JP2002014476A - 感光性ポリイミド前駆体用現像液及びパターンの製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、多層配線板用の層間絶縁膜や半導体
メモリー素子用のα線遮蔽膜、バッファーコート膜用途
等のポリイミドのパターンを、使用環境の湿度によら
ず、再現性よく安定して得られ、現像時間が短い有機溶
剤現像型感光性ポリイミド用現像液及び多層配線板用の
層間絶縁膜や半導体メモリー素子用のα線遮蔽膜、バッ
ファーコート膜用途等のポリイミドのパターンを、使用
環境の湿度によらず、再現性よく安定して得られるパタ
ーンの製造法に関する。 【解決手段】有機溶剤に水を１重量％以上配合してなる
感光性ポリイミド前駆体用現像液及びパターンの製造
法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、湿度変化の影響を
受けにくい有機溶剤型の感光性ポリイミド前駆体用現像
液及びこれを用いたパターンの製造法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体工業にあっては、従来より
無機材料を用いて行われていた層間絶縁材料として、ポ
リイミド樹脂等のような耐熱性に優れた有機物が、その
特性を活かして使用されてきている。しかし、半導体集
積回路やプリント基板上の回路パターン形成は、基材表
面へのレジスト材の造膜、所定箇所への露光、エッチン
グ等により不要箇所の除去、基板表面の洗浄作業等の煩
雑で多岐にわたる工程を経てパターン形成が行われるこ
とから、露光、現像によるパターン形成後も必要な部分
のレジストを絶縁材料としてそのまま残して用いること
ができる耐熱感光材料の開発が望まれている。

【０００３】これらの材料として、例えば、感光性ポリ
イミド、環化ポリブタジエン等をベースポリマとした耐
熱感光材料が提案されており、特に感光性ポリイミド
は、その耐熱性が優れていることや不純物の排除が容易
であること等の点から特に注目され、使用されてきてい
る。

【０００４】通常、感光性ポリイミドは、ウェットエッ
チングでパターニングされ、現像方式としてパドル式、
スプレー式、ディップ式が挙げられる。ここで、現像液
が有機溶剤である場合、現像時に空気中の水分を吸湿し
てしまい、現像液の溶解性が変化することがある。特に
スプレー式の場合、現像液が霧状になり表面積が増大す
ることから吸湿し易く、影響が顕著となる傾向がある。
これらの結果、現像を行う場所の湿度の変化によって適
正な現像時間が変化するなどして、パターンの解像度、
寸法、形状が安定して得られない場合がある。

【０００５】さらに、最近では工程短縮の面から、得ら
れたポリイミドのパターンをそのままマスクに用い、下
層のパッシベーション膜をエッチングするワンマスクプ
ロセスが導入されている。また、デザインルールの微細
化により、ポリイミドに求められる解像度の要求も微細
化の傾向にある。これらの場合、ポリイミドのパターン
には高解像と共に高い寸法精度と寸法ばらつきが小さい
ことが望まれる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、多層配線板
用の層間絶縁膜や半導体メモリー素子用のα線遮蔽膜、
バッファーコート膜用途等のポリイミドのパターンを、
使用環境の湿度によらず、再現性よく安定して得られる
有機溶剤現像型の感光性ポリイミド用現像液を提供する
ものである。また本発明は、前記課題に加えて、さらに
現像時間が短い有機溶剤現像型感光性ポリイミド用現像
液を提供するものである。さらに本発明は、多層配線板
用の層間絶縁膜や半導体メモリー素子用のα線遮蔽膜、
バッファーコート膜用途等のポリイミドのパターンを、
使用環境の湿度によらず、再現性よく安定して得られる
パターンの製造法に関するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、有機溶剤に水
を１重量％以上配合してなる感光性ポリイミド前駆体用
現像液に関する。また本発明は、前記水の配合量が、１
〜２０重量％である感光性ポリイミド前駆体用現像液に
関する。

【０００８】また本発明は、γ−ブチロラクトン２０〜
８０重量％、酢酸ブチル２０〜８０重量％及び水１〜２
０％を含有する感光性ポリイミド前駆体用現像液に関す
る。また本発明は、パターン状に露光された感光性ポリ
イミド前駆体を、前記の現像液を用いてスプレー現像す
ることを特徴とするパターンの製造法に関する。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の感光性ポリイミド前駆体
現像液は、有機溶剤現像型の現像液であって有機溶剤を
主成分とするものであるが、ここに初めから水を配合し
ておくことにより、使用環境の湿度の影響を最小限にと
どめ、安定してパターンが得られる。ここで、水分を含
有していないと、吸湿性が高く、また吸湿した場合の特
性変化が大きいため、パターンのウエハ差またはロット
差が大きくなってしまう。

