JP2002012438A - 光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ母材の製造方法Info
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
- C03B37/0146—Furnaces therefor, e.g. muffle tubes, furnace linings
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スス付け終了後のスス体の取出し時に、スス
体にクラックが発生する恐れのない、光ファイバ母材の
製造方法を提供すること。 【解決手段】 マッフル内で気相合成法により生成させ
たススを出発部材の先端あるいは外周に堆積させてスス
体を作製する光ファイバ母材のスス付け工程において、
スス付け終了後のスス体を表面温度が４００℃以下とな
るまでマッフル内で冷却した後、マッフル外に取り出す
ことを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。
体にクラックが発生する恐れのない、光ファイバ母材の
製造方法を提供すること。 【解決手段】 マッフル内で気相合成法により生成させ
たススを出発部材の先端あるいは外周に堆積させてスス
体を作製する光ファイバ母材のスス付け工程において、
スス付け終了後のスス体を表面温度が４００℃以下とな
るまでマッフル内で冷却した後、マッフル外に取り出す
ことを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、石英系光ファイバ
母材の製造方法、特にスス付け工程を改良した光ファイ
バ母材の製造方法に関する。
母材の製造方法、特にスス付け工程を改良した光ファイ
バ母材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】石英系光ファイバ母材の製造工程には、
マッフル（反応容器）内において気相合成法により水素
などの燃料ガスと酸素等の支燃ガスをスス（ガラス微粒
子）合成用バーナから噴出させ、気体状のガラス原料
（ＳｉＣｌ4 など）をバーナから噴出させることによっ
てガラス原料を酸化反応又は火炎加水分解反応によって
反応させてススを生成させ、生成したススを出発部材
（出発ロッドなど）の先端あるいは外周に堆積させてス
ス体（ガラス微粒子堆積体、多孔質ガラス体）を製造す
る工程が含まれている。この工程で作製されたスス体は
いったんマッフルから取り出した後、別途加熱透明化し
て光ファイバ母材とするが、スス付け終了後にスス体を
マッフルから取り出す際にスス体にヒビ（クラック）が
入り、割れる事例が散発していた。
マッフル（反応容器）内において気相合成法により水素
などの燃料ガスと酸素等の支燃ガスをスス（ガラス微粒
子）合成用バーナから噴出させ、気体状のガラス原料
（ＳｉＣｌ4 など）をバーナから噴出させることによっ
てガラス原料を酸化反応又は火炎加水分解反応によって
反応させてススを生成させ、生成したススを出発部材
（出発ロッドなど）の先端あるいは外周に堆積させてス
ス体（ガラス微粒子堆積体、多孔質ガラス体）を製造す
る工程が含まれている。この工程で作製されたスス体は
いったんマッフルから取り出した後、別途加熱透明化し
て光ファイバ母材とするが、スス付け終了後にスス体を
マッフルから取り出す際にスス体にヒビ（クラック）が
入り、割れる事例が散発していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような従
来技術における問題点を解決し、スス付け終了後のスス
体の取出し時に、スス体にクラックが発生する恐れのな
い、光ファイバ母材の製造方法を提供するものである。
来技術における問題点を解決し、スス付け終了後のスス
体の取出し時に、スス体にクラックが発生する恐れのな
い、光ファイバ母材の製造方法を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
解決すべく種々検討を進める中で、スス付け終了後、直
ぐに取り出したスス体にはクラックの発生が多く、時間
をおいて取り出したものにはクラックの発生が少ないこ
とを見出した。更に調査したところ、スス付け終了直後
のスス体表面温度は約７００〜９００℃程度であり、こ
れを直ぐに取り出した場合のスス体の表面温度は５００
〜７００℃であるが、時間をおいて取り出したときのス
ス体の表面温度はおよそ４００℃以下で、３００℃以下
となっているものが多かった。このようにスス付け終了
直後に取り出したスス体の表面温度はまだ高く、このよ
