JP2002023346A - フォトリソグラフマスク修復のためのレーザ投射システム及び方法 - Google Patents
フォトリソグラフマスク修復のためのレーザ投射システム及び方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトリソグラフマスク修復のためのシステ
ム及び方法を提供すること。 【解決手段】 システムは、処理すべきマスクを支持す
るための構造体と、マスク修復を実行するためのレーザ
放射装置と、支持構造体に隣接した、マスクの選択的照
射のための光源と、レーザ放射装置から出射するレーザ
ビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプロセ
ッサと、ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように、
連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装置と、
マスクに対するビームの誘導中におけるマスクの多視点
観察のためのマイクロスコープとを備えている。コンピ
ュータ装置は、ビームの操作と同時に、ビームの正確な
移動制御と、連続的角度操作を実行するための電動アパ
ーチャの制御された動きと、制御された支持構造体の動
きと、画像データ処理を実行する。
ム及び方法を提供すること。 【解決手段】 システムは、処理すべきマスクを支持す
るための構造体と、マスク修復を実行するためのレーザ
放射装置と、支持構造体に隣接した、マスクの選択的照
射のための光源と、レーザ放射装置から出射するレーザ
ビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプロセ
ッサと、ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように、
連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装置と、
マスクに対するビームの誘導中におけるマスクの多視点
観察のためのマイクロスコープとを備えている。コンピ
ュータ装置は、ビームの操作と同時に、ビームの正確な
移動制御と、連続的角度操作を実行するための電動アパ
ーチャの制御された動きと、制御された支持構造体の動
きと、画像データ処理を実行する。
Description
【０００１】本発明は、レーザシステムに関し、特に、
表面粒子及び薄膜アブレーションのためのシステム及び
方法に関する。
表面粒子及び薄膜アブレーションのためのシステム及び
方法に関する。
【０００２】集積回路の製造においては、例えば、まず
初めに、フォトマスクの像が、シリコンウエハ等上に塗
布されたフォトレジスト材すなわちフォトレジスト層上
に投影される。これは、一般に、露光ステップとして知
られている。フォトマスクは、回路が動作するのに必要
な構造に相当するパターン情報を有している。このステ
ップの結果は、レジスト層が、フォトマスク上のマスタ
ーパターンに相当するパターンへ、選択的に変化するこ
とである。次いで、引き続き行われるプロセス工程を用
いて、ウエハを選択的に変化させ、レジスト上に印され
たマスク像に対応する回路層を生成する。一連のマスク
を用いてウエハ上でこのプロセスを繰り返すことによっ
て、集積回路が形成される。
初めに、フォトマスクの像が、シリコンウエハ等上に塗
布されたフォトレジスト材すなわちフォトレジスト層上
に投影される。これは、一般に、露光ステップとして知
られている。フォトマスクは、回路が動作するのに必要
な構造に相当するパターン情報を有している。このステ
ップの結果は、レジスト層が、フォトマスク上のマスタ
ーパターンに相当するパターンへ、選択的に変化するこ
とである。次いで、引き続き行われるプロセス工程を用
いて、ウエハを選択的に変化させ、レジスト上に印され
たマスク像に対応する回路層を生成する。一連のマスク
を用いてウエハ上でこのプロセスを繰り返すことによっ
て、集積回路が形成される。
【０００３】集積回路の小型化、特にフォトマスク形状
（features）の寸法の縮小化が絶えず進展するのに伴
い、フォトリソグラフ処理のさらなる精緻化の要求も止
むことはない。この目的のため、従来のマイクロスコー
プの能力を高めることが、視認を確実にするのみなら
ず、フォトリソグラフマスク上の欠陥の分析および修正
のためにも、望ましい。
（features）の寸法の縮小化が絶えず進展するのに伴
い、フォトリソグラフ処理のさらなる精緻化の要求も止
むことはない。この目的のため、従来のマイクロスコー
プの能力を高めることが、視認を確実にするのみなら
ず、フォトリソグラフマスク上の欠陥の分析および修正
のためにも、望ましい。
【０００４】従来のフォトマスクパターンは、レーザビ
ーム或いは電子ビームの直接描画によって作成される。
特に、レジスト材を塗布したブランクマスクは、レーザ
ビーム或いは電子ビームによって走査される。このビー
ムは変調され、オンオフされて、走査ラスタ内の各ポイ
ントにおいてレジスト材を露光しあるいは露光しない。
走査または描画が完了すると、レジスト材は現像され
る。換言すると、ビーム露光されたレジスト材の存在す
る箇所では、レジスト材は化学的作用によって取り除か
れる。このことにより、フォトマスク上に転写したいパ
ターンのイメージがレジスト内に残される。そして、フ
ォトマスクは、湿式プロセスや、酸浴や、ＲＦ励起プラ
ズマによるドライエッチングのいずれかを用いてエッチ
ングされる。エッチングが完了すると、レジスト材が取
り除かれた箇所では、クロムも取り除かれる。最後に、
余剰レジスト材が剥がされ、それにより、たとえば、
「クロム層付ガラス板（chrome on glass）」フォトマ
スクが製造され、検査に回される。
ーム或いは電子ビームの直接描画によって作成される。
特に、レジスト材を塗布したブランクマスクは、レーザ
ビーム或いは電子ビームによって走査される。このビー
ムは変調され、オンオフされて、走査ラスタ内の各ポイ
ントにおいてレジスト材を露光しあるいは露光しない。
走査または描画が完了すると、レジスト材は現像され
る。換言すると、ビーム露光されたレジスト材の存在す
る箇所では、レジスト材は化学的作用によって取り除か
れる。このことにより、フォトマスク上に転写したいパ
ターンのイメージがレジスト内に残される。そして、フ
ォトマスクは、湿式プロセスや、酸浴や、ＲＦ励起プラ
ズマによるドライエッチングのいずれかを用いてエッチ
ングされる。エッチングが完了すると、レジスト材が取
り除かれた箇所では、クロムも取り除かれる。最後に、
余剰レジスト材が剥がされ、それにより、たとえば、
「クロム層付ガラス板（chrome on glass）」フォトマ
スクが製造され、検査に回される。
【０００５】この工程は有用であるとみられていたが、
フォトマスク製造中にイメージ欠陥がしばしば形成され
る。これらの欠陥は、一般に、（ｉ）誤配置パターン欠
陥、（ｉｉ）パターン欠損欠陥、（ｉｉｉ）異物すなわ
ち汚染欠陥として知られている。
フォトマスク製造中にイメージ欠陥がしばしば形成され
る。これらの欠陥は、一般に、（ｉ）誤配置パターン欠
陥、（ｉｉ）パターン欠損欠陥、（ｉｉｉ）異物すなわ
ち汚染欠陥として知られている。
【０００６】一般に、誤配置パターン欠陥は、パターニ
ング工程で基板から除去し損なった物質、例えば、もと
もと存在する物質のしみである。このような欠陥は、マ
スクパターン上における作用により分類され名づけられ
ている。すなわち、孤立スポット（isolated spots）、
エッジ拡張（edge extension）、ブリッジ（bridge）欠
陥である。
ング工程で基板から除去し損なった物質、例えば、もと
もと存在する物質のしみである。このような欠陥は、マ
スクパターン上における作用により分類され名づけられ
ている。すなわち、孤立スポット（isolated spots）、
エッジ拡張（edge extension）、ブリッジ（bridge）欠
陥である。
【０００７】ひるがえって、パターン欠損欠陥は、通
常、もともと存在する物質が基板から意図せずに除去さ
れてできたスポットとしてあらわれる。これらの欠陥
は、その外観によって分類される。すなわち、ピンホー
ル、エッジ後退（edge intrusion）、断線欠陥である。
常、もともと存在する物質が基板から意図せずに除去さ
れてできたスポットとしてあらわれる。これらの欠陥
は、その外観によって分類される。すなわち、ピンホー
ル、エッジ後退（edge intrusion）、断線欠陥である。
【０００８】汚染欠陥すなわちＦＭについては、マスク
表面上にみられる汚染物質の種類によって分類される。
厳密な洗浄及び処理手順を適用した場合でも、通常、Ｆ
Ｍ欠陥は残る。さらに、洗浄プロセスは、結局、効果低
減（diminishing returns）の犠牲となる。すなわち、
１つのＦＭ欠陥を取り除くために用いられるフォトマス
クの追加洗浄サイクルは、しばしば、あらたな欠陥を加
えることになる。
表面上にみられる汚染物質の種類によって分類される。
厳密な洗浄及び処理手順を適用した場合でも、通常、Ｆ
Ｍ欠陥は残る。さらに、洗浄プロセスは、結局、効果低
減（diminishing returns）の犠牲となる。すなわち、
１つのＦＭ欠陥を取り除くために用いられるフォトマス
クの追加洗浄サイクルは、しばしば、あらたな欠陥を加
えることになる。
【０００９】一般に、欠陥密度と欠陥サイズは相反する
関係にある。すなわち、欠陥密度が高くなると、欠陥の
サイズは減少する。比較的小さなサイズの欠陥は許容さ
れる場合もあるが、小型で高速な装置の要求が益々高ま
るに伴い、最小欠陥の許容誤差はそれに応じて小さくな
っている。
関係にある。すなわち、欠陥密度が高くなると、欠陥の
サイズは減少する。比較的小さなサイズの欠陥は許容さ
れる場合もあるが、小型で高速な装置の要求が益々高ま
るに伴い、最小欠陥の許容誤差はそれに応じて小さくな
っている。
【００１０】したがって、誤配置パターンや異物欠陥な
どを含む、ただしそれらに限定されないが、フォトリソ
グラフマスク上の比較的小さな欠陥を観察し、分析し、
除去するための装置および局所レーザ法が求められてい
る。
どを含む、ただしそれらに限定されないが、フォトリソ
グラフマスク上の比較的小さな欠陥を観察し、分析し、
除去するための装置および局所レーザ法が求められてい
る。
【００１１】本発明の一態様によれば、処理すべきマス
クを支持するための構造体と、マスク修復を実行するた
めのレーザ放射装置と、支持構造体に隣接した、マスク
の選択的照射のための光源と、レーザ放射装置から出射
するレーザビームの連続的角度操作を実行するためのレ
ーザプロセッサであって、オフアクシスレーザ照射を実
行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マ
スク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小
のための光学系と、修復中にマスクを観察するための装
置とを含むレーザプロセッサと、ビームのほぼ完全な波
形を獲得し、ターゲット領域に均一な表面露光を生じる
ように、連続的角度操作を制御するためのコンピュータ
装置と、マスクに対するビームの誘導中におけるマスク
の多視点観察のためのマイクロスコープとを備えたこと
を特徴とするフォトリソグラフマスク修復システムが得
られる。
クを支持するための構造体と、マスク修復を実行するた
めのレーザ放射装置と、支持構造体に隣接した、マスク
の選択的照射のための光源と、レーザ放射装置から出射
するレーザビームの連続的角度操作を実行するためのレ
ーザプロセッサであって、オフアクシスレーザ照射を実
行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マ
スク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小
のための光学系と、修復中にマスクを観察するための装
置とを含むレーザプロセッサと、ビームのほぼ完全な波
形を獲得し、ターゲット領域に均一な表面露光を生じる
ように、連続的角度操作を制御するためのコンピュータ
装置と、マスクに対するビームの誘導中におけるマスク
の多視点観察のためのマイクロスコープとを備えたこと
を特徴とするフォトリソグラフマスク修復システムが得
られる。
【００１２】本発明の別の態様によれば、処理すべきマ
スクを支持するための構造体と、マスク修復を実行する
ためのレーザ放射装置と、支持構造体に隣接した、マス
クの選択的照射のための光源と、レーザ放射装置から出
射するレーザビームの連続的角度操作を実行するための
レーザプロセッサであって、オフアクシスレーザ照射を
実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的
マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮
小のための光学系と、修復中にマスクを観察するための
装置とを含むレーザプロセッサと、ビームのほぼ完全な
波形を獲得し、ターゲット領域内に均一な表面露光を生
じるように、連続的角度操作を制御するためのコンピュ
ータ装置と、マスクに対するビームの誘導中におけるマ
スクの多視点観察のためのマイクロスコープとを備え、
コンピュータ装置は、ビームの操作と同時に、ビームの
動きの精密制御と、連続的角度操作を実行するための電
動アパーチャの制御された動きと、支持構造体の制御さ
れた動きと、イメージデータ処理とを実行することを特
徴とするフォトリソグラフマスク修復システムが得られ
る。
スクを支持するための構造体と、マスク修復を実行する
ためのレーザ放射装置と、支持構造体に隣接した、マス
クの選択的照射のための光源と、レーザ放射装置から出
射するレーザビームの連続的角度操作を実行するための
レーザプロセッサであって、オフアクシスレーザ照射を
実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的
マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮
小のための光学系と、修復中にマスクを観察するための
装置とを含むレーザプロセッサと、ビームのほぼ完全な
波形を獲得し、ターゲット領域内に均一な表面露光を生
じるように、連続的角度操作を制御するためのコンピュ
ータ装置と、マスクに対するビームの誘導中におけるマ
スクの多視点観察のためのマイクロスコープとを備え、
コンピュータ装置は、ビームの操作と同時に、ビームの
動きの精密制御と、連続的角度操作を実行するための電
動アパーチャの制御された動きと、支持構造体の制御さ
れた動きと、イメージデータ処理とを実行することを特
徴とするフォトリソグラフマスク修復システムが得られ
る。
【００１３】本発明のさらなる態様によれば、処理すべ
きマスクを支持するための構造体と、マスク修復を実行
するためのレーザ放射装置と、支持構造体に隣接した、
マスクの選択的照射のための光源と、レーザ放射装置か
ら出射されるレーザビームの連続的角度操作を実行する
ためのレーザプロセッサと、ビームのほぼ完全な波形を
獲得し、ターゲット領域内に均一な表面露光を生じるよ
うに、連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装
置と、マスクに対するビームの誘導中におけるマスクの
多視点観察のためのマイクロスコープであって、比較的
低倍率のビデオカメラと、比較的高倍率のビデオカメラ
と、ＤＵＶ画像化及び透過測定装置とを含むマイクロス
コープとを備えたことを特徴とするフォトリソグラフマ
スク修復システムが得られる。
きマスクを支持するための構造体と、マスク修復を実行
するためのレーザ放射装置と、支持構造体に隣接した、
マスクの選択的照射のための光源と、レーザ放射装置か
ら出射されるレーザビームの連続的角度操作を実行する
ためのレーザプロセッサと、ビームのほぼ完全な波形を
獲得し、ターゲット領域内に均一な表面露光を生じるよ
うに、連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装
置と、マスクに対するビームの誘導中におけるマスクの
多視点観察のためのマイクロスコープであって、比較的
低倍率のビデオカメラと、比較的高倍率のビデオカメラ
と、ＤＵＶ画像化及び透過測定装置とを含むマイクロス
コープとを備えたことを特徴とするフォトリソグラフマ
スク修復システムが得られる。
【００１４】本発明のさらに別の態様によれば、処理す
べきマスクを支持するための構造体と、マスク修復を実
行するためのレーザ放射装置と、支持構造体に隣接し
た、マスクの選択的照射のための光源と、レーザ放射装
置から出射するレーザビームの連続的角度操作を実行す
るためのレーザプロセッサと、ビームのほぼ完全な波形
を獲得し、ターゲット領域内に均一な表面露光を生じる
ように、連続的角度操作を制御するためのコンピュータ
装置と、マスクに対するビームの誘導中におけるマスク
の多視点観察のためのマイクロスコープとを備えたこと
を特徴とするフォトリソグラフマスク修復システムが得
られる。
べきマスクを支持するための構造体と、マスク修復を実
行するためのレーザ放射装置と、支持構造体に隣接し
た、マスクの選択的照射のための光源と、レーザ放射装
置から出射するレーザビームの連続的角度操作を実行す
るためのレーザプロセッサと、ビームのほぼ完全な波形
を獲得し、ターゲット領域内に均一な表面露光を生じる
ように、連続的角度操作を制御するためのコンピュータ
装置と、マスクに対するビームの誘導中におけるマスク
の多視点観察のためのマイクロスコープとを備えたこと
を特徴とするフォトリソグラフマスク修復システムが得
られる。
【００１５】本発明のさらに別の態様によれば、処理す
べきマスクと、レーザ放射装置と、レーザ放射装置から
出射するレーザビームの連続的角度操作を実行するため
のレーザプロセッサであって、オフアクシスレーザ照射
を実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増
的マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像
縮小のための光学系と、修復中にマスクを観察するため
の装置とを含むレーザプロセッサと、ビームのほぼ完全
な波形を獲得し、ターゲット領域内に均一な表面露光を
生じるように、連続的角度操作を制御するためのコンピ
ュータ装置と、マスクに対するビームの誘導中における
マスクの多視点観察のためのマイクロスコープとを備え
たことを特徴とするフォトリソグラフマスク修復システ
ムが得られる。
べきマスクと、レーザ放射装置と、レーザ放射装置から
出射するレーザビームの連続的角度操作を実行するため
のレーザプロセッサであって、オフアクシスレーザ照射
を実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増
的マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像
縮小のための光学系と、修復中にマスクを観察するため
の装置とを含むレーザプロセッサと、ビームのほぼ完全
な波形を獲得し、ターゲット領域内に均一な表面露光を
生じるように、連続的角度操作を制御するためのコンピ
ュータ装置と、マスクに対するビームの誘導中における
マスクの多視点観察のためのマイクロスコープとを備え
たことを特徴とするフォトリソグラフマスク修復システ
ムが得られる。
【００１６】本発明のさらなる態様によれば、処理すべ
きマスクと、マスク修復を実行するためのレーザ放射装
置と、レーザ放射装置から出射するレーザビームの連続
的角度操作を実行するレーザプロセッサであって、オフ
アクシスレーザ照射を実行するための調節可能なビーム
スプリッタと、漸増的マスク修復を容易にするための電
動アパーチャと、像縮小のための光学系と、修復中にマ
スクを観察するための装置とを含むレーザプロセッサと
を備えたことを特徴とするフォトリソグラフマスク修復
システムが得られる。
きマスクと、マスク修復を実行するためのレーザ放射装
置と、レーザ放射装置から出射するレーザビームの連続
的角度操作を実行するレーザプロセッサであって、オフ
アクシスレーザ照射を実行するための調節可能なビーム
スプリッタと、漸増的マスク修復を容易にするための電
動アパーチャと、像縮小のための光学系と、修復中にマ
スクを観察するための装置とを含むレーザプロセッサと
を備えたことを特徴とするフォトリソグラフマスク修復
システムが得られる。
【００１７】本発明の別の実施態様は、 ｉ．相対的に静止し、隔離された支持構造体上にフォト
マスクを載置するステップと、 ｉｉ．マスク修復を実行するためのレーザ放射装置を活
性化するステップと、 ｉｉｉ．支持構造体に隣接した、マスクの選択的照射の
ための光源を駆動するステップと、 ｉｖ．レーザ放射装置から出射するレーザビームに、レ
ーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプ
ロセッサであって、レーザビームオフアクシス照射を実
行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マ
スク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小
のための光学系と、修復中にマスクを観察するための装
置とを含むレーザプロセッサを通過させるステップと、 ｖ．ビームのほぼ完全な波形を獲得し、ターゲット領域
内に均一な表面露光を生じるように、連続的角度操作を
制御するステップと、 ｖｉ．連続的角度操作と同時に、マスクに対するビーム
の誘導中におけるマスクの多視点観察を行ない、ビーム
の動きの精密制御と、連続的角度操作を実行するための
電動アパーチャの制御された動きと、支持構造体の制御
された動きと、イメージデータ処理とを実行するステッ
プとを有することを特徴とするフォトリソグラフマスク
修復方法に関する。
マスクを載置するステップと、 ｉｉ．マスク修復を実行するためのレーザ放射装置を活
性化するステップと、 ｉｉｉ．支持構造体に隣接した、マスクの選択的照射の
ための光源を駆動するステップと、 ｉｖ．レーザ放射装置から出射するレーザビームに、レ
ーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプ
ロセッサであって、レーザビームオフアクシス照射を実
行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マ
スク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小
のための光学系と、修復中にマスクを観察するための装
置とを含むレーザプロセッサを通過させるステップと、 ｖ．ビームのほぼ完全な波形を獲得し、ターゲット領域
内に均一な表面露光を生じるように、連続的角度操作を
制御するステップと、 ｖｉ．連続的角度操作と同時に、マスクに対するビーム
の誘導中におけるマスクの多視点観察を行ない、ビーム
の動きの精密制御と、連続的角度操作を実行するための
電動アパーチャの制御された動きと、支持構造体の制御
された動きと、イメージデータ処理とを実行するステッ
プとを有することを特徴とするフォトリソグラフマスク
修復方法に関する。
【００１８】本発明のさらなる実施態様は、 ｉ．マスク修復を実行するためのレーザ放射装置を活性
化するステップと、 ｉｉ．相対的に静止し、隔離された支持構造体上にフォ
トマスクを載置するステップと、 ｉｉｉ．支持構造体に隣接した、マスクの選択的照射の
ための光源を駆動するステップと、 ｉｖ．レーザ放射装置から出射されたレーザビームに、
レーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザ
プロセッサであって、レーザビームのオフアクシス照射
を実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増
的マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像
縮小のための光学系と、修復中にマスクを観察するため
の装置とを含むレーザプロセッサを通過させるステップ
と、 ｖ．ビームのほぼ完全な波形を獲得し、ターゲット領域
内に均一な表面露光を生じるように、連続的角度操作を
制御するステップと、 ｖｉ．連続的角度操作と同時に、マスクに対するビーム
の誘導中におけるマスクの多視点観察を行ない、ビーム
の動きの精密制御と、連続的角度操作を実行するための
電動アパーチャの制御された動きと、支持構造体の制御
された動きと、イメージデータ処理とを実行するステッ
プとを有することを特徴とするフォトリソグラフマスク
修復方法である。
化するステップと、 ｉｉ．相対的に静止し、隔離された支持構造体上にフォ
トマスクを載置するステップと、 ｉｉｉ．支持構造体に隣接した、マスクの選択的照射の
ための光源を駆動するステップと、 ｉｖ．レーザ放射装置から出射されたレーザビームに、
レーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザ
プロセッサであって、レーザビームのオフアクシス照射
を実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増
的マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像
縮小のための光学系と、修復中にマスクを観察するため
の装置とを含むレーザプロセッサを通過させるステップ
と、 ｖ．ビームのほぼ完全な波形を獲得し、ターゲット領域
内に均一な表面露光を生じるように、連続的角度操作を
制御するステップと、 ｖｉ．連続的角度操作と同時に、マスクに対するビーム
の誘導中におけるマスクの多視点観察を行ない、ビーム
の動きの精密制御と、連続的角度操作を実行するための
電動アパーチャの制御された動きと、支持構造体の制御
された動きと、イメージデータ処理とを実行するステッ
プとを有することを特徴とするフォトリソグラフマスク
修復方法である。
【００１９】本発明の別の実施態様は、 ｉ．マスク修復を実行するためのレーザ放射装置を活性
化させるステップと、 ｉｉ．支持構造体に隣接した、マスクの選択的照射のた
めの光源を駆動するステップと、 ｉｉｉ．相対的に静止し、隔離された支持構造体上にフ
ォトマスクを載置するステップと、 ｉｖ．レーザ放射装置から出射するレーザビームに、レ
ーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプ
ロセッサであって、レーザビームのオフアクシス照射を
実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的
マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮
小のための光学系と、修復中にマスクを観察するための
装置とを含むレーザプロセッサを通過させるステップ
と、 ｖ．ビームのほぼ完全な波形を獲得し、ターゲット領域
内に均一な表面露光を生じるように、連続的角度操作を
制御するステップと、 ｖｉ．連続的角度操作と同時に、マスクに対するビーム
の誘導中におけるマスクの多視点観察を行ない、ビーム
の動きの精密制御と、連続的角度操作を実行するための
電動アパーチャの制御された動きと、支持構造体の制御
された動きと、イメージデータ処理とを実行するステッ
プとを有することを特徴とするフォトリソグラフマスク
修復方法である。
化させるステップと、 ｉｉ．支持構造体に隣接した、マスクの選択的照射のた
めの光源を駆動するステップと、 ｉｉｉ．相対的に静止し、隔離された支持構造体上にフ
ォトマスクを載置するステップと、 ｉｖ．レーザ放射装置から出射するレーザビームに、レ
ーザビームの連続的角度操作を実行するためのレーザプ
ロセッサであって、レーザビームのオフアクシス照射を
実行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的
マスク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮
小のための光学系と、修復中にマスクを観察するための
装置とを含むレーザプロセッサを通過させるステップ
と、 ｖ．ビームのほぼ完全な波形を獲得し、ターゲット領域
内に均一な表面露光を生じるように、連続的角度操作を
制御するステップと、 ｖｉ．連続的角度操作と同時に、マスクに対するビーム
の誘導中におけるマスクの多視点観察を行ない、ビーム
の動きの精密制御と、連続的角度操作を実行するための
電動アパーチャの制御された動きと、支持構造体の制御
された動きと、イメージデータ処理とを実行するステッ
プとを有することを特徴とするフォトリソグラフマスク
修復方法である。
【００２０】したがって、本発明の目的は、フォトリソ
グラフマスク修復のための改良されたシステムおよび方
法を提供することである。
グラフマスク修復のための改良されたシステムおよび方
法を提供することである。
【００２１】本発明の別の目的は、フォトリソグラフマ
スク修復における精度を向上させることである。
スク修復における精度を向上させることである。
【００２２】本発明のさらなる目的は、フォトリソグラ
フマスク修復に用いられるレーザビームの解像度を高め
ることである。
フマスク修復に用いられるレーザビームの解像度を高め
ることである。
【００２３】本発明のさらに別の目的は、フォトリソグ
ラフマスクの表面欠陥を観察し、分析し、除去するため
のシステムを提供するとである。
ラフマスクの表面欠陥を観察し、分析し、除去するため
のシステムを提供するとである。
【００２４】本発明のさらに別の目的は、マスク修復中
にフォトリソグラフマスクをリアルタイムで観察するた
めのシステムを提供することである。
にフォトリソグラフマスクをリアルタイムで観察するた
めのシステムを提供することである。
【００２５】本発明のさらに別の目的は、フォトリソグ
ラフマスクの多視点観察とそれに対する誘導のためのシ
ステムを提供することである。
ラフマスクの多視点観察とそれに対する誘導のためのシ
ステムを提供することである。
【００２６】本発明のさらなる目的は、上面基準（top
reference）を保ちながら、種々の厚さのフォトマスク
を装填するための方法を提供することである。
reference）を保ちながら、種々の厚さのフォトマスク
を装填するための方法を提供することである。
【００２７】本発明のさらに別の目的は、フォトリソグ
ラフマスク上のパターンの観察と同時にレーザ修復を行
なうに適した照射を提供することである。
ラフマスク上のパターンの観察と同時にレーザ修復を行
なうに適した照射を提供することである。
【００２８】本発明の別の目的は、像倍率と、照射波長
と、照射角度及び/または偏光（polarization）を変更
することにより、ユーザに提示されるフォトリソグラフ
マスクの像を改善し制御するためのシステムを提供する
ことである。
と、照射角度及び/または偏光（polarization）を変更
することにより、ユーザに提示されるフォトリソグラフ
マスクの像を改善し制御するためのシステムを提供する
ことである。
【００２９】本発明のさらに別の目的は、オフアクシス
レーザ照射を用いてフォトリソグラフマスクの欠陥観察
を向上させることである。
レーザ照射を用いてフォトリソグラフマスクの欠陥観察
を向上させることである。
【００３０】本発明のさらに別の目的は、機械視覚（ma
chine vision）を用いた欠陥修復プロセスにおいて、フ
ォトリソグラフマスクの繰り返し制御を提供することで
ある。
chine vision）を用いた欠陥修復プロセスにおいて、フ
ォトリソグラフマスクの繰り返し制御を提供することで
ある。
【００３１】本発明のさらなる目的は、バックラッシュ
のないフォーカスメカニズムを駆動とオートフォーカス
を備えた、フォトリソグラフマスクを修復するためのシ
ステムを提供することである。
のないフォーカスメカニズムを駆動とオートフォーカス
を備えた、フォトリソグラフマスクを修復するためのシ
ステムを提供することである。
【００３２】本発明の別の目的は、ガラス基板から不透
明な膜を、フォトマスクから異物を、優先的に除去する
ためのレーザ加工プロセスの選択性を向上させることで
ある。
明な膜を、フォトマスクから異物を、優先的に除去する
ためのレーザ加工プロセスの選択性を向上させることで
ある。
【００３３】本発明のさらに別の目的は、ペリクル化し
たフォトマスク上の不透明欠陥及び異物を排除するとと
もに、フォトマスク修復の近傍における除去物質の堆積
を排除することである。
たフォトマスク上の不透明欠陥及び異物を排除するとと
もに、フォトマスク修復の近傍における除去物質の堆積
を排除することである。
【００３４】以下、本発明を、図面を参照して説明する
が、これは、添付の請求項を限定することを意図したも
のではない。
が、これは、添付の請求項を限定することを意図したも
のではない。
【００３５】図面全体において、同一の番号は、同様の
要素を示すために用いられる。本発明のその他の目的及
び利点は、以下の好ましい実施の形態の説明から明らか
になろう。
要素を示すために用いられる。本発明のその他の目的及
び利点は、以下の好ましい実施の形態の説明から明らか
になろう。
【００３６】
【好ましい実施の形態】さて、図面、特に図１〜図１９
を参照すると、本発明の種々の態様による、レーザ照射
システム１０及びフォトリソグラフマスク修復方法の例
が概略的に示されている。図１に示されているように、
このシステムは、処理すべきフォトマスク１１を支持す
るためのステージシステム２０と、マスク修復を実行す
るためのレーザ放射装置３０と、支持構造に隣接した、
マスクの選択的照射のための光源５０とを含んでいる。
レーザビームプロセッサ６０は、レーザ放射装置から出
射されるレーザビーム３１の連続的角度操作を実行す
る。プロセッサは、オフアクシスレーザ照射を実行する
ための調節可能なビームスプリッタ７０と、漸増的マス
ク修復を容易にするための電動アパーチャアセンブリ８
０と、像拡大のための光学系９０と、修復中のマスクを
観察するための装置１００とを含んでいる。
を参照すると、本発明の種々の態様による、レーザ照射
システム１０及びフォトリソグラフマスク修復方法の例
が概略的に示されている。図１に示されているように、
このシステムは、処理すべきフォトマスク１１を支持す
るためのステージシステム２０と、マスク修復を実行す
るためのレーザ放射装置３０と、支持構造に隣接した、
マスクの選択的照射のための光源５０とを含んでいる。
レーザビームプロセッサ６０は、レーザ放射装置から出
射されるレーザビーム３１の連続的角度操作を実行す
る。プロセッサは、オフアクシスレーザ照射を実行する
ための調節可能なビームスプリッタ７０と、漸増的マス
ク修復を容易にするための電動アパーチャアセンブリ８
０と、像拡大のための光学系９０と、修復中のマスクを
観察するための装置１００とを含んでいる。
【００３７】コンピュータ装置１１０は、ビームのほぼ
完全な波形を獲得し、ターゲット領域内により均一な表
面露光を生じるように、連続的角度操作を制御する。コ
ンピュータ装置１１０は、ビームの操作と同時に、ビー
ムの動きの精密制御と、連続的角度操作を実行するため
の電動アパーチャの制御された動きと、支持構造体の制
御された動きと、イメージデータ処理とを実行する。マ
イクロスコープ１２０は、マスクに対するビームの誘導
中におけるマスクの多視点観測を行う。
完全な波形を獲得し、ターゲット領域内により均一な表
面露光を生じるように、連続的角度操作を制御する。コ
ンピュータ装置１１０は、ビームの操作と同時に、ビー
ムの動きの精密制御と、連続的角度操作を実行するため
の電動アパーチャの制御された動きと、支持構造体の制
御された動きと、イメージデータ処理とを実行する。マ
イクロスコープ１２０は、マスクに対するビームの誘導
中におけるマスクの多視点観測を行う。
【００３８】一般に、アパーチャの通過時の回折パター
ンを生成するために、単色コヒーレント光源が必要とさ
れる。しかしながら、光学イメージシステムに用いられ
る従来のマイクロスコープは、光の一部分のみを集める
にすぎない。最適な視認を達成するためには、回折パタ
ーンが生成されるか、アパーチャの像に完全に変換され
なくてはならない。この点において、回折の次数が高く
なるほど、含まれる空間周波数成分の数が多くなる。し
たがって、イメージ品質は、主に、回折パターンの部
分、すなわちフリンジ数を、どのくらい多く集めるかに
よって支配される。
ンを生成するために、単色コヒーレント光源が必要とさ
れる。しかしながら、光学イメージシステムに用いられ
る従来のマイクロスコープは、光の一部分のみを集める
にすぎない。最適な視認を達成するためには、回折パタ
ーンが生成されるか、アパーチャの像に完全に変換され
なくてはならない。この点において、回折の次数が高く
なるほど、含まれる空間周波数成分の数が多くなる。し
たがって、イメージ品質は、主に、回折パターンの部
分、すなわちフリンジ数を、どのくらい多く集めるかに
よって支配される。
【００３９】図２及び図３に示されているように、本発
明は、ビームプロセッサ６０が、レーザビーム３１の一
連の連続的角度ショット（及び各ビームの対応する波
形）を、フォトマスクにおける単一の合成像に統合する
という革新的な照射手法を提供する。これにより、アパ
ーチャ像の均一性が大きく向上し、フォトマスク修復の
スケール(scale)に対する精度を増すだけでなく、フォ
トマスク上に投影される像の精度をも増加させる。
明は、ビームプロセッサ６０が、レーザビーム３１の一
連の連続的角度ショット（及び各ビームの対応する波
形）を、フォトマスクにおける単一の合成像に統合する
という革新的な照射手法を提供する。これにより、アパ
ーチャ像の均一性が大きく向上し、フォトマスク修復の
スケール(scale)に対する精度を増すだけでなく、フォ
トマスク上に投影される像の精度をも増加させる。
【００４０】図４及び図５に概略的に示される、本発明
の動作要素について、マスク装填部２０Ａは、３次元
の、前端開放箱型構造体２１を含んでいる。構造体内部
には、対向する側壁上に水平に配置されたレール２３及
び２４が形成され、使用中でないフォトマスクホルダす
なわちカセット２６を、スライド可能に収容し、保持
し、保管する。構造体の上面２５に載っているのは、カ
セット２６であり、これは、システム上にフォトマスク
１１を繰り返し、上面基準を保ちながら、装填するため
に用いられるマスク受入ステーション２２を備えてい
る。
の動作要素について、マスク装填部２０Ａは、３次元
の、前端開放箱型構造体２１を含んでいる。構造体内部
には、対向する側壁上に水平に配置されたレール２３及
び２４が形成され、使用中でないフォトマスクホルダす
なわちカセット２６を、スライド可能に収容し、保持
し、保管する。構造体の上面２５に載っているのは、カ
セット２６であり、これは、システム上にフォトマスク
１１を繰り返し、上面基準を保ちながら、装填するため
に用いられるマスク受入ステーション２２を備えてい
る。
【００４１】取り外し可能な「ピック」２８を用いて、
各フォトマスクは、カセットに載置され、修復のために
そこに固定される。すなわち、図４Ａに最も良く示され
ているように，フォトマスクの端部がマスク受入ステー
ションのコーナーにあるタブ／リフトばね装置（lift s
pring）２７ａ、２７ｂに係合し、フォトマスクの反対
側の端部で中央に位置するラッチアセンブリ２７ｃと係
合しているとき、フォトリソグラフ修復が実行可能であ
る。構造体上面は、作業中の振動や他の機械的干渉を最
小限に抑えるために、例えば花崗岩などの、硬質で、重
く、稠密で、並外れた制動品質をもつ物質から構成され
ることが望ましい。
各フォトマスクは、カセットに載置され、修復のために
そこに固定される。すなわち、図４Ａに最も良く示され
ているように，フォトマスクの端部がマスク受入ステー
ションのコーナーにあるタブ／リフトばね装置（lift s
pring）２７ａ、２７ｂに係合し、フォトマスクの反対
側の端部で中央に位置するラッチアセンブリ２７ｃと係
合しているとき、フォトリソグラフ修復が実行可能であ
る。構造体上面は、作業中の振動や他の機械的干渉を最
小限に抑えるために、例えば花崗岩などの、硬質で、重
く、稠密で、並外れた制動品質をもつ物質から構成され
ることが望ましい。
【００４２】図５Ａに最もよく示されているように、空
気制動装置、すなわちステージブレーキ装置２９が、構
造体とカセットの係合或いは離脱のために、構造体上面
とカセットの間に設けられている。係合時には、レーザ
発生源と、レーザ処理光学系と、マイクロスコープと、
サブステージ照射器と、フォトマスクとを搭載するため
に、硬い静止したプラットフォームが形成される。この
プラットフォームは、フォトマスク観察及び修復中の振
動による干渉を最小限にする。
気制動装置、すなわちステージブレーキ装置２９が、構
造体とカセットの係合或いは離脱のために、構造体上面
とカセットの間に設けられている。係合時には、レーザ
発生源と、レーザ処理光学系と、マイクロスコープと、
サブステージ照射器と、フォトマスクとを搭載するため
に、硬い静止したプラットフォームが形成される。この
プラットフォームは、フォトマスク観察及び修復中の振
動による干渉を最小限にする。
【００４３】図５Ｂに示されているように、収納(stowe
d)状態では、カセットはステージ構造体から離されてい
る。ステージブレーキ２９ａ、２９ｂ及びサーボは「オ
フ」状態にあり、構造体は、例えば摩擦力などの、機械
的干渉によりその位置を維持することが好ましい。一
方、カセットが動作位置にある場合、ブレーキは「オ
ン」で、カセットは構造体に係合している。この状態は
図５Ｃに示されている。望ましくは、ステージ構造体
は、サーボ動作によって適正な位置にカセットを保持す
る。図５Ｂ及び図５Ｃに示されているように、最適な画
像のために、本発明によれば、レーザ及び画像化システ
ムが、フォトマスク表面及びカセット上方に選択された
距離をおいて配置されることが好ましい。
d)状態では、カセットはステージ構造体から離されてい
る。ステージブレーキ２９ａ、２９ｂ及びサーボは「オ
フ」状態にあり、構造体は、例えば摩擦力などの、機械
的干渉によりその位置を維持することが好ましい。一
方、カセットが動作位置にある場合、ブレーキは「オ
ン」で、カセットは構造体に係合している。この状態は
図５Ｃに示されている。望ましくは、ステージ構造体
は、サーボ動作によって適正な位置にカセットを保持す
る。図５Ｂ及び図５Ｃに示されているように、最適な画
像のために、本発明によれば、レーザ及び画像化システ
ムが、フォトマスク表面及びカセット上方に選択された
距離をおいて配置されることが好ましい。
【００４４】図６を参照して、レーザ放射装置３０は、
好ましくは、増幅されたチタンサファイアすなわちＴ
ｉ：Ｓレーザ３２を備えた従来の工業用レーザシステム
３１を含んでいる。本発明の一態様によれば、システム
３１は、約８２ＭＨｚ、約１００フェムト秒パルスで作
動する発振器３３を有している。発振器は信号３４を発
生し、これは、一対の第１の回転ミラー３５ａ、３５ｂ
によって、適正なパルスレートを選択するためのパルス
選択器３６に導かれる。そして、信号は、各パルスの持
続期間を効果的に延伸する光学パルスストレッチャ３７
を通過する。その後、信号は第２の回転ミラー３８ａ、
３８ｂに導かれてＴｉ：Ｓレーザ３２を通過し、次に、
第３の回転ミラー３９により導かれてマルチパス増幅器
４０に向かい、第２の回転ミラー３８ｂに戻り、Ｔｉ：
Ｓレーザ源などを通過する。十分に増幅されると、第４
の回転ミラー４１はレーザビームをレーザビームパルス
圧縮器４２に導く。
好ましくは、増幅されたチタンサファイアすなわちＴ
ｉ：Ｓレーザ３２を備えた従来の工業用レーザシステム
３１を含んでいる。本発明の一態様によれば、システム
３１は、約８２ＭＨｚ、約１００フェムト秒パルスで作
動する発振器３３を有している。発振器は信号３４を発
生し、これは、一対の第１の回転ミラー３５ａ、３５ｂ
によって、適正なパルスレートを選択するためのパルス
選択器３６に導かれる。そして、信号は、各パルスの持
続期間を効果的に延伸する光学パルスストレッチャ３７
を通過する。その後、信号は第２の回転ミラー３８ａ、
３８ｂに導かれてＴｉ：Ｓレーザ３２を通過し、次に、
第３の回転ミラー３９により導かれてマルチパス増幅器
４０に向かい、第２の回転ミラー３８ｂに戻り、Ｔｉ：
Ｓレーザ源などを通過する。十分に増幅されると、第４
の回転ミラー４１はレーザビームをレーザビームパルス
圧縮器４２に導く。
【００４５】図６Ａに示されているように、ビームパル
ス圧縮器を通過後、ビームは回転ミラーによって曲げら
れ、モータ駆動される（即ち電動の）半波長板４３と、
例えばλ１８００ｎｍ〜λ２４００ｎｍの第２高調波発
生用のＬＢＯ４４を連続して通過する。次に、このビー
ムはビームスプリッタ/高調波セパレータ４５を通過す
る。このビームスプリッタによって導かれるビーム成分
は、その後、ビーム強度を約５０％削減するビームスプ
リッタ４６に結合する。最後に、ビームスプリッタ４６
により導かれる成分は、その目的地であるＳＨＧ出力エ
ネルギーメータ４７Ｃに到達する。ビームスプリッタ４
５を通過したビームの分離された成分の方は、増幅器エ
ネルギーメータ４７ｂに到達する。ビームスプリッタ４
６を通過したビームの分離された成分は、適宜散逸され
る。
ス圧縮器を通過後、ビームは回転ミラーによって曲げら
れ、モータ駆動される（即ち電動の）半波長板４３と、
例えばλ１８００ｎｍ〜λ２４００ｎｍの第２高調波発
生用のＬＢＯ４４を連続して通過する。次に、このビー
ムはビームスプリッタ/高調波セパレータ４５を通過す
る。このビームスプリッタによって導かれるビーム成分
は、その後、ビーム強度を約５０％削減するビームスプ
リッタ４６に結合する。最後に、ビームスプリッタ４６
により導かれる成分は、その目的地であるＳＨＧ出力エ
ネルギーメータ４７Ｃに到達する。ビームスプリッタ４
５を通過したビームの分離された成分の方は、増幅器エ
ネルギーメータ４７ｂに到達する。ビームスプリッタ４
６を通過したビームの分離された成分は、適宜散逸され
る。
【００４６】上記と代替的にあるいは同時に、レーザ放
出装置は、ヘリウムカドミウムすなわちＨｅ：Ｃｄレー
ザビーム４８を含んでいる。ビーム４８は、レーザ放射
装置の外部に設けた装置により出射されることが好まし
い。回転ミラー３８ａから３８ｂへ、そしてＴｉ：Ｓレ
ーザ３２へビームを導くと、第１のビーム成分は、上述
したようにレーザ３２を通過する。レーザ入口に隣接し
たビームスプリッタにより、第２のビーム成分が分離さ
れる。すなわち、レーザへの導入前に分離される。第２
の成分は、外部装置とレーザとの間に位置するポンプエ
ネルギーメータ４７ａに導かれる。他の代替的実施例に
おいては、当業者であれば理解されるように、ネオジ
ム、イットリウムアルミニウムガーネット、すなわちＮ
ｄ：Ｙａｇレーザビームが同様に用いられる。
出装置は、ヘリウムカドミウムすなわちＨｅ：Ｃｄレー
ザビーム４８を含んでいる。ビーム４８は、レーザ放射
装置の外部に設けた装置により出射されることが好まし
い。回転ミラー３８ａから３８ｂへ、そしてＴｉ：Ｓレ
ーザ３２へビームを導くと、第１のビーム成分は、上述
したようにレーザ３２を通過する。レーザ入口に隣接し
たビームスプリッタにより、第２のビーム成分が分離さ
れる。すなわち、レーザへの導入前に分離される。第２
の成分は、外部装置とレーザとの間に位置するポンプエ
ネルギーメータ４７ａに導かれる。他の代替的実施例に
おいては、当業者であれば理解されるように、ネオジ
ム、イットリウムアルミニウムガーネット、すなわちＮ
ｄ：Ｙａｇレーザビームが同様に用いられる。
【００４７】本発明を、増幅されたＴｉ：Ｓレーザや、
Ｈｅ：Ｃｄレーザや、Ｎｄ：Ｙａｇレーザに関して説明
したが、本発明の目的を考慮して、他の高強度単色光源
を用いてもよいことは言うまでもない。さらに、これら
の基本レーザの高調波も、本発明の趣旨及び範囲内にあ
るものと考えられる。
Ｈｅ：Ｃｄレーザや、Ｎｄ：Ｙａｇレーザに関して説明
したが、本発明の目的を考慮して、他の高強度単色光源
を用いてもよいことは言うまでもない。さらに、これら
の基本レーザの高調波も、本発明の趣旨及び範囲内にあ
るものと考えられる。
【００４８】さて、光源５０について、好ましくは、サ
ブステージ照射器５１が、フォトマスク１１の選択的照
射のために、ステージシステム２０に隣接してその下側
に設けられている。この概略説明の装置が、図１、図７
及び図８に概略的に示されている。図７及び図８に最も
よく示されているように、支持構造体５３の上に搭載さ
れたランプハウス５２は、光源として機能する。やはり
構造体５３に搭載された回転ミラー５４ａ、５４ｂは、
ランプハウス５２から出射された光を減衰器５５と波長
選択器５６を介して、回転ミラー５７に導き、この回転
ミラー５７は、フォトマスクの所望の照射のために光を
導き位置づける。回路基板５８は照度(degree of illum
ination)や、減衰の程度(extent of attenuation)や、
選択される波長や、回転ミラー５７の位置づけの制御を
可能にする。上述したサブステージ照射器はケーラー照
明器として知られており従来のものと考えられる。
ブステージ照射器５１が、フォトマスク１１の選択的照
射のために、ステージシステム２０に隣接してその下側
に設けられている。この概略説明の装置が、図１、図７
及び図８に概略的に示されている。図７及び図８に最も
よく示されているように、支持構造体５３の上に搭載さ
れたランプハウス５２は、光源として機能する。やはり
構造体５３に搭載された回転ミラー５４ａ、５４ｂは、
ランプハウス５２から出射された光を減衰器５５と波長
選択器５６を介して、回転ミラー５７に導き、この回転
ミラー５７は、フォトマスクの所望の照射のために光を
導き位置づける。回路基板５８は照度(degree of illum
ination)や、減衰の程度(extent of attenuation)や、
選択される波長や、回転ミラー５７の位置づけの制御を
可能にする。上述したサブステージ照射器はケーラー照
明器として知られており従来のものと考えられる。
【００４９】図１に示されているように、サブステージ
照明器は、光、例えば水銀キセノンすなわちＨｇＸｅア
ークランプによって得られる光のスペクトルから照射波
長を選択するための電動選択器６２内に設けた一連の、
例えば４つの、細線幅光学フィルタ（narrow line widt
h optical filter）６１を備えていることが好ましい。
サブステージコンデンサ６３は、透過照射（transmitte
d illumination）を提供する。コンデンサ６３は、一般
には垂直方向、すなわち光学軸に沿って並進移動する可
動ステージに搭載される。これにより、マイクロスコー
プシステムによって集められる照射の強度ならびに照射
の円錐角度を変化させることができる。
照明器は、光、例えば水銀キセノンすなわちＨｇＸｅア
ークランプによって得られる光のスペクトルから照射波
長を選択するための電動選択器６２内に設けた一連の、
例えば４つの、細線幅光学フィルタ（narrow line widt
h optical filter）６１を備えていることが好ましい。
サブステージコンデンサ６３は、透過照射（transmitte
d illumination）を提供する。コンデンサ６３は、一般
には垂直方向、すなわち光学軸に沿って並進移動する可
動ステージに搭載される。これにより、マイクロスコー
プシステムによって集められる照射の強度ならびに照射
の円錐角度を変化させることができる。
【００５０】本発明をケーラー照明器を用いて説明した
が、本発明の目的を考慮して、他の照明装置を用いるこ
ともできることは言うまでもない。
が、本発明の目的を考慮して、他の照明装置を用いるこ
ともできることは言うまでもない。
【００５１】図９に示されているように、レーザビーム
プロセッサ６０は、レーザ放射装置３０から射出された
レーザビームの連続的角度操作を実行する。ビームプロ
セッサ６０は、オフアクシスレーザ照射を実行するため
の調節可能なビームスプリッタ７０と、漸増的マスク修
復を容易にするための電動アパーチャ８０と、像拡大の
ための光学系９０と、修復中にマスクを観察するための
装置１００とを含んでいる。
プロセッサ６０は、レーザ放射装置３０から射出された
レーザビームの連続的角度操作を実行する。ビームプロ
セッサ６０は、オフアクシスレーザ照射を実行するため
の調節可能なビームスプリッタ７０と、漸増的マスク修
復を容易にするための電動アパーチャ８０と、像拡大の
ための光学系９０と、修復中にマスクを観察するための
装置１００とを含んでいる。
【００５２】本発明の中核にあるのは、レーザ放射装置
からのレーザビーム３１を受けるビームスプリッタ７０
である。ビームスプリッタ７０は、例えば３次元の調節
可能な傾斜した部分反射鏡或いは研磨ガラス片である
「リーキー（漏れ）(leaky)」ミラーなどの第１のプロ
セッサ回転ミラー７１を有している。望ましくは、この
ミラーは９９．９９９９％の光の透過を許容する。目的
とするところは、レーザビーム中に「揺動（wiggle）」
を与え、これにより、連続的角度操作に必要なオフセッ
トを生成することである。
からのレーザビーム３１を受けるビームスプリッタ７０
である。ビームスプリッタ７０は、例えば３次元の調節
可能な傾斜した部分反射鏡或いは研磨ガラス片である
「リーキー（漏れ）(leaky)」ミラーなどの第１のプロ
セッサ回転ミラー７１を有している。望ましくは、この
ミラーは９９．９９９９％の光の透過を許容する。目的
とするところは、レーザビーム中に「揺動（wiggle）」
を与え、これにより、連続的角度操作に必要なオフセッ
トを生成することである。
【００５３】ミラー７１を通過した光は、第２のビーム
スプリッタすなわち調節可能なプロセッサ回転ミラー７
２に導かれる。このミラーもまた「リーキー」ミラーで
あることが好ましい。好ましくは、ミラー７２は、動作
中には選択された固定位置にあり、レーザビームの第１
のスプリット３２を電動アパーチャアセンブリ８０を通
過するように導く。主要なビーム処理機能、特に、漸増
的マスク修復は、アパーチャアセンブリによって実行さ
れる。図１及び図１１〜図１３に示されているように、
ビーム３２は、最初にアセンブリのアパーチャ８１を通
過し、次に像縮小用のレンズ８２を通過する。図１３に
示されているように、アパーチャは動作状態すなわち全
開状態にある。レンズ８２は、対応する、例えば約２０
０ｍｍの、焦点距離を有している。その後、ビームは、
ビームスプリッタ８３に結合し、ビームスプリッタ８３
はこのビームを一般には下向き方向に導く。
スプリッタすなわち調節可能なプロセッサ回転ミラー７
２に導かれる。このミラーもまた「リーキー」ミラーで
あることが好ましい。好ましくは、ミラー７２は、動作
中には選択された固定位置にあり、レーザビームの第１
のスプリット３２を電動アパーチャアセンブリ８０を通
過するように導く。主要なビーム処理機能、特に、漸増
的マスク修復は、アパーチャアセンブリによって実行さ
れる。図１及び図１１〜図１３に示されているように、
ビーム３２は、最初にアセンブリのアパーチャ８１を通
過し、次に像縮小用のレンズ８２を通過する。図１３に
示されているように、アパーチャは動作状態すなわち全
開状態にある。レンズ８２は、対応する、例えば約２０
０ｍｍの、焦点距離を有している。その後、ビームは、
ビームスプリッタ８３に結合し、ビームスプリッタ８３
はこのビームを一般には下向き方向に導く。
【００５４】上述した構成は、所望のターゲット領域、
すなわちフォトマスクへのレーザビームの正確な動きを
実行するために特に好適である。レーザ照射されたアパ
ーチャの投影像を、中継レンズをビーム伝播と略直交す
る方向に並進移動すること（以下「ビーム精密移動」）
