JP2002024101A - 不揮発性メモリ書き込み装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】不揮発性メモリの誤書き込みを防止することが
できる不揮発性メモリ書き込み装置を提供する。 【解決手段】ＥＣＵ１は、電源ＩＣ２、メインマイコン
３、サブマイコン４、ＥＥＰＲＯＭ７等を備える。電源
ＩＣ２は、電源電圧Ｖｃｃが所定のリセット電圧以下と
なったとき、メインマイコン３に対してリセット信号Ｓ
２を出力する。ＥＥＰＲＯＭ７は、サブマイコン４によ
りデータが書き込まれる。ＥＣＵ１において、メインマ
イコン３の最低作動電圧がリセット電圧よりも低く、サ
ブマイコン４の最低作動電圧がリセット電圧よりも高く
なっている。電源電圧Ｖｃｃがサブマイコン４の最低作
動電圧まで低下する際に、メインマイコン３は、出力端
子ＣＳ１をＬレベルとすることによりサブマイコン４に
よるＥＥＰＲＯＭ７の書き込みを禁止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、不揮発性メモリ書
き込み装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】この種の従来装置として、例えば、車載
エンジン等を制御する車載電子制御装置（ＥＣＵ）が知
られている。同ＥＣＵにおいて、不揮発性メモリとして
のＥＥＰＲＯＭには、例えば、エンジン制御における学
習値や各種センサの故障を判別するための故障コード
（ダイアグコード）が記憶されるようになっている。

【０００３】また、車載ＥＣＵは、バッテリ電圧からマ
イクロコンピュータ（以下、マイコンという）等を作動
させるための電源電圧（例えば、５Ｖ）を生成する電源
ＩＣを備える。同電源ＩＣは、電源電圧を監視してお
り、その低下時においてマイコンに対してリセット信号
を出力するようになっている。このリセット信号に基づ
いてマイコンによる初期化処理が実施されＥＣＵの誤作
動が未然に防止されるようになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来技
術では、マイコンが誤作動する前にリセット信号を出力
する必要があるため、電源ＩＣのリセット電圧は、マイ
コンの最低作動電圧よりも高い電圧レベルで設定されて
いる。

【０００５】一方、マイコンの最低作動電圧は、マイコ
ンのクロック信号の周波数（クロック周波数）によって
変動し、同クロック周波数が高くなるほど上昇する。こ
のため、マイコンの処理負荷の増大に対応するためにマ
イコンのクロック周波数を高めると、そのマイコンの最
低作動電圧が、電源ＩＣのリセット電圧を上回ることが
考えられる。

【０００６】この場合、電源電圧がマイコンの最低作動
電圧まで低下してもリセットがかからず、ＥＣＵが誤作
動してしまう。具体的には、例えばプログラムカウンタ
の値が、不適切な値となってマイコンにより誤ったプロ
グラムが実行され、ひいてはＥＥＰＲＯＭへ誤ったデー
タが書き込まれるおそれがある。ＥＥＰＲＯＭへ誤った
データが書き込まれると、故障していないセンサの故障
コードが出力されたり、誤った学習値でエンジン制御が
実施されてしまうといった問題が生じる。

【０００７】本発明は、上記問題に着目してなされたも
のであって、その目的とするところは、不揮発性メモリ
の誤書き込みを防止することができる不揮発性メモリ書
き込み装置を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の不揮発性メモリ
書き込み装置はその前提として、最低作動電圧がそれぞ
れ異なる第１のマイクロコンピュータ及び第２のマイク
ロコンピュータと、前記第２のマイクロコンピュータに
よりデータが書き込まれる不揮発性メモリと、電源電圧
が所定のリセット電圧以下となったとき、第１のマイク
ロコンピュータに対してリセット信号を出力するリセッ
ト手段とを備え、前記第１のマイクロコンピュータの最
低作動電圧が前記リセット電圧よりも低く、前記第２の
マイクロコンピュータの最低作動電圧が前記リセット電
圧よりも高くなっている。

【０００９】従って、電源電圧が低下して第２のマイク
ロコンピュータの最低作動電圧よりも低下したときに
は、第２のマイクロコンピュータが誤作動して第２のマ
イクロコンピュータにより不揮発性メモリに誤ったデー
タが書き込まれるおそれがある。しかしながら、本発明
によれば、第２のマイクロコンピュータの最低作動電圧
以下となる電圧域を含む領域まで電源電圧が低下する
と、第１のマイクロコンピュータにて第２のマイクロコ
ンピュータによる不揮発性メモリの書き込みが禁止され
る。この場合、電源電圧が第２のマイクロコンピュータ
の最低作動電圧以下となったとしても、この電源電圧で
正常に作動する第１のマイクロコンピュータによって不
揮発性メモリの書き込みが禁止され、第２のマイクロコ
ンピュータによる不揮発性メモリの誤書き込みを防止で
きる。

