JP2002004098A - 基板の製造方法及びメッキ装置 - Google Patents

基板の製造方法及びメッキ装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 卑金属からなるメッキ層の表面に生じる変色
や接合強度低下等の不具合を抑制することができる基板
の製造方法及びメッキ装置を提供すること。 【解決手段】 卑金属からなるメッキ層を備える基板１
の製造方法は、基板１をメッキ槽３３に浸漬して、卑金
属からなるメッキ層を形成するメッキ浸漬工程と、基板
１をメッキ槽３３から取り出して移動させ、基板１を洗
浄するメッキ洗浄工程とを備える。また、メッキ浸漬工
程後、メッキ洗浄工程を行う位置まで移動する期間のう
ち少なくとも一部の期間中に、基板１に冷却液を掛け
て、基板１を冷却する冷却工程とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、メッキ層を備える
基板の製造方法、及び基板のメッキ層を形成するメッキ
装置に関し、特に、卑金属からなるメッキ層を備える基
板の製造方法、及び卑金属からなるメッキ層を形成する
メッキ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、Ｎｉなど卑金属からなるメッ
キ層を備える基板が知られている。例えば、ＩＣチップ
を搭載するための配線基板では、通常、Ｃｕ等からなる
接続端子の表面に、Ｎｉメッキ層（卑金属からなるメッ
キ層）が形成され、さらにその上に酸化防止の目的でＡ
ｕメッキ層が形成されている。このような配線基板のメ
ッキ層は、次のように形成されている。即ち、Ｎｉメッ
キ層が形成される前の状態まで製造した配線基板に、メ
ッキの前処理としてＰｄ活性処理を行い、その後、配線
基板を水洗する。
【０００３】水洗後、配線基板を、Ｎｉメッキ液が貯留
されたＮｉメッキ槽に所定の時間浸漬して、配線基板の
接続端子の表面に所定の厚さのＮｉメッキ層を形成す
る。具体的には、図６に示すように、上記の水洗後、移
動機構１０３によって、配線基板１０１をＮｉメッキ槽
１１１の上方まで水平移動させる。なお、この移動機構
１０３は、多数の配線基板１０１を収納することができ
るラック１０５と、このラック１０５を上下方向に移動
させることができる上下移動機構１０７と、ラック１０
５を水平方向に移動させることができる水平移動機構１
０９とから構成されている。
【０００４】その後、Ｎｉメッキ槽１１１上に移動され
たラック１０５を、上下移動機構１０７により下降させ
て、ラック１０５（配線基板１０１）を所定の時間Ｎｉ
メッキ槽１１１に浸漬する。配線基板１０１にＮｉメッ
キ層を形成した後は、再び上下移動機構１０７によりラ
ック１０５をＮｉメッキ槽１１１から引き上げ、次に、
水平移動機構１０９により、洗浄水が貯留された洗浄槽
１１３の上方まで移動させる。その後、上下移動機構１
０７によりラック１０５を下降させ、所定の時間洗浄槽
１１３に浸漬して、配線基板１０１を洗浄する。
【０００５】洗浄後は、ラック１０５を再び引き上げ
て、次に、Ａｕメッキ液が貯留されたＡｕメッキ槽の上
方へ移動させる（図示しない）。そして、ラック１０５
を所定の時間Ａｕメッキ槽に浸漬して、配線基板１０１
のＮｉメッキ層上にＡｕメッキ層を形成する。その後、
ラック１０５をＡｕメッキ槽から引き上げ、洗浄水が貯
留された次の洗浄槽（図示しない）まで移動させ、そし
て、洗浄槽に浸漬して配線基板１０１を洗浄する。その
後、配線基板１０１を乾燥させる。このようにして、Ｎ
ｉメッキ層及びＡｕメッキ層が、配線基板１０１の接続
端子の表面に形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
製造方法では、Ｎｉメッキ槽１１１からラック１０５
（配線基板１０１）を引き上げ、次の洗浄槽１１３に浸
漬するまでの間に時間を要する。しかも、Ｎｉメッキ槽
１１１中のＮｉメッキ液は、７０℃〜９０℃位に加熱さ
れているから、Ｎｉメッキ層を形成する際に配線基板１
０１も加熱されるので、上記の移動期間中、配線基板１