により、マイクロスコープの対物レンズ視野内に移動さ
せる。並進移動レンズは拡大の前とブレーキの係止中に
作動するので、ビーム精密移動により正確度、精密度及
び解像度が増す。ビーム位置の微少な変化をなすために
は、レンズシステムの比較的大きな移動が必要である。
すなわちフォトマスクへのレーザビームの正確な動きを
実行するために特に好適である。レーザ照射されたアパ
ーチャの投影像を、中継レンズをビーム伝播と略直交す
る方向に並進移動すること（以下「ビーム精密移動」）
により、マイクロスコープの対物レンズ視野内に移動さ
せる。並進移動レンズは拡大の前とブレーキの係止中に
作動するので、ビーム精密移動により正確度、精密度及
び解像度が増す。ビーム位置の微少な変化をなすために
は、レンズシステムの比較的大きな移動が必要である。
【００５５】次に、ビームは、選択されたレンズすなわ
ち対物レンズ８４、換言すると、対物レンズ８５、８
６、８７、８８、８９のいずれかを通過する。本発明の
一態様によれば、対物レンズ８５〜８９は、それぞれ、
５Ｘ、１０Ｘ、４０Ｘ、５０Ｘ、１００Ｘの倍率を有し
ている。図１５及び図１６に示されるように、これらの
対物レンズは、好ましくは、選択的電動操作、特に、フ
ォトマスクに対する誘導のための電動レボルバーアセン
ブリ、すなわちマイクロスコープタレット５９に搭載さ
れている。実施に際して、ビーム３２は、フォトリソグ
ラフマスク修復のために、フォトマスク（すなわち修復
部位）上に導かれる。
ち対物レンズ８４、換言すると、対物レンズ８５、８
６、８７、８８、８９のいずれかを通過する。本発明の
一態様によれば、対物レンズ８５〜８９は、それぞれ、
５Ｘ、１０Ｘ、４０Ｘ、５０Ｘ、１００Ｘの倍率を有し
ている。図１５及び図１６に示されるように、これらの
対物レンズは、好ましくは、選択的電動操作、特に、フ
ォトマスクに対する誘導のための電動レボルバーアセン
ブリ、すなわちマイクロスコープタレット５９に搭載さ
れている。実施に際して、ビーム３２は、フォトリソグ
ラフマスク修復のために、フォトマスク（すなわち修復
部位）上に導かれる。
【００５６】本発明は、さらに修復領域のレーザ露光の
均一化を容易にする。レーザビームは高コヒーレント光
源であるので、アパーチャの照射に用いる場合、このコ
ヒーレンスにより、投影像中に顕著なフリンジすなわち
強度変動が生じる。その結果、レーザ線量が、露光領域
を横切って変化される。修復効果を増加させるために
は、修復領域を均一に露光することが望ましい。
均一化を容易にする。レーザビームは高コヒーレント光
源であるので、アパーチャの照射に用いる場合、このコ
ヒーレンスにより、投影像中に顕著なフリンジすなわち
強度変動が生じる。その結果、レーザ線量が、露光領域
を横切って変化される。修復効果を増加させるために
は、修復領域を均一に露光することが望ましい。
【００５７】修復領域の均一な露光は、２つの方法で達
成される。その１つは、一連の修復パルス列が出射する
ごとに、アパーチャに入射するレーザビームの角度ある
いは位置を変化させる。これにより、各パルスによって
変化したフリンジパターンが生成され、その時間平均し
た結果として、より均一な露光領域が得られる。この領
域を均一に露光する２つめの方法は、修復パルス列の出
射につれてアパーチャの大きさを変えることである。こ
の方法もまた、各パルスに対して変化したフリンジパタ
ーンを生成する。欠陥を完全に除去するために、アパー
チャを通過する最後のパルスについてアパーチャの大き
さを増加させる。
成される。その１つは、一連の修復パルス列が出射する
ごとに、アパーチャに入射するレーザビームの角度ある
いは位置を変化させる。これにより、各パルスによって
変化したフリンジパターンが生成され、その時間平均し
た結果として、より均一な露光領域が得られる。この領
域を均一に露光する２つめの方法は、修復パルス列の出
射につれてアパーチャの大きさを変えることである。こ
の方法もまた、各パルスに対して変化したフリンジパタ
ーンを生成する。欠陥を完全に除去するために、アパー
チャを通過する最後のパルスについてアパーチャの大き
さを増加させる。
【００５８】ビームスプリッタ７２によって発生させた
他のすなわち第２のビーム３３は、像拡大のための光学
系９０を通過して戻る。図１、図９及び図１０に示され
ているように、光学系９０は一連のレンズ９１、９２、
９３を有し、各レンズは約３０ｍｍの焦点距離をもつ。
この構成は、比較的短い距離９４で、急速な像拡大を提
供する。その後、スポットマーカー（spot marker）照
射カメラ１０１等の装置１００が、修復中のフォトマス
クを観察するために適宜使用される。カメラ１０１の光
学画像化機能及び画像処理機能は、以下に詳しく述べる
ようにコンピュータ装置１１０によって行われる。
他のすなわち第２のビーム３３は、像拡大のための光学
系９０を通過して戻る。図１、図９及び図１０に示され
ているように、光学系９０は一連のレンズ９１、９２、
９３を有し、各レンズは約３０ｍｍの焦点距離をもつ。
この構成は、比較的短い距離９４で、急速な像拡大を提
供する。その後、スポットマーカー（spot marker）照
射カメラ１０１等の装置１００が、修復中のフォトマス
クを観察するために適宜使用される。カメラ１０１の光
学画像化機能及び画像処理機能は、以下に詳しく述べる
ようにコンピュータ装置１１０によって行われる。
【００５９】さて、フォトマスク操作について、ビデオ
マイクロスコープなどのマイクロスコープ１２０は、観
察機能だけでなく、分析機能も備えている。本発明の一
態様によれば、図１に最も良く示されているように、マ
イクロスコープは、誘導中にフォトマスクを観察し、撮
像し、分析するための、少なくとも２つの、好ましくは
３つの装置を有している。第１の装置すなわちカメラ１
２１は、標準的な、低倍率の、たとえば、６４０ｘ４８
０本の、低解像度のビデオカメラであることが望まし
い。この目的のため、サブステージ照射器５１からマス
クを通過して進む光は、対物レンズ８５〜８９のうちの
１つを通過して、最小限の損失で集光される。つぎに、
この光は、ビームスプリッタ８３を通過する。ビームス
プリッタによって方向転換された第１の光ビーム１２２
は、反射光照射器中継レンズアセンブリ１２３の通過中
に集束される。一方、第２のビーム１２４はレンズ８１
と、アパーチャ８１と、ビームスプリッタ７２とを通過
して戻り、レンズ９１〜９３を通過し、主として、修復
中のマスクを観察するための装置１０１に導かれる。
マイクロスコープなどのマイクロスコープ１２０は、観
察機能だけでなく、分析機能も備えている。本発明の一
態様によれば、図１に最も良く示されているように、マ
イクロスコープは、誘導中にフォトマスクを観察し、撮
像し、分析するための、少なくとも２つの、好ましくは
３つの装置を有している。第１の装置すなわちカメラ１
２１は、標準的な、低倍率の、たとえば、６４０ｘ４８
０本の、低解像度のビデオカメラであることが望まし
い。この目的のため、サブステージ照射器５１からマス
クを通過して進む光は、対物レンズ８５〜８９のうちの
１つを通過して、最小限の損失で集光される。つぎに、
この光は、ビームスプリッタ８３を通過する。ビームス
プリッタによって方向転換された第１の光ビーム１２２
は、反射光照射器中継レンズアセンブリ１２３の通過中
に集束される。一方、第２のビーム１２４はレンズ８１
と、アパーチャ８１と、ビームスプリッタ７２とを通過
して戻り、レンズ９１〜９３を通過し、主として、修復
中のマスクを観察するための装置１０１に導かれる。
【００６０】第１のカメラ１２１の動作時には、第１の
ビームは、ビームスプリッタ１２５によって第３のビー
ム１２６と第４のビーム１２７に分離される。第３のビ
ームは視野絞り１２８を介して案内され、つぎに回転ミ
ラー１２９によって方向転換されてレンズ１３０を通過
する。レンズ１３０は、徐々に像拡大を実行するため
に、選択された、例えば約１００ｍｍの、焦点距離を有
している。レンズ１３０を通過後、第３のビーム１２６
は、回転ミラー１３１を介して導かれ別のレンズ１３２
を通過する。このレンズ１３２は、さらなる像拡大を容
易にするために、レンズ１３０よりも短い焦点距離、例
えば約５０ｍｍの焦点距離をもつ。得られる像は、カメ
ラ１２１によって観察することができる。レンズ１３
０、１３２は、対物レンズの視野全体を画像化するため
に適宜選択され、調節される。
ビームは、ビームスプリッタ１２５によって第３のビー
ム１２６と第４のビーム１２７に分離される。第３のビ
ームは視野絞り１２８を介して案内され、つぎに回転ミ
ラー１２９によって方向転換されてレンズ１３０を通過
する。レンズ１３０は、徐々に像拡大を実行するため
に、選択された、例えば約１００ｍｍの、焦点距離を有
している。レンズ１３０を通過後、第３のビーム１２６
は、回転ミラー１３１を介して導かれ別のレンズ１３２
を通過する。このレンズ１３２は、さらなる像拡大を容
易にするために、レンズ１３０よりも短い焦点距離、例
えば約５０ｍｍの焦点距離をもつ。得られる像は、カメ
ラ１２１によって観察することができる。レンズ１３
０、１３２は、対物レンズの視野全体を画像化するため
に適宜選択され、調節される。
【００６１】比較的高倍率、高解像度の観察が必要な場
合には、マイクロスコープの第２の装置すなわちカメラ
１３２が結合される。その動作時には、ビームスプリッ
タ１２５により生成された第４のビームは、第３のビー
ムに代わって観察される。詳細には、第４のビームは
（スプリッタ１２５を通過した後）、視野絞り１３３及
びレンズ１３４をそれぞれ通過する。レンズ１３４は、
像サイズを縮小するために、例えば約１００ｍｍの焦点
距離を有している。次に、第４のビームは、このビーム
を最終的にカメラ１３２のアパーチャに導くための一連
の回転ミラー１３５、１３６、１３７を通過する。カメ
ラ１３２は、標準的な、高倍率の、例えば、１０２４ｘ
１０２４のような高解像度のビデオカメラであることが
好ましい。
合には、マイクロスコープの第２の装置すなわちカメラ
１３２が結合される。その動作時には、ビームスプリッ
タ１２５により生成された第４のビームは、第３のビー
ムに代わって観察される。詳細には、第４のビームは
（スプリッタ１２５を通過した後）、視野絞り１３３及
びレンズ１３４をそれぞれ通過する。レンズ１３４は、
像サイズを縮小するために、例えば約１００ｍｍの焦点
距離を有している。次に、第４のビームは、このビーム
を最終的にカメラ１３２のアパーチャに導くための一連
の回転ミラー１３５、１３６、１３７を通過する。カメ
ラ１３２は、標準的な、高倍率の、例えば、１０２４ｘ
１０２４のような高解像度のビデオカメラであることが
好ましい。
【００６２】上記と代替的にあるいは同時に、第３の装
置すなわちＤＵＶ画像化及び透過測定装置１３８が、誘
導中にマスクを観察し分析するために備えられる。この
装置は、カメラ１２１及び１３２と比較して、拡張され
た分光感度、すなわち、人間の眼で見えるよりも、より
短い波長における拡張された性能を提供する。これによ
り、優れた解像度が得られる。第３の装置は、任意に、
カメラ１２１及び１３２とともにマイクロスコープ１２
０内に組み込むことができる。この組込みは、ビームス
プリッタ１３９を回転ミラー１３６と１３７との間に配
置することにより達成され、ビームスプリッタは第４の
ビームを第５および第６のビーム１４０及び１４１に分
離する。すなわち、第５のビームは、観察のための第３
の装置１３８に導かれ、第６のビームは、高倍率高解像
度の観察が求められる場合にカメラ１３２に導かれる。
置すなわちＤＵＶ画像化及び透過測定装置１３８が、誘
導中にマスクを観察し分析するために備えられる。この
装置は、カメラ１２１及び１３２と比較して、拡張され
た分光感度、すなわち、人間の眼で見えるよりも、より
短い波長における拡張された性能を提供する。これによ
り、優れた解像度が得られる。第３の装置は、任意に、
カメラ１２１及び１３２とともにマイクロスコープ１２
０内に組み込むことができる。この組込みは、ビームス
プリッタ１３９を回転ミラー１３６と１３７との間に配
置することにより達成され、ビームスプリッタは第４の
ビームを第５および第６のビーム１４０及び１４１に分
離する。すなわち、第５のビームは、観察のための第３
の装置１３８に導かれ、第６のビームは、高倍率高解像
度の観察が求められる場合にカメラ１３２に導かれる。
【００６３】さらに、図１０には、本発明の１実施例に
おいて、マイクロスコープアームアセンブリが示されて
いる。このアセンブリは、たとえば、誘導中にフォトマ
スクを観察するための第５の装置すなわちカメラ１２１
を搭載するカメラスタンド１４９を含んでいる。また、
レンズ９１、９２、９３をそれぞれ搭載する一連のレン
ズホルダー１３０、１３１、１５０及び回転ミラー１２
９がさらに設けられている。電動アパーチャアセンブリ
８０が、サブステージ照射器からの光を受光するために
配置されている。バックラッシュ防止ｚコラム焦点（an
ti-backlash z-column focusing）システム１５２が、
アームアセンブリの選択的調節のために適宜配置され
る。さらに、電動波長板が、欠陥を透過した光が受ける
位相シフトの結果として、部分的に透過性の欠陥をより
見やすくするために備えられている。
おいて、マイクロスコープアームアセンブリが示されて
いる。このアセンブリは、たとえば、誘導中にフォトマ
スクを観察するための第５の装置すなわちカメラ１２１
を搭載するカメラスタンド１４９を含んでいる。また、
レンズ９１、９２、９３をそれぞれ搭載する一連のレン
ズホルダー１３０、１３１、１５０及び回転ミラー１２
９がさらに設けられている。電動アパーチャアセンブリ
８０が、サブステージ照射器からの光を受光するために
配置されている。バックラッシュ防止ｚコラム焦点（an
ti-backlash z-column focusing）システム１５２が、
アームアセンブリの選択的調節のために適宜配置され
る。さらに、電動波長板が、欠陥を透過した光が受ける
位相シフトの結果として、部分的に透過性の欠陥をより
