JP2002022673A - 画像読み出し補正方法、欠陥検査装置、マスクの製造方法 - Google Patents
画像読み出し補正方法、欠陥検査装置、マスクの製造方法Info
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- JP2002022673A JP2002022673A JP2000201133A JP2000201133A JP2002022673A JP 2002022673 A JP2002022673 A JP 2002022673A JP 2000201133 A JP2000201133 A JP 2000201133A JP 2000201133 A JP2000201133 A JP 2000201133A JP 2002022673 A JP2002022673 A JP 2002022673A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】実際のセンサ画像データと参照データとの間の
ずれの発生をなくす。 【解決手段】マスク１をＸＹステージ２の駆動によりＴ
ＤＩセンサ７に対して走査したときの走査方向に応じて
展開回路１０で発生するマスク１の参照データの座標位
置を画像読み出し補正部２１によりＴＤＩセンサ７の電
荷蓄積方向の幅分だけ補正する。
ずれの発生をなくす。 【解決手段】マスク１をＸＹステージ２の駆動によりＴ
ＤＩセンサ７に対して走査したときの走査方向に応じて
展開回路１０で発生するマスク１の参照データの座標位
置を画像読み出し補正部２１によりＴＤＩセンサ７の電
荷蓄積方向の幅分だけ補正する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、マスクを
透過した光を蓄積型ラインセンサにより撮像して取得し
た画像データとマスクの参照データとを比較してマスク
の欠陥検査を行うマスク欠陥検査に係わり、特に設計デ
ータから参照データを発生するときの画像読み出し補正
方法、この方法を適用した欠陥検査装置、並びにマスク
の製造方法に関する。
透過した光を蓄積型ラインセンサにより撮像して取得し
た画像データとマスクの参照データとを比較してマスク
の欠陥検査を行うマスク欠陥検査に係わり、特に設計デ
ータから参照データを発生するときの画像読み出し補正
方法、この方法を適用した欠陥検査装置、並びにマスク
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３はマスク欠陥検査装置の構成図であ
る。マスク１は、ガラス基板上に半導体装置の回路パタ
ーンを形成したもので、半導体製造方法の露光工程にお
いてその回路パターンを半導体ウエハ上に転写するため
のものである。このマスク１は、ＸＹステージ２上に載
置されて、ＸＹ方向に移動する。
る。マスク１は、ガラス基板上に半導体装置の回路パタ
ーンを形成したもので、半導体製造方法の露光工程にお
いてその回路パターンを半導体ウエハ上に転写するため
のものである。このマスク１は、ＸＹステージ２上に載
置されて、ＸＹ方向に移動する。
【０００３】レーザ出力装置３は、例えば露光用の所定
波長のレーザ光を出力するもので、このレーザ光は、ミ
ラー４、集光レンズ５を通してマスク１に照射される。
波長のレーザ光を出力するもので、このレーザ光は、ミ
ラー４、集光レンズ５を通してマスク１に照射される。
【０００４】このマスク１のレーザ光の透過光路上に
は、結像レンズ６及び蓄積型ラインセンサ（以下、ＴＤ
Ｉセンサと称する）７が設けられている。
は、結像レンズ６及び蓄積型ラインセンサ（以下、ＴＤ
Ｉセンサと称する）７が設けられている。
【０００５】このＴＤＩセンサ７は、例えば図４に示す
ように複数段ｎ（＝１，２，３，…，ｎ）のラインで構
成されている。このＴＤＩセンサ７は、例えば対象物８
を撮像する場合、ｎ段のライン方向に対して垂直方向
（矢印イ方向）に移動させて対象物８を撮像する。この
とき、このＴＤＩセンサ７は、１段目のラインから電荷
を順次２段目、３段目、…、の電荷蓄積方向に従って転
送しながら蓄積し、最終的に最終段ｎのラインから１ラ
イン分の画像信号として読み出すものとなっている。な
お、同図の下部ではｔ・ｎ時間経過後のＴＤＩセンサ７
と対象物８との位置関係を示している。
ように複数段ｎ（＝１，２，３，…，ｎ）のラインで構
成されている。このＴＤＩセンサ７は、例えば対象物８
を撮像する場合、ｎ段のライン方向に対して垂直方向
（矢印イ方向）に移動させて対象物８を撮像する。この
とき、このＴＤＩセンサ７は、１段目のラインから電荷
を順次２段目、３段目、…、の電荷蓄積方向に従って転
送しながら蓄積し、最終的に最終段ｎのラインから１ラ
イン分の画像信号として読み出すものとなっている。な
お、同図の下部ではｔ・ｎ時間経過後のＴＤＩセンサ７
と対象物８との位置関係を示している。
【０００６】又、このＴＤＩセンサ７は、電荷蓄積方向
を反対方向に切り換えられるようになっている。例えば
図５に示すようにｎ段のライン方向に対して垂直方向
（矢印ロ方向）に移動させて対象物８を撮像する場合、
電荷蓄積方向をｎ段目のラインから電荷を順次ｎ−１段
目、ｎ−２段目、…、の電荷蓄積方向に従って転送しな
がら蓄積し、最終的に１段目のラインから１ライン分の
画像信号として読み出す。なお、同図の下部ではｔ・ｎ
時間経過後のＴＤＩセンサ７と対象物８との位置関係を
示している。
を反対方向に切り換えられるようになっている。例えば
図５に示すようにｎ段のライン方向に対して垂直方向
（矢印ロ方向）に移動させて対象物８を撮像する場合、
電荷蓄積方向をｎ段目のラインから電荷を順次ｎ−１段
目、ｎ−２段目、…、の電荷蓄積方向に従って転送しな
