CN116053187A - 一种半导体加工用全自动镀镍装置 - Google Patents
一种半导体加工用全自动镀镍装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116053187A CN116053187A CN202211164743.3A CN202211164743A CN116053187A CN 116053187 A CN116053187 A CN 116053187A CN 202211164743 A CN202211164743 A CN 202211164743A CN 116053187 A CN116053187 A CN 116053187A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- frame
- gear
- output end
- nickel plating
- clamping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 80
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 40
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 29
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 9
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 230000007306 turnover Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 5
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000861 blow drying Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- LCFKXCNZLIBDOX-UHFFFAOYSA-L dihydrogen phosphate;nickel(2+) Chemical compound [Ni+2].OP(O)([O-])=O.OP(O)([O-])=O LCFKXCNZLIBDOX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- -1 etc. Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
- C25D5/50—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Robotics (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及基片镀镍设备领域，具体是涉及一种半导体加工用全自动镀镍装置，为了解决没有半导体基片镀镍清洗和干燥的自动加工设备，无法全面的对经过镀镍后的半导体基片进行清洗，以及对清洗后的半导体基板进行干燥处理，包括用于对基片进行固定的夹持机构；以及用于驱动基片进行摆动的摆动机构；以及用于对基片进行烘干干燥机构；以及用于放置水滴四溅的防溅包围机构；以及用于驱动夹持机构水平移动的物料移送机构；以及用于驱动夹持机构纵向移动的纵向驱动机构，本申请通过夹持机构、摆动机构、干燥机构、防溅包围机构、物料移送机构和纵向驱动机构的设置，实现了对半导体基片镀镍层清洗和干燥目的，使得加工流程集中化，提高了设备的实用性。
Description
技术领域
本发明涉及基片镀镍设备领域，具体是涉及一种半导体加工用全自动镀镍装置。
背景技术
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。
无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。
常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。
中国专利：CN201610619120.9公开了一种半导体基片预镀镍的镀铑工艺，一种半导体基片预镀镍的镀铑工艺，用于钼质量分数大于99.9％的半导体基片电镀铑，包括半导体基片预处理和电镀铑的步骤，在半导体基片预处理和电镀铑步骤之间还依次设置有预镀镍、镀镍清洗、吹干的过程：所述预镀镍是指：将预处理后的半导体基片在20-40℃去离子水中浸泡1-3分钟，然后放入预镀镍溶液中进行以电流密度10-30A/dm2进行2-10min的电镀镍；所述预镀镍溶液主要由以下成分按重量配比为，氯化镍40-80g/L，磷酸二氢镍50-200g/L，缓蚀剂2-10g/L，并通过磷酸或盐酸调节pH值至4.0-5.0。本发明的镀铑层与半导体基片结合良好。
目前还没有用于此专利中半导体基片镀镍清洗和干燥的自动加工设备，无法全面的对经过镀镍后的半导体基片进行清洗，以及对清洗后的半导体基板进行干燥处理，所以需要提出一种半导体加工用全自动镀镍装置，对以上提出的问题进行解决。
发明内容
为解决上述技术问题。
本申请提供了一种半导体加工用全自动镀镍装置，包括用于对基片进行固定的夹持机构；以及用于驱动基片进行摆动的摆动机构，摆动机构设置于夹持机构上；以及用于对基片进行烘干干燥机构，干燥机构设置于夹持机构上；以及用于放置水滴四溅的防溅包围机构，防溅包围机构设置于夹持机构上；以及用于驱动夹持机构水平移动的物料移送机构，物料移送机构设置于清洗池上方；以及用于驱动夹持机构纵向移动的纵向驱动机构，纵向驱动机构设置于物料移送机构的输出端，夹持机构设置于纵向驱动机构的输出端。
优选的，夹持机构包括机架，机架设置于纵向驱动机构的输出端并与其固定连接；以及多个夹紧组件，多个夹紧组件排列设置于机架上；夹紧组件包括宽阔手指气缸，宽阔手指气缸设置于机架上；以及第一夹头和第二夹头，第一夹头和第二夹头分别设置于宽阔手指气缸的两个输出端。
优选的，摆动机构包括滑动板，滑动板设置于机架的顶部并与其滑动连接，多个夹紧组件排列设置于滑动板上；以及第一伺服电机，第一伺服电机设置于机架上并与其固定连接；以及连动组件，连动组件的两端分别与第一伺服电机的输出端和滑动板的受力端连接。
优选的，连动组件包括第一齿轮，第一齿轮设置于第一伺服电机的输出端；以及第二齿轮和短杆，第二齿轮设置于短杆的受力端，第二伺服电机的受力端与机架可转动连接，第二齿轮与第一齿轮啮合；以及长杆，长杆的受力端与短杆铰接，长杆的输出端与滑动板铰接。
优选的，干燥机构包括多个喷气头，多个喷气头排列设置于机架上；以及连通管，连通管的一端与多个喷气头连接；以及风源组件，风源组件设置于机架上，连通管的另一端与风源组件的输出端连接。
优选的，风源组件包括风管，风管设置于机架上并与其固定连接，风管的一端与连通管的输入端连接，风管的另一端设有镂空板；以及加热丝，加热丝设置于风管的内部；以及第二伺服电机，设置于风管的镂空板上；以及扇叶，扇叶位于风管的内部，并且扇叶与第二伺服电机的输出端固定连接。
优选的，防溅包围机构包括主体罩，主体罩半包围机架并与其滑动连接；以及侧边板，侧边板设置于机架的底部并与其铰接，并且侧边板位于主体罩开口方向；以及第一气缸，第一气缸设置于机架上，并且第一气缸的输出端与主体罩连接；以及翻转连动组件，翻转连动组件的两端分别与主体罩和侧边板的铰接处连接。
优选的，翻转连动组件包括第三齿轮和第四齿轮，第三齿轮和第四齿轮均设置于机架上并与其可转动连接，第三齿轮和第四齿轮互相啮合，主体罩上设有齿条，齿条与第三齿轮啮合；以及连动杆，连动杆的受力端与第四齿轮连接；以及第一皮带轮，第一皮带轮设置于连动杆的输出端；以及第二皮带轮，第二皮带轮设置于侧边板的铰接处，第一皮带轮与第二皮带轮之间通过皮带传动连接。
优选的，物料移送机构包括滑动架；以及第一同步轮和第二同步轮，第一同步轮和第二同步轮分别设置于滑动架的两端并与其可转动连接，第一同步轮和第二同步轮之间同步带传动连接；以及工作块，工作块的受力端与同步带连接，并且工作块与滑动架滑动连接，纵向驱动机构的非工作部与工作块连接；以及第三伺服电机，第三伺服电机设置于滑动架上，第三伺服电机的输出端与第一同步轮连接。
优选的，纵向驱动机构包括气缸架，气缸架设置于物料移送机构的输出端并与其固定连接，气缸架上设有导向筒；以及第二气缸，设置于气缸架上并与其固定连接；以及推动板，设置于第二气缸的输出端，推动板上设有导向杆，导向杆与导向筒滑动连接，夹持机构设置于推动板的底部。
本发明与现有技术相比具有的有益效果是：
1.本申请通过夹持机构、摆动机构、干燥机构、防溅包围机构、物料移送机构和纵向驱动机构的设置，实现了对半导体基片镀镍层清洗和干燥目的，使得加工流程集中化，提高了设备的实用性。
2.本申请通过夹持机构和摆动机构的设置，可以对半导体基片进行固定并匀速摆动，辅助基片进行充分清洗。
3.本申请通过干燥机构和防溅包围机构的设置，可以对清洗后的半导体基片进行快速烘干处理，并且避免在烘干的过程中出现水滴四溅的情况。
附图说明
图1为本发明的立体结构示意图一；
图2为本发明的主视图；
图3为本发明的夹持机构、摆动机构、干燥机构和防溅包围机构的立体结构示意图一；
图4为本发明的夹持机构、摆动机构、干燥机构和防溅包围机构的立体结构示意图二；
图5为本发明的夹持机构、摆动机构和干燥机构的立体结构示意图一；
图6为本发明的夹持机构、摆动机构和干燥机构的侧视图；
图7为本发明的夹持机构、摆动机构和干燥机构的主视图；
图8为本发明的夹持机构、摆动机构和干燥机构的俯视图；
图9为本发明的夹持机构、摆动机构和干燥机构的立体结构示意图二；
图10为本发明的风源组件的侧视图；
图11为图10的A-A方向剖视图；
图12为本发明的夹持机构、摆动机构、干燥机构和防溅包围机构的立体结构示意图三；
图13为图12的B处放大图；
图14为本发明的物料移送机构的立体结构示意图；
图15为本发明的侧视图。
图中标号为：
1、夹持机构；1a、机架；1b、夹紧组件；1b1、宽阔手指气缸；1b2、第一夹头；1b3、第二夹头；
2、摆动机构；2a、滑动板；2b、第一伺服电机；2c、连动组件；2c1、第一齿轮；2c2、第二齿轮；2c3、短杆；2c4、长杆；
3、干燥机构；3a、喷气头；3b、连通管；3c、风源组件；3c1、风管；3c2、加热丝；3c3、第二伺服电机；3c4、扇叶；
4、防溅包围机构；4a、主体罩；4a1、齿条；4b、侧边板；4c、第一气缸；4d、翻转连动组件；4d1、第三齿轮；4d2、第四齿轮；4d3、连动杆；4d4、第一皮带轮；4d5、第二皮带轮；
5、物料移送机构；5a、滑动架；5b、第一同步轮；5c、第二同步轮；5d、工作块；5e、第三伺服电机；
6、纵向驱动机构；6a、气缸架；6a1、导向筒；6b、第二气缸；6c、推动板；6c1、导向杆；
7、基片。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。
如图1、图2、图3和图4所示，提供以下优选技术方案：
一种半导体加工用全自动镀镍装置，包括用于对基片进行固定的夹持机构1；以及用于驱动基片进行摆动的摆动机构2，摆动机构2设置于夹持机构1上；以及用于对基片进行烘干干燥机构3，干燥机构3设置于夹持机构1上；以及用于放置水滴四溅的防溅包围机构4，防溅包围机构4设置于夹持机构1上；以及用于驱动夹持机构1水平移动的物料移送机构5，物料移送机构5设置于清洗池上方；以及用于驱动夹持机构1纵向移动的纵向驱动机构6，纵向驱动机构6设置于物料移送机构5的输出端，夹持机构1设置于纵向驱动机构6的输出端。
具体的，为了解决对基片清洗和干燥的技术问题，首先多块基片均事先安装于夹持机构1的输出端，清洗池排列设置了三个，第一个清洗池盛放七十至八十度去离子水，第二和第三个清洗池均盛放室温去离子水，物料移送机构5开始工作，物料移送机构5的输出端驱动纵向驱动机构6移动至第一个清洗池的上方，纵向驱动机构6带动夹持机构1随其移动至第一个清洗池的正上方，纵向驱动机构6开始工作，纵向驱动机构6的输出端驱动夹持机构1进行下降，夹持机构1带动基片进行下降至第一个清洗池的内部，经过预镀镍的半导体基片浸入七十至八十温度间的去离子水中，在基片浸泡的过程中摆动机构2开始工作，摆动机构2的输出端驱动多个基片进行小幅度匀速摆动，摆动时长为0.5-2min，然后纵向驱动机构6再次开始工作，纵向驱动机构6的输出端带动夹持机构1上升离开第一个清洗池，接下来重复以上工作流程将基片依次浸入第二和第三个清洗池进行浸泡和摆动清洗，当多块基片从第三个清洗池取出后，防溅包围机构4开始工作，防溅包围机构4的输出端将多块基片的四周包围，然后干燥机构3开始工作，干燥机构3的输出端对多块基片进行100-200℃热风吹干，直至镀镍层无水渍残留，即完成整个基片镀镍层清洗和干燥处理。
如图5和图6所示，提供以下优选技术方案：
夹持机构1包括机架1a，机架1a设置于纵向驱动机构6的输出端并与其固定连接；以及多个夹紧组件1b，多个夹紧组件1b排列设置于机架1a上；夹紧组件1b包括宽阔手指气缸1b1，宽阔手指气缸1b1设置于机架1a上；以及第一夹头1b2和第二夹头1b3，第一夹头1b2和第二夹头1b3分别设置于宽阔手指气缸1b1的两个输出端。
具体的，为了解决多块半导体基片固定的技术问题，工作人员将多块基片放置于多个夹紧组件1b的输出端，宽阔手指气缸1b1的两个输出端带动第一夹头1b2和第二夹头1b3互相靠近，通过第一夹头1b2和第二夹头1b3将基片的两侧卡紧，机架1a用于固定支撑。
如图5所示，提供以下优选技术方案：
摆动机构2包括滑动板2a，滑动板2a设置于机架1a的顶部并与其滑动连接，多个夹紧组件1b排列设置于滑动板2a上；以及第一伺服电机2b，第一伺服电机2b设置于机架1a上并与其固定连接；以及连动组件2c，连动组件2c的两端分别与第一伺服电机2b的输出端和滑动板2a的受力端连接。
具体的，为了解决基片镀镍层充分通过去离子水清洗的技术问题，摆动机构2开始工作，第一伺服电机2b的输出端通过连动组件2c带动滑动板2a匀速反复横移，滑动板2a通过多个夹紧组件1b带动多块基片随其进行移动，通过多块基片在去离子水中的不断摆动对镀镍层进行清洗。
如图7和图8所示，提供以下优选技术方案：
连动组件2c包括第一齿轮2c1，第一齿轮2c1设置于第一伺服电机2b的输出端；以及第二齿轮2c2和短杆2c3，第二齿轮2c2设置于短杆2c3的受力端，第二伺服电机3c3的受力端与机架1a可转动连接，第二齿轮2c2与第一齿轮2c1啮合；以及长杆2c4，长杆2c4的受力端与短杆2c3铰接，长杆2c4的输出端与滑动板2a铰接。
具体的，为了解决驱动滑动板2a匀速往复移动的技术问题，摆动机构2开始工作，第一伺服电机2b的输出端通过第一齿轮2c1转动，第一齿轮2c1带动第二齿轮2c2进行转动，第二齿轮2c2带动短杆2c3随其转动，短杆2c3通过长杆2c4不断推拉滑动板2a，使得滑动板2a匀速反复横移，滑动板2a通过多个夹紧组件1b带动多块基片随其进行移动，通过多块基片在去离子水重的不断摆动对镀镍层进行清洗。
如图9所示，提供以下优选技术方案：
干燥机构3包括多个喷气头3a，多个喷气头3a排列设置于机架1a上；以及连通管3b，连通管3b的一端与多个喷气头3a连接；以及风源组件3c，风源组件3c设置于机架1a上，连通管3b的另一端与风源组件3c的输出端连接。
具体的，为了解决半导体基片镀镍层烘干的技术问题，干燥机构3开始工作，风源组件3c的输出端吹出大量热风，热风通过连通管3b流通至各个喷气头3a处，每四个喷气头3a为一组朝向基片的四角，通过四个喷气头3a对一个基片的热吹风大大提升了烘干速度。
如图10和图11所示，提供以下优选技术方案：
风源组件3c包括风管3c1，风管3c1设置于机架1a上并与其固定连接，风管3c1的一端与连通管3b的输入端连接，风管3c1的另一端设有镂空板；以及加热丝3c2，加热丝3c2设置于风管3c1的内部；以及第二伺服电机3c3，设置于风管3c1的镂空板上；以及扇叶3c4，扇叶3c4位于风管3c1的内部，并且扇叶3c4与第二伺服电机3c3的输出端固定连接。
具体的，为了解决热风吹送的技术问题，风源组件3c开始工作，第二伺服电机3c3的输出端带动扇叶3c4转动，加热丝3c2通电后发出热量，扇叶3c4转动产生的气流穿过加热丝3c2并通过风管3c1的引导进入连通管3b中，热风通过连通管3b流通至各个喷气头3a处，每四个喷气头3a为一组朝向基片的四角，通过四个喷气头3a对一个基片的热吹风大大提升了烘干速度。
如图12所示，提供以下优选技术方案：
防溅包围机构4包括主体罩4a，主体罩4a半包围机架1a并与其滑动连接；以及侧边板4b，侧边板4b设置于机架1a的底部并与其铰接，并且侧边板4b位于主体罩4a开口方向；以及第一气缸4c，第一气缸4c设置于机架1a上，并且第一气缸4c的输出端与主体罩4a连接；以及翻转连动组件4d，翻转连动组件4d的两端分别与主体罩4a和侧边板4b的铰接处连接。
具体的，为了解决对基片进行烘干时水滴四溅的技术问题，防溅包围机构4开始工作，第一气缸4c的输出端推动主体罩4a下降，主体罩4a在下降的过程中驱动翻转连动组件4d的受力端进行转动，翻转连动组件4d的输出端驱动侧边板4b向下翻转，在主体罩4a下降至将多块基片包围时侧边板4b也同时下翻完成，此时多块基片的四周被主体罩4a和侧边板4b整个包围起来，接下来干燥机构3开始工作。
如图13所示，提供以下优选技术方案：
翻转连动组件4d包括第三齿轮4d1和第四齿轮4d2，第三齿轮4d1和第四齿轮4d2均设置于机架1a上并与其可转动连接，第三齿轮4d1和第四齿轮4d2互相啮合，主体罩4a上设有齿条4a1，齿条4a1与第三齿轮4d1啮合；以及连动杆4d3，连动杆4d3的受力端与第四齿轮4d2连接；以及第一皮带轮4d4，第一皮带轮4d4设置于连动杆4d3的输出端；以及第二皮带轮4d5，第二皮带轮4d5设置于侧边板4b的铰接处，第一皮带轮4d4与第二皮带轮4d5之间通过皮带传动连接。
具体的，为了解决主体罩4a驱动侧边板4b翻转的技术问题，主体罩4a在下降的过程中通过齿条4a1带动第三齿轮4d1进行转动，第三齿轮4d1带动第四齿轮4d2反向转动，第四齿轮4d2通过连动杆4d3带动第一皮带轮4d4随其转动，第一皮带轮4d4通过皮带带动第二皮带轮4d5随其转动，第二皮带轮4d5带动侧边板4b向下进行翻转，主体罩4a和侧边板4b形成环绕墙将多块基片包围其中。
如图14所示，提供以下优选技术方案：
物料移送机构5包括滑动架5a；以及第一同步轮5b和第二同步轮5c，第一同步轮5b和第二同步轮5c分别设置于滑动架5a的两端并与其可转动连接，第一同步轮5b和第二同步轮5c之间同步带传动连接；以及工作块5d，工作块5d的受力端与同步带连接，并且工作块5d与滑动架5a滑动连接，纵向驱动机构6的非工作部与工作块5d连接；以及第三伺服电机5e，第三伺服电机5e设置于滑动架5a上，第三伺服电机5e的输出端与第一同步轮5b连接。
具体的，为了解决驱动基片进行移动的技术问题，物料移送机构5开始工作，第三伺服电机5e的输出端带动第一同步轮5b转动，第一同步轮5b通过同步带带动工作块5d沿滑动架5a进行移动，工作块5d通过纵向驱动机构6和夹持机构1带动基片进行位置移动，第二同步轮5c用于支撑同步带并配合转动。
如图15所示，提供以下优选技术方案：
纵向驱动机构6包括气缸架6a，气缸架6a设置于物料移送机构5的输出端并与其固定连接，气缸架6a上设有导向筒6a1；以及第二气缸6b，设置于气缸架6a上并与其固定连接；以及推动板6c，设置于第二气缸6b的输出端，推动板6c上设有导向杆6c1，导向杆6c1与导向筒6a1滑动连接，夹持机构1设置于推动板6c的底部。
具体的，为了解决驱动基片浸入等离子水和取出的技术问题，纵向驱动机构6开始工作，第二气缸6b推动推动板6c下移，推动板6c带动夹持机构1随其进行移动，导向筒6a1和导向杆6c1用于对推动板6c的移动方向进行引导。
本申请通过夹持机构1、摆动机构2、干燥机构3、防溅包围机构4、物料移送机构5和纵向驱动机构6的设置，实现了对半导体基片镀镍层清洗和干燥目的，使得加工流程集中化，提高了设备的实用性。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
Claims (9)
1.一种半导体加工用全自动镀镍装置，其特征在于，包括用于对基片进行固定的夹持机构(1)；以及
用于驱动基片进行摆动的摆动机构(2)，摆动机构(2)设置于夹持机构(1)上；以及
用于对基片进行烘干干燥机构(3)，干燥机构(3)设置于夹持机构(1)上；以及
用于放置水滴四溅的防溅包围机构(4)，防溅包围机构(4)设置于夹持机构(1)上；以及
用于驱动夹持机构(1)水平移动的物料移送机构(5)，物料移送机构(5)设置于清洗池上方；以及
用于驱动夹持机构(1)纵向移动的纵向驱动机构(6)，纵向驱动机构(6)设置于物料移送机构(5)的输出端，夹持机构(1)设置于纵向驱动机构(6)的输出端；
夹持机构(1)包括机架(1a)，机架(1a)设置于纵向驱动机构(6)的输出端并与其固定连接；以及
多个夹紧组件(1b)，多个夹紧组件(1b)排列设置于机架(1a)上；
夹紧组件(1b)包括宽阔手指气缸(1b1)，宽阔手指气缸(1b1)设置于机架(1a)上；以及
第一夹头(1b2)和第二夹头(1b3)，第一夹头(1b2)和第二夹头(1b3)分别设置于宽阔手指气缸(1b1)的两个输出端。
2.根据权利要求1所述的一种半导体加工用全自动镀镍装置，其特征在于，摆动机构(2)包括滑动板(2a)，滑动板(2a)设置于机架(1a)的顶部并与其滑动连接，多个夹紧组件(1b)排列设置于滑动板(2a)上；以及
第一伺服电机(2b)，第一伺服电机(2b)设置于机架(1a)上并与其固定连接；以及
连动组件(2c)，连动组件(2c)的两端分别与第一伺服电机(2b)的输出端和滑动板(2a)的受力端连接。
3.根据权利要求2所述的一种半导体加工用全自动镀镍装置，其特征在于，连动组件(2c)包括第一齿轮(2c1)，第一齿轮(2c1)设置于第一伺服电机(2b)的输出端；以及
第二齿轮(2c2)和短杆(2c3)，第二齿轮(2c2)设置于短杆(2c3)的受力端，第二伺服电机(3c3)的受力端与机架(1a)可转动连接，第二齿轮(2c2)与第一齿轮(2c1)啮合；以及
长杆(2c4)，长杆(2c4)的受力端与短杆(2c3)铰接，长杆(2c4)的输出端与滑动板(2a)铰接。
4.根据权利要求1所述的一种半导体加工用全自动镀镍装置，其特征在于，干燥机构(3)包括多个喷气头(3a)，多个喷气头(3a)排列设置于机架(1a)上；以及
连通管(3b)，连通管(3b)的一端与多个喷气头(3a)连接；以及
风源组件(3c)，风源组件(3c)设置于机架(1a)上，连通管(3b)的另一端与风源组件(3c)的输出端连接。
5.根据权利要求4所述的一种半导体加工用全自动镀镍装置，其特征在于，风源组件(3c)包括风管(3c1)，风管(3c1)设置于机架(1a)上并与其固定连接，风管(3c1)的一端与连通管(3b)的输入端连接，风管(3c1)的另一端设有镂空板；以及
加热丝(3c2)，加热丝(3c2)设置于风管(3c1)的内部；以及
第二伺服电机(3c3)，设置于风管(3c1)的镂空板上；以及
扇叶(3c4)，扇叶(3c4)位于风管(3c1)的内部，并且扇叶(3c4)与第二伺服电机(3c3)的输出端固定连接。
6.根据权利要求1所述的一种半导体加工用全自动镀镍装置，其特征在于，防溅包围机构(4)包括主体罩(4a)，主体罩(4a)半包围机架(1a)并与其滑动连接；以及
侧边板(4b)，侧边板(4b)设置于机架(1a)的底部并与其铰接，并且侧边板(4b)位于主体罩(4a)开口方向；以及
第一气缸(4c)，第一气缸(4c)设置于机架(1a)上，并且第一气缸(4c)的输出端与主体罩(4a)连接；以及
翻转连动组件(4d)，翻转连动组件(4d)的两端分别与主体罩(4a)和侧边板(4b)的铰接处连接。
7.根据权利要求6所述的一种半导体加工用全自动镀镍装置，其特征在于，翻转连动组件(4d)包括第三齿轮(4d1)和第四齿轮(4d2)，第三齿轮(4d1)和第四齿轮(4d2)均设置于机架(1a)上并与其可转动连接，第三齿轮(4d1)和第四齿轮(4d2)互相啮合，主体罩(4a)上设有齿条(4a1)，齿条(4a1)与第三齿轮(4d1)啮合；以及
连动杆(4d3)，连动杆(4d3)的受力端与第四齿轮(4d2)连接；以及
第一皮带轮(4d4)，第一皮带轮(4d4)设置于连动杆(4d3)的输出端；以及
第二皮带轮(4d5)，第二皮带轮(4d5)设置于侧边板(4b)的铰接处，第一皮带轮(4d4)与第二皮带轮(4d5)之间通过皮带传动连接。
8.根据权利要求1所述的一种半导体加工用全自动镀镍装置，其特征在于，物料移送机构(5)包括滑动架(5a)；以及
第一同步轮(5b)和第二同步轮(5c)，第一同步轮(5b)和第二同步轮(5c)分别设置于滑动架(5a)的两端并与其可转动连接，第一同步轮(5b)和第二同步轮(5c)之间同步带传动连接；以及
工作块(5d)，工作块(5d)的受力端与同步带连接，并且工作块(5d)与滑动架(5a)滑动连接，纵向驱动机构(6)的非工作部与工作块(5d)连接；以及
第三伺服电机(5e)，第三伺服电机(5e)设置于滑动架(5a)上，第三伺服电机(5e)的输出端与第一同步轮(5b)连接。
9.根据权利要求1所述的一种半导体加工用全自动镀镍装置，其特征在于，纵向驱动机构(6)包括气缸架(6a)，气缸架(6a)设置于物料移送机构(5)的输出端并与其固定连接，气缸架(6a)上设有导向筒(6a1)；以及
第二气缸(6b)，设置于气缸架(6a)上并与其固定连接；以及
推动板(6c)，设置于第二气缸(6b)的输出端，推动板(6c)上设有导向杆(6c1)，导向杆(6c1)与导向筒(6a1)滑动连接，夹持机构(1)设置于推动板(6c)的底部。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211164743.3A CN116053187B (zh) | 2022-09-23 | 2022-09-23 | 一种半导体加工用全自动镀镍装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211164743.3A CN116053187B (zh) | 2022-09-23 | 2022-09-23 | 一种半导体加工用全自动镀镍装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116053187A true CN116053187A (zh) | 2023-05-02 |
| CN116053187B CN116053187B (zh) | 2024-01-30 |
Family
ID=86116968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211164743.3A Active CN116053187B (zh) | 2022-09-23 | 2022-09-23 | 一种半导体加工用全自动镀镍装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116053187B (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002004098A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 基板の製造方法及びメッキ装置 |
| US20020148732A1 (en) * | 2001-04-11 | 2002-10-17 | Ismail Emesh | Method and apparatus for electrochemically depositing a material onto a workpiece surface |
| CN109935540A (zh) * | 2019-03-12 | 2019-06-25 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种具有加热功能的夹取器及湿法槽式清洗设备 |
| CN209266364U (zh) * | 2018-12-12 | 2019-08-16 | 嘉兴中谷半导体有限公司 | 一种硅片清洗机 |
| CN110404874A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-11-05 | 盐城华旭光电技术有限公司 | 集成电路板生产用电镀硅片清洗干燥装置 |
| CN215163287U (zh) * | 2021-03-31 | 2021-12-14 | 东莞金镀实业有限公司 | 一种模块化电镀生产线 |
| CN113964243A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-01-21 | 环晟光伏(江苏)有限公司 | 一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备及方法 |
| CN114300387A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-08 | 常州天曜智能装备有限公司 | 一种半导体制造用智能自动清洗烘干装置 |
| CN217203030U (zh) * | 2022-04-01 | 2022-08-16 | 肇庆苑渝五金制品有限公司 | 一种镍电镀件表面处理装置 |
-
2022
- 2022-09-23 CN CN202211164743.3A patent/CN116053187B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002004098A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 基板の製造方法及びメッキ装置 |
| US20020148732A1 (en) * | 2001-04-11 | 2002-10-17 | Ismail Emesh | Method and apparatus for electrochemically depositing a material onto a workpiece surface |
| CN209266364U (zh) * | 2018-12-12 | 2019-08-16 | 嘉兴中谷半导体有限公司 | 一种硅片清洗机 |
| CN109935540A (zh) * | 2019-03-12 | 2019-06-25 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种具有加热功能的夹取器及湿法槽式清洗设备 |
| CN110404874A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-11-05 | 盐城华旭光电技术有限公司 | 集成电路板生产用电镀硅片清洗干燥装置 |
| CN215163287U (zh) * | 2021-03-31 | 2021-12-14 | 东莞金镀实业有限公司 | 一种模块化电镀生产线 |
| CN113964243A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-01-21 | 环晟光伏(江苏)有限公司 | 一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备及方法 |
| CN114300387A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-08 | 常州天曜智能装备有限公司 | 一种半导体制造用智能自动清洗烘干装置 |
| CN217203030U (zh) * | 2022-04-01 | 2022-08-16 | 肇庆苑渝五金制品有限公司 | 一种镍电镀件表面处理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116053187B (zh) | 2024-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101572276B (zh) | 太阳能电池用扁平导体及其制造方法和连接导线 | |
| US20160265135A1 (en) | Method of cleaning substrate holder | |
| CN105256342A (zh) | 一种基于铜的超疏水表面及其制备方法 | |
| CN116053187B (zh) | 一种半导体加工用全自动镀镍装置 | |
| CN102703959A (zh) | 一种铜排连续走动镀锡方法及设备 | |
| US4378281A (en) | High speed plating of flat planar workpieces | |
| CN202705545U (zh) | 一种铜排连续走动镀锡设备 | |
| CN218710931U (zh) | 一种产品局部镀金生产装置 | |
| CN210711793U (zh) | 一种pcb线路板电镀设备 | |
| CN114808056A (zh) | 一种产品局部镀金生产工艺 | |
| JP2015018894A (ja) | めっき装置 | |
| CN102324270B (zh) | 光伏组件的非焊接式无铅互连带/汇流带及其制造方法 | |
| US20160060785A1 (en) | Method to Fabricate Thin Film Solar Cell Absorbers with Roll-to-Roll Electroplating-Spraying Hybrid Apparatus | |
| CN101565823A (zh) | 卷盘铝带表面处理工艺 | |
| WO2022116454A1 (zh) | 线路板电镀中龙门线槽液的减少带出方法 | |
| CN111669902A (zh) | 一种陶瓷基印制电路板热风整平加工工装及其应用 | |
| CN106757236A (zh) | 提高不锈钢表面钯膜层耐腐蚀性能的方法及钯膜层 | |
| CN113235154A (zh) | 一种半导体前驱体不锈钢容器电抛装置及工艺 | |
| CN220812574U (zh) | 一种铜丝拉线退火装置 | |
| CN219409865U (zh) | 一种局部镀锡工装 | |
| CN110299421A (zh) | 介质膜沉积方法 | |
| CN215404442U (zh) | 一种钢绞线热镀锌节能环保生产线 | |
| CN216828573U (zh) | 一种压铸件生产冷却装置 | |
| CN220422138U (zh) | 一种pcb板表面处理设备 | |
| CN103422131A (zh) | 用于局部涂覆至少一个汇流排的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |