JP2002006503A - レジスト材料及びパターン形成方法 - Google Patents
レジスト材料及びパターン形成方法Info
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- JP2002006503A JP2002006503A JP2001114812A JP2001114812A JP2002006503A JP 2002006503 A JP2002006503 A JP 2002006503A JP 2001114812 A JP2001114812 A JP 2001114812A JP 2001114812 A JP2001114812 A JP 2001114812A JP 2002006503 A JP2002006503 A JP 2002006503A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 （Ａ）酸不安定基で保護された酸性官能
基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物で
あって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性
となる高分子化合物、（Ｂ）酸発生剤、（Ｃ）１，２−
ナフトキノンジアジドスルホニル基を分子中に有する化
合物を含有することを特徴とする波長３００ｎｍ以上の
紫外線を露光光源とするレジスト材料。 【課題】 本発明のレジスト材料によれば、特に３００
ｎｍ以上の紫外線露光により、高解像度、高感度で、し
かも耐メッキ性に優れたパターンを形成することができ
る。
基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物で
あって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性
となる高分子化合物、（Ｂ）酸発生剤、（Ｃ）１，２−
ナフトキノンジアジドスルホニル基を分子中に有する化
合物を含有することを特徴とする波長３００ｎｍ以上の
紫外線を露光光源とするレジスト材料。 【課題】 本発明のレジスト材料によれば、特に３００
ｎｍ以上の紫外線露光により、高解像度、高感度で、し
かも耐メッキ性に優れたパターンを形成することができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外線（３００ｎ
ｍ以上）露光により、高感度で高解像度を与えるレジス
ト材料及びパターン形成方法に関する。
ｍ以上）露光により、高感度で高解像度を与えるレジス
ト材料及びパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】基板上
にメッキによる配線パターン形成のために用いられる厚
膜タイプ（３〜５０μｍ）のレジスト膜として、矩形性
の高い良好なパターンプロファイル、高い耐メッキ性が
求められる。従来より、この目的のためのレジストパタ
ーニング法として、ノボラックタイプのレジスト材料を
使い、ｇ線、ｉ線を光源とする露光装置でレジストパタ
ーンを形成するという技術が広く用いられている。しか
しながら、高厚膜に起因するレジスト膜の光吸収の増大
により、低感度化し、それに伴う量産時のスループット
低下が問題である。
にメッキによる配線パターン形成のために用いられる厚
膜タイプ（３〜５０μｍ）のレジスト膜として、矩形性
の高い良好なパターンプロファイル、高い耐メッキ性が
求められる。従来より、この目的のためのレジストパタ
ーニング法として、ノボラックタイプのレジスト材料を
使い、ｇ線、ｉ線を光源とする露光装置でレジストパタ
ーンを形成するという技術が広く用いられている。しか
しながら、高厚膜に起因するレジスト膜の光吸収の増大
により、低感度化し、それに伴う量産時のスループット
低下が問題である。
【０００３】また、近年の配線パターンの微細化に伴い
要求される高解像化に対しても、上記のレジスト膜の吸
収により、解像性、パターン形状に本質的な限界が見ら
れるようになった。
要求される高解像化に対しても、上記のレジスト膜の吸
収により、解像性、パターン形状に本質的な限界が見ら
れるようになった。
【０００４】更に、ノボラックタイプのレジスト材料で
は、メッキのベース上でパターニングにおいて、裾引き
がしばしば見られ、これは、レジストパターン形成後の
メッキの形成に不具合を生じる原因となる。このため、
広く用いられているｇ線、ｉ線等の紫外線を光源とする
露光装置でパターニング可能な高解像度、高感度で高耐
メッキ性を併せ持つ高厚膜タイプ（３〜５０μｍ）のレ
ジスト材料が求められている。
は、メッキのベース上でパターニングにおいて、裾引き
がしばしば見られ、これは、レジストパターン形成後の
メッキの形成に不具合を生じる原因となる。このため、
広く用いられているｇ線、ｉ線等の紫外線を光源とする
露光装置でパターニング可能な高解像度、高感度で高耐
メッキ性を併せ持つ高厚膜タイプ（３〜５０μｍ）のレ
ジスト材料が求められている。
【０００５】本発明は、従来技術の上記要望に応えたも
ので、微細なメッキ配線パターン形成に適した高解像
度、高感度を有するレジスト材料及びパターン形成方法
を提供することを目的とする。
ので、微細なメッキ配線パターン形成に適した高解像
度、高感度を有するレジスト材料及びパターン形成方法
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を行った
結果、（Ａ）酸不安定基で保護された酸性官能基を有す
るアルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物であって、
該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となる高
分子化合物、（Ｂ）酸発生剤、（Ｃ）１，２−ナフトキ
ノンジアジドスルホニル基を分子中に有する化合物、必
要に応じて（Ｄ）塩基性化合物、（Ｅ）溶解促進剤を含
有してなるレジスト材料が、紫外線露光により、高解像
度、高感度で、特にＮｉＦｅ膜基板上での裾引きに改善
効果があること及び垂直性の高い良好なパターン形状及
び高解像度が得られることを見出した。
発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を行った
結果、（Ａ）酸不安定基で保護された酸性官能基を有す
るアルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物であって、
該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となる高
分子化合物、（Ｂ）酸発生剤、（Ｃ）１，２−ナフトキ
ノンジアジドスルホニル基を分子中に有する化合物、必
要に応じて（Ｄ）塩基性化合物、（Ｅ）溶解促進剤を含
有してなるレジスト材料が、紫外線露光により、高解像
度、高感度で、特にＮｉＦｅ膜基板上での裾引きに改善
効果があること及び垂直性の高い良好なパターン形状及
び高解像度が得られることを見出した。
【０００７】特に、このレジスト材料は、高厚膜タイプ
のものとして有効であり、３〜５０μｍの膜厚に形成し
ても優れた高解像度、高感度で、密着性が良好な高耐メ
ッキ性を有する。即ち、本発明のレジスト材料が用いら
れるメッキによる配線パターンは、近年、高密度でのパ
ターン形成が求められるようになっており、この要求に
対してレジストパターンの狭線幅化によって、高密度の
配線パターン形成が進められている。そして、この狭線
幅化に伴う配線の容量を確保するために、厚膜化も同時
に進めなければならず、このメッキ配線の厚膜化に対応
するため、レジスト材料もより膜厚での形成が求められ
ているが、本発明のレジスト材料がかかる要求に適した
ものであることを知見し、本発明をなすに至った。
のものとして有効であり、３〜５０μｍの膜厚に形成し
ても優れた高解像度、高感度で、密着性が良好な高耐メ
ッキ性を有する。即ち、本発明のレジスト材料が用いら
れるメッキによる配線パターンは、近年、高密度でのパ
ターン形成が求められるようになっており、この要求に
対してレジストパターンの狭線幅化によって、高密度の
配線パターン形成が進められている。そして、この狭線
幅化に伴う配線の容量を確保するために、厚膜化も同時
に進めなければならず、このメッキ配線の厚膜化に対応
するため、レジスト材料もより膜厚での形成が求められ
ているが、本発明のレジスト材料がかかる要求に適した
ものであることを知見し、本発明をなすに至った。
【０００８】従って、本発明は、［Ｉ］（Ａ）酸不安定
基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は
難溶性の高分子化合物であって、該酸不安定基が脱離し
たときにアルカリ可溶性となる高分子化合物、（Ｂ）酸
発生剤、（Ｃ）１，２−ナフトキノンジアジドスルホニ
ル基を分子中に有する化合物を含有することを特徴とす
る波長３００ｎｍ以上の紫外線を露光光源とするレジス
ト材料、［ＩＩ］（Ａ）成分の高分子化合物が、下記一
般式（１）で示される繰り返し単位を有する高分子化合
物のフェノール性水酸基の一部の水素原子が１種又は２
種以上の酸不安定基により部分置換され、酸不安定基
が、式（１）のフェノール性水酸基の水素原子全体の平
均０モル％を超え８０モル％以下の割合である重量平均
分子量３，０００〜３００，０００であることを特徴と
する［Ｉ］記載のレジスト材料、
基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は
難溶性の高分子化合物であって、該酸不安定基が脱離し
たときにアルカリ可溶性となる高分子化合物、（Ｂ）酸
発生剤、（Ｃ）１，２−ナフトキノンジアジドスルホニ
ル基を分子中に有する化合物を含有することを特徴とす
る波長３００ｎｍ以上の紫外線を露光光源とするレジス
ト材料、［ＩＩ］（Ａ）成分の高分子化合物が、下記一
般式（１）で示される繰り返し単位を有する高分子化合
物のフェノール性水酸基の一部の水素原子が１種又は２
種以上の酸不安定基により部分置換され、酸不安定基
が、式（１）のフェノール性水酸基の水素原子全体の平
