JP2002016762A - 画像読取方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 原稿等の読み取り速度等の向上を図る。 【解決手段】 ＣＣＤ１のライン状受光素子列間の間隔
がＮ本の読み取りラインずつ隔てて形成されたＭ本のラ
イン状受光素子列２−ｉ（ｉは１、２、…、Ｍのうちの
１つ）によって原稿上のＭ本の読み取りラインは同時に
読み取られる。この同時読み取り終了時に、原稿は読み
取られた読み取りラインからＬ本の読み取りライン先ま
で移動される。この移動の間に、読み取られた読み取り
ラインの読み取り画信号は、対応するＡ／Ｄ変換回路３
−ｉを経て対応するメモリ領域６−ｉに蓄積される。移
動された読み取りライン先での同時読み取りとその蓄積
を順次行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は画像読取方法及びそ
の装置に関し、特に複数本の読み取りラインを同時に読
み取るＣＣＤ（Ｃharge Ｃoupled Ｄevice）を使用した
画像読取方法及びその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、画像読取装置（スキャナ）は、１
本の読み取りラインの画素数のモノクロＣＣＤを１列に
配列した受光素子列で原稿を読み取るようにしているの
で、画像読取装置によって原稿全体を読み取るのには、
図１７に示すように、受光素子列で副走査方向に１本の
読取ラインずつ読み取って行かなければならない。な
お、図１７中のＡは、読み取られる読み取りラインを示
し、Ａ１、Ａ２、…は、それぞれの読み取りラインから
読み取られた読み取り画信号を示している。その読み取
り速度を高速化するには、１本の読み取りラインの走査
時間（以下、読み取り時間ともいう）を短縮する、すな
わち、１本の読み取りラインを読むときのＣＣＤ内の受
光部の蓄積時間を短縮することが一般的であった。

【０００３】蓄積時間を短縮すると、蓄積光量が減少
し、ノイズ等の影響が大きく出るようになる。蓄積光量
を減少させずに蓄積時間を短縮させるには、光源の光量
を読み取り速度に応じて上げるか、ＣＣＤの感度を上げ
るかのいずれかの方法に依存していた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前述した２つの方法の
うち、光源の光量を読み取り速度に応じて上げた場合に
は、光量を上げるための消費電力の増加および発熱の問
題があり、経済的でなく、しかも光源の発熱に対する対
策が必要であった。また、ＣＣＤの感度を上げる方法で
は、ＣＣＤの高感度化が容易でなく、高価なＣＣＤを使
用せざるを得なかった。

【０００５】また、読み取り速度の高速化に伴って、そ
の他の回路部分でのデータ処理を高速化することが必要
になり、したがって、上記回路部分も高速な回路素子を
使用しなければならなくなり、その回路部分のコストも
上昇してしまうという不具合もあった。

【０００６】本発明は、上述の事情に鑑みてなされたも
ので、画像読み取りの高速化を経済的かつ効率的に実現
できる画像読取方法及びその装置を提供することをその
目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、被読み取り面上の読み取り
ラインを副走査方向に読み取って読み取った上記読み取
りラインの画信号を出力する画像読取方法に係り、同時
に読み取られる読み取りライン本数Ｍ（Ｍは２以上の自
然数）と、同時に読み取られる上記読み取りライン間の
読み取りライン本数Ｎ（Ｎは２以上の自然数）と、上記
同時読み取りの終了毎に読み取られた読み取りラインか
ら副走査方向に進める読み取りライン本数Ｌ（Ｎは自然
数）とを、上記被読み取り面上の最初の読み取りライン
から最後の読み取りラインへの順次の上記同時読み取り
を１回行うときに生ずる読み取りラインの読み取り抜け
本数を許容し得る数までとしつつ、上記被読み取り面上
の読み取りラインを読み取り得る値に選定し、同時読み
取りの終了時に、上記Ｌ本の読み取りラインだけ副走査
方向に進めて次回の上記同時読み取りを行う動作を順次
繰り返して上記被読み取り面上の読み取りラインを読み
取り、読み取った上記読み取りラインの画信号を出力す
ることを特徴としている。

【０００８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の画
像読取方法に係り、上記１回の読み取りで生ずる読み取
りラインの読み取り抜け本数がない値に、上記Ｍ、上記
Ｎ及び上記Ｌを選定したことを特徴としている。

【０００９】請求項３記載の発明は、請求項２記載の画
像読取方法に係り、上記被読み取り面上の最初の読み取
りラインは、上記被読み取り面上の正規に読み取られる
べき最初の読み取りラインから上記Ｍ、上記Ｎ及び上記
Ｌの値に応じて決まる所定本数の読み取りラインだけ副
走査方向へ遡った読み取りラインであり、上記最後の読
み取りラインは、上記被読み取り面上の正規に読み取ら
れるべき最後の読み取りラインから上記Ｍ、上記Ｎ及び
上記Ｌの値に応じて決まる所定本数の読み取りラインだ
け副走査方向へ進んだ読み取りラインであり、出力され
る上記読み取りラインの画信号は、上記正規に読み取ら
れるべき最初の読み取りラインから上記正規に読み取ら
れるべき最後の読み取りラインまでの各読み取りライン
の画信号であることを特徴としている。

【００１０】請求項４記載の発明は、原稿上の読み取り
ラインを副走査方向に読み取って読み取った上記読み取
りラインの画信号を出力する画像読取装置に係り、上記
副走査方向において異なった原稿上の上記読み取りライ
ンであり、かつ、各読み取りラインの間隔が副走査方向
にＮ本（Ｎは２以上の自然数）の読み取りライン隔てら
れているＭ本（Ｍは２以上の自然数）の読み取りライン
を同時に読み取ることができる受光素子を有する読み取
りデバイスと、上記同時読み取りの終了毎に、上記原稿
と上記読み取りデバイスとを読み取られた読み取りライ
ンから副走査方向へＬ本（Ｌは自然数）の読み取りライ
ンだけ相対的に移動させる移動手段と、上記読み取りデ
バイスで読み取った上記読み取りラインの画信号を上記
副走査方向の読み取りライン順に出力する画信号出力手
段とを有し、上記Ｍ、上記Ｎ及び上記Ｌは、上記原稿上
の最初の読み取りラインから最後の読み取りラインへの
順次の上記同時読み取りを１回行うことで、上記原稿上
の読み取りラインの読み取り抜けなく上記原稿上の読み
取りラインを読み取り得る値に選定したことを特徴とし
ている。

【００１１】請求項５記載の発明は、請求項４記載の画
像読取装置に係り、上記Ｍ、上記Ｎ及び上記Ｌは、Ｍ≧
２で、Ｎ≧１＋Ｍで、Ｌ＝Ｎ−１であるように上記Ｍ、
上記Ｎ及び上記Ｌを選定したことを特徴としている。

【００１２】請求項６記載の発明は、請求項５記載の画
像読取装置に係り、上記Ｎは、Ｎ＝１＋Ｍに選定したこ
とを特徴としている。

【００１３】請求項７記載の発明は、請求項４記載の画
像読取装置に係り、上記Ｍ、上記Ｎ及び上記Ｌは、Ｍ≧
２で、Ｌ＝Ｍで、ＬとＮとの最大公約数が１であるよう
に上記Ｍ、上記Ｎ及び上記Ｌを選定したことを特徴とし
ている。

【００１４】請求項８記載の発明は、請求項４記載の画
像読取装置に係り、上記Ｍ、上記Ｎ及び上記Ｌは、Ｍ≧
２で、１＜Ｌ≦Ｍで、ＬとＮとの最大公約数が１である
ように上記Ｍ、上記Ｎ及び上記Ｌを選定したことを特徴
としている。

【００１５】請求項９記載の発明は、請求項８記載の画
像読取装置に係り、上記Ｍ及び上記Ｌは、Ｍ＝Ｌである
ように上記Ｍ及び上記Ｌを選定したことを特徴としてい
る。

【００１６】請求項１０記載の発明は、請求項８記載の
画像読取装置に係り、上記Ｍ及び上記Ｌは、１＜１＋Ｌ
＜１＋Ｍでであるように上記Ｍ及び上記Ｌを選定したこ
とを特徴としている。

【００１７】請求項１１記載の発明は、請求項４乃至１
０のいずれか一に記載の画像読取装置に係り、上記画信
号出力手段は、上記読み取りデバイスから出力されたＭ
本の読み取りラインの画信号をアナログ／ディジタル変
換するアナログ／ディジタル変換回路と、該アナログ／
ディジタル変換回路で変換された画素データを格納する
記憶手段と、該記憶手段に格納された画素データを副走
査方向の読み取りライン順で読み出す読み出し制御回路
とを有することを特徴としている。

【００１８】請求項１２記載の発明は、請求項１１記載
の画像読取装置に係り、上記読み取りデバイスは、上記
原稿の正規に読み取られるべき最初の読み取りラインか
ら上記Ｍ、上記Ｎ及び上記Ｌの値に応じて決まる所定本
数の読み取りラインだけ副走査方向へ遡った読み取りラ
インから読み取りラインの読み取りを行い、正規に読み
取られるべき最後の読み取りラインからＭ、Ｎ及びＬの
値に応じて決まる所定本数の読み取りラインだけ副走査
方向へ進んだ読み取りラインまで読み取りラインの読み
取りを行い、上記記憶手段は、上記Ａ／Ｄ変換で変換さ
れた画素データであって上記原稿の正規に読み取られる
べき読み取りラインについて上記アナログ／ディジタル
変換回路から出力された画素データのみを記憶すること
を特徴としている。

【００１９】請求項１３記載の発明は、請求項１１又は
１２記載の画像読取装置に係り、上記読み取りデバイス
は、カラー読み取りデバイスとし、上記上記画信号出力
手段の上記アナログ／ディジタル変換回路と上記記憶手
段との間に濃度補正用の画像処理回路を設けたことを特
徴としている。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。説明は、実施例を用い
て具体的に説明する。 ◇第１実施例 図１は、この発明の第１実施例である画像読取装置の電
気的構成を示す図、図２は、同画像読取装置で同時に読
み取られる読み取りラインの幾何学的配置及びその寸法
を示す斜視図、図３は、ＣＣＤのライン状受光素子列と
読み取りラインとの関係を示す図、図４は、同画像読取
装置の原稿読み取りタイミングを示すタイミングチャー
ト、図５は、同画像読取装置の原稿送りタイミングを示
すタイミングチャート、図６は、同画像読取装置により
原稿を正しく読み取り得る場合を説明するための図、ま
た、図７は、同画像読取装置で選定し得るライン状受光
素子列数と読み取りライン間間隔の使用の可否を示す図
である。

【００２１】この実施例の画像読取装置１００は、複数
本のライン状受光素子列に対して原稿を一定速度で移動
しながら複数本のライン状受光素子列により複数本の読
取ラインを同時に読み取って画像読み取りの高速化を経
済的かつ効率的に達成する装置に係り、それぞれ１本の
読み取りラインを読み取る同等な特性を有するＭ本のラ
イン状受光素子列２−ｉ（ｉは１、２、…、Ｍのうちの
いずれかである）を有するＣＣＤ１と、Ｍ本のライン状
受光素子列２−ｉの出力別に接続されたアナログ／ディ
ジタル変換回路（以下、Ａ／Ｄ変換回路という）（図１
ではＡ／Ｄで表す）３−ｉと、Ａ／Ｄ変換回路３−ｉの
出力別に接続されたメモリ６のメモリ領域６−ｉと、読
取制御回路９と、モータドライバ１０と、モータ１１
と、メモリ制御回路１２とから概略構成されている。

【００２２】ＣＣＤ１のライン状受光素子列２−ｉは、
読取制御回路９からのクロックパルスおよびトリガー信
号に基づいて、対応する読み取りラインから読み取られ
た読み取り画信号２０−ｉを出力する。クロックパルス
（図４のＣＫ）は、主走査方向の画素タイミング毎に発
生されるクロック、すなわち、画信号の画素クロックで
ある。トリガ信号（図４のＴＧ）は、ＣＣＤ１の蓄積及
び読み取りの出力制御タイミング信号で、１本の読み取
りラインの読み取り終了毎に発生する。

【００２３】そのライン状受光素子列２−ｉの各々は、
Ｎ本の読み取りライン（Ｎは２以上の整数）ずつ離れて
平行に配置され、各ライン状受光素子列が読み取る読み
取りライン状受光素子列２−ｉと隣り合うライン状受光
素子列２−（ｉ−１）、２−（ｉ＋１）との間隔、すな
わち、ライン状受光素子列２−ｉによって読み取られる
読み取りラインの隣の読み取りラインからライン状受光
素子列２−（ｉ−１）、２−（ｉ＋１）によって読み取
られる読み取りラインまでの間隔（上記読み取りライン
間の読み取りライン本数）をライン状受光素子列間隔と
いう。そして、ＣＣＤのライン状受光素子列の本数Ｍ
と、ライン状受光素子列間隔（ライン間隔）Ｎと、読み
取りラインの移動速度（１読み取り時間に移動する距
離）Ｌとの間に、Ｍ≧２、Ｎ≧１＋Ｍ、Ｌ＝Ｎ−１なる
関係を設定してこの実施例は構成される。これら３つの
式を以下式（１）と呼ぶ。この関係のうち最も望ましい
のは、Ｎ＝Ｍ＋１である。

【００２４】前述した式（１）のＮ≧Ｍ＋１なる条件を
満たさなければならない理由を説明する。ＣＣＤ１のラ
イン状受光素子列間隔であるＮの値が（Ｍ＋１）よりも
小さい場合、例えば、上述したＮ＝Ｍの場合、ライン状
受光素子列２−ｉで重複して読み取りが行われる読み取
りラインが複数発生する。この重複読み取りを避けるた
めの条件が式（１）の条件Ｎ≧Ｍ＋１である。なお、Ｎ
＝Ｍ＋１であることが最も望ましいが、Ｎ＞Ｍ＋１であ
ってもよい。ただし、この場合には、原稿の読み取りの
最初と最後の部分で読み取られない読み取りライン、す
なわち、読み取り抜けの読み取りラインの数が増える。

【００２５】なお、ＣＣＤ１に形成されるべきライン状
受光素子列数を３とする場合には、従来使用されている
カラー画像読取用ＣＣＤのＲＧＢのカラーフィルタを除
去したものの構造とほぼ同一構造で形成できる。従来の
カラー画像読取用ＣＣＤは、ＲＧＢ別の３本のライン状
受光素子列が形成され、さらに、ＲＧＢ別のカラーフィ
ルタを３本のライン状受光素子列に形成したものであ
る。従来のカラー画像読取用ＣＣＤの製造工程の中でＣ
ＣＤ１を製造する場合には、その製造工程の中のカラー
フィルタの皮膜工程を省き、３本のライン状受光素子列
を、例えば、４本の読み取りラインずつ離れて形成され
るように設定してＣＣＤ１を製造する。

【００２６】Ａ／Ｄ変換回路３−ｉは、それぞれライン
状受光素子列２−ｉから出力される読み取り画信号２０
−ｉをＡ／Ｄ変換する。メモリ６は、メモリ領域６−ｉ
を有する。メモリ領域６−ｉは、後述するメモリ制御回
路１２の制御の下に、Ａ／Ｄ変換回路３−ｉでＡ／Ｄ変
換された１本の読み取りラインの画素データをそれぞれ
順次蓄積し、原稿の副走査方向の読み取りライン順に１
本の読み取りラインの画素データを出力する。メモリ領
域６−ｉは、それぞれ原稿の１／Ｍ頁分の画素データを
記憶できる容量を有し、メモリ領域６−ｉ全体で最大１
頁分の画素データを記憶する。

【００２７】読取制御回路９は、トリガ信号ＴＧの発生
に基づいてＣＣＤ１による１回の読み取り終了毎にモー
タ１１にモータ制御パルスＭＰを供給する。このモータ
制御パルスＭＰには、原稿から正規に読み取られるべき
読み取りライン（以下、正規読み取りラインという）の
うちの最初の正規読み取りラインよりＭ、Ｎ及びＬの値
に応じて決まる所定数の読み取りラインだけ副走査方向
へ遡った読み取りラインから各読み取りラインの読み取
り終了毎にモータ１１に供給されるモータ制御パルスＭ
Ｐと、正規読み取りラインから最後の正規読み取りライ
ンまで、各正規読み取りラインの読み取り終了毎にモー
タ１１に供給されるモータ制御パルスＭＰと、最後の正
規読み取りラインからＭ、Ｎ及びＬの値に応じて決まる
所定数の読み取りラインだけ副走査方向へ進んだ読み取
りラインまでの各読み取りラインの読み取り終了毎にモ
ータ１１に供給されるモータ制御パルスＭＰとがある。
これらのモータ制御パルスＭＰは、いずれも、原稿を
（Ｎ−１）本の読み取りラインだけ進ませるのに用いら
れる制御パルスである。

【００２８】モータドライバ１０は、モータ制御パルス
ＭＰを受けてモータ１１にドライブ信号を供給する。モ
ータ１１は、原稿をＣＣＤ１の読み取り面に沿って搬送
されて行くように、モータドライバ１０から供給される
ドライバ信号によって図示しない原稿搬送機構を動作さ
せて原稿を読み取った読み取りラインから（Ｎ−１）本
の読み取りラインだけ進ませる。

【００２９】メモリ制御回路１２は、メモリ領域６−ｉ
への画素データの蓄積及びその読み出しを行うのに、次
に述べる各信号をメモリ領域６−ｉに順次供給する。す
なわち、原稿の最初の正規読み取りラインの読み取り前
に読み取られる各読み取りラインが読み取られるときに
は、それら読み取りラインの画素データのメモリ領域６
−ｉへの書き込みを停止させる書き込み停止信号をメモ
リ領域６−ｉに対して順次供給する。最初の正規読み取
りラインから最後の正規読み取りラインまでの各読み取
りが行われるときには、メモリ制御回路１２は、順次読
み取られる正規読み取りラインの画素データを対応する
メモリ領域に順次蓄積させるメモリ選択信号とアドレス
信号とをメモリ領域６−ｉに対して順次供給する。

【００３０】そして、原稿の最後の読み取りラインの読
み取り後に読み取られる各読み取りラインが読み取られ
るときには、それら読み取りラインの画素データのメモ
リ領域６−ｉへの書き込みを停止させる書き込み停止信
号をメモリ領域６−ｉに対して順次供給する。上述した
各正規読み取りラインの読み取り終了、すなわち、メモ
リ領域６−ｉへの画素データの蓄積が完了した後に、読
み取りを開始した読み取りライン側から順に読み出すた
めのメモリ選択信号とアドレス信号とをメモリ領域６−
ｉに対して順次供給する。

【００３１】次に、図１〜図７を参照して、この実施例
の動作について説明する。動作の説明を簡潔にする都合
上、ライン状受光素子列の本数Ｍを３とし、Ｎを４と
し、Ｌを３とする場合について実施例の動作を説明す
る。その場合に、３本のライン状受光素子列は、それぞ
れ２−１、２−２、２−３で参照され、ライン状受光素
子列２−１、２−２、２−３から各別に出力される読み
取り画信号は、それぞれ２０−１、２０−２、２０−３
で参照され、３つのＡ／Ｄ変換回路は、それぞれ３−
１、３−２、３−３で参照され、３つのメモリ領域は、
それぞれ６−１、６−２、６−３で参照される。この場
合の各ライン状受光素子列間は３本の読み取りライン空
いている。メモリ領域６−１、６−２、６−３の蓄積容
量は、それぞれ原稿の１／３頁分の正規読み取りライン
の画素データを蓄積し得る容量である。したがって、メ
モリ領域６−１、６−２、６−３全体では、最大１頁内
の全正規読み取りラインの画素データを蓄積し得る。

【００３２】今、画像読取装置１００内に原稿が正しく
置かれた状態におけるＣＣＤ１の各ライン状受光素子列
と原稿との位置関係は、ライン状受光素子列２−１が、
原稿上の正規読み取りラインから副走査方向に遡ること
６本目の読み取りライン（読み取り開始ライン）（図６
のＡ１。但し、Ａ１は後述するようにライン状受光素子
列２−１によって対応する読み取り開始ラインから読み
取られた読み取り画信号）上に位置し、ライン状受光素
子列２−２、２−３は、読み取り開始ラインから、それ
ぞれ、副走査方向へ４本の読み取りラインずつ隔てた読
み取りライン（図６のＢ１、Ｃ１。但し、Ｂ１、Ｃ１は
後述するようにライン状受光素子列２−２、２−３によ
って対応する読み取り開始ラインより副走査方向へ４本
の読み取りラインずつ進んだ読み取りラインから読み取
られた読み取り画信号）上に位置した状態にあるとす
る。この状態において、図示しない光源からの照射光に
よる原稿の反射光を受光する各ライン状受光素子列２−
１、２−２、２−３（図２、図３）によって同時に１本
の読み取りラインずつの読み取りが行われる。

【００３３】すなわち、読取制御回路９から順次供給さ
れるクロックパルスＣＫ（図４のＣＫ）に基づいて各ラ
イン状受光素子列２−１、２−２、２−３から１本の読
み取りラインの読み取り画信号２０−１、２０−２、２
０−３が同時に発生される。１本の読み取りラインの読
み取り画信号２０−１、２０−２、２０−３を以下、単
に、読み取り画信号２０−１、２０−２、２０−３とい
う。図６では、各読み取り動作におけるＣＣＤ１のライ
ン状受光素子列２−１、２−２、２−３によって読み取
られる原稿の読み取りラインは、いずれもＡ、Ｂ、Ｃで
示してある。そして、１回目の読み取りにおいて、ＣＣ
Ｄ１のライン状受光素子列２−１、２−２、２−３によ
って読み取られた読み取り画信号２０−１、２０−２、
２０−３は、図６ではＡ１、Ｂ１、Ｃ１で示してある。

【００３４】上記１回目の読み取りを最初の正規読み取
りラインより６本の読み取りラインだけ前から行うの
は、原稿の正規読み取りラインの読み取り抜けを防止す
るためである。その理由は、次の通りである。

【００３５】図６から明らかなように、ＣＣＤ１により
原稿をその最初の正規読み取りライン（図６のＡ１に対
応する１回目の読み取りライン）から読み取ろうとする
と、ライン状受光素子列２−１による１回目の読み取り
で読み取られる正規読み取りラインＡからライン状受光
素子列２−１による３回目の読み取りで読み取られる正
規読み取りラインＡの間には、読み取られない正規読み
取りラインが存在する。すなわち、ライン状受光素子列
２−１による１回目の読み取りラインＡから数えて２番
目、３番目および６番目の正規読み取りライン（図６の
Ａ１とＡ２に対応する読み取りライン間にある２本の読
み取りラインと、Ｂ１とＡ３に対応する読み取りライン
間にある１本の読み取りライン）は読み取られない。し
たがって、それら３本の正規読み取りラインからも読み
取らなければならない読み取り画信号が抜けてしまうこ
とになる。

【００３６】そこで、このような正規読み取りラインの
読み取り抜けを防止して原稿内のすべての正規読み取り
ラインが読み取られるように、Ｍ＝３、Ｎ＝４、Ｌ＝３
とした場合においては、原稿の最初の正規読み取りライ
ンより副走査方向へ連続して６本の読み取りラインだけ
遡った読み取りラインからＣＣＤ１による読み取りを開
始させるようにしたのである。

【００３７】ＣＣＤ１のライン状受光素子列２−１、２
−２、２−３が４（＝Ｎ）読み取りライン毎に離れて配
置されているので、原稿を読み取った読み取り画信号２
０−１、２０−２、２０−３もそれぞれ４本の読み取り
ラインだけ離れた読み取りラインの読み取り画信号とな
る。

【００３８】この３本の読み取りラインの移動が行われ
ている間に、上述のようにして、同時に出力された読み
取り画信号２０−１、２０−２、２０−３は、Ａ／Ｄ変
換回路３−１、３−２、３−３によってＡ／Ｄ変換さ
れ、そのＡ／Ｄ変換された１本の読み取りラインの画素
データは、メモリ領域６−１、６−２、６−３へ供給さ
れる。

【００３９】しかし、メモリ領域６−１，６−２へ供給
される１本の読み取りラインの画素データは、正規読み
取りラインのものではなく、非正規読み取りラインのも
の（以下、非正規読み取りラインの画素データと略称す
る）である。したがって、Ａ／Ｄ変換回路３−１、３−
２から出力される非正規読み取りラインの画素データを
メモリ領域６−１，６−２に蓄積させないように、メモ
リ制御回路１２は書き込み停止信号をメモリ領域６−
１、６−２に供給する。これにより、メモリ領域６−
１，６−２への非正規読み取りラインの画素データの蓄
積は行われない。

【００４０】しかし、メモリ領域６−３へ供給される１
本の読み取りラインの画素データは、正規読み取りライ
ン（図６）のもの（以下、正規読み取りラインの画素デ
ータと略称する）であるので、メモリ領域６−３へは書
き込み信号がメモリ制御回路１２から供給され、その１
本の読み取りラインの画素データは、メモリ領域６−３
に蓄積される。

【００４１】ライン状受光素子列２−１、２−２、２−
３による読み取り完了後に、原稿は、今回の読み取ライ
ンから３本の読み取りライン先の読み取りラインまで搬
送される。この動作は、上述したライン状受光素子列２
−１、２−２、２−３による読み取りラインの読み取り
の完了（ＣＣＤ１による１回目の読み取り終了）、すな
わち、図４に示す最後のクロックパルスＣＫが供給され
る受光素子での画素の読み取り完了（走査完了）後に、
次のトリガ信号ＴＧが発生される。読取制御回路９は、
上記次のトリガ信号ＴＧに基づいてモータ制御パルスＭ
Ｐを発生する。

【００４２】モータドライバ１０は、読取制御回路９か
ら供給されるモータ制御パルスＭＰによってモータ１１
を駆動するドライブ信号を発生する。このドライブ信号
を受けたモータ１１は、原稿を副走査方向に読み取った
読み取りラインから１本の読み取りラインだけ移動させ
るのではなく、３（＝Ｎ−１）本の読み取りライン移動
させる。このようにして、原稿は、モータ制御パルスＭ
Ｐの発生によって３本の読み取りライン先へ副走査方向
に移動させられる。

【００４３】メモリ領域６−１、６−２への蓄積は行わ
れないが、メモリ領域６−３への蓄積が行われてその蓄
積が終了する時刻には、原稿は、今回の読み取りライン
から上述した３本の読み取りライン先の読み取りライン
まで移動されている（図６）。この移動された読み取り
ラインにおいては、ライン状受光素子列２−２、２−３
は、原稿の正規読み取りライン上に位置しているが、ラ
イン状受光素子列２−１は、依然として、非性読み取り
ライン上に位置している。

【００４４】この読み取りライン位置において、３本の
ライン状受光素子列２−１、２−２、２−３の各々によ
る１本の読み取りラインの読み取りが行われ、読み取ら
れた読み取り画信号２０−１、２０−２、２０−３はＡ
／Ｄ変換される。この２回目の読み取りで読み取られる
読み取り画信号は、図６では、Ａ２、Ｂ２、Ｃ２で示し
てある。Ａ／Ｄ変換された１本の読み取りラインの画素
データのうち、Ａ／Ｄ変換回路３から出力された１本の
読み取りラインの画素データは、上述したように、非正
規読み取りラインのものであるので、メモリ制御回路１
２から書き込み停止信号がメモリ領域６−１に供給され
てメモリ領域６−１への蓄積は行われない。

【００４５】しかし、Ａ／Ｄ変換回路３−２、３−３か
ら出力された１本の読み取りラインの画素データは、上
述したように、正規読み取りラインのものであるので、
メモリ制御回路１２から書き込み信号がメモリ領域６−
２、６−３へ供給されてメモリ領域６−２、６−３への
蓄積が行われる。

【００４６】原稿が移動されて来て２回目の読み取りが
行われるべき読み取りラインにつき読み取りが行われ、
原稿が今読み取った読み取りラインから３本の読み取り
ライン先へ、さらに、移動されて来たときには、ライン
状受光素子列２−２、２−３が、正規読み取りライン上
に位置していることは言うまでもないが、ライン状受光
素子列２−１も、また、正規読み取りライン上に位置し
ている。この位置において、上述した読み取り動作と同
様にして、３回目の読み取り動作が行われる。この３回
目の読み取り動作で読み取られた読み取り画信号は、図
６では、Ａ３、Ｂ３、Ｃ３で示してある。

【００４７】３回目の読み取り動作で読み取られる読み
取り画信号は、いずれも、正規読み取りラインのもので
ある。したがって、それらの読み取り画信号をＡ／Ｄ変
換した１本の読み取りラインの画素データの各々が、対
応するメモリ領域６−１、６−２、６−３へ供給される
時刻には、メモリ制御回路１２からメモリ領域６−１、
６−２、６−３へ書き込み信号が供給されるので、１本
の読み取りラインの画素データの各々は、メモリ領域６
−１、６−２、６−３に蓄積される。４回目以降の読み
取り、蓄積動作から、ライン状受光素子列２−３が正規
に読み取られるべき最後の正規読み取りラインまで到達
して読み取り、蓄積動作を完了する回までは、３回目の
読み取り、蓄積動作と同様であり、順次継続されて行
く。