【００１０】本発明の現像液に使用する有機溶剤として
は、特に限定されず、例えば、非プロトン性極性溶媒と
して、ジメチルスルホキシド、メチルスルホン、トリメ
チルホスフェート、γ−ブチロラクトン、エチレンカー
ボネート、ニトロエタン、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド等が挙げられる。また、非プロトン性極性
溶媒以外の溶媒としては、メタノール、エタノール、ｎ
−ブチルアルコール、エチレングリコール等のアルコー
ル類、酢酸ブチル等のアセテート類が挙げられる。これ
らの有機溶媒は、単独で又は二種類以上を組み合わせて
使用される。

【００１１】本発明の現像液は、水を１重量％以上含有
することが好ましく、１〜２０重量％含有することがよ
り好ましい。ここで水の量が１重量％未満であると、湿
度の影響を少なくする効果が小さくなる傾向がある。

【００１２】これらの中で本発明の現像液としては、特
にγ−ブチロラクトン２０〜８０重量％、酢酸ブチル２
０〜８０重量％、水１〜２０重量％を含有するものが現
像パターンの解像度が高いので好ましい。さらに好まし
い範囲としては、γ−ブチロラクトン６０〜８０重量
％、酢酸ブチル２０〜４０重量％及び水１〜５重量％で
あり、これはさらに現像時間が短くできるので極めて好
ましい。

【００１３】本発明の現像液を適用する現像の方法とし
ては、スプレー式、パドル式、ディップ式等、特に限定
されないが、湿度の影響を受けやすいスプレー式に最も
効力を発揮することができ、好ましい。

【００１４】本発明で使用される有機現像型感光性ポリ
イミド前駆体としては、特に限定されないが、例えば、
テトラカルボン酸又はその誘導体と、ジアミンとがアミ
ド結合を形成して得られる下記一般式（I）の繰り返し
単位を有するものが挙げられる。

【００１５】

【化１】 （式中、Ｘは四価の有機基を示し、Ｙは二価の有機基を
示し、Ａ¹及びＡ²は各々独立にＯＨ、ＯＲ¹、ＮＨＲ²又
はＯ^-Ｎ⁺ＨＲ³Ｒ⁴Ｒ⁵であり、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ ⁴及び
Ｒ⁵は１価の有機基であり、Ｚは炭素炭素不飽和二重結
合を有する１価の有機基であり、ｎは０、１又は２であ
り、ｎが０の場合、Ａ¹及びＡ²は各々独立にＯＲ¹、Ｎ
ＨＲ²又はＯ^-Ｎ⁺ＨＲ³Ｒ⁴Ｒ⁵であり、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³
は炭素炭素不飽和二重結合を有する１価の有機基であ
る）

【００１６】一般式（Ｉ）において、Ｘは芳香環を含む
ことが好ましく、Ｙは芳香環またはシロキサン結合を含
むことが好ましい。前記芳香環としては、ベンゼン環、
ナフタレン環、ピリジン環等が挙げられ、Ｘ及びＹとし
ては、１つの芳香環、又は、２〜１０の芳香環が単結
合、エーテル基、アルキレン基、フッ素化アルキレン
基、スルホニル基、スルホキシル基（−ＳＯ−）、カル
ボニル基等を介して結合したものが挙げられる。またこ
れらは、その芳香環上に炭化水素基、ハロゲン化炭化水
素基、ハロゲン原子等の置換基を有していてもよい。

【００１７】また、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ⁵が、炭素炭素不飽
和二重結合を有する基の場合は、次式

【化２】 （但し、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は、水素、アルキル基、フェ
ニル基、ビニル基及びプロペニル基からそれぞれ独立に
選択された基、Ｒ⁹は２価の有機基を示す）で表される
一価の有機基が挙げられる。前記アルキル基としては炭
素原子数１〜４のものが挙げられる。また、Ｒ⁹で示さ
れる２価の有機基としては、メチレン基、エチレン基、
プロピレン基等の炭素原子数１〜４のアルキレン基が挙
げられる。−ＣＯＡ¹及び−ＣＯＡ²で示される基と、Ｘ
に結合する２つのアミド基とは、全て芳香環に直接結合
することが好ましく、この場合、−ＣＯＡ¹及び−ＣＯ
Ａ₂で示される基は、いずれか一方のアミド基に対して
オルト位又はペリ位に位置することが好ましい。