０１に形成されたＮｉメッキ層が高温の状態で空気にさ
らされる。
【０００７】このため、この移動期間中に、配線基板１
０１の表面に残ったＮｉメッキ液が酸化反応を起こすな
どして、Ｎｉメッキ層の表面が黒色化したり、薄い酸化
膜ができるなどの不具合を生じることがある。このよう
な不具合が生じた配線基板１０１においては、例えば、
メッキ層が形成された接続端子にハンダバンプを形成し
たときに、Ｎｉメッキ層とハンダとの接合強度が低下し
て、その接続信頼性に劣るという問題が生じることがあ
る。
【０００８】本発明はかかる現状に鑑みてなされたもの
であって、卑金属からなるメッキ層に生じる変色や接合
強度低下等の不具合を抑制することができる基板の製造
方法、及び、卑金属からなるメッキ層に生じる変色や接
合強度低下等の不具合を抑制することができるメッキ装
置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、卑金属からなるメッキ層を備える基板の製造方
法であって、基板をメッキ槽に浸漬して、上記卑金属か
らなるメッキ層を形成するメッキ浸漬工程と、上記基板
を上記メッキ槽から取り出して移動させ、上記基板を洗
浄するメッキ洗浄工程と、上記メッキ浸漬工程後、上記
メッキ洗浄工程を行う位置まで移動する期間のうち少な
くとも一部の期間中に、上記基板に冷却液を掛けて、上
記基板を冷却する冷却工程と、を備える基板の製造方法
である。
【００１０】本発明によれば、メッキ浸漬工程を終えた
基板をメッキ槽から取り出してメッキ洗浄工程を行う位
置まで移動させる間に、基板に冷却液を掛けて冷却す
る。このような冷却工程を移動期間中に設ければ、メッ
キ槽で加熱された基板が高い温度で空気にさらされる時
間が短くなる。このため、移動期間中に、基板表面に残
ったメッキ液が酸化反応を起こすなどして、メッキ層の
表面が黒色化したり、薄い酸化膜ができるなどの不具合
が生じにくくなる。従って、メッキ層上にハンダバンプ
を形成する場合に、メッキ層とハンダとの接合強度が低
下することがなく、その接続信頼性を高くすることがで
きる。
【００１１】ここで、冷却液としては、基板を冷却する
ことができるものであればよく、水の他、メッキ液や洗
浄液等が挙げられる。また、冷却液の温度としては、基
板に残留したメッキ液の反応を抑制できる温度まで基板
の温度を下げられればよく、常温のものを用いても良い
し、冷却したもの、あるいは、メッキ層のメッキ液より
も低い温度であるが若干加温したものを用いることもで
きる。また、冷却工程は、基板がメッキ槽から次の洗浄
槽まで移動される期間中継続して行うこともできるが、
この移動期間のうち一部の期間のみ行うこともできる。
【００１２】さらに、上記の基板の製造方法であって、
前記冷却工程は、前記基板を前記メッキ槽から取り出し
つつ、上記基板に前記冷却液を掛けて冷却する基板の製
造方法とすると良い。
【００１３】本発明によれば、基板をメッキ槽から取り
出しつつ、基板に冷却液を掛けて冷却する。このように
すれば、基板がメッキ槽から取り出されるのと同時に冷
却される。このため、メッキ槽から次の洗浄槽までの移
動期間中に、基板のメッキ層が高温の状態で空気にさら
される時間を、最も短くすることができる。よって、メ
ッキ層の表面に生じる酸化等の不具合を、さらに抑制す
ることができ、さらに信頼性の高い基板を製造すること
ができる。
【００１４】さらに、上記のいずれかに記載の基板の製
造方法であって、前記冷却工程は、前記冷却液を斜め上
方へ噴射させて、落下する上記冷却液を前記基板の上方
から上記基板に掛ける基板の製造方法とすると良い。
【００１５】本発明によれば、冷却液を斜め上方へ噴射
させ、落下する冷却液を基板に掛けるようにして基板を
冷却する。このように冷却液を噴射すれば、冷却液が空
中で粒状にばらけやすいので、冷却液が均一に基板に掛
かり、均一に基板を冷却することができる。さらに、冷
却液の温度は、常温であるのが好ましい。常温の冷却液
を用いても、十分に基板を冷却することができ、酸化等
によりメッキ層に生じる不具合を抑制できるからであ
る。また、冷却液を冷却したり、あるいは加温する工程
を別途設けなくてもよいから、冷却工程に伴うコストを
安く抑えることもできるからである。
【００１６】さらに、上記のいずれかに記載の基板の製
造方法であって、前記冷却液は純水である基板の製造方
法とすると良い。
【００１７】本発明によれば、冷却液として純水を用い
る。このため、冷却液にメッキ液や洗浄液等を用いる場
合に比して、冷却液を基板に掛ける装置を簡易なものと
することができる。さらには、メッキ槽上で冷却液を掛
けて基板を冷却する場合に、基板に掛かった冷却液がメ
ッキ槽内に落ちて混入しても、純水であればメッキ液に
不具合が生じないので都合がよい。同様に、洗浄槽上で
冷却液を掛けて基板を冷却する場合に、冷却液が洗浄槽
内に入っても、純水であれば洗浄液に特に不具合を生じ
ない。また、基板に掛かった冷却液がフロアに落ちるよ
うな場合にも、その廃棄処理が比較的容易である。
【００１８】さらに、上記のいずれかに記載の基板の製
造方法であって、前記卑金属からなるメッキ層は、Ｎｉ
を主成分とするＮｉメッキ層である基板の製造方法とす
ると良い。
【００１９】本発明によれば、浸漬工程で、Ｎｉを主成
分とするＮｉメッキ層を形成する。Ｎｉメッキ層を基板
に形成する場合には、メッキ槽から洗浄槽への移動期間
中に、Ｎｉメッキ層の表面が、特に高温状態で酸化され
やすい。従って、前述したように、この移動期間中に冷
却工程を設け、基板を冷却液で冷却することにより、Ｎ
ｉメッキ層の表面に生じる酸化等の不具合を抑制する効
果が大きい。
【００２０】また、他の解決手段は、基板に卑金属から
なるメッキ層を形成するためのメッキ装置であって、メ
ッキ液を貯留するメッキ槽と、洗浄液を貯留する洗浄槽
と、上記卑金属からなるメッキ層が形成された基板を、
上記メッキ槽から取り出し、移動させ、上記洗浄槽に浸
積する移動手段と、上記メッキ槽から取り出される上記
基板に、冷却液を掛ける冷却手段と、を備えるメッキ装
置である。
【００２１】本発明によれば、メッキ装置は、メッキ
槽、洗浄槽、移動手段の他、冷却手段を備える。そし
て、この冷却手段は、卑金属からなるメッキ層が形成さ
れた基板がメッキ槽から取り出されるときに、基板に冷
却液を掛けて冷却することができる。このように基板を
取り出しつつ冷却すれば、基板がメッキ槽から洗浄槽へ
移動される期間中に、高温の状態で空気にさらされる時
間が短くなる。このため、移動期間中に、基板に残った
メッキ液が空気で酸化反応を起こすなどして、メッキ層
の表面が黒くなるなどの不具合が生じにくくなる。従っ
て、メッキ層上にハンダバンプを形成する場合に、メッ
キ層とハンダとの接合強度が低下することがなく、その
接続信頼性を高くすることができる。
【００２２】さらに、上記のメッキ装置であって、前記
冷却手段は、前記冷却液を斜め上方へ噴射し、落下する
上記冷却液を前記基板の上方から上記基板に掛けるメッ
キ装置とすると良い。
【００２３】本発明によれば、冷却手段は、冷却液を斜
め上方へ噴射させ、落下する冷却液を基板に掛けるよう
にして基板を冷却することができる。従って、噴射され
た冷却液が空中で粒状にばらけやすくなるので、冷却液
を均一に基板に掛けることができ、均一に基板を冷却す
ることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】（実施形態）以下、本発明の実施
の形態を、図面を参照しつつ説明する。本実施形態のメ
ッキ装置１１について、図１に酸性脱脂槽２１から第６
洗浄槽３１までを示す説明図を、図２にＮｉメッキ槽３
３から第１０洗浄槽３９までを示す説明図を示す。ま
た、図３にＮｉメッキ槽３３及び第７洗浄槽３４付近を
示す説明図を示す。このメッキ装置１１は、配線基板１
を移動させる移動機構（移動手段）１３を備える。そし
て、この移動機構１３は、多数の配線基板１を収納可能
なラック１５と、ラック１５を水平方向に移動させるこ
とができる水平移動機構１７と、ラック１５を上下方向
に移動させることができる上下移動機構１９とから構成
されている。
【００２５】また、メッキ装置１１は、図１に示すよう
に、配線基板１に酸性脱脂を行い、配線基板１に付いた
汚れを取り除くための酸性脱脂槽２１と、酸性脱脂後、
配線基板１に付いた酸を洗浄するための第１洗浄槽２２
及び第２洗浄槽２３とを備える。また、配線基板１を硫
酸洗浄するための硫酸槽２５と、硫酸洗浄後、配線基板
１に付いた硫酸を洗浄するための第３洗浄槽２６及び第
４洗浄槽２７を備える。また、配線基板１にメッキの前
処理としてＰｄ活性処理を行うためのＰｄ活性処理槽２
９と、Ｐｄ活性処理後の配線基板１を洗浄するための第
５洗浄槽３０及び第６洗浄槽３１とを備える。
【００２６】さらに、メッキ装置１１は、図２に示すよ
うに、配線基板１にＮｉ−ＰからなるＮｉメッキ層を形
成するためのＮｉメッキ槽３３と、Ｎｉメッキ後の配線
基板１に付いたＮｉメッキ液を洗浄するための第７洗浄
槽３４及び第８洗浄槽３５とを備える。また、配線基板
１のＮｉメッキ層上にＡｕメッキ層を形成するためのＡ
ｕメッキ槽３７と、Ａｕメッキ後の配線基板１に付いた
メッキ液を洗浄するための第９洗浄槽３８及び第１０洗
浄槽３９とを備える。
【００２７】これらの槽のうち、Ｎｉメッキ槽３３に
は、図２及び図３に示すように、冷却機構（冷却手段）
４１が取り付けられている。この冷却機構４１は、冷却
液である常温の純水を斜め上方（本実施形態では水平面
に対して約８５度上方）へ、噴水状に噴射させることが
できる複数の噴射口４４を有する２本の噴射管４３を備
えている。これらの噴射管４３は、ラック１５の移動方
向と平行に、Ｎｉメッキ槽３３の上部周縁付近に取り付
けられている。また、冷却機構４１は、冷却液を略水平
方向へ霧状に噴射させることができる噴射ノズル４５を
複数備えている。これらの噴射ノズル４５は、Ｎｉメッ
キ槽３３の上部周縁のうち、ラック１５の移動方向に垂
直な辺に沿って、取り付けられている。
【００２８】なお、本実施形態では、薬液等で配線基板
１を処理した直後の洗浄槽である第１，第３，第５，第
７及び第９洗浄槽２２，２６，３０，３４，３８には、
洗浄液として水が貯留されている。一方、これらの洗浄
槽の直後にある第２，第４，第６，第８及び第１０洗浄
槽２３，２７，３１，３５，３９には、洗浄液として純
水が貯留されている。また、洗浄槽のうち、第８洗浄槽
３５及び第１０洗浄槽３９以外の洗浄槽に貯留された洗
浄液は常温であるが、第８洗浄槽３５及び第１０洗浄槽
３９に貯留された洗浄液は加温されている。
【００２９】次いで、このメッキ装置１１を用いて配線
基板１の製造する方法について、図を参照しつつ説明す
る。まず、Ｎｉメッキ層が形成される前の状態まで配線
基板１を製造する。本実施形態の配線基板１は、主面と
裏面とを有する略板形状をなしている。そして、主面に
は、ＩＣチップを搭載するためＩＣチップの接続端子に
対応した位置に形成された、Ｃｕからなる主面側接続端
子が露出している。一方、裏面には、この配線基板１を
接続するマザーボードの接続端子に対応した位置に形成
された、Ｃｕからなる裏面側接続端子が露出している。
この配線基板１は、公知の手法により、樹脂絶縁層と導
体層とを交互に積層して形成したものである。
【００３０】次に、所定数の配線基板１を、移動機構１
３のラック１５にセットする。そして、図４及び図５の
フローチャートに示す手順したがって、配線基板１の主
面側接続端子及び裏面側接続端子の表面に、Ｎｉメッキ
層をそれぞれ形成し、さらにそれらの表面にＡｕメッキ
層をそれぞれ形成する。所定数の配線基板１をラック１
５にセットし、ステップＳ１において、酸性脱脂処理を
行い、配線基板１に付着した油分等の汚れを除去する。
具体的には、図１に示すように、移動機構１３の水平移
動機構１９により、配線基板１がセットされたラック１
５を酸性脱脂槽２１の上方まで水平方向に移動させる。
そして、移動機構１３の上下移動機構１７によりラック
１５を下降させて、酸性脱脂槽２１に浸漬し、酸性脱脂
処理を行う。その後、上下移動機構１７によりラック１
５を酸性脱脂槽２１から引き上げ、水平移動機構１９に
より次槽である第１洗浄槽２２の上方まで水平移動させ
る。
【００３１】次に、ステップＳ２において、前工程で配
線基板１に付いた酸性脱脂液を洗浄し、さらに、ステッ
プＳ３で配線基板１を再洗浄する。即ち、上下移動機構
１７によりラック１５を下降させて、第１洗浄槽２２に
浸漬して洗浄する。さらに、上下移動機構１７によりラ
ック１５を第１洗浄槽２２から引き上げ、水平移動機構
１９により第２洗浄槽２３の上方まで水平移動させる。
そして、上下移動機構１７によりラック１５を下降させ
て、第２洗浄槽２３に浸漬して洗浄する。その後、上下
移動機構１７によりラック１５を第２洗浄槽２３から引
き上げ、水平移動機構１９により次槽である硫酸槽２５
の上方まで移動させる。
【００３２】次に、ステップＳ４に進み、配線基板１を
硫酸で処理し、主面側端子及び裏面側端子のＣｕ表面の
酸化膜を除去する。これにより、後述するステップＳ７
で、Ｐｄの付与を均一に行うことができる。即ち、上下
移動機構１７によりラック１５を下降させて、硫酸槽２
５に浸漬する。その後、上下移動機構１７によりラック
１５を硫酸槽２５から引き上げ、水平移動機構１９によ
り第３洗浄槽２６の上方まで移動させる。
【００３３】次に、ステップＳ５において、前工程で配
線基板１に付いた硫酸を洗浄し、さらに、ステップＳ６
で配線基板１を再洗浄する。即ち、上下移動機構１７に
よりラック１５を下降させて、第３洗浄槽２６に浸漬し
て洗浄する。さらに、上下移動機構１７によりラック１
５を第３洗浄槽２６から引き上げ、水平移動機構１９に
より第４洗浄槽２７の上方まで水平移動させる。そし
て、再び上下移動機構１７によりラック１５を下降させ
て、第４洗浄槽２７に浸漬して洗浄する。その後、上下
移動機構１７によりラック１５を第４洗浄槽２７から引
き上げ、水平移動機構１９により次槽であるＰｄ活性処
理槽２９の上方まで移動させる。
【００３４】次に、ステップＳ７に進み、メッキの前処
理として、後述するＮｉメッキ層を形成するための核と
なるＰｄを、配線基板１の主面側接続端子及び裏面側接
続端子の表面に付着させる。具体的には、上下移動機構
１７によりラック１５を下降させ、Ｐｄ活性液に浸漬し
てＰｄ活性処理を行う。その後、上下移動機構１７によ
りラック１５をＰｄ活性処理槽２９から引き上げ、水平
移動機構１９により第５洗浄槽３０の上方まで移動させ
る。
【００３５】次に、ステップＳ８において、前工程のＰ
ｄ活性液を配線基板１から取り除き、さらに、ステップ
Ｓ９において、配線基板１を再洗浄する。即ち、上下移
動機構１７によりラック１５を下降させて、第５洗浄槽
３０に浸漬して洗浄する。さらに、上下移動機構１７に
よりラック１５を第５洗浄槽３０から引き上げ、水平移
動機構１９により第６洗浄槽３１の上方まで移動させ
る。そして、上下移動機構１７によりラック１５を下降
させて、第６洗浄槽３１に浸漬して洗浄する。その後、
上下移動機構１７によりラック１５を第６洗浄槽３１か
ら引き上げ、水平移動機構１９により、次槽であるＮｉ
メッキ槽３３の上方まで移動させる。
【００３６】次に、ステップＳ１０に進み、配線基板１
の主面側接続端子及び裏面側接続端子の表面に、Ｎｉ−
Ｐからなる所定の厚さのＮｉメッキ層を形成する。この
ステップＳ１０のサブルーチンを、図５のフローチャー
トに示す。ステップＳ１０１において、上下移動機構１
９によりラック１５を下降させて、Ｎｉ−Ｐのメッキ液
に所定の時間浸漬する。ラック１５がＮｉメッキ槽３３
に浸漬したところで、ステップＳ１０２において、メッ
キ時間のタイマをセットし、所定のメッキ時間をカウン
トする。そして、ステップＳ１０３において、所定のメ
ッキ時間が経過するのを待ち、経過後は、ステップＳ１
０４に進む。ステップＳ１０４では、シャワー時間のタ
イマをセットし、次に、ステップＳ１０５において、冷
却機構４１の噴射孔４４及び噴射ノズル４５からそれぞ
れ冷却液を噴射させる。
【００３７】その後、ステップＳ１０６において、上下
移動機構１７によりラック１５をＮｉメッキ層３３から
引き上げる。これにより、上昇する配線基板１に冷却液
が掛かるので、配線基板１が冷却される。ステップＳ１
０７で、ラック１５の引き上げが完了したら、次のステ
ップＳ１０８において、水平移動機構１９によりラック
１５を次槽である第７洗浄槽３４へ移動させる。また、
ステップＳ１０９において、所定のシャワー時間が経過
したか否かを判断し、経過したときは、ステップＳ１０
Ａに進み、冷却機構４１からの冷却液の噴射を終了す
る。その後、このステップＳ１０のサブルーチンを抜け
てメインルーチンに戻る。
【００３８】従来は、上述のように冷却することなく、
Ｎｉメッキ槽３３で加熱された配線基板１を、高温のま
まの状態で空気中を第７洗浄槽３４まで移動させてい
た。このため、この移動期間中に、配線基板１に付いた
メッキ液が酸化するなどして、Ｎｉメッキ層の表面が黒
色化したり、薄い酸化膜ができるなどの不具合を生じる
ことがあった。しかし、本実施形態では、配線基板１を
Ｎｉメッキ槽３３から取り出して第７洗浄槽３４まで移
動させる期間に、冷却液を掛けて冷却している。このた
め、Ｎｉメッキ槽３３で加熱された配線基板１が高い温
度で空気にさらされる時間が短くなるので、上記の不具
合を抑制することができる。さらに、配線基板１をＮｉ
メッキ槽３３から取り出すと同時に、冷却液を掛けて冷
却しているので、高温の状態で配線基板１が空気に触れ
る時間が最も短くなる。従って、上記の不具合を最も抑
制することができる。
【００３９】さらに、本実施形態では、図３に示すよう
に、噴射管４３の噴射孔４４については、冷却液を斜め
上方へ噴射させて、落下する冷却液を配線基板１に掛け
ている。このため、冷却液が空中で粒状にばらけやすい
ので、冷却液が均一に配線基板１に掛かり、均一に配線
基板１を冷却することができる。また、冷却液として、
常温のものを使用しているので、冷却液を加温したり、
あるいは冷却したりする工程を別途設ける必要がなく、
冷却工程に伴うコストを安価に抑えることができる。
【００４０】また、本実施形態では、冷却液として純水
を用いているので、冷却液にＮｉメッキ液や洗浄液を用
いる場合に比べると、冷却液を配線基板１に掛ける装置
等を簡易なものとすることができる。さらには、配線基
板１に掛けた冷却液は、そのままＮｉメッキ槽３３に落
ち、メッキ液と混ざるが、純水を噴射しているので、メ
ッキ液に特に不具合が生じない。また、本実施形態で
は、Ｎｉを主成分とするＮｉ−Ｐのメッキ層を形成して
いる。Ｎｉを主成分とするＮｉメッキ層は、Ｎｉメッキ
槽３３から第７洗浄槽３４への移動期間中に、特に高温
状態で酸化されやすい。従って、上記のように、この移
動期間中に冷却工程を設けることにより、Ｎｉメッキ層
の表面に生じる酸化等の不具合を抑制する効果が大きく
なる。
【００４１】なお、噴射された冷却液（純水）は、Ｎｉ
メッキ槽３３内へ落ちて混入する。このため、メッキ液
の濃度が薄くなることになるが、本実施形態では、メッ
キ液の濃度が所定値を下回ったときには、新たにメッキ
液を注入してその濃度が一定の値となるように管理して
いる。また、メッキ液の液温についても、冷却液の混入
により、温度が所定値を下回ったときには、加熱してそ
の温度が一定となるように管理している。また、噴射さ
れた冷却水がＮｉメッキ槽３３内に貯まることによっ
て、メッキ液の水位が上昇することになるが、本実施形
態では、Ｎｉメッキ槽３３に排水口（図示しない）を設
け、水位が所定値を上回ったときには、この排水口から
余分なメッキ液が排出される構造となっている。このた
め、メッキ液の水位を一定に保つことができる。
【００４２】次に、図４に戻り、ステップＳ１１におい
て、配線基板１に残ったメッキ液を洗浄し、さらに、ス
テップＳ１２において、配線基板１を再洗浄する。即
ち、第７洗浄槽３４の上方まで水平移動されたラック１
５を、上下移動機構１７により第７洗浄槽３４に浸漬す
る。その後、上下移動機構１７によりラック１５を上昇
させ、水平移動機構１９により第８洗浄槽３５の上方ま
で移動させる。そして、上下移動機構１７によりラック
１５を下降させて、第８洗浄槽３５に浸漬して配線基板
１を洗浄する。その後、上下移動機構１７によりラック
１５を上昇させ、水平移動機構１９により次槽であるＡ
ｕメッキ槽３７の上方まで移動させる。
【００４３】次に、ステップＳ１３に進み、主面側接続
端子及び裏面側接続端子のＮｉメッキ層上に、所定の厚
さのＡｕメッキ層をそれぞれ形成する。即ち、上下移動
機構１７によりラック１５を下降させて、Ａｕメッキ液
に所定時間浸漬し、Ａｕメッキ層を形成する。その後、
上下移動機構１７によりラック１５をＡｕメッキ槽３７
から引き上げ、水平移動機構１９により第９洗浄槽３８
の上方まで移動させる。
【００４４】次に、ステップＳ１４において、配線基板
１に残ったＡｕメッキ液を取り除き、さらに、ステップ
Ｓ１５において、配線基板１を再洗浄する。即ち、上下
移動機構１７によりラック１５を下降させて、第９洗浄
槽３８に浸漬する。さらに、上下移動機構１７によりラ
ック１５を第９洗浄槽３８から引き上げ、水平移動機構
１９により第１０洗浄槽３９の上方まで移動させる。そ
して、上下移動機構１７によりラック１５を下降させ
て、第１０洗浄槽３９に浸漬して洗浄する。その後、上
下移動機構１７によりラック１５を第１０洗浄槽３９か
ら引き上げ、水平移動機構１９により移動させる。な
お、Ａｕメッキ槽３７から第９洗浄槽３８までの移動期
間中には、前述したような冷却工程を行わない。貴金属
であるＡｕメッキは、卑金属と異なり、化学的変化を受
けにくく、配線基板１が加熱された状態で移動されて
も、Ａｕメッキ層の表面は酸化等されにくい。従って、
前述のような冷却工程を別途設けることを要しないから
である。
【００４５】次に、ステップＳ１６に進み、配線基板１
を乾燥させれば、配線基板１が完成する。この配線基板
１は、Ｎｉメッキ層の表面（Ｎｉメッキ層とＡｕメッキ
層との間）が黒色化することがなく、酸化膜も存在しな
い。このため、主面側接続端子及び裏面側接続端子にハ
ンダバンプを形成しても、これらの端子表面のＮｉメッ
キ層とハンダとの接続信頼性が高い。
【００４６】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適
用できることはいうまでもない。例えば、上記実施形態
では、Ｎｉメッキ槽３３から第７洗浄槽３４までの移動
期間中のうち、Ｎｉメッキ槽３３からラック１５を引き
上げる期間中にだけ、冷却液を掛けて配線基板１を冷却
している。
【００４７】しかし、Ｎｉメッキ槽３３から第７洗浄槽
３４までの移動期間中、継続して冷却液を掛けるように
してもよい。但し、このようにすると、冷却液の一部が
フロアへ落ちるので、上記実施形態のように、Ｎｉメッ
キ槽３３からラック１５を引き上げる期間中にだけ、冷
却液を掛けるようにするが好ましい。また、Ｎｉメッキ
の表面に起こる酸化反応を止める程度に冷却すれば十分
であることから、ラック１５を引き上げる期間中にだけ
冷却液を掛けるのが、冷却液の使用量を節約する点でも
好ましい。
【００４８】また、Ｎｉメッキ槽３３から第７洗浄槽３
４までの移動期間のうち、第７洗浄槽３４上までラック
１５が水平移動されてから第７洗浄槽３４に浸漬する期
間に、冷却液を掛けることもできる。このようにすれ
ば、冷却液がＮｉメッキ槽３３に入って、メッキ液が希
釈されるという問題を考慮する必要がない点で好まし
い。しかし、この方法では、Ｎｉメッキ槽３３から第７
洗浄槽３４の上方まで移動される期間中、加熱された配
線基板１が空気に触れて、Ｎｉメッキ層の表面が酸化さ
れやすい。従って、上記実施形態のように、ラック１５
がＮｉメッキ液から取り出されると同時に冷却するの
が、Ｎｉメッキ層の酸化防止という点では最適である。
【００４９】なお、上記実施形態では、樹脂絶縁層と導
体層とが多数積層された多層樹脂製配線基板の製造方法
について説明したが、セラミック製の基板等も含め、Ｎ
ｉメッキ層を形成する基板であれば、いずれの基板にお
いても本発明を適用できることは言うまでもない。さら
に、本発明では、卑金属からなるメッキ層として、Ｎｉ
−ＰからなるＮｉメッキ層について示したが、Ｎｉ−Ｐ
以外の卑金属メッキ（例えば、Ｎｉ−Ｂメッキなど）で
あっても、メッキ槽から次の洗浄槽への移動期間中に高
温状態で酸化されやすいので、本発明を適用することに
より、同様な効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態に係るメッキ装置のうち、酸性脱脂槽
から第６洗浄槽までを示す説明図である。
【図２】実施形態に係るメッキ装置のうち、Ｎｉメッキ
槽から第１０洗浄槽までを示す説明図である。
【図３】実施形態に係るメッキ装置のうちＮｉメッキ槽
及び第７洗浄槽の周辺を示す説明図である。
【図４】実施形態に係る基板の製造方法のうち、Ｎｉ−
Ｐメッキ層及びＡｕメッキ層を形成する工程を示すフロ
ーチャートである。
【図５】実施形態に係る基板の製造方法のうち、Ｎｉメ
ッキ層を形成する工程等を示すフローチャートである。
【図６】従来技術に係るメッキ装置のうちＮｉメッキ槽
及び洗浄槽の周辺を示す説明図である。
【符号の説明】
１ 配線基板（基板） １１ メッキ装置 １３ 移動機構（移動手段） １５ ラック １７ 上下移動機構 １９ 水平移動機構 ３３ Ｎｉメッキ槽 ３４ 第７洗浄槽 ３７ Ａｕメッキ槽 ３８ 第９洗浄槽 ４１ 冷却機構（冷却手段） ４３ 噴射管 ４４ 噴射孔 ４５ 噴射ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｎ (72)発明者 佐藤 和久 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 (72)発明者 橋本 浩幸 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 (72)発明者 土井 靖夫 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 Ｆターム(参考） 4K024 AA03 AA11 AB01 BA09 BB11 BB13 CB03 CB19 CB20 DA06 DB10 GA02 GA16 5E343 AA01 AA11 BB44 BB71 DD43 DD44 FF16 GG01

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】卑金属からなるメッキ層を備える基板の製
    造方法であって、 基板をメッキ槽に浸漬して、上記卑金属からなるメッキ
    層を形成するメッキ浸漬工程と、 上記基板を上記メッキ槽から取り出して移動させ、上記
    基板を洗浄するメッキ洗浄工程と、 上記メッキ浸漬工程後、上記メッキ洗浄工程を行う位置
    まで移動する期間のうち少なくとも一部の期間中に、上
    記基板に冷却液を掛けて、上記基板を冷却する冷却工程
    と、を備える基板の製造方法。
  2. 【請求項２】請求項１に記載の基板の製造方法であっ
    て、 前記冷却工程は、前記基板を前記メッキ槽から取り出し
    つつ、上記基板に前記冷却液を掛けて冷却する基板の製
    造方法。
  3. 【請求項３】請求項２に記載の基板の製造方法であっ
    て、 前記冷却工程は、前記冷却液を斜め上方へ噴射させて、
    落下する上記冷却液を前記基板の上方から上記基板に掛
    ける基板の製造方法。
  4. 【請求項４】請求項１〜請求項３に記載の基板の製造方
    法であって、 前記冷却液は純水である基板の製造方法。
  5. 【請求項５】請求項１〜請求項４に記載の基板の製造方
    法であって、 前記卑金属からなるメッキ層は、Ｎｉを主成分とするＮ
    ｉメッキ層である基板の製造方法。
  6. 【請求項６】基板に卑金属からなるメッキ層を形成する
    ためのメッキ装置であって、 メッキ液を貯留するメッキ槽と、 洗浄液を貯留する洗浄槽と、 上記卑金属からなるメッキ層が形成された基板を、上記
    メッキ槽から取り出し、移動させ、上記洗浄槽に浸積す
    る移動手段と、 上記メッキ槽から取り出される上記基板に、冷却液を掛
    ける冷却手段と、を備えるメッキ装置。
  7. 【請求項７】請求項６に記載のメッキ装置であって、 前記冷却手段は、前記冷却液を斜め上方へ噴射し、落下
    する上記冷却液を前記基板の上方から上記基板に掛ける
    メッキ装置。
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