【００１０】また、不揮発性メモリ書き込み装置におい
て、電源スイッチのオフ時にも記憶データを保持し、電
源電圧の低下時にデータの書き込みが制限されるバック
アップメモリと、電源電圧を監視し、該電源電圧が、バ
ックアップメモリの書き込みを制限するためのしきい値
電圧まで低下したとき、電圧低下信号を出力する電圧監
視手段を備えているものがある。このような装置では、
請求項２に記載のように、電圧監視手段からの電圧低下
信号に基づいて、不揮発性メモリの書き込みが禁止され
る。この場合、電源電圧の低下を検出するために新たな
回路を設けることなく、不揮発性メモリの誤書き込みを
防止することができ、コスト的にも有利なものとなる。

【００１１】請求項３に記載の発明によれば、電源電圧
の低下に伴い不揮発性メモリの書き込みが禁止された場
合、電源電圧が上昇し不揮発性メモリの書き込みが禁止
される電圧域以上となった後所定時間の経過後に、不揮
発性メモリの書き込みが許可される。この場合、電源電
圧の低下により第２のマイクロコンピュータが誤作動し
たとしても、所定時間が経過するまでの間に第２のマイ
クロコンピュータが正常動作に復帰できる。そして、そ
の状態で不揮発性メモリの書き込みが許可されるので、
不揮発性メモリの誤書き込みを確実に防止できる。

【００１２】請求項４に記載の発明によれば、第１のマ
イクロコンピュータの出力端子から不揮発性メモリの書
き込みを禁止または許可するための制御信号が出力さ
れ、第２のマイクロコンピュータの出力端子から不揮発
性メモリにデータを書き込むための制御信号が出力され
る。これら出力端子がゲート回路を介して不揮発性メモ
リのチップセレクト端子に接続される。そして、第１の
マイクロコンピュータの出力端子から書き込みを禁止す
るための制御信号が出力されるときに、不揮発性メモリ
のチップセレクト端子が非選択状態とされる。この場
合、電圧低下時における誤作動により第２のマイクロコ
ンピュータから不揮発性メモリにデータを書き込むため
の制御信号が出力されたとしても、その信号が無効とな
り不揮発性メモリの書き込みを禁止できる。

【００１３】また、請求項５に記載のように、第１のマ
イクロコンピュータにてエンジン制御が実施され、第２
のマイクロコンピュータにてトランスミッション制御が
実施される。こうした装置において、エンジンの始動性
を確保するとともに、トランスミッション制御を高速に
実施するためには、第２のマイクロコンピュータは、第
１のマイクロコンピュータよりも高いクロック信号で動
作させる必要がある。この場合、第２のマイクロコンピ
ュータの最低作動電圧は第１のマイクロコンピュータよ
りも高くなるので、上記発明を適用すると、実用上好ま
しいものとなる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、この発明を具体化した実施
の形態を図面に従って説明する。図１は、本実施の形態
における電子制御装置（ＥＣＵ）１の概略を示す構成図
である。

【００１５】図１に示すように、ＥＣＵ１は、電源ＩＣ
２、メインマイコン３、サブマイコン４、メイン入出力
回路５、サブ入出力回路６、ＥＥＰＲＯＭ７、アンド回
路８、メイン発振回路９、サブ発振回路１０等を備えて
いる。

【００１６】ＥＣＵ１の電源ＩＣ２には、イグニッショ
ンスイッチ１１を介してバッテリＢが接続されており、
イグニッションスイッチ１１のオン操作によりバッテリ
電圧が供給される。電源ＩＣ２は、バッテリ電圧から電
源電圧Ｖｃｃ（具体的には、５Ｖ）を生成し、その電圧
Ｖｃｃを電源ラインを介してメインマイコン３、サブマ
イコン４、メイン入出力回路５、サブ入出力回路６及び
ＥＥＰＲＯＭ７等に供給する。

【００１７】第１のマイクロコンピュータとしてのメイ
ンマイコン３は、噴射制御や点火制御等のエンジン制御
を実施するためのマイコンであり、第２のマイクロコン
ピュータとしてのサブマイコン４は、トランスミッショ
ン制御やダイアグ制御（故障診断）を実施するためのマ
イコンである。メインマイコン３は、ＣＰＵ３ａ、ＲＯ
Ｍ３ｂ、ＲＡＭ３ｃ、スタンバイＲＡＭ（ＳＲＡＭ）３
ｄ、Ｉ／Ｏ（入出力装置）３ｅを備えており、サブマイ
コン４も同様に、ＣＰＵ４ａ、ＲＯＭ４ｂ、ＲＡＭ４
ｃ、スタンバイＲＡＭ（ＳＲＡＭ）４ｄ、Ｉ／Ｏ（入出
力装置）４ｅを備えている。ＣＰＵ３ａ，４ａは、ＲＯ
Ｍ３ｂ，４ｂ内に格納されている制御プログラムを実行
し、制御データをＲＡＭ３ｃ，４ｃに一時記憶する。Ｓ
ＲＡＭ３ｄ，４ｄには、イグニッションスイッチ１１の
オフ時にもバックアップ用の電源電圧（図示せず）が印
加され、それによりＳＲＡＭ３ｄ，４ｄ内の記憶データ
が保持されるようになっている。なお、ＳＲＡＭ３ｄ，
４ｄがバックアップメモリに相当する。