見やすくするために備えられている。
【００６４】本発明によれば、バックラッシュ防止ｚコ
ラム焦点システム１５２は、図１４及び１５に最も良く
示されている。このシステムは、例えば±０．５０イン
チの範囲の調整誤差をもつ粗動並進ステージ１４２と、
例えば±５０μｍの範囲の調整誤差を有する微調整動作
の微動並進ステージ１４３とを備えている。粗動ステー
ジは、マイクロスコープタレット５９と対物レンズ８４
をフォトマスクの近傍で移動させるため、ステッパモー
タ１４４及び４０ＴＰＩなどの複巻きステッピングモー
タリードスクリュー（compound stepping motor lead s
crew）１４５を用いている。
ラム焦点システム１５２は、図１４及び１５に最も良く
示されている。このシステムは、例えば±０．５０イン
チの範囲の調整誤差をもつ粗動並進ステージ１４２と、
例えば±５０μｍの範囲の調整誤差を有する微調整動作
の微動並進ステージ１４３とを備えている。粗動ステー
ジは、マイクロスコープタレット５９と対物レンズ８４
をフォトマスクの近傍で移動させるため、ステッパモー
タ１４４及び４０ＴＰＩなどの複巻きステッピングモー
タリードスクリュー（compound stepping motor lead s
crew）１４５を用いている。
【００６５】つぎに、微動調整が、微動並進ステージを
用いることによって行われる。このステージは、一般に
は上下方向、すなわちマスクに近づいたりマスクから遠
ざかったりする方向における、マイクロスコープの対物
レンズに非常に精密動きを行なわせるために、圧電（Ｐ
ＺＴ）並進器１４６及びＰＺＴ予荷重スプリング１４７
を組み合わせて有している。この構成は、リードスクリ
ュー１４５の方向の変化の際のバックラッシュやデッド
スペースの除去に好適である。この構成は、また、例え
ば約１０ｎｍという選択された許容範囲内に、マイクロ
スコープの対物レンズを正確に且つ双方向的に位置づけ
維持する。
用いることによって行われる。このステージは、一般に
は上下方向、すなわちマスクに近づいたりマスクから遠
ざかったりする方向における、マイクロスコープの対物
レンズに非常に精密動きを行なわせるために、圧電（Ｐ
ＺＴ）並進器１４６及びＰＺＴ予荷重スプリング１４７
を組み合わせて有している。この構成は、リードスクリ
ュー１４５の方向の変化の際のバックラッシュやデッド
スペースの除去に好適である。この構成は、また、例え
ば約１０ｎｍという選択された許容範囲内に、マイクロ
スコープの対物レンズを正確に且つ双方向的に位置づけ
維持する。
【００６６】マイクロスコープ１２０ならびに本発明の
他の動作要素の動作は、コンピュータ装置１１０、特に
図１、図１７、図１８に概略的に示されているコンピュ
ータ制御装置１１１によって監視され制御される。例え
ば工業的レベルの、ペンティアム（登録商標）２プロセ
ッサ搭載のコンピュータで、例えば２１″モニタなどの
ディスプレイ１１７やマウス、ジョイスティック、キー
ボード等の入力装置１１８を備えたメインコンピュータ
１１２によって、適切なデータ処理機能が得られる。こ
のコンピュータには、画像処理機能１１３と、モータ制
御機能１１４と、ステージシステム制御機能１１５と、
レーザ操作機能１１６のために、たとえば、従来のソフ
トウェアなどをプログラミングするアプリケーションを
内蔵している。
他の動作要素の動作は、コンピュータ装置１１０、特に
図１、図１７、図１８に概略的に示されているコンピュ
ータ制御装置１１１によって監視され制御される。例え
ば工業的レベルの、ペンティアム（登録商標）２プロセ
ッサ搭載のコンピュータで、例えば２１″モニタなどの
ディスプレイ１１７やマウス、ジョイスティック、キー
ボード等の入力装置１１８を備えたメインコンピュータ
１１２によって、適切なデータ処理機能が得られる。こ
のコンピュータには、画像処理機能１１３と、モータ制
御機能１１４と、ステージシステム制御機能１１５と、
レーザ操作機能１１６のために、たとえば、従来のソフ
トウェアなどをプログラミングするアプリケーションを
内蔵している。
【００６７】画像処理機能は、スポットマーカー照射カ
メラ１０１及びビデオマイクロスコープのカメラシステ
ム、すなわち低倍率カメラ１２１と高倍率カメラ１３２
と光学ＤＵＶ画像化化及び透過測定装置１３８に対して
備えられている。モータ制御機能１１４は、漸増的マス
ク修復のための電動アパーチャ８０の制御された操作
と、回転レーザミラー７１の漸増的移動と、ビデオカメ
ラ焦点機能と、同様の移動制御を行う。Ｘ−Ｙステージ
システムの移動及び制御を供与する機能１１５は、操作
上、他の機能からは分離区別されることが好ましく、そ
の実用性は、当業者であれば容易に理解されよう。レー
ザ機能１１６については、同期したレーザビーム活性化
及び制御を行う。
メラ１０１及びビデオマイクロスコープのカメラシステ
ム、すなわち低倍率カメラ１２１と高倍率カメラ１３２
と光学ＤＵＶ画像化化及び透過測定装置１３８に対して
備えられている。モータ制御機能１１４は、漸増的マス
ク修復のための電動アパーチャ８０の制御された操作
と、回転レーザミラー７１の漸増的移動と、ビデオカメ
ラ焦点機能と、同様の移動制御を行う。Ｘ−Ｙステージ
システムの移動及び制御を供与する機能１１５は、操作
上、他の機能からは分離区別されることが好ましく、そ
の実用性は、当業者であれば容易に理解されよう。レー
ザ機能１１６については、同期したレーザビーム活性化
及び制御を行う。
【００６８】一般に、機能１１３〜１１６は、ディスプ
レイスクリーンすなわちオペレータ用モニタ１１７と、
ジョイスティックやマウスやキーボード等の入力装置１
１８とを用いてユーザにより相互作用的な働きをさせる
ことができる。例えば、倍率の変更は、例えばジョイス
ティックを用いてコンピュータディスプレイメニュ１１
９上で適切なコマンドを選択することにより行われる。
同様に、電動アパーチャに対して漸増的移動の大きさの
変更が求められる場合には、この変更を実行するための
情報がメニュ１１９を用いて入力される。同様に、レー
ザビームの連続的角度操作を実行するための増分を、た
とえば漸増移動４から１０へ、変更するためには、例え
ばジョイスティックを用いて適切な情報をメニュ上の制
御機能へ入力し、これにより対応する変更が行われる。
ユーザによって制御可能な別の機能は、フォトマスクに
対する誘導中に倍率を変更するためにマイクロスコープ
タレットを駆動することである。この機能もまたメニュ
駆動である。
レイスクリーンすなわちオペレータ用モニタ１１７と、
ジョイスティックやマウスやキーボード等の入力装置１
１８とを用いてユーザにより相互作用的な働きをさせる
ことができる。例えば、倍率の変更は、例えばジョイス
ティックを用いてコンピュータディスプレイメニュ１１
９上で適切なコマンドを選択することにより行われる。
同様に、電動アパーチャに対して漸増的移動の大きさの
変更が求められる場合には、この変更を実行するための
情報がメニュ１１９を用いて入力される。同様に、レー
ザビームの連続的角度操作を実行するための増分を、た
とえば漸増移動４から１０へ、変更するためには、例え
ばジョイスティックを用いて適切な情報をメニュ上の制
御機能へ入力し、これにより対応する変更が行われる。
ユーザによって制御可能な別の機能は、フォトマスクに
対する誘導中に倍率を変更するためにマイクロスコープ
タレットを駆動することである。この機能もまたメニュ
駆動である。
【００６９】メインコンピュータ１１２とオペレータ用
モニタ１１７と入力装置１１８に加えて、コンピュータ
制御システム１１１がエネルギーメータ４７ａ〜ｃ、す
なわちポンプエネルギーメータ４７ａと、増幅器エネル
ギーメータ４７ｂと、ＳＨＧ出力エネルギーメータ４７
ｃに近接して収容されていることが好ましい。この構成
は、図１７に示されている。さらに、緊急停止パドル装
置１５３が、レーザ射出装置１０の自動シャットダウン
のために設けられている。この点において、ユーザの観
察及びシステム制御は、サービスモニタ１５４によって
容易に行なわれる。
モニタ１１７と入力装置１１８に加えて、コンピュータ
制御システム１１１がエネルギーメータ４７ａ〜ｃ、す
なわちポンプエネルギーメータ４７ａと、増幅器エネル
ギーメータ４７ｂと、ＳＨＧ出力エネルギーメータ４７
ｃに近接して収容されていることが好ましい。この構成
は、図１７に示されている。さらに、緊急停止パドル装
置１５３が、レーザ射出装置１０の自動シャットダウン
のために設けられている。この点において、ユーザの観
察及びシステム制御は、サービスモニタ１５４によって
容易に行なわれる。
【００７０】さて、図１８を参照して、オペレータによ
るアクセスを容易にするために、望ましくはシステム後
部に圧電並進器（ＰＺＴ（Piezoelectric Translator）
ドライブ）１４６を配置し、その下方に、修復部増幅器
ボックス１５５（ＲＵＡＢ（Repair Unit Amplifier Bo
x））を設けている。さらに、電源入力をもつ比較的低
電圧の電源１５６が、好ましくは上述したアセンブリに
隣接して設けられ、その下に、システム電力分配制御装
置１５７及び電子装置相互接続パネル１５８が配置され
る。最後に、レーザ射出装置の性能の最適化を容易にす
るために、この構成の底部にレーザクーラを配置する。
るアクセスを容易にするために、望ましくはシステム後
部に圧電並進器（ＰＺＴ（Piezoelectric Translator）
ドライブ）１４６を配置し、その下方に、修復部増幅器
ボックス１５５（ＲＵＡＢ（Repair Unit Amplifier Bo
x））を設けている。さらに、電源入力をもつ比較的低
電圧の電源１５６が、好ましくは上述したアセンブリに
隣接して設けられ、その下に、システム電力分配制御装
置１５７及び電子装置相互接続パネル１５８が配置され
る。最後に、レーザ射出装置の性能の最適化を容易にす
るために、この構成の底部にレーザクーラを配置する。
【００７１】図１９に概略的に示されているように、上
述した本発明の構成要素すなわち特徴は、選択されたひ
とつの特徴あるいは特徴の組合せとして、ハウジング１
６０内に任意に設けられる。これは、システム要素を保
護し、システムオペレーションのための隔離され制御さ
れた環境を提供するだけでなく、システムの実用性及び
美観を高めるためになされる。種々のシステム要素の中
で、ステージシステム２０とオペレータ用モニタ１１７
と入力装置１１８は、当業者であればわかるように、ユ
ーザが容易にアクセス可能でなければならない。
述した本発明の構成要素すなわち特徴は、選択されたひ
とつの特徴あるいは特徴の組合せとして、ハウジング１
６０内に任意に設けられる。これは、システム要素を保
護し、システムオペレーションのための隔離され制御さ
れた環境を提供するだけでなく、システムの実用性及び
美観を高めるためになされる。種々のシステム要素の中
で、ステージシステム２０とオペレータ用モニタ１１７
と入力装置１１８は、当業者であればわかるように、ユ
ーザが容易にアクセス可能でなければならない。
【００７２】動作においては、本発明のレーザ投射シス
テムは、種々の厚さのフォトマスクを装填し、その上面
基準を保つための新規な方法を提供する。この方法は、
観察及び修復中にフォトマスク１１を保持し操作するス
テージシステム２０によって遂行される。特に、マスク
ホルダすなわち構造体２１の特殊なサブシステム設計に
より、種々の厚さのマスクを用いることだけでなく、比
較的高ＮＡのマイクロスコープ対物レンズ８５〜８９
の、例えば０．０００１インチ程度の非常に小さい作業
距離内でその作業面の位置決めを繰り返すことが可能と
なる。
テムは、種々の厚さのフォトマスクを装填し、その上面
基準を保つための新規な方法を提供する。この方法は、
観察及び修復中にフォトマスク１１を保持し操作するス
テージシステム２０によって遂行される。特に、マスク
ホルダすなわち構造体２１の特殊なサブシステム設計に
より、種々の厚さのマスクを用いることだけでなく、比
較的高ＮＡのマイクロスコープ対物レンズ８５〜８９
の、例えば０．０００１インチ程度の非常に小さい作業
距離内でその作業面の位置決めを繰り返すことが可能と
なる。
【００７３】本発明の別の実施の形態は、フォトリソグ
ラフマスク修復の方法に関する。最初に、フォトマスク
は、相対的に静止しかつ分離された支持構造体上に載置
される。つぎに、レーザ放射装置を活性化して、マスク
修復を行なう。支持構造体に隣接した光源もまた活性化
されて、マスクの選択的照射を行なう。あるいは、光源
を最初に活性化し、レーザ放射装置を駆動し、ついでフ
ォトマスクを支持構造体に搭載してもよい。
ラフマスク修復の方法に関する。最初に、フォトマスク
は、相対的に静止しかつ分離された支持構造体上に載置
される。つぎに、レーザ放射装置を活性化して、マスク
修復を行なう。支持構造体に隣接した光源もまた活性化
されて、マスクの選択的照射を行なう。あるいは、光源
を最初に活性化し、レーザ放射装置を駆動し、ついでフ
ォトマスクを支持構造体に搭載してもよい。
【００７４】次に、レーザ放射装置から出射されるレー
ザビームに、レーザビームの連続的角度操作を実行する
ためにレーザプロセッサを通過させる。このレーザプロ
セッサは、レーザビームのオフアクシス照射を実行する
ための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マスク修
復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小のため
の光学系と、修復中にマスクを観察するための装置とを
含んでいる。その後、連続的角度操作は、ビームのほぼ
完全な波形を獲得できるように制御される。連続的角度
操作と同時に、マスクに対するビームの誘導中にマスク
の多視点観察が行われ、ビームの動きの精密制御が行わ
れ、連続的角度操作を実行するために電動アパーチャの
制御された動きが行われ、支持構造体の動きが制御さ
れ、イメージデータが処理される。
ザビームに、レーザビームの連続的角度操作を実行する