均０モル％を超え８０モル％以下の割合である重量平均
分子量３，０００〜３００，０００であることを特徴と
する［Ｉ］記載のレジスト材料、
【化４】 （式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ2は炭素
数１〜８の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を示
す。また、ｘは０又は正の整数、ｙは正の整数であり、
ｘ＋ｙ≦５を満足する数である。） ［ＩＩＩ］（Ｂ）成分の酸発生剤が、オキシムスルフォ
ネート化合物であることを特徴とする［Ｉ］又は［Ｉ
Ｉ］記載のレジスト材料、［ＩＶ］更に、（Ｄ）塩基性
化合物を含むことを特徴とする［Ｉ］乃至［ＩＩＩ］の
いずれか１項記載のレジスト材料、［Ｖ］更に、（Ｅ）
溶解促進剤として、フェノール性水酸基を有し、かつベ
ンゼン環の数が２〜２０個であり、かつ、フェノール性
水酸基の数とベンゼン環の数の比率が０．５〜２．５で
ある下記一般式（２）で示される低核体を含むことを特
徴とする［Ｉ］乃至［ＩＶ］のいずれか１項記載のレジ
スト材料、
数１〜８の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を示
す。また、ｘは０又は正の整数、ｙは正の整数であり、
ｘ＋ｙ≦５を満足する数である。） ［ＩＩＩ］（Ｂ）成分の酸発生剤が、オキシムスルフォ
ネート化合物であることを特徴とする［Ｉ］又は［Ｉ
Ｉ］記載のレジスト材料、［ＩＶ］更に、（Ｄ）塩基性
化合物を含むことを特徴とする［Ｉ］乃至［ＩＩＩ］の
いずれか１項記載のレジスト材料、［Ｖ］更に、（Ｅ）
溶解促進剤として、フェノール性水酸基を有し、かつベ
ンゼン環の数が２〜２０個であり、かつ、フェノール性
水酸基の数とベンゼン環の数の比率が０．５〜２．５で
ある下記一般式（２）で示される低核体を含むことを特
徴とする［Ｉ］乃至［ＩＶ］のいずれか１項記載のレジ
スト材料、
【化５】 （式中、Ｒ3〜Ｒ8はそれぞれ独立して水素原子、メチル
基、下記式（３）で示される基又は下記式（４）で示さ
れる基である。ｍは０〜２の整数、ｎは０〜２の整数で
あり、ｎが０の場合、ｍは１又は２である。Ａは、ｎが
０でかつｍが１の場合、水素原子、メチル基又は下記式
（３）で示される基であり、ｎが０でかつｍが２の場
合、一方がメチレン基又は下記式（５）で示される基で
他方が水素原子、メチル基又は下記式（３）で示される
基、ｎが１の場合、メチレン基又は下記式（５）で示さ
れる基である。ｎが２の場合、ｍが１のときはＡはメチ
ン基又は下記式（６）で示される基、ｍが２のときはＡ
の一方がメチレン基又は下記式（５）で示される基で他
方がメチン基又は下記式（６）で示される基である。）
基、下記式（３）で示される基又は下記式（４）で示さ
れる基である。ｍは０〜２の整数、ｎは０〜２の整数で
あり、ｎが０の場合、ｍは１又は２である。Ａは、ｎが
０でかつｍが１の場合、水素原子、メチル基又は下記式
（３）で示される基であり、ｎが０でかつｍが２の場
合、一方がメチレン基又は下記式（５）で示される基で
他方が水素原子、メチル基又は下記式（３）で示される
基、ｎが１の場合、メチレン基又は下記式（５）で示さ
れる基である。ｎが２の場合、ｍが１のときはＡはメチ
ン基又は下記式（６）で示される基、ｍが２のときはＡ
の一方がメチレン基又は下記式（５）で示される基で他
方がメチン基又は下記式（６）で示される基である。）
【化６】 （式中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖはそれぞれ０〜３
の整数であるが、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦４、ｕ＋ｖ≦３
である。） ［ＶＩ］（ｉ）［Ｉ］乃至［Ｖ］のいずれか１項に記載
のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、（ｉｉ）次
いで、加熱処理後、フォトマスクを介して、３００ｎｍ
以上の紫外線で露光する工程と、（ｉｉｉ）必要に応じ
て加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含
むことを特徴とするパターン形成方法、［ＶＩＩ］レジ
スト材料を基板に塗布して形成したレジスト膜の膜厚が
３〜５０μｍである［ＶＩ］記載のパターン形成方法を
提供する。
の整数であるが、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦４、ｕ＋ｖ≦３
である。） ［ＶＩ］（ｉ）［Ｉ］乃至［Ｖ］のいずれか１項に記載
のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、（ｉｉ）次
いで、加熱処理後、フォトマスクを介して、３００ｎｍ
以上の紫外線で露光する工程と、（ｉｉｉ）必要に応じ
て加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含
むことを特徴とするパターン形成方法、［ＶＩＩ］レジ
スト材料を基板に塗布して形成したレジスト膜の膜厚が
３〜５０μｍである［ＶＩ］記載のパターン形成方法を
提供する。
【０００９】以下、本発明につき更に詳細に説明する。
本発明の（Ａ）成分の高分子化合物は、酸不安定基で保
護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性
の高分子化合物であって、該酸不安定基が脱離したとき
にアルカリ可溶性となる高分子化合物であり、例えば下
記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する高分子
化合物のフェノール性水酸基の一部の水素原子が１種又
は２種以上の酸不安定基により部分置換され、酸不安定
基が、式（１）のフェノール性水酸基の水素原子全体の
平均０モル％を超え８０モル％以下、好ましくは１０〜
５０モル％の割合である重量平均分子量３，０００〜３
００，０００、好ましくは３，０００〜３０，０００の
高分子化合物が用いられる。
本発明の（Ａ）成分の高分子化合物は、酸不安定基で保
護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性
の高分子化合物であって、該酸不安定基が脱離したとき
にアルカリ可溶性となる高分子化合物であり、例えば下
記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する高分子
化合物のフェノール性水酸基の一部の水素原子が１種又
は２種以上の酸不安定基により部分置換され、酸不安定
基が、式（１）のフェノール性水酸基の水素原子全体の
平均０モル％を超え８０モル％以下、好ましくは１０〜
５０モル％の割合である重量平均分子量３，０００〜３
００，０００、好ましくは３，０００〜３０，０００の
高分子化合物が用いられる。
【００１０】
【化７】
【００１１】ここで、Ｒ1は水素原子又はメチル基を示
し、Ｒ2は炭素数１〜８の直鎖状、分枝状又は環状のア
ルキル基を示す。また、ｘは０又は正の整数、ｙは正の
整数であり、ｘ＋ｙ≦５を満足する数である。
し、Ｒ2は炭素数１〜８の直鎖状、分枝状又は環状のア
ルキル基を示す。また、ｘは０又は正の整数、ｙは正の
整数であり、ｘ＋ｙ≦５を満足する数である。
【００１２】酸不安定基としては、種々選定されるが、
特に、下記一般式（７）、（８）で示される基、ｔｅｒ
ｔ−アルキル基、トリアルキルシリル基、ケトアルキル
基等であることが好ましい。
特に、下記一般式（７）、（８）で示される基、ｔｅｒ
ｔ−アルキル基、トリアルキルシリル基、ケトアルキル
基等であることが好ましい。
【００１３】
【化８】
【００１４】ここで、Ｒ9、Ｒ10はそれぞれ独立して水
素原子又は炭素数１〜６の直鎖状もしくは分枝状のアル
キル基を示し、Ｒ11は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状
もしくは環状のアルキル基であるか、又はＲ9とＲ10、
Ｒ9とＲ11又はＲ10とＲ11とは環を形成してもよい。環
を形成する場合Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11はそれぞれ独立して炭
素数１〜６の直鎖状又は分枝状のアルキレン基を示す。
素原子又は炭素数１〜６の直鎖状もしくは分枝状のアル
キル基を示し、Ｒ11は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状
もしくは環状のアルキル基であるか、又はＲ9とＲ10、
Ｒ9とＲ11又はＲ10とＲ11とは環を形成してもよい。環
を形成する場合Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11はそれぞれ独立して炭
素数１〜６の直鎖状又は分枝状のアルキレン基を示す。
【００１５】具体的には、式（７）の基として、１−エ
トキシエチル基、１−ｎ−プロポキシエチル基、１−イ
ソプロポキシエチル基、１−ｎ−ブトキシエチル基、１
−イソブトキシエチル基、１−ｓｅｃ−ブトキシエチル
基、１−ｔｅｒｔ−ブトキシエチル基、１−ｔｅｒｔ−
アミロキシエチル基、１−エトキシ−ｎ−プロピル基、
１−シクロヘキシロキシエチル基等の直鎖状もしくは分
枝状のアセタール基、テトラヒドロフラニル基等の環状
のアセタール基等が挙げられ、好ましくは１−エトキシ
エチル基、１−エトキシ−ｎ−プロピル基が挙げられ
る。
トキシエチル基、１−ｎ−プロポキシエチル基、１−イ
ソプロポキシエチル基、１−ｎ−ブトキシエチル基、１
−イソブトキシエチル基、１−ｓｅｃ−ブトキシエチル
基、１−ｔｅｒｔ−ブトキシエチル基、１−ｔｅｒｔ−
アミロキシエチル基、１−エトキシ−ｎ−プロピル基、
１−シクロヘキシロキシエチル基等の直鎖状もしくは分
枝状のアセタール基、テトラヒドロフラニル基等の環状
のアセタール基等が挙げられ、好ましくは１−エトキシ
エチル基、１−エトキシ−ｎ−プロピル基が挙げられ
る。
【００１６】式（８）において、Ｒ12は炭素数４〜１
２、好ましくは４〜８、更に好ましくは４〜６の３級ア
ルキル基を示し、ａは０〜６の整数である。
２、好ましくは４〜８、更に好ましくは４〜６の３級ア
