JP2002030431A - スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲットおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP2002030431A JP2002030431A JP2000213384A JP2000213384A JP2002030431A JP 2002030431 A JP2002030431 A JP 2002030431A JP 2000213384 A JP2000213384 A JP 2000213384A JP 2000213384 A JP2000213384 A JP 2000213384A JP 2002030431 A JP2002030431 A JP 2002030431A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- bonding
- target member
- joining
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリング中のターゲットの割れを
低減したスパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】 ターゲット支持体、ターゲット部材及び
これらを接合するはんだ材とから構成されるスパッタリ
ングターゲットにおいて、ターゲット部材における、タ
ーゲット支持体との接合面の表面粗さ（Ｒａ）を０．５
μｍ以上としたことを特徴とし、このようなターゲット
は、ターゲット部材における、ターゲット支持体との接
合面のＲａを、ブラスト材の投射により０．５μｍ以上
とした後、はんだ材を用いてターゲット部材とターゲッ
ト支持体とを接合することより得られる。
低減したスパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】 ターゲット支持体、ターゲット部材及び
これらを接合するはんだ材とから構成されるスパッタリ
ングターゲットにおいて、ターゲット部材における、タ
ーゲット支持体との接合面の表面粗さ（Ｒａ）を０．５
μｍ以上としたことを特徴とし、このようなターゲット
は、ターゲット部材における、ターゲット支持体との接
合面のＲａを、ブラスト材の投射により０．５μｍ以上
とした後、はんだ材を用いてターゲット部材とターゲッ
ト支持体とを接合することより得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリングに
より薄膜を形成する際に使用されるスパッタリングター
ゲットに関するものである。
より薄膜を形成する際に使用されるスパッタリングター
ゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の情報社会およびマルチメディアを
支える半導体素子、記録媒体、フラットパネルディスプ
レイ等のデバイスには、多種多様の薄膜が使用されてい
る。薄膜を形成する手段としては、スパッタリング法、
真空蒸着法、ＣＶＤ法等があげられる。中でも、スパッ
タリング法は、大面積に均一な膜を成膜するのに有利な
ため、フラットパネルディスプレイの分野では多く使用
されている。
支える半導体素子、記録媒体、フラットパネルディスプ
レイ等のデバイスには、多種多様の薄膜が使用されてい
る。薄膜を形成する手段としては、スパッタリング法、
真空蒸着法、ＣＶＤ法等があげられる。中でも、スパッ
タリング法は、大面積に均一な膜を成膜するのに有利な
ため、フラットパネルディスプレイの分野では多く使用
されている。
【０００３】スパッタリング法で用いられるスパッタリ
ングターゲットは、特殊なものを除いて、ターゲット部
材とターゲットの支持体であるバッキングプレートとを
接合することにより製造される。ターゲット部材とバッ
キングプレートの接合方法としては、金属接合剤（例え
ばインジウムはんだ）によるろう付け、拡散接合、爆
着、ＥＢウェルド等多様の手法があり、ターゲット部材
やバッキングプレートの材質に合わせて適宜選択され、
採用されている。
ングターゲットは、特殊なものを除いて、ターゲット部
材とターゲットの支持体であるバッキングプレートとを
接合することにより製造される。ターゲット部材とバッ
キングプレートの接合方法としては、金属接合剤（例え
ばインジウムはんだ）によるろう付け、拡散接合、爆
着、ＥＢウェルド等多様の手法があり、ターゲット部材
やバッキングプレートの材質に合わせて適宜選択され、
採用されている。
【０００４】中でも、金属接合剤を用いたろう付けによ
る手法は、一般的であり、製造設備を導入する際のコス
トが低く、またフラットパネルディスプレイ用の大型サ
イズのターゲットに対しても比較的容易に適応できると
いう利点を有している。
る手法は、一般的であり、製造設備を導入する際のコス
トが低く、またフラットパネルディスプレイ用の大型サ
イズのターゲットに対しても比較的容易に適応できると
いう利点を有している。
【０００５】このような構造をしたスパッタリングター
ゲットのターゲット部材としてガラス材を用いた場合に
は、ターゲットとバッキングプレートの接合工程や、ス
パッタリングによる成膜中にターゲットに割れが発生し
やすいという特徴がある。
ゲットのターゲット部材としてガラス材を用いた場合に
は、ターゲットとバッキングプレートの接合工程や、ス
パッタリングによる成膜中にターゲットに割れが発生し
やすいという特徴がある。
【０００６】接合時に発生する割れは、ターゲット部材
およびバッキングプレートをはんだ材の融点以上に加
熱、接合させた後の冷却工程において両者の熱膨張率の
差により発生することが知られている。これを解決する
ために、例えば、特開平２−１８４５７８号公報（接合
材として有機接着剤を使用）、特開平２−１２２０７１
号公報（半田の融点直下の温度で反りに対する機械的矯
正を実施）、特開平６−６５７２７号公報（接合面の一
