JP2002014499A

JP2002014499A - 画像形成装置

Info

Publication number: JP2002014499A
Application number: JP2000198440A
Authority: JP
Inventors: Hirotaka Kabashima; 浩貴椛島; Koichi Gunji; 幸一軍司; Toru Komatsu; 小松　　徹; Toru Yamaguchi; 徹山口
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 2000-06-30
Filing date: 2000-06-30
Publication date: 2002-01-18

Abstract

(57)【要約】【課題】機械的な摩耗特性が十分に改良された保護層
を有する有機電子写真感光体を用いて、良好な電子写真
画像を得ることのできる画像形成装置を提供することで
あり、更に詳しくはシロキサン系樹脂層を保護層とする
有機電子写真感光体を用いて、カブリの発生しない画像
形成装置の提供。【解決手段】感光体が保護層として架橋構造を有する
シロキサン系樹脂層を有する有機感光体であり、電位セ
ンサーにより測定された感光体の未露光部電位に基づ
き、画像形成装置の制御部は帯電手段の出力値を制御
し、感光体の未露光部電位を修正することを特徴とする
画像形成装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は画像形成装置に関
し、更に詳しくは、複写機やプリンターの分野で用いら
れる画像形成装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子写真感光体は有機光導電性物
質を含有する有機電子写真感光体（以下、有機感光体又
は単に感光体とも云う）が最も広く用いられている。有
機感光体は可視光から赤外光まで各種露光光源に対応し
た材料が開発し易いこと、環境汚染のない材料を選択で
きること、製造コストが安いこと等が他の電子写真感光
体に対して有利な点であるが、唯一の欠点は機械的強度
が弱く、多数枚の複写やプリント時に有機感光体表面の
劣化や傷の発生、感光体の帯電能の劣化、帯電暗減衰
（以後、電位暗減衰又は単に暗減衰とも云う）の増大を
引き起こしやすいことである。

【０００３】一方、電子写真方式の画像形成方法におい
ては、近年レーザービームによる像露光等のデジタル方
式の画像形成方法が従来のアナログ方式の像露光画像に
よる形成方法に代わって広く普及してきている。電子写
真方式を採用したレーザービームプリンターもしくはデ
ジタル方式の複写機及びファクス等は文字及び図形等の
画像を感光体にレーザービームのドット照射で形成す
る。このようなデシタル方式の像露光は文字及び図形等
の画像部を露光し、この露光部を反転現像で顕像化する
のが画像処理上最も広く行われている方式である。この
デジタル方式の反転現像による画像形成方法においては
前記画像部以外の領域、即ちレーザービームのドット照
射が中断された未露光部分の未露光部電位（以下、暗電
位とも云う）では画像が出現してはならない。しかる
に、前記有機感光体は前述の如く機械的強度が低いこと
から、繰り返し画像形成を行う過程で、感光体の表面摩
耗による帯電能の低下が著しく、この為前記暗電位の低
下となって、前記非画像部に黒ポチやカブリを発生しや
すい。

【０００４】一方、前記有機感光体の機械的摩耗による
摩耗特性を改善する方法として、特開平６−１１８６８
１号公報では感光体の表面層として、コロイダルシリカ
含有硬化性シリコーン樹脂層を用いることが報告されて
いる。しかしながら、このコロイダルシリカ含有硬化性
シリコーン樹脂層を保護層として用いた有機感光体はそ
の電子写真特性が十分でなく、多数枚の画像形成では画
像濃度の低下、或いはカブリの発生という問題を有す
る。

【０００５】上記コロイダルシリカ含有硬化性シリコー
ン樹脂層の問題を解決した有機感光体としては電荷輸送
性ポリシロキサン硬化樹脂層を感光体の保護層として提
案してきた（特願平１１−７０３０８号）。この保護層
を有する有機感光体は耐摩耗特性、及び電子写真特性が
従来の有機感光体に比し著しく改善されているが、尚保
護層の摩耗や静電特性の劣化による帯電能の低下、帯電
暗減衰の増加等の問題を有しており、これらの問題を解
決し、該有機感光体を用いた高耐久の画像形成装置の提
供が望まれていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は機械的
な摩耗特性が十分に改良された保護層を有する有機電子
写真感光体を用いて、良好な電子写真画像を得ることの
できる画像形成装置を提供することであり、更に詳しく
はシロキサン系樹脂層を保護層とする有機電子写真感光
体を用いて、カブリの発生しない画像形成装置を提供す
る事である。

【０００７】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明の目的は下
記構成の何れかをとることにより達成されることを見い
だした。

【０００８】１．感光体と、その周辺に帯電手段と現像
手段とを有し、該帯電手段と現像手段との間に感光体表
面電位を測定する電位センサーを備え、その測定値に基
づき帯電手段の出力値を制御する制御部を有する画像形
成装置において、感光体が保護層として架橋構造を有す
るシロキサン系樹脂層を有する有機感光体であり、電位
センサーにより測定された感光体の未露光部電位に基づ
き、前記制御部は帯電手段の出力値を制御し、感光体の
未露光部電位を修正することを特徴とする画像形成装
置。

【０００９】２．感光体と、その周辺に帯電手段と現像
手段とを有し、該帯電手段と現像手段との間に感光体表
面電位を測定する電位センサーを備え、その測定値に基
づき帯電手段の出力値を制御する制御部を有する画像形
成装置において、感光体が保護層として架橋構造を有す
るシロキサン系樹脂層を有する有機感光体であり、電位
センサーにより感光体の電位暗減衰を測定し、該電位暗
減衰に基づき、制御部は感光体の電位センサー位置の未
露光部目標電位を修正し、電位センサー位置の未露光部
電位が該修正された未露光部目標電位に近づくように帯
電手段の出力値を制御することを特徴とする画像形成装
置。

【００１０】３．前記電位暗減衰の測定を定期的に行う
ことを特徴とする前記２に記載の画像形成装置。

【００１１】４．感光体と、その周辺に帯電手段と現像
手段とを有し、該帯電手段と現像手段との間に感光体表
面電位を測定する電位センサーを備え、その測定値に基
づき帯電手段の出力値を制御する制御部を有する画像形
成装置において、前記感光体が保護層として架橋構造を
有するシロキサン系樹脂層を有する有機感光体であり、
制御部は前記感光体の電位センサー位置の未露光部目標
電位を感光体使用履歴に応じて修正するプログラムを有
しており、前記制御部は電位センサー位置の未露光部電
位が前記プログラムにより修正された未露光部目標電位
に近づくように帯電手段の出力値を制御することを特徴
とする画像形成装置。