【００１８】また、各マイコン３，４によるＳＲＡＭ３
ｄ，４ｄへのデータの書き込みは、入力端子ＷＩがＬレ
ベルとなる場合に禁止（制限）され、入力端子ＷＩがＨ
レベルとなる場合に許可されるようになっている。同入
力端子ＷＩは、前記電源ＩＣ２に接続されており、その
電位レベルは、電源ＩＣ２によって制御される。具体的
には、電源ＩＣ２は、電源電圧Ｖｃｃを監視しており、
電源電圧Ｖｃｃが所定のしきい値電圧（書き込み禁止電
圧）Ｖｔ以下にとなるとき、Ｌレベルの電圧低下信号Ｓ
１をメインマイコン３及びサブマイコン４の入力端子Ｗ
Ｉに出力する。つまり、電源ＩＣ２は、Ｖｃｃ≦Ｖｔで
は、入力端子ＷＩをＬレベルとし、Ｖｃｃ＞Ｖｔでは、
入力端子ＷＩをＨレベルとする。

【００１９】また、電源電圧Ｖｃｃが前記しきい値電圧
（書き込み禁止電圧）Ｖｔよりもさらに低下して所定の
リセット電圧Ｖｒ以下となると（Ｖｃｃ≦Ｖｒ）、電源
ＩＣ２は、Ｌレベルのリセット信号Ｓ２をメインマイコ
ン３のリセット端子Ｒに対して出力する。これにより、
メインマイコン３は、実行中の処理を停止するとともに
初期化処理を実施してサブマイコン４をリセットするよ
うになっている。なお、本実施の形態では、電源ＩＣ２
が、リセット手段及び電圧監視手段に相当する。

【００２０】メイン入出力回路５には、回転センサ２
１、エアフロメータ２２、水温センサ２３、スロットル
センサ２４、スタータスイッチ２５、インジェクタ２
６、イグナイタ２７等が接続されている。メインマイコ
ン３は、これら各センサ・スイッチの検出信号をメイン
入出力回路５を介して取り込み、その検出信号によりエ
ンジン運転状態を判定する。そして、その運転状態に基
づいて燃料噴射信号や点火信号等の駆動信号を算出し、
それら駆動信号をメイン入出力回路５を介してインジェ
クタ２６やイグナイタ２７等に出力する。これにより、
インジェクタ２６による燃料噴射量やイグナイタ２７に
よる点火時期等が制御される。

【００２１】一方、サブ入出力回路６には、車速センサ
２８、シフトポジションセンサ２９、油温センサ３０、
ブレーキランプスイッチ３１、ダイアグテスタ３２、ソ
レノイド３３等が接続されている。サブマイコン４は、
これら各センサ・スイッチの検出信号をサブ入出力回路
６を介して取り込み、その検出信号によりトランスミッ
ションの作動状態を判定する。そして、その作動状態に
基づく駆動信号をサブ入出力回路６を介してソレノイド
３３に出力する。これにより、ソレノイド３３が駆動さ
れトランスミッション内の油圧経路が切り替えられ、ト
ランスミッションの変速が制御される。

【００２２】メインマイコン３−サブマイコン４間で
は、ダイレクトメモリアクセス（ＤＭＡ）方式にて前記
センサ・スイッチの検出信号やその検出信号に基づく各
種制御量等の授受が行われる。そして、サブマイコン４
は、各センサ・スイッチの検出信号等に基づいて故障診
断（ダイアグノーシス）を実施するとともに、その故障
診断結果をサブ入出力回路６を介してダイアグテスタ３
２に出力する。

【００２３】サブマイコン４には、不揮発性メモリとし
てのＥＥＰＲＯＭ７が接続されており、同ＥＥＰＲＯＭ
７には、故障診断に基づくダイアグ情報、ソレノイド３
３の個体差による制御バラツキを補正するためのソレノ
イド電流補正値等が記憶されている。また、ＥＥＰＲＯ
Ｍ７のチップセレクト端子ＣＳには、ゲート回路として
のアンド回路８の出力が接続されており、同アンド回路
８の一方の入力はメインマイコン３の出力端子ＣＳ１に
接続されるとともに、アンド回路８の他方の入力はサブ
マイコン４の出力端子ＣＳ２に接続されている。このＥ
ＥＰＲＯＭ７のチップセレクト端子ＣＳは、ＥＥＰＲＯ
Ｍ７の書き込みを許可及び禁止するための端子であり、
同端子ＣＳがＨレベル（選択状態）では書き込みが許可
され、Ｌレベル（非選択状態）では書き込みが禁止され
る。つまり、メインマイコン３及びサブマイコン４の出
力端子ＣＳ１，ＣＳ２からＨレベルの制御信号ＳＣ１，
ＳＣ２が出力されたとき、ＥＥＰＲＯＭ７のチップセレ
クト端子ＣＳがＨレベル（選択状態）となる。そのと
き、サブマイコン４とＥＥＰＲＯＭ７との間のデータ通
信が有効となって、所望のデータがＥＥＰＲＯＭ７に書
き込まれるようになっている。