部にのみはんだ材を使用して接合）、特開平１０−４６
３２９号報（半田層に粉末を介在させる）等が提案され
ている。
およびバッキングプレートをはんだ材の融点以上に加
熱、接合させた後の冷却工程において両者の熱膨張率の
差により発生することが知られている。これを解決する
ために、例えば、特開平２−１８４５７８号公報（接合
材として有機接着剤を使用）、特開平２−１２２０７１
号公報（半田の融点直下の温度で反りに対する機械的矯
正を実施）、特開平６−６５７２７号公報（接合面の一
部にのみはんだ材を使用して接合）、特開平１０−４６
３２９号報（半田層に粉末を介在させる）等が提案され
ている。
【０００７】一方、スパッタリング中に発生するターゲ
ットの割れについては、装置や薄膜製品に与えるダメー
ジが大きく、解決すべき重要な課題となっているが、こ
れまでに充分な対策はとられていなかった。
ットの割れについては、装置や薄膜製品に与えるダメー
ジが大きく、解決すべき重要な課題となっているが、こ
れまでに充分な対策はとられていなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ター
ゲット支持体であるバッキングプレート、ターゲット部
材およびこれらを接合するはんだ材とから構成されるス
パッタリングターゲットにおいて、スパッタリング中に
発生する割れが起こりにくいスパッタリングターゲット
およびその製造方法を提供することにある。
ゲット支持体であるバッキングプレート、ターゲット部
材およびこれらを接合するはんだ材とから構成されるス
パッタリングターゲットにおいて、スパッタリング中に
発生する割れが起こりにくいスパッタリングターゲット
およびその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記問題点
を解決すべく鋭意検討を行った結果、スパッタリング中
に発生する割れは、プラズマからの熱の輻射により加熱
されたターゲット部材の熱が、はんだ材および水冷され
ているバッキングプレートを経由して逃がしきれずにタ
ーゲット部材中に蓄熱されるため、この熱によってター
ゲット部材のみが膨張して、割れにつながってしまうと
考え、熱伝導性および引っ張り強度を増加さえるのが良
いとの方針を得た。そして、ターゲット部材における、
ターゲット支持体との接合面の表面粗さ（Ｒａ）を０．
５μｍ以上としたスパッタリングターゲットを用い、タ
ーゲット部材と接合剤との接触面積を増加させることに
より、熱伝導性および引っ張り強度が増加でき、前記課
題を解決できることを見出し本発明を完成した。
を解決すべく鋭意検討を行った結果、スパッタリング中
に発生する割れは、プラズマからの熱の輻射により加熱
されたターゲット部材の熱が、はんだ材および水冷され
ているバッキングプレートを経由して逃がしきれずにタ
ーゲット部材中に蓄熱されるため、この熱によってター
ゲット部材のみが膨張して、割れにつながってしまうと
考え、熱伝導性および引っ張り強度を増加さえるのが良
いとの方針を得た。そして、ターゲット部材における、
ターゲット支持体との接合面の表面粗さ（Ｒａ）を０．
５μｍ以上としたスパッタリングターゲットを用い、タ
ーゲット部材と接合剤との接触面積を増加させることに
より、熱伝導性および引っ張り強度が増加でき、前記課
題を解決できることを見出し本発明を完成した。
【００１０】即ち、本発明は、ターゲット支持体、ター
ゲット部材およびこれらを接合するはんだ材とから構成
されるスパッタリングターゲットにおいて、前記ターゲ
ット部材におけるターゲット支持体との接合面の表面粗
さ（Ｒａ）を０．５μｍ以上としたことを特徴としたス
パッタリングターゲットおよびその製造方法に関する。
ゲット部材およびこれらを接合するはんだ材とから構成
されるスパッタリングターゲットにおいて、前記ターゲ
ット部材におけるターゲット支持体との接合面の表面粗
さ（Ｒａ）を０．５μｍ以上としたことを特徴としたス
パッタリングターゲットおよびその製造方法に関する。
【００１１】なお、本発明でいうＲａの定義および測定
方法は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に記載の通りで
ある。
方法は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に記載の通りで
ある。
【００１２】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１３】本発明に関わるスパッタリングターゲット
は、例えば、以下の方法で製造することができる。
は、例えば、以下の方法で製造することができる。
【００１４】本発明のターゲット部材としては、一般に
用いられる材料、例えば、クロム、チタン、アルミニウ
ム、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ複合酸化物）、
ＳｉＯ2等で形成されたものを例示することができる。
中でも、本発明は、スパッタリング中に割れの発生しや
すい材料に対して有効であり、特に、ＳｉＯ2、パイレ
ックス（登録商標）ガラス等のガラス材に対して有効で
ある。また、ターゲット支持体の材質としては、無酸素
銅、Ｃｕ−Ｃｒ等の銅合金、チタン、ステンレススチー
ル等の通常用いられるプレートを例示することができ
る。これらのターゲット部材およびプレートは、接合面
が実質的に平行なものが好ましく、それ自体の形状とし
ては、板状物、円形板または角形板等をあげることがで
きる。
用いられる材料、例えば、クロム、チタン、アルミニウ
ム、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ複合酸化物）、
ＳｉＯ2等で形成されたものを例示することができる。
中でも、本発明は、スパッタリング中に割れの発生しや
すい材料に対して有効であり、特に、ＳｉＯ2、パイレ
ックス（登録商標）ガラス等のガラス材に対して有効で
ある。また、ターゲット支持体の材質としては、無酸素
銅、Ｃｕ−Ｃｒ等の銅合金、チタン、ステンレススチー
ル等の通常用いられるプレートを例示することができ
る。これらのターゲット部材およびプレートは、接合面
が実質的に平行なものが好ましく、それ自体の形状とし
ては、板状物、円形板または角形板等をあげることがで
きる。
【００１５】ターゲット部材およびターゲット支持体を
接合する接合材料は、通常用いられる比較的低融点のは
んだ、例えばインジウムはんだ等が用いられる。
接合する接合材料は、通常用いられる比較的低融点のは
んだ、例えばインジウムはんだ等が用いられる。
【００１６】接合部分の厚さ（相対するターゲット部材
面とターゲット支持体面との間隔）は２ｍｍ以下である
ことが好ましい。このような厚さに設定することによ
り、接合材料からなる接合層のもつ抵抗が大きくなりす
ぎず、スパッタリング時の放電電圧が不必要に高くなる
弊害を抑制することが可能となる。更に好ましくは、接
合層の抵抗の増加を抑制するために、金属製のワイヤー
等を使用し、厚さを０．５ｍｍ以下にすることである。
しかし、スパッタリングターゲットの強度の面から前記
した間隔は上記範囲以下で少なくとも０．１ｍｍが好ま
しい。
面とターゲット支持体面との間隔）は２ｍｍ以下である
ことが好ましい。このような厚さに設定することによ
り、接合材料からなる接合層のもつ抵抗が大きくなりす
ぎず、スパッタリング時の放電電圧が不必要に高くなる
弊害を抑制することが可能となる。更に好ましくは、接
合層の抵抗の増加を抑制するために、金属製のワイヤー
等を使用し、厚さを０．５ｍｍ以下にすることである。
しかし、スパッタリングターゲットの強度の面から前記
した間隔は上記範囲以下で少なくとも０．１ｍｍが好ま
しい。
【００１７】また、スパッタリング時の冷却効率を保つ
上でボンディング率は、９０％以上とすることが好まし
い。ここでいうボンディング率とは、ターゲット部材と
ターゲット支持体との重なり合った面の面積に対して、
ターゲット部材とターゲット支持体材とが接合層が介し
て接合されている面の面積割合を示す。このボンディン
グ率は、通常、超音波探傷装置等により測定することが
可能である。
上でボンディング率は、９０％以上とすることが好まし
い。ここでいうボンディング率とは、ターゲット部材と
ターゲット支持体との重なり合った面の面積に対して、
ターゲット部材とターゲット支持体材とが接合層が介し
て接合されている面の面積割合を示す。このボンディン
グ率は、通常、超音波探傷装置等により測定することが
可能である。
【００１８】次にターゲット部材とターゲット支持体と
の接合方法について詳述する。
の接合方法について詳述する。
【００１９】所定の形状に加工したターゲット部材にお
ける、ターゲット支持体との接合面に対して、表面処理
を行う。表面処理に使用される装置は、一般に市販され
ているブラスト装置を使用することができる。例えば、
不二製作所製、商品名「ニューマブラスター・ＳＧＦ−
５−Ｂ」を挙げることができる。ブラスト法に用いられ
る粉末（以下“ブラスト材”と記載）としては、ガラ
ス、アルミナ、ジルコニア、ＳｉＣ、等が使用できる
が、これらはターゲット部材の組成、硬度等に併せて適
宜選択される。
ける、ターゲット支持体との接合面に対して、表面処理
を行う。表面処理に使用される装置は、一般に市販され
ているブラスト装置を使用することができる。例えば、
不二製作所製、商品名「ニューマブラスター・ＳＧＦ−
５−Ｂ」を挙げることができる。ブラスト法に用いられ
る粉末（以下“ブラスト材”と記載）としては、ガラ
ス、アルミナ、ジルコニア、ＳｉＣ、等が使用できる
が、これらはターゲット部材の組成、硬度等に併せて適
宜選択される。
【００２０】ブラスト材の形状は、針状、粒状、球状等
が使用できる。また、ブラスト材の平均粒度は、５０〜
５００μｍが好ましく、特に８０〜２００μｍが好まし
い。ブラスト材の粒径を大きくすると、処理面の表面粗
さが大きくなる。
が使用できる。また、ブラスト材の平均粒度は、５０〜
５００μｍが好ましく、特に８０〜２００μｍが好まし
い。ブラスト材の粒径を大きくすると、処理面の表面粗
さが大きくなる。
【００２１】ブラスト材をターゲット部材表面に衝突さ
せる圧力は、２〜１０ｋｇ／ｃｍ2程度が好ましく、特
に４〜７ｋｇ／ｃｍ2が好ましく、更には５〜６ｋｇ／
ｃｍ2が好ましい。
せる圧力は、２〜１０ｋｇ／ｃｍ2程度が好ましく、特
に４〜７ｋｇ／ｃｍ2が好ましく、更には５〜６ｋｇ／
ｃｍ2が好ましい。
【００２２】また、ノズルとターゲット表面との距離
は、５０〜３００ｍｍ程度が好ましい。この距離が近す
ぎる場合は、ビーズがターゲットをブラストする有効面
積が小さくなり、効率的でない。反対に、この距離が大
きすぎると圧力不足となり、ブラストに長時間を有す
る。
は、５０〜３００ｍｍ程度が好ましい。この距離が近す
ぎる場合は、ビーズがターゲットをブラストする有効面
積が小さくなり、効率的でない。反対に、この距離が大
きすぎると圧力不足となり、ブラストに長時間を有す
る。
【００２３】このように、ブラスト材の形状、平均粒
径、吐出圧力及び吐出距離を適宜調整することにより、
ターゲット部材の処理面の表面粗さが０．５μｍ以上、
好ましくは、０．７μｍ以上になるように設定する。表
面粗さの上限としては、特に制限はないが、表面粗さを
大きくしようとするとブラスト材を投射する際の圧力を
増加させる、ブラスト材の硬度を高くする、投射時間を
長くするといった方法を採用することとなる。しかし、
上記のような方法を採用すると、ターゲット材の、特に
エッジ部に「欠け」が発生してしまうおそれがあるの
で、このような現象を防止するためには、表面粗さは、
１０μｍ以下とすることが好ましい。
径、吐出圧力及び吐出距離を適宜調整することにより、
ターゲット部材の処理面の表面粗さが０．５μｍ以上、
好ましくは、０．７μｍ以上になるように設定する。表
面粗さの上限としては、特に制限はないが、表面粗さを
大きくしようとするとブラスト材を投射する際の圧力を