がら蓄積し、最終的に１段目のラインから１ライン分の
画像信号として読み出す。なお、同図の下部ではｔ・ｎ
時間経過後のＴＤＩセンサ７と対象物８との位置関係を
示している。
【０００７】従って、ＴＤＩセンサ７は、結像レンズ６
により結像されたマスク１の像を撮像してその１ライン
分の画像信号を出力する。このとき、マスク１は、ＸＹ
ステージ２の駆動によりＸＹ方向に移動するので、ＴＤ
Ｉセンサ７は、マスク１上を走査しながらｎ段分蓄積し
た電荷を１ライン毎のセンサ画像データ９として出力す
る。
により結像されたマスク１の像を撮像してその１ライン
分の画像信号を出力する。このとき、マスク１は、ＸＹ
ステージ２の駆動によりＸＹ方向に移動するので、ＴＤ
Ｉセンサ７は、マスク１上を走査しながらｎ段分蓄積し
た電荷を１ライン毎のセンサ画像データ９として出力す
る。
【０００８】例えば、図６に示すようにＴＤＩセンサ７
は、Ｙ方向（往路）に沿って走査し、次にＸ方向にＴＤ
Ｉセンサ７の長さ分だけ移動し、次に走査方向を反対に
切り換えて−Ｙ方向（復路）に沿って走査する。なお、
Ｙ方向への走査と−Ｙ方向への走査とでは、ＴＤＩセン
サ７における電荷蓄積方向が反対方向に切り換わる。こ
れ以降、Ｘ方向にＴＤＩセンサ７の長さ分だけ移動し、
Ｙ方向に沿って走査することを繰り返して最終的にマス
ク１の全体を走査する。そして、マスク１の全体に対す
る走査が終了すると、マスク１の全体のセンサ画像デー
タ９が取得される。
は、Ｙ方向（往路）に沿って走査し、次にＸ方向にＴＤ
Ｉセンサ７の長さ分だけ移動し、次に走査方向を反対に
切り換えて−Ｙ方向（復路）に沿って走査する。なお、
Ｙ方向への走査と−Ｙ方向への走査とでは、ＴＤＩセン
サ７における電荷蓄積方向が反対方向に切り換わる。こ
れ以降、Ｘ方向にＴＤＩセンサ７の長さ分だけ移動し、
Ｙ方向に沿って走査することを繰り返して最終的にマス
ク１の全体を走査する。そして、マスク１の全体に対す
る走査が終了すると、マスク１の全体のセンサ画像デー
タ９が取得される。
【０００９】一方、展開回路１０は、ＣＡＤ装置からＣ
ＡＤデータ１１を受け取り、このＣＡＤデータ１１から
ＴＤＩセンサ７のマスク１上の走査位置と一致する１ラ
イン分の座標位置のマスク１の参照データ１２を展開す
る。
ＡＤデータ１１を受け取り、このＣＡＤデータ１１から
ＴＤＩセンサ７のマスク１上の走査位置と一致する１ラ
イン分の座標位置のマスク１の参照データ１２を展開す
る。
【００１０】比較回路１３は、ＴＤＩセンサ７の撮像に
より取得されたセンサ画像データ９と展開回路１０で作
成された参照データ１２とを各ライン毎にそれぞれ比較
し、実時間でマスク１上の欠陥１４を検出する。
より取得されたセンサ画像データ９と展開回路１０で作
成された参照データ１２とを各ライン毎にそれぞれ比較
し、実時間でマスク１上の欠陥１４を検出する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＴＤＩ
センサ７にｎ段数分の幅があり、かつＴＤＩセンサ７に
よりマスク１上を走査するときにその走査方向が反対方
向に切り換わるために、実際のセンサ画像データ９と参
照データ１２とではその座標位置が若干ずれてしまう。
すなわち、上記図６に示すようにＴＤＩセンサ７により
マスク１上をＹ方向に走査しているときには、図７(a)
に示すようにｎ段目のラインから画像を読み出すと共
に、展開回路１０ではＴＤＩセンサ７のｎ段目の走査位
置に一致する座標位置の参照データを展開している。
センサ７にｎ段数分の幅があり、かつＴＤＩセンサ７に
よりマスク１上を走査するときにその走査方向が反対方
向に切り換わるために、実際のセンサ画像データ９と参
照データ１２とではその座標位置が若干ずれてしまう。
すなわち、上記図６に示すようにＴＤＩセンサ７により
マスク１上をＹ方向に走査しているときには、図７(a)
に示すようにｎ段目のラインから画像を読み出すと共
に、展開回路１０ではＴＤＩセンサ７のｎ段目の走査位
置に一致する座標位置の参照データを展開している。
【００１２】ところが、ＴＤＩセンサ７によるマスク１
上の走査方向が反対方向の−Ｙ方向に切り換わると、図
７(b)に示すように１段目のラインから画像を読み出す
と共に、展開回路１０ではＴＤＩセンサ７のｎ段目の走
査位置に一致する座標位置で参照データを展開する。
上の走査方向が反対方向の−Ｙ方向に切り換わると、図
７(b)に示すように１段目のラインから画像を読み出す
と共に、展開回路１０ではＴＤＩセンサ７のｎ段目の走
査位置に一致する座標位置で参照データを展開する。
【００１３】このため、実際のセンサ画像データ９と参
照データ１２とでは、最大でＴＤＩセンサ７のｎ段数分
（ＴＤＩセンサ７の幅分）だけずれが発生してしまう。
照データ１２とでは、最大でＴＤＩセンサ７のｎ段数分
（ＴＤＩセンサ７の幅分）だけずれが発生してしまう。
【００１４】上記のように実時間で欠陥検査を行うマス
ク欠陥検査装置では、ＸＹステージ２の位置座標を受け
て参照データ１２の展開タイミングを取っているため
に、実際のセンサ画像データ９と参照データ１２とのず
れの影響を大きく受けてしまう。ＴＤＩセンサ７の段数
が例えば１００段程度であれば、実際のセンサ画像デー
タ９と参照データ１２とのずれの影響がほとんどなかっ
たが、千段程度と段数が大きくなると、そのずれの影響
が無視できなくなる。
ク欠陥検査装置では、ＸＹステージ２の位置座標を受け
て参照データ１２の展開タイミングを取っているため
に、実際のセンサ画像データ９と参照データ１２とのず
れの影響を大きく受けてしまう。ＴＤＩセンサ７の段数
が例えば１００段程度であれば、実際のセンサ画像デー
タ９と参照データ１２とのずれの影響がほとんどなかっ