ためにレーザプロセッサを通過させる。このレーザプロ
セッサは、レーザビームのオフアクシス照射を実行する
ための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マスク修
復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小のため
の光学系と、修復中にマスクを観察するための装置とを
含んでいる。その後、連続的角度操作は、ビームのほぼ
完全な波形を獲得できるように制御される。連続的角度
操作と同時に、マスクに対するビームの誘導中にマスク
の多視点観察が行われ、ビームの動きの精密制御が行わ
れ、連続的角度操作を実行するために電動アパーチャの
制御された動きが行われ、支持構造体の動きが制御さ
れ、イメージデータが処理される。
【００７５】本発明による別の方法は、空気ベアリング
ステージシステムのロックに関する。一般に、最適な性
能を達成するために、レーザ射出システムはステージブ
レーキシステム２９を備えている。例えば、図５Ａに示
されているように、ステージシステムをロックするため
に、ステージブレーキ２９ａ、２９ｂの空気圧が解除さ
れ、これらのブレーキはステージ構造体の上面と接触す
る。特に、活性時に、これらのブレーキは、浮上してい
るステージ要素を構造体上面２５（花崗岩ベースとして
知られる）にロックする。この構成は、じゅうぶんな摩
擦を提供してステージ及びフォトマスクを静止状態に保
持する。つぎに、サーボゲインをゼロに設定し、干渉計
及びモータを位置決め作業から効果的に切り離す。ステ
ージシステムのロック解除をするためには、上述したス
テップを逆に行えばよい。すなわち、サーボゲインを最
初にゼロに設定し、そして構造体の上面から離れるよう
に、ステージブレーキに圧力を加える。上述した構成
は、ステージ位置（Ｘ、Ｙ、Ｚ）を乱すことなくフォト
マスクを係合したり離したりできるため特に有益であ
る。
ステージシステムのロックに関する。一般に、最適な性
能を達成するために、レーザ射出システムはステージブ
レーキシステム２９を備えている。例えば、図５Ａに示
されているように、ステージシステムをロックするため
に、ステージブレーキ２９ａ、２９ｂの空気圧が解除さ
れ、これらのブレーキはステージ構造体の上面と接触す
る。特に、活性時に、これらのブレーキは、浮上してい
るステージ要素を構造体上面２５（花崗岩ベースとして
知られる）にロックする。この構成は、じゅうぶんな摩
擦を提供してステージ及びフォトマスクを静止状態に保
持する。つぎに、サーボゲインをゼロに設定し、干渉計
及びモータを位置決め作業から効果的に切り離す。ステ
ージシステムのロック解除をするためには、上述したス
テップを逆に行えばよい。すなわち、サーボゲインを最
初にゼロに設定し、そして構造体の上面から離れるよう
に、ステージブレーキに圧力を加える。上述した構成
は、ステージ位置（Ｘ、Ｙ、Ｚ）を乱すことなくフォト
マスクを係合したり離したりできるため特に有益であ
る。
【００７６】本発明の別の方法は、像倍率や、照射波長
や、照射角度及び/または偏光を変更することにより、
フォトマスクパターン中の欠陥をもつ像を改善すること
に関する。このことは、いくつかの装置を統合すること
により達成できる。まず、図１６に示されているよう
に、５個の対物レンズ８５〜８９を備えた電動タレット
５９を用いることにより、欠陥の大きさに対応する倍率
を選択し、所望の観察精度を可能となる。この特徴を、
フォトマスクの欠陥を検知可能にするために、４つの狭
線幅光学フィルタ、可動サブステージコンデンサ、およ
び電動波長板と組合せる。
や、照射角度及び/または偏光を変更することにより、
フォトマスクパターン中の欠陥をもつ像を改善すること
に関する。このことは、いくつかの装置を統合すること
により達成できる。まず、図１６に示されているよう
に、５個の対物レンズ８５〜８９を備えた電動タレット
５９を用いることにより、欠陥の大きさに対応する倍率
を選択し、所望の観察精度を可能となる。この特徴を、
フォトマスクの欠陥を検知可能にするために、４つの狭
線幅光学フィルタ、可動サブステージコンデンサ、およ
び電動波長板と組合せる。
【００７７】総体的に言えば、本発明によって、フォト
マスクの照射と、観察と、フォトマスク上のパターン修
復を同時に行うことができる。そのバックラッシュ防止
及び無限遠補正の光学マイクロスコープにより、画像化
のために通常用いられるシステム内にレーザエネルギを
結合するためのビームスプリットミラーを包含すること
が可能となる。オフアクシスレーザ照射を用いることに
より、欠陥観察もまた、かなり向上した。微小欠陥によ
って拡散した光の一部は、マイクロスコープシステムに
より集光されて、オペレータにより小さな重要部分に注
意を払わせる。このようにして、フォトマスクパターン
内の非常に小さな欠陥が容易に検出可能となる。
マスクの照射と、観察と、フォトマスク上のパターン修
復を同時に行うことができる。そのバックラッシュ防止
及び無限遠補正の光学マイクロスコープにより、画像化
のために通常用いられるシステム内にレーザエネルギを
結合するためのビームスプリットミラーを包含すること
が可能となる。オフアクシスレーザ照射を用いることに
より、欠陥観察もまた、かなり向上した。微小欠陥によ
って拡散した光の一部は、マイクロスコープシステムに
より集光されて、オペレータにより小さな重要部分に注
意を払わせる。このようにして、フォトマスクパターン
内の非常に小さな欠陥が容易に検出可能となる。
【００７８】本発明はさらに、修復結果のプレビューを
可能とする。特に、修復領域をプレビューするためのリ
アルタイムシステムが、レーザアパーチャの後ろにカメ
ラを配置することにより形成される。カメラは、サブス
テージ照射器により背後から照らされたアパーチャの像
を受け取る。アパーチャは、マイクロスコープ画像と結
合した視野平面（field plane）内にあるように定めら
れるため、レーザパルスに露光すべき領域におけるマス
クの像も観察可能である。このプレビュー機能は、ビー
ムの動きの精密調整及びステージブレーキシステムの組
合せにより、５０ｎｍ弱（sub 50nm）よりも良好な精度
での端部欠陥の修復を可能とする。
可能とする。特に、修復領域をプレビューするためのリ
アルタイムシステムが、レーザアパーチャの後ろにカメ
ラを配置することにより形成される。カメラは、サブス
テージ照射器により背後から照らされたアパーチャの像
を受け取る。アパーチャは、マイクロスコープ画像と結
合した視野平面（field plane）内にあるように定めら
れるため、レーザパルスに露光すべき領域におけるマス
クの像も観察可能である。このプレビュー機能は、ビー
ムの動きの精密調整及びステージブレーキシステムの組
合せにより、５０ｎｍ弱（sub 50nm）よりも良好な精度
での端部欠陥の修復を可能とする。
【００７９】本発明の別の利点は、修復箇所近傍におけ
る被除去物質の付着を除去あるいは分散することであ
る。アブレーションによって取り除かれた少量の物質
は、通常、直径約３０ミクロンの円形領域内で均一な薄
膜としてマスク上に堆積する。堆積した膜は、それに被
覆されたマスクパターンのクリア領域における光透過を
かなり減少させる。移動気体雰囲気を形成することによ
り、堆積される膜は、大幅に希釈され、その結果膜はよ
り大きな領域に広がり、修復部位に隣接するクリア領域
における光透過を増加させる。
る被除去物質の付着を除去あるいは分散することであ
る。アブレーションによって取り除かれた少量の物質
は、通常、直径約３０ミクロンの円形領域内で均一な薄
膜としてマスク上に堆積する。堆積した膜は、それに被
覆されたマスクパターンのクリア領域における光透過を
かなり減少させる。移動気体雰囲気を形成することによ
り、堆積される膜は、大幅に希釈され、その結果膜はよ
り大きな領域に広がり、修復部位に隣接するクリア領域
における光透過を増加させる。
【００８０】あるいは、修復結果は、欠陥物質を集める
ことにより改善される。例えば、電極が修復箇所の近傍
に配置される。イオン化粒子が放出され、表面に堆積す
る前に集められ、修復部位に隣接するクリア領域におけ
る光透過を増加させる。
ことにより改善される。例えば、電極が修復箇所の近傍
に配置される。イオン化粒子が放出され、表面に堆積す
る前に集められ、修復部位に隣接するクリア領域におけ
る光透過を増加させる。
【００８１】本発明のさらなる利点は、まわりに形成さ
れた酸化雰囲気により機械加工効率が高まることであ
る。このことは、５００ｎｍを下回る波長のレーザ放射
を吸収するハロカーボン（ＣＢｒ２Ｆ２あるいはＣ
Ｆ４）ガスによって達成される。ハロカーボン分子は、
レーザ放射によって光分解され、レーザ除去速度を向上
させる活性化された酸化性フッ素ラジカルを生成する。
れた酸化雰囲気により機械加工効率が高まることであ
る。このことは、５００ｎｍを下回る波長のレーザ放射
を吸収するハロカーボン（ＣＢｒ２Ｆ２あるいはＣ
Ｆ４）ガスによって達成される。ハロカーボン分子は、
レーザ放射によって光分解され、レーザ除去速度を向上
させる活性化された酸化性フッ素ラジカルを生成する。
【００８２】要するに、本発明のレーザ射出システム
は、以下の特徴を提供する。種々の厚さのフォトマスク
を装填し上面基準を保持する。フォトマスクの照射と同
時にフォトマスク上のパターンを観察しフォトマスクの
修復を可能とする。像倍率や、照射波長や、照射角度及
び/または偏光を変更することにより画像を向上させ
る。オフアクシスレーザ照射を用いて欠陥観察を向上さ
せる。機械視覚を用いて欠陥修復工程を繰り返し制御す
る。バックラッシュなしに焦点メカニズムを駆動する。
マイクロスコープシステムを自動焦点合わせする。空気
ベアリングステージシステムをロックする。レーザター
ゲット相互作用領域を定める。ビームをターゲット領域
に正確に移動させる。修復結果のプレビューを行なう。
ペリクル化したフォトマスク上の不透明欠陥を修復す
る。ペリクル化したフォトマスク上の異物欠陥を修復す
る。あるいは、ペリクル化したフォトマスク上の不透明
欠陥を修復する。あるいは、フォトマスク上の異物欠陥
を修復する。修復領域におけるレーザ露光を均一化す
る。不透明欠陥を除去する。異物欠陥を除去する。修復
箇所近傍の除去された材料の堆積を排除する。あるい
は、除去された材料を収集する。酸化性雰囲気を形成す
ることにより機械加工効率を向上させる。ガラス基板か
ら不透明な膜を優先的に取り除くレーザ加工プロセスの
選択性を向上させる。フォトマスクからこのような物質
を優先的に取り除くレーザ加工工程の選択性を向上させ
る。
は、以下の特徴を提供する。種々の厚さのフォトマスク
を装填し上面基準を保持する。フォトマスクの照射と同
時にフォトマスク上のパターンを観察しフォトマスクの
修復を可能とする。像倍率や、照射波長や、照射角度及
び/または偏光を変更することにより画像を向上させ
る。オフアクシスレーザ照射を用いて欠陥観察を向上さ
せる。機械視覚を用いて欠陥修復工程を繰り返し制御す
る。バックラッシュなしに焦点メカニズムを駆動する。
マイクロスコープシステムを自動焦点合わせする。空気
ベアリングステージシステムをロックする。レーザター
ゲット相互作用領域を定める。ビームをターゲット領域
に正確に移動させる。修復結果のプレビューを行なう。
ペリクル化したフォトマスク上の不透明欠陥を修復す
る。ペリクル化したフォトマスク上の異物欠陥を修復す
る。あるいは、ペリクル化したフォトマスク上の不透明
欠陥を修復する。あるいは、フォトマスク上の異物欠陥
を修復する。修復領域におけるレーザ露光を均一化す
る。不透明欠陥を除去する。異物欠陥を除去する。修復
箇所近傍の除去された材料の堆積を排除する。あるい
は、除去された材料を収集する。酸化性雰囲気を形成す
ることにより機械加工効率を向上させる。ガラス基板か
ら不透明な膜を優先的に取り除くレーザ加工プロセスの
選択性を向上させる。フォトマスクからこのような物質
を優先的に取り除くレーザ加工工程の選択性を向上させ
る。
【００８３】本発明の種々の修正や変更は、この開示を
読むことに基づいて可能であろう。このような変更や追
加は、添付の請求項により規定される本発明の範囲及び
趣旨に含まれるものである。
読むことに基づいて可能であろう。このような変更や追
加は、添付の請求項により規定される本発明の範囲及び
趣旨に含まれるものである。
【図１】本発明の１実施の形態によるフォトリソグラフ
マスク修復のためのシステム及び方法の概念図である。
マスク修復のためのシステム及び方法の概念図である。
【図２】図１に記載のシステムに従って製造されたアパ
ーチャを通過したビームの回折の結果である選択された
ビーム強度の側面を表す概念図。
ーチャを通過したビームの回折の結果である選択された
ビーム強度の側面を表す概念図。
【図３】図１に記載のシステムに従って製造されたアパ
ーチャを通過したビームの回折の結果である多数のビー
ム強度の側面を表す概念図。
ーチャを通過したビームの回折の結果である多数のビー
ム強度の側面を表す概念図。
【図４】本発明の１実施の態様による装填ステーション
及びカセットをとともにフォトマスクを保持するステー
ジシステムの斜視図。
及びカセットをとともにフォトマスクを保持するステー
ジシステムの斜視図。
【図４Ａ】カセットを装填している際の、タブ、リフト
スプリング、及びラッチ組立体を示す、図４のラインＡ
−Ａに沿って得られる断面図。
スプリング、及びラッチ組立体を示す、図４のラインＡ
−Ａに沿って得られる断面図。
【図５】本発明の別の実施の態様による装填ステーショ
ン及びカセットをとともにフォトマスクを保持するステ
ージシステムの斜視図。
ン及びカセットをとともにフォトマスクを保持するステ
ージシステムの斜視図。
【図５Ａ】図５に表されたステージシステムのためのス
テージブレーキの概念平面図。
テージブレーキの概念平面図。
【図５Ｂ】収納状態における、図５Ａのステージブレー
キの概念側面図。
キの概念側面図。
【図５Ｃ】稼動状態における、図５Ａのステージブレー
キの概念側面図。
キの概念側面図。