【００４８】上述したように、ライン状受光素子列２−
３が正規に読み取られるべき最後の正規読み取りライン
まで到達して読み取り、蓄積動作（以下、読み取り、蓄
積動作完了前２回目の読み取り、蓄積動作という）の完
了時に、読取制御回路９は、モータ制御パルスＭＰを出
力してモータ１１を駆動し、原稿を３本の読み取りライ
ン先の読み取りラインまで進ませる。この時刻には、ラ
イン状受光素子列２−１、２−２、２−３は、いずれ
も、読み取り、蓄積動作完了前２回目の読み取り、蓄積
動作時に位置していた読み取りラインから３本の読み取
りライン先の読み取りラインに位置させられている。

【００４９】ライン状受光素子列２−１、２−２、２−
３が読み取り、蓄積動作完了前１回目の読み取りライン
上に位置されたときの読み取りラインは、ライン状受光
素子列２−１、２−２が位置している読み取りラインに
ついては正規読み取りライン（ライン状受光素子列２−
１については最後の正規読み取りラインより１回前の同
時読み取りが行われる正規読み取りライン、ライン状受
光素子列２−２については最後の正規読み取りライン）
であるが、ライン状受光素子列２−３については非正規
読み取りラインである。

【００５０】このようにしてライン状受光素子列２−
１、２−２、２−３が位置されている読み取り、蓄積動
作完了前１回目の読み取りラインの読み取り、蓄積動作
が、上述したと同様にして行われる。この回にライン状
受光素子列２−１、２−２によって読み取られ、Ａ／Ｄ
変換回路３−１、３−２から出力される１本の読み取り
ラインの画素データは、正規読み取りラインのものであ
るから、メモリ制御回路１２から書き込み信号が、メモ
リ領域６−１、６−２へ供給され、Ａ／Ｄ変換回路３−
１、３−２から出力される１本の読み取りラインの画素
データは、メモリ領域６−１、６−２に蓄積される。

【００５１】しかし、ライン状受光素子列２−３によっ
て読み取られ、Ａ／Ｄ変換回路３−３から出力される１
本の読み取りラインの画素データは、非正規読み取りラ
インのものであるから、メモリ制御回路１２から書き込
み停止信号が、メモリ領域６−３へ供給され、Ａ／Ｄ変
換回路３−３から出力される１読み取りラインの画素デ
ータは、メモリ領域６−３に蓄積されない。

【００５２】読み取り、蓄積動作完了前１回目の読み取
り、蓄積動作の完了時に、読取制御回路９は、モータ制
御パルスＭＰを出力してモータ１１を駆動し、原稿を３
本の読み取りライン先の読み取りラインまで進ませる。
この時刻には、ライン状受光素子列２−１、２−２、２
−３は、いずれも、読み取り、蓄積動作完了前１回目の
読み取り、蓄積動作時に位置していた読み取りラインか
ら３本の読み取りライン先の読み取りライン、すなわ
ち、読み取り、蓄積動作完了回の読み取りラインに位置
させられている。ライン状受光素子列２−１、２−２、
２−３が読み取り、蓄積動作完了回の読み取りライン上
に位置されたときの読み取りラインは、ライン状受光素
子列２−１が位置している読み取りラインは最後の正規
読み取りラインであるが、ライン状受光素子列２−２、
２−３は非正規読み取りラインである。

【００５３】このようにしてライン状受光素子列２−
１、２−２、２−３が位置されている読み取り、蓄積動
作完了回の読み取りラインの読み取り、蓄積動作が、上
述したと同様にして行われる。この回にライン状受光素
子列２−１によって読み取られ、Ａ／Ｄ変換回路３−１
から出力される１本の読み取りラインの画素データは、
正規読み取りラインのものであるから、メモリ制御回路
１２から書き込み信号が、メモリ領域６−１へ供給さ
れ、Ａ／Ｄ変換回路３−１から出力される１本の読み取
りラインの画素データは、メモリ領域６−１に蓄積され
る。

【００５４】しかし、ライン状受光素子列２−２、２−
３によって読み取られ、Ａ／Ｄ変換回路３−２、３−３
から出力される１本の読み取りラインの画素データは、
非正規読み取りラインのものであるから、メモリ制御回
路１２から書き込み停止信号が、メモリ領域６−２、６
−３へ供給され、Ａ／Ｄ変換回路３−２、３−３から出
力される１本の読み取りラインの画素データは、メモリ
領域６−２、６−３に蓄積されない。

【００５５】ライン状受光素子列２−３が、原稿上の最
後の正規読み取りライン上に位置してから、３本の読み
取りラインずつ２回副走査方向に移動させる理由は、次
の通りである。ＣＣＤ１の３本のライン状受光素子列２
−１、２−２、２−３によって読み取りラインの読み取
りを続行して行くと、原稿の読み取り開始の方で読み取
りラインの読み取り抜けが生じてしまった理由と同じ理
由から、１頁の最後の読み取りラインから２番目、３番
目および６番目前の読み取りラインは読み取られなくな
る。そこで、このような読み取りラインの読み取り抜け
を防止して原稿のすべての正規読み取りラインが読み取
られるように、ライン状受光素子列２−３によって読み
取られる原稿の正規読み取りラインから副走査方向に連
続する６本の読み取りラインをさらに読み取るようにし
たのである。

【００５６】上述のうにして、正規に読み取るべき最後
の読み取りラインまで上述の動作が行われたとき、メモ
リ領域６−１、６−２、６−３には、それぞれ原稿の１
／３頁分の読み取りラインの画素データが蓄積されてい
る。したがって、メモリ領域６−１、６−２、６−３全
体では、最大１頁の読み取りラインの画素データが蓄積
されている。

【００５７】上述したメモリ領域６−１、６−２、６−
１への蓄積が行われた後に、メモリ制御回路１２は、図
６に示す各読み取りラインを左から順に読み出すための
制御をメモリ領域６−１、６−２、６−３に対して実行
する。すなわち、メモリ制御回路１２は、図６に示す１
本の正規読み取りラインの画素データの各々を左から順
次走査した信号として読み出すためのメモリ選択信号と
アドレス信号を各メモリ領域６−１、６−２、６−３に
対して発生し、順次読み出す。

【００５８】この実施例における式（１）の条件におけ
るＭとＮとを満たすＭとＮとの例を図７に示す。図７に
おいて、○が式（１）の条件におけるＭとＮとを満たす
例であり、×が式（１）の条件におけるＭとＮとを満た
さない例である。

【００５９】このように、この実施例の構成によれば、
Ｍ本の読み取りラインを同時に読み取ることができるＣ
ＣＤを使用して副走査方向にＮ（＝Ｍ＋１）ライン隔て
た読み取りラインＭ本を同時に読み取り、かつ、Ｍ本の
読み取りラインを読み取った時刻に原稿が（Ｎ−1）読
み取りライン先まで移動させられ、その読み取りライン
上にＣＣＤが位置したとき次の読み取りを行う動作を順
次繰り返すようにしたので、原稿の読み取り速度が従来
のＭ倍となり、高速化する。

【００６０】しかも、上記高速化のためにＣＣＤのライ
ン状受光素子による電荷蓄積時間を短くしなくても、十
分な読み取り出力が得られる。この効果により、ＣＣＤ
の走査時間を遅くする必要がなく、原稿に照射される光
源の光量を上げなくても高いＳ／Ｎ比が得られる。

【００６１】上記高速化のために原稿の光量を上げる必
要がないので、原稿読取装置の内部温度の上昇を抑える
ことができ、コンパクトな設計が可能である。また、Ｌ
ＥＤ等の発光輝度の低い光源を利用することができる。
さらに、低光量で高速走査が可能なため、消費電力の低
減効果が高い。

【００６２】従来のカラー画像読取用ＣＣＤの製造工程
においてカラーフィルタの皮膜工程を省いた工程でＣＣ
Ｄ１を製造すると、３本のライン状受光素子列を、例え
ば、４本の読み取りラインずつ離れて形成されるように
設定するだけで製造できるので、従来の製造設備をその
まま利用でき、安価に提供することができる。

【００６３】◇第２実施例 図８は、この発明の第２実施例である画像読取装置電気
的構成を示す図、図９は、第１実施例の画像読取装置が
使用不能な場合の例を示す図、図１０は、同画像読取装
置により原稿を正しく読み取り得る場合を説明するため
の図、図１１は、同画像読取装置で選定し得るライン状
受光素子列数と読み取りライン間間隔の使用の可否を示
す図、また、図１２は、画像読取装置が使用不能な場合
の例を示す図である。

【００６４】この実施例の構成が、第１実施例のそれと
大きく異なるところは、Ｎ本の読み取りライン間隔で位
置するＭ本の読み取りラインの同時読み取りを順次行う
際の、Ｎ≧Ｍ＋１と読み取りラインの移動速度Ｌ＝（Ｎ
−１）という条件を解除しても、読み取りラインの重複
読み取り及び読み取り抜けを生じさせることなく、正規
読み取りラインの読み取りを行い得るようにした点であ
る。

【００６５】すなわち、ＣＣＤに形成されるライン状受
光素子列の本数をＭとし、各ライン状受光素子列間隔
（ライン間隔）をＮとし、原稿上の読み取りラインの移
動速度（１読み取り時間で移動する距離）をＬとしたと
き、Ｍ≧２、Ｌ＝Ｍ、ＬとＮとの最大公約数が１である
ように設定する。この関係を以下式（２）という。この
式（２）を満たすＭ及びＮでＣＣＤを構成し、このＣＣ
Ｄによって読み取られる読み取りラインの移動速度をＬ
に設定し、原稿上の正規読み取りラインを隙間無く読み
取り得るように、読取制御回路及びメモリ制御回路の動
作を生ぜしめるようにしたのが、この実施例である。

