JP2001520824A - 多重i/oスタンダードをサポートする入力/出力バッファ - Google Patents

多重i/oスタンダードをサポートする入力/出力バッファ

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JP2001520824A JP54385098A JP54385098A JP2001520824A JP 2001520824 A JP2001520824 A JP 2001520824A JP 54385098 A JP54385098 A JP 54385098A JP 54385098 A JP54385098 A JP 54385098A JP 2001520824 A JP2001520824 A JP 2001520824A
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Abstract

(57)【要約】 本発明は2つ又はそれ以上の異なるI/Oスタンダードのいずれかと適合性を有するべく形態特定することの可能なFPGA用の形態特定可能な入力/出力バッファを有している。出力駆動強度、レシーバ型、出力ドライバ型、及び出力信号スルーレート等のファクタが形態特定可能に制御される。幾つかの実施例においては、入力電源及び出力電源をコアの電圧供給源と異なるものとすることが可能である。1実施例においては、同一の形態特定可能な入力バッファ内の2つ又はそれ以上の差動増幅器が異なる入力基準電圧を使用する。本発明の2番目の側面によれば、I/Oパッドが入力基準電圧線へ形態特定可能に接続される。本発明の3番目の側面によれば、I/Oの基準入力が2つ又はそれ以上の入力基準電圧線のうちのいずれかへ形態特定可能に接続される。本発明の別の側面によれば、単一の入力基準電圧又は単一の出力電圧供給が各入力/出力ブロック(IOB)へ印加され、複数個のIOBが複数個の組にグループ化される。各組のIOBは別個の入力基準電圧及び/又は別個の出力電圧供給を有している。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の名称 多重I/Oスタンダードをサポートする入力/出力バッファ 発明の詳細な説明発明の背景 発明の分野 本発明は、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)に関するもの である。更に詳細には、本発明はFPGA用のコンフィギャラブル(CONFI GURABLE)即ち形態特定可能な入力/出力(I/O)バッファに関するも のである。従来技術の説明 集積回路(IC)用の既存のI/O構成体は、典型的に、特定のI/Oスタン ダードに従って機能すべく設計されている。幾つかの異なるI/Oスタンダード が使用されており、且つしばしば、新たなスタンダードが導入される。これらの I/Oスタンダードは、典型的に、出力駆動強度、レシーバ型、出力ドライバ型 、出力信号スルーレート等のファクタを包含している。1つのこのようなI/O スタンダードはGTL+スタンダードであり、それはカリフォルニア95052 −8119、サンタクララ、2200ミッションカレッジブルバード、インテル コー ポレイションから入手可能であり1995年11月に発行された「150MHz 、166MHz、180MHz及び200MHzにおけるペンチアムプロプロセ サ(PENTIUM PRO PROCESSOR AT 150MHz,16 6MHz,188MHz and 200MHz)」という題名のペンチアムプ ロプロセサデータシートの46頁乃至50頁に記載されている(「ペンチアム( Pentium)」はインテルコーポレイションによって所有されている登録商 標である)。 FPGAにおける典型的な入力/出力ブロック(IOB)は1つのI/Oスタ ンダードをサポートするに過ぎない。然しながら、FPGAは、しばしば、「糊 付け論理(glue logic)」(2個又はそれ以上のスタンダードの回路 の間をインターフェースするために使用される論理)を実現するため、従って、 しばしば、多数のICとインターフェースするために使用される。FPGAが2 つ又はそれ以上の異なるI/Oスタンダードに準拠するICとインターフェース することが可能であることが望ましい。 更に、既存のI/O構成体は、典型的に、特定の供給電圧において機能すべく 設計される。例えば、長年の間、大多数の市販されているICは5Vの供 給電圧で機能すべく設計されていた。然しながら、典型的なゲート長がIC業界 全体にわたって減少する従い、FPGA及びその他のICにおいて使用される典 型的な供給電圧は減少している。現在のところ、3.3Vで機能する多数のIC が入手可能であり、且つ2.5V及びそれ以下の電圧が一般的に論議されている 。