ルキル基を示し、ａは０〜６の整数である。
【００１７】具体的には、式（８）の基として、ｔｅｒ
ｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニルメチル基、ｔｅｒｔ−アミロキシカルボニル基、ｔ
ｅｒｔ−アミロキシカルボニルメチル基等が挙げられ
る。
ｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニルメチル基、ｔｅｒｔ−アミロキシカルボニル基、ｔ
ｅｒｔ−アミロキシカルボニルメチル基等が挙げられ
る。
【００１８】また、上記ｔｅｒｔ−アルキル基として
は、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、１−メ
チルシクロヘキシル基等が挙げられる。
は、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、１−メ
チルシクロヘキシル基等が挙げられる。
【００１９】トリアルキルシリル基としては、トリメチ
ルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル−ｔｅｒｔ
−ブチルシリル基等の各アルキル基の炭素数が１〜６の
ものが、ケトアルキル基としては、３−オキソシクロヘ
キシル基や下記式で示される基等が挙げられる。
ルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル−ｔｅｒｔ
−ブチルシリル基等の各アルキル基の炭素数が１〜６の
ものが、ケトアルキル基としては、３−オキソシクロヘ
キシル基や下記式で示される基等が挙げられる。
【００２０】
【化９】
【００２１】次に（Ｂ）成分の酸発生剤としては、オキ
シムスルホネート化合物、オニウム塩、β−ケトスルホ
ン誘導体、ジアゾメタン誘導体、ジスルホン誘導体、ス
ルホン酸エステル誘導体、イミド−イル−スルホネート
誘導体等が挙げられるが、オキシムスルホネート化合物
を好適に用いることができる。
シムスルホネート化合物、オニウム塩、β−ケトスルホ
ン誘導体、ジアゾメタン誘導体、ジスルホン誘導体、ス
ルホン酸エステル誘導体、イミド−イル−スルホネート
誘導体等が挙げられるが、オキシムスルホネート化合物
を好適に用いることができる。
【００２２】具体的にはオキシムスルホネート化合物と
して、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−
フェニルアセトニトリル、α−（ｐ−クロロベンゼンス
ルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α
−（４−ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−フ
ェニルアセトニトリル、α−（４−ニトロ−２−トリフ
ルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−フェ
ニルアセトニトリル、α−（ベンゼンスルホニルオキシ
イミノ）−４−クロロフェニルアセトニトリル、α−
（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，４−ジクロ
ロフェニルアセトニトリル、α−（ベンゼンスルホニル
オキシイミノ）−２，６−ジクロロフェニルアセトニト
リル、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−
メトキシフェニルアセトニトリル、α−（２−クロロベ
ンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニ
ルアセトニトリル、α−（ベンゼンスルホニルオキシイ
ミノ）−２−チエニルフェニルアセトニトリル、α−
（４−ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−フ
ェニルアセトニトリル、α−（４−トルエンスルホニル
オキシイミノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリ
ル、α−（４−ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミ
ノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（４
−トルエンスルホニルオキシイミノ）−３−チエニルア
セトニトリル等が挙げられる。
して、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−
フェニルアセトニトリル、α−（ｐ−クロロベンゼンス
ルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α
−（４−ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−フ
ェニルアセトニトリル、α−（４−ニトロ−２−トリフ
ルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−フェ
ニルアセトニトリル、α−（ベンゼンスルホニルオキシ
イミノ）−４−クロロフェニルアセトニトリル、α−
（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，４−ジクロ
ロフェニルアセトニトリル、α−（ベンゼンスルホニル
オキシイミノ）−２，６−ジクロロフェニルアセトニト
リル、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−
メトキシフェニルアセトニトリル、α−（２−クロロベ
ンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニ
ルアセトニトリル、α−（ベンゼンスルホニルオキシイ
ミノ）−２−チエニルフェニルアセトニトリル、α−
（４−ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−フ
ェニルアセトニトリル、α−（４−トルエンスルホニル
オキシイミノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリ
ル、α−（４−ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミ
ノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（４
−トルエンスルホニルオキシイミノ）−３−チエニルア
セトニトリル等が挙げられる。
【００２３】オニウム塩としては、トリフルオロメタン
スルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタ
ンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ヨー
ドニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジフェニルヨードニ
ウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキ
シフェニル）ヨードニウム、トリフルオロメタンスルホ
ン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンス
ルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニ
ルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ビス
（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニ
ウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ−トルエン
スルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンス
ルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニ
ルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ビス（ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、ｐ
−トルエンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
フェニル）スルホニウム、ノナフルオロブタンスルホン
酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスルホン酸トリフ
ェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ト
リメチルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリメ
チルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シク
ロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホ
ニウム、ｐ−トルエンスルホン酸シクロヘキシルメチル
（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフル
オロメタンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、
ｐ−トルエンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウ
ム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロヘキシルフ
ェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジシクロ
ヘキシルフェニルスルホニウム等が挙げられる。
スルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタ
ンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ヨー
ドニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジフェニルヨードニ
ウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキ
シフェニル）ヨードニウム、トリフルオロメタンスルホ
ン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンス
ルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニ
ルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ビス
（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニ
ウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ−トルエン
スルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンス
ルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニ
ルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ビス（ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、ｐ
−トルエンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
フェニル）スルホニウム、ノナフルオロブタンスルホン
酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスルホン酸トリフ
ェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ト
リメチルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリメ
チルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シク
ロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホ
ニウム、ｐ−トルエンスルホン酸シクロヘキシルメチル
（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフル
オロメタンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、
ｐ−トルエンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウ
ム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロヘキシルフ
ェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジシクロ
ヘキシルフェニルスルホニウム等が挙げられる。
【００２４】β−ケトスルホン誘導体としては、２−シ
クロヘキシルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニ
ル）プロパン、２−イソプロピルカルボニル−２−（ｐ
−トルエンスルホニル）プロパン等が挙げられる。
クロヘキシルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニ
ル）プロパン、２−イソプロピルカルボニル−２−（ｐ
−トルエンスルホニル）プロパン等が挙げられる。
【００２５】ジアゾメタン誘導体としては、ビス（ベン
ゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシル
スルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルス
ルホニル）ジアゾメタン等が挙げられる。
ゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシル
スルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルス
ルホニル）ジアゾメタン等が挙げられる。
【００２６】ジスルホン誘導体としては、ジフェニルジ
スルホン、ジシクロヘキシルジスルホン等が、スルホン
酸エステル誘導体としては、１，２，３−トリス（メタ
ンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス
（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベンゼン、
１，２，３−トリス（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）
ベンゼン等が、イミド−イル−スルホネート誘導体とし
ては、フタルイミド−イル−トリフレート、フタルイミ
ド−イル−トシレート、５−ノルボルネン−２，３−ジ
カルボキシイミド−イル−トリフレート、５−ノルボル
ネン−２，３−ジカルボキシイミド−イル−トシレー
ト、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−
イル−ｎ−ブチルスルホネート等が挙げられる。
スルホン、ジシクロヘキシルジスルホン等が、スルホン
酸エステル誘導体としては、１，２，３−トリス（メタ
ンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス
（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベンゼン、
１，２，３−トリス（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）
ベンゼン等が、イミド−イル−スルホネート誘導体とし
ては、フタルイミド−イル−トリフレート、フタルイミ
ド−イル−トシレート、５−ノルボルネン−２，３−ジ
カルボキシイミド−イル−トリフレート、５−ノルボル
ネン−２，３−ジカルボキシイミド−イル−トシレー
ト、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−
イル−ｎ−ブチルスルホネート等が挙げられる。
【００２７】酸発生剤の添加量は、（Ａ）成分の高分子
化合物８０部（重量部、以下同じ）に対して０．５〜１
５部、好ましくは１〜８部である。０．５部より少ない
と感度が悪い場合があり、１５部より多いとレジスト材
料の解像性が低下することがあり、モノマー成分が過剰
となるために耐熱性が低下する場合がある。
化合物８０部（重量部、以下同じ）に対して０．５〜１
５部、好ましくは１〜８部である。０．５部より少ない
と感度が悪い場合があり、１５部より多いとレジスト材
料の解像性が低下することがあり、モノマー成分が過剰
となるために耐熱性が低下する場合がある。
【００２８】本発明の１，２−ナフトキノンジアジドス
ルホニル基を分子中に有する化合物としては、下記一般
式（９）又は（１０）で示される１，２−ナフトキノン
ジアジドスルホニル基を分子中に有する化合物が挙げら
れる。
ルホニル基を分子中に有する化合物としては、下記一般
式（９）又は（１０）で示される１，２−ナフトキノン
ジアジドスルホニル基を分子中に有する化合物が挙げら
れる。
【００２９】
【化１０】
【００３０】具体的には、上記、１，２−ナフトキノン
ジアジドスルホニル基が導入される化合物として、トリ
又はテトラヒドロキシベンゾフェノン、フェノール性水
酸基を有する下記一般式（２）で示されるバラスト分子
又は下記式（１１）で示される繰り返し単位を有する重
量平均分子量が２，０００〜２０，０００、好ましくは
３，０００〜１０，０００の範囲であるノボラック樹脂
が好適に用いられる。
ジアジドスルホニル基が導入される化合物として、トリ
又はテトラヒドロキシベンゾフェノン、フェノール性水
酸基を有する下記一般式（２）で示されるバラスト分子
又は下記式（１１）で示される繰り返し単位を有する重
量平均分子量が２，０００〜２０，０００、好ましくは
３，０００〜１０，０００の範囲であるノボラック樹脂
が好適に用いられる。
【００３１】
【化１１】
【００３２】ここで、Ｒ3〜Ｒ8はそれぞれ独立して水素
原子、メチル基、下記式（３）で示される基又は下記式
（４）で示される基である。ｍは０〜２の整数、ｎは０
〜２の整数であり、ｎが０の場合、ｍは１又は２であ
る。Ａは、ｎが０でかつｍが１の場合、水素原子、メチ
ル基又は下記式（３）で示される基であり、ｎが０でか
つｍが２の場合、一方がメチレン基又は下記式（５）で
示される基で他方が水素原子、メチル基又は下記式
（３）で示される基、ｎが１の場合、メチレン基又は下
記式（５）で示される基である。ｎが２の場合、ｍが１
のときはＡはメチン基又は下記式（６）で示される基、
ｍが２のときはＡの一方がメチレン基又は下記式（５）
で示される基で他方がメチン基又は下記式（６）で示さ
れる基である。
原子、メチル基、下記式（３）で示される基又は下記式
（４）で示される基である。ｍは０〜２の整数、ｎは０
〜２の整数であり、ｎが０の場合、ｍは１又は２であ
る。Ａは、ｎが０でかつｍが１の場合、水素原子、メチ
ル基又は下記式（３）で示される基であり、ｎが０でか
つｍが２の場合、一方がメチレン基又は下記式（５）で
示される基で他方が水素原子、メチル基又は下記式
（３）で示される基、ｎが１の場合、メチレン基又は下
記式（５）で示される基である。ｎが２の場合、ｍが１
のときはＡはメチン基又は下記式（６）で示される基、
ｍが２のときはＡの一方がメチレン基又は下記式（５）
で示される基で他方がメチン基又は下記式（６）で示さ
れる基である。
【００３３】
【化１２】 （式中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖはそれぞれ０〜３
の整数であるが、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦４、ｕ＋ｖ≦３
である。）
の整数であるが、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦４、ｕ＋ｖ≦３
である。）
【００３４】この場合、上記式（２）の低核体（バラス
ト分子）は、ベンゼン環の数が２〜２０個、より好まし
くは２〜１０個、更に好ましくは３〜６個であり、か
つ、フェノール性水酸基の数とベンゼン環の数の比率が
０．５〜２．５、より好ましくは０．７〜２．０、更に
好ましくは０．８〜１．５のものであることが好適であ
る。
ト分子）は、ベンゼン環の数が２〜２０個、より好まし
くは２〜１０個、更に好ましくは３〜６個であり、か
つ、フェノール性水酸基の数とベンゼン環の数の比率が
０．５〜２．５、より好ましくは０．７〜２．０、更に
好ましくは０．８〜１．５のものであることが好適であ
る。
【００３５】
【化１３】 （式中、ｍは０〜３の整数である。）
【００３６】上記式（１１）のノボラック樹脂は、下記
式（１２）で示されるフェノール類、具体的にはｏ−ク
レゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、３，５−
キシレノールなどの少なくとも１種のフェノール類とア
ルデヒド類とを通常の方法で縮合させることにより合成
することができる。
式（１２）で示されるフェノール類、具体的にはｏ−ク
レゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、３，５−
キシレノールなどの少なくとも１種のフェノール類とア
ルデヒド類とを通常の方法で縮合させることにより合成
することができる。
【００３７】
【化１４】 （式中、ｍは０〜３の整数である。）
【００３８】この場合、アルデヒド類としては、例えば
ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアル
デヒド、ベンズアルデヒド等が挙げられるが、ホルムア
ルデヒドが好適である。
ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアル
デヒド、ベンズアルデヒド等が挙げられるが、ホルムア
ルデヒドが好適である。
【００３９】なお、上記式（１２）のフェノール類とア
ルデヒド類との割合は、モル比で０．２〜２、特に０．
３〜２の割合が好ましい。
ルデヒド類との割合は、モル比で０．２〜２、特に０．
３〜２の割合が好ましい。
【００４０】上記１，２−ナフトキノンジアジドスルホ
ニル基が導入される化合物への１，２−ナフトキノンジ
アジドスルホニル基の導入方法としては、１，２−ナフ
トキノンジアジドスルホニルクロライドとフェノール性
水酸基との塩基触媒による脱塩酸縮合反応を用いること
が好ましい。式（２）のバラスト分子、トリ又はテトラ
ヒドロキシベンゾフェノンの場合には、フェノール性水
酸基の水素原子を１，２−ナフトキノンジアジドスルホ
ニル基で置換する割合は１０〜１００モル％、好ましく
は５０〜１００モル％であり、式（１１）のノボラック
樹脂の場合、フェノール性水酸基の水素原子を１，２−
ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換する割合は２
〜５０モル％、好ましくは３〜２７モル％が好ましい。
ニル基が導入される化合物への１，２−ナフトキノンジ
アジドスルホニル基の導入方法としては、１，２−ナフ
トキノンジアジドスルホニルクロライドとフェノール性
水酸基との塩基触媒による脱塩酸縮合反応を用いること
が好ましい。式（２）のバラスト分子、トリ又はテトラ
ヒドロキシベンゾフェノンの場合には、フェノール性水
酸基の水素原子を１，２−ナフトキノンジアジドスルホ
ニル基で置換する割合は１０〜１００モル％、好ましく
は５０〜１００モル％であり、式（１１）のノボラック
樹脂の場合、フェノール性水酸基の水素原子を１，２−
ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換する割合は２
〜５０モル％、好ましくは３〜２７モル％が好ましい。
【００４１】１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル
基を分子中に有する化合物の添加量は、（Ａ）成分の高
分子化合物８０部に対して０．１〜１５部、好ましくは
０．５〜１０部である。０．１部より少ないとレジスト
材料の解像性が低下することがあり、１５部より多いと
感度が悪い場合がある。
基を分子中に有する化合物の添加量は、（Ａ）成分の高
分子化合物８０部に対して０．１〜１５部、好ましくは
０．５〜１０部である。０．１部より少ないとレジスト
材料の解像性が低下することがあり、１５部より多いと
感度が悪い場合がある。
【００４２】（Ｄ）成分の塩基性化合物としては、酸発
生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する際の拡散
速度を抑制することができる化合物が適しており、この
ような塩基性化合物の配合により、レジスト膜中での酸
の拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度
変化を抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光
余裕度やパターンプロファイル等を向上することができ
る。
生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する際の拡散
速度を抑制することができる化合物が適しており、この
ような塩基性化合物の配合により、レジスト膜中での酸
の拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度
変化を抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光
余裕度やパターンプロファイル等を向上することができ
る。
【００４３】このような塩基性化合物としては、第１
級、第２級、第３級の脂肪族アミン類、混成アミン類、
芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有す
る含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、
ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニ
ル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合
物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。
級、第２級、第３級の脂肪族アミン類、混成アミン類、
芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有す
る含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、
ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニ
ル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合
物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。
【００４４】具体的には、第１級の脂肪族アミン類とし
て、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プ
ロピルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミ
ン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン等が、第２級の脂肪族アミ
ンとして、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−
プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチ
ルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｓｅｃ−ブチルア
ミン等が、第３級の脂肪族アミンとして、トリメチルア
ミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、
トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ト
リイソブチルアミン、トリ−ｓｅｃ−ブチルアミン等が
挙げられる。
て、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プ
ロピルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミ
ン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン等が、第２級の脂肪族アミ
ンとして、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−
プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチ
ルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｓｅｃ−ブチルア
ミン等が、第３級の脂肪族アミンとして、トリメチルア
ミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、
トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ト
リイソブチルアミン、トリ−ｓｅｃ−ブチルアミン等が
挙げられる。
【００４５】混成アミン類としては、ジメチルエチルア
ミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、
フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン等が、芳香
族アミン類及び複素環アミン類としては、アニリン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ピリジン、キノリン、１，
８−ジアザビシクロウンデセン等が挙げられる。
ミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、
フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン等が、芳香
族アミン類及び複素環アミン類としては、アニリン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ピリジン、キノリン、１，
８−ジアザビシクロウンデセン等が挙げられる。
【００４６】カルボキシ基を有する含窒素化合物として
は、アミノ安息香酸、インドールカルボン酸、ニコチン
酸、アラニン等が、スルホニル基を有する含窒素化合物
としては、３−ピリジンスルホン酸、ｐ−トルエンスル
ホン酸ピリジニウム等が挙げられる。
は、アミノ安息香酸、インドールカルボン酸、ニコチン
酸、アラニン等が、スルホニル基を有する含窒素化合物
としては、３−ピリジンスルホン酸、ｐ−トルエンスル
ホン酸ピリジニウム等が挙げられる。
【００４７】ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒド
ロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性
含窒素化合物としては、２−ヒドロキシピリジン、アミ
ノクレゾール、２，４−キノリンジオール、３−インド
ールメタノールヒドレート、トリエタノールアミン、Ｎ
−エチルジエタノールアミン、ピペリジンエタノール等
が挙げられる。
ロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性
含窒素化合物としては、２−ヒドロキシピリジン、アミ
ノクレゾール、２，４−キノリンジオール、３−インド
ールメタノールヒドレート、トリエタノールアミン、Ｎ
−エチルジエタノールアミン、ピペリジンエタノール等
が挙げられる。
【００４８】アミド誘導体としては、ホルムアミド、Ｎ
−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミ
ド等が、イミド誘導体としては、フタルイミド、サクシ
ンイミド、マレイミド等が挙げられる。
−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミ
ド等が、イミド誘導体としては、フタルイミド、サクシ
ンイミド、マレイミド等が挙げられる。
【００４９】上記塩基性化合物は１種を単独で又は２種
以上を組み合わせて用いることができ、その配合量は
（Ａ）成分の高分子化合物８０部に対して０〜２部、特
に０．０１〜１部を混合したものが好適である。配合量
が２部を超えると感度が低下しすぎる場合がある。
以上を組み合わせて用いることができ、その配合量は
（Ａ）成分の高分子化合物８０部に対して０〜２部、特
に０．０１〜１部を混合したものが好適である。配合量
が２部を超えると感度が低下しすぎる場合がある。
【００５０】また、（Ｅ）成分の溶解促進剤としては、
フェノール性水酸基を有し、かつベンゼン環の数が２〜
２０個、より好ましくは２〜１０個、更に好ましくは３
〜６個であり、かつ、フェノール性水酸基の数とベンゼ
ン環の数の比率が０．５〜２．５、より好ましくは０．
７〜２．０、更に好ましくは０．８〜１．５のものであ
る上述した一般式（２）で示される低核体が挙げられ
る。このような低核体として具体的には、下記のものが
挙げられる。
フェノール性水酸基を有し、かつベンゼン環の数が２〜
２０個、より好ましくは２〜１０個、更に好ましくは３
〜６個であり、かつ、フェノール性水酸基の数とベンゼ
ン環の数の比率が０．５〜２．５、より好ましくは０．
７〜２．０、更に好ましくは０．８〜１．５のものであ
る上述した一般式（２）で示される低核体が挙げられ
る。このような低核体として具体的には、下記のものが
挙げられる。
【００５１】
【化１５】
【００５２】
【化１６】
【００５３】
【化１７】
【００５４】
【化１８】
【００５５】
【化１９】
【００５６】
【化２０】
【００５７】
【化２１】
【００５８】溶解促進剤は、１種を単独で又は２種以上
を組み合わせて用いることができ、その配合量は（Ａ）
成分の高分子化合物８０部に対して０〜１０部、特に
０．０５〜５部を混合したものが好適である。１０部よ
り多いと解像性及び耐熱性が低下する場合がある。
を組み合わせて用いることができ、その配合量は（Ａ）
成分の高分子化合物８０部に対して０〜１０部、特に
０．０５〜５部を混合したものが好適である。１０部よ
り多いと解像性及び耐熱性が低下する場合がある。
【００５９】有機溶剤としては、シクロヘキサノン、２
−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノンなどの
ケトン類、３−メトキシブタノール、３−メチル−３−
メトキシブタノール、１−メトキシ−２−プロパノー
ル、１−エトキシ−２−プロパノールなどのアルコール
類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコー
ルモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチル
エーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エ
チレングリコール−ｔｅｒｔ−ブチルエーテルメチルエ
ーテル（１−ｔｅｒｔ−ブトキシ−２−メトキシエタ
ン）、エチレングリコール−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル
エチルエーテル（１−ｔｅｒｔ−ブトキシ−２−エトキ
シエタン）などのエーテル類、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸
エチル、酢酸ブチル、メチル−３−メトキシプロピオネ
ート、エチル−３−エトキシプロピオネート、酢酸ｔｅ
ｒｔ−ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ−ブチル、β−メ
トキシイソ酪酸メチルなどのエステル類が挙げられる。
これらの中では、レジスト成分の溶解性が優れている１
−エトキシ−２−プロパノール、もしくはレジスト成分
の溶解性、安全性が優れているプロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート（α型、β型）が好ましく
使用される。なお、上記有機溶剤は１種を単独で又は２
種以上を組み合わせて用いることができる。
−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノンなどの
ケトン類、３−メトキシブタノール、３−メチル−３−
メトキシブタノール、１−メトキシ−２−プロパノー
ル、１−エトキシ−２−プロパノールなどのアルコール
類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコー
ルモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチル
エーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エ
チレングリコール−ｔｅｒｔ−ブチルエーテルメチルエ
ーテル（１−ｔｅｒｔ−ブトキシ−２−メトキシエタ
ン）、エチレングリコール−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル
エチルエーテル（１−ｔｅｒｔ−ブトキシ−２−エトキ
シエタン）などのエーテル類、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸
エチル、酢酸ブチル、メチル−３−メトキシプロピオネ
ート、エチル−３−エトキシプロピオネート、酢酸ｔｅ
ｒｔ−ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ−ブチル、β−メ
トキシイソ酪酸メチルなどのエステル類が挙げられる。
これらの中では、レジスト成分の溶解性が優れている１
−エトキシ−２−プロパノール、もしくはレジスト成分
の溶解性、安全性が優れているプロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート（α型、β型）が好ましく
使用される。なお、上記有機溶剤は１種を単独で又は２
種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６０】有機溶剤の添加量は、（Ａ）成分の高分子
化合物８０部に対して９０〜６００部が好ましく、より
好ましくは１００〜５００部である。
化合物８０部に対して９０〜６００部が好ましく、より
好ましくは１００〜５００部である。
【００６１】本発明のレジスト材料には、上記成分以外
に任意成分として塗布性を向上させるために慣用されて
いる界面活性剤、基板からの乱反射を少なくするための
吸光性材料を添加することができる。なお、任意成分の
添加量は、本発明の効果を妨げない範囲で通常量とする
ことができる。
に任意成分として塗布性を向上させるために慣用されて
いる界面活性剤、基板からの乱反射を少なくするための
吸光性材料を添加することができる。なお、任意成分の
添加量は、本発明の効果を妨げない範囲で通常量とする
ことができる。
【００６２】界面活性剤としては、非イオン性のものが
好ましく、パーフルオロアルキルポリオキシエチレンエ
タノール、フッ素化アルキルエステル、パーフルオロア
ルキルアミンオキサイド、含フッ素オルガノシロキサン
系化合物等が挙げられる。例えば、フロラード「ＦＣ−
４３０」、「ＦＣ−４３１」（いずれも住友スリーエム
（株）製）、サーフロン「Ｓ−１４１」、「Ｓ−１４
５」（いずれも旭硝子（株）製）、ユニダイン「ＤＳ−
４０１」、「ＤＳ−４０３」、「ＤＳ−４５１」（いず
れもダイキン工業（株）製）、メガファック「Ｆ−８１
５１」（大日本インキ工業（株）製）、「Ｘ−７０−０
９２」、「Ｘ−７０−０９３」（いずれも信越化学工業
（株）製）が挙げられる。
好ましく、パーフルオロアルキルポリオキシエチレンエ
タノール、フッ素化アルキルエステル、パーフルオロア
ルキルアミンオキサイド、含フッ素オルガノシロキサン
系化合物等が挙げられる。例えば、フロラード「ＦＣ−
４３０」、「ＦＣ−４３１」（いずれも住友スリーエム
（株）製）、サーフロン「Ｓ−１４１」、「Ｓ−１４
５」（いずれも旭硝子（株）製）、ユニダイン「ＤＳ−
４０１」、「ＤＳ−４０３」、「ＤＳ−４５１」（いず
れもダイキン工業（株）製）、メガファック「Ｆ−８１
５１」（大日本インキ工業（株）製）、「Ｘ−７０−０
９２」、「Ｘ−７０−０９３」（いずれも信越化学工業
（株）製）が挙げられる。
【００６３】吸光性材料としては、２−ベンゼンアゾ−
４−メチルフェノール、４−ヒドロキシ−４’−ジメチ
ルアミノアゾベンゼン等のアゾ化合物やクルクミン等が
挙げられる。
４−メチルフェノール、４−ヒドロキシ−４’−ジメチ
ルアミノアゾベンゼン等のアゾ化合物やクルクミン等が
挙げられる。
【００６４】上記レジスト材料を用いてパターンを形成
する方法としては、常法に従ってレジスト材料を基板上
に塗布する。この場合、基板の種類に特に制限はない
が、本発明はＮｉＦｅ膜基板に有効である。また、その
レジスト膜厚は１〜５０μｍ、好ましくは３〜５０μ
ｍ、より好ましくは３〜３０μｍ、更に好ましくは３〜
１０μｍとすることが望ましい。次いで、好ましくは９
０〜１３０℃、１〜１０分間加熱した後、フォトマスク
を介して露光するが、本発明において、露光は波長３０
０ｎｍ以上の紫外線を用いる。露光量も特に制限されな
いが、１〜１，０００ｍＪ／ｃｍ2、好ましくは１０〜
５００ｍＪ／ｃｍ2とすることができる。その後、必要
に応じて、好ましくは１００〜１３０℃、１〜５分間の
加熱処理を行い、次いで現像液を用いて現像を行う。こ
の場合、現像液としては、テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等の有機系アルカリ水溶
液や水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、メタホウ酸カ
リウム等の無機系アルカリ水溶液等を用いることができ
る。このようにして、ポジ型パターンを得ることができ
る。その後、基板上に銅、金、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ等の磁
性材料、ハンダ等のメッキを施すことができる。
する方法としては、常法に従ってレジスト材料を基板上
に塗布する。この場合、基板の種類に特に制限はない
が、本発明はＮｉＦｅ膜基板に有効である。また、その
レジスト膜厚は１〜５０μｍ、好ましくは３〜５０μ
ｍ、より好ましくは３〜３０μｍ、更に好ましくは３〜
１０μｍとすることが望ましい。次いで、好ましくは９
０〜１３０℃、１〜１０分間加熱した後、フォトマスク
を介して露光するが、本発明において、露光は波長３０
０ｎｍ以上の紫外線を用いる。露光量も特に制限されな
いが、１〜１，０００ｍＪ／ｃｍ2、好ましくは１０〜
５００ｍＪ／ｃｍ2とすることができる。その後、必要
に応じて、好ましくは１００〜１３０℃、１〜５分間の
加熱処理を行い、次いで現像液を用いて現像を行う。こ
の場合、現像液としては、テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等の有機系アルカリ水溶
液や水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、メタホウ酸カ
リウム等の無機系アルカリ水溶液等を用いることができ
る。このようにして、ポジ型パターンを得ることができ
る。その後、基板上に銅、金、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ等の磁
性材料、ハンダ等のメッキを施すことができる。
【００６５】
【発明の効果】本発明のレジスト材料によれば、特に３
００ｎｍ以上の紫外線露光により、高解像度、高感度
で、しかも耐メッキ性に優れたパターンを形成すること
ができる。
００ｎｍ以上の紫外線露光により、高解像度、高感度
で、しかも耐メッキ性に優れたパターンを形成すること
ができる。
【００６６】
【実施例】以下、合成例、実施例及び比較例を示して本
発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定
されるものではない。なお、各例において部はいずれも
重量部である。
発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定
されるものではない。なお、各例において部はいずれも
重量部である。
【００６７】［合成例１，２］ノボラック樹脂の合成 撹拌機、コンデンサー、温度計を備えた３つ口フラスコ
中にｐ−クレゾール６４．８ｇ（０．６０モル）、ｍ−
クレゾール１６２．３ｇ（１．５０モル）、３，５−キ
シレノール１１０．１ｇ（０．９０モル）、３７重量％
ホルムアルデヒド水溶液１３３．８ｇ（１．６５モル）
及び重縮合触媒としてシュウ酸２水和物０．９０ｇ
（７．２×１０-3モル）を仕込み、フラスコをオイルバ
スに浸し、内温を１００℃に保持し、１時間重縮合を行
った。
中にｐ−クレゾール６４．８ｇ（０．６０モル）、ｍ−
クレゾール１６２．３ｇ（１．５０モル）、３，５−キ
シレノール１１０．１ｇ（０．９０モル）、３７重量％
ホルムアルデヒド水溶液１３３．８ｇ（１．６５モル）
及び重縮合触媒としてシュウ酸２水和物０．９０ｇ
（７．２×１０-3モル）を仕込み、フラスコをオイルバ
スに浸し、内温を１００℃に保持し、１時間重縮合を行
った。
【００６８】反応終了後、１，５００ｍｌのメチルイソ
ブチルケトン（ＭＩＢＫ）を加え、３０分間撹拌した
後、水層を分離し、ＭＩＢＫ層に抽出された生成物を９
００ｍｌの純水で５回水洗し、分液した後、エバポレー
ターにて、４ｍｍＨｇで１５０℃の減圧ストリップを行
った。この結果、ノボラック樹脂Ａ−１を２４５ｇ得
た。
ブチルケトン（ＭＩＢＫ）を加え、３０分間撹拌した
後、水層を分離し、ＭＩＢＫ層に抽出された生成物を９
００ｍｌの純水で５回水洗し、分液した後、エバポレー
ターにて、４ｍｍＨｇで１５０℃の減圧ストリップを行
った。この結果、ノボラック樹脂Ａ−１を２４５ｇ得
た。
【００６９】また、表１に示すように原料フェノール類
とホルムアルデヒドを用いてノボラック樹脂Ａ−１と同
様にして合成し、ノボラック樹脂Ａ−２を得た。
とホルムアルデヒドを用いてノボラック樹脂Ａ−１と同
様にして合成し、ノボラック樹脂Ａ−２を得た。
【００７０】
【表１】
【００７１】［合成例３〜５］１，２−ナフトキノンジ
アジドスルホニル基導入ノボラック樹脂の合成 遮光下で、撹拌機、滴下ロート、温度計を備えた３つ口
フラスコ中にノボラック樹脂Ａ−１（ＯＨ当量１２４．
４）１５０ｇ（１．２モル）、１，２−ナフトキノン−
２−ジアジド−５−スルホニルクロライド１９．３ｇ
（０．０７２モル）、１，４−ジオキサン７６０ｇを仕
込み、溶解した。この溶液に室温でトリエチルアミン
８．０ｇ（０．０７９モル）を滴下した。滴下終了後、
１０時間撹拌を続けた後、大量の０．１２Ｎ塩酸水溶液
に投入して析出した樹脂を回収した。回収した樹脂を６
００ｇの酢酸エチルに溶解させ、２００ｇの水で３回洗
浄し、分液した後、４０℃で減圧ストリップを行い、表
２に示す１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−ス
ルホニル基導入ノボラック樹脂Ｃ−１を１４０ｇ得た。
アジドスルホニル基導入ノボラック樹脂の合成 遮光下で、撹拌機、滴下ロート、温度計を備えた３つ口
フラスコ中にノボラック樹脂Ａ−１（ＯＨ当量１２４．
４）１５０ｇ（１．２モル）、１，２−ナフトキノン−
２−ジアジド−５−スルホニルクロライド１９．３ｇ
（０．０７２モル）、１，４−ジオキサン７６０ｇを仕
込み、溶解した。この溶液に室温でトリエチルアミン
８．０ｇ（０．０７９モル）を滴下した。滴下終了後、
１０時間撹拌を続けた後、大量の０．１２Ｎ塩酸水溶液
に投入して析出した樹脂を回収した。回収した樹脂を６
００ｇの酢酸エチルに溶解させ、２００ｇの水で３回洗
浄し、分液した後、４０℃で減圧ストリップを行い、表
２に示す１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−ス
ルホニル基導入ノボラック樹脂Ｃ−１を１４０ｇ得た。
【００７２】また、表２に示す原料を用い、上記と同様
にして１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スル
ホニル基導入ノボラック樹脂Ｃ−２、Ｃ−３を得た。
にして１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スル
ホニル基導入ノボラック樹脂Ｃ−２、Ｃ−３を得た。
【００７３】
【表２】 ＊ ＮＱＤ基：１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−
５−スルホニル基
５−スルホニル基
【００７４】［実施例、比較例］下記式（Ｐｏｌｙｍ−
１〜３）及び上記Ａ−１で示されるベース樹脂、下記式
（ＰＡＧ−１）で示される酸発生剤、上記Ｃ−１〜３及
び下記式（Ｃ−４〜６）で示される１，２−ナフトキノ
ンジアジドスルホニル基を分子中に有する化合物、下記
式（Ｅ−１６、Ｅ−３４）で示される溶解促進剤、表
３，４に示す塩基性化合物（表中ＴＥＡはトリエタノー
ルアミンを示す）、更に界面活性剤フロラード「ＦＣ−
４３０」０．１部を表３，４に示す有機溶剤に溶解し、
均一溶液とした後、０．２μｍのメンブランフィルター
にて濾過し、レジスト溶液を調製した。
１〜３）及び上記Ａ−１で示されるベース樹脂、下記式
（ＰＡＧ−１）で示される酸発生剤、上記Ｃ−１〜３及
び下記式（Ｃ−４〜６）で示される１，２−ナフトキノ
ンジアジドスルホニル基を分子中に有する化合物、下記
式（Ｅ−１６、Ｅ−３４）で示される溶解促進剤、表
３，４に示す塩基性化合物（表中ＴＥＡはトリエタノー
ルアミンを示す）、更に界面活性剤フロラード「ＦＣ−
４３０」０．１部を表３，４に示す有機溶剤に溶解し、
均一溶液とした後、０．２μｍのメンブランフィルター
にて濾過し、レジスト溶液を調製した。
【００７５】得られたレジスト溶液をＮｉＦｅパーマロ
イ基板上にスピンコートし、ホットプレート上で１２０
℃で３００秒間のソフトベークを行い、厚さ６．０μｍ
のレジスト膜を形成した。
イ基板上にスピンコートし、ホットプレート上で１２０
℃で３００秒間のソフトベークを行い、厚さ６．０μｍ
のレジスト膜を形成した。
【００７６】次に、レチクルを介してｉ線用ステッパー
（ニコン社、ＮＳＲ１７５５ｉ７ＡＮＡ＝０．５０）を
用いて露光し、１００℃で１２０秒間のＰＥＢ（露光後
ベーク）を行った後、２．３８重量％のテトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイド水溶液で３００秒間の現
像後、純水リンス、乾燥を行い、ポジ型パターンを得
た。
（ニコン社、ＮＳＲ１７５５ｉ７ＡＮＡ＝０．５０）を
用いて露光し、１００℃で１２０秒間のＰＥＢ（露光後
ベーク）を行った後、２．３８重量％のテトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイド水溶液で３００秒間の現
像後、純水リンス、乾燥を行い、ポジ型パターンを得
た。
【００７７】得られたレジストパターンのうち３．０μ
ｍのラインアンドスペースが１：１で解像する露光量を
最適露光量（感度：Ｅop）として、この露光量におい
て、パターンのトップ部の膜減りがなく、ボトム部が分
離しているラインアンドスペースの最小線幅を解像度と
した。レジスト材料組成を表３，４に、実施例及び比較
例の評価結果を表５，６に示す。
ｍのラインアンドスペースが１：１で解像する露光量を
最適露光量（感度：Ｅop）として、この露光量におい
て、パターンのトップ部の膜減りがなく、ボトム部が分
離しているラインアンドスペースの最小線幅を解像度と
した。レジスト材料組成を表３，４に、実施例及び比較
例の評価結果を表５，６に示す。
【００７８】
【化２２】
【００７９】
【化２３】
【００８０】
【化２４】
【００８１】
【表３】 ＊＊ ＥＬ／ＢＡ（乳酸エチル／酢酸ブチル）＝８５／
１５ ＊＊＊ ＴＥＡ：トリエタノールアミン
１５ ＊＊＊ ＴＥＡ：トリエタノールアミン
【００８２】
【表４】
【００８３】
【表５】
【００８４】
【表６】
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０３ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０３Ａ 7/38 ５０１ 7/38 ５０１ ５１１ ５１１ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 平野 禎典 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 竹村 勝也 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１ 信越化学工業株式会社合成技術研究所内 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA03 AB15 AC01 AD03 BE00 BE01 BE10 BG00 CB17 CC20 FA01 FA12 2H096 AA26 BA11 DA01 EA02 FA01 4J002 AA031 BC121 CC041 DF008 EB006 EJ019 EJ039 EJ049 EN028 EN068 EN108 EN118 EP018 EQ016 EU028 EU048 EU058 EU138 EV216 EV236 EV237 EV246 EV296 GP03
Claims (7)
- 【請求項１】 （Ａ）酸不安定基で保護された酸性官能
基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物で
あって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性
となる高分子化合物、（Ｂ）酸発生剤、（Ｃ）１，２−
ナフトキノンジアジドスルホニル基を分子中に有する化
合物を含有することを特徴とする波長３００ｎｍ以上の
紫外線を露光光源とするレジスト材料。 - 【請求項２】 （Ａ）成分の高分子化合物が、下記一般
式（１）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物
のフェノール性水酸基の一部の水素原子が１種又は２種
以上の酸不安定基により部分置換され、酸不安定基が、
式（１）のフェノール性水酸基の水素原子全体の平均０
モル％を超え８０モル％以下の割合である重量平均分子
量３，０００〜３００，０００であることを特徴とする
請求項１記載のレジスト材料。 【化１】 （式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ2は炭素
数１〜８の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を示
す。また、ｘは０又は正の整数、ｙは正の整数であり、
ｘ＋ｙ≦５を満足する数である。） - 【請求項３】 （Ｂ）成分の酸発生剤が、オキシムスル
ホネート化合物であることを特徴とする請求項１又は２
記載のレジスト材料。 - 【請求項４】 更に、（Ｄ）塩基性化合物を含むことを
特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のレジス
ト材料。 - 【請求項５】 更に、（Ｅ）溶解促進剤として、フェノ
ール性水酸基を有し、かつベンゼン環の数が２〜２０個
であり、かつ、フェノール性水酸基の数とベンゼン環の
数の比率が０．５〜２．５である下記一般式（２）で示
される低核体を含むことを特徴とする請求項１乃至４の
いずれか１項記載のレジスト材料。 【化２】 （式中、Ｒ3〜Ｒ8はそれぞれ独立して水素原子、メチル
基、下記式（３）で示される基又は下記式（４）で示さ
れる基である。ｍは０〜２の整数、ｎは０〜２の整数で
あり、ｎが０の場合、ｍは１又は２である。Ａは、ｎが
０でかつｍが１の場合、水素原子、メチル基又は下記式
（３）で示される基であり、ｎが０でかつｍが２の場
合、一方がメチレン基又は下記式（５）で示される基で
他方が水素原子、メチル基又は下記式（３）で示される
基、ｎが１の場合、メチレン基又は下記式（５）で示さ
れる基である。ｎが２の場合、ｍが１のときはＡはメチ
ン基又は下記式（６）で示される基、ｍが２のときはＡ
の一方がメチレン基又は下記式（５）で示される基で他
方がメチン基又は下記式（６）で示される基である。） 【化３】 （式中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖはそれぞれ０〜３
の整数であるが、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦４、ｕ＋ｖ≦３
である。） - 【請求項６】 （ｉ）請求項１乃至５のいずれか１項に
記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、（ｉ
ｉ）次いで、加熱処理後、フォトマスクを介して、３０
０ｎｍ以上の紫外線で露光する工程と、（ｉｉｉ）必要
に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程
とを含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項７】 レジスト材料を基板に塗布して形成した
レジスト膜の膜厚が３〜５０μｍである請求項６記載の
パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001114812A JP3874074B2 (ja) | 2000-04-17 | 2001-04-13 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000115737 | 2000-04-17 | ||
| JP2000-115737 | 2000-04-17 | ||
| JP2001114812A JP3874074B2 (ja) | 2000-04-17 | 2001-04-13 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002006503A true JP2002006503A (ja) | 2002-01-09 |
| JP3874074B2 JP3874074B2 (ja) | 2007-01-31 |
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ID=26590264
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| JP2004309776A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物、厚膜ホトレジスト積層体、厚膜レジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法 |
| JP2009501352A (ja) * | 2005-07-12 | 2009-01-15 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | 厚いフィルムに像を形成するためのフォトレジスト組成物 |
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-
2001
- 2001-04-13 JP JP2001114812A patent/JP3874074B2/ja not_active Expired - Fee Related
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