【００１８】Ｚで示される基としては、ビニル基、アリ
ル基、アクリロイル基、メタクリロイル基等を含む有機
基が挙げられる。上記ポリイミド前駆体は、テトラカル
ボン酸または誘導体（二無水物など）、ジアミン及び必
要に応じて感光性基を有する化合物を材料として得られ
る。

【００１９】前記テトラカルボン酸の二無水物として
は、例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，
４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、２，３，５，６−ピリジンテトラカルボン酸二
無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン
酸二無水物、４，４’−スルホニルジフタル酸二無水
物、ｍ−ターフェニル−３，３”，４，４”−テトラカ
ルボン酸二無水物、ｐ−ターフェニル−３，３”，４，
４”−テトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジ
フタル酸二無水物、１，１，１，３，３，３−ヘキサフ
ルオロ−２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカル
ボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、
１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２’−
ビス［４−（２，３−ジカルボキシフェノキシ）フェニ
ル］プロパン二無水物、１，１，１，３，３，３−ヘキ
サフルオロ−２，２’−ビス［４−（３，４−ジカルボ
キシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物が挙げら
れる。

【００２０】前記ジアミンとしては、例えば、ｐ−フェ
ニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−キシリ
レンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、１，５−ジア
ミノナフタレン、ベンジジン、３，３’−ジメチルベン
ジジン、３，３’−ジメトキシベンジジン、４，４’
（または３，４’−、３，３’−、２，４’−）−ジア
ミノジフェニルメタン、４，４’（または３，４’−、
３，３’−、２，４’−）−ジアミノジフェニルエーテ
ル、４，４’（または３，４’−、３，３’−、２，
４’−）−ジアミノジフェニルスルフォン、４，４’
（または３，４’−、３，３’−、２，４’−）−ジア
ミノジフェニルスルフィド、４，４’−ベンゾフェノン
ジアミン、３，３’−ベンゾフェノンジアミン、４，
４’−ジ（４−アミノフェノキシ）フェニルスルフォ
ン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニ
ル、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、
１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス
（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、３，３
−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、
３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジアミ
ノジフェニルメタン、４，４’−ジ（３−アミノフェノ
キシ）フェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニ
ルスルホン、２，２’−ビス（４−アミノフェニル）プ
ロパン、２−メチル−４，４’−ジアミノビフェニル、
３−メチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’
−ジメチル−３，３’−ジアミノビフェニル、２，２’
−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，
２’，６，６’−テトラメチル−３，３’−ジアミノビ
フェニル、２，２’，６，６’−テトラメチル−４，
４’−ジアミノビフェニル等の芳香族ジアミン、２，６
−ジアミノピリジン、２，４−ジアミノピリミジン、
２，４−ジアミノ−ｓ−トリアジン、２，７−ジアミノ
ベンゾフラン、２，７−ジアミノカルバゾール、３，７
−ジアミノフェノチアジン、２，５−ジアミノ−１，
３，４−チアジアゾール、２，４−ジアミノ−６−フェ
ニル−ｓ−トリアジン等の複素環式ジアミン、トリメチ
レンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレ
ンジアミン、２，２−ジメチルプロピレンジアミン、ジ
アミノポリシロキサン等の脂肪族ジアミンなどが挙げら
れる。上記のテトラカルボン酸二無水物およびジアミン
化合物はそれぞれ単独または二種以上を組み合わせて使
用される。

【００２１】ポリイミド前駆体への炭素炭素不飽和二重
結合を有する基の導入は周知の種々の方法が挙げられ
る。例えば、炭素炭素不飽和二重結合とアミノ基または
その四級化塩の基を有する化合物を混合し、そのアミノ
基またはその四級化塩の基の部分でポリアミド酸のカル
ボキシル基とイオン結合した形を呈するポリイミド前駆
体とする方法（イオン結合型）や、前記ポリアミド酸の
カルボキシル基にエステル結合、アミド結合等の共有結
合を介して炭素炭素不飽和二重結合を有する基が導入さ
れる方法（共有結合型）などがある。本発明の有機溶剤
型現像液は、イオン結合型、共有結合型のいずれのポリ
イミド前駆体にも好適である。