増加させる、ブラスト材の硬度を高くする、投射時間を
長くするといった方法を採用することとなる。しかし、
上記のような方法を採用すると、ターゲット材の、特に
エッジ部に「欠け」が発生してしまうおそれがあるの
で、このような現象を防止するためには、表面粗さは、
１０μｍ以下とすることが好ましい。
【００２４】得られた表面処理済みのターゲット部材表
面を、必要に応じて洗浄した後、接合面に金属インジウ
ム半田等の接合材料を塗布する。同じく必要に応じて洗
浄処理を施したバッキングプレートの接合面に、金属イ
ンジウム半田等の接合材料を塗布する。この際に、ター
ゲット部材が直接接合材料に溶着しない材料で構成され
ている場合には、予めターゲット部材の接合面に接合材
料との濡れ性に優れた銅、ニッケル等の薄膜層を、スパ
ッタリング法、メッキ法等により形成した後、このター
ゲット部材を使用する接合材料の融点以上に加熱して接
合材料を塗布するか、あるいは超音波を用いてターゲッ
ト部材の接合面に直接接合材料を塗布してもよい。
面を、必要に応じて洗浄した後、接合面に金属インジウ
ム半田等の接合材料を塗布する。同じく必要に応じて洗
浄処理を施したバッキングプレートの接合面に、金属イ
ンジウム半田等の接合材料を塗布する。この際に、ター
ゲット部材が直接接合材料に溶着しない材料で構成され
ている場合には、予めターゲット部材の接合面に接合材
料との濡れ性に優れた銅、ニッケル等の薄膜層を、スパ
ッタリング法、メッキ法等により形成した後、このター
ゲット部材を使用する接合材料の融点以上に加熱して接
合材料を塗布するか、あるいは超音波を用いてターゲッ
ト部材の接合面に直接接合材料を塗布してもよい。
【００２５】一方、ターゲット支持体の素材として、接
合材料との濡れ性の悪い材料を用いた場合にも上述と同
様の処置を施した後、接合材料を塗布すればよい。
合材料との濡れ性の悪い材料を用いた場合にも上述と同
様の処置を施した後、接合材料を塗布すればよい。
【００２６】次に、接合材料を塗布したターゲット支持
体を、使用された接合材料の融点以上に加熱して表面の
接合材料層を融解させた後、上述の粉末をその表面に配
置し、ターゲット部材とバッキングプレートを接合した
後、室温まで冷却してターゲットとする。
体を、使用された接合材料の融点以上に加熱して表面の
接合材料層を融解させた後、上述の粉末をその表面に配
置し、ターゲット部材とバッキングプレートを接合した
後、室温まで冷却してターゲットとする。
【００２７】接合材料層の厚さを一定にするため、金属
製のワイヤーを接合層に介在させると好ましい。
製のワイヤーを接合層に介在させると好ましい。
【００２８】なお、本発明の構成は、複数のターゲット
部材を１枚のバッキングプレート上に接合した多分割タ
ーゲットにおいても有効である。
部材を１枚のバッキングプレート上に接合した多分割タ
ーゲットにおいても有効である。
【００２９】
【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定するものではない。
明するが、本発明はこれらに限定するものではない。
【００３０】（実施例１）ＳｉＯ2からなるターゲット
部材を５インチ×１５インチ×５ｍｍｔに加工した後、
接合面の表面粗さを測定したところ、０．２μｍであっ
た。次に、ターゲット部材の接合面をブラスト処理し
た。ブラスト条件は以下の通りである。
部材を５インチ×１５インチ×５ｍｍｔに加工した後、
接合面の表面粗さを測定したところ、０．２μｍであっ
た。次に、ターゲット部材の接合面をブラスト処理し
た。ブラスト条件は以下の通りである。
【００３１】（ブラスト条件） ブラスト圧力：６．０ｋｇ／ｃｍ2、ノズルとターゲッ
ト表面の距離：１５０ｍｍ、ブラスト材：平均粒径１０
０μｍの球状ガラスビーズ。
ト表面の距離：１５０ｍｍ、ブラスト材：平均粒径１０
０μｍの球状ガラスビーズ。
【００３２】ブラスト処理後の表面粗さを測定したとこ
ろ、０．７μｍであった。このブラスト処理後のターゲ
ット部材を洗浄、乾燥させた後、スパッタリング装置内
に入れ、ＤＣスパッタリングによりターゲット部材の接
合面に銅薄膜を約２００ｎｍ積層した。
ろ、０．７μｍであった。このブラスト処理後のターゲ
ット部材を洗浄、乾燥させた後、スパッタリング装置内
に入れ、ＤＣスパッタリングによりターゲット部材の接
合面に銅薄膜を約２００ｎｍ積層した。
【００３３】その後、このターゲット部材の接合面の周
囲の側面にポリアミドテープによりマスキングを施し、
接合面を上向きにして２００℃に設定したホットプレー
ト上に設置し、銅薄膜を積層した接合面全体にインジウ
ム半田を厚みが約０．２ｍｍとなるように塗布した。
囲の側面にポリアミドテープによりマスキングを施し、
接合面を上向きにして２００℃に設定したホットプレー
ト上に設置し、銅薄膜を積層した接合面全体にインジウ
ム半田を厚みが約０．２ｍｍとなるように塗布した。
【００３４】洗浄を施した無酸素銅製のバッキングプレ
ートにも、同様に半田の不要な部分にマスキング処理を
した後接合面を上向きにして２００℃に設定したホット
プレート上に設置し、その接合面全体にインジウム半田
を厚みが約０．２ｍｍとなるように塗布した。
ートにも、同様に半田の不要な部分にマスキング処理を
した後接合面を上向きにして２００℃に設定したホット
プレート上に設置し、その接合面全体にインジウム半田
を厚みが約０．２ｍｍとなるように塗布した。
【００３５】次に、インジウム半田を塗布したバッキン
グプレート上に、直径０．３ｍｍの真鍮製のワイヤー２
本を５インチ間隔で配置した。
グプレート上に、直径０．３ｍｍの真鍮製のワイヤー２
本を５インチ間隔で配置した。
【００３６】その後、ターゲット部材とバッキングプレ
ートとを接合し、室温まで冷却した。得られたＳｉＯ2
ターゲットのボンディング率は９５％であった。
ートとを接合し、室温まで冷却した。得られたＳｉＯ2
ターゲットのボンディング率は９５％であった。
【００３７】得られたターゲットをスパッタ装置内に設