【００２４】本実施の形態において、メインマイコン３
には、メイン発振回路９が接続されており、メインマイ
コン３は、メイン発振回路９から出力される１６ＭＨｚ
のクロック信号に基づいて作動する。一方、サブマイコ
ン４には、サブ発振回路１０が接続されており、サブマ
イコン４はサブ発振回路１０から出力される２０ＭＨｚ
のクロック信号に基づいて作動する。ここで、サブマイ
コン４が実施するトランスミッション制御において、過
渡時の油圧制御でソレノイド３３を高速に作動させる必
要があるが、１６ＭＨｚのクロック信号では、的確なタ
イミングでソレノイド３３を制御できず、仕様通りの作
動を得ることができない。このため、本実施の形態で
は、サブマイコン４のクロック信号を２０ＭＨｚとし、
要求仕様を満足させるようにしている。

【００２５】このように、メインマイコン３のクロック
信号を１６ＭＨｚとし、サブマイコン４のクロック信号
を２０ＭＨｚとした場合、図２に示すように、メインマ
イコン３の最低作動電圧Ｖｍよりも、サブマイコン４の
最低作動電圧Ｖｓが高くなる。また、メインマイコン３
に対してリセット信号を出力するためのリセット電圧Ｖ
ｒは、エンジンの始動性を確保するためにできる限り低
くする必要があり、その電圧レベルは、メインマイコン
３の最低作動電圧Ｖｍとサブマイコン４の最低作動電圧
Ｖｓとの間に設定されている。つまり、リセット電圧Ｖ
ｒは、サブマイコン４の最低作動電圧Ｖｓよりも低く設
定されている。そのため、電源電圧Ｖｃｃが低下して最
低作動電圧Ｖｓとリセット電圧Ｖｒとの間の電圧値とな
る期間Ｔ１では、サブマイコン４が誤作動するおそれが
あるが、メインマイコン３の出力端子ＣＳ１をＬレベル
とすることで、ＥＥＰＲＯＭ７の書き込みを禁止するよ
うにしている。

【００２６】また、本実施の形態において、ＳＲＡＭ３
ｄ，４ｄの書き込みを制限するためのしきい値電圧Ｖｔ
は、サブマイコン４の最低作動電圧Ｖｓより幾分高い電
圧レベルで設定されている。よって、電源電圧Ｖｃｃの
低下時において、電源電圧Ｖｃｃがサブマイコン最低作
動電圧Ｖｓに至る前に、電源ＩＣ２から電圧低下信号Ｓ
１が出力されて入力端子ＷＩがＬレベルとなる。本実施
の形態では、この入力端子ＷＩの電位レベルに基づい
て、メインマイコン３によるＥＥＰＲＯＭ７の書き込み
禁止処理が実施されている。

【００２７】次に、上記のように構成されるＥＣＵ１の
作用を説明する。ここでは先ず、サブマイコン４により
実施されるＥＥＰＲＯＭ７の書き込み処理の一例を、図
３〜図６を用いて説明する。なお、図３の処理は、ダイ
アグ情報をＥＥＰＲＯＭ７に書き込むための処理であ
り、例えば６４ミリ秒毎に実施される。また、図４の処
理は、ソレノイド電流補正値をＥＥＰＲＯＭ７に書き込
むための処理であり、例えば１６ミリ秒毎に実施され
る。

【００２８】本実施の形態におけるＥＥＰＲＯＭ７は、
図６に示すように、開始アドレス００〜終了アドレスｆ
ｅまでの記憶領域を有している。その記憶領域うち００
〜１ｅまでのアドレスがダイアグコードを記憶するため
の領域として確保され、ｆｃ〜ｆｅのアドレスがソレノ
イド電流補正値を記憶するための領域として確保されて
いる。つまり、サブマイコン４にて各種センサ・スイッ
チ等の故障が判定されて、故障の有無を示す「１」また
は「０」のデータがアドレス００〜１ｅの各ビット（ビ
ット０〜ビット１５）に記憶される。また、工場出荷検
査時にて、５００ｍＡ又は１Ａの基準電流がソレノイド
３３に流されその際に求められるソレノイド電流補正値
がアドレスｆｃ〜ｆｅに記憶される。