【００６６】この構成は、次のような知見に基づくもの
である。上述した式（１）の条件を満たしても、原稿を
正しく読み取られない場合がある。例えば、式（１）に
おいて、Ｎ＞Ｍ＋１とすると、Ｌ＞Ｍとなる。Ｌ＞Ｍで
あると、必ず読み取り抜けが発生してしまうほか、重複
読み取りが発生する場合がある。また、上式（１）の条
件を満たさない、すなわち、設定されたＭにおいてＬ＜
Ｍであると、必ず重複読み取りが発生してしまうほか、
読み取り抜けが発生する場合がある。また、式（１）を
満たすＭ及びＮの例を図７に示してあるが、この図７中
の○となるＭ及びＮであっても、読み取り抜けが生じて
しまうことがあり、逆に、×となるＭ及びＮであって
も、読み取り抜けなく読み取り得ることがある。

【００６７】このような不具合を回避すべく、式（２）
に示すＬ＝Ｍなる条件を設けると共に、そのＬ＝Ｍの条
件だけでも、なお、Ｌだけ移動した読み取り位置が既に
読み取られており、その読み取り位置を他のライン状受
光素子列で読み取ることとなり、重複読み取りが発生す
ると共に読み取り抜けも発生してしまうというＭ、Ｎ、
Ｌの関係が存在するので、これをも回避するために、Ｌ
とＮの最大公約数が１、すなわち、ＬとＮとが１以外の
公約数を持たないという条件を入れてこの実施例を構成
した。

【００６８】したがって、この実施例の構成における第
１実施例との相違点は、下記の通りである。ＣＣＤ１Ａ
は、Ｎ本の読み取りライン間隔ずつ隔てて形成されたＭ
本のライン状受光素子列を有することは同じであるが、
読み取りラインの移動速度Ｌは、Ｍ及びＮとの関係にお
いて上式（２）を満たしていることが必要である。

【００６９】この実施例における読取制御回路９Ａは、
次の点を除き、第１実施例と同じ構成である。すなわ
ち、インターフェース１４を介して画像読取装置１００
Ａが接続される画像処理システムから受け取る命令（図
４のＴＧ相当）に基づいて、ＣＣＤ１Ａによる１回の読
み取りラインの読み取り終了毎に発生されるモータ制御
パルスＭＰは、上式（２）を満たすように設定された移
動速度Ｌで原稿を移動させるものである。また、原稿
は、初期的には、最初の正規読み取りラインより上式
（２）を満たすＭ、Ｎ及びＬの値に応じて決まる所定本
数の読み取りラインだけ副走査方向へ遡った読み取りラ
インから読み取りラインの読み取りが開始されるように
位置される。このように位置されている読み取りライン
から読取制御回路９Ａによる原稿の移動制御が開始され
る。

【００７０】読取制御回路９Ａからのモータ制御パルス
ＭＰの発生は、最後の正規読み取りラインから上式
（２）を満たすＭ、Ｎ及びＬの値に応じて決まる所定本
数の読み取りラインだけ副走査方向へ進んだ読み取りラ
インが読み取られる前までの順次の読み取り終了毎に生
ぜしめられる。

【００７１】メモリ制御回路１２Ａは、読取制御回路９
Ａによる移動制御により、ＣＣＤ１Ａに形成されている
Ｍ本のライン状受光素子列のうちの副走査方向で一番先
の位置にあるライン状受光素子列が原稿の正規読み取り
ラインの読み取りを行う前までに読み取られる非読み取
りラインの画素データと、最後の正規読み取りラインの
読み取り終了後に読み取られる非読み取りラインの画素
データとをメモリ領域６−ｉに蓄積させないことを除
き、第１実施例と同じ構成である。

【００７２】光源１３は、原稿の読み取りラインに対し
て読み取り用の光を照射するのに用いられる。インター
フェース１４は、画像処理システムと読取制御回路９Ａ
及びメモリ制御回路１２Ａとの間のインターフェースを
取る。すなわち、ＣＣＤ１による１回の読み取りライン
の読み取り終了毎に上述した移動速度Ｌでの原稿の移動
制御に用いられるモータ制御パルスＭＰをモータドライ
バ１０に供給させる命令を画像処理システムから受け取
って読取制御回路９Ａへ供給し、該命令に応答した旨の
応答信号を読取制御回路９Ａから受け取って画像処理シ
ステムへ返送する。

【００７３】また、メモリ領域６−ｉに蓄積されている
１頁分の正規読み取りラインの画素データの各々を、読
み取りを開始した読み取りライン側から順次読み出させ
る命令を画像処理システムから受け取ってメモリ制御回
路１２Ａに供給し、該命令に応答した旨の応答信号をメ
モリ制御回路１２Ａから受け取って画像処理システムへ
返送する。

【００７４】これらの構成を除くこの実施例における他
の構成は、第１実施例のそれと同一構成であるので、こ
れらの各部には第１実施例と同一の符号を付してその説
明を省略する。

【００７５】次に、図８〜図１２を参照して、この実施
例の動作について説明する。この実施例の動作説明に入
るのに先立って、この実施例における式（２）のうちの
Ｌ（＝Ｍ）とＮとの最大公約数が１であることの条件を
満たさない場合について説明する。ここでの動作説明に
おいても、第１実施例の動作説明と同様に、ライン状受
光素子列の本数Ｍ、ライン状受光素子列間隔Ｎ及び移動
速度Ｌを特定の例、すなわち、式（２）のうちのＬ（＝
Ｍ）とＮとの最大公約数が１であることの条件を満たさ
なくなる例として、Ｍを３とし、Ｎを３とし、Ｌを３と
した場合にについて説明する。そして、この場合の３本
のライン状受光素子列はそれぞれ２−１、２−２、２−
３で参照し、ライン状受光素子列２−１、２−２、２−
３から各別に出力される読み取り画信号はそれぞれ２０
−１、２０−２、２０−３で参照し、３つのＡ／Ｄ変換
回路はそれぞれ３−１、３−２、３−３で参照し、３つ
のメモリ領域はそれぞれ６−１、６−２、６−３で参照
する。この場合の各ライン状受光素子列間は２本の読み
取りラインだけ空いている。

【００７６】第１実施例での説明から理解できるよう
に、原稿上の或る正規読み取りラインの読み取りが完了
すると、読取制御回路９Ａからモータ制御パルスＭＰが
出力される。モータ制御パルスＭＰは、モータドライバ
１０に供給されモータドライバ１０からドライブ信号が
発生されてモータ１１に供給される。したがって、原稿
は、２本の正規読み取りラインだけ副走査方向に移動さ
せられる。ＣＣＤ１の３本のライン状受光素子列２−
１、２−２、２−３の各々は、原稿が移動される前に読
み取った３本の正規読み取りラインから副走査方向に２
本の正規読み取りラインだけ進んだ位置にある３本の正
規読み取りライン上に位置し、この３本の正規読み取り
ラインを読み取る。

【００７７】このような順次の読み取りが行われること
になるが、Ｎが３に、そしてＬが３に設定されているの
で、ＣＣＤ１の３本のライン状受光素子列２−１、２−
２、２−３の各々によって順次読み取られる正規読み取
りラインは、図９に示すように、前回の原稿の読み取り
で読み取った正規読み取りラインと同一の正規読み取り
ラインとなってしまい、読み取られる正規読み取りライ
ン間の正規読み取りラインは読み取られない。３本のラ
イン状受光素子列２−１、２−２、２−３による重複読
み取りが行われ、読み取り抜けが発生する。図９中の符
号は、図６の符号と同じである。つまり、式（２）のう
ちのＬ（＝Ｍ）とＮとの最大公約数が１であることの条
件を満たさないＮ＝３、Ｌ＝３であると、原稿の読み取
りにおいて読み取られない正規読み取りラインが発生
し、所期の原稿読み取りを行うことはできない。

【００７８】このような不都合を回避するために、Ｌ
（＝Ｍ）とＮとの最大公約数が１であることの条件をも
満たせば、すなわち、例えば、Ｍ＝３、Ｎ＝２、Ｌ＝３
とすれば、画像読取装置のＭ、Ｎ及びＬは上式（２）を
満たすＭ、Ｎ及びＬとなるから、正規読み取りラインの
重複読み取りはなくなり、３本のライン状受光素子列２
−１、２−２、２−３によって順次異なる正規読み取り
ラインを読み取ることが可能になる。したがって、原稿
全体は隙間無く読み取られる。

【００７９】このような上式（２）を満たした例を示し
たのが図１０である。図１０は、Ｍ＝３、Ｎ＝２、Ｌ＝
３とした場合である。この例においても、読み取り速度
は、従来に比して３倍である。図１０中の符号は、図６
の符号と同じである。

【００８０】上述のところから明らかなように、原稿を
正しく読み取るためには、式（２）の条件を満たすこと
が必要である。式（２）のＭ及びＮを任意に選定した場
合のＭ及びＮの間には、式（２）を満たすＭ及びＮと、
式（２）を満たさないＭ及びＮとがある。その例を示し
たのが、図１１である。図１１中の○は、Ｍ及びＮが式
（２）を満たす例であり、×は、Ｍ及びＮが式（２）を
満たさない例である。この図１１は、上述したように、
図７の○で示すように式（１）のＭ及びＮを満たして
も、原稿を読み取れないものがあり、また、図７の×で
示すように式（１）のＭ及びＮを満たさなくても、原稿
を読み取れるものがあることを示している。

【００８１】なお、上記の説明においては、最初の正規
読み取りラインから読み取りラインの読み取りを説明し
たが、第１実施例と同様、ＣＣＤ１による読み取りを最
初の正規読み取りラインから始めると、順次の読み取り
が２本の読み取りラインだけ進められた位置の読み取り
ラインとなり、１本の正規読み取りラインの読み取り抜
け（図１０のＡ１とＢ１との間の正規読み取りライン）
が発生してしまうから、第１実施例と同様に、最初の正
規読み取りラインからＭ＝３、Ｎ＝２及びＬ＝３に応じ
て決まる読み取りライン数（２本の読み取りライン）だ
け前から読み取りラインの読み取りを行う必要がある。
この関係は、副走査方向の読み取り終了においても同じ
である。すなわち、最後の正規読み取りラインからＭ＝
３、Ｎ＝２及びＬ＝３に応じて決まる読み取りライン数
だけの読み取りライン（２本の読み取りライン）の読み
取りを行う必要がある。