【００２２】感光性ポリイミド前駆体組成物には、通常
光重合開始剤が含まれる。光重合開始剤としては、例え
ば、ミヒラーズケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベ
ンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエー
テル、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−エチルアン
トラキノン、４，４，−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾ
フェノン、アセトフェノン、ベンゾフェノン、チオキサ
ントン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェ
ノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、
２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モ
ルフォリノ−１−プロパノン、ベンジル、ジフェニルジ
スルフィド、フェナンスレンキノン、２−イソプロピル
チオキサントン、リボフラビンテトラブチレート、２，
６−ビス（ｐ−ジエチルアミノベンザル）−４−メチル
−４−アザシクロヘキサノン、Ｎ−エチル−Ｎ−（ｐ−
クロロフェニル）グリシン、Ｎ−フェニルジエタノール
アミン、２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシイミノ
−１，３−ジフェニルプロパンジオン、１−フェニル−
２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシイミノプロパン
−１−オン、３，３，４，４，−テトラ（ｔ−ブチルパ
ーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、７−ジエチルア
ミノ−３−テノニルクマリン、３，３，−カルボニルビ
ス（７−ジエチルアミノクマリン）、ビス（シクロペン
タジエニル）−ビス−［２，６−ジフルオロ−３−（ピ
リ−１−イル）フェニル］チタン等のチタノセン化合
物、ビスアジド類などが挙げられる。これらは単独で又
は２種類以上を組み合わせて使用される。光重合開始剤
の使用量は、ポリイミド前駆体１００重量部に対して、
通常０．０１〜３０重量部とされる。

【００２３】また、感光性ポリイミド前駆体組成物に
は、必要に応じて、付加重合性化合物が含有される。付
加重合性化合物としては、例えば、ジエチレングリコー
ルジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレ
ート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエ
チレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリ
コールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジ
メタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレー
ト、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメ
チロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプ
ロパントリメタクリレート、１，４−ブタンジオールジ
アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレー
ト、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６
−ヘキサンジオールメタクリレート、ペンタエリスリト
ールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラア
クリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレー
ト、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、スチ
レン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエン、４−ビ
ニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ヒドロキシ
エチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプ
ロパン、１，３−メタクリロイルオキシ−２−ヒドロキ
シプロパン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド
等が挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み
合わせて使用される。付加重合性化合物の使用量は、通
常、ポリイミド前駆体の量１００重量部に対して、１〜
２００重量部とされる。

【００２４】また、感光性ポリイミド前駆体組成物は、
保存時の安定性を高めるために、ラジカル重合禁止剤又
はラジカル重合抑制剤を含有することができる。ラジカ
ル重合禁止剤又はラジカル重合抑制剤としては、例え
ば、ｐ−メトキシフェノール、ジフェニル−ｐ−ベンゾ
キノン、ベンゾキノン、ハイドロキノン、ピロガロー
ル、フェノチアジン、レソルシノール、オルトジニトロ
ベンゼン、パラジニトロベンゼン、メタジニトロベンゼ
ン、フェナントラキノン、Ｎ−フェニル−１−ナフチル
アミン、Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミン、クペロ
ン、フェノチアジン、２，５−トルキノン、タンニン
酸、パラベンジルアミノフェノール、ニトロソアミン類
等が挙げられる。これらは単独で又は２種類以上組み合
わせて使用される。ラジカル重合禁止剤又はラジカル重
合抑制剤を用いる場合、その使用量は、通常ポリイミド
前駆体の量に対して、０．０１〜３０重量％とされる。

【００２５】本発明のパターンの製造法では、半導体ウ
エハ上等に感光性ポリイミド前駆体の膜を形成し、フォ
トマスク等を介して光を当てる等の方法によってパター
ン状に露光し、得られた潜像を、本発明の現像液を使用
して現像すること以外は特に制限はなく、公知の方法が
適用される。本発明の感光性ポリイミド前駆体用現像液
を用いた現像は、浸漬法、スプレー法、パドル法など単
独又は二種類以上を組み合わせて使用される方法に従っ
て行われるが、特にスプレー法においてその効果を発揮
する。現像終了した形成膜は必要に応じて水又は貧溶媒
でリンスが行われる。リンス液としては現像液と親和性
が高く、ポリイミド前駆体に対しては貧溶媒である溶媒
などが用いられる。

【００２６】リンス液としては水、メチルアルコール、
エチルアルコール、イソプロピルアルコール、トルエ
ン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチ
ルケトン、酢酸エチルエステル、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエ
ーテルなどが挙げられる。このようにして得られたレリ
ーフ状のパターンは、８０〜４００℃で５〜３００分間
加熱することにより、イミド閉環させ、安定な高耐熱性
ポリイミドパターンとすることができる。

【００２７】

【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。 ［現像液の調整］攪拌機、温度計及び窒素導入管を備え
た三口フラスコにγ−ブチロラクトン７５ｇ、酢酸ブチ
ル２０ｇ、水５ｇを加えた。室温で１時間撹拌して混合
溶液（感光性ポリイミド前駆体用現像液）を得た。