【図６】本発明の１実施の形態によるレーザ放射装置の
部分概念図。
部分概念図。
【図６Ａ】図６に記載の装置の別の部分概念図。
【図７】本発明によるサブステージ照射器の側面図。
【図８】図７に示されているサブステージ照射器の平面
図。
図。
【図９】本発明によるレーザビームプロセッサの概念
図。
図。
【図１０】本発明によるマイクロスコープアーム組立体
の側面図。
の側面図。
【図１１】図１０に記載の電動アパーチャ組立体の断面
図。
図。
【図１２及び図１３】図１２はフロントプレート及び移
動されたＰＣＢ組立体を伴う、図１１に示された組立体
の平面図、図１３はクリア領域または完全開口状態にお
ける図１２に示されたアパーチャの断面図。
動されたＰＣＢ組立体を伴う、図１１に示された組立体
の平面図、図１３はクリア領域または完全開口状態にお
ける図１２に示されたアパーチャの断面図。
【図１４】ステップモータ、圧電精密フォーカス、バッ
クラッシ防止ｚ−コラムを表している本発明のステップ
モータ組立体の斜視図。
クラッシ防止ｚ−コラムを表している本発明のステップ
モータ組立体の斜視図。
【図１５】マイクロスコープレボルバー組立体を表して
いる図１４のバックラッシ防止ｚ−コラムの概念、断面
図。
いる図１４のバックラッシ防止ｚ−コラムの概念、断面
図。
【図１６】マイクロスコープタレット及びレボルバー組
立体を表している図１５に記載の組立体の底面図。
立体を表している図１５に記載の組立体の底面図。
【図１７】本発明のコンピュータ制御システムの正面
図。
図。
【図１８】図１７の制御システムの背面斜視図。
【図１９】本発明の別の実施の形態によるレーザ射出シ
ステムの斜視図。
ステムの斜視図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン オコンナー アメリカ合衆国，ニューヨーク 11725, コムマック，フェザント ドライヴ ６ Ｆターム(参考） 2G051 AA56 BA05 BA10 BB11 BC04 CA04 CB02 CC09 DA01 EA11 EA12 2H095 BA01 BD32 BD34
Claims (24)
- 【請求項１】 処理すべきマスクを支持するための構造
体と、 マスク修復を実行するためのレーザ放射装置と、 前記支持構造体に隣接した、前記マスクの選択的照射の
ための光源と、 前記レーザ放射装置から出射するレーザビームの連続的
角度操作を実行するためのレーザプロセッサであって、
オフアクシス（off-axis）レーザ照射を実行するための
調節可能なビームスプリッタと、漸増的マスク修復を容
易にするための電動アパーチャと、像縮小のための光学
系と、修復中に前記マスクを観察するための装置とを含
むレーザプロセッサと、 前記ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように、前記
連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装置と、 前記マスクに対する前記ビームの誘導中における前記マ
スクの多視点観察のためのマイクロスコープとを備えた
ことを特徴とするフォトリソグラフマスク修復システ
ム。 - 【請求項２】 前記マスク支持構造体は、格納式プラッ
トフォームであることを特徴とする請求項１に記載のシ
ステム。 - 【請求項３】 前記レーザ放射装置は、増幅されたＴ
ｉ：Ｓレーザ光を出射することを特徴とする請求項１に
記載のシステム。 - 【請求項４】 前記レーザ放射装置は、Ｈｅ：Ｃｄ光を
出射することを特徴とする請求項１に記載のシステム。 - 【請求項５】 前記レーザ放射装置は、Ｎｄ：Ｙａｇ光
を出射することを特徴とする請求項１に記載のシステ
ム。 - 【請求項６】 前記コンピュータ装置は、前記レーザの
操作と同時に、前記ビームの動きの精密制御を実行する
ことを特徴とする請求項１に記載のシステム。 - 【請求項７】 前記コンピュータ装置は、前記ビームの
動きの精密制御と同時に、前記連続的角度操作を実行す
るための前記電動アパーチャの制御された動きを実行す
ることを特徴とする請求項６に記載のシステム。 - 【請求項８】 前記コンピュータ装置は、前記電動アパ
ーチャの動きを制御すると同時に、前記支持構造体の制
御された動きを実行することを特徴とする請求項７に記
載のシステム。 - 【請求項９】 前記コンピュータ装置は、前記プラット
フォームの動きを制御すると同時に、イメージデータを
処理することを特徴とする請求項８に記載のシステム。 - 【請求項１０】 前記マイクロスコープは、前記マスク
を観察し分析するためのビデオマイクロスコープである
ことを特徴とする請求項１に記載のシステム。 - 【請求項１１】 前記マイクロスコープは、比較的低倍
率のビデオカメラ及び比較的高倍率のビデオカメラを含
むことを特徴とする請求項１０に記載のシステム。 - 【請求項１２】 前記マイクロスコープは、ＤＵＶ（De
ep UltraViolet）画像化及び透過測定システムを含むこ
とを特徴とする請求項１０に記載のシステム。 - 【請求項１３】 処理すべきマスクを支持するための構
造体と、 マスク修復を実行するためのレーザ放射装置と、 前記支持構造体に隣接した、前記マスクの選択的照射の
ための光源と、 前記レーザ放射装置から出射するレーザビームの連続的
角度操作を実行するためのレーザプロセッサであって、
オフアクシスレーザ照射を実行するための調節可能なビ
ームスプリッタと、漸増的マスク修復を容易にするため
の電動アパーチャと、像縮小のための光学系と、修復中
に前記マスクを観察するための装置とを含むレーザプロ
セッサと、 前記ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように、前記
連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装置と、 前記マスクに対する前記ビームの誘導中における前記マ
スクの多視点観察のためのマイクロスコープとを備え、
前記コンピュータ装置は、前記ビームの操作と同時に、
前記ビームの動きの精密制御と、前記連続的角度操作を
実行するための前記電動アパーチャの制御された動き
と、前記支持構造体の制御された動きと、イメージデー
タ処理とを実行することを特徴とするフォトリソグラフ
マスク修復システム。 - 【請求項１４】 前記マスク支持構造体は、格納式プラ
ットフォームであることを特徴とする請求項１３に記載
のシステム。 - 【請求項１５】 前記レーザ放射装置は、増幅されたＴ
ｉ：Ｓ光を出射することを特徴とする請求項１３に記載
のシステム。 - 【請求項１６】 前記レーザ放射装置は、Ｈｅ：Ｃｄ光
を出射することを特徴とする請求項１３に記載のシステ
ム。 - 【請求項１７】 前記レーザ放射装置は、Ｎｄ：Ｙａｇ
光を出射することを特徴とする請求項１３に記載のシス
テム。 - 【請求項１８】 処理すべきマスクを支持するための構
造体と、 マスク修復を実行するためのレーザ放射装置と、 前記支持構造体に隣接した、前記マスクの選択的照射の
ための光源と、 前記レーザ放射装置から出射されるレーザビームの連続
的角度操作を実行するためのレーザプロセッサと、 前記ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように、前記
連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装置と、 前記マスクに対する前記ビームの誘導中における前記マ
スクの多視点観察のためのマイクロスコープであって、
比較的低倍率のビデオカメラと、比較的高倍率のビデオ
カメラと、ＤＵＶ画像化及び透過測定装置とを含むマイ
クロスコープとを備えたことを特徴とするフォトリソグ
ラフマスク修復システム。 - 【請求項１９】 処理すべきマスクを支持するための構
造体と、 マスク修復を実行するためのレーザ放射装置と、 前記支持構造体に隣接した、前記マスクの選択的照射の
ための光源と、 前記レーザ放射装置から出射するレーザビームの連続的
角度操作を実行するためのレーザプロセッサと、 前記ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように、前記
連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装置と、 前記マスクに対する前記ビームの誘導中における前記マ
スクの多視点観察のためのマイクロスコープとを備えた
ことを特徴とするフォトリソグラフマスク修復システ
ム。 - 【請求項２０】 処理すべきマスクと、 マスク修復を実行するためのレーザ放射装置と、 前記レーザ放射装置から出射するレーザビームの連続的
角度操作を実行するためのレーザプロセッサであって、
オフアクシスレーザ照射を実行するための調節可能なビ
ームスプリッタと、漸増的マスク修復を容易にするため
の電動アパーチャと、像縮小のための光学系と、修復中
に前記マスクを観察するための装置とを含むレーザプロ
セッサと、 前記ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように、前記
連続的角度操作を制御するためのコンピュータ装置と、 前記マスクに対する前記ビームの誘導中における前記マ
スクの多視点観察のためのマイクロスコープとを備えた
ことを特徴とするフォトリソグラフマスク修復システ
ム。 - 【請求項２１】 処理すべきマスクと、マスク修復を実
行するためのレーザ放射装置と、前記レーザ放射装置か
ら出射するレーザビームの連続的角度操作を実行するレ
ーザプロセッサであって、オファクシスレーザ照射を実
行するための調節可能なビームスプリッタと、漸増的マ
スク修復を容易にするための電動アパーチャと、像縮小
のための光学系と、修復中に前記マスクを観察するため
の装置とを含むレーザプロセッサとを備えたことを特徴
とするフォトリソグラフマスク修復システム。 - 【請求項２２】 ｉ．相対的に静止し、隔離された支持
構造体上にフォトマスクを載置するステップと、 ｉｉ．マスク修復を実行するためのレーザ放射装置を活
性化するステップと、 ｉｉｉ．前記支持構造体に隣接した、前記マスクの選択
的照度照射のための光源を駆動するステップと、 ｉｖ．前記レーザ放射装置から出射するレーザビーム
に、前記レーザビームの連続的角度操作を実行するため
のレーザプロセッサであって、前記レーザビームオフア
クシス照射を実行するための調節可能なビームスプリッ
タと、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパー
チャと、像縮小のための光学系と、修復中に前記マスク
を観察するための装置とを含むレーザプロセッサを通過
させるステップと、 ｖ．前記ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように、
前記連続的角度操作を制御するステップと、 ｖｉ．前記連続的角度操作と同時に、前記マスクに対す
るビームの誘導中における前記マスクの多視点観察を行
ない、前記ビームの動きの精密制御と、前記連続的角度
操作を実行するための前記電動アパーチャの制御された
動きと、前記支持構造体の制御された動きと、イメージ
データ処理とを実行するステップとを有することを特徴
とするフォトリソグラフマスク修復方法。 - 【請求項２３】 ｉ．マスク修復を実行するためのレー
ザ放射装置を活性化するステップと、 ｉｉ．相対的に静止し、隔離された支持構造体上にフォ
トマスクを載置するステップと、 ｉｉｉ．前記支持構造体に隣接した、前記マスクの選択
的照射のための光源を駆動するステップと、 ｉｖ．前記レーザ放射装置から出射されたレーザビーム
に、前記レーザビームの連続的角度操作を実行するため
のレーザプロセッサであって、前記レーザビームのオフ
アクシス照射を実行するための調節可能なビームスプリ
ッタと、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパ
ーチャと、像縮小のための光学系と、修復中に前記マス
クを観察するための装置とを含むレーザプロセッサを通
過させるステップと、 ｖ．前記ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように、
前記連続的角度操作を制御するステップと、 ｖｉ．前記連続的角度操作と同時に、前記マスクに対す
るビームの誘導中における前記マスクの多視点観察を行
ない、前記ビームの動きの精密制御と、前記連続的角度
操作を実行するための前記電動アパーチャの制御された
動きと、前記支持構造体の制御された動きと、イメージ
データ処理とを実行するステップとを有することを特徴
とするフォトリソグラフマスク修復方法。 - 【請求項２４】 ｉ．マスク修復を実行するためのレー
ザ放射装置を活性化させるステップと、 ｉｉ．前記支持構造体に隣接した、前記マスクの選択的
照射のための光源を駆動するステップと、 ｉｉｉ．相対的に静止し、隔離された支持構造体上にフ
ォトマスクを載置するステップと、 ｉｖ．前記レーザ放射装置から出射するレーザビーム
に、前記レーザビームの連続的角度操作を実行するため
のレーザプロセッサであって、前記レーザビームのオフ
アクシス照射を実行するための調節可能なビームスプリ
ッタと、漸増的マスク修復を容易にするための電動アパ
ーチャと、像縮小のための光学系と、修復中に前記マス
クを観察するための装置とを含むレーザプロセッサを通
過させるステップと、 ｖ．前記ビームのほぼ完全な波形を獲得できるように、
前記連続的角度操作を制御するステップと、 ｖｉ．前記連続的角度操作と同時に、前記マスクに対す
るビームの誘導中における前記マスクの多視点観察を行
ない、前記ビームの動きの精密制御と、前記連続的角度
操作を実行するための前記電動アパーチャの制御された
動きと、前記支持構造体の制御された動きと、イメージ
データ処理とを実行するステップとを有することを特徴
とするフォトリソグラフマスク修復方法。
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