667A1 (en) * 2023-01-27 2024-07-31 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate holding device and substrate treating apparatus provided therewith

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8420549B2 (en) 1999-03-15 2013-04-16 Renesas Electronics Corporation Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatuses used therefor
US7862658B2 (en) 1999-03-15 2011-01-04 Renesas Electronics Corporation Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatuses used therefor
US6964724B2 (en) * 1999-03-15 2005-11-15 Nec Corporation Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatuses used therefor
JP2003088793A (ja) * 2001-09-20 2003-03-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US7413628B2 (en) 2002-07-26 2008-08-19 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
JP2004111902A (ja) * 2002-07-26 2004-04-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
KR100513276B1 (ko) * 2003-05-23 2005-09-09 삼성전자주식회사 웨이퍼 고정 스핀 척
US7566378B2 (en) 2003-11-26 2009-07-28 Infineon Technologies Ag Arrangement of electronic semiconductor components on a carrier system for treating said semiconductor components with a liquid medium
WO2005053014A1 (de) * 2003-11-26 2005-06-09 Infineon Technologies Ag Anordnung elektronischer halbleiterbauelemente auf einem trägersystem zur behandlung der halbleiterbauelemente mit einem flüssigen medium
US8759230B2 (en) 2003-11-26 2014-06-24 Infineon Technologies Ag Treatment of a substrate with a liquid medium
US7323080B2 (en) 2004-05-04 2008-01-29 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate
CN100452314C (zh) * 2004-05-04 2009-01-14 细美事有限公司 基片处理装置和方法
US8123901B2 (en) * 2004-10-21 2012-02-28 Renesas Electronics Corporation Etching apparatus
JP2005045287A (ja) * 2004-10-28 2005-02-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR100809593B1 (ko) 2006-09-12 2008-03-04 세메스 주식회사 스핀헤드
EP4407667A1 (en) * 2023-01-27 2024-07-31 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate holding device and substrate treating apparatus provided therewith

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