【００８２】このような３本のライン状受光素子列２−
１、２−２、２−３による読み取りにより、３本のライ
ン状受光素子列２−１、２−２、２−３から出力される
読み取り画信号２０−１、２０−２、２０−３が、対応
するＡ／Ｄ変換回路（Ａ／Ｄ）３−１、３−２、３−３
においてＡ／Ｄ変換され、Ａ／Ｄ変換された１本の読み
取りラインの画素データの各々は、メモリ制御回路１２
Ａによって対応するメモリ領域６−１、６−２、６−３
に蓄積され、そして１頁分の読み取りラインの画素デー
タの蓄積後に、メモリ制御回路１２Ａによって読み出さ
れインターフェース１４を介して画像処理システムへ供
給される各動作は、第１実施例の動作とほぼ同じであ
り、例えば、Ｍ＝３、Ｎ＝２、Ｌ＝３とした場合の例を
示す図１０と第１実施例の説明とを参照すれば、この実
施例の動作例を理解し得ると考えられるので、図１０に
ついての逐一の説明は省略する。

【００８３】この実施例によっても、原稿を正しく読み
取れない例を図１２に示す。この例は、この実施例にお
いて、Ｍ＝３、Ｎ＝６、Ｌ＝３とする例である。この例
は、また、第１実施例においても、原稿を正しく読み取
れない例でもある。

【００８４】このように、この実施例の構成によれば、
ＣＣＤに形成するライン状受光素子列の本数Ｍと、ライ
ン状受光素子列間隔Ｎと、ＣＣＤに対する読み取りライ
ンの移動速度Ｌとの間に上式（２）で与えられる条件を
設定して副走査方向にＭ本の読み取りラインを同時に読
み取り、かつ、Ｍ本の読み取りラインを読み取る毎に原
稿をＬ本の読み取りラインずつ移動させるので、原稿の
読み取り速度は、従来に比してＭ倍より小さい倍率であ
って、Ｍ、Ｎ及びＬに応じて決まる値の倍率となり、原
稿の読み取りを高速化することができる。この高速化を
達成し得るので、読み取りの高速化によって第１実施例
と同様の効果が得られる

【００８５】◇第３実施例 図１３は、この発明の第３実施例である画像読取装置電
気的構成を示す図、図１４は、同画像読取装置により原
稿を正しく読み取り得る場合を説明するための図、ま
た、図１５は、同画像読取装置で選定し得るライン状受
光素子列数と読み取りライン間間隔の使用の可否を示す
図である。この実施例の構成が、第２実施例のそれと大
きく異なるところは、上式（２）の条件のときに得られ
る最適な読み取りでなくても、所定本数の読み取りライ
ン間隔で形成された複数本のライン状受光素子列を有す
るＣＣＤによりライン状受光素子列の本数と同数の読み
取りラインを正しく読み取り得るようにした点である。

【００８６】すなわち、ライン状受光素子列の本数をＭ
とし、ライン状受光素子列間隔（ライン間隔）をＮと
し、読み取りラインの移動速度（１読み取り時間で移動
する距離）をＬとしたとき、Ｍ≧２、１＜Ｌ≦Ｍ、Ｌと
Ｎとの最大公約数が１であるように設定する。この関係
を以下式（３）という。上式（３）を満たすＭ及びＮで
ＣＣＤを構成し、このＣＣＤによって読み取られる読み
取りラインの移動速度Ｌを設定し、原稿上の正規読み取
りラインを正しく読み取り得るように、読取制御回路及
びメモリ制御回路の動作を生ぜしめるようにしたのが、
この実施例である。

【００８７】この構成は、次のような知見に基づくもの
である。第２実施例は、上記式（２）で示す条件を満た
すとき、原稿の読み取りを効率良く行うことができる。
しかし、上記な式（２）の条件を満たさないＭ、Ｎ及び
Ｌであっても、そのＭ、Ｎ及びＬにおいて所定の条件を
満たしさえすれば、原稿の読み取り効率は低くなるが、
原稿の正常な読み取りを行うことのできるＭ、Ｎ及びＬ
があるということを見出した。それは、上式（３）で示
されるものである。この式（３）に基づいて上記実施例
は構成されている。

【００８８】したがって、この実施例の構成における第
２実施例との相違点は、下記の通りである。ＣＣＤ１Ｂ
は、Ｎ本の読み取りライン間隔ずつ隔てて形成されたＭ
本のライン状受光素子列を有することは同じであるが、
読み取りラインの移動速度Ｌは、Ｍ及びＮとの関係にお
いて上式（３）を満たしていることが必要である。

【００８９】この実施例における読取制御回路９Ｂは、
次の点を除き、第２実施例と同じ構成である。すなわ
ち、１４を介して画像読取装置１００Ｂが接続される画
像処理システムから受け取る命令（図４のＴＧ相当）に
基づいて、ＣＣＤ１Ｂによる１回の読み取りラインの読
み取り終了毎に発生されるモータ制御パルスＭＰは、上
式（３）を満たすように設定された移動速度Ｌで原稿を
移動させるものである。

【００９０】また、原稿は、初期的には、最初の正規読
み取りラインより上式（３）を満たすＭ、Ｎ及びＬの値
に応じて決まる所定本数の読み取りラインだけ副走査方
向へ遡った読み取りラインから読み取りラインの読み取
りが開始されるように位置される。このように位置され
ている読み取りラインから読取制御回路９Ｂによる原稿
の移動制御が開始される。読取制御回路９Ｂからのモー
タ制御パルスＭＰの発生は、最後の正規読み取りライン
から上式（３）を満たすＭ、Ｎ及びＬの値に応じて決ま
る所定本数の読み取りラインだけ副走査方向へ進んだ読
み取りラインが読み取られる前までの順次の読み取り終
了毎に生ぜしめられる。

【００９１】メモリ制御回路１２Ｂは、読取制御回路９
Ｂによる移動制御により、ＣＣＤ１Ｂに形成されている
Ｍ本のライン状受光素子列のうちの副走査方向で一番先
の位置にあるライン状受光素子列が原稿の正規読み取り
ラインの読み取りを行う前までに読み取られる非読み取
りラインの画素データと、最後の正規読み取りラインの
読み取り終了後に読み取られる非読み取りラインの画素
データとをメモリ領域６−ｉに蓄積させないことを除
き、第２実施例と同じ構成である。これらの構成を除く
この実施例における他の構成は、第２実施例のそれと同
一構成であるので、これらの各部には第２実施例と同一
の符号を付してその説明を省略する。

【００９２】次に、図１３〜図１５を参照して、この実
施例の動作について説明する。この実施例の動作説明に
おいても、第２実施例の動作説明と同様に、ライン状受
光素子列の本数Ｍ、ライン状受光素子列間隔Ｎ及び移動
速度Ｌを特定の例、すなわち、式（３）のＭを３とし、
Ｎを３とし、Ｌを２とした場合にについて説明する。そ
して、この場合の３本のライン状受光素子列はそれぞれ
２−１、２−２、２−３で参照し、ライン状受光素子列
２−１、２−２、２−３から各別に出力される読み取り
画信号はそれぞれ２０−１、２０−２、２０−３で参照
し、３本のＡ／Ｄ変換回路はそれぞれ３−１、３−２、
３−３で参照し、３本のメモリ領域はそれぞれ６−１、
６−２、６−３で参照する。この場合のライン状受光素
子列間は１本の読み取りラインだけ空いている。

【００９３】第２実施例での説明から理解できるよう
に、原稿上の或る正規読み取りラインの読み取りが完了
すると、読取制御回路９Ｂからモータ制御パルスＭＰが
出力される。モータ制御パルスＭＰは、モータドライバ
１０に供給されモータドライバ１０からドライブ信号が
発生されてモータ１１に供給される。したがって、原稿
は、１本の正規読み取りラインだけ副走査方向に移動さ
せられる。ＣＣＤ１の３本のライン状受光素子列２−
１、２−２、２−３の各々は、原稿が移動される前に読
み取った３本の正規読み取りラインから副走査方向に１
本の正規読み取りラインだけ進んだ読み取りラインにあ
る３本の正規読み取りライン上に位置し、この３本の正
規読み取りラインを読み取る。

【００９４】このような順次の読み取りが行われる。Ｃ
ＣＤ１の３本のライン状受光素子列２−１、２−２、２
−３の各々によって順次読み取られる正規読み取りライ
ンは、図１４に示す。図１４に示すように、この例で
は、読み取り抜けは、生じないが、重複読み取りが生ず
る。なお、図１４中の符号は、図６で説明した符号と同
じである。この例においても、読み取り速度は、従来に
比して２倍である。

【００９５】この実施例を構成する前提は、上式（３）
を満たすことが必要である。上式（３）のＭ及びＮを任
意に選定した場合のＭ及びＮの間には、式（３）を満た
すＭ及びＮのうちの最適なＭ及びＮ（Ｌ＝Ｍ）と、式
（３）を満たすＭ及びＮのうちの移動速度を落とせば適
用可能なＭ及びＮと、Ｌ＝１でないと式（３）を満たさ
ないＭ及びＮとがある。

【００９６】その例を示したのが、図１５である。図１
５中の○は、式（３）を満たすＭ及びＮのうちの最適な
Ｍ及びＮの例であり、△は、式（３）を満たすＭ及びＮ
のうちの移動速度を落とせば適用可能なＭ及びＮの例で
ある。×は、Ｌ＝１でないと式（３）を満たさないＭ及
びＮの例である。△において、この実施例を適用し得る
移動速度Ｌは、１＜１＋Ｌ＜１＋Ｍである。そのＬの値
は、図１５中の△から上方向（Ｍの減少方向）に辿って
行き、○となるときのＭの値とすればよい。例えば、Ｍ
＝６、Ｎ＝１０のときは、Ｌ＝３まで遅くすれば、この
実施例を適用し得る。