【００１２】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明の保護層として架橋構造を有するシロキサン系樹脂
層を有する有機感光体は従来の有機感光体に比し、感光
体使い込みに伴う膜厚減耗が小さい特徴を有するが、一
方で図１に示すように該感光体は使い込みに伴い暗減衰
が増大し、現像位置における未露光部電位を適正に維持
することが難しい。図１は保護層として架橋構造を有す
るシロキサン系樹脂層を有する有機感光体の未露光部電
位の推移を示したグラフである。即ち、図１では約６０
万のプリント時に暗減衰が増大している。この為電位セ
ンサー位置と現像位置の未露光部電位の差がコピーカウ
ントと共に大きくなっている。このような暗減衰の変化
は帯電装置と現像装置との間に設けられた電位センサー
で検知される未露光部電位の測定値と該測定値による帯
電電位の補正（修正）だけでは不十分である。即ち、帯
電手段と現像手段との間に設けられた電位センサーで検
知される未露光部電位と現像位置における未露光部電位
との差は暗減衰が大きくなると、現像位置の未露光部電
位の低下が大きくなる。本発明では前記感光体を使用す
るに際し、感光体の電位暗減衰（好ましくは未露光部電
位の暗減衰）を測定し（好ましくは所定枚数毎等定期的
に）、該暗減衰の測定値に基づき前記制御部は帯電手段
の出力値を制御し、感光体の電位センサー部の未露光部
電位を修正し、その結果現像位置での未露光部電位を適
正に維持しようとするものである。

【００１３】又、暗減衰の増大による未露光部電位の修
正の他の方法としては感光体の未露光部目標電位を感光
体使用履歴に応じて段階的に高くするプログラムを前記
制御部に予め組み込んでおき、このプログラムを実行さ
せることにより、感光体の電位センサー部での未露光部
電位を前記未露光部目標電位に近づけるように、帯電手
段の出力値を制御し、その結果現像位置での未露光部電
位を適正に維持しようとするものである。

【００１４】ここで前記感光体の未露光部電位は感光体
の測定部位により異なるが、本発明の未露光部電位は電
位センサーが測定する感光体位置（帯電手段と現像手段
の間）の未露光部電位を意味する。

【００１５】帯電手段の出力値を前記未露光部目標電位
に制御するとは前記電位センサー位置の未露光部電位が
未露光部目標電位に一致又は近づくように前記帯電手段
の出力値を制御する事を意味する。

【００１６】前記感光体使用履歴とは具体的には画像出
力した複写枚数、画像形成装置が使用されている環境温
湿度条件等が有るが、最も好ましく用いられる感光体使
用履歴は前記複写（プリント）枚数、或いは複写時間で
ある。

【００１７】以下、本発明を発明の実施の形態を通して
詳細に説明する。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、この発明に係る画像形成装
置の実施形態を添付の図面に基づいて具体的に説明する
と共に、実施形態の画像形成装置を用いて作像を行なう
具体的な実施例を挙げて説明し、本発明のシロキサン系
樹脂層を保護層とする有機電子写真感光体を用いた画像
形成装置により、黒ポチやカブリの発生もなく、画像濃
度も十分な良好な画像が得られることを明らかにする。

【００１９】図２は本発明の画像形成方法の１例として
の画像形成装置の断面図である。図２に於いて５０は像
担持体である感光体ドラム（感光体）で、有機感光層を
ドラム上に塗布し、その上に本発明の樹脂層を塗設した
感光体で、接地されて時計方向に駆動回転される。５２
はスコロトロンの帯電器で、感光体ドラム５０周面に対
し一様な帯電をコロナ放電によって与えられる。この帯
電器５２による帯電に先だって、前画像形成での感光体
の履歴をなくすために発光ダイオード等を用いた帯電前
露光部５１による露光を行って感光体周面の除電をして
もよい。

【００２０】感光体への一様帯電の後、像露光器５３に
より画像信号に基づいた像露光が行われる。この図の像
露光器５３は図示しないレーザーダイオードを露光光源
とする。回転するポリゴンミラー５３１、ｆθレンズ等
を経て反射ミラー５３２により光路を曲げられた光によ
り感光体ドラム上の走査がなされ、静電潜像が形成され
る。

【００２１】ここで、本発明の感光体の未露光部電位と
は帯電器５２により、感光体表面を一様に帯電し、像露
光が行われない領域の感光体表面電位を意味する。又、
露光部電位とは像露光が行われた領域の感光体表面電位
を意味する。電位測定は電位センサー５４７を図２のよ
うに現像位置上部に設けて行う。

【００２２】その静電潜像は次いで現像器５４で現像さ
れる。感光体ドラム５０周縁にはトナーとキャリアとか
ら成る現像剤を内蔵した現像器５４が設けられていて、
マグネットを内蔵し現像剤を保持して回転する現像スリ
ーブ５４１によって現像が行われる。現像器５４内部は
現像剤攪拌搬送部材５４４、５４３、搬送量規制部材５
４２等から構成されており、現像剤は攪拌、搬送されて
現像スリーブに供給されるが、その供給量は該搬送量規
制部材５４２により制御される。該現像剤の搬送量は適
用される有機電子写真感光体の線速及び現像剤比重によ
っても異なるが、一般的には２０〜２００ｍｇ／ｃｍ²
の範囲である。

【００２３】現像剤は、例えば前述のフェライトをコア
としてそのまわりに絶縁性樹脂をコーティングしたキャ
リアと、前述のスチレンアクリル系樹脂を主材料として
カーボンブラック等の着色剤と荷電制御剤と本発明の低
分子量ポリオレフィンからなる着色粒子に、シリカ、酸
化チタン等を外添したトナーとからなるもので、現像剤
は搬送量規制部材によって層厚を規制されて現像域へと
搬送され、現像が行われる。この時通常は感光体ドラム
５０と現像スリーブ５４１の間に直流バイアス、必要に
応じて交流バイアス電圧をかけて現像が行われる。ま
た、現像剤は感光体に対して接触あるいは非接触の状態
で現像される。

【００２４】記録紙Ｐは画像形成後、転写のタイミング
の整った時点で給紙ローラー５７の回転作動により転写
域へと給紙される。

【００２５】転写域においては転写のタイミングに同期
して感光体ドラム５０の周面に転写電極（転写器）５８
が圧接され、給紙された記録紙Ｐを挟着して転写され
る。

【００２６】次いで記録紙Ｐは転写ローラーとほぼ同時
に圧接状態とされた分離電極（分離器）５９によって除
電がなされ、感光体ドラム５０の周面により分離して定
着装置６０に搬送され、熱ローラー６０１と圧着ローラ
ー６０２の加熱、加圧によってトナーを溶着したのち排
紙ローラー６１を介して装置外部に排出される。なお前
記の転写電極５８及び分離電極５９は記録紙Ｐの通過後
感光体ドラム５０の周面より退避離間して次なるトナー
像の形成に備える。

【００２７】一方記録紙Ｐを分離した後の感光体ドラム
５０は、クリーニング器６２のブレード６２１の圧接に
より残留トナーを除去・清掃し、再び帯電前露光部５１
による除電と帯電器５２による帯電を受けて次なる画像
形成のプロセスに入る。