たが、千段程度と段数が大きくなると、そのずれの影響
が無視できなくなる。
【００１５】このように実際のセンサ画像データ９と参
照データ１２との間にずれが発生すると、センサ画像デ
ータ９と参照データ１２とが不整合となり、欠陥検査結
果に誤検出などの悪影響を与える。
照データ１２との間にずれが発生すると、センサ画像デ
ータ９と参照データ１２とが不整合となり、欠陥検査結
果に誤検出などの悪影響を与える。
【００１６】そこで本発明は、実際のセンサ画像データ
と参照データとの間のずれの発生をなくすことができる
画像読み出し補正方法を提供することを目的とする。
と参照データとの間のずれの発生をなくすことができる
画像読み出し補正方法を提供することを目的とする。
【００１７】又、本発明は、実際のセンサ画像データと
参照データとの間のずれの発生をなくして誤検出のない
正確な欠陥検査ができる欠陥検査装置を提供することを
目的とする。
参照データとの間のずれの発生をなくして誤検出のない
正確な欠陥検査ができる欠陥検査装置を提供することを
目的とする。
【００１８】又、本発明は、実際のセンサ画像データと
参照データとの間のずれの発生をなくして誤検出のない
正確なマスクの欠陥検査を行ってマスクを製造できるマ
スクの製造方法を提供することを目的とする。
参照データとの間のずれの発生をなくして誤検出のない
正確なマスクの欠陥検査を行ってマスクを製造できるマ
スクの製造方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数段のライ
ンで電荷を蓄積する蓄積型ラインセンサと被検査対象と
を相対的に移動させ、前記蓄積型ラインセンサの撮像に
より得られる前記被検査対象の画像データと前記被検査
対象の参照データとを比較して前記被検査対象の検査を
行うときに、前記蓄積型ラインセンサと前記被検査対象
との相対的な移動方向に応じて前記参照データを発生す
る座標位置を前記蓄積型ラインセンサの電荷蓄積方向の
幅分だけ補正することを特徴とする画像読み出し補正方
法である。
ンで電荷を蓄積する蓄積型ラインセンサと被検査対象と
を相対的に移動させ、前記蓄積型ラインセンサの撮像に
より得られる前記被検査対象の画像データと前記被検査
対象の参照データとを比較して前記被検査対象の検査を
行うときに、前記蓄積型ラインセンサと前記被検査対象
との相対的な移動方向に応じて前記参照データを発生す
る座標位置を前記蓄積型ラインセンサの電荷蓄積方向の
幅分だけ補正することを特徴とする画像読み出し補正方
法である。
【００２０】又、本発明は、前記蓄積型ラインセンサと
前記被検査対象とを相対的に往復移動させるときの往路
又は復路のうちいずれか一方向の移動のときに、前記参
照データを発生する前記座標位置を前記蓄積型ラインセ
ンサの前記電荷蓄積方向の幅分だけ加減算して補正する
ことを特徴とする。
前記被検査対象とを相対的に往復移動させるときの往路
又は復路のうちいずれか一方向の移動のときに、前記参
照データを発生する前記座標位置を前記蓄積型ラインセ
ンサの前記電荷蓄積方向の幅分だけ加減算して補正する
ことを特徴とする。
【００２１】又、本発明は、前記蓄積型ラインセンサの
電荷蓄積方向の幅は、電荷の蓄積段数及び前記被検査対
象を撮像する倍率に基づいて決定されることを特徴とす
る。
電荷蓄積方向の幅は、電荷の蓄積段数及び前記被検査対
象を撮像する倍率に基づいて決定されることを特徴とす
る。
【００２２】又、本発明は、複数段で電荷を蓄積する蓄
積型ラインセンサと被検査対象とを相対的に移動させ、
前記蓄積型ラインセンサの撮像により得られる前記被検
査対象の画像データと前記被検査対象の参照データとを
比較して前記被検査対象の欠陥検査を行う欠陥検査装置
において、前記蓄積型ラインセンサと前記被検査対象と
の相対的な移動方向に応じて前記参照データを発生する
座標位置を前記蓄積型ラインセンサの電荷蓄積方向の幅
分だけ補正する画像読み出し補正手段、を具備したこと
を特徴とする欠陥検査装置である。
積型ラインセンサと被検査対象とを相対的に移動させ、
前記蓄積型ラインセンサの撮像により得られる前記被検
査対象の画像データと前記被検査対象の参照データとを
比較して前記被検査対象の欠陥検査を行う欠陥検査装置
において、前記蓄積型ラインセンサと前記被検査対象と
の相対的な移動方向に応じて前記参照データを発生する
座標位置を前記蓄積型ラインセンサの電荷蓄積方向の幅
分だけ補正する画像読み出し補正手段、を具備したこと
を特徴とする欠陥検査装置である。
【００２３】又、本発明の前記画像読み出し補正手段
は、前記蓄積型ラインセンサと前記被検査対象とを相対
的に往復移動させるときの往路又は復路のうちいずれか
一方向の移動のときに、前記参照データを発生する前記
座標位置を前記蓄積型ラインセンサの前記電荷蓄積方向
の幅分だけ加減算する機能を有することを特徴とする。
は、前記蓄積型ラインセンサと前記被検査対象とを相対
的に往復移動させるときの往路又は復路のうちいずれか
一方向の移動のときに、前記参照データを発生する前記
座標位置を前記蓄積型ラインセンサの前記電荷蓄積方向
の幅分だけ加減算する機能を有することを特徴とする。
【００２４】又、本発明は、複数段のラインで電荷を蓄
積する蓄積型ラインセンサとマスクとを相対的に移動さ
せて前記マスクを透過した光を前記蓄積型ラインセンサ
により撮像して前記マスクの画像データを取得し、かつ
前記蓄積型ラインセンサと前記マスクとを相対的に移動
に同期して前記蓄積型ラインセンサにより読み取る前記
マスクの座標位置における前記マスクの参照データを発
生し、前記画像データと前記参照データとを比較して前
記マスクの欠陥検査を行う欠陥検査装置において、前記