【００９７】なお、上記の説明においては、最初の正規
読み取りラインから読み取りラインの読み取りを説明し
たが、第２実施例と同様、ＣＣＤ１Ｂによる読み取りを
最初の正規読み取りラインから始めると、順次の読み取
りが１本の読み取りラインだけ進められた読み取りライ
ンとなり、正規読み取りラインの読み取り抜け（図１
４）が発生してしまうから、第２実施例と同様に、最初
の正規読み取りラインからＭ＝３、Ｎ＝３及びＬ＝２に
応じて決まる読み取りライン本数、すなわち、２本の読
み取りラインだけ前から読み取りラインの読み取りを行
う必要がある。この関係は、副走査方向の読み取り終了
においても同じである。すなわち、最後の正規読み取り
ラインからＭ＝３、Ｎ＝３及びＬ＝２に応じて決まる２
本の読み取りラインだけの読み取りラインの読み取りを
行う必要がある。

【００９８】このような３本のライン状受光素子列２−
１、２−２、２−３による順次の読み取り毎に、原稿
は、読取制御回路９Ｂの制御により次の読み取りライン
へ進められる。その間に、３本のライン状受光素子列２
−１、２−２、２−３から出力される読み取り画信号２
０−１、２０−２、２０−３は、対応するＡ／Ｄ変換回
路（Ａ／Ｄ）３−１、３−２、３−３においてＡ／Ｄ変
換され、Ａ／Ｄ変換された１本の読み取りラインの画素
データの各々は、メモリ制御回路１２Ｂによって対応す
るメモリ領域６−１、６−２、６−３に蓄積され、そし
て１頁分の読み取りラインの画素データの蓄積後に、メ
モリ制御回路１２Ｂによって読み出されインターフェー
ス１４を介して画像処理システムへ供給される各動作
は、第２実施例の動作とほぼ同じであり、例えば、Ｍ＝
３、Ｎ＝３、Ｌ＝２とした場合の例を示す図１４と第２
実施例の説明とを参照すれば、この実施例の動作例を理
解し得ると考えられるので、図１４についての逐一の説
明は省略する。

【００９９】この実施例によっても、第２実施例と同
様、原稿を正しく読み取れない場合がある。その例を図
１２に示す。この例は、この実施例において、Ｍ＝３、
Ｎ＝６、Ｌ＝３とする例である。この例は、また、第１
実施例においても、原稿を正しく読み取れない例でもあ
る。

【０１００】このように、この実施例の構成によれば、
ＣＣＤに形成するライン状受光素子列の本数Ｍと、ライ
ン状受光素子列間隔Ｎと、ＣＣＤに対する読み取りライ
ンの移動速度Ｌとの間に上式（３）で与えられる条件を
設定して副走査方向にＭ本の読み取りラインを同時に読
み取り、かつ、Ｍ本の読み取りラインを読み取る毎に原
稿をＬ本の読み取りラインずつ移動させるので、原稿の
読み取り速度は、従来に比してＭ倍より小さい倍率であ
って、Ｍ、Ｎ及びＬに応じて決まる倍率となり、原稿の
読み取りを高速化することができる。この高速化を達成
し得るので、読み取りの高速化によって第１実施例と同
様の効果が得られる。

【０１０１】◇第４実施例 図１６は、この発明の第４実施例である画像読取装置電
気的構成を示す図である。この実施例の構成が、第１実
施例のそれと大きく異なるところは、ＣＣＤをカラーＣ
ＣＤで構成した点である。したがって、カラーＣＣＤ１
Ｃは、３本のライン状受光素子列２Ｒ、２Ｇ、２Ｂを有
する。これに伴って、３本のライン状受光素子列２Ｒ、
２Ｇ、２Ｂの出力に接続される各アナログ／ディジタル
変換回路（Ａ／Ｄ）は、それぞれ３Ｒ、３Ｇ、３Ｂで参
照する。また、メモリ６の各メモリ領域は、それぞれ６
Ｒ、６Ｇ、６Ｂで参照する。

【０１０２】そして、アナログ／ディジタル変換回路３
Ｒ、３Ｇ、３Ｂと、これに対するメモリ６のメモリ領域
６Ｒ、６Ｇ、６Ｂとアナログ／ディジタル変換回路６
Ｒ、６Ｇ、６Ｂとの間には、濃度補正用の画像処理回路
１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂが設けられる。この実施例の画
像読取装置を参照番号１００Ｃで参照する。これらの構
成を除くこの実施例における他の構成は、第１実施例の
それと同一構成であるので、これらの各部には第１実施
例と同一の符号を付してその説明を省略する。

【０１０３】次に、図１６を参照して、この実施例の動
作について説明する。カラーＣＣＤ１Ｃの３本のライン
状受光素子列２Ｒ、２Ｇ、２Ｂによって順次の３本の読
み取りラインの同時読み取り及び同時読み取り終了後の
所定本数の読み取りラインだけ副走査方向へ移動させる
ことは、第１実施例と同じである。３本のライン状受光
素子列２Ｒ、２Ｇ、２Ｂから出力される読み取り画信号
の各々を１本の読み取りラインの画素データにアナログ
／ディジタル変換回路３Ｒ、３Ｇ、３Ｂで変換すること
も、第１実施例と同じである。

【０１０４】アナログ／ディジタル変換回路３Ｒ、３
Ｇ、３Ｂから出力された１本の読み取りラインの画素デ
ータの各々は、対応する画像処理回路１５Ｒ、１５Ｇ、
１５Ｂで濃度の補正が行われる。この濃度の補正は、原
稿に色が付いている場合、同じ濃度であっても、ライン
状受光素子列２Ｒ、２Ｇ、２Ｂから出力される読み取り
画信号が異なって来るので、その読み取り画信号に生ず
る差異を矯正するためのものである。また、カラーＣＣ
Ｄ１Ｃには、カラーフィルタが付いているため感度が異
なっているので、濃度補正が必要になる。

【０１０５】画像処理回路１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂで濃
度補正された画素データのメモリ６のメモリ領域６Ｒ、
６Ｇ、６Ｂへの蓄積及び蓄積された画素データの読み出
しも、第１実施例と同じである。

【０１０６】このように、この実施例の構成によれば、
色付き原稿でも、モノクロ原稿でも、その原稿の読み取
りが可能になる。したがって、特殊なＣＣＤを用意しな
くても済む。原稿の読み取り速度は、通常の読み取り速
度の３倍となる。また、通常のカラースキャナにおいて
メモリ容量が確保しさえすれば、この発明を適用し得
る。特に、移動速度を制御可能であれば、メモリからの
読み出しをソフトウェア処理で行うこともできる。

【０１０７】以上、この発明の実施例を、図面を参照し
て説明してきたが、この発明の具体的な構成は、これら
の実施例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸
脱しない範囲の設計の変更等があってもそれらはこの発
明に含まれる。例えば、各実施例では、ＣＣＤ１等を固
定とし、モータ１１によって原稿を移動する画像読取装
置としていたが、逆にＣＣＤ１等をＣＣＤ移動機構によ
って移動し原稿を固定とする画像読取装置であっても良
い（いわゆる原稿静止型スキャナとなる）。この場合の
ＣＣＤ１等の移動量は、原稿を移動する場合の原稿移動
量と同じに設定すればよい。

【０１０８】また、各実施例では、すべての原稿の読み
取りラインが読み取られるよう原稿の先端位置（正規に
読み取られるべき最初の読み取りライン）を読み取る前
に予め連続する複数本の読み取りラインを見越してＣＣ
Ｄ１等の読み取りを早めに開始し、原稿の後端位置（正
規に読み取られるべき最後の読み取りライン）から連続
する複数本の読み取りラインを見越して読み取りを余分
に行い、この読み取りに伴って、メモリ制御回路１２等
は、原稿の先端位置を読み取る前に読み取られる非正規
読み取りラインの画素データのメモリ領域６−１、６−
２、６−３等への書き込みを停止し、原稿の後端位置後
に読み取られる非正規読み取りラインの画素データのメ
モリ領域６−１、６−２、６−３等への書き込みを停止
し、それと共に、原稿の先端位置を規定していた。

【０１０９】しかし、読み取りを開始した直後に正規に
読み取られない読み取りライン及び読み取りを終了する
直前に正規に読み取られないの読み取り画信号を前に読
み取った読み取りラインの画信号あるいは前後の読み取
りラインの読み取り画信号によって補間しても良い。こ
れにより、原稿読み取り前後の余分な読み取り走査が必
要でなくなる。

【０１１０】この読み取りライン抜けが生ずる場合の読
み取り画信号の補間を、画像の画質の低下（読み取りラ
インの抜け）が許容し得る限度において、例えば、図９
に示すような原稿の読み取り途中で生ずる読み取り抜け
の場合に適用して本発明を構成してもよい。

【０１１１】上記第４実施例は、第１実施例との関係で
説明したが、第２実施例及び第３実施例の構成の下でも
実施し得る。また、いずれの実施例においても、メモリ
領域６−１、６−２、６−３等への書き込み信号の停止
の代わりにＡ／Ｄ変換回路を停止してメモリへのデータ
の供給を停止しても良い。

【０１１２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、副
走査方向にＮ本の読み取りラインずつ隔てたＭ本の読み
取りラインを同時に読み取り、しかもこの同時読み取り
毎にＭ及びＮとの関係で決まる値であって、原稿等の読
み取りラインの読み取り抜けをその許容限度において生
じさせない読み取りライン数Ｌずつ移動させるようにし
て原稿等の読み取りを行うので、原稿等の読み取り速度
を従来に比してＭ倍乃至Ｍ倍よりも小さい倍率であっ
て、Ｍ、Ｎ及びＬに応じて決まる値の倍率となり、原稿
等の読み取りを高速化することができる。

【０１１３】このような読み取りの高速化を達成し得る
から、ＣＣＤのライン状受光素子による電荷蓄積時間を
短くしなくても、十分な読み取り出力が得られる。この
効果により、ＣＣＤの走査時間を遅くする必要がなく、
原稿に照射される光源の光量を上げなくても高いＳ／Ｎ
比が得られる。

【０１１４】上記高速化により原稿に照射される光量を
上げる必要がないので、原稿読取装置の内部温度の上昇
を抑えることができ、コンパクトな設計が可能である。
また、ＬＥＤ等の発光輝度の低い光源を利用することが
できる。さらに、低光量で高速走査が可能なため、消費
電力の低減効果が高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施例である画像読取装置の電
気的構成を示す図である。

【図２】同画像読取装置で同時に読み取られる読み取り
ラインの幾何学的配置及びその寸法を示す斜視図であ
る。

【図３】ＣＣＤのライン状受光素子列と読み取りライン
との関係を示す図である。

【図４】同画像読取装置の原稿読み取りタイミングを示
すタイミングチャートである。

【図５】同画像読取装置の原稿送りタイミングを示すタ
イミングチャートである。

【図６】同画像読取装置により原稿を正しく読み取り得
る場合を説明するための図である。

【図７】同画像読取装置で選定し得るライン状受光素子
列数と読み取りライン間間隔の使用の可否を示す図であ
る。

【図８】この発明の第２実施例である画像読取装置電気
的構成を示す図である。

【図９】第１実施例の画像読取装置が使用不能な場合の
例を示す図である。

【図１０】同画像読取装置により原稿を正しく読み取り
得る場合を説明するための図である。

【図１１】同画像読取装置で選定し得るライン状受光素
子列数と読み取りライン間間隔の使用の可否を示す図で
ある。

【図１２】画像読取装置が使用不能な場合の例を示す図
である。

【図１３】この発明の第３実施例である画像読取装置電
気的構成を示す図である。

【図１４】同画像読取装置により原稿を正しく読み取り
得る場合を説明するための図である。

【図１５】同画像読取装置で選定し得るライン状受光素
子列数と読み取りライン間間隔の使用の可否を示す図で
ある。

【図１６】この発明の第４実施例である画像読取装置電
気的構成を示す図である。

【図１７】従来の画像読取装置により原稿を読み取る動
作を説明するための図である。

【符号の説明】

１ ＣＣＤ ２−１、２−２、２−３、２−ｉ ライン状受光素
子列（読み取りデバイス） ３−１、３−２、３−３、３−ｉ Ａ／Ｄ変換回路
（画信号出力手段の一部） ６ メモリ（画信号出力手段の一部） ６−１、６−２、６−３、６−ｉ メモリ領域（画
信号出力手段の一部、記憶手段） ９ 読取制御回路（移動手段の一部） １０ モータドライバ（移動手段の一部） １１ モータ（移動手段の残部） １２ メモリ制御回路（画信号出力手段の一部、読
み出し制御回路） １３ 光源 １４ インターフェース（画信号出力手段の一部） １５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ 画像処理回路（画信号出
力手段の残部）

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被読み取り面上の読み取りラインを副走
   査方向に読み取って読み取った前記読み取りラインの画
   信号を出力する画像読取方法であって、 同時に読み取られる読み取りライン本数Ｍ（Ｍは２以上
   の自然数）と、同時に読み取られる前記読み取りライン
   間の読み取りライン本数Ｎ（Ｎは２以上の自然数）と、
   前記同時読み取りの終了毎に読み取られた前記読み取り
   ラインから副走査方向に進める読み取りライン本数Ｌ
   （Ｎは自然数）とを、前記被読み取り面上の最初の前記
   読み取りラインから最後の前記読み取りラインへの順次
   の前記同時読み取りを１回行うときに生ずる前記読み取
   りラインの読み取り抜け本数を許容し得る数までとしつ
   つ、前記被読み取り面上の前記読み取りラインを読み取
   り得る値に選定し、 前記同時読み取りの終了時に、前記Ｌ本の読み取りライ
   ンだけ副走査方向に進めて次回の前記同時読み取りを行
   う動作を順次繰り返して前記被読み取り面上の前記読み
   取りラインを読み取り、 読み取った前記読み取りラインの画信号を出力すること
   を特徴とする画像読取方法。
2. 【請求項２】 前記１回の読み取りで生ずる前記読み取
   りラインの読み取り抜け本数がない値に、前記Ｍ、前記
   Ｎ及び前記Ｌを選定したことを特徴とする請求項１記載
   の画像読取方法。
3. 【請求項３】 前記被読み取り面上の最初の前記読み取
   りラインは、前記被読み取り面上の正規に読み取られる
   べき最初の前記読み取りラインから前記Ｍ、前記Ｎ及び
   前記Ｌの値に応じて決まる所定本数の読み取りラインだ
   け副走査方向へ遡った読み取りラインであり、最後の前
   記読み取りラインは、前記被読み取り面上の正規に読み
   取られるべき最後の前記読み取りラインから前記Ｍ、前
   記Ｎ及び前記Ｌの値に応じて決まる所定本数の読み取り
   ラインだけ副走査方向へ進んだ読み取りラインであり、
   出力される前記読み取りラインの画信号は、正規に読み
   取られるべき最初の前記読み取りラインから正規に読み
   取られるべき最後の前記読み取りラインまでの各読み取
   りラインの画信号であることを特徴とする請求項２記載
   の画像読取方法。
4. 【請求項４】 原稿上の読み取りラインを副走査方向に
   読み取って読み取った前記読み取りラインの画信号を出
   力する画像読取装置であって、 前記副走査方向において異なった前記原稿上の前記読み
   取りラインであり、かつ、各読み取りラインの間隔が副
   走査方向にＮ本（Ｎは２以上の自然数）の読み取りライ
   ン隔てられているＭ本（Ｍは２以上の自然数）の読み取
   りラインを同時に読み取ることができる受光素子を有す
   る読み取りデバイスと、 前記同時読み取りの終了毎に、前記原稿と前記読み取り
   デバイスとを読み取られた前記読み取りラインから副走
   査方向へＬ本（Ｌは自然数）の読み取りラインだけ相対
   的に移動させる移動手段と、 前記読み取りデバイスで読み取った前記読み取りライン
   の画信号を前記副走査方向の読み取りライン順に出力す
   る画信号出力手段とを有し、 前記Ｍ、前記Ｎ及び前記Ｌは、前記原稿上の最初の前記
   読み取りラインから最後の前記読み取りラインへの順次
   の前記同時読み取りを１回行うことで、前記原稿上の前
   記読み取りラインの読み取り抜けなく前記原稿上の前記
   読み取りラインを読み取り得る値に選定したことを特徴
   とする画像読取装置。
5. 【請求項５】 前記Ｍ、前記Ｎ及び前記Ｌは、Ｍ≧２
   で、Ｎ≧１＋Ｍで、Ｌ＝Ｎ−１であるように前記Ｍ、前
   記Ｎ及び前記Ｌを選定したことを特徴とする請求項４記
   載の画像読取装置。
6. 【請求項６】 前記Ｎは、Ｎ＝１＋Ｍに選定したことを
   特徴とする請求項５記載の画像読取装置。
7. 【請求項７】 前記Ｍ、前記Ｎ及び前記Ｌは、Ｍ≧２
   で、Ｌ＝Ｍで、ＬとＮとの最大公約数が１であるように
   前記Ｍ、前記Ｎ及び前記Ｌを選定したことを特徴とする
   請求項４記載の画像読取装置。
8. 【請求項８】 前記Ｍ、前記Ｎ及び前記Ｌは、Ｍ≧２
   で、１＜Ｌ≦Ｍで、ＬとＮとの最大公約数が１であるよ
   うに前記Ｍ、前記Ｎ及び前記Ｌを選定したことを特徴と
   する請求項４記載の画像読取装置。
9. 【請求項９】 前記Ｍ及び前記Ｌは、Ｍ＝Ｌであるよう
   に前記Ｍ及び前記Ｌを選定したことを特徴とする請求項
   ８記載の画像読取装置。
10. 【請求項１０】 前記Ｍ及び前記Ｌは、１＜１＋Ｌ＜１
    ＋Ｍでであるように前記Ｍ及び前記Ｌを選定したことを
    特徴とする請求項８記載の画像読取装置。
11. 【請求項１１】 前記画信号出力手段は、前記読み取り
    デバイスから出力されたＭ本の前記読み取りラインの画
    信号をアナログ／ディジタル変換するアナログ／ディジ
    タル変換回路と、該アナログ／ディジタル変換回路で変
    換された画素データを格納する記憶手段と、該記憶手段
    に格納された前記画素データを副走査方向の読み取りラ
    イン順で読み出す読み出し制御回路とを有することを特
    徴とする請求項４乃至１０のいずれか一に記載の画像読
    取装置。
12. 【請求項１２】 前記読み取りデバイスは、前記原稿の
    正規に読み取られるべき最初の前記読み取りラインより
    前記Ｍ、前記Ｎ及び前記Ｌの値に応じて決まる所定本数
    の読み取りラインだけ副走査方向へ遡った読み取りライ
    ンから前記読み取りラインの読み取りを行い、正規に読
    み取られるべき最後の前記読み取りラインよりＭ、Ｎ及
    びＬの値に応じて決まる所定本数の読み取りラインだけ
    副走査方向へ進んだ読み取りラインまで前記読み取りラ
    インの読み取りを行い、前記記憶手段は、Ａ／Ｄ変換で
    変換された前記画素データであって前記原稿の正規に読
    み取られるべき前記読み取りラインについて前記アナロ
    グ／ディジタル変換回路から出力された前記画素データ
    のみを記憶することを特徴とする請求項１１記載の画像
    読取装置。
13. 【請求項１３】 前記読み取りデバイスは、カラー読み
    取りデバイスとし、前記前記画信号出力手段の前記アナ
    ログ／ディジタル変換回路と前記記憶手段との間に濃度
    補正用の画像処理回路を設けたことを特徴とする請求項
    １１又は１２記載の画像読取装置。