【００２８】尚、７０は感光体、帯電器、転写器、分離
器及びクリーニング器が一体化されている着脱可能なプ
ロセスカートリッジである。

【００２９】図３は前記図２の感光体ドラム５０の帯電
電位制御の構成を拡大した図である。

【００３０】本発明の感光体の表面電位測定用の電位セ
ンサー５４７は帯電器５２と現像器５４の間に位置す
る。以下に、未露光部電位の測定法と未露光部電位の修
正を目的とした帯電電位調整プロセスを図３を用いて説
明する。

【００３１】まず、感光体５０上に帯電極５２により一
様に帯電する。帯電された感光体上にレーザーダイオー
ドの像露光器５３によりデジタル露光されない未露光領
域を形成する。該未露光領域の表面電位（未露光部電
位）を電位センサー５４７により検出し、この検出され
た電位信号は図３中のプロセス制御部６３に伝達する。
プロセス制御部６３は電位センサー５４７からの電位信
号に基づいて帯電極を制御するプロセス制御器である。
該制御器は電位センサーからの電位信号と目標電位信号
とを比較し、その差を修正し、目標電位を達成する修正
信号を決定する。高圧制御ユニット６４はプロセス制御
部６３の制御信号を受け帯電極５２に電流、電圧を供給
する高圧制御ユニットである。前記決定された修正信号
に基づきプロセス制御器から帯電電流、帯電グリット電
圧の修正信号が高圧制御ユニットに出され、続いて高圧
制御ユニットから帯電極５２のコロナワイヤー５２１、
スコロトロングリット５２２へそれぞれ修正された帯電
電流、帯電グリット電圧が出力される。このプロセスを
数回繰り返すことにより、電位センサー位置の感光体電
位（未露光部電位）を目標電位に修正する事ができる。

【００３２】本発明の感光体の暗減衰特性の課題を解決
し、現像位置での未露光部電位を適正に維持する為に
は、上記帯電電位調整プロセスの電位センサーからの未
露光部電位信号と比較される目標電位信号、即ち電位セ
ンサー部での未露光部目標電位を感光体の暗減衰の増大
と共に補正（修正）して行くことが必要である。

【００３３】前記未露光部目標電位の設定には種々の方
法があるが、本発明に好ましく用いられる反転現像の画
像形成方法では次に述べるような未露光部目標電位の設
定方法（図４を用いて説明する）が好ましく用いられ
る。

【００３４】即ち、図４に示すように、プリンターや複
写機の毎日の使用開始時、或いは所定のプリント枚数毎
に感光体に帯電、像露光を行い、像露光後の露光部電位
（ＶＬ）を電位センサーにより検知する。該ＶＬを基準
にして、画像濃度を支配する現像バイアス電位、次に現
像バイアス電位を基準として、カブリの発生を防止する
為の未露光部目標電位（ＶＨ）を設定することができ
る。該未露光部目標電位（ＶＨ）は第一ステップとし
て、感光体使用初期の暗減衰特性を基準にした未露光部
目標電位（ＶＨｓ）が設定される。

【００３５】本発明はこの未露光部目標電位（ＶＨｓ）
を感光体使い込みと共に発生する暗減衰の増大に伴い修
正することを目的とする。

【００３６】次に、未露光部目標電位（ＶＨｓ）を暗減
衰の増大と共に修正するプロセスを以下に示す。

【００３７】本発明では未露光部目標電位の修正には以
下の２つの方法を提供している。即ち、１つは暗減衰の
測定による未露光部目標電位の修正であり、他の１つは
感光体使用履歴に基づく未露光部目標電位の修正であ
る。本発明の電位センサー部での未露光部目標電位の修
正は現像位置における未露光部電位を適正に維持するた
めのものである。即ち、前記した本発明の感光体の使い
込みに伴う感光体の暗減衰変動特性をキャンセルできる
ような対策としての電位センサー部での未露光部目標電
位の修正が必要である。本発明の電位センサー部での未
露光部目標電位の修正について、以下に２つの方法を記
載する。

【００３８】１）暗減衰の測定による未露光部目標電位
の修正方法。本発明では感光体の未露光部暗減衰を帯電手段と現像手
段との間の電位センサーにより所定プリント（又はコピ
ー）枚数毎に測定し、該暗減衰の算出値よりの電位セン
サー部の未露光部目標電位を暗減衰が増大した分、即ち
暗減衰増大により現像位置での未露光部電位が低下する
電位分を修正する。上記暗減衰の算出、及び未露光部目
標電位の算出と修正のプロセスは該プロセスのプログラ
ムソフトをプロセス制御部６３のメモリ中に組み込むこ
とにより、実際の帯電電位制御サイクルの中で自動的に
為されるように設計することができる。又、暗減衰の測
定は以下の２つの方法のいずれか一方を用いて行える。

【００３９】暗減衰の測定感光体を帯電させながら回転し表面電位を測定した
後、回転を停止し、回転停止所定時間後の表面電位を電
位センサーの表面電位測定値より求める。回転停止直前
と前記所定時間後の表面電位との差より暗減衰量を算出
する。

【００４０】感光体を帯電させながら回転し表面電
位を測定した後、帯電を停止して所定数回転した後の表
面電位を電位センサーの表面電位測定値より求める。帯
電停止直前の表面電位値と帯電停止所定数回転後の表面
電位との差より暗減衰量を算出する。

【００４１】本発明の暗減衰の測定は「定期的に」の定
期的とはプリンターや複写機の使用開始時毎に、或いは
所定のコピー（プリント）カウント毎に等、所定の時間
間隔、或いは履歴間隔を設定して行うことを意味する。

【００４２】２）感光体使用履歴に基づく未露光部目標
電位の修正方法。感光体使用履歴に伴う暗減衰の増大を予め平均的な本発
明の感光体で実験等で求めておき、同一種類の感光体に
ついて、未露光部目標電位を感光体使用履歴に応じて、
見込み補正（修正）を行う。該感光体の使用履歴として
はコピーカウント（複写枚数）、プリントカウント（プ
リント枚数）、複写又はプリント時間、感光体回転数累
積等であり、これらの使用履歴の増大による暗減衰の増
加を予め平均的な本発明の感光体で実験等で求めてお
き、該実験で求められたデータに基づき、現像位置での
未露光部電位を目標値に維持するように電位センサー位
置での未露光部目標電位をコピー枚数により変化させ
る。

【００４３】上記コピーカウントによる未露光部目標電
位の見込み補正（修正）の例を表１に示す。

【００４４】

【表１】

【００４５】表１ではコピーカウントによる暗減衰の増
加を未露光部目標電位を（現像バイアス電位＋α）と
し、α部分をコピーカウントの増大と伴に見込み補正
（修正）することにより、現像位置の未露光電位を適正
に維持し、黒ポチやカブリの発生を防ぐことができる。
表１ではコピーカウントを例に取ったが、コピーカウン
トに換えて、感光体ドラムの回転数に基づき、見込み補
正（修正）しても良い。又感光体の使用履歴をカウント
できる他の指標に基づいても良い。

【００４６】又、この方式の表面電位制御も表１のよう
な見込み補正（修正）のプログラムをプロセス制御部６
３のメモリの中に組み込むことにより、実際の帯電電位
制御サイクルの中で自動的に未露光部目標電位が修正さ
れるようにする。

【００４７】本発明において好ましく用いられる反転現
像の画像形成条件は感光体への帯電電位が絶対値で４５
０〜９５０Ｖ、現像スリーブにかかる直流電圧は絶対値
で３５０〜８００Ｖ、有機電子写真感光体と該現像剤を
担持する現像スリーブとの距離（Ｄｓｄ）は３５０〜８
００μｍ、感光体と現像スリーブの線速比は１：１〜
１：３．５の範囲が好ましい。前記Ｄｓｄが８００μｍ
を越えると現像電界が弱くなり、現像性が低下する。

【００４８】次に、本発明のシロキサン系樹脂層を保護
層として有する有機電子写真感光体について記載する。
本発明において、有機電子写真感光体とは電子写真感光
体の構成に必要不可欠な電荷発生機能及び電荷輸送機能
の少なくとも一方の機能を有機化合物に持たせて構成さ
れた電子写真感光体を意味し、公知の有機電荷発生物質
又は有機電荷輸送物質から構成された感光体、電荷発生
機能と電荷輸送機能を高分子錯体で構成した感光体等公
知の有機電子写真感光体を全て含有する。

【００４９】本発明のシロキサン系樹脂層は電荷輸送性
能を有する構造単位を有し、且つ架橋構造を有するシロ
キサン系樹脂層であることが好ましい。

【００５０】一般にシロキサン系樹脂層は硬化性有機ケ
イ素化合物の加水分解生成物を脱水縮合して得られる。
代表的には下記一般式（１）で表される有機ケイ素化合
物を原料とした塗布組成物を塗布乾燥することにより形
成される。これらの原料は親水性溶媒中では加水分解と
その後に生じる縮合反応により、溶媒中で有機ケイ素化
合物の縮合物（オリゴマー）を形成する。これら塗布組
成物を塗布、乾燥することにより、３次元網目構造を形
成したシロキサン系樹脂層を形成することができる。

【００５１】一般式（１）（Ｒ）_n−Ｓｉ−（Ｘ）_4-n 式中、Ｓｉはケイ素原子、Ｒは該ケイ素原子に炭素が直
接結合した形の有機基を表し、Ｘは水酸基又は加水分解
性基を表し、ｎは０〜３の整数を表す。

【００５２】一般式（１）で表される有機ケイ素化合物
において、Ｒで示されるケイ素に炭素が直接結合した形
の有機基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル
等のアルキル基、フェニル、トリル、ナフチル、ビフェ
ニル等のアリール基、γ−グリシドキシプロピル、β−
（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル等の含エポ
キシ基、γ−アクリロキシプロピル、γ−メタアクリロ
キシプロピルの含（メタ）アクリロイル基、γ−ヒドロ
キシプロピル、２，３−ジヒドロキシプロピルオキシプ
ロピル等の含水酸基、ビニル、プロペニル等の含ビニル
基、γ−メルカプトプロピル等の含メルカプト基、γ−
アミノプロピル、Ｎ−β（−アミノエチル）−γ−アミ
ノプロピル等の含アミノ基、γ−クロロプロピル、１，
１，１−トリフルオロプロピル、ノナフルオロヘキシ
ル、パーフルオロオクチルエチル等の含ハロゲン基、そ
の他ニトロ、シアノ置換アルキル基を挙げられる。特に
はメチル、エチル、プロピル、ブチル等のアルキル基が
好ましい。又Ｘの加水分解性基としてはメトキシ、エト
キシ等のアルコキシ基、ハロゲン基、アシルオキシ基が
挙げられる。特には炭素数６以下のアルコキシ基が好ま
しい。

【００５３】又一般式（１）で表される有機ケイ素化合
物の具体的化合物で、ｎが２以上の場合、複数のＲは同
一でも異なっていても良い。同様に、ｎが２以下の場
合、複数のＸは同一でも異なっていても良い。又、一般
式（１）で表される有機ケイ素化合物を２種以上を用い
るとき、Ｒ及びＸはそれぞれの化合物間で同一でも良
く、異なっていても良い。

【００５４】又前記一般式（１）で表される有機ケイ素
化合物の中でもは、ｎが１と２の化合物を併用した塗布
液から形成されたシロキサン系樹脂層は機械的耐摩耗性
が高く、クリーニング性の良好な保護層を形成すること
ができる。

【００５５】前記一般式（１）で表される有機ケイ素化
合物の中でも、ｎが１と２の下記一般式（２）及び一般
式（３）の有機ケイ素化合物を併用した塗布液から形成
されたシロキサン系樹脂層は良好な表面物性を備えた保
護層を形成することができる。

【００５６】一般式（２）Ｒ₁Ｓｉ（Ｘ）₃ 一般式（３）Ｒ₁Ｒ₂Ｓｉ（Ｘ）₂ （式中、Ｒ₁、Ｒ₂は炭素数１〜１０のアルキル基、アリ
ール基、ビニル基、アミノ基、γ−グリシドキシプロピ
ル基、γ−メタクリルオキシプロピル基、Ｃ_nＦ_2n+1Ｃ₂
Ｈ₄−を表す。ｎは１〜６の整数、Ｘは水酸基、又は加
水分解性基を表す。）前記一般式（２）及び一般式（３）で表される有機ケイ
素化合物若しくはこれらの加水分解生成物、或いは該加
水分解生成物から得られる縮合物を使用して得られた前
記シロキサン系樹脂層は弾性と剛性を備え、且つ表面自
由エネルギーの小さい、トナーや紙粉のフィルミングが
発生しにくい表面物性を備えた保護層を形成することが
できる。

【００５７】前記一般式（２）の有機ケイ素化合物の具
体例としては下記の化合物が挙げられる。

【００５８】即ち、トリクロロシラン、メチルトリクロ
ロシラン、ビニルトリクロロシラン、エチルトリクロロ
シラン、アリルトリクロロシラン、ｎ−プロピルトリク
ロロシラン、ｎ−ブチルトリクロロシラン、クロロメチ
ルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メ
ルカプトメチルトリメトキシシラン、トリメトキシビニ
ルシラン、エチルトリメトキシシラン、３，３，４，
４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルトリク
ロロシラン、フェニルトリクロロシラン、３，３，３−
トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、３−クロロ
プロピルトリメトキシシラン、トリエトキシシラン、３
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、２−アミノエチルアミノ
メチルトリメトキシシラン、ベンジルトリクロロシラ
ン、メチルトリアセトキシシラン、クロロメチルトリエ
トキシシラン、エチルトリアセトキシシラン、フェニル
トリメトキシシラン、３−アリルチオプロピルトリメト
キシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン、３−ブロモプロピルトリエトキシシラン、３−ア
リルアミノプロピルトリメトキシシラン、プロピルトリ
エトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、３−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン、ビス（エチルメチルケト
オキシム）メトキシメチルシラン、ペンチルトリエトキ
シシラン、オクチルトリエトキシシラン、ドデシルトリ
エトキシシラン等が挙げられる。

【００５９】前記一般式（３）の有機ケイ素化合物の具
体例としては下記の化合物が挙げられる。

【００６０】ジメチルジクロロシラン、ジメトキシメチ
ルシラン、ジメトキシジメチルシラン、メチル−３，
３，３−トリフルオロプロピルジクロロシラン、ジエト
キシシラン、ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチ
ル−３，３，３−トリフルオロプロピルシラン、３−ク
ロロプロピルジメトキシメチルシラン、クロロメチルジ
エトキシシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジメトキ
シ−３−メルカプトプロピルメチルシラン、３，３，
４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルメ
チルジクロロシラン、メチルフェニルジクロロシラン、
ジアセトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビ
ニルシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジクロ
ロシラン、３−アミノプロピルジエトキシメチルシラ
ン、３−（２−アミノエチルアミノプロピル）ジメトキ
シメチルシラン、ｔ−ブチルフェニルジクロロシラン、
３−メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、
３−（３−シアノプロピルチオプロピル）ジメトキシメ
チルシラン、３−（２−アセトキシエチルチオプロピ
ル）ジメトキシメチルシラン、ジメトキシメチル−２−
ピペリジノエチルシラン、ジブトキシジメチルシラン、
３−ジメチルアミノプロピルジエトキシメチルシラン、
ジエトキシメチルフェニルシラン、ジエトキシ−３−グ
リシドキシプロピルメチルシラン、３−（３−アセトキ
シプロピルチオ）プロピルジメトキシメチルシラン、ジ
メトキシメチル−３−ピペリジノプロピルシラン、ジエ
トキシメチルオクタデシルシラン等が挙げられる。

【００６１】本発明の最も好ましいシロキサン系樹脂層
は該シロキサン系樹脂層自体が電荷輸送性を有し、且つ
表面自由エネルギーが小さく、該シロキサン系樹脂層の
隣接層との接着性や脆弱性が改質されたシロキサン系樹
脂層である。

【００６２】このようなシロキサン系樹脂層は電荷輸送
性能を有する構造単位を有し、且つ架橋構造を有するシ
ロキサン系樹脂層である。該電荷輸送性能を有する構造
単位を有し、且つ架橋構造を有するシロキサン系樹脂層
は、具体的には下記一般式（４）で示された電荷輸送性
化合物と前記有機ケイ素化合物又は該縮合物等との縮合
反応により形成される。そして該シロキサン系樹脂層は
残留電位上昇が小さく、表面自由エネルギーが小さく、
トナーや紙粉のフィルミングが発生しにくい、且つ隣接
層との接着性や脆弱性を改質された膜物性を有する最も
好ましい保護層を形成できる。

【００６３】一般式（４）Ｂ−（Ｒ₁−ＺＨ）_m 式中、Ｂは電荷輸送性能を有する構造単位を含む１価又
は多価の基を表し、Ｒ ₁は単結合又は２価のアルキレン
基を表し、Ｚは酸素原子、硫黄原子又はＮＨを表し、ｍ
は１〜４の整数を表す。

【００６４】一般式（４）のＢは電荷輸送性化合物構造
を含む１価以上の基である。ここでＢが電荷輸送性化合
物構造を含むとは、一般式（４）中の（Ｒ₁−ＺＨ）基
を除いた化合物構造が電荷輸送性能を有しているか、又
は前記一般式（４）中の（Ｒ ₁−ＺＨ）基を水素原子で
置換したＢＨの化合物が電荷輸送性能を有する事を意味
する。

【００６５】尚、前記の電荷輸送性化合物とは電子或い
は正孔のドリフト移動度を有する性質を示す化合物であ
り、又別の定義としてはＴｉｍｅ−Ｏｆ−Ｆｌｉｇｈｔ
法などの電荷輸送性能を検知できる公知の方法により電
荷輸送に起因する検出電流が得られる化合物として定義
できる。

【００６６】前記シロキサン系樹脂層中に電荷輸送性能
を有する構造単位を有する本発明のシロキサン系樹脂層
は前記有機ケイ素化合物と電荷輸送性化合物との縮合反
応により形成できれる。本発明のシロキサン系樹脂層は
前記一般式（４）で示された電荷輸送性化合物に代えて
前記有機ケイ素化合物と反応性を有する電荷輸送性化合
物を用いることもできる。

【００６７】前記シロキサン系樹脂層中に５ｎｍ〜５０
０ｎｍの無機金属酸化物粒子を含有させることが好まし
い。即ち、前記シロキサン系樹脂層は水酸基或いは加水
分解性基を有する有機ケイ素化合物、又は該有機ケイ素
化合物の縮合生成物と水酸基を有する電荷輸送性能化合
物、及び５ｎｍ〜５００ｎｍの無機金属酸化物粒子を含
有する組成物と塗布、乾燥させて得られる電荷輸送性を
有する複合化された樹脂層が好ましい。

【００６８】前記５ｎｍから５００ｎｍの金属酸化物粒
子は通常は液相法によって合成される。金属原子の例と
してはＳｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｍ
ｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕなどが挙げられる。これらの金属
酸化物粒子はコロイド粒子として得ることができる。

【００６９】又、前記金属酸化物粒子は該粒子表面に前
記有機ケイ素化合物と反応性を有する化合物基を有する
ことが好ましい。該反応性を有する化合物基としては、
例えば水酸基、アミノ基等が挙げられる。このような反
応性基を有する金属酸化物粒子を用いることにより、本
発明の保護層は前記シロキサン系樹脂と該金属酸化物粒
子表面が化学結合をした複合化されたシロキサン系樹脂
層を形成し、強度と弾性を増強した樹脂層となり、該シ
ロキサン系樹脂層を感光体の保護層として用いるとブレ
ードクリーニング等の擦過に対して摩耗しにくい、電子
写真特性の良好な膜を形成する。

【００７０】前記水酸基又は加水分解性基を有する有機
ケイ素化合物、及び水酸基又は加水分解性基を有する有
機ケイ素化合物から形成された縮合物との総量（Ｈ）と
前記一般式（４）の化合物の量（Ｉ）の組成比として
は、質量比で１００：３〜５０：１００であることが好
ましく、より好ましくは１００：１０〜５０：１００の
間である。

【００７１】また前記金属酸化物粒子の添加量（Ｊ）は
前記総量（Ｈ）＋化合物の量（Ｉ）の総質量１００部に
対し（Ｊ）を１〜３０質量部を用いることが好ましい。

【００７２】前記総量（Ｈ）成分が前記の範囲内で使用
されると、本発明の感光体表面層の硬度が高く且つ弾力
性がある。一方、前記化合物の量（Ｉ）が前記の範囲内
で使用されると感度や残留電位特性等の電子写真特性が
良好であり、前記感光体表面層の硬度が高い。

【００７３】更には前記シロキサン系樹脂層の製造過程
の乾燥温度を８０℃以上の高温で行うこと、更に乾燥後
のシロキサン系樹脂層を３０℃〜１００℃で数時間以上
の再加熱を行うこと等が好ましい。

【００７４】前記のシロキサン系樹脂層を形成するには
縮合反応を促進するために縮合触媒としては以下のよう
な縮合触媒が好ましい。

【００７５】具体的な縮合触媒としては酸、金属酸化
物、金属塩、金属キレート化合物、アルキルアミノシラ
ン化合物など従来シリコーンハードコート材料に用いら
れてきた公知の触媒を用いることができるが、燐酸、酢
酸の他、チタンキレートやアルミニウムキレート及びス
ズ有機酸塩（スタンナスオクトエート、ジブチルチンジ
アセテート、ジブチルチンジラウレート、ジブチルチン
メルカプチド、ジブチルチンチオカルボキシレート、ジ
ブチルチンマリエート等）等が好ましい。

【００７６】以下に前記一般式（４）で表される好まし
い化合物例をあげるが、本発明においては下記化合物に
は限定されない。

【００７７】

【化１】

【００７８】

【化２】

【００７９】

【化３】

【００８０】前記シロキサン系樹脂層には酸化防止剤を
含有させることが好ましい。該酸化防止剤とは、その代
表的なものは有機感光体中ないしは有機感光体表面に存
在する自動酸化性物質に対して、光、熱、放電等の条件
下で酸素の作用を防止ないし、抑制する性質を有する物
質である。代表的には下記の化合物群が挙げられる。

【００８１】

【化４】

【００８２】

【化５】

【００８３】

【化６】

【００８４】次に、前記保護層以外の本発明の感光体構
成について記載する。本発明の有機電子写真感光体の層
構成は、特に限定はないが、電荷発生層、電荷輸送層、
或いは電荷発生・電荷輸送層（電荷発生と電荷輸送の機
能を同一層に有する層）等の感光層とその上に保護層を
塗設した構成をとるのが好ましい。

【００８５】以下に本発明に用いられる感光体の構成に
ついて記載する。導電性支持体本発明の感光体に用いられる導電性支持体としてはシー
ト状、円筒状のどちらを用いても良いが、画像形成装置
をコンパクトに設計するためには円筒状導電性支持体の
方が好ましい。

【００８６】本発明の円筒状導電性支持体とは回転する
ことによりエンドレスに画像を形成できるに必要な円筒
状の支持体を意味し、真直度で０．１ｍｍ以下、振れ
０．１ｍｍ以下の範囲にある導電性の支持体が好まし
い。この真円度及び振れの範囲を超えると、良好な画像
形成が困難になる。

【００８７】導電性の材料としてはアルミニウム、ニッ
ケルなどの金属ドラム、又はアルミニウム、酸化錫、酸
化インジュウムなどを蒸着したプラスチックドラム、又
は導電性物質を塗布した紙・プラスチックドラムを使用
することができる。導電性支持体としては常温で比抵抗
１０³Ωｃｍ以下が好ましい。

【００８８】本発明で用いられる導電性支持体は、その
表面に封孔処理されたアルマイト膜が形成されたものを
用いても良い。アルマイト処理は、通常例えばクロム
酸、硫酸、シュウ酸、リン酸、硼酸、スルファミン酸等
の酸性浴中で行われるが、硫酸中での陽極酸化処理が最
も好ましい結果を与える。硫酸中での陽極酸化処理の場
合、硫酸濃度は１００〜２００ｇ／ｌ、アルミニウムイ
オン濃度は１〜１０ｇ／ｌ、液温は２０℃前後、印加電
圧は約２０Ｖで行うのが好ましいが、これに限定される
ものではない。又、陽極酸化被膜の平均膜厚は、通常２
０μｍ以下、特に１０μｍ以下が好ましい。

【００８９】中間層本発明においては導電性支持体と感光層の間に、バリヤ
ー機能を備えた中間層を設けることもできる。

【００９０】本発明においては導電性支持体と前記感光
層のとの接着性改良、或いは該支持体からの電荷注入を
防止するために、該支持体と前記感光層の間に中間層
（下引層も含む）を設けることもできる。該中間層の材
料としては、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビ
ニル樹脂並びに、これらの樹脂の繰り返し単位のうちの
２つ以上を含む共重合体樹脂が挙げられる。これら下引
き樹脂の中で繰り返し使用に伴う残留電位増加を小さく
できる樹脂としてはポリアミド樹脂が好ましい。又、こ
れら樹脂を用いた中間層の膜厚は０．０１〜０．５μｍ
が好ましい。

【００９１】又本発明に最も好ましく用いられる中間層
はシランカップリング剤、チタンカップリング剤等の有
機金属化合物を熱硬化させた硬化性金属樹脂を用いた中
間層が挙げられる。硬化性金属樹脂を用いた中間層の膜
厚は、０．１〜２μｍが好ましい。

【００９２】感光層本発明の感光体の感光層構成は前記中間層上に電荷発生
機能と電荷輸送機能を１つの層に持たせた単層構造の感
光層構成でも良いが、より好ましくは感光層の機能を電
荷発生層（ＣＧＬ）と電荷輸送層（ＣＴＬ）に分離した
構成をとるのがよい。機能を分離した構成を取ることに
より繰り返し使用に伴う残留電位増加を小さく制御で
き、その他の電子写真特性を目的に合わせて制御しやす
い。負帯電用の感光体では中間層の上に電荷発生層（Ｃ
ＧＬ）、その上に電荷輸送層（ＣＴＬ）の構成を取るこ
とが好ましい。正帯電用の感光体では前記層構成の順が
負帯電用感光体の場合の逆となる。本発明の最も好まし
い感光層構成は前記機能分離構造を有する負帯電感光体
構成である。

【００９３】以下に機能分離負帯電感光体の感光層構成
について説明する。電荷発生層電荷発生層：電荷発生層には電荷発生物質（ＣＧＭ）を
含有する。その他の物質としては必要によりバインダー
樹脂、その他添加剤を含有しても良い。

【００９４】電荷発生物質（ＣＧＭ）としては公知の電
荷発生物質（ＣＧＭ）を用いることができる。例えばフ
タロシアニン顔料、アゾ顔料、ペリレン顔料、アズレニ
ウム顔料などを用いることができる。これらの中で繰り
返し使用に伴う残留電位増加を最も小さくできるＣＧＭ
は複数の分子間で安定な凝集構造をとりうる立体、電位
構造を有するものであり、具体的には特定の結晶構造を
有するフタロシアニン顔料、ペリレン顔料のＣＧＭが挙
げられる。例えばＣｕ−Ｋα線に対するブラッグ角２θ
が２７．２°に最大ピークを有するチタニルフタロシア
ニン、同２θが１２．４に最大ピークを有するベンズイ
ミダゾールペリレン等のＣＧＭは繰り返し使用に伴う劣
化がほとんどなく、残留電位増加小さくすることができ
る。

【００９５】電荷発生層にＣＧＭの分散媒としてバイン
ダーを用いる場合、バインダーとしては公知の樹脂を用
いることができるが、最も好ましい樹脂としてはホルマ
ール樹脂、ブチラール樹脂、シリコーン樹脂、シリコー
ン変性ブチラール樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられ
る。バインダー樹脂と電荷発生物質との割合は、バイン
ダー樹脂１００質量部に対し２０〜６００質量部が好ま
しい。これらの樹脂を用いることにより、繰り返し使用
に伴う残留電位増加を最も小さくできる。電荷発生層の
膜厚は０．０１μｍ〜２μｍが好ましい。

【００９６】電荷輸送層電荷輸送層：電荷輸送層には電荷輸送物質（ＣＴＭ）及
びＣＴＭを分散し製膜するバインダー樹脂を含有する。
その他の物質としては必要により酸化防止剤等の添加剤
を含有しても良い。

【００９７】電荷輸送物質（ＣＴＭ）としては公知の電
荷輸送物質（ＣＴＭ）を用いることができる。例えばト
リフェニルアミン誘導体、ヒドラゾン化合物、スチリル
化合物、ベンジジン化合物、ブタジエン化合物などを用
いることができる。これら電荷輸送物質は通常、適当な
バインダー樹脂中に溶解して層形成が行われる。これら
の中で繰り返し使用に伴う残留電位増加を最も小さくで
きるＣＴＭは高移動度で、且つ組み合わされるＣＧＭと
のイオン化ポテンシャル差が０．５（ｅＶ）以下の特性
を有するものであり、好ましくは０．２５（ｅＶ）以下
である。

【００９８】ＣＧＭ、ＣＴＭのイオン化ポテンシャルは
表面分析装置ＡＣ−１（理研計器社製）で測定される。

【００９９】電荷輸送層（ＣＴＬ）に用いられる樹脂と
しては、例えばポリスチレン、アクリル樹脂、メタクリ
ル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニル
ブチラール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フ
ェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、メラミン樹脂並
びに、これらの樹脂の繰り返し単位のうちの２つ以上を
含む共重合体樹脂。又これらの絶縁性樹脂の他、ポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体が挙げら
れる。

【０１００】これらＣＴＬのバインダーとして最も好ま
しいものはポリカーボネート樹脂である。ポリカーボネ
ート樹脂はＣＴＭの分散性、電子写真特性を良好にする
ことにおいて、最も好ましい。バインダー樹脂と電荷輸
送物質との割合は、バインダー樹脂１００質量部に対し
１０〜２００質量部が好ましい。又、電荷輸送層の膜厚
は１０〜４０μｍが好ましい。

【０１０１】保護層感光体の保護層として、前記シロキサン系樹脂層を設け
ることにより、本発明の最も好ましい層構成を有する感
光体を得ることができる。

【０１０２】本発明の中間層、感光層、保護層等の層形
成に用いられる溶媒又は分散媒としては、ｎ−ブチルア
ミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、イソプロパ
ノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチレンジ
アミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、シクロ
ヘキサノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホ
ルム、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、１，
２−ジクロロプロパン、１，１，２−トリクロロエタ
ン、１，１，１−トリクロロエタン、トリクロロエチレ
ン、テトラクロロエタン、テトラヒドロフラン、ジオキ
ソラン、ジオキサン、メタノール、エタノール、ブタノ
ール、イソプロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジ
メチルスルホキシド、メチルセロソルブ等が挙げられ
る。本発明はこれらに限定されるものではないが、ジク
ロロメタン、１，２−ジクロロエタン、メチルエチルケ
トン等が好ましく用いられる。また、これらの溶媒は単
独或いは２種以上の混合溶媒として用いることもでき
る。

【０１０３】次に本発明の有機電子写真感光体を製造す
るための塗布加工方法としては、浸漬塗布、スプレー塗
布、円形量規制型塗布等の塗布加工法が用いられるが、
感光層の上層側の塗布加工は下層の膜を極力溶解させな
いため、又、均一塗布加工を達成するためスプレー塗布
又は円形量規制型（円形スライドホッパ型がその代表
例）塗布等の塗布加工方法を用いるのが好ましい。なお
本発明の保護層は前記円形量規制型塗布加工方法を用い
るのが最も好ましい。前記円形量規制型塗布については
例えば特開昭５８−１８９０６１号公報に詳細に記載さ
れている。

【０１０４】本発明の画像形成装置は電子写真複写機、
レーザープリンター、ＬＥＤプリンター及び液晶シャッ
ター式プリンター等の電子写真装置一般に適応するが、
更に、電子写真技術を応用したディスプレー、記録、軽
印刷、製版及びファクシミリ等の装置にも幅広く適用す
ることができる。

【０１０５】

【実施例】以下、実施例をあげて本発明を詳細に説明す
るが、本発明の様態はこれに限定されない。なお、文中
「部」とは「質量部」を表す。

【０１０６】実施例１感光体の作製感光体１〈下引き層〉チタンキレート化合物（ＴＣ−７５０：松本製薬製）３０ｇシランカップリング剤（ＫＢＭ−５０３：信越化学社製）１７ｇ２−プロパノール１５０ｍｌ上記組成の下引き層塗布液を用いてφ１００ｍｍの円筒
形の導電性支持体上に、乾燥膜厚０．５μｍとなるよう
塗布した。

【０１０７】〈電荷発生層〉Ｙ型チタニルフタロシアニン（Ｃｕ−Ｋα特性Ｘ線によるＸ線回折の最大ピーク角度が２θで２７．３）６０ｇシリコーン変性ブチラール樹脂（Ｘ−４０−１２１１Ｍ：信越化学社製）７００ｇ２−ブタノン２０００ｍｌを混合し、サンドミルを用いて１０時間分散し、電荷発
生層塗布液を調製した。この塗布液を前記下引き層の上
に浸漬塗布法で塗布し、乾燥膜厚０．２μｍの電荷発生
層を形成した。

【０１０８】〈電荷輸送層〉電荷輸送物質〔Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ−｛４− （β−フェニルスチリル）フェニル｝−ｐ−トルイジン〕２２５ｇポリカーボネート（粘度平均分子量３０，０００）３００ｇ酸化防止剤（例示化合物１−３）６ｇジクロロメタン２０００ｍｌを混合し、溶解して電荷輸送層塗布液を調製した。この
塗布液を前記電荷発生層の上に浸漬塗布法で塗布し、乾
燥膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成した。

【０１０９】〈保護層〉メチルトリメトキシシラン１８２ｇ例示化合物（Ｂ−１）５０ｇ酸化防止剤（例示化合物２−１）１ｇ１−ブタノール２２５ｇコロイダルシリカ（３０％メタノール溶液）１００ｇ２％酢酸１０６ｇアルミニウムトリスアセチルアセトナート１ｇシラン化合物と１−ブタノール、２％酢酸を混合し、撹
拌しながら４０℃の温度で１６時間撹拌した後、例示化
合物（Ｂ−１）、酸化防止剤、アルミニウムトリスアセ
チルアセトナートを加えて更に室温で１時間撹拌して保
護層用の塗布液を調製した。この塗布液を前記電荷輸送
層の上に円形量規制型塗布装置により乾燥膜厚１μｍの
樹脂層を形成し、この樹脂層を１１０℃、１時間の加熱
硬化を行い、電荷輸送性能を有する構造単位を有し、且
つ架橋構造を有するシロキサン系樹脂層の保護層を形成
し感光体１を作製した。

【０１１０】上記感光体を図２及び図３の構造を基本的
に有するデジタル複写機（スコロトロン帯電器、半導体
レーザー像露光器、反転現像手段を有する）に設定し、
１万コピー毎に該感光体の未露光部の暗減衰を前記記載
の方法により測定し、暗衰量測定値に基づき未露光部目
標電位を修正し、この新規に設定された未露光部目標電
位を感光体に帯電するように、帯電手段を制御し複写画
像作製の実験を行った。この暗減衰測定と未露光部目標
電位の修正、及び帯電手段の制御を１万コピー毎に繰り
返すことにより、カブリや黒ポチ発生のない鮮明なコピ
ー画像を１００万コピーの複写画像においても得ること
ができた。一方、上記暗減衰の測定と未露光部目標電位
の修正を行わないで実施した複写画像では約６５万コピ
ーを過ぎたコピー画像に全面カブリが発生した。

【０１１１】実施例２上記感光体を図２及び図３の構造を基本的に有するデジ
タル複写機（スコロトロン帯電器、半導体レーザー像露
光器、反転現像手段を有する）に設定し、複写実験を行
った。この実験においては図３のプロセス制御部のメモ
リー中に表１のコピーカウントによる未露光部目標電位
の補正（修正）プログラムを組み込み、コピーカウント
と共に自動的に未露光部目標電位が修正されるようにデ
ジタル複写機を改造した。表１の現像バイアス電位（Ｖ
ｂｉａｓ）は−５５０Ｖに設定した。この複写実験の画
像形成に際し、前記電位センサーにより未露光部電位を
測定し、目標値の未露光部電位が得られていない場合
は、制御部を通して、未露光部目標電位を達成するため
に、帯電手段の出力値を制御した。このようなコピーカ
ウンターによる未露光部目標電位の補正（修正）、及び
該補正（修正）を基に帯電手段の出力値制御を行うこと
によりカブリや黒ポチ発生のない鮮明なコピー画像を１
００万コピーの複写画像においても得ることができた。
一方、上記未露光部目標電位の補正（修正）を行わない
で実施した複写画像では約６５万コピーを過ぎたコピー
画像に全面カブリが発生した。

【０１１２】

【発明の効果】前記の実施例より明らかなように、本発
明のシロキサン系樹脂層を保護層に有する感光体を用い
た画像形成装置は該感光体の暗減衰特性を補完するよう
な制御プロセスを画像形成装置内に設けることにより、
耐久特性の良い前記感光体の特徴を最大限に生かし、こ
れまで有機感光体では達成不可能であった１００万コピ
ーの複写画像を黒ポチやカブリの発生もなく、十分な画
像濃度を保持して達成することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】保護層として架橋構造を有するシロキサン系樹
脂層を有する有機感光体の未露光部電位の推移を示した
グラフ。

【図２】本発明の画像形成方法の１例としての画像形成
装置の断面図。

【図３】図２の感光体ドラム５０の帯電電位制御の構成
を拡大した図。

【図４】未露光部目標電位の設定方法を説明する図。

【符号の説明】

５０感光体ドラム（又は感光体）５１帯電前露光部５２帯電器５３像露光器５４現像器５４１現像スリーブ５４２搬送量規制部材５４３現像剤攪拌搬送部材５４４現像剤攪拌搬送部材５４７電位センサー５７給紙ローラー５８転写電極５９分離電極（分離器）６０定着装置６１排紙ローラー６２クリーニング器７０プロセスカートリッジ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山口徹東京都八王子市石川町2970番地コニカ株式会社内Ｆターム(参考） 2H003 AA01 BB11 CC01 DD03 DD08 2H027 DA02 DA44 DE05 EA01 EC06 EC15 2H068 AA03 AA04 BA12 BB33 BB49 FA19

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】感光体と、その周辺に帯電手段と現像手
段とを有し、該帯電手段と現像手段との間に感光体表面
電位を測定する電位センサーを備え、その測定値に基づ
き帯電手段の出力値を制御する制御部を有する画像形成
装置において、感光体が保護層として架橋構造を有するシロキサン系樹
脂層を有する有機感光体であり、電位センサーにより測定された感光体の未露光部電位に
基づき、前記制御部は帯電手段の出力値を制御し、感光
体の未露光部電位を修正することを特徴とする画像形成
装置。
【請求項２】感光体と、その周辺に帯電手段と現像手
段とを有し、該帯電手段と現像手段との間に感光体表面
電位を測定する電位センサーを備え、その測定値に基づ
き帯電手段の出力値を制御する制御部を有する画像形成
装置において、感光体が保護層として架橋構造を有するシロキサン系樹
脂層を有する有機感光体であり、電位センサーにより感光体の電位暗減衰を測定し、該電
位暗減衰に基づき、制御部は感光体の電位センサー位置
の未露光部目標電位を修正し、電位センサー位置の未露
光部電位が該修正された未露光部目標電位に近づくよう
に帯電手段の出力値を制御することを特徴とする画像形
成装置。
【請求項３】前記電位暗減衰の測定を定期的に行うこ
とを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】感光体と、その周辺に帯電手段と現像手
段とを有し、該帯電手段と現像手段との間に感光体表面
電位を測定する電位センサーを備え、その測定値に基づ
き帯電手段の出力値を制御する制御部を有する画像形成
装置において、前記感光体が保護層として架橋構造を有するシロキサン
系樹脂層を有する有機感光体であり、制御部は前記感光体の電位センサー位置の未露光部目標
電位を感光体使用履歴に応じて修正するプログラムを有
しており、前記制御部は電位センサー位置の未露光部電
位が前記プログラムにより修正された未露光部目標電位
に近づくように帯電手段の出力値を制御することを特徴
とする画像形成装置。