蓄積型ラインセンサと前記マスクとの相対的な移動方向
に応じて前記参照データを発生する座標位置を前記蓄積
型ラインセンサの電荷蓄積方向の幅分だけ補正する画像
読み出し補正手段、を具備したことを特徴とする欠陥検
査装置である。
積する蓄積型ラインセンサとマスクとを相対的に移動さ
せて前記マスクを透過した光を前記蓄積型ラインセンサ
により撮像して前記マスクの画像データを取得し、かつ
前記蓄積型ラインセンサと前記マスクとを相対的に移動
に同期して前記蓄積型ラインセンサにより読み取る前記
マスクの座標位置における前記マスクの参照データを発
生し、前記画像データと前記参照データとを比較して前
記マスクの欠陥検査を行う欠陥検査装置において、前記
蓄積型ラインセンサと前記マスクとの相対的な移動方向
に応じて前記参照データを発生する座標位置を前記蓄積
型ラインセンサの電荷蓄積方向の幅分だけ補正する画像
読み出し補正手段、を具備したことを特徴とする欠陥検
査装置である。
【００２５】又、本発明は、ガラス基板上に半導体装置
の回路パターンを形成してマスクを製造するマスクの製
造方法において、複数段のラインで電荷を蓄積する蓄積
型ラインセンサと前記マスクとを相対的に移動させ、前
記蓄積型ラインセンサの撮像により得られる前記マスク
の画像データと前記マスクの参照データとを比較して前
記被検査対象の欠陥検査を行うときに、前記蓄積型ライ
ンセンサと前記マスクとの相対的な移動方向に応じて前
記参照データを発生する座標位置を前記蓄積型ラインセ
ンサの電荷蓄積方向の幅分だけ補正する工程、を有する
ことを特徴とするマスクの製造方法である。
の回路パターンを形成してマスクを製造するマスクの製
造方法において、複数段のラインで電荷を蓄積する蓄積
型ラインセンサと前記マスクとを相対的に移動させ、前
記蓄積型ラインセンサの撮像により得られる前記マスク
の画像データと前記マスクの参照データとを比較して前
記被検査対象の欠陥検査を行うときに、前記蓄積型ライ
ンセンサと前記マスクとの相対的な移動方向に応じて前
記参照データを発生する座標位置を前記蓄積型ラインセ
ンサの電荷蓄積方向の幅分だけ補正する工程、を有する
ことを特徴とするマスクの製造方法である。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。なお、図３と同一部分に
は同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
いて図面を参照して説明する。なお、図３と同一部分に
は同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【００２７】図１はマスクの製造工程に適用した欠陥検
査装置の構成図である。ステージ駆動部２０は、ＴＤＩ
センサ７がマスク１の全体を走査するようにＸＹステー
ジ２を駆動するものである。このステージ駆動部２０
は、上記図６に示すように、ＴＤＩセンサ７がＹ方向に
沿って走査し、次にＸ方向にＴＤＩセンサ７の長さ分だ
け移動し、次に走査方向を反対に切り換えて−Ｙ方向に
沿って走査し、これ以降、Ｘ方向にＴＤＩセンサ７の長
さ分だけ移動し、Ｙ方向に沿って走査することを繰り返
してマスク１の全体を走査するするようにＸＹステージ
２を駆動する機能を有している。
査装置の構成図である。ステージ駆動部２０は、ＴＤＩ
センサ７がマスク１の全体を走査するようにＸＹステー
ジ２を駆動するものである。このステージ駆動部２０
は、上記図６に示すように、ＴＤＩセンサ７がＹ方向に
沿って走査し、次にＸ方向にＴＤＩセンサ７の長さ分だ
け移動し、次に走査方向を反対に切り換えて−Ｙ方向に
沿って走査し、これ以降、Ｘ方向にＴＤＩセンサ７の長
さ分だけ移動し、Ｙ方向に沿って走査することを繰り返
してマスク１の全体を走査するするようにＸＹステージ
２を駆動する機能を有している。
【００２８】画像読み出し補正部２１は、ステージ駆動
部２０によるＸＹステージ２の移動方向（ＴＤＩセンサ
７によるマスク１上への走査方向）のデータを受け、Ｘ
Ｙステージ２の駆動によるＴＤＩセンサ７のマスク１上
への走査方向すなわちＹ方向（往路）又は−Ｙ方向（復
路）に応じて展開回路１０にて参照データ１２を発生す
る座標位置をＴＤＩセンサ７の電荷蓄積方向の幅分だけ
加減算して補正する補正指令を補正回路１０に送出する
機能を有している。
部２０によるＸＹステージ２の移動方向（ＴＤＩセンサ
７によるマスク１上への走査方向）のデータを受け、Ｘ
Ｙステージ２の駆動によるＴＤＩセンサ７のマスク１上
への走査方向すなわちＹ方向（往路）又は−Ｙ方向（復
路）に応じて展開回路１０にて参照データ１２を発生す
る座標位置をＴＤＩセンサ７の電荷蓄積方向の幅分だけ
加減算して補正する補正指令を補正回路１０に送出する
機能を有している。
【００２９】具体的に画像読み出し補正部２１は、例え
ば上記図６に示すようにＴＤＩセンサ７によりマスク１
上をＹ方向に走査しているときには、図２(a)に示すよ
うにｎ段目のラインから画像を読み出すと共に、展開回
路１０に対してＴＤＩセンサ７のｎ段目の走査位置に一
致する座標位置の参照データを展開させ、かつＴＤＩセ
ンサ７によりマスク１上を−Ｙ方向に走査しているとき
には、同図(b)に示すように１段目のラインから画像を
読み出すと共に、参照データ１２を発生する座標位置を
ＴＤＩセンサ７の電荷蓄積方向の幅分だけ減算して補正
する補正指令を展開回路１０に対して送出し、この展開
回路１０によりＴＤＩセンサ７の１段目の走査位置に一
致する座標位置の参照データを展開させる機能を有して
いる。
ば上記図６に示すようにＴＤＩセンサ７によりマスク１
上をＹ方向に走査しているときには、図２(a)に示すよ