置してスパッタリングテストを行った。スパッタリング
条件は以下の通りである。
置してスパッタリングテストを行った。スパッタリング
条件は以下の通りである。
【００３８】（スパッタ条件） スパッタガス：Ａｒ＋Ｏ2、Ｏ2／Ａｒ＝５％、スパッタ
ガス圧：５ｍＴｏｒｒ、ｒｆ電力＝１０００Ｗ、時間：
３０時間 スパッタリング後のターゲットに割れは、認められなか
った。同様のテストを同様の方法で製造した１０枚のタ
ーゲットに対して実施したが、ターゲットの割れは、１
枚も発生しなかった。
ガス圧：５ｍＴｏｒｒ、ｒｆ電力＝１０００Ｗ、時間：
３０時間 スパッタリング後のターゲットに割れは、認められなか
った。同様のテストを同様の方法で製造した１０枚のタ
ーゲットに対して実施したが、ターゲットの割れは、１
枚も発生しなかった。
【００３９】（実施例２）パイレックスガラスからなる
ターゲット部材を５インチ×１５インチ×５ｍｍｔに加
工した後、接合面の表面粗さを測定したところ、０．３
μｍであった。次に、ターゲット部材の接合面をブラス
ト処理した。ブラスト条件は以下の通りである。
ターゲット部材を５インチ×１５インチ×５ｍｍｔに加
工した後、接合面の表面粗さを測定したところ、０．３
μｍであった。次に、ターゲット部材の接合面をブラス
ト処理した。ブラスト条件は以下の通りである。
【００４０】（ブラスト条件） ブラスト圧力：５．５ｋｇ／ｃｍ2、ノズルとターゲッ
ト表面の距離：１５０ｍｍ、ブラスト材：平均粒径１０
０μｍの球状ガラスビーズ。
ト表面の距離：１５０ｍｍ、ブラスト材：平均粒径１０
０μｍの球状ガラスビーズ。
【００４１】ブラスト処理後の表面粗さを測定したとこ
ろ、０．７μｍであった。このターゲット部材を実施例
１と同様の方法でターゲット化した。得られたパイレッ
クスガラスターゲットのボンディング率は９６％であっ
た。
ろ、０．７μｍであった。このターゲット部材を実施例
１と同様の方法でターゲット化した。得られたパイレッ
クスガラスターゲットのボンディング率は９６％であっ
た。
【００４２】得られたターゲットをスパッタ装置内に設
置してスパッタリングテストを行った。スパッタリング
条件は以下の通り。
置してスパッタリングテストを行った。スパッタリング
条件は以下の通り。
【００４３】スパッタガス：Ａｒ＋Ｏ2、Ｏ2／Ａｒ＝３
％、スパッタガス圧：５ｍＴｏｒｒ、ｒｆ電力＝１００
０Ｗ、時間：３０時間 スパッタリング後のターゲットに割れは、認められなか
った。同様のテストを同様の方法で製造した１０枚のタ
ーゲットに対して実施したが、ターゲットの割れは、１
枚も発生しなかった。
％、スパッタガス圧：５ｍＴｏｒｒ、ｒｆ電力＝１００
０Ｗ、時間：３０時間 スパッタリング後のターゲットに割れは、認められなか
った。同様のテストを同様の方法で製造した１０枚のタ
ーゲットに対して実施したが、ターゲットの割れは、１
枚も発生しなかった。
【００４４】（実施例３）ＳｉＯ2からなるターゲット
材を、５インチ×１５インチ×５ｍｍｔに加工した後、
接合面の表面粗さを測定したところ、０．２μｍであっ
た。次に、ターゲット材の接合面を実施例１と同じ方法
でブラスト処理した。
材を、５インチ×１５インチ×５ｍｍｔに加工した後、
接合面の表面粗さを測定したところ、０．２μｍであっ
た。次に、ターゲット材の接合面を実施例１と同じ方法
でブラスト処理した。
【００４５】ブラスト処理後の表面粗さを測定したとこ
ろ、０．７μｍであった。
ろ、０．７μｍであった。
【００４６】ブラスト処理後のターゲット材を洗浄、乾
燥させた後、スパッタリング装置内に入れ、ＤＣスパッ
タリングによりターゲット部材の接合面に銅薄膜を約２
００ｎｍ積層した。
燥させた後、スパッタリング装置内に入れ、ＤＣスパッ
タリングによりターゲット部材の接合面に銅薄膜を約２
００ｎｍ積層した。
【００４７】その後、このターゲット材の接合面の周囲
の側面にポリアミドテープによりマスキングを施し、接
合面を上向きにして２００℃に設定したホットプレート
上に設置し、銅薄膜を積層した接合面全体にインジウム
半田を厚みが約０．２ｍｍとなるように塗布した。
の側面にポリアミドテープによりマスキングを施し、接
合面を上向きにして２００℃に設定したホットプレート
上に設置し、銅薄膜を積層した接合面全体にインジウム
半田を厚みが約０．２ｍｍとなるように塗布した。
【００４８】洗浄を施した無酸素銅製のバッキングプレ
ートにも、同様に半田の不要な部分にマスキング処理を
した後接合面を上向きにして２００℃に設定したホット
プレート上に設置し、その接合面全体にインジウム半田
を厚みが約０．２ｍｍとなるように塗布した。
ートにも、同様に半田の不要な部分にマスキング処理を
した後接合面を上向きにして２００℃に設定したホット
プレート上に設置し、その接合面全体にインジウム半田
を厚みが約０．２ｍｍとなるように塗布した。
【００４９】その後、ターゲット部材とバッキングプレ
ートを接合し、室温まで冷却した。得られたＳｉＯ2タ
ーゲットのボンディング率は９４％であった。
ートを接合し、室温まで冷却した。得られたＳｉＯ2タ
ーゲットのボンディング率は９４％であった。
【００５０】得られたターゲットをスパッタ装置内に設
置してスパッタリングテストを行った。スパッタリング
条件は以下の通り。
置してスパッタリングテストを行った。スパッタリング
条件は以下の通り。
【００５１】（スパッタ条件） スパッタガス：Ａｒ＋Ｏ2、Ｏ2／Ａｒ＝５％、スパッタ
ガス圧：５ｍＴｏｒｒ、ｒｆ電力＝１０００Ｗ、時間：
３０時間 スパッタリング後のターゲットに割れは、認められなか
った。同様のテストを同様の方法で製造した１０枚のタ
ーゲットに対して実施したが、ターゲットの割れは、１
枚も発生しなかった。
ガス圧：５ｍＴｏｒｒ、ｒｆ電力＝１０００Ｗ、時間：
３０時間 スパッタリング後のターゲットに割れは、認められなか
った。同様のテストを同様の方法で製造した１０枚のタ
ーゲットに対して実施したが、ターゲットの割れは、１
枚も発生しなかった。
【００５２】（比較例１）ＳｉＯ2からなるターゲット
部材を５インチ×１５インチ×５ｍｍｔに加工した後、
接合面の表面粗さを測定したところ、０．２μｍであっ
た。
部材を５インチ×１５インチ×５ｍｍｔに加工した後、
接合面の表面粗さを測定したところ、０．２μｍであっ
た。
【００５３】このターゲット部材を実施例１と同様の方
法でターゲット化した。得られたターゲットのボンディ
ング率は９５％であった。
法でターゲット化した。得られたターゲットのボンディ
ング率は９５％であった。
【００５４】得られたターゲットをスパッタ装置内に設
置して、実施例１と同じ条件でスパッタリングテストを
行った。
置して、実施例１と同じ条件でスパッタリングテストを
行った。
【００５５】スパッタリング後のターゲットに割れが発
生した。同様のテストを同様の方法で製造した１０枚の
ターゲットに対して実施したところ、３枚のターゲット
に割れが生じた。
生した。同様のテストを同様の方法で製造した１０枚の
ターゲットに対して実施したところ、３枚のターゲット
に割れが生じた。
【００５６】（比較例２）パイレックスガラスからなる
ターゲット部材を５インチ×１５インチ×５ｍｍｔに加
工した後、接合面の表面粗さを測定したところ、０．３
μｍであった。
ターゲット部材を５インチ×１５インチ×５ｍｍｔに加
工した後、接合面の表面粗さを測定したところ、０．３
μｍであった。
【００５７】このターゲットを実施例１と同様の方法で
ターゲット化した。得られたパイレックスガラスターゲ
ットのボンディング率は９６％であった。
ターゲット化した。得られたパイレックスガラスターゲ
ットのボンディング率は９６％であった。
【００５８】得られたターゲットをスパッタ装置内に設
置して実施例２同じ条件でスパッタリングテストを行っ
た。
置して実施例２同じ条件でスパッタリングテストを行っ
た。
【００５９】スパッタリング後のターゲットに割れが認
められた。同様のテストを同様の方法で製造した１０枚
のターゲットに対して実施したところ、４枚のターゲッ
トに割れが生じた。
められた。同様のテストを同様の方法で製造した１０枚
のターゲットに対して実施したところ、４枚のターゲッ
トに割れが生じた。
【００６０】
【発明の効果】スパッタリング中のターゲットの割れを
低減できるスパッタリングターゲットを提供することが
可能となる。
低減できるスパッタリングターゲットを提供することが
可能となる。
Claims (4)
- 【請求項１】 ターゲット支持体、ターゲット部材およ
びこれらを接合するはんだ材とから構成されるスパッタ
リングターゲットにおいて、前記ターゲット部材におけ
る、ターゲット支持体との接合面の表面粗さ（Ｒａ）を
０．５μｍ以上としたことを特徴とするスパッタリング
ターゲット。 - 【請求項２】 ターゲット部材が、ガラス材であること
を特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項３】 ターゲット部材におけるターゲット支持
体との接合面の表面粗さを、ブラスト材の投射により表
面粗さ（Ｒａ）を０．５μｍ以上に加工した後、はんだ
材を用いてターゲット支持体に接合することを特徴とす
るスパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項４】 ターゲット部材がガラス材であることを
特徴とする請求項３に記載のスパッタリングターゲット
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000213384A JP3724346B2 (ja) | 2000-07-10 | 2000-07-10 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000213384A JP3724346B2 (ja) | 2000-07-10 | 2000-07-10 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002030431A true JP2002030431A (ja) | 2002-01-31 |
| JP3724346B2 JP3724346B2 (ja) | 2005-12-07 |
Family
ID=18709146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000213384A Expired - Fee Related JP3724346B2 (ja) | 2000-07-10 | 2000-07-10 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3724346B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009242915A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JPWO2011118856A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2013-07-04 | 株式会社ブリヂストン | タイヤ、及びタイヤ加硫用金型の製造方法 |
| JP2015132013A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-07-23 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP5909006B1 (ja) * | 2015-03-23 | 2016-04-26 | Ｊｘ金属株式会社 | 円筒型スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2016140021A1 (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-09 | 三井金属鉱業株式会社 | セラミックス円筒形ターゲット材および円筒形スパッタリングターゲット |