うな状態で取り出したスス体に割れの発生が多かったこ
とから、スス付け終了後、スス体をマッフル外に取り出
す際に割れが多発する原因が、取出し時に高温のスス体
が急に外気にさらされて急冷されることによって熱歪み
が生じ、クラックが発生しやすいことにあることがわか
った。
解決すべく種々検討を進める中で、スス付け終了後、直
ぐに取り出したスス体にはクラックの発生が多く、時間
をおいて取り出したものにはクラックの発生が少ないこ
とを見出した。更に調査したところ、スス付け終了直後
のスス体表面温度は約７００〜９００℃程度であり、こ
れを直ぐに取り出した場合のスス体の表面温度は５００
〜７００℃であるが、時間をおいて取り出したときのス
ス体の表面温度はおよそ４００℃以下で、３００℃以下
となっているものが多かった。このようにスス付け終了
直後に取り出したスス体の表面温度はまだ高く、このよ
うな状態で取り出したスス体に割れの発生が多かったこ
とから、スス付け終了後、スス体をマッフル外に取り出
す際に割れが多発する原因が、取出し時に高温のスス体
が急に外気にさらされて急冷されることによって熱歪み
が生じ、クラックが発生しやすいことにあることがわか
った。
【０００５】本発明は、上記知見に基づくものであって
次の（１）〜（８）の構成を有するものである。 （１）マッフル内で気相合成法により生成させたススを
出発部材の先端あるいは外周に堆積させてスス体を作製
する光ファイバ母材のスス付け工程において、スス付け
終了後のスス体を表面温度が４００℃以下となるまでマ
ッフル内で冷却した後、マッフル外に取り出すことを特
徴とする光ファイバ母材の製造方法。 （２）前記スス付け終了後のスス体を表面温度が３００
℃以下となるまで冷却することを特徴とす前記（１）の
光ファイバ母材の製造方法。 （３）マッフル内で気相合成法により生成させたススを
出発部材の先端あるいは外周に堆積させてスス体を作製
する光ファイバ母材のスス付け工程において、スス付け
終了後のスス体をマッフルの表面温度が２００℃以下と
なるまでマッフル内で冷却した後、マッフル外に取り出
すことを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。 （４）前記マッフルの表面温度が４０℃を下回らないう
ちに、スス体をマッフル外に取り出すことを特徴とする
前記（３）の光ファイバ母材の製造方法。 （５）前記マッフル内におけるスス付け終了後のスス体
の冷却時間を５分以上とすることを特徴とする前記
（１）〜（４）のいずれか１つの光ファイバ母材の製造
方法。 （６）前記マッフル内におけるスス付け終了後のスス体
の冷却時間を５〜６０分とすることを特徴とする前記
（５）の光ファイバ母材の製造方法。 （７）スス体の冷却中に空気をマッフル内に導入するこ
とを特徴とする前記（１）〜（６）のいずれか１つの光
ファイバ母材の製造方法。 （８）前記マッフル内に導入する空気がフィルターを通
したクリーンエアであることを特徴とする前記（７）の
光ファイバ母材の製造方法。
次の（１）〜（８）の構成を有するものである。 （１）マッフル内で気相合成法により生成させたススを
出発部材の先端あるいは外周に堆積させてスス体を作製
する光ファイバ母材のスス付け工程において、スス付け
終了後のスス体を表面温度が４００℃以下となるまでマ
ッフル内で冷却した後、マッフル外に取り出すことを特
徴とする光ファイバ母材の製造方法。 （２）前記スス付け終了後のスス体を表面温度が３００
℃以下となるまで冷却することを特徴とす前記（１）の
光ファイバ母材の製造方法。 （３）マッフル内で気相合成法により生成させたススを
出発部材の先端あるいは外周に堆積させてスス体を作製
する光ファイバ母材のスス付け工程において、スス付け
終了後のスス体をマッフルの表面温度が２００℃以下と
なるまでマッフル内で冷却した後、マッフル外に取り出
すことを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。 （４）前記マッフルの表面温度が４０℃を下回らないう
ちに、スス体をマッフル外に取り出すことを特徴とする
前記（３）の光ファイバ母材の製造方法。 （５）前記マッフル内におけるスス付け終了後のスス体
の冷却時間を５分以上とすることを特徴とする前記
（１）〜（４）のいずれか１つの光ファイバ母材の製造
方法。 （６）前記マッフル内におけるスス付け終了後のスス体
の冷却時間を５〜６０分とすることを特徴とする前記
（５）の光ファイバ母材の製造方法。 （７）スス体の冷却中に空気をマッフル内に導入するこ
とを特徴とする前記（１）〜（６）のいずれか１つの光
ファイバ母材の製造方法。 （８）前記マッフル内に導入する空気がフィルターを通
したクリーンエアであることを特徴とする前記（７）の
光ファイバ母材の製造方法。
【０００６】
【発明の実施の形態】マッフル内で気相合成法により生
成させたススを出発部材の先端あるいは外周に堆積させ
てスス体を作製する光ファイバ母材のスス付け工程にお
いて、スス付け直後のマッフル表面の温度はおよそ１５
０〜３５０℃（低温部〜高温部、部位によって異なる）
であり、スス体の表面温度はおよそ８００℃以上（７０
０〜９００℃）となっている。この状態でスス体を取り
出すと外気によって急冷されるため、表面にクラックが
発生しやすい。そのため本発明ではスス付け直後のスス
体をマッフル内で一定時間放置して徐冷し、表面温度を
４００℃以下、好ましくは３００℃以下とした後、マッ
フル外に取り出すようにする。
成させたススを出発部材の先端あるいは外周に堆積させ
てスス体を作製する光ファイバ母材のスス付け工程にお
いて、スス付け直後のマッフル表面の温度はおよそ１５
０〜３５０℃（低温部〜高温部、部位によって異なる）
であり、スス体の表面温度はおよそ８００℃以上（７０
０〜９００℃）となっている。この状態でスス体を取り
出すと外気によって急冷されるため、表面にクラックが
発生しやすい。そのため本発明ではスス付け直後のスス
体をマッフル内で一定時間放置して徐冷し、表面温度を
４００℃以下、好ましくは３００℃以下とした後、マッ
フル外に取り出すようにする。
【０００７】このとき、マッフル表面の最高温度が２０
０℃以下となるまで冷却すると、スス体の表面温度も概
ね４００℃以下となることがわかった。マッフル内のス
ス体の温度を測定するには非接触の放射温度計が必要で
あり、作業が煩雑になるが、マッフルの表面温度は熱電
対等により簡便に測定できるため作業が容易となる効果
がある。なお、マッフル内壁の温度は、マッフル内が腐
食性雰囲気（ＨＣｌ含有）のため、熱電対等で直接測定
するには耐食処理等の処置が必要である。
０℃以下となるまで冷却すると、スス体の表面温度も概
ね４００℃以下となることがわかった。マッフル内のス
ス体の温度を測定するには非接触の放射温度計が必要で
あり、作業が煩雑になるが、マッフルの表面温度は熱電
対等により簡便に測定できるため作業が容易となる効果
がある。なお、マッフル内壁の温度は、マッフル内が腐
食性雰囲気（ＨＣｌ含有）のため、熱電対等で直接測定
するには耐食処理等の処置が必要である。
【０００８】また、スス体をマッフル内で過度に長時間
放置すると、マッフル自体が冷却され内壁に付着した余
剰ススが剥がれ落ちやすくなる。この剥がれ落ちたスス
片がスス体に付着すると、スス体表面を傷つけたり、ク
ラック発生の原因となる。また、スス（シリカ粉）の合
成を四塩化珪素と酸水素火炎による加水分解で行わせる
場合、マッフル内では水蒸気が発生し、また、合成した
ススにも水分が含まれる。これらは一部マッフル内壁に
付着するが、マッフルが冷却されるとこれらが結露し、
液状となって流れ落ちる。これがスス体に落下するとス
ス体を傷つけることになる。マッフル内壁に付着したス
ス片が剥がれ落ちやすくなったり、結露しやすくなる温
度はおよそ４０〜８０℃であるため、スス体はマッフル
表面の温度が４０℃を下回らない条件、好ましくは８０
℃を下回らない条件で取り出すのが望ましい。
放置すると、マッフル自体が冷却され内壁に付着した余
剰ススが剥がれ落ちやすくなる。この剥がれ落ちたスス
片がスス体に付着すると、スス体表面を傷つけたり、ク
ラック発生の原因となる。また、スス（シリカ粉）の合
成を四塩化珪素と酸水素火炎による加水分解で行わせる
場合、マッフル内では水蒸気が発生し、また、合成した
ススにも水分が含まれる。これらは一部マッフル内壁に
付着するが、マッフルが冷却されるとこれらが結露し、
液状となって流れ落ちる。これがスス体に落下するとス
ス体を傷つけることになる。マッフル内壁に付着したス
ス片が剥がれ落ちやすくなったり、結露しやすくなる温
度はおよそ４０〜８０℃であるため、スス体はマッフル
表面の温度が４０℃を下回らない条件、好ましくは８０
℃を下回らない条件で取り出すのが望ましい。
【０００９】通常の場合、５分以上、好ましくは１５分
以上放置することによってスス体の表面温度を４００℃
以下とすることができる。また、放置時間が６０分程度
でマッフル内の温度は４０〜８０℃となるので、放置時
間は６０分以下とするのが好ましい。
以上放置することによってスス体の表面温度を４００℃
以下とすることができる。また、放置時間が６０分程度
でマッフル内の温度は４０〜８０℃となるので、放置時
間は６０分以下とするのが好ましい。
【００１０】マッフル内で自然冷却する際、マッフル内
にはスス体に堆積できなかった余剰ススやマッフル内壁
から剥がれ落ちたススが浮遊しているため、排気するこ
とによりこれらを排出するのが望ましい。このとき、排
気により負圧となる分を補給する形で空気を導入する。
導入する空気にダストが含まれているとスス体に付着し
スス体を傷つけるので、導入する空気はエアフィルター
を通したクリーンエア、より好ましくは高性能フィルタ
ー、例えばＨＥＰＡフィルター（ High-Efficiency Par
ticulate Airfilter）を通したクリーンエアを導入する
のが望ましい。導入する空気は割れを防ぐ目的のために
は急激な冷却とならないようにスス体の表面温度に近い
比較的高温の空気が望ましいが、加熱コストがかかる、
冷却時間が長くなる、などの問題があるため、通常は室
温（１５〜３５℃）付近の空気を使用するのが望まし
い。なお、排気（空気の導入）は冷却期間を通して行う
必要はなく、余剰スス等の浮遊物が排除できた後は中止
してもよい。
にはスス体に堆積できなかった余剰ススやマッフル内壁
から剥がれ落ちたススが浮遊しているため、排気するこ
とによりこれらを排出するのが望ましい。このとき、排
気により負圧となる分を補給する形で空気を導入する。
導入する空気にダストが含まれているとスス体に付着し
スス体を傷つけるので、導入する空気はエアフィルター
を通したクリーンエア、より好ましくは高性能フィルタ
ー、例えばＨＥＰＡフィルター（ High-Efficiency Par
ticulate Airfilter）を通したクリーンエアを導入する
のが望ましい。導入する空気は割れを防ぐ目的のために
は急激な冷却とならないようにスス体の表面温度に近い
比較的高温の空気が望ましいが、加熱コストがかかる、
冷却時間が長くなる、などの問題があるため、通常は室
温（１５〜３５℃）付近の空気を使用するのが望まし
い。なお、排気（空気の導入）は冷却期間を通して行う
必要はなく、余剰スス等の浮遊物が排除できた後は中止
してもよい。
【００１１】
【実施例】次に図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。図１は本発明の方法の１実施態様についてその概念
を説明する説明図であり、図１（ａ）は概略断面図、図
１（ｂ）はクリーンエア導入口が取付けられた側面を内
側から見た概略図である。図１はこの態様においてマッ
フル１内において出発部材２を引き上げながらその外周
にスス合成用バーナ３で合成されたスス（ガラス微粒
子）を堆積させてスス体４を製造した直後の状態を示し
ている。この例ではマッフル１の上端部にはメッシュフ
ィルター５を備えたクリーンエア導入口６が、側面には
メッシュフィルター７を備えたクリーンエア導入口８が
設けられており、クリーンエア導入口６、８に取付けら
れたメッシュフィルター５、７には通気管１２、１３が
接続され、ＨＥＰＡフィルターなどの高性能フィルター
を内蔵したＣＡＧ（ clean air generator）１０、１１
からクリーンエアが導入できるようになっている。スス
付け直後のマッフル１内の温度はおよそ１５０〜３５０
℃であり、スス体４の表面温度はおよそ８００℃以上と
なっている。表面温度が高温のままでスス体４をマッフ
ル１の外部へ取り出すと外気によって急冷され、表面に
クラックが発生する恐れがある。そのため、スス体４の
表面温度が４００℃以下、好ましくは３００℃以下とな
るまでマッフル１内で冷却して取り出すようにする。
る。図１は本発明の方法の１実施態様についてその概念
を説明する説明図であり、図１（ａ）は概略断面図、図
１（ｂ）はクリーンエア導入口が取付けられた側面を内
側から見た概略図である。図１はこの態様においてマッ
フル１内において出発部材２を引き上げながらその外周
にスス合成用バーナ３で合成されたスス（ガラス微粒
子）を堆積させてスス体４を製造した直後の状態を示し
ている。この例ではマッフル１の上端部にはメッシュフ
ィルター５を備えたクリーンエア導入口６が、側面には
メッシュフィルター７を備えたクリーンエア導入口８が
設けられており、クリーンエア導入口６、８に取付けら
れたメッシュフィルター５、７には通気管１２、１３が
接続され、ＨＥＰＡフィルターなどの高性能フィルター
を内蔵したＣＡＧ（ clean air generator）１０、１１
からクリーンエアが導入できるようになっている。スス
付け直後のマッフル１内の温度はおよそ１５０〜３５０
℃であり、スス体４の表面温度はおよそ８００℃以上と
なっている。表面温度が高温のままでスス体４をマッフ
ル１の外部へ取り出すと外気によって急冷され、表面に
クラックが発生する恐れがある。そのため、スス体４の
表面温度が４００℃以下、好ましくは３００℃以下とな
るまでマッフル１内で冷却して取り出すようにする。
【００１２】マッフル１内にはスス体４に堆積できなか
った余剰ススやマッフル１の内壁から剥がれ落ちたスス
が浮遊しているため、クリーンエア導入口６及び／又は
クリーンエア導入口８からクリーンエアを導入し、排気
管９から排気するようにしている。なお、図中の矢印
ａ、ｂはクリーンエアの流れ方向、矢印ｃは排気の流れ
方向、矢印ｄは出発部材２の引き上げ方向を示す。な
お、クリーンエアの導入は必ずしもクリーンエア導入口
６及び８の両方から行う必要はないが、上部のクリーン
エア導入口６からのみではマッフル下部のスス等が排出
されにくく、また、側面のクリーンエア導入口８からの
みではマッフル上部のスス等が排出されにくいので、効
率的な排出のためには両方から導入するのが好ましい。
なお、この例では側面のクリーンエア導入口８は図１
（ｂ）に示すように左右２か所に分けて取付けられてい
る。図１の態様ではＣＡＧで調製したクリーンエアを導
入するようにしているが、図２に示すようにクリーンエ
ア導入口６、８に直接ＨＥＰＡフィルターなどの高性能
フィルター１４、１５を取付けて室内のエアを浄化して
導入するようにしてもよい。
った余剰ススやマッフル１の内壁から剥がれ落ちたスス
が浮遊しているため、クリーンエア導入口６及び／又は
クリーンエア導入口８からクリーンエアを導入し、排気
管９から排気するようにしている。なお、図中の矢印
ａ、ｂはクリーンエアの流れ方向、矢印ｃは排気の流れ
方向、矢印ｄは出発部材２の引き上げ方向を示す。な
お、クリーンエアの導入は必ずしもクリーンエア導入口
６及び８の両方から行う必要はないが、上部のクリーン
エア導入口６からのみではマッフル下部のスス等が排出
されにくく、また、側面のクリーンエア導入口８からの
みではマッフル上部のスス等が排出されにくいので、効
率的な排出のためには両方から導入するのが好ましい。
なお、この例では側面のクリーンエア導入口８は図１
（ｂ）に示すように左右２か所に分けて取付けられてい
る。図１の態様ではＣＡＧで調製したクリーンエアを導
入するようにしているが、図２に示すようにクリーンエ
ア導入口６、８に直接ＨＥＰＡフィルターなどの高性能
フィルター１４、１５を取付けて室内のエアを浄化して
導入するようにしてもよい。
【００１３】
【発明の効果】本発明の方法によれば次のような優れた
効果を得ることができる。 （１）スス付けを行った後のスス体を所定の温度以下に
冷却した後、マッフルから取り出すことにより、急激な
冷却によるクラックの発生を抑制することができる。 （２）マッフル内の温度が所定の温度を下回らないうち
に、所定の温度以下に冷却したスス体を取り出すことに
より、マッフル内壁に付着した余剰ススや結露の影響を
最小限に抑えることができる。 （３）冷却時にマッフル内にクリーンエアを導入するこ
とにより、マッフル内に浮遊する余剰ススなどの異物が
スス体に付着してスス体を傷つけるのを防止することが
できる。
効果を得ることができる。 （１）スス付けを行った後のスス体を所定の温度以下に
冷却した後、マッフルから取り出すことにより、急激な
冷却によるクラックの発生を抑制することができる。 （２）マッフル内の温度が所定の温度を下回らないうち
に、所定の温度以下に冷却したスス体を取り出すことに
より、マッフル内壁に付着した余剰ススや結露の影響を
最小限に抑えることができる。 （３）冷却時にマッフル内にクリーンエアを導入するこ
とにより、マッフル内に浮遊する余剰ススなどの異物が
スス体に付着してスス体を傷つけるのを防止することが
できる。
【図１】本発明の方法の１実施態様についてのその概念
を示す説明図。
を示す説明図。
【図２】本発明の方法の他の実施態様についてのその概
念を示す説明図。
念を示す説明図。
１ マッフル ２ 出発部材 ３ スス合成用バー
ナ ４ スス体 ５ メッシュフィルター ６ クリーンエア導入口 ７ メッシュフィルター ８ クリーンエア導入口
９ 排気管 １０，１１ ＣＡＧ １２，１３ 通気管 １４，
１５ フィルター ａ，ｂ クリーンエアの流れ方向 ｃ 排気の流れ方
向 ｄ 出発部材の引き上げ方向
ナ ４ スス体 ５ メッシュフィルター ６ クリーンエア導入口 ７ メッシュフィルター ８ クリーンエア導入口
９ 排気管 １０，１１ ＣＡＧ １２，１３ 通気管 １４，
１５ フィルター ａ，ｂ クリーンエアの流れ方向 ｃ 排気の流れ方
向 ｄ 出発部材の引き上げ方向
Claims (8)
- 【請求項１】 マッフル内で気相合成法により生成させ
たススを出発部材の先端あるいは外周に堆積させてスス
体を作製する光ファイバ母材のスス付け工程において、
スス付け終了後のスス体を表面温度が４００℃以下とな
るまでマッフル内で冷却した後、マッフル外に取り出す
ことを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項２】 前記スス付け終了後のスス体を表面温度
が３００℃以下となるまで冷却することを特徴とする請
求項１に記載の光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項３】 マッフル内で気相合成法により生成させ
たススを出発部材の先端あるいは外周に堆積させてスス
体を作製する光ファイバ母材のスス付け工程において、
スス付け終了後のスス体をマッフルの表面温度が２００
℃以下となるまでマッフル内で冷却した後、マッフル外
に取り出すことを特徴とする光ファイバ母材の製造方
法。 - 【請求項４】 前記マッフルの表面温度が４０℃を下回
らないうちに、スス体をマッフル外に取り出すことを特
徴とする請求項３に記載の光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項５】 前記マッフル内におけるスス付け終了後
のスス体の冷却時間を５分以上とすることを特徴とする
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光ファイバ母材の
製造方法。 - 【請求項６】 前記マッフル内におけるスス付け終了後
のスス体の冷却時間を５〜６０分とすることを特徴とす
る請求項５に記載の光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項７】 スス体の冷却中に空気をマッフル内に導
入することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に
記載の光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項８】 前記マッフル内に導入する空気がフィル
ターを通したクリーンエアであることを特徴とする請求
項７に記載の光ファイバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000189392A JP2002012438A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000189392A JP2002012438A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002012438A true JP2002012438A (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=18689028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000189392A Pending JP2002012438A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002012438A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010089985A (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多孔質ガラス母材の製造方法 |
| CN112456786A (zh) * | 2019-09-09 | 2021-03-09 | 住友电气工业株式会社 | 光纤的制造方法及光纤冷却装置 |
-
2000
- 2000-06-23 JP JP2000189392A patent/JP2002012438A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010089985A (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多孔質ガラス母材の製造方法 |
| CN112456786A (zh) * | 2019-09-09 | 2021-03-09 | 住友电气工业株式会社 | 光纤的制造方法及光纤冷却装置 |
| CN112456786B (zh) * | 2019-09-09 | 2024-04-30 | 住友电气工业株式会社 | 光纤的制造方法及光纤冷却装置 |
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