うにｎ段目のラインから画像を読み出すと共に、展開回
路１０に対してＴＤＩセンサ７のｎ段目の走査位置に一
致する座標位置の参照データを展開させ、かつＴＤＩセ
ンサ７によりマスク１上を−Ｙ方向に走査しているとき
には、同図(b)に示すように１段目のラインから画像を
読み出すと共に、参照データ１２を発生する座標位置を
ＴＤＩセンサ７の電荷蓄積方向の幅分だけ減算して補正
する補正指令を展開回路１０に対して送出し、この展開
回路１０によりＴＤＩセンサ７の１段目の走査位置に一
致する座標位置の参照データを展開させる機能を有して
いる。
【００３０】ここで、ＴＤＩセンサ７の電荷蓄積方向の
幅は、ラインの段数ｎに応じてそれぞれ異なる値となっ
ている。このＴＤＩセンサ７の電荷蓄積方向の幅は、Ｔ
ＤＩセンサ７の１画素の物理的な大きさから決まるもの
でなく、欠陥検査装置の検査倍率すなわち結像レンズ６
による検査倍率によって定まる１画素当たりの大きさか
ら換算して決定される。
幅は、ラインの段数ｎに応じてそれぞれ異なる値となっ
ている。このＴＤＩセンサ７の電荷蓄積方向の幅は、Ｔ
ＤＩセンサ７の１画素の物理的な大きさから決まるもの
でなく、欠陥検査装置の検査倍率すなわち結像レンズ６
による検査倍率によって定まる１画素当たりの大きさか
ら換算して決定される。
【００３１】従って、ＴＤＩセンサ７の電荷蓄積方向の
幅は、複数の検査倍率を選択するために用意されている
複数の結像レンズ６によって定まる各検査倍率に応じて
複数の値が予め格納されており、画像読み出し補正部２
１は、検査倍率に応じたＴＤＩセンサ７の電荷蓄積方向
の幅を選択して補正指令と共に展開回路１０に送出する
機能を有している。
幅は、複数の検査倍率を選択するために用意されている
複数の結像レンズ６によって定まる各検査倍率に応じて
複数の値が予め格納されており、画像読み出し補正部２
１は、検査倍率に応じたＴＤＩセンサ７の電荷蓄積方向
の幅を選択して補正指令と共に展開回路１０に送出する
機能を有している。
【００３２】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。
いて説明する。
【００３３】マスク１は、ガラス基板上に半導体装置の
回路パターンを形成したもので、半導体製造方法の露光
工程においてその回路パターンを半導体ウエハ上に転写
するために用いられる。このマスク１は、ガラス基板上
に半導体装置の回路パターンを形成して製造される。
回路パターンを形成したもので、半導体製造方法の露光
工程においてその回路パターンを半導体ウエハ上に転写
するために用いられる。このマスク１は、ガラス基板上
に半導体装置の回路パターンを形成して製造される。
【００３４】このマスク１は、ＸＹステージ２上に載置
され、このＸＹステージ２の駆動により上記図６に示す
ように、ＴＤＩセンサ７がＹ方向に沿って走査し、次に
Ｘ方向にＴＤＩセンサ７の長さ分だけ移動し、次に走査
方向を反対に切り換えて−Ｙ方向に沿って走査し、これ
以降、Ｘ方向にＴＤＩセンサ７の長さ分だけ移動し、Ｙ
方向に沿って走査することを繰り返してマスク１の全体
を走査するするように移動される。
され、このＸＹステージ２の駆動により上記図６に示す
ように、ＴＤＩセンサ７がＹ方向に沿って走査し、次に
Ｘ方向にＴＤＩセンサ７の長さ分だけ移動し、次に走査
方向を反対に切り換えて−Ｙ方向に沿って走査し、これ
以降、Ｘ方向にＴＤＩセンサ７の長さ分だけ移動し、Ｙ
方向に沿って走査することを繰り返してマスク１の全体
を走査するするように移動される。
【００３５】レーザ出力装置３は、露光用の所定波長の
レーザ光を出力する。このレーザ光は、ミラー４、集光
レンズ５を通してマスク１に照射される。このマスク１
を通過したレーザ光は、結像レンズ６によりＴＤＩセン
サ７上に結像される。
レーザ光を出力する。このレーザ光は、ミラー４、集光
レンズ５を通してマスク１に照射される。このマスク１
を通過したレーザ光は、結像レンズ６によりＴＤＩセン
サ７上に結像される。
【００３６】このＴＤＩセンサ７は、結像レンズ６によ
り結像されたマスク１の像を撮像してその画像信号を出
力する。このとき、マスク１は、ＸＹステージ２の駆動
によりＸＹ方向に移動するので、ＴＤＩセンサ７は、上
記図６に示すようにＹ方向（往路）に沿って走査し、次
にＸ方向にＴＤＩセンサ７の長さ分だけ移動し、次に走
査方向を反対に切り換えて−Ｙ方向（復路）に沿って走
査し、これ以降、Ｘ方向にＴＤＩセンサ７の長さ分だけ
移動し、Ｙ方向に沿って走査することを繰り返して最終
的にマスク１の全体を走査する。
り結像されたマスク１の像を撮像してその画像信号を出
力する。このとき、マスク１は、ＸＹステージ２の駆動
によりＸＹ方向に移動するので、ＴＤＩセンサ７は、上
記図６に示すようにＹ方向（往路）に沿って走査し、次
にＸ方向にＴＤＩセンサ７の長さ分だけ移動し、次に走
査方向を反対に切り換えて−Ｙ方向（復路）に沿って走
査し、これ以降、Ｘ方向にＴＤＩセンサ７の長さ分だけ
移動し、Ｙ方向に沿って走査することを繰り返して最終
的にマスク１の全体を走査する。
【００３７】従って、ＴＤＩセンサ７は、ｎ段分蓄積し
た電荷を１ライン毎にセンサ画像データ９として出力
し、マスク１の全体に対する走査が終了することにより
マスク１の全体のセンサ画像データ９が取得される。
た電荷を１ライン毎にセンサ画像データ９として出力
し、マスク１の全体に対する走査が終了することにより
マスク１の全体のセンサ画像データ９が取得される。
【００３８】このようにＴＤＩセンサ７によりマスク１
の全体を走査して１ライン毎のセンサ画像データ９を出
力するとき、画像読み出し補正部２１は、ステージ駆動
部２０によるＸＹステージ２の移動方向（ＴＤＩセンサ