従って、FPGAが2つ又はそれ以上の異なる供給電圧において機能する異な るICとインターフェースすることが可能であることが望ましい。 FPGA設計においては、出力を駆動するために1つの電圧を使用し且つFP GAの内部(コア)内において異なる電圧を使用することが知られている。別個 の出力電圧を供給する1つのFPGAはアルテラコーポレイションからのFLE X 10K(商標)FPGAであり、それはカリフォルニア95134−202 0、サンノゼ、2610オーチャードパークウエイ、アルテラコーポレイション から入手可能なアルテラデジタルライブラリ1990からの「FLEX 10K 埋込型プログラム可能論理ファミリィデータシート(FLEX 10K Emb edded Programmable Logic Family Data Sheet)」の54乃至59頁に開示されている(「FLEX 10K」は アルテラコーポレイションの商標である)。FLEX 10K装置においては、 出力電圧供給ピンが設けられており、それらは3.3V又は5Vのいずれかの電 源である1つの出力供給電圧のみに対して1つのグループとして接続することが 可能である。従って、既知のFPGAは、典型的に、単一の出力供給電圧を供給 するものであり、該電圧はFPGA上の全ての形態特定可能なI/Oバッファへ 印加される。 出力スルーレートもザイリンクスインコーポレイテッドからのXC3000フ ァミリィの装置を含む既知のFPGAにおいてプログラム可能なものであり、そ れは、カリフォルニア95124、サンノゼ、2100ロジックドライブ、ザイ リンクス,インコーポレイテッドから入手可能な「ザプログラマブルロジックデ ータブック(The Programmable Logic Data Bo ok)」という題名のザイリンクス1996データブックの4−292乃至4− 293頁に記載されている(その著作権の所有者であるザイリンクスインコーポ レイテッドはこれらの頁及び本明細書において参照するその他の頁をコピーする ことに対して異議を唱えるものではないが、そうでない場合には全ての著作権を 留保するものとする)。然しながら、このよう なFPGAにおいては、出力駆動強度、レシーバ型、及び出力ドライバ型等のフ ァクタは特定のI/Oスタンダードを満足するために形態特定可能であることが 既知のものではない。 幾つかのI/Oスタンダードは、入力基準電圧が供給されることを必要とする 。入力基準電圧より高い入力電圧は「高」電圧レベルであるとして解釈され、入 力基準電圧より低い入力電圧は「低」電圧レベルとして解釈される。従って、入 力基準電圧は入力信号を解釈するための「トリップ点」を確立する。知られてい る限りでは、どのFPGAもユーザが入力基準電圧を供給することを可能とする ものではない。発明の要約 本発明を完全に理解するために、最初に本発明の幾つかの側面に従って入力/ 出力バッファにおいて関与する幾つかの電圧レベルを定義することが必要である 。「コア電圧」VCCCはFPGAの内部(否I/O)部分に対して使用される 供給電圧である(1実施例においては、VCCCは、又、プレドライバ及び出力 バッファにおけるプルダウン論理用の供給電圧として使用される)。「入力供給 電圧」VCCIは入力バッファ用に使用される供給電圧である。「出力供給電圧 」VCCOは出力バッファにおける プルアップ論理用に使用される供給電圧である。用語VCCC、VCCI、VC COは、又、対応する電圧を供給する電源を指し示すためにも使用される。これ らの電圧のうちの2つ又はそれ以上は互いに接続させることが可能であり、1実 施例においては、VCCC及びVCCIが一緒に接続され且つVCCOは別のも のである。何等かのI/Oスタンダードによって必要とされる入力基準電圧は本 明細書においてはVREFとして参照する。 本発明の第一の側面は2つ又はそれ以上の異なるI/Oスタンダードのいずれ かに準拠すべく形態特定することの可能なFPGA用のコンフィギャラブル即ち 形態特定可能な入力/出力バッファを有している。本発明の1実施例においては 、入力信号を特定されたスイッチング点を有する電圧レベルにおいてFPGAへ 供給することが可能であり、その場合にその特定されたスイッチング点(入力基 準電圧)はFPGAへ外部的に供給される。1つのI/Oスタンダードから別の I/Oスタンダードに対して異なるその他のファクタも形態特定可能である。 本発明に基づく1つの入力/出力バッファは2つの形態特定可能なバッファ、 即ち入力バッファ及び出力バッファを有している。これら2つのバッファは別々 に又は集約的に形態特定することが可能であ る。幾つかの実施例においては、入力バッファのみ又は出力バッファのみが形態 特定可能である。 1実施例においては、入力バッファは特定のI/Oスタンダードを選択すべく 形態特定することが可能である。