JP2002025884A - 投影光学系の収差補正方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
投影光学系の収差補正方法及び半導体装置の製造方法Info
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- JP2002025884A JP2002025884A JP2000200123A JP2000200123A JP2002025884A JP 2002025884 A JP2002025884 A JP 2002025884A JP 2000200123 A JP2000200123 A JP 2000200123A JP 2000200123 A JP2000200123 A JP 2000200123A JP 2002025884 A JP2002025884 A JP 2002025884A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
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- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 投影光学系の残留収差を迅速に補正すること
が可能な収差補正方法を提供する。 【解決手段】 フォトマスク上に形成されたパターンを
感光基板上に投影するための投影光学系を有する露光装
置を用い、フォトマスク毎に投影光学系に残留する収差
の影響を補正する投影光学系の収差補正方法であって、
予め測定された投影光学系の残留収差の測定結果に基づ
いて調整可能な収差項に対する収差係数を仮想的に変化
させたときに、所望のパターンに対する残留収差の影響
が所望の領域内で最小となるような収差係数を計算によ
って求める工程（Ｓ５，Ｓ６）と、調整可能な収差項に
関し、予め測定された収差係数と計算によって求められ
た収差係数との差に対応して、投影光学系の収差を移動
させる工程（Ｓ７）とを有する。
が可能な収差補正方法を提供する。 【解決手段】 フォトマスク上に形成されたパターンを
感光基板上に投影するための投影光学系を有する露光装
置を用い、フォトマスク毎に投影光学系に残留する収差
の影響を補正する投影光学系の収差補正方法であって、
予め測定された投影光学系の残留収差の測定結果に基づ
いて調整可能な収差項に対する収差係数を仮想的に変化
させたときに、所望のパターンに対する残留収差の影響
が所望の領域内で最小となるような収差係数を計算によ
って求める工程（Ｓ５，Ｓ６）と、調整可能な収差項に
関し、予め測定された収差係数と計算によって求められ
た収差係数との差に対応して、投影光学系の収差を移動
させる工程（Ｓ７）とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投影光学系の収差
補正方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法に関す
る。
補正方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体装置を製造するために用い
られる縮小投影露光装置において、投影レンズの残留収
差によってデバイスパターンの変形やフォーカス裕度の
低下等が引き起こされることが問題となってきている。
このような残留収差によるデバイスパターンへの悪影響
を補正する手法として、例えば特開平１１−５２５８２
号公報に記載された方法が提案されている。
られる縮小投影露光装置において、投影レンズの残留収
差によってデバイスパターンの変形やフォーカス裕度の
低下等が引き起こされることが問題となってきている。
このような残留収差によるデバイスパターンへの悪影響
を補正する手法として、例えば特開平１１−５２５８２
号公報に記載された方法が提案されている。
【０００３】上記公開公報に記載された発明は、レベン
ソン型位相シフトマスクによるデバイスパターンの転写
において、コマ収差検出用のマスクパターンを所定の縮
小率でレジストに転写し、転写されたレジストパターン
と元々のマスクパターンを所定の縮小率で単純に縮小し
たパターンとを直接比較することにより、コマ収差によ
る影響の大きさを測定し、その測定結果に基づいてマス
クを補正する、というものである。
ソン型位相シフトマスクによるデバイスパターンの転写
において、コマ収差検出用のマスクパターンを所定の縮
小率でレジストに転写し、転写されたレジストパターン
と元々のマスクパターンを所定の縮小率で単純に縮小し
たパターンとを直接比較することにより、コマ収差によ
る影響の大きさを測定し、その測定結果に基づいてマス
クを補正する、というものである。
【０００４】上記公開公報に記載された発明は、実際の
デバイスパターンをコマ収差検出用のマスクパターンと
して用いた場合において、一般的に行われている最適マ
スクパターンの条件出し作業をレベンソン型マスクに適
応した場合と何ら違いがない。通常のバイナリーマスク
における最適マスクパターンの条件出し作業では、光近
接効果（Optical Proximity Effect；ＯＰＥ）やレジス
トのプロセス効果に対する補正作業と同時に、収差の影
響に対する補正作業が行われている。何故ならば、両者
の補正作業は分離することができないからである。一
方、レベンソン型位相シフトマスクの方がバイナリーマ
スクよりも収差の影響が大きいことは周知の事実であ
り、レベンソン型位相シフトマスクにおける最適マスク
パターンの条件出し作業では、収差の影響を補正する作
業の比率が相対的に高くなるのは当然であると言える。
従って、上記公開公報に記載された発明は、このような
ことを強調したものであると思われる。
デバイスパターンをコマ収差検出用のマスクパターンと
して用いた場合において、一般的に行われている最適マ
スクパターンの条件出し作業をレベンソン型マスクに適
応した場合と何ら違いがない。通常のバイナリーマスク
における最適マスクパターンの条件出し作業では、光近
接効果（Optical Proximity Effect；ＯＰＥ）やレジス
トのプロセス効果に対する補正作業と同時に、収差の影
響に対する補正作業が行われている。何故ならば、両者
の補正作業は分離することができないからである。一
方、レベンソン型位相シフトマスクの方がバイナリーマ
スクよりも収差の影響が大きいことは周知の事実であ
り、レベンソン型位相シフトマスクにおける最適マスク
パターンの条件出し作業では、収差の影響を補正する作
業の比率が相対的に高くなるのは当然であると言える。
従って、上記公開公報に記載された発明は、このような
ことを強調したものであると思われる。
【０００５】ところで、例えばパターンの変形量等で表
わされる収差の影響の度合いは、マスクの種類（バイナ
リーマスク，ハーフトーン型位相シフトマスク，レべン
ソン型位相シフトマスク）、照明条件（通常照明，小σ
照明，輪帯照明，四つ目照明）、パターンのデザイン
（形状，グランドルール，諸所の寸法）等の違いによっ
て、千差万別である。従って、収差自体が大きければ収
差の影響も大きいとは必ずしも言えず、収差の影響が小
さければ収差自体も小さいとは必ずしも言えない。従っ
て、収差を実際に測定しなければ、実際のところは何も
わからないのが現実である。また一方で、完全に収差の
ない投影レンズが論理的に有り得ないことも事実であ
り、収差の問題は光リソグラフィが続く限り避けること
はできない。
わされる収差の影響の度合いは、マスクの種類（バイナ
リーマスク，ハーフトーン型位相シフトマスク，レべン
ソン型位相シフトマスク）、照明条件（通常照明，小σ
照明，輪帯照明，四つ目照明）、パターンのデザイン
（形状，グランドルール，諸所の寸法）等の違いによっ
て、千差万別である。従って、収差自体が大きければ収
差の影響も大きいとは必ずしも言えず、収差の影響が小
さければ収差自体も小さいとは必ずしも言えない。従っ
て、収差を実際に測定しなければ、実際のところは何も
わからないのが現実である。また一方で、完全に収差の
ない投影レンズが論理的に有り得ないことも事実であ
り、収差の問題は光リソグラフィが続く限り避けること
はできない。
【０００６】このような状況において実際の半導体装置
を製造する場合、収差の影響を補正する手法として、い
くつかの方法が考えられる。
を製造する場合、収差の影響を補正する手法として、い
くつかの方法が考えられる。
【０００７】第１に、先に示した公開公報と同様に、マ
スクパターンのデザインを収差の影響を加味して補正す
る方法が考えられる。この方法では、最初に理想的な状
況を想定したデバイスマスクを作成し、このデバイスマ
スクのパターンを転写することによって得られた結果を
用いて、最終的なデバイスマスクを作成しなければなら
ない。従って、最初のマスクの精度が最終的なマスクの
補正精度に大きく影響してしまうという問題がある。ま
た、途中で照明条件を変更した場合には、それまでの情
報は何の役にも立たず、最初から作業をやり直さなけれ
ばならないという問題がある。さらに、収差による影響
は、寸法の微妙な違いによっても変る可能性があり、許
容範囲内にマスクデザインを収束させるためには、数回
以上のマスク作製・修正が必要になると考えられる。
スクパターンのデザインを収差の影響を加味して補正す
る方法が考えられる。この方法では、最初に理想的な状
況を想定したデバイスマスクを作成し、このデバイスマ
スクのパターンを転写することによって得られた結果を
用いて、最終的なデバイスマスクを作成しなければなら
ない。従って、最初のマスクの精度が最終的なマスクの
補正精度に大きく影響してしまうという問題がある。ま
た、途中で照明条件を変更した場合には、それまでの情
報は何の役にも立たず、最初から作業をやり直さなけれ
ばならないという問題がある。さらに、収差による影響
は、寸法の微妙な違いによっても変る可能性があり、許
容範囲内にマスクデザインを収束させるためには、数回
以上のマスク作製・修正が必要になると考えられる。
【０００８】第２に、収差の影響が少なくなるように照
明条件を変更する方法が考えられる。しかし、露光裕度
が最大になるように初期の照明条件が設定されているた
め、このような理想的な照明条件下でのパターン転写に
比べ、照明条件変更後は必ず露光裕度が減少してしま
う。また、そもそも実用的な解が存在するか否かも不明
であるため、確実な方法であるとは言い難い。
明条件を変更する方法が考えられる。しかし、露光裕度
が最大になるように初期の照明条件が設定されているた
め、このような理想的な照明条件下でのパターン転写に
比べ、照明条件変更後は必ず露光裕度が減少してしま
う。また、そもそも実用的な解が存在するか否かも不明
であるため、確実な方法であるとは言い難い。
【０００９】また、上述した方法はいずれも時間がかか
る方法であり、迅速な対応は不可能である。現在及び将
来において製造される半導体装置は、少量多品種が一般
的であり、デバイスパターンの種類が飛躍的に増大して
いる。従って、デバイスパターンへの収差の影響も多種
多様になることが予想され、迅速な対応が可能な収差補
正方法が必要となる。
る方法であり、迅速な対応は不可能である。現在及び将
来において製造される半導体装置は、少量多品種が一般
的であり、デバイスパターンの種類が飛躍的に増大して
いる。従って、デバイスパターンへの収差の影響も多種
多様になることが予想され、迅速な対応が可能な収差補
正方法が必要となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このように、投影露光
装置において、投影光学系の残留収差が大きな問題とな
ってきている。しかしながら、マスクパターンを補正す
る方法や照明条件を補正する方法では迅速な対応が困難
であり、少量多品種時代においては根本的な改善が必要
となる。
装置において、投影光学系の残留収差が大きな問題とな
ってきている。しかしながら、マスクパターンを補正す
る方法や照明条件を補正する方法では迅速な対応が困難
であり、少量多品種時代においては根本的な改善が必要
となる。
【００１１】本発明は上記従来の課題に対してなされた
ものであり、投影光学系の残留収差の影響を迅速に補正
することが可能な方法を提供することを目的としてい
る。
ものであり、投影光学系の残留収差の影響を迅速に補正
することが可能な方法を提供することを目的としてい
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係る投影光学系
の収差補正方法は、フォトマスク上に形成されたパター
ンを感光基板上に投影するための投影光学系を有する露
光装置を用い、フォトマスク毎に投影光学系に残留する
収差の影響を補正する投影光学系の収差補正方法であっ
て、予め測定された投影光学系の残留収差の測定結果に
基づいて調整可能な収差項に対する収差係数を仮想的に
変化させたときに、所望のパターンに対する残留収差の
影響が所望の領域内で最小となるような収差係数を計算
によって求める工程と、前記調整可能な収差項に関し、
予め測定された収差係数と前記計算によって求められた
収差係数との差に対応して、前記投影光学系の収差を移
動させる工程と、を有することを特徴とする。
の収差補正方法は、フォトマスク上に形成されたパター
ンを感光基板上に投影するための投影光学系を有する露
光装置を用い、フォトマスク毎に投影光学系に残留する
収差の影響を補正する投影光学系の収差補正方法であっ
て、予め測定された投影光学系の残留収差の測定結果に
基づいて調整可能な収差項に対する収差係数を仮想的に
変化させたときに、所望のパターンに対する残留収差の
影響が所望の領域内で最小となるような収差係数を計算
によって求める工程と、前記調整可能な収差項に関し、
予め測定された収差係数と前記計算によって求められた
収差係数との差に対応して、前記投影光学系の収差を移
動させる工程と、を有することを特徴とする。
【００１３】本発明に係る半導体装置の製造方法は、フ
ォトマスク上に形成されたパターンを感光基板上に投影
するための投影光学系を有する露光装置を用い、フォト
マスク毎に投影光学系に残留する収差の影響を補正して
フォトマスク上に形成されたパターンを半導体基板上の
感光膜に投影する半導体装置の製造方法であって、予め
測定された投影光学系の残留収差の測定結果に基づいて
調整可能な収差項に対する収差係数を仮想的に変化させ
たときに、所望のパターンに対する残留収差の影響が所
望の領域内で最小となるような収差係数を計算によって
求める工程と、前記調整可能な収差項に関し、予め測定
された収差係数と前記計算によって求められた収差係数
との差に対応して、前記投影光学系の収差を移動させる
工程と、前記収差を移動させた投影光学系によって、フ
ォトマスク上に形成されたパターンを半導体基板上の感
光膜に投影する工程と、を有することを特徴とする。
ォトマスク上に形成されたパターンを感光基板上に投影
するための投影光学系を有する露光装置を用い、フォト
マスク毎に投影光学系に残留する収差の影響を補正して
フォトマスク上に形成されたパターンを半導体基板上の
感光膜に投影する半導体装置の製造方法であって、予め
測定された投影光学系の残留収差の測定結果に基づいて
調整可能な収差項に対する収差係数を仮想的に変化させ
たときに、所望のパターンに対する残留収差の影響が所
望の領域内で最小となるような収差係数を計算によって
求める工程と、前記調整可能な収差項に関し、予め測定
された収差係数と前記計算によって求められた収差係数
との差に対応して、前記投影光学系の収差を移動させる
工程と、前記収差を移動させた投影光学系によって、フ
ォトマスク上に形成されたパターンを半導体基板上の感
光膜に投影する工程と、を有することを特徴とする。
【００１４】本発明では、投影光学系の収差の影響を補
正する場合に、従来のようにマスクパターン等を補正す
るのではなく、予め測定した残留収差の測定結果に基づ
いて残留収差の影響が最小となるような収差係数を計算
し、その計算結果に基づいて投影光学系の収差を移動さ
せるので、長時間が必要なマスク作製工程を何回も行う
必要はなく、露光裕度を減少させることなく、収差の影
響を迅速に補正することが可能である。また、露光装置
の特性等により調整可能な収差（移動させやすい収差）
と調整不能な収差（移動させにくい収差）があるが、本
発明では移動させやすい収差を移動させることで、移動
させにくい収差によって受ける影響を相殺することがで
きる。
正する場合に、従来のようにマスクパターン等を補正す
るのではなく、予め測定した残留収差の測定結果に基づ
いて残留収差の影響が最小となるような収差係数を計算
し、その計算結果に基づいて投影光学系の収差を移動さ
せるので、長時間が必要なマスク作製工程を何回も行う
必要はなく、露光裕度を減少させることなく、収差の影
響を迅速に補正することが可能である。また、露光装置
の特性等により調整可能な収差（移動させやすい収差）
と調整不能な収差（移動させにくい収差）があるが、本
発明では移動させやすい収差を移動させることで、移動
させにくい収差によって受ける影響を相殺することがで
きる。
【００１５】
【発明の実施の形態】まず、本発明の理解を容易にする
ため、収差について説明する。
ため、収差について説明する。
【００１６】収差は大きく二つに分類される。一つは画
角内での異なる位置間を比較することで初めて確認でき
る収差（グローバル収差）であり、もう一つはＺｅｒｎ
ｉｋｅ収差で表現できる収差（ローカル収差）である。
角内での異なる位置間を比較することで初めて確認でき
る収差（グローバル収差）であり、もう一つはＺｅｒｎ
ｉｋｅ収差で表現できる収差（ローカル収差）である。
【００１７】グローバル収差には、画角内でのフォーカ
スずれ分布を表わす像面彎曲と、画角内での転写パター
ンの横ずれ分布を表わすディストーションがある。ロー
カル収差、すなわちＺｅｒｎｉｋｅ収差は、レンズの回
転方向における対称数と半径方向の次数に従って分類す
ることができ、回転方向における対称数に従って順に、
球面収差，コマ収差，非点収差，Ｔｈｒｅｅ−ｆｏｉ
ｌ，Ｆｏｕｒ−ｆｏｉｌ，Ｆｉｖｅ−ｆｏｉｌ、……と
いった各成分に分類される。一般に、高次収差と呼ぶ場
合は、回転方向における対称数が多い収差成分及び半径
方向の次数の大きい収差成分の両方を指す。
スずれ分布を表わす像面彎曲と、画角内での転写パター
ンの横ずれ分布を表わすディストーションがある。ロー
カル収差、すなわちＺｅｒｎｉｋｅ収差は、レンズの回
転方向における対称数と半径方向の次数に従って分類す
ることができ、回転方向における対称数に従って順に、
球面収差，コマ収差，非点収差，Ｔｈｒｅｅ−ｆｏｉ
ｌ，Ｆｏｕｒ−ｆｏｉｌ，Ｆｉｖｅ−ｆｏｉｌ、……と
いった各成分に分類される。一般に、高次収差と呼ぶ場
合は、回転方向における対称数が多い収差成分及び半径
方向の次数の大きい収差成分の両方を指す。
【００１８】一般に、低次収差ほど気圧や温度等の環境
の変化或いは投影光学系を構成する個々のレンズユニッ
トの微少移動に対して容易に変動する傾向があり、逆に
高次の収差ほど状況の変化に対して変動し難い傾向にあ
ると言われている。
の変化或いは投影光学系を構成する個々のレンズユニッ
トの微少移動に対して容易に変動する傾向があり、逆に
高次の収差ほど状況の変化に対して変動し難い傾向にあ
ると言われている。
【００１９】以下、ローカル収差、すなわちＺｅｒｎｉ
ｋｅ収差（Ｚｅｒｎｉｋｅ多項式）について簡単に説明
する。
ｋｅ収差（Ｚｅｒｎｉｋｅ多項式）について簡単に説明
する。
【００２０】図１は、Ｚｅｒｎｉｋｅ多項式の各項を示
したものである。各項は、 Ｚ1 ＝1 Ｚ2 ＝2ρcosθ Ｚ3 ＝2ρsinθ Ｚ4 ＝31/2 (2ρ2−1) Ｚ5 ＝61/2 ρ2 cos2θ Ｚ6 ＝61/2 ρ2 sin2θ Ｚ7 ＝81/2 (3ρ2−2)ρcosθ Ｚ8 ＝81/2 (3ρ2−2)ρsinθ Ｚ9 ＝51/2 (6ρ4−6ρ2＋1) Ｚ10＝81/2 ρ3 cos3θ Ｚ11＝81/2 ρ3 sin3θ Ｚ12＝101/2 (4ρ2−3)ρ2 cos2θ Ｚ13＝101/2 (4ρ2−3)ρ2 sin2θ Ｚ14＝121/2 (10ρ4−12ρ2＋3)ρcosθ Ｚ15＝121/2 (10ρ4−12ρ2＋3)ρsinθ Ｚ16＝71/2 (20ρ6−30ρ4＋12ρ2−1) Ｚ17＝101/2 ρ4 cos4θ Ｚ18＝101/2 ρ4 sin4θ Ｚ19＝121/2 (5ρ2−4)ρ3 cos3θ Ｚ20＝121/2 (5ρ2−4)ρ3 sin3θ Ｚ21＝141/2 (15ρ4−20ρ2＋6)ρ2 cos2θ Ｚ22＝141/2 (15ρ4−20ρ2＋6)ρ2 sin2θ Ｚ23＝4 (35ρ6−60ρ4＋30ρ2−4)ρcosθ Ｚ24＝4 (35ρ6−60ρ4＋30ρ2−4)ρsinθ Ｚ25＝3 (70ρ8−140ρ6＋90ρ4−20ρ2−1) Ｚ26＝121/2 ρ5 cos5θ Ｚ27＝121/2 ρ5 sin5θ Ｚ28＝141/2 (6ρ2−5)ρ4 cos4θ Ｚ29＝141/2 (6ρ2−5)ρ4 sin4θ Ｚ30＝4 (21ρ4−30ρ2＋10)ρ3 cos3θ Ｚ31＝4 (21ρ4−30ρ2＋10)ρ3 sin3θ Ｚ32＝181/2 (56ρ6−105ρ4＋60ρ2−10)ρ2 cos2θ Ｚ33＝181/2 (56ρ6−105ρ4＋60ρ2−10)ρ2 sin2θ Ｚ34＝201/2 (126ρ8−280ρ6＋210ρ4−60ρ2＋5)ρco
sθ Ｚ35＝201/2 (126ρ8−280ρ6＋210ρ4−60ρ2＋5)ρsi
nθ Ｚ36＝111/2 (252ρ10−630ρ8＋650ρ6−210ρ4＋30ρ
2−1) と表すことができる。
したものである。各項は、 Ｚ1 ＝1 Ｚ2 ＝2ρcosθ Ｚ3 ＝2ρsinθ Ｚ4 ＝31/2 (2ρ2−1) Ｚ5 ＝61/2 ρ2 cos2θ Ｚ6 ＝61/2 ρ2 sin2θ Ｚ7 ＝81/2 (3ρ2−2)ρcosθ Ｚ8 ＝81/2 (3ρ2−2)ρsinθ Ｚ9 ＝51/2 (6ρ4−6ρ2＋1) Ｚ10＝81/2 ρ3 cos3θ Ｚ11＝81/2 ρ3 sin3θ Ｚ12＝101/2 (4ρ2−3)ρ2 cos2θ Ｚ13＝101/2 (4ρ2−3)ρ2 sin2θ Ｚ14＝121/2 (10ρ4−12ρ2＋3)ρcosθ Ｚ15＝121/2 (10ρ4−12ρ2＋3)ρsinθ Ｚ16＝71/2 (20ρ6−30ρ4＋12ρ2−1) Ｚ17＝101/2 ρ4 cos4θ Ｚ18＝101/2 ρ4 sin4θ Ｚ19＝121/2 (5ρ2−4)ρ3 cos3θ Ｚ20＝121/2 (5ρ2−4)ρ3 sin3θ Ｚ21＝141/2 (15ρ4−20ρ2＋6)ρ2 cos2θ Ｚ22＝141/2 (15ρ4−20ρ2＋6)ρ2 sin2θ Ｚ23＝4 (35ρ6−60ρ4＋30ρ2−4)ρcosθ Ｚ24＝4 (35ρ6−60ρ4＋30ρ2−4)ρsinθ Ｚ25＝3 (70ρ8−140ρ6＋90ρ4−20ρ2−1) Ｚ26＝121/2 ρ5 cos5θ Ｚ27＝121/2 ρ5 sin5θ Ｚ28＝141/2 (6ρ2−5)ρ4 cos4θ Ｚ29＝141/2 (6ρ2−5)ρ4 sin4θ Ｚ30＝4 (21ρ4−30ρ2＋10)ρ3 cos3θ Ｚ31＝4 (21ρ4−30ρ2＋10)ρ3 sin3θ Ｚ32＝181/2 (56ρ6−105ρ4＋60ρ2−10)ρ2 cos2θ Ｚ33＝181/2 (56ρ6−105ρ4＋60ρ2−10)ρ2 sin2θ Ｚ34＝201/2 (126ρ8−280ρ6＋210ρ4−60ρ2＋5)ρco
sθ Ｚ35＝201/2 (126ρ8−280ρ6＋210ρ4−60ρ2＋5)ρsi
nθ Ｚ36＝111/2 (252ρ10−630ρ8＋650ρ6−210ρ4＋30ρ
2−1) と表すことができる。
【００２１】各列は回転方向における対称数に従って分
類されており、左から順に、球面収差（デフォーカスを
含む）、コマ収差（像シフトを含む）、非点収差、Ｔｈ
ｒｅｅ−ｆｏｉｌ、Ｆｏｕｒ−ｆｏｉｌ、Ｆｉｖｅ−ｆ
ｏｉｌ、と並んでいる。また、下側ほど半径方向の次数
が大きな収差を表わしている。一般的なローカル収差
は、これらの各Ｚｅｒｎｉｋｅ多項式の線形和で表現す
ることができる。従って、各収差の大きさは各項の係数
によって表現される。また、図１において、左上ほど低
次の収差すなわち変化が容易な収差を表わし、右下ほど
高次の収差すなわち変化し難い収差を表わしている。
類されており、左から順に、球面収差（デフォーカスを
含む）、コマ収差（像シフトを含む）、非点収差、Ｔｈ
ｒｅｅ−ｆｏｉｌ、Ｆｏｕｒ−ｆｏｉｌ、Ｆｉｖｅ−ｆ
ｏｉｌ、と並んでいる。また、下側ほど半径方向の次数
が大きな収差を表わしている。一般的なローカル収差
は、これらの各Ｚｅｒｎｉｋｅ多項式の線形和で表現す
ることができる。従って、各収差の大きさは各項の係数
によって表現される。また、図１において、左上ほど低
次の収差すなわち変化が容易な収差を表わし、右下ほど
高次の収差すなわち変化し難い収差を表わしている。
【００２２】以下、本発明の実施形態の詳細を図２に示
したフローチャートを参照して説明する。
したフローチャートを参照して説明する。
【００２３】本実施形態では、具体的なマスクパターン
の例として、図３に示したようなウイグル付き２本パタ
ーンを採用した。このパターンは、２本ずつペアになっ
たラインパターンが周期的に並んでおり、投影レンズの
収差の影響によって、図４に示すように左右の線幅が非
対称に転写されるという問題がある。本実施形態では、
このような左右の線幅差をマスク全面において低減させ
るための方法を例にあげて説明する。
の例として、図３に示したようなウイグル付き２本パタ
ーンを採用した。このパターンは、２本ずつペアになっ
たラインパターンが周期的に並んでおり、投影レンズの
収差の影響によって、図４に示すように左右の線幅が非
対称に転写されるという問題がある。本実施形態では、
このような左右の線幅差をマスク全面において低減させ
るための方法を例にあげて説明する。
【００２４】図１１に、比較例として、従来技術に基づ
く補正方法を示すフローチャートを示した。従来技術で
は、「マスクパターンのＣＡＤデータ（デザインデー
タ）作成」の後、「マスク作製」「露光」「収差の影響
を測定」の一連の工程を行い、その後、測定した収差の
影響に基づいて「マスクの補正」を行って再び「マスク
作製」からやり直すか、或いは、「露光装置の収差を補
正」して再び「露光」からやり直す。このようにして、
許容されるパターンが得られるまで、これらの補正工程
を繰り返している。
く補正方法を示すフローチャートを示した。従来技術で
は、「マスクパターンのＣＡＤデータ（デザインデー
タ）作成」の後、「マスク作製」「露光」「収差の影響
を測定」の一連の工程を行い、その後、測定した収差の
影響に基づいて「マスクの補正」を行って再び「マスク
作製」からやり直すか、或いは、「露光装置の収差を補
正」して再び「露光」からやり直す。このようにして、
許容されるパターンが得られるまで、これらの補正工程
を繰り返している。
【００２５】これに対し、図２に示した本実施形態のフ
ローチャートでは、予め「収差係数の測定」（Ｓ３）を
行っておくことで、「マスクパターンのＣＡＤデータ作
成」（Ｓ１）が終了した時点で、作成されたＣＡＤデー
タを用いて、「所望パターンに対する各収差の影響計
算」（Ｓ５）と「マスク作製」（Ｓ２）に移行し、「マ
スク作製」が終了した段階で「露光」（Ｓ９）を行い、
充分に許容されるパターンを得ることができる。特に
「マスク作製」はこれらの工程の中で最も時間のかかる
工程であり、「マスク作製」を繰り返す従来技術に比
べ、本実施形態では１回の「マスク作製」しか行わない
ために、充分に迅速であると言える。
ローチャートでは、予め「収差係数の測定」（Ｓ３）を
行っておくことで、「マスクパターンのＣＡＤデータ作
成」（Ｓ１）が終了した時点で、作成されたＣＡＤデー
タを用いて、「所望パターンに対する各収差の影響計
算」（Ｓ５）と「マスク作製」（Ｓ２）に移行し、「マ
スク作製」が終了した段階で「露光」（Ｓ９）を行い、
充分に許容されるパターンを得ることができる。特に
「マスク作製」はこれらの工程の中で最も時間のかかる
工程であり、「マスク作製」を繰り返す従来技術に比
べ、本実施形態では１回の「マスク作製」しか行わない
ために、充分に迅速であると言える。
【００２６】次に、図２に示した本実施形態のフローチ
ャートに従って各工程について説明する。
ャートに従って各工程について説明する。
【００２７】まず、「収差係数の測定」（Ｓ３）につい
て説明する。収差係数の測定には、特開平１１−２３７
３１０号公報、或いは文献１「Ａｐｐｌ．Ｏｐｔ．３
７，ｐｐ１１３６−１１４７（２０００）」に記載の方
法を採用した。この方法は測定結果を直接Ｚｅｒｎｉｋ
ｅ係数に変換できる利点がある。特に、図４に示すよう
なラインパターンの左右線幅差に注目した場合、球面収
差や非点収差等の偶関数的な関数で表わされる収差に関
しては、ほとんど影響されないことがわかっているの
で、本例ではコマ収差やＴｈｒｅｅ−ｆｏｉｌ等の奇関
数的な関数で表わされる収差のみに着目した。
て説明する。収差係数の測定には、特開平１１−２３７
３１０号公報、或いは文献１「Ａｐｐｌ．Ｏｐｔ．３
７，ｐｐ１１３６−１１４７（２０００）」に記載の方
法を採用した。この方法は測定結果を直接Ｚｅｒｎｉｋ
ｅ係数に変換できる利点がある。特に、図４に示すよう
なラインパターンの左右線幅差に注目した場合、球面収
差や非点収差等の偶関数的な関数で表わされる収差に関
しては、ほとんど影響されないことがわかっているの
で、本例ではコマ収差やＴｈｒｅｅ−ｆｏｉｌ等の奇関
数的な関数で表わされる収差のみに着目した。
【００２８】図５は、本例で用いた収差測定用マスクの
パターンを示したものである。この収差測定用マスクの
パターンはＡマークとＢマークで構成され、レジストが
塗布された基板上にこれらのＡ，Ｂ両マークの中心が重
なるように続けて露光することで、現像後に図６に示す
ような所望の測定マークを得ることができる。このよう
にして得られたレジストパターンからなる測定マーク
は、通常のオーバーレイ検査装置を用いることで、外側
のボックスパターンと内側の微細パターンの相対的な転
写位置ずれを測定することができる。また、０°，３０
°，６０°に回転したマークを測定することで、コマ収
差だけでなく、Ｔｈｒｅｅ−ｆｏｉｌやＦｉｖｅ−ｆｏ
ｉｌも同時に測定することが可能である。
パターンを示したものである。この収差測定用マスクの
パターンはＡマークとＢマークで構成され、レジストが
塗布された基板上にこれらのＡ，Ｂ両マークの中心が重
なるように続けて露光することで、現像後に図６に示す
ような所望の測定マークを得ることができる。このよう
にして得られたレジストパターンからなる測定マーク
は、通常のオーバーレイ検査装置を用いることで、外側
のボックスパターンと内側の微細パターンの相対的な転
写位置ずれを測定することができる。また、０°，３０
°，６０°に回転したマークを測定することで、コマ収
差だけでなく、Ｔｈｒｅｅ−ｆｏｉｌやＦｉｖｅ−ｆｏ
ｉｌも同時に測定することが可能である。
【００２９】図７は、開口数（ＮＡ）０．６８でＫｒＦ
エキシマレーザー光を光源とするスキャンタイプの露光
装置を用いて露光を行ったときの測定結果を示したもの
である。この露光装置は、通常は長方形のスリットをス
キャンしながら露光を行うが、今回はレンズの収差測定
を目的としているため、スリットを固定して露光を行っ
た。図７中の長方形はスリットを表わしている。測定し
たマークの内側を構成する微細パターンの１周期長は、
０．９μｍ，０．６μｍ及び０．４５μｍである。この
周期長はレンズの半径と反比例の関係があるため、周期
長が短いほどレンズの外側の収差を測定していることに
なる。また、上段はコマ収差、下段はＴｈｒｅｅ−ｆｏ
ｉｌに対応し、それぞれスリット内での収差の分布を表
わしている。
エキシマレーザー光を光源とするスキャンタイプの露光
装置を用いて露光を行ったときの測定結果を示したもの
である。この露光装置は、通常は長方形のスリットをス
キャンしながら露光を行うが、今回はレンズの収差測定
を目的としているため、スリットを固定して露光を行っ
た。図７中の長方形はスリットを表わしている。測定し
たマークの内側を構成する微細パターンの１周期長は、
０．９μｍ，０．６μｍ及び０．４５μｍである。この
周期長はレンズの半径と反比例の関係があるため、周期
長が短いほどレンズの外側の収差を測定していることに
なる。また、上段はコマ収差、下段はＴｈｒｅｅ−ｆｏ
ｉｌに対応し、それぞれスリット内での収差の分布を表
わしている。
【００３０】以上の測定結果から、スリット内における
各測定位置でのＺｅｒｎｉｋｅ係数を先に示した文献１
に示される方法に従って算出した。実際の数値データに
関してはデータ数が膨大であるため省略する。
各測定位置でのＺｅｒｎｉｋｅ係数を先に示した文献１
に示される方法に従って算出した。実際の数値データに
関してはデータ数が膨大であるため省略する。
【００３１】なお、本実施形態では、上述した特開平１
１−２３７３１０号公報或いは文献１に記載された収差
測定方法を採用したが、本発明はこれらの収差測定方法
に限定されるものではなく、フィゾータイプの干渉計を
用いた収差測定方法、或いはＵＳＰ５，９７８，０８５
に記載された収差測定方法を用いてもよい。なお、投影
光学系を構成するレンズユニットを移動させることで収
差を所望の状態に変化させた後、収差が正しく変化した
か否かを確認するために改めて収差を測定することが望
ましいが、両収差測定については同一の測定方法を用い
た方がよいことは言うまでもない。
１−２３７３１０号公報或いは文献１に記載された収差
測定方法を採用したが、本発明はこれらの収差測定方法
に限定されるものではなく、フィゾータイプの干渉計を
用いた収差測定方法、或いはＵＳＰ５，９７８，０８５
に記載された収差測定方法を用いてもよい。なお、投影
光学系を構成するレンズユニットを移動させることで収
差を所望の状態に変化させた後、収差が正しく変化した
か否かを確認するために改めて収差を測定することが望
ましいが、両収差測定については同一の測定方法を用い
た方がよいことは言うまでもない。
【００３２】次に、「調整可能な収差と不可能な収差の
分別」（Ｓ４）について説明する。今回使用した露光装
置はコマ収差のみ変えることが可能な装置である。従っ
て、低次のコマ収差Ｚ７及びＺ８、Ｚ１４及びＺ１５、
Ｚ２３及びＺ２４、……を、各レンズユニットを微少に
移動させることで意識的に変える機能がある。ただし、
調整可能な大きさは低次の収差ほど大きく、高次の収差
ほど小さい。また、収差はスリット内で任意に変えられ
るわけではなく、同心円状の分布に限られている。一
方、Ｔｈｒｅｅ−ｆｏｉｌやＦｉｖｅ−ｆｏｉｌに関し
ては全く調整機能を有していない。従って、今回は移動
させる収差をＺ７とＺ８に限定した。本実施形態では、
収差測定に文献１に記載の方法を用いたが、この方法
は、測定データ自体が予めコマ収差，Ｔｈｒｅｅ−ｆｏ
ｉｌ及びＦｉｖｅ−ｆｏｉｌを分離して表現しているた
め、露光装置の機能と比較することで、測定の段階で調
整可能な収差と不可能な収差を分別することが容易であ
る。
分別」（Ｓ４）について説明する。今回使用した露光装
置はコマ収差のみ変えることが可能な装置である。従っ
て、低次のコマ収差Ｚ７及びＺ８、Ｚ１４及びＺ１５、
Ｚ２３及びＺ２４、……を、各レンズユニットを微少に
移動させることで意識的に変える機能がある。ただし、
調整可能な大きさは低次の収差ほど大きく、高次の収差
ほど小さい。また、収差はスリット内で任意に変えられ
るわけではなく、同心円状の分布に限られている。一
方、Ｔｈｒｅｅ−ｆｏｉｌやＦｉｖｅ−ｆｏｉｌに関し
ては全く調整機能を有していない。従って、今回は移動
させる収差をＺ７とＺ８に限定した。本実施形態では、
収差測定に文献１に記載の方法を用いたが、この方法
は、測定データ自体が予めコマ収差，Ｔｈｒｅｅ−ｆｏ
ｉｌ及びＦｉｖｅ−ｆｏｉｌを分離して表現しているた
め、露光装置の機能と比較することで、測定の段階で調
整可能な収差と不可能な収差を分別することが容易であ
る。
【００３３】次に、「所望パターンに対する各収差の影
響計算」（Ｓ５）について説明する。Ｚｅｒｎｉｋｅ多
項式で表現される各収差係数の図３に示すウイグル付き
２本パターンへの影響について調べた。このパターンの
左右線幅差は、各収差係数×影響度の線形和で近似的に
表現できることがわかっている。従って、各収差係数を
単独に旦つ一律に想定したときの左右線幅差をフーリエ
計算より算出した。その結果を図８に示す。今回は、左
右線幅差が各収差係数×影響度の線形和で表わされるこ
とがわかっていたため、考慮するＺｅｒｎｉｋｅ係数の
数だけの計算でよいが、パターンの寸法等の場合は二つ
以上の係数のクロスタームを考慮しなければならない場
合もある。このような場合は、収差の影響度を示すグラ
フの横軸にはクロスタームも追加しなければならない。
響計算」（Ｓ５）について説明する。Ｚｅｒｎｉｋｅ多
項式で表現される各収差係数の図３に示すウイグル付き
２本パターンへの影響について調べた。このパターンの
左右線幅差は、各収差係数×影響度の線形和で近似的に
表現できることがわかっている。従って、各収差係数を
単独に旦つ一律に想定したときの左右線幅差をフーリエ
計算より算出した。その結果を図８に示す。今回は、左
右線幅差が各収差係数×影響度の線形和で表わされるこ
とがわかっていたため、考慮するＺｅｒｎｉｋｅ係数の
数だけの計算でよいが、パターンの寸法等の場合は二つ
以上の係数のクロスタームを考慮しなければならない場
合もある。このような場合は、収差の影響度を示すグラ
フの横軸にはクロスタームも追加しなければならない。
【００３４】次に、「調整可能な収差の移動量を算出」
（Ｓ６）について説明する。実際に測定した収差係数と
図８の各収差の影響度を示すグラフから、スリット内全
面における左右線幅差の分布を算出し、同時に、調整を
行う収差（Ｚ７とＺ８、ただしＺ８については影響度は
無視できるくらい小さいため、今回はＺ７のみ）を露光
装置の機能に従って変化させ、スリット全面で最も線幅
差が小さくなるような変化量を算出した。なお、今回は
スリット全面を想定したが、所望パターンが露光領域内
で限られている場合は、所望の領域に限定して変化量を
算出してもよい。また、このようにして算出された収差
の変化量を中心に、その近傍で収差量を変化させて所望
パターンを露光し、さらに最適な変化量を露光結果に基
いて補正してもよい。
（Ｓ６）について説明する。実際に測定した収差係数と
図８の各収差の影響度を示すグラフから、スリット内全
面における左右線幅差の分布を算出し、同時に、調整を
行う収差（Ｚ７とＺ８、ただしＺ８については影響度は
無視できるくらい小さいため、今回はＺ７のみ）を露光
装置の機能に従って変化させ、スリット全面で最も線幅
差が小さくなるような変化量を算出した。なお、今回は
スリット全面を想定したが、所望パターンが露光領域内
で限られている場合は、所望の領域に限定して変化量を
算出してもよい。また、このようにして算出された収差
の変化量を中心に、その近傍で収差量を変化させて所望
パターンを露光し、さらに最適な変化量を露光結果に基
いて補正してもよい。
【００３５】次に、「調整可能な収差を移動」（Ｓ７）
及び「収差係数の測定」（Ｓ８）について説明する。前
述した工程で算出した移動量に基づいて収差を移動した
結果、収差が所望通り移動しているかどうかについて再
度収差を測定した。図９に収差調整後の測定結果を示し
た。また、図１０には、初期状態（図７）と調整後（図
９）との差を示した。図１０に示すように、Ｔｈｒｅｅ
−ｆｏｉｌは測定誤差精度の違いしか見られず（図示し
ないが、Ｆｉｖｅ−ｆｏｉｌも同様）、今回の調整によ
ってほとんど動いていないことが確認できた。一方、コ
マ収差に関しては、周期長が小さくなるに従って同心円
状に且つ内向きに分布しており、所望の変化が正しく行
われていることが確認できた。なお、今回の調整に伴
い、球面収差や非点収差等の偶関数的な収差や、グロー
バル収差である像面彎曲やディストーションに関して
も、半導体装置の製造に支障が無い程度の変化であった
ことは、別途確認した。
及び「収差係数の測定」（Ｓ８）について説明する。前
述した工程で算出した移動量に基づいて収差を移動した
結果、収差が所望通り移動しているかどうかについて再
度収差を測定した。図９に収差調整後の測定結果を示し
た。また、図１０には、初期状態（図７）と調整後（図
９）との差を示した。図１０に示すように、Ｔｈｒｅｅ
−ｆｏｉｌは測定誤差精度の違いしか見られず（図示し
ないが、Ｆｉｖｅ−ｆｏｉｌも同様）、今回の調整によ
ってほとんど動いていないことが確認できた。一方、コ
マ収差に関しては、周期長が小さくなるに従って同心円
状に且つ内向きに分布しており、所望の変化が正しく行
われていることが確認できた。なお、今回の調整に伴
い、球面収差や非点収差等の偶関数的な収差や、グロー
バル収差である像面彎曲やディストーションに関して
も、半導体装置の製造に支障が無い程度の変化であった
ことは、別途確認した。
【００３６】このような一連の収差調整の後に、半導体
基板上に形成されたレジスト上に所望のパターンを投影
して露光を行った結果、露光領域全面で良好なパターン
を形成することができた。また、このような調整を行っ
た上で製造した半導体装置は、従来の方法によって製造
した半導体装置に比べ、露光領域内での線幅分布が小さ
い良好な半導体装置であった。なお、本実施形態におい
ては、調整不可能なＴｈｒｅｅ−ｆｏｉｌに対して調整
可能なコマ収差を変化させて、Ｔｈｒｅｅ−ｆｏｉｌの
影響を相殺させたが、本発明はＴｈｒｅｅ−ｆｏｉｌと
コマ収差の関係に限定されるものではなく、如何なる収
差の関係においても有効であることは言うまでもない。
基板上に形成されたレジスト上に所望のパターンを投影
して露光を行った結果、露光領域全面で良好なパターン
を形成することができた。また、このような調整を行っ
た上で製造した半導体装置は、従来の方法によって製造
した半導体装置に比べ、露光領域内での線幅分布が小さ
い良好な半導体装置であった。なお、本実施形態におい
ては、調整不可能なＴｈｒｅｅ−ｆｏｉｌに対して調整
可能なコマ収差を変化させて、Ｔｈｒｅｅ−ｆｏｉｌの
影響を相殺させたが、本発明はＴｈｒｅｅ−ｆｏｉｌと
コマ収差の関係に限定されるものではなく、如何なる収
差の関係においても有効であることは言うまでもない。
【００３７】露光装置には、複数種類のフォトマスクを
随時選択して露光しているため、個々のフォトマスクに
対応した露光レシピが用意されている。この露光レシピ
には、使用するフォトマスク、露光量やフォーカスオフ
セット等の露光条件、露光領域の指定、ウエハ内での露
光位置の指定、アライメント情報等が登録されている。
本発明の方法を迅速に行うためには、この露光レシピ内
に収差の変化量に対応する情報も追加されていることが
望ましい。また、「調整可能な収差の移動」が、露光レ
シピ内の収差情報に関連して、露光レシピの選択に対応
して自動で行なわれることが望ましい。
随時選択して露光しているため、個々のフォトマスクに
対応した露光レシピが用意されている。この露光レシピ
には、使用するフォトマスク、露光量やフォーカスオフ
セット等の露光条件、露光領域の指定、ウエハ内での露
光位置の指定、アライメント情報等が登録されている。
本発明の方法を迅速に行うためには、この露光レシピ内
に収差の変化量に対応する情報も追加されていることが
望ましい。また、「調整可能な収差の移動」が、露光レ
シピ内の収差情報に関連して、露光レシピの選択に対応
して自動で行なわれることが望ましい。
【００３８】以上、本発明の実施形態を説明したが、本
発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣
旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施するこ
とが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階
の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み
合わせることによって種々の発明が抽出され得る。例え
ば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除
されても、所定の効果が得られるものであれば発明とし
て抽出され得る。
発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣
旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施するこ
とが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階
の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み