７によるマスク１上への走査方向）のデータを受け、上
記図６に示すようにＴＤＩセンサ７によりマスク１上を
Ｙ方向に走査しているときには、図２(a)に示すように
ｎ段目のラインから画像を読み出すと共に、展開回路１
０に対してＴＤＩセンサ７のｎ段目の走査位置に一致す
る１ライン分の座標位置のマスク１の参照データ１２を
展開させる補正指令を展開回路１０に対して送出する。
の全体を走査して１ライン毎のセンサ画像データ９を出
力するとき、画像読み出し補正部２１は、ステージ駆動
部２０によるＸＹステージ２の移動方向（ＴＤＩセンサ
７によるマスク１上への走査方向）のデータを受け、上
記図６に示すようにＴＤＩセンサ７によりマスク１上を
Ｙ方向に走査しているときには、図２(a)に示すように
ｎ段目のラインから画像を読み出すと共に、展開回路１
０に対してＴＤＩセンサ７のｎ段目の走査位置に一致す
る１ライン分の座標位置のマスク１の参照データ１２を
展開させる補正指令を展開回路１０に対して送出する。
【００３９】又、画像読み出し補正部２１は、ＴＤＩセ
ンサ７によりマスク１上を−Ｙ方向に走査するに切り換
わったときには、同図(b)に示すように１段目のライン
から画像を読み出すと共に、マスク１の参照データ１２
を発生する座標位置をＴＤＩセンサ７の電荷蓄積方向の
幅分だけ減算して補正する補正指令を展開回路１０に対
して送出する。
ンサ７によりマスク１上を−Ｙ方向に走査するに切り換
わったときには、同図(b)に示すように１段目のライン
から画像を読み出すと共に、マスク１の参照データ１２
を発生する座標位置をＴＤＩセンサ７の電荷蓄積方向の
幅分だけ減算して補正する補正指令を展開回路１０に対
して送出する。
【００４０】この画像読み出し補正部２１からの補正指
令を受けて展開回路１０は、上記図６に示すようにＴＤ
Ｉセンサ７によりマスク１上をＹ方向に走査していると
きには、図２(a)に示すようにＴＤＩセンサ７のｎ段目
の走査位置に一致する１ライン分の座標位置のマスク１
の参照データ１２を展開する。
令を受けて展開回路１０は、上記図６に示すようにＴＤ
Ｉセンサ７によりマスク１上をＹ方向に走査していると
きには、図２(a)に示すようにＴＤＩセンサ７のｎ段目
の走査位置に一致する１ライン分の座標位置のマスク１
の参照データ１２を展開する。
【００４１】又、展開回路１０は、上記図６に示すよう
にＴＤＩセンサ７によりマスク１上を−Ｙ方向に走査す
るのに切り換わったときには、図２(b)に示すようにＴ
ＤＩセンサ７の１段目の走査位置に一致する１ライン分
の座標位置のマスク１の参照データ１２を展開する。
にＴＤＩセンサ７によりマスク１上を−Ｙ方向に走査す
るのに切り換わったときには、図２(b)に示すようにＴ
ＤＩセンサ７の１段目の走査位置に一致する１ライン分
の座標位置のマスク１の参照データ１２を展開する。
【００４２】比較回路１３は、ＴＤＩセンサ７の撮像に
より取得された１ライン分のセンサ画像データ９と比較
回路１０で作成された１ライン分の参照データ１２とを
各ライン毎にそれぞれ比較し、実時間でマスク１上の欠
陥１４を検出する。
より取得された１ライン分のセンサ画像データ９と比較
回路１０で作成された１ライン分の参照データ１２とを
各ライン毎にそれぞれ比較し、実時間でマスク１上の欠
陥１４を検出する。
【００４３】このように上記一実施の形態においては、
マスク１をＸＹステージ２の駆動によりＴＤＩセンサ７
に対して走査したときの走査方向に応じてマタク１の参
照データを発生する座標位置をＴＤＩセンサ７の電荷蓄
積方向の幅分だけ補正するようにしたので、千段程度と
いう大きな段数を持つＴＤＩセンサ７を用いて取得され
たマスク１のセンサ画像データ９と参照データ１２とを
各ライン毎にそれぞれ比較して実時間でマスク１上の欠
陥１４を検出する場合でも、マスク１に対するＴＤＩセ
ンサ７による走査方向が切り換わっても実際のセンサ画
像データ９と参照データ１２との間にずれが発生するこ
とはなく、センサ画像データ９と参照データ１２とが整
合し、誤検出など起こらずに信頼性の高い欠陥検査結果
が得られる。
マスク１をＸＹステージ２の駆動によりＴＤＩセンサ７
に対して走査したときの走査方向に応じてマタク１の参
照データを発生する座標位置をＴＤＩセンサ７の電荷蓄
積方向の幅分だけ補正するようにしたので、千段程度と
いう大きな段数を持つＴＤＩセンサ７を用いて取得され
たマスク１のセンサ画像データ９と参照データ１２とを
各ライン毎にそれぞれ比較して実時間でマスク１上の欠
陥１４を検出する場合でも、マスク１に対するＴＤＩセ
ンサ７による走査方向が切り換わっても実際のセンサ画
像データ９と参照データ１２との間にずれが発生するこ
とはなく、センサ画像データ９と参照データ１２とが整
合し、誤検出など起こらずに信頼性の高い欠陥検査結果
が得られる。
【００４４】このようなマスク１の欠陥検査を行うこと
により、欠陥のないマスクを製造できる。
により、欠陥のないマスクを製造できる。
【００４５】なお、本発明は、上記一実施の形態に限定
されるものでなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない
範囲で種々に変形することが可能である。
されるものでなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない
範囲で種々に変形することが可能である。
【００４６】さらに、上記実施形態には、種々の段階の
発明が含まれており、開示されている複数の構成要件に
おける適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出でき
る。例えば、実施形態に示されている全構成要件から幾
つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとす
る課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で
述べられている効果が得られる場合には、この構成要件
が削除された構成が発明として抽出できる。
発明が含まれており、開示されている複数の構成要件に
おける適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出でき
る。例えば、実施形態に示されている全構成要件から幾
つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとす
る課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で
述べられている効果が得られる場合には、この構成要件
が削除された構成が発明として抽出できる。
【００４７】例えば、上記一実施の形態は、次の通り変
形してもよい。
形してもよい。
【００４８】上記図６に示すようにＴＤＩセンサ７によ
りマスク１上をＹ方向に走査しているときに、図２(a)
に示すようにｎ段目のラインから画像を読み出すと共
に、展開回路１０から任意の座標位置、例えばＴＤＩセ
ンサ７の（ｎ／２）段目の走査位置に一致する１ライン
分の座標位置のマスク１の参照データ１２を展開させて
いれば、ＴＤＩセンサ７によりマスク１上を−Ｙ方向に
走査するに切り換わったときには、１段目のラインから
画像を読み出すと共に、マスク１の参照データ１２を発
生する座標位置をＴＤＩセンサ７の電荷蓄積方向の２分
の１幅分だけ減算して補正するようにしてもよい。
りマスク１上をＹ方向に走査しているときに、図２(a)
に示すようにｎ段目のラインから画像を読み出すと共
に、展開回路１０から任意の座標位置、例えばＴＤＩセ
ンサ７の（ｎ／２）段目の走査位置に一致する１ライン
分の座標位置のマスク１の参照データ１２を展開させて
いれば、ＴＤＩセンサ７によりマスク１上を−Ｙ方向に
走査するに切り換わったときには、１段目のラインから
画像を読み出すと共に、マスク１の参照データ１２を発
生する座標位置をＴＤＩセンサ７の電荷蓄積方向の２分
の１幅分だけ減算して補正するようにしてもよい。
【００４９】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、実
際のセンサ画像データと参照データとの間のずれの発生
をなくすことができる画像読み出し補正方法を提供でき
る。
際のセンサ画像データと参照データとの間のずれの発生
をなくすことができる画像読み出し補正方法を提供でき
る。
【００５０】又、本発明によれば、実際のセンサ画像デ
ータと参照データとの間のずれの発生をなくして誤検出
のない正確な欠陥検査ができる欠陥検査装置を提供でき
る。
ータと参照データとの間のずれの発生をなくして誤検出
のない正確な欠陥検査ができる欠陥検査装置を提供でき
る。
【００５１】又、本発明によれば、実際のセンサ画像デ
ータと参照データとの間のずれの発生をなくして誤検出
のない正確なマスクの欠陥検査を行ってマスクを製造で
きるマスクの製造方法を提供できる。
ータと参照データとの間のずれの発生をなくして誤検出
のない正確なマスクの欠陥検査を行ってマスクを製造で
きるマスクの製造方法を提供できる。
【図１】本発明に係わる欠陥検査装置をマスクの製造工
程に適用した場合の一実施の形態を示す構成図。
程に適用した場合の一実施の形態を示す構成図。
【図２】本発明に係わる欠陥検査装置の一実施の形態に
おけるＴＤＩセンサでの画像読み出し位置と参照データ
の展開タイミング座標位置との関係を示す図。
おけるＴＤＩセンサでの画像読み出し位置と参照データ
の展開タイミング座標位置との関係を示す図。
【図３】従来のマスク欠陥検査装置の構成図。
【図４】ＴＤＩセンサの画像読み取り作用を説明するた
めの模式図。
めの模式図。
【図５】ＴＤＩセンサの電荷蓄積方向を切り換えたとき
の画像読み取り作用を説明するための模式図。
の画像読み取り作用を説明するための模式図。
【図６】ＴＤＩセンサの走査方向を示す図。
【図７】ＴＤＩセンサにおける画像読み出し位置と参照
データの展開タイミング座標位置との関係を示す図。
データの展開タイミング座標位置との関係を示す図。
１：マスク ２：ＸＹステージ ３：レーザ出力装置 ４：ミラー ５：集光レンズ ６：結像レンズ ７：蓄積型ラインセンサ（ＴＤＩセンサ） ９：センサ画像データ １０：展開回路 １１：ＣＡＤデータ １２：参照データ １３：比較回路 １４：欠陥 ２０：ステージ駆動部 ２１：画像読み出し補正部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA56 CC18 EE00 FF01 FF04 GG04 HH15 JJ02 JJ25 MM03 PP03 QQ25 QQ27 2G051 AA56 AB02 BA10 BB03 BC06 CA03 CB02 EA11 EA14 5B057 AA03 BA11 CC01 CH01 DA03 DA07 DC32
Claims (7)
- 【請求項１】 複数段のラインで電荷を蓄積する蓄積型
ラインセンサと被検査対象とを相対的に移動させ、前記
蓄積型ラインセンサの撮像により得られる前記被検査対
象の画像データと前記被検査対象の参照データとを比較
して前記被検査対象の検査を行うときに、 前記蓄積型ラインセンサと前記被検査対象との相対的な
移動方向に応じて前記参照データを発生する座標位置を
前記蓄積型ラインセンサの電荷蓄積方向の幅分だけ補正
することを特徴とする画像読み出し補正方法。 - 【請求項２】 前記蓄積型ラインセンサと前記被検査対