【００２９】図３において、ダイアグ前回値とは、前回
処理時のダイアグ更新値を記憶したものである。また、
イグニッションキーのオン時の初期化処理では、ＥＥＰ
ＲＯＭ７から読み出されたダイアグ情報が、ダイアグ前
回値及びダイアグ更新値として記憶されている。よっ
て、正常時にはダイアグ更新値とダイアグ前回値は一致
しているが、図示しないダイアグ検出処理にて新たな故
障が検出されたとき、ダイアグ更新値が更新され、その
更新値がダイアグ前回値と一致しなくなる。

【００３０】そして、図３のステップ１００にて、ダイ
アグ前回値がダイアグ更新値と一致するか否かが判定さ
れる。ここで、ダイアグ検出処理にて新たな故障が検出
されていないときは、同ステップ１００にて肯定判別さ
れ、書き込み処理（ステップ１１０，ステップ１２０の
処理）を実施することなく本処理を終了する。一方、ダ
イアグ検出処理にて新たな故障が検出され、ステップ１
００にて否定判別された場合、ステップ１１０に移行す
る。そして、ダイアグ前回値とダイアグ更新値につい
て、各ビット毎に論理和をとり、その結果をダイアグ前
回値とする。なおここでは、新たに検出されたセンサ・
スイッチの故障に対応したビットが、「０」から「１」
に変更される。続くステップ１２０において、変更され
たダイアグ前回値（データ）と、それを書き込むべきア
ドレスとを引数として、図５に示すＥＥＰＲＯＭ書込処
理へ移行する。

【００３１】図５に示すように、ステップ３１０にてサ
ブマイコン４は、入力端子ＷＩがＨレベルか否かを判定
する。つまり、電源電圧Ｖｃｃの低下時か否かを判定す
る。ここで、入力端子ＷＩがＬレベルであり、電源電圧
Ｖｃｃの低下時と判定したときには、ステップ３２０〜
ステップ３５０の処理を実施することなく、ステップ３
６０に移行する。一方、入力端子ＷＩがＨレベルであれ
ば、電源電圧Ｖｃｃの低下時ではないと判定し、ステッ
プ３２０に移行する。そして、ステップ３２０にて、出
力端子ＣＳ２からＨレベルの制御信号ＳＣ２を出力する
とともに、ステップ３３０にて、ＥＥＰＲＯＭ７の動作
モードを書き込みモードとすべく書き込み命令を送信す
る。続くステップ３４０にてアドレスを送信するととも
にステップ３５０にてデータを送信した後、ステップ３
６０に移行する。そして、同ステップ３６０にて、出力
端子ＣＳ２からＬレベルの制御信号ＳＣ２を出力した後
本処理を終了する。

【００３２】次に、ソレノイド電流補正値の書き込み処
理について説明する。図４に示すように、サブマイコン
４は、ステップ２００にて、工場出荷検査モードか否か
を判定する。なおここでは、ＥＣＵ１に対して所定の検
査モード信号が入力され、その信号に基づいて工場出荷
検査モードが判定される。同ステップ２００にて、否定
判別された場合、書き込み処理（ステップ２１０〜２３
０の処理）を実施することなく本処理を終了する。一
方、ステップ２００にて肯定判別された場合、ステップ
２１０に移行して、ソレノイド３３に流れる電流値を前
記サブ入出力回路６に配設されるＡ／Ｄ変換器（図示せ
ず）を用いてＡ／Ｄ変換する。そして、ステップ２２０
において、ソレノイド電流Ａ／Ｄ変換値からソレノイド
電流基準値を減算することによって、ソレノイド電流補
正値を求める。続くステップ２３０において、このソレ
ノイド電流補正値（データ）と、それを書き込むべきア
ドレスとを引数として、既述した図５のＥＥＰＲＯＭ書
込処理（ステップ３１０〜３６０の処理）を実施する。

【００３３】次いで、メインマイコン３にて実行される
ＥＥＰＲＯＭ７の書き込み禁止処理を図７を用いて詳述
する。なお、図７の処理は、例えば、４ミリ秒毎に実行
される。

【００３４】メインマイコン３は、ステップ４００に
て、入力端子ＷＩがＬレベルか否かを判定する。そし
て、入力端子ＷＩがＬレベルである場合、ステップ４１
０に移行してカウンタをクリアした後ステップ４３０に
進む。一方、入力端子ＷＩがＨレベルである場合、ステ
ップ４２０に移行してカウンタの値をカウントアップさ
せた後ステップ４３０に進む。なおこのカウンタは、入
力端子ＷＩがＨレベルとなった後の時間を計測するカウ
ンタであって、前記ＲＡＭ３ｃの所定の記憶領域に確保
されている。ステップ４３０において、カウンタの値に
基づいて、入力端子ＷＩがＨレベルとなった後所定時間
Ｔ２が経過しているか否かを判定する。ここで、所定時
間Ｔ２が経過していなければ、ステップ４４０にて、Ｅ
ＥＰＲＯＭ７の書き込みを禁止するために、出力端子Ｃ
Ｓ１からＬレベルの制御信号ＳＣ１を出力して本処理を
終了する。一方、所定時間Ｔ２が経過している場合、ス
テップ４５０にて、ＥＥＰＲＯＭ７の書き込みを許可す
るために、出力端子ＣＳ１からＨレベルの制御信号ＳＣ
１を出力した後本処理を終了する。

【００３５】ここで、本実施の形態におけるＥＥＰＲＯ
Ｍ７の書き込み許可及び禁止の動作を図２を用いて詳述
する。図２において、例えば、ｔ１のタイミング以前で
は電源電圧Ｖｃｃがしきい値電圧Ｖｔよりも高いため、
出力端子ＣＳ１はＨレベルに保持されている。そのと
き、データの書き込み要求に伴い出力端子ＣＳ２がＨレ
ベルとなると、アンド回路８の出力はＨレベルとなりＥ
ＥＰＲＯＭ７の書き込みが許可されて、サブマイコン４
から送信されるデータがＥＥＰＲＯＭ７に書き込まれ
る。

【００３６】これに対して、電源電圧Ｖｃｃがしきい値
電圧Ｖｔ以下となると、電源ＩＣ２により入力端子ＷＩ
がＬレベルとされ、それに従いカウンタがクリアされる
とともに出力端子ＣＳ１がＬレベルとされる。そして、
出力端子ＣＳ１がＬレベルになる期間（ｔ１〜ｔ３）で
は、出力端子ＣＳ２がＨレベルになっても、アンド回路
８の出力はＬレベルとなりＥＥＰＲＯＭ７の書き込みが
禁止される。特に、期間Ｔ１においては、電源電圧Ｖｃ
ｃがサブマイコン４の最低作動電圧Ｖｓを下回るので、
サブマイコン４が誤作動するおそれがある。このため、
図３〜図５の処理が誤って実施され、サブマイコン４の
出力端子ＣＳ２からＨレベルの制御信号ＳＣ２が出力さ
れるとともに、サブマイコン４からＥＥＰＲＯＭ７に通
信データが送信されることがある。しかしながら、本実
施の形態では、メインマイコン３により出力端子ＣＳ１
がＬレベルに制御され、ＥＥＰＲＯＭ７のチップセレク
ト端子ＣＳがＬレベル（非選択状態）となる。これによ
り、サブマイコン４とＥＥＰＲＯＭ７間のデータ通信が
無効となり、ＥＥＰＲＯＭ７の書き込みが禁止される。

【００３７】また、電源電圧Ｖｃｃがしきい値電圧Ｖｔ
以上となると、カウンタがカウントアップされ、タイミ
ングｔ２からの時間が計測される。そして、所定時間Ｔ
２の経過後（ｔ３のタイミング）に出力端子ＣＳ１がＨ
レベルに制御される。このように、本実施の形態では、
電源電圧Ｖｃｃがしきい値電圧Ｖｔ以上に復帰してから
出力端子ＣＳ１がＨレベルとなるまでにディレー時間Ｔ
２が設定されている。よって、期間Ｔ１にてサブマイコ
ン４が誤作動したとしても、この時間Ｔ２が経過する間
に、サブマイコン４が正常動作に確実に復帰する。その
後、データの書き込み要求に伴い出力端子ＣＳ２がＨレ
ベルとなると、ＥＥＰＲＯＭ７の書き込みが許可され
て、サブマイコン４からＥＥＰＲＯＭ７に送信されるデ
ータがＥＥＰＲＯＭ７に書き込まれる。

【００３８】以上詳述した本実施の形態によれば、以下
に示す効果が得られる。 （１）電源電圧Ｖｃｃがしきい値電圧Ｖｔまで低下する
と、電源ＩＣ２から電圧低下信号Ｓ１が出力され、入力
端子ＷＩがＬレベルとなる。このとき、メインマイコン
３によって電源電圧Ｖｃｃの低下が判定され、出力端子
ＣＳ１がＬレベルに制御されてサブマイコン４によるＥ
ＥＰＲＯＭ７の書き込みが禁止される。このようにすれ
ば、電源電圧Ｖｃｃがサブマイコン４の最低作動電圧Ｖ
ｓ以下となったとしても、この電源電圧Ｖｃｃで正常に
作動するメインマイコン３によりＥＥＰＲＯＭ７の書き
込みが禁止され、サブマイコン４の誤作動によるＥＥＰ
ＲＯＭ７の誤書き込みを防止できる。

【００３９】（２）電源ＩＣ２からの電圧低下信号Ｓ１
は、既述したようにＳＲＡＭ３ｄ，４ｄの書き込みを禁
止（制限）するために従来から用いられているものあ
る。つまり、本実施の形態では、電源電圧Ｖｃｃの低下
を検出するために新たな回路を設けることなく、ＥＥＰ
ＲＯＭ７の誤書き込みを防止することができ、コスト的
にも有利なものとなる。

【００４０】（３）電源電圧Ｖｃｃがサブマイコン４の
最低作動電圧Ｖｓまで低下し（図２の期間Ｔ１）サブマ
イコン４が誤作動したとしても、電源電圧Ｖｃｃがしき
い値電圧Ｖｔ以上に上昇し所定時間Ｔ２が経過するまで
の間にサブマイコン４が正常動作に復帰する。そして、
その状態でメインマイコン３の出力端子ＣＳ１がＨレベ
ルに制御されてＥＥＰＲＯＭ７の書き込みが許可され
る。このようにすれば、サブマイコン４によるＥＥＰＲ
ＯＭ７の誤書き込みを確実に防止できる。

【００４１】（４）メインマイコン３は、ＥＥＰＲＯＭ
７の書き込みを禁止または許可するための制御信号ＳＣ
１を出力する出力端子ＣＳ１を有し、サブマイコン４
は、ＥＥＰＲＯＭ７にデータを書き込むための制御信号
ＳＣ２を出力する出力端子ＣＳ２を有し、各出力端子Ｃ
Ｓ１，ＣＳ２をアンド回路８を介してＥＥＰＲＯＭ７の
チップセレクト端子ＣＳに接続するようにした。このよ
うにすれば、メインマイコン３の出力端子ＣＳ１から書
き込みを禁止するためのＬレベルの制御信号ＳＣ１が出
力されると、アンド回路８によりＥＥＰＲＯＭ７のチッ
プセレクト端子ＣＳが常にＬレベル（非選択状態）とさ
れる。この場合、電圧低下時における誤作動によりサブ
マイコン４の出力端子ＣＳ２からＨレベルの制御信号Ｓ
Ｃ２が出力されたとしても、該制御信号ＳＣ２が無効と
なりＥＥＰＲＯＭ７の書き込みを禁止できる。

【００４２】なお本発明は、上記以外に次の形態にて具
体化できる。上記実施の形態では、電圧監視手段として
電源ＩＣ２を用い、ＳＲＡＭ３ｄ，４ｄの書き込みを禁
止するために電源ＩＣ２から出力される電圧低下信号Ｓ
１を用いて、ＥＥＰＲＯＭ７の書き込みを禁止する構成
であったが、これに限定するものではない。例えば、電
源ＩＣ２とは別に電源電圧Ｖｃｃの低下を検出する電圧
監視手段を新たに設けてもよい。なおこの場合、電源電
圧Ｖｃｃの低下を検出するためのしきい値電圧Ｖｔをサ
ブマイコン４の最低作動電圧Ｖｓに近づけることが望ま
しい。つまり、図２に示すように、しきい値電圧Ｖｔと
サブマイコン最低作動電圧Ｖｓとの電圧値が異なる場
合、電源電圧Ｖｃｃがしきい値電圧Ｖｔ以下に低下し、
サブマイコン４の最低作動電圧Ｖｓに至る前に上昇する
ことが考えられる。この場合、サブマイコン４が誤作動
しない範囲の電圧低下であるにも拘わらず、ＥＥＰＲＯ
Ｍ７の書き込みが禁止されるが、しきい値電圧Ｖｔをサ
ブマイコン最低作動電圧Ｖｓに近づけることによって、
こうした不都合を回避できる。

【００４３】上記実施の形態では、ゲート回路としてア
ンド回路８を用いるものであったが、これに限定するも
のではない。例えば、ＥＥＰＲＯＭ７のようにチップセ
レクト端子がＨレベルのときに選択状態となるものでは
なく、Ｌレベルのときに選択状態となるＥＥＰＲＯＭを
使用する場合には、アンド回路８に代えてオア回路を用
いる。そして、電源電圧Ｖｃｃの低下時にて書き込み禁
止する際には、メインマイコン３の出力端子からＨレベ
ルの制御信号をオア回路に出力する。このようにすれ
ば、オア回路の出力は常にＨレベルとなり、ＥＥＰＲＯ
Ｍのチップセレクト端子が非選択状態となる。よって、
電源電圧Ｖｃｃの低下時において、ＥＥＰＲＯＭの誤書
き込みを防止できる。

【００４４】上記実施の形態では、不揮発性メモリとし
て、ＥＥＰＲＯＭを用いるものであったが、フラッシュ
メモリを用いることもできる。上記実施の形態では、エ
ンジン制御及びトランスミッション制御を実施するため
のＥＣＵ１に具体化したが、これに限ることなく、車両
制御（例えば、ＡＢＳ制御）やボディ制御（例えば、エ
アコン制御）等を実施するＥＣＵに具体化してもよい。
要は、最低作動電圧の異なる２つのマイコンを用いて各
種制御を実施し、最低作動電圧が高いマイコンにて不揮
発性メモリの書き込みを行うＥＣＵに具体化するもので
あればよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】発明の実施の形態におけるＥＣＵの概要を示す
構成図。