【００２８】［ポリアミド酸溶液の合成］攪拌機、温度
計及び窒素導入管を備えた三口フラスコに２，２’−ジ
メチル−４，４’−ジアミノビフェニル１０ｇ及びＮ−
メチル−２−ピロリドン７０ｇを加え、室温で撹拌溶解
した。ここに、オキシジフタル酸二無水物１５ｇを添加
して、８時間撹拌し、粘稠なポリアミド酸樹脂溶液を得
た。

【００２９】［実施例１］上記合成例で得られたポリア
ミド酸樹脂溶液１０ｇを撹拌混合し、さらにビス（シク
ロペンタジエニル）−ビス−［２，６−ジフルオロ−３
−（ピリ−１−イル）フェニル］チタン ０．０２ｇ、
２，６−ビス（４｀−アジドベンザル）−４−カルボキ
シシクロヘキサノン ０．０２ｇ、３−ジメチルアミノ
プロピルメタクリレート １．５ｇの感光剤を加えて撹
拌溶解後、フィルタ濾過して感光性樹脂組成物溶液を得
た。この溶液をシリコンウエハ上に滴下し、スピンコー
トした。次にホットプレートを用いて９０℃、２００秒
加熱し２０μｍの塗膜を形成した後さらに１２０℃、６
０秒間加熱した。前述のγ−ブチロラクトン／酢酸ブチ
ル／水（重量比７５／２０／５）混合溶液を用いてスプ
レー現像し、溶解時間を測定した。その結果、溶解時間
は湿度４５％で２５秒、湿度３０％で２４秒で、湿度に
よらずほぼ一定であった。

【００３０】［実施例２］γ−ブチロラクトン／酢酸ブ
チル／水（重量比７５／２０／５）混合溶液の代わりに
ジメチルスルホキシド／γ−ブチロラクトン／水（重量
比５０／４０／１０）混合溶液を用いて、それ以外は、
実施例と全く同様の配合で、全く同様に処理したとこ
ろ、溶解時間は湿度４５％で１８秒、湿度３０％で１８
秒で、湿度によらず一定であった。

【００３１】［比較例１］実施例１において使用したγ
−ブチロラクトン／酢酸ブチル／水（重量比７５／２０
／５）混合溶から水を除き、γ−ブチロラクトン／酢酸
ブチル（重量比７７．５／２２．５）混合溶液を用い
て、それ以外は、実施例と全く同様の配合で、全く同様
に処理したところ、溶解時間は湿度４５％で３２秒、湿
度３０％で５８秒で、湿度によって大きく溶解時間が変
化してしまった。

【００３２】［比較例２］実施例１において使用したγ
−ブチロラクトン／酢酸ブチル／水（重量比７５／２０
／５）混合溶の代わりに、γ−ブチロラクトン／酢酸ブ
チル／水（重量比７７／２２．５／０．５）混合溶液を
用いて、それ以外は、実施例と全く同様の配合で、全く
同様に処理したところ、溶解時間は湿度４５％で３０
秒、湿度３０％で５６秒で、水配合量水１％未満では効
果が認められなかった。

【００３３】

【発明の効果】本発明の有機溶剤現像型の感光性ポリイ
ミド前駆体用現像液は、多層配線板用の層間絶縁膜や半
導体メモリー素子用のα線遮蔽膜、バッファーコート膜
用途等のポリイミドのパターンを使用環境の湿度によら
ず、再現性よく安定して得られる。また本発明の有機溶
剤現像型の感光性ポリイミド前駆体用現像液は、前記効
果に加えて、さらに現像時間が短い有機溶剤現像型感光
性ポリイミド用現像液を提供するものである。さらに本
発明のパターンの製造法によれば、多層配線板用の層間
絶縁膜や半導体メモリー素子用のα線遮蔽膜、バッファ
ーコート膜用途等のポリイミドのパターンを使用環境の
湿度によらず、再現性よく安定して得られる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA04 AB15 AB16 AB17 AC01 BC69 FA16 2H096 AA25 AA26 AA27 BA06 GA04 GA26 5E339 CC01 CD01 CF18 DD02

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】有機溶剤に水を１重量％以上配合してなる
   感光性ポリイミド前駆体用現像液。
2. 【請求項２】水の配合量が、１〜２０重量％である請求
   項１記載の感光性ポリイミド前駆体用現像液。
3. 【請求項３】γ−ブチロラクトン２０〜８０重量％、酢
   酸ブチル２０〜８０重量％及び水１〜２０％を含有する
   請求項１記載の感光性ポリイミド前駆体用現像液。
4. 【請求項４】パターン状に露光された感光性ポリイミド
   前駆体を、請求項１、２又は３記載の現像液を用いてス
   プレー現像することを特徴とするパターンの製造法。