象とを相対的に往復移動させるときの往路又は復路のう
ちいずれか一方向の移動のときに、前記参照データを発
生する前記座標位置を前記蓄積型ラインセンサの前記電
荷蓄積方向の幅分だけ加減算して補正することを特徴と
する請求項１記載の画像読み出し補正方法。 - 【請求項３】 前記蓄積型ラインセンサの電荷蓄積方向
の幅は、電荷の蓄積段数及び前記被検査対象を撮像する
倍率に基づいて決定されることを特徴とする請求項１記
載の画像読み出し補正方法。 - 【請求項４】 複数段で電荷を蓄積する蓄積型ラインセ
ンサと被検査対象とを相対的に移動させ、前記蓄積型ラ
インセンサの撮像により得られる前記被検査対象の画像
データと前記被検査対象の参照データとを比較して前記
被検査対象の欠陥検査を行う欠陥検査装置において、 前記蓄積型ラインセンサと前記被検査対象との相対的な
移動方向に応じて前記参照データを発生する座標位置を
前記蓄積型ラインセンサの電荷蓄積方向の幅分だけ補正
する画像読み出し補正手段、を具備したことを特徴とす
る欠陥検査装置。 - 【請求項５】 前記画像読み出し補正手段は、前記蓄積
型ラインセンサと前記被検査対象とを相対的に往復移動
させるときの往路又は復路のうちいずれか一方向の移動
のときに、前記参照データを発生する前記座標位置を前
記蓄積型ラインセンサの前記電荷蓄積方向の幅分だけ加
減算する機能を有することを特徴とする請求項５記載の
欠陥検査装置。 - 【請求項６】 複数段のラインで電荷を蓄積する蓄積型
ラインセンサとマスクとを相対的に移動させて前記マス
クを透過した光を前記蓄積型ラインセンサにより撮像し
て前記マスクの画像データを取得し、かつ前記蓄積型ラ
インセンサと前記マスクとを相対的に移動に同期して前
記蓄積型ラインセンサにより読み取る前記マスクの座標
位置における前記マスクの参照データを発生し、前記画
像データと前記参照データとを比較して前記マスクの欠
陥検査を行う欠陥検査装置において、 前記蓄積型ラインセンサと前記マスクとの相対的な移動
方向に応じて前記参照データを発生する座標位置を前記
蓄積型ラインセンサの電荷蓄積方向の幅分だけ補正する
画像読み出し補正手段、を具備したことを特徴とする欠
陥検査装置。 - 【請求項７】 ガラス基板上に半導体装置の回路パター
ンを形成してマスクを製造するマスクの製造方法におい
て、 複数段のラインで電荷を蓄積する蓄積型ラインセンサと
前記マスクとを相対的に移動させ、前記蓄積型ラインセ
ンサの撮像により得られる前記マスクの画像データと前
記マスクの参照データとを比較して前記被検査対象の欠
陥検査を行うときに、前記蓄積型ラインセンサと前記マ
スクとの相対的な移動方向に応じて前記参照データを発
生する座標位置を前記蓄積型ラインセンサの電荷蓄積方
向の幅分だけ補正する工程、を有することを特徴とする
マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000201133A JP2002022673A (ja) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | 画像読み出し補正方法、欠陥検査装置、マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000201133A JP2002022673A (ja) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | 画像読み出し補正方法、欠陥検査装置、マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002022673A true JP2002022673A (ja) | 2002-01-23 |
Family
ID=18698879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000201133A Pending JP2002022673A (ja) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | 画像読み出し補正方法、欠陥検査装置、マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002022673A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7076394B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-07-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and device for inspecting an object using a time delay integration sensor |
-
2000
- 2000-07-03 JP JP2000201133A patent/JP2002022673A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7076394B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-07-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and device for inspecting an object using a time delay integration sensor |
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