入力スタンダードはパッドから入力信号線へ3 つの入力経路の間で選択を行う入力マルチプレクサを形態特定することによって 選択されるが、それらは(1)FPGAにおいて一般的に使用されているような シュミットトリガと、(2)低入力基準電圧(約0.7V未満の電圧)に対する 差動増幅器と、(3)高入力基準電圧(約0.7Vより高い電圧)に対しての差 動増幅器とである。シュミットトリガの代わりにスタンダードの入力バッファを 使用することが可能である。差動増幅器用の入力基準電圧はI/Oスタンダード に依存し且つユーザによって供給される。1実施例においては、同一の形態特定 可能な入力バッファにおける2つ又はそれ以上の差動増幅器は異なる入力基準電 圧を使用する。 1実施例においては、特定のI/Oスタンダードを選択するために出力バッフ ァを形態特定することが可能である。I/Oスタンダードは、出力パッド線(I /Oパッドへ接続している信号線)上に一連のプルアップ(プルアップ装置)及 びプルダウン(プルダウン装置)を与えることにより、且つ適宜の供 給電圧を出力供給電圧(VCCO)パッドへ接続することによって選択される。 結果的に得られる全体的なプルアップ及びプルダウントランジスタ幅が特定のI /Oスタンダードを実現するために必要とされる値に対応するように、コンフィ ギュレーションロジック即ち形態特定論理によって1個又はそれ以上のプルアッ プ及びプルダウンをイネーブル即ち動作可能状態又はディスエーブル即ち動作不 能状態とさせる。本発明によれば、いずれの特定のスタンダードに対しても、電 圧高出力信号上の最大電圧は、出力電圧電源を所望の電圧レベルへ接続すること によってユーザによって設定される。 本発明の第二の側面によれば、I/Oパッド線がIOBにおける入力基準電圧 入力ポート(以後、「基準入力」と呼称する)を駆動する入力基準電圧線へ形態 特定することにより接続される。従って、I/Oパッドは入力基準電圧を供給す るために使用することが可能である。 本発明の3番目の側面によれば、IOBの基準入力端が形態特定することによ ってIOB内において2個又はそれ以上の使用可能な入力基準電圧のうちのいず れかへ接続される。一方、IOBの出力電圧供給源はIOB内において2個又は それ以上の使用可能な出力供給電圧のうちのいずれかへ形態特定す ることによって接続される。 本発明の第四の側面によれば、単一入力基準電圧が各IOBへ印加され、該I OBは組毎にグループ化されている。各組のIOBは別個の入力基準電圧を有し ている。1実施例においては、各入力基準電圧はFPGAダイの半分の端部上の IOBへ印加される。従って、矩形状のダイ上において、8個の別々の入力基準 電圧が印加される。これらの入力基準電圧は、リード線又はその他の手段によっ てFPGAパッケージ外側又はFPGAパッケージ内部において共に接続するこ とが可能であり、又は形態特定することによってFPGA内において接続するこ とが可能である。 本発明の5番目の側面によれば、IOBを幾つかの組にグループ化し、且つ各 組のIOBは別個の出力電圧供給源を有している。1実施例においては、各出力 電圧供給源がFPGAダイの半分の端部上のIOBへ印加される。従って、矩形 状のダイ上において、8個の別々の出力電圧供給源が8個の組のIOBへ印加さ れる。1実施例においては、入力基準電圧及び出力電圧供給源は、各々、FPG Aダイの半分のエッジ即ち端部へ印加される。従って、この実施例においては、 8個の別々の入力基準電圧及び8個の別々の出力電圧供給源が8個の組のIOB へ 印加される。図面の簡単な説明 本発明を制限するものとしてではなく例として以下の図に図示してある。 図1は本発明の第一の側面に基づく入力/出力バッファの概略的表示を示して いる。 図2は図1の実施例において使用することの可能な従来のプレドライバの概略 的表示を示している。 図2Aは図2の従来のプレドライバ用の状態表を示している。 図3は図1の入力バッファ部分の詳細な概略表示を示している。 図4は図3の入力バッファにおけるシュミットトリガの概略的表示を示してい る。 図5は図3の入力バッファにおけるNMOS差動増幅器の概略的表示を示して いる(NMOS差動増幅器は入力及びVREFがNチャンネルトランジスタへ接 続される差動増幅器である)。 図6は図3の入力バッファにおけるPMOS差動増幅器の概略表示を示してい る(PMOS差動増幅器は入力及びVREFがPチャンネルトランジスタへ接続 される差動増幅器である)。 図7は同一の形態特定可能な入力バッファにおける2つの差動増幅器が異なる 入力基準電圧を使用す る場合の本発明の別の実施例に基づく形態特定可能な入力バッファを示している 。 図8は本発明の2番目の側面に基づいてI/Oパッドが入力基準電圧線へ形態 特定可能に接続されているFPGA IOBを示している。 