| JPWO2016129622A1 (ja) * | 2015-02-13 | 2018-01-11 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| CN108588652A (zh) * | 2018-03-07 | 2018-09-28 | 住华科技股份有限公司 | 承载板、溅镀用靶材及其黏贴方法 |
| JP2018172740A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
| US10604836B2 (en) | 2015-05-15 | 2020-03-31 | Materion Corporation | Methods for surface preparation of sputtering target |
| JP2020128588A (ja) * | 2019-02-07 | 2020-08-27 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲット、ターゲット材とバッキングプレートを接合する方法およびスパッタリングターゲットの製造方法 |
-
2000
- 2000-07-10 JP JP2000213384A patent/JP3724346B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009242915A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP6068139B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2017-01-25 | 株式会社ブリヂストン | タイヤ、及びタイヤ加硫用金型の製造方法 |
| JPWO2011118856A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2013-07-04 | 株式会社ブリヂストン | タイヤ、及びタイヤ加硫用金型の製造方法 |
| US9393719B2 (en) | 2010-03-26 | 2016-07-19 | Bridgestone Corporation | Pneumatic tire with specified outer surface |
| JP2015132013A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-07-23 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| TWI704245B (zh) * | 2015-02-13 | 2020-09-11 | 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 | 濺射靶件及其製造方法 |
| JPWO2016129622A1 (ja) * | 2015-02-13 | 2018-01-11 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| CN107109637A (zh) * | 2015-03-05 | 2017-08-29 | 三井金属矿业株式会社 | 陶瓷圆筒形靶材及圆筒形溅镀靶 |
| JPWO2016140021A1 (ja) * | 2015-03-05 | 2017-12-14 | 三井金属鉱業株式会社 | セラミックス円筒形ターゲット材および円筒形スパッタリングターゲット |
| WO2016140021A1 (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-09 | 三井金属鉱業株式会社 | セラミックス円筒形ターゲット材および円筒形スパッタリングターゲット |
| JP2016180135A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | Ｊｘ金属株式会社 | 円筒型スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US10679833B2 (en) | 2015-03-23 | 2020-06-09 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Cylindrical sputtering target |
| JP5909006B1 (ja) * | 2015-03-23 | 2016-04-26 | Ｊｘ金属株式会社 | 円筒型スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US10604836B2 (en) | 2015-05-15 | 2020-03-31 | Materion Corporation | Methods for surface preparation of sputtering target |
| JP2018172740A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
| CN108588652A (zh) * | 2018-03-07 | 2018-09-28 | 住华科技股份有限公司 | 承载板、溅镀用靶材及其黏贴方法 |
| CN108588652B (zh) * | 2018-03-07 | 2020-06-12 | 住华科技股份有限公司 | 承载板、溅镀用靶材及其黏贴方法 |
| JP2020128588A (ja) * | 2019-02-07 | 2020-08-27 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲット、ターゲット材とバッキングプレートを接合する方法およびスパッタリングターゲットの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3724346B2 (ja) | 2005-12-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7550055B2 (en) | Elastomer bonding of large area sputtering target | |
| US20070074969A1 (en) | Very long cylindrical sputtering target and method for manufacturing | |
| JP3724346B2 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP3548221B2 (ja) | 金属表面へのシリコン含有組成物の接合方法 | |
| US20100012488A1 (en) | Sputter target assembly having a low-temperature high-strength bond | |
| WO2001006029A1 (fr) | Cible de pulverisation | |
| US11414745B2 (en) | Sputtering target-backing plate assembly and production method thereof | |
| KR20040066155A (ko) | 자성체 타겟트와 배킹 플레이트와의 접합방법 및 자성체타겟트 | |
| JP2013245375A (ja) | ツバ付きターゲットの製造方法 | |
| JPH08170170A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JP3829367B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JP6991172B2 (ja) | スパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体 | |
| US11538673B2 (en) | Sputtering target-backing plate assembly | |
| JP4769181B2 (ja) | ターゲットとバッキングプレート | |
| JP4615746B2 (ja) | スパッタリング用チタンターゲット組立て体及びその製造方法 | |
| JPH06293963A (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲット用バッキングプレート | |
| JPH11100665A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH02258974A (ja) | スパッタリング装置のターゲット及び陰極部 | |
| JP2002053953A (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JPH08193264A (ja) | ターゲットの冷却方法 | |
| EP4378912A1 (en) | Freestanding ceramic tile manufacture | |
| JP7488135B2 (ja) | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP5385883B2 (ja) | ターゲット接合体 | |
| JPH1025569A (ja) | スパッタ装置 | |
| JP6194244B2 (ja) | バッキングプレート及びスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040722 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040803 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041004 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041207 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050207 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050830 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050912 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080930 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090930 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090930 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100930 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110930 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110930 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120930 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120930 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130930 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |