JP2001527202A - セラミックハニカム体の焼成方法及び焼成に用いられるトンネルキルン - Google Patents

セラミックハニカム体の焼成方法及び焼成に用いられるトンネルキルン

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Abstract

(57)【要約】 セラミックハニカム構造未焼成体の初期焼成の間、焼成雰囲気内で反応する前に放出される有機すなわち炭素質材料を含有するハニカム構造未焼成体を焼成する方法が開示される。前室領域（１２），複数の除去区域（Ｚ１〜Ｚ１１）を有し、前室領域の下流にある炭素質材料除去領域（１４）及び炭素質材料除去領域の下流にある焼結領域（１６）を含む、トンネルキルン（１０）も開示される。トンネルキルンは、放出領域と、各除去区域にある排出口を介して有効に通じる、放出された炭素質材料を除去するための排気除去系統（１８）をさらに含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本出願は、１９９７年１２月２２日に出願され、「セラミックハニカム体の焼
成方法及び焼成に用いれらるトンネルキルン」と題する、アラン・ティー・ダル
（Alan T. Dull）、トーマス・エス・ヒンクル（Thomas S. Hinkle）、クリスト
ファー・エス・ウィット（Christopher S. Witte）およびエドワード・エフ・ズ
ニック（Edward F. Zunic）による米国仮特許出願第６０／０６８，４８７号の 特恵を主張する。
【０００２】 本発明はセルラセラミック体の焼成方法に関し、さらに詳しくは、問題をおこ
す多量の有機物を含有するバッチからのセルラセラミック体の焼成方法及びその
ような焼成プロセスに適合させたトンネルキルンに関する。
【０００３】発明の背景 ハニカム形状のセラミック製品、すなわちセラミックハニカム構造体、すなわ
ちセルラセラミック体は、セラミック材料を水、並びに可塑化バッチを形成する
ための押出及び成形助剤を含む様々な炭素質材料と混合してセラミック未焼成体
を作成し、可塑化バッチの押出しによりセラミック未焼成体をハニカム形状のセ
ラミック未焼成体に成形し、最後に、焼成炉内でハニカム形状セラミック未焼成
体を既定の温度で焼成することによりつくられてきた。
【０００４】 ハニカム構造体の上記焼成に用いられる押出及び成形助剤には特に、メチルセ
ルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリビニルアルコール、ステアリン酸
アルカリ金属等のような、有機結合剤及び可塑剤及び滑剤が含まれる。
【０００５】 さらに、グラファイトのようなその他の炭素質材料が細孔形成剤としてバッチ
に含められてきた。
【０００６】 炭素質材料放出あるいは炭素質材料の分解は多量の熱を放出する酸化すなわち
発熱反応であることが知られている。発熱反応は初め成形品の表層すなわち外側
部分でおこり、セラミック体の外側部分がコアよりも熱くなる、初期温度差を生
じる。引き続いて、表層すなわち外側部分の発熱反応は終熄し、発熱反応領域は
ウエア内部に移動する。一般的な基体は良好な絶縁体であるセラミック材料、例
えばコージェライトからなり、多数のチャネルを含むセルラ構造をもつから、伝
導または対流によって熱をセラミック体から効果的に取り除くことは困難である
。さらにセルラ構造体はかなりの表面積をもち、焼成雰囲気中のＯ２との結合剤
の反応を促進するから、上記の内部発熱効果はさらに激化する。したがって炭素
質材料の放出中、セラミック体は正または負の温度差をもつ。すなわち、セラミ
ック体のコアの温度がセラミック体の表面及び／またはその近傍の温度より高く
なるかあるいは低くなる。有機結合剤等のような炭素質材料では１００から６０
０℃の温度範囲でおこるか、また未焼成体が例えばグラファイトを含んでいれば
、５００〜１０００℃の温度範囲でおこる上記発熱反応は、成形品の内側部分と
外側部分との間にかなりの温度差を生じさせる。成形品におけるこの温度差は、
成形品に亀裂を発生させ得る応力をセラミック体につくりだす。この現象は特に
、大型セルラセラミック成形品あるいは有機材料を多量に含有する成形品にあて
はまる。
【０００７】 上記温度差及びその結果生じる亀裂の発生及び成長を制御し、抑制する技法が
よく知られている。そのような技法の１つは、バーナー燃焼のための空気を過剰
に用いてバーナー炎温度を下げ、よって温度勾配を小さくし対応してウエア加熱
速度を小さくする低温炎を生じさせることを含む。しかし、大量の過剰空気は有
機物と反応する酸素を望ましくないほどの高率で含有する雰囲気を生じ、よって
有機物放出を加速して内部発熱反応を高める。したがって、有機物放出中に発生
する温度差の最小化は、きわめて時間のかかる焼成スケジュールによるか、ある
いはキルン内の特定のウエアに慎重に整合させた焼成スケジュールによらなけれ
ば達成し得ない。
【０００８】 周期型キルンにおいては、炭素質材料の放出に影響を及ぼす雰囲気制御の使用
が一般に知られている。例えば、米国特許第４,４０４,１６６号（ウィーチ・ジ
ュニア(Wiech, Jr)），第４,４７４,７３１号（ブラウンロー(Brownlow)等）， 第４,６６１,３１５号(ウィーチ・ジュニア等)及び第４,９２７,５７７号（オオ
タカ(Ohtaka)等）を参照されたい。これらの特許の方法は周期型キルンでの使用
には十分有効であることが示されているが、トンネルキルンでは焼成雰囲気に大
気（酸素２０.９％ ）がかなり流入することから有効ではないと一般に考えられ
ている。
【０００９】 比例焼成の代替としてパルス焼成技術を使用することも、周期型キルンにおけ
る温度勾配を制御し抑制するための方法として開示されている。パルス焼成は、
高焼成バーナー出力条件及び低焼成バーナー出力条件のみを使用し、大量の過剰
空気（酸素）を使用することなく加熱速度を下げることを含む。例えば、高出力
焼成状態と低出力焼成状態とを交互に繰り返すバーナーを有する炉を用いるセラ
ミック成形体の焼成方法を開示している、欧州特許出願公開第０,７０９，６３ ８号を参照されたい。このパルス焼成技術の使用は周期型キルンではある程度有
効であって、亀裂の発生が低減されているが、パルス焼成法をトンネルキルンに
用いるには難点がある。トンネルキルンの開放性により、キルンの有機物放出区
域への大気進入を別の手段で制御する必要がある。
【００１０】 したがって本発明の目的は、高品質で亀裂のない製品の安定生産を保証する、
セラミックハニカム構造体の焼成のための改善された方法及びトンネルキルンを
提供することにより、従来技術の上記問題を解決することにある。
【００１１】発明の概要 本発明の目的は上述の問題を排し、亀裂がより少なく、短時間サイクルを用い
ながらもハニカム構造未焼成体の内側部分及び外側部分の焼成がより一様な、セ
ラミックハニカム構造体の製造を可能にする、セラミックハニカム構造体の焼成
のための方法及びキルンを提供することにある。
【００１２】 有機物すなわち炭素質材料を含有するセラミックハニカム構造未焼成体を焼成
する本方法の特徴は、キルンの焼成雰囲気内で材料を反応させる前に、未焼成体
から放出される炭素質材料の少なくとも一部を除去することである。
【００１３】 本発明に従うキルンは、以下の：前室領域；前室領域の下流に位置する複数の
除去区域を有する炭素質材料放出領域；及び炭素質材料放出領域の下流に位置す
る焼結領域；を含むトンネルキルンである。本トンネルキルンは、放出された炭
素質材料を除去するための、放出領域と有効に通じる排気除去システムをさらに
含む。この排気除去システムは、それぞれの除去区域の屋根に位置することが好
ましく、放出された炭素質材料をキルンの放出領域から除去し排気するための排
気ファンと有効に通じている、少なくとも１つの排気口を含む。
【００１４】発明の詳細な説明 本発明をより一層理解するため、添付図面を参照する。
【００１５】 本発明に従うセラミック焼成方法及び装置は、従来の焼成キルン及びその焼成
条件を調べることにより得られた知識に基づく。可塑化バッチすなわちセラミッ
ク未焼成体をセラミック製品に転化するために用いられる従来の焼成法では一般
に、出発バッチに含まれる有機物すなわち炭素質材料の押出または成形助剤の発
熱放出による、外表面すなわち表層と内部すなわちコアとの間に温度差が生じる
。上記の有機物すなわち炭素質材料の放出は、有機結合剤及び押出助剤では約１
００〜６００℃の間でおこり、またグラファイトのような材料では約５００〜１
０００℃の間でおこる。外縁部すなわち表層で発生する熱は、それでも成形品の
強度を上まわり得る応力を生じるに十分であるとはいえ、かなり容易に消散する
が、セラミック体のコアで発生する熱はセルラ構造及びコージェライトセラミッ
ク体の絶縁性のために消散しないのでより厄介である。図１は従来通りに焼成さ
れたコージェライトセラミックハニカム体の、代表的な、望ましくない表層／コ
ア温度分布を示す。この温度差は、製造される焼成体に焼成による亀裂だけでな
く熱誘起変形もおこさせるような温度差である。セルラ体のセル壁体がより薄く
なりセル密度がより高くなるにつれて、またセルラ体の構造的一体性を維持する
ために用いられる有機結合剤及びグラファイトのような材料がより多量にまたよ
り多種類になるにつれて、この現象はおこりやすくなる。
【００１６】 本発明は、炭素質材料の放出の結果としてのいかなる有害な影響も実質的にも
たない、焼成ハニカムセラミック構造体の有効な製造方法を提供する。特に本発
明は、焼結に先立ち、炭素質材料の放出を実質的に達成するに十分な温度及び時
間をもってセラミック未焼成体を焼成し、同時に、放出された炭素質材料がキル
ンの焼成雰囲気内で実質的な反応をおこす前に少なくともその一部を除去するこ
とも含む。
【００１７】 本発明は炭素質材料の放出によって有害な影響を受け得るいかなるセラミック
材料にも適用が可能であり、代表的なセラミック材料には、例えばコージェライ
ト及びアルミナ含有セラミックがあるが、これらには限定されない。以降本発明
をコージェライト含有セラミックハニカム材料に関して説明するが、このことで
本発明がこの材料に限定されていると考えるべきではない。
【００１８】 本発明に従って作成されるコージェライトセラミックハニカム構造体の製造に
有用なセラミックバッチのための原材料は、適当ないかなる原料からも選ぶこと
ができる。高純度クレイ、タルク、シリカ、アルミナ、水酸化アルミニウム及び
マグネシア（ＭｇＯ）生成原材料が上記のようなセラミックに従来から用いられ
、本発明にも十分用い得る。
【００１９】 非常に低膨張の押出成形コージェライトセラミック体の商業生産に用いられる
好ましいバッチ材料はクレイ、タルク、及びアルミナであり、クレイは一般に、
堆積性のものではなく板状カオリンクレイからなる。板状カオリンは堆積カオリ
ンの前処理によりつくることができ、またクレイを含む原材料バッチを結晶堆積
が小板に粉砕されるように処理してもよい。
【００２０】 乾燥バッチを成形して焼成によりコージェライトに転化するのに適したプリフ
ォームすなわち未焼成体にすることは、数多い既知の技法の内のいずれか１つに
より達成することができる。コージェライト製品の所望の多孔度に応じて、バッ
チを適当な有機物と混合し、単にプレス成形してプリフォームの形状にするか、
あるいはホットプレス法により成形することができる。
【００２１】 平板あるいはセラミックハニカムのような薄い壁体をもつコージェライトセラ
ミック製品の商業生産で好ましい成形法は押出しである。押出成形に適したバッ
チ混合物は、乾燥バッチを適当な液体ビヒクルと混合することにより、乾燥バッ
チから作成することができる。ビヒクルは水と、バッチに可塑成形性を与え、成
形後の未焼成体に焼成するまで破損しないだけの十分な強度を与えるのに必要な
炭素質押出助剤とを含むことができる。あるいは、押出助剤はセラミックバッチ
材料と混合してもよい。
【００２２】 炭素質押出助剤は通常、揮発、酸化または分解温度が約６００℃より低い液体
または固体の炭化水素材料からなり、例えばメチルセルロース、カルボキシメチ
ルセルロース、ポリビニルアルコール、ステアリン酸アルカリ金属、小麦粉、デ
ンプン糊、グリセリン及びワックスのような有機結合剤が含まれる。上記のタイ
プのバッチは、一般に２０〜３５％の水を含み、押出しにより非常に薄い、すな
わち１ｍｍより薄い壁体寸法を含むプリフォームに容易に成形できるだけの十分
な可塑性をもつ。可塑化バッチはまた圧延またはプレスによっても安直に成形す
ることができ、圧延またはプレスされた部品は次いでそのままあるいは焼成の前
により複雑な形態に組み立てられて用いられる。
【００２３】 さらにバッチ混合物は細孔形成剤として用いるのに適した、グラファイト、サ
クランボ核粉、木材チップ、オガクズ及びデンプンを含むがこれらには限定され
ないその他の炭素質材料を含むことができる。
【００２４】 本発明の方法に従えば、初めにハニカム構造未焼成体が炭素質材料の放出を開
始して十分に達成するのに十分な温度及び時間をもって焼成される、２段階焼成
プロセスにおいて、所望の、亀裂のないコージェライトセラミック製品が得られ
る。この初期焼成段階の間に、ハニカム未焼成体に取り入れられた炭素質材料が
揮発するかまたは不完全反応した形態で放出される。炭素質材料、例えば結合剤
の放出は一般に、結合剤の種類に応じて約１００〜６００℃の間でおこり、一方
グラファイトは一般に約５００〜１０００℃の間で放出される。したがって上記
の炭素質材料放出段階では一般に、セラミック未焼成体がグラファイトのような
高温放出炭素をいくらか含んでいるか否かによって、前記第１の温度範囲より高
いかあるいは前記第２の温度範囲より高い第１の温度までの加熱が必要である。
揮発するかあるいは不完全反応した炭素質材料の放出は、キルン内の焼成空間に
おける燃焼の結果としての望ましくない熱放出を引き続いておこさせるから、初
期焼成段階には放出された望ましくない有機材料の少なくとも一部をキルン内の
放出位置に近い個所で除去することが含まれる。言い換えれば、本発明の方法は
放出された炭素質材料に焼成雰囲気との実質的な反応をおこさせない。
【００２５】 上記の初期炭素質材料除去焼成段階の後、セラミック未焼成体はさらにセラミ
ックハニカム構造未焼成体の支配的な結晶相がコージェライトである焼成ハニカ
ム体への転化を開始し十分に達成するのに十分な時間及び温度をもって従来通り
に焼成される。セラミック材料がコージェライト含有セラミックを含む場合、上
記目的のためには１３４０〜１４５０℃の温度範囲が一般に適している。
【００２６】 次に、本発明に従う焼成キルンを添付図面を参照してより詳細に説明する。
【００２７】 図２は本発明に従う焼成プロセスを実行するためのトンネルキルンの実施の形
態の構成を示す略図である。本実施の形態において、トンネルキルン１０は前室
領域１２，前室領域１２の下流にあって複数の除去区域（Ｚ１〜Ｚ１２）を有す
る炭素質材料放出領域１４を含む。本キルンは炭素質材料放出領域１４の下流に
ある（一部が図示されている）焼結領域１６をさらに含む。放出された炭素質材
料を除去するための排気除去系統１８が設けられ、放出領域１４の除去区域と有
効に通じている。
【００２８】 排気除去系統１８は複数の、詳しくは各除去区域について少なくとも１つの、
排気口２０を含む。これらの排気口２０を通して、揮発するか不完全反応した形
態にある放出された炭素質材料が除去され、排気口２０のそれぞれは関連するそ
れぞれの除去区域についてキルンの屋根にあることが好ましい。排気口２０のそ
れぞれは第２の収集導管２２と有効に通じている。本明細書で説明される実施の
形態は排気口が屋根にあるとして詳述されるが、排気口の位置に関して大事な要
件は揮発物が最も容易にあるいはもっとも効率よく除去される位置にあることで
あって、屋根であるとは限らず、例えば側壁またはキルン下部にあってもよいこ
とに注意しなければならない。
【００２９】 排気口の形状に関しては、同業者であれば、放出された炭素質材料の最適で効
率的な除去に最も適した形状の排気口を経験的に決定してトンネルキルンの構成
に取り入れることができる。
【００３０】 第２の収集導管２２のそれぞれは主収集導管２４に有効に通じている。第２の
収集導管と主収集導管が通じる接続部より上流側で、第２の収集導管のそれぞれ
にダンパー弁２６が設けられていることが好ましい。排気ファンが主収集導管２
４に有効に通じ、放出された炭素質材料を排気するのに必要な引きをキルンの焼
成雰囲気に与えるようにはたらく。さらに、ダンパー弁２８が主収集導管２４に
設けられている。ダンパー弁２６のそれぞれは、除去区域Ｚ１〜Ｚ１１のそれぞ
れにおいて個別に排気の適切な引きが得られるように調節することができ、この
ようにして、放出された炭素質材料の除去を除去区域毎に変移させること及び／
または変動させることができる。多数の第２の収集導管２６及び付帯する排気口
２０の引き、したがってキルン焼成雰囲気の、全体制御はダンパー弁２８の調節
により行われる。
【００３１】 放出領域の長さ及び、多数の除去区域の長さは、組成毎に変わる多数の様々な
組成及び有機材料除去要件の炭素質材料放出及び除去温度範囲を包含することが
できるような長さに、すなわち約１００から６００℃の範囲にある放出領域全体
に対する排気プロファイルを調整できるように融通のきく設計になっている。
【００３２】 従来型のキルンは、そのいずれもが従来型のキルンの温度制御維持能力に影響
を与える、揮発した及び／または不完全反応した炭素質材料を放出することが実
験により明らかになった。上記影響の主要な原因は、炭素質材料が放出された個
所の近く、特に放出された材料が“クラウンドリフト”の結果として流れる、よ
り高温の下流区域において、放出された炭素質材料が焼成雰囲気内で燃えること
である。このクラウンドリフトは、高圧側の上流区域から低圧側（負圧側）の下
流区域に、区域間のこの圧力差の結果として、引かれている高温ガスにより生じ
る。上記の、揮発および／または不完全反応した形態にある、放出された燃焼可
能な炭素質材料は高温側区域に進みながら利用できる酸素と反応して燃え、この
過程の中で熱を放出する。その区域にとって設定温度を維持するのに必要な熱よ
りも一般に多量である上記の放出熱が、その区域の温度を所望の設定温度より上
昇させる。このことは、焼成プロセスの制御を失う結果としてキルン内のセラミ
ックハニカム構造体に亀裂が入ることになるため、きわめて望ましくない。
【００３３】 上述した本発明のキルンの利点は、上記の揮発しているかあるいは不完全反応
した有機材料のいくらかまたは全てがトンネルキルンのウエア空間内の放出点近
くで、すなわち放出された炭素質材料が反応するチャンスを得る前に、焼成雰囲
気から除去されるようにキルンが設計されているので、上記の望ましくない燃焼
すなわち熱放出の発生が防止されていることである。特に、放出された、揮発ま
たは不完全反応している炭素質材料は、排気ファンにより、排出口２０に引き込
まれ、第２の収集導管２２を通り、続いて主収集導管２４を通り、最終的に排気
ファンを通ってそこで排気される。
【００３４】 図３は、本発明に従う焼成プロセスを実行するためのトンネルキルンの別の実
施の形態の構成を説明する略図である。図２と同じ参照数字が図３の同じあるい
は同様の要素に与えられ、それらの説明は省略される。図３の実施の形態は、放
出された、揮発しているか不完全反応している炭素質材料を焼成雰囲気から除去
するために除去区域Ｚ１〜Ｚ１１のそれぞれに配された一連の４つの開口を排気
除去系統が含む点が、図２の実施の形態と異なる。本実施の形態を若干改変した
形態には、放出された炭素質材料の除去のために、一連の屋根排出口ではなく長
尺排出口、すなわち屋根に設けられて第２の導管と有効に通じるスリットを取り
入れた除去区域が含まれる。
【００３５】 図２を再び参照すると、本発明に従うトンネルキルンはオプションとして選択
できる導管反応抑制システムをさらに含むことができる。放出された炭素質材料
は第２の収集導管２２及び主収集導管２４内部で濃縮され、条件（酸素濃度及び
温度）が好適であれば、炭素質材料は導管空間内で自由に発火して燃焼し得る。
導管空間ダクト工作物内でのこの自由燃焼は望ましくなく、よって導管内の炭素
質材料の上記自由反応の制御を補助するように設計された、導管反応抑制システ
ムが含められる。この導管反応抑制システムは温度監視装置及び、導管内の温度
が既定の温度より高いときに、主収集導管２４及び第２の収集導管２２に酸素含
有量の少ないガスを導入するための系統を含む。低酸素ガスは窒素かＣＯ２のい
ずれかに富んだガスからなることが好ましい。反応抑制システムは排気ファンと
主収集導管２４と第２の収集導管２２が通じる接続点との間の個所で主収集導管
２４と有効に通じる。本反応抑制システムを含むトンネルキルン構成において、
ダンパー弁２８は、反応抑制システムが主収集導管２４に通じる接続点と排気フ
ァンとの間に配される。ダンパー弁２８が完全に閉じられているときには、ダン
パー弁２８は炭素質材料除去を一時停止して、導管内でおこる望ましくない反応
の抑制を容易にするために排気ファンから第２の導管２４を切り離すはたらきを
する。
【００３６】 反応抑制システムは詳しくは以下のように機能する：温度監視装置、例えば主
導管内の主ダンパーより上流にある感熱器が、導管温度を既定の設定温度と比較
できる過温制御器に接続される。感熱器の温度が、主収集導管及び／または第２
の収集導管内での燃焼がおこっていることを示す、既定の設定温度に達すると、
ダンパー弁３０が開いて低酸素ガスを主収集導管２４に流し、酸素濃度を燃焼が
もはや維持できないレベルにまで効果的に引き下げる。同時に、主収集導管ダン
パー弁２８が閉じられ、よってキルンの焼成雰囲気の引きを停止する。最終結果
は導管内での燃焼反応の抑制と同時に、放出された、燃焼の可能性のある炭素質
材料の流入の停止である。
【００３７】 所望の焼成条件を得るのに必要な、個々の除去区域のそれぞれからの、及びシ
ステム全体の炭素質材料除去量は、組成、セラミック体の寸法と形状、ウエア装
荷量、及びセラミック体のもつセル壁体厚とセル数、並びにキルン構成及び用い
られる焼成スケジュールを含む、数多くの要因に依存して変わることに注意すべ
きである。したがって、適切な焼成雰囲気及び条件を得るに必要な除去条件は、
それぞれのセラミック／キルン系に対して経験的に定められなければならない。
【００３８】 上記説明から明らかなように、本発明のセラミックハニカム構造体焼成プロセ
ス及びこのプロセスに用いられるトンネルキルンに従えば、本発明の排気除去領
域及び系統を介する炭素質材料の放出及び除去により、ハニカム構造体において
セラミック体の内側部分と外側部分との間の温度差を小さくすることができる焼
成条件が得られる。言い換えれば、熱変形及び熱誘起亀裂のない焼成セラミック
ハニカム構造体の製造にはるかに適した焼成条件が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の焼成方法により形成され焼成されたセラミックハニカム構造体のコアと
表層との間の温度差を表すグラフである
【図２】 本発明に従うセラミックハニカム体構造体を焼成するためのプロセスの実行に
適した使用が可能なトンネルキルン装置を示す略図である
【図３】 本発明に従うセラミックハニカム体構造体を焼成するためのプロセスの実行に
適した使用が可能なトンネルキルン装置の別の実施の形態を示す略図である
【符号の説明】
１０ トンネルキルン １２ 前室領域 １４ 炭素質材料放出領域 １６ 焼結領域 １８ 排気除去系統
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウィット，クリストファー エス アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14812 ビーヴァー ダムズ キャトリン ヒル ロード 204 (72)発明者 ズーニック，エドワード エフ アメリカ合衆国 ヴァージニア州 24084 ダブリン タングルウッド ドライヴ 11 Ｆターム(参考） 4K050 AA04 BA07 CA13 CC10 EA08

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 セラミックハニカム構造体を焼成するためのトンネルキルン
    において： 前室領域、複数の除去区域を有し前記前室領域の下流に位置する炭素質材料除
    去領域及び前記炭素質材料除去領域の下流に位置する焼結領域；及び 放出された炭素質材料を除去するための前記放出領域の前記除去区域と有効に
    通じる排気除去系統； を含むことを特徴とするトンネルキルン。
  2. 【請求項２】 前記排気除去系統が放出された炭素質材料を除去するための
    、前記除去区域のそれぞれに少なくとも１つが配置された排気口を含むことを特
    徴とする請求項１記載のトンネルキルン。
  3. 【請求項３】 前記排気口が前記キルンの屋根、側壁または底面に配置され
    ていることを特徴とする請求項１記載のトンネルキルン。
  4. 【請求項４】 前記排気口が前記キルンの屋根に配置されていることを特徴
    とする請求項１記載のトンネルキルン。
  5. 【請求項５】 前記排気項が第２の収集導管と有効に通じていることを特徴
    とする請求項２記載のトンネルキルン。
  6. 【請求項６】 前記第２の収集導管のそれぞれに前記第２の収集導管のそれ
    ぞれを通して除去される放出炭素質材料の量を制御するための第２のダンパー弁
    が設けられていることを特徴とする請求項５記載のトンネルキルン。
  7. 【請求項７】 前記第２の収集導管のそれぞれが主収集導管と有効に通じて
    いることを特徴とする請求項５記載のトンネルキルン。
  8. 【請求項８】 前記主収集導管に焼成雰囲気から除去される放出炭素質材料
    の全量を制御するための主ダンパー弁が設けられていることを特徴とする請求項
    ７記載のトンネルキルン。
  9. 【請求項９】 前記主収集導管が排気ファンと有効に通じていることを特徴
    とする請求項７記載のトンネルキルン。
  10. 【請求項１０】 前記排気除去系統が導管内反応抑制システムをさらに含む
    ことを特徴とする請求項９記載のトンネルキルン。
  11. 【請求項１１】 前記反応抑制システムが温度監視装置並びに既定の温度よ
    り高い温度において前記主収集導管及び前記第２の収集導管に低酸素ガスを導入
    するための系統を含むことを特徴とする請求項１０記載のトンネルキルン。
  12. 【請求項１２】 前記低酸素ガスが窒素またはＣＯ２に富んだガスであるこ
    とを特徴とする請求項１０記載のトンネルキルン。
  13. 【請求項１３】 前記反応抑制システムが前記排気ファンと、前記主収集導
    管と前記第２の収集導管が通じる接続点との間の位置で前記主収集導管と有効に
    通じることを特徴とする請求項１０記載のトンネルキルン。
  14. 【請求項１４】 前記主ダンパー弁が炭素質材料の除去を一時停止するため
    に閉じられることを特徴とする請求項１１記載のトンネルキルン。
  15. 【請求項１５】 焼成ハニカム体にすることができる、ある量の炭素質材料
    を含む、既定量の原材料を含有するセラミックハニカム構造未焼成体を焼成する
    方法において： 前記炭素質材料の放出を開始し、十分達成するのに十分な温度及び時間をもっ
    て焼成雰囲気内で前記ハニカム構造未焼成体を焼成し、同時に前記炭素質材料が
    前記焼成雰囲気内で反応する前に少なくともその一部を除去する工程； を含むことを特徴とする方法。
  16. 【請求項１６】 キルン内の前記炭素質材料が放出される位置の近くで前記
    炭素質材料が除去されることを特徴とする請求項１５記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記セラミックハニカム構造未焼成体の焼成ハニカム体へ
    の転化を開始し、十分達成するのに十分な時間及び温度をもってさらに加熱する
    工程を含むことを特徴とする請求項１５記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記炭素質材料が約６００℃より低い揮発、分解または蒸
    発温度を有する液体または固体の炭化水素材料を含むことを特徴とする請求項１
    ５記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記炭素質材料が高分子結合剤、炭化水素油またはワック
    ス結合剤またはグラファイトを含むことを特徴とする請求項１８記載の方法。
  20. 【請求項２０】 焼結可能な前記原材料がカオリンクレイ、タルク、アルミ
    ナ及びその他のコージェライト形成材料の混合物であって、前記原材料のそれぞ
    れが、前記混合物内の他の原材料と組み合わされて、その主結晶相がコージェラ
    イトである焼成ハニカム体にすることができる効果的な量で含まれることを特徴
    とする請求項１５記載の方法。
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