合わせることによって種々の発明が抽出され得る。例え
ば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除
されても、所定の効果が得られるものであれば発明とし
て抽出され得る。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、投影光学系の収差の影
響を補正する場合に、従来のようにマスクパターン等を
補正するのではなく、投影光学系の調整可能な収差を移
動させることにより、露光裕度を減少させることなく、
収差の影響を迅速に補正することが可能となる。
響を補正する場合に、従来のようにマスクパターン等を
補正するのではなく、投影光学系の調整可能な収差を移
動させることにより、露光裕度を減少させることなく、
収差の影響を迅速に補正することが可能となる。
【図１】ローカル収差に関連するＺｅｒｎｉｋｅ多項式
の各項を説明するための図。
の各項を説明するための図。
【図２】本発明の実施形態に係る収差補正方法について
示したフローチャート。
示したフローチャート。
【図３】本発明の実施形態において採用したマスクパタ
ーンを示した図。
ーンを示した図。
【図４】図３に示したマスクパターンを用いて露光を行
った場合の転写パターンを示した図。
った場合の転写パターンを示した図。
【図５】本発明の実施形態において収差測定に用いたマ
スクパターンを示した図。
スクパターンを示した図。
【図６】本発明の実施形態において収差測定に用いたレ
ジストパターンを示した図。
ジストパターンを示した図。
【図７】本発明の実施形態において初期状態の収差分布
を測定した結果を示した図。
を測定した結果を示した図。
【図８】図３に示したマスクパターンに対する各収差係
数の影響度を示した図。
数の影響度を示した図。
【図９】本発明の実施形態において調整後の収差分布を
測定した結果を示した図。
測定した結果を示した図。
【図１０】本発明の実施形態において調整によって動い
た収差分布を示した図。
た収差分布を示した図。
【図１１】従来技術を示したフローチャート。
フロントページの続き (72)発明者 高桑 真歩 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Ｆターム(参考） 2H095 BB01 BB31 5F046 AA25 CB17 DA14 DB05
Claims (4)
- 【請求項１】フォトマスク上に形成されたパターンを感
光基板上に投影するための投影光学系を有する露光装置
を用い、フォトマスク毎に投影光学系に残留する収差の
影響を補正する投影光学系の収差補正方法であって、 予め測定された投影光学系の残留収差の測定結果に基づ
いて調整可能な収差項に対する収差係数を仮想的に変化
させたときに、所望のパターンに対する残留収差の影響
が所望の領域内で最小となるような収差係数を計算によ
って求める工程と、 前記調整可能な収差項に関し、予め測定された収差係数
と前記計算によって求められた収差係数との差に対応し
て、前記投影光学系の収差を移動させる工程と、 を有することを特徴とする投影光学系の収差補正方法。 - 【請求項２】フォトマスク上に形成されたパターンを感
光基板上に投影するための投影光学系を有する露光装置
を用い、フォトマスク毎に投影光学系に残留する収差の
影響を補正する投影光学系の収差補正方法であって、 投影光学系の残留収差を測定する工程と、 前記投影光学系の残留収差の測定結果に基づいて調整可
能な収差項に対する収差係数を仮想的に変化させたとき
に、所望のパターンに対する残留収差の影響が所望の領
域内で最小となるような収差係数を計算によって求める
工程と、 前記調整可能な収差項に関し、前記測定工程によって得
られた収差係数と前記計算によって求められた収差係数
との差に対応して、前記投影光学系の収差を移動させる
工程と、 前記投影光学系の収差を移動させた後に前記投影光学系
の収差を測定する工程と、 を有することを特徴とする投影光学系の収差補正方法。 - 【請求項３】フォトマスク上に形成されたパターンを感
光基板上に投影するための投影光学系を有する露光装置
を用い、フォトマスク毎に投影光学系に残留する収差の
影響を補正してフォトマスク上に形成されたパターンを
半導体基板上の感光膜に投影する半導体装置の製造方法
であって、 予め測定された投影光学系の残留収差の測定結果に基づ
いて調整可能な収差項に対する収差係数を仮想的に変化
させたときに、所望のパターンに対する残留収差の影響
が所望の領域内で最小となるような収差係数を計算によ
って求める工程と、 前記調整可能な収差項に関し、予め測定された収差係数
と前記計算によって求められた収差係数との差に対応し
て、前記投影光学系の収差を移動させる工程と、 前記収差を移動させた投影光学系によって、フォトマス
ク上に形成されたパターンを半導体基板上の感光膜に投
影する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】フォトマスク上に形成されたパターンを感
光基板上に投影するための投影光学系を有する露光装置
を用い、フォトマスク毎に投影光学系に残留する収差の
影響を補正してフォトマスク上に形成されたパターンを
半導体基板上の感光膜に投影する半導体装置の製造方法
であって、 投影光学系の残留収差を測定する工程と、 前記投影光学系の残留収差の測定結果に基づいて調整可
能な収差項に対する収差係数を仮想的に変化させたとき
に、所望のパターンに対する残留収差の影響が所望の領
域内で最小となるような収差係数を計算によって求める
工程と、 前記調整可能な収差項に関し、前記測定工程によって得
られた収差係数と前記計算によって求められた収差係数
との差に対応して、前記投影光学系の収差を移動させる
工程と、 前記投影光学系の収差を移動させた後に前記投影光学系
の収差を測定する工程と、 前記収差を移動させた投影光学系によって、フォトマス
ク上に形成されたパターンを半導体基板上の感光膜に投
影する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000200123A JP4005763B2 (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 投影光学系の収差補正方法及び半導体装置の製造方法 |
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