【図２】電源電圧の低下時の動作を説明するための図。

【図３】ダイアグ情報の書込処理を示すフローチャー
ト。

【図４】ソレノイド電流補正値の書込処理を示すフロー
チャート。

【図５】ＥＥＰＲＯＭ書込処理を示すフローチャート。

【図６】ＥＥＰＲＯＭの格納データを説明するための
図。

【図７】メインマイコンによる書込禁止処理を示すフロ
ーチャート。

【符号の説明】

１…不揮発性メモリ書き込み装置としてのＥＣＵ、２…
リセット手段及び電圧監視手段としての電源ＩＣ、３…
第１のマイクロコンピュータとしてのメインマイコン、
３ｄ…バックアップメモリとしてのＳＲＡＭ、４…第２
のマイクロコンピュータとしてのサブマイコン、４ｄ…
バックアップメモリとしてのＳＲＡＭ、７…不揮発性メ
モリとしてのＥＥＰＲＯＭ、８…ゲート回路としてのア
ンド回路、１１…電源スイッチとしてのイグニッション
スイッチ、ＣＳ…チップセレクト端子、ＣＳ１，ＣＳ２
…出力端子、Ｓ１…電圧低下信号、Ｓ２…リセット信
号、ＳＣ１，ＳＣ２…制御信号、Ｖｃｃ…電源電圧、Ｖ
ｍ…メインマイコン最低作動電圧、Ｖｓ…サブマイコン
最低作動電圧、Ｖｒ…リセット電圧、Ｖｔ…しきい値電
圧。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 最低作動電圧がそれぞれ異なる第１のマ
   イクロコンピュータ及び第２のマイクロコンピュータ
   と、前記第２のマイクロコンピュータによりデータが書
   き込まれる不揮発性メモリと、電源電圧が所定のリセッ
   ト電圧以下となったとき、第１のマイクロコンピュータ
   に対してリセット信号を出力するリセット手段とを備
   え、前記第１のマイクロコンピュータの最低作動電圧が
   前記リセット電圧よりも低く、前記第２のマイクロコン
   ピュータの最低作動電圧が前記リセット電圧よりも高い
   不揮発性メモリ書き込み装置において、 第２のマイクロコンピュータの最低作動電圧以下となる
   電圧域を含む領域まで前記電源電圧が低下すると、前記
   第１のマイクロコンピュータは、第２のマイクロコンピ
   ュータによる不揮発性メモリの書き込みを禁止すること
   を特徴とする不揮発性メモリ書き込み装置。
2. 【請求項２】 電源スイッチのオフ時にも記憶データを
   保持し、前記電源電圧の低下時にデータの書き込みが制
   限されるバックアップメモリと、 前記電源電圧を監視し、該電源電圧が、前記バックアッ
   プメモリの書き込みを制限するためのしきい値電圧以下
   となるとき、電圧低下信号を出力する電圧監視手段を備
   えた請求項１に記載の不揮発性メモリ書き込み装置にお
   いて、 前記第１のマイクロコンピュータは、前記電圧監視手段
   からの電圧低下信号に基づいて、不揮発性メモリの書き
   込みを禁止することを特徴とする不揮発性メモリ書き込
   み装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の不揮発性メモリ
   書き込み装置において、 前記第１のマイクロコンピュータは、前記電源電圧の低
   下に伴い不揮発性メモリの書き込みを禁止した際には、
   電源電圧が上昇し不揮発性メモリの書き込みが禁止され
   る電圧域以上となった後所定時間の経過後に、不揮発性
   メモリの書き込みを許可することを特徴とする不揮発性
   メモリ書き込み装置。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか一項に記載の不
   揮発性メモリ書き込み装置において、 前記第１のマイクロコンピュータは、前記不揮発性メモ
   リの書き込みを禁止または許可するための制御信号を出
   力する出力端子を有し、 前記第２のマイクロコンピュータは、前記不揮発性メモ
   リにデータを書き込むための制御信号を出力する出力端
   子を有し、 前記各出力端子をゲート回路を介して不揮発性メモリの
   チップセレクト端子に接続し、 前記ゲート回路は、第１のマイクロコンピュータの出力
   端子から書き込みを禁止するための制御信号が出力され
   たとき、不揮発性メモリのチップセレクト端子を非選択
   状態とすることを特徴とする不揮発性メモリ書き込み装
   置。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一項に記載の不
   揮発性メモリ書き込み装置において、 前記第１のマイクロコンピュータはエンジン制御用コン
   ピュータであり、前記第２のマイクロコンピュータは、
   トランスミッション制御用コンピュータであることを特
   徴とする不揮発性メモリ書き込み装置。