図9は本発明の3番目の側面に基づいて基準入力が2つの使用可能な入力基準 電圧線のうちのいずれかへ形態特定可能に接続されているIOBを示している。 図9Aは単一のIOBにおける2つの出力電圧供給源のうちのいずれかを形態 特定することによって使用することの可能な構成体を示している。 図10は基準入力を2つの使用可能な入力基準電圧のうちのいずれかへ形態特 定可能に接続し且つI/Oパッドを2つの使用可能な入力基準電圧線のうちのい ずれかへ形態特定可能に接続しているIOBを示している。 図11は8個の別々の入力基準電圧及び8個の別々の出力電圧供給源を具備す るFPGA I/Oパッドリングの簡単化した図を示している。発明の詳細な説明 本発明の幾つかの実施例について説明する。以下の説明においては、本発明の より完全な理解を与えるために多数の特定の詳細について記載する。然し ながら、本発明はこれらの特定の詳細なしで実施することが可能であることは当 業者にとって明らかである。その他の場合においては、本発明を不必要にぼやか すことを回避するために公知の特徴についての詳細な説明は割愛してある。本発明の第一の側面 図1は本発明の第一の側面に基づく入力/出力バッファを示している。図1の 入力/出力バッファは、(1)出力信号線OUT及びイネーブル信号EN及び駆 動信号線UPB及びDNによって駆動されるプレドライバ196、(2)信号線 UPB及びDN及び駆動用パッド線197によって駆動される出力バッファ19 8、(3)パッド線197へ結合しているパッド180、(4)パッド線197 及び駆動用入力信号線INによって駆動される入力バッファ199を有している 。 出力バッファ198において信号線UPBは2入力ANDゲート118を駆動 し、該ゲートはパッド線197へ接続しているPMOSプルアップ108を駆動 する(ANDゲート118はインバータが続くNANDゲートとして実現するこ とが可能である)。ANDゲート118への2番目の入力はコンフィギュレーシ ョン(形態特定)メモリセル128におけるコンフィギュレーションビットであ る(コンフィ ギュレーションメモリセルは「x」を含むボックスによって図中に示されている )。従って、メモリセル128は、オープンドレイン出力が必要とされる場合に プルアップ108をディスエーブルするために使用することが可能である。信号 線UPBは、更に、アクティブ高プルアップ信号PUPを発生するインバータ1 33を駆動する。信号線DNはパッド線197へ接続しているNMOSプルダウ ン109を直接的に駆動し、更に、アクティブ低プルダウン信号PDNBを発生 するインバータ134を駆動する。1実施例においては、インバータ133,1 34は遅延要素として機能すべく設計され、プルアップ108及びプルダウン1 09が、出力バッファ198内のその他のプルアップ又はプルダウンより前にア クティブ即ち活性状態となることを確保し、それによりグラウンドバウンス(g round bounce)即ち接地跳ね返りを減少させる。 出力バッファ198は、更に、4個のプルアップ100,101,102,1 03を有している。図1の実施例においては、プルアップ100,101,10 2,103,108はPMOSトランジスタとして実現されているが、NMOS トランジスタ又は抵抗を使用することが可能である。この実施例においては、各 プルアップ100,101,102,1 03は、夫々、2入力NANDゲート110,111,112,113によって 駆動される。各NANDゲート110,111,112,113はコンフィギュ レーションメモリセル120,121,122,123の1つにおけるコンフィ ギュレーション(形態特定)ビットによって夫々イネーブル又はディスエーブル される。この実施例においては、コンフィギュレーションメモリセル120,1 21,122,123,128のうちの1つにおけるコンフィギュレーションビ ットが高電圧レベルにある場合に、対応するプルアップがイネーブルされ、且つ プルアップ信号PUPが高へ移行する場合には、パッド線197は高へプルされ る。 コンフィギュレーションメモリセル120,121,122,123内のコン フィギュレーションビットを使用して、1個、2個、3個又は4個のプルアップ を形態特定可能にイネーブルさせることが可能である(然しながら、形態特定可 能にイネーブルされたプルアップは、プルアップ信号PUPが高へ移行するまで アクティブ即ち活性状態となることはない)。異なるI/Oスタンダードが必要 とされる場合には、イネーブルされるプルアップの数を変化させることが可能で ある。プルアップ幅における1:2:4:8の比が広い範囲の出力駆動能力を与 え、 最も幅狭のプルアップの幅の1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11 ,12,13,14,15倍の全形態特定可能なプルアップ幅の形式を可能とす ることが判明した。この全形態特定可能プルアップ幅(形態特定可能にイネーブ ルされるプルアップ100,101,102,103のものから構成されている )は、次いで、プルアップ100の幅に付加されて全プルアップ幅を構成する。 プルアップをイネーブル及びディスエーブルするための異なるタイプ(型)のコ ンフィギュレーションロジック即ち形態特定論理を使用することが可能であり、 例えば各プルアップと直列した別個の形態特定可能なイネーブル用ゲートを使用 することが可能である。異なる数のプルアップ又は異なる幅のプルアップを設け ることが可能である。上昇エッジ出力信号のスルーレートを、例えば、各制御用 のNANDゲート又はその他の回路に異なるライズタイム即ち上昇時間又はフォ ールタイム即ち下降時間を与えることによって、又は異なるプルアップが異なる 時間においてアクティブ即ち活性状態となるようにプルアップ信号PUP内に遅 延要素を挿入することによって、各プルアップがターンオンするレート即ち速度 を制御することによって制御することが可能である。これら及びその他の修正例 は本発明の範囲内のもので ある。 出力バッファ198は、更に、パッド線197を接地電圧レベルGNDへプル することの可能な4個のプルダウン104,105,106,107(プルダウ ン109に加えて)を有している。プルダウン104,105,106,107 は、この実施例においては、夫々、2入力NORゲート114,115,116 ,117によって制御される。各NORゲート114,115,116,117 は、夫々、コンフィギュレーションメモリセル124,125,126,127 の1つにおけるコンフィギュレーションビットによってイネーブル又はディスエ ーブルされる。この実施例においては、コンフィギュレーションメモリセル12 4,125,126,127のうちの1つにおけるコンフィギュレーションビッ トが低電圧レベルにある場合には、対応するプルダウンがイネーブルされる。コ ンフィギュレーションプルアップの場合におけるように、コンフィギュレーショ ンプルダウンに対しても多くの修正例を施すことが可能であり且つこれらの修正 例は本発明の範囲内のものである。 この実施例においては、出力バッファ198のプルアップ側における全論理( プルアップ100,101,102,103,108、NANDゲート1 10,110,111,112,113、ANDゲートP118、インバータ1 33を有している)は正の電圧供給源として出力電圧供給源VCCOを使用して いる。出力バッファ198のプルダウン側における全論理(NORゲート114 ,115,116,117及びインバータ134を有している)は正の電圧供給 源としてコアの供給電圧VCCC(図1に示していないVCCCへの接続)を使 用する。 1実施例においては、出力バッファ198における装置寸法は以下の如くであ る。1つの数字はミクロン単位での装置幅を表わし、且つ「p/n」としてフォ ーマット化されている2つの数字は論理ゲートにおけるPチャンネル装置及びN チャンネル装置のそれぞれのミクロン単位でのゲート幅を表わしている。全ゲー ト長は特にことわりがない限り0.25マイクロンであり、そうでない場合には 、全ゲート長はミクロン単位で与えられている。「Nチャンネル」という用語は Nチャンネルトランジスタを示している。「Pチャンネル」という用語はPチャ ンネルトランジスタを示している。 プルアップ100: 40 プルダウン104: 40 プルアップ108: 40 プルアップ101: 80 プルダウン105: 80 プルダウン109: 40 プルアップ102: 160 プルダウン106: 160 インバータ133: 8/4(ゲート長0.5) プルアップ103: 320 プルダウン107: 320 インバータ134: 8/4(ゲート長0.5) NANDゲート110: 4/4 NORゲート114: 4/4 NANDゲート111: 8/8 NORゲート115: 8/8 NANDゲート112: 16/16 NORゲート116: 16/16 NANDゲート113: 32/32 NORゲート117: 32/32 図1は、又、コンフィギャラブル即ち形態特定可能な入力バッファ199の簡 単化した概略図を示している。入力バッファ199は入力マルチプレクサ160 を有しており、該マルチプレクサは所望のI/Oスタンダードと適合性を有する 入力経路を選択するためにコンフィギュレーションメモリセル171,172に おけるコンフィギュレーションビットによって形態特定されている。マルチプレ クサ16 0は選択された入力経路からの信号を入力信号線INへ通過させる。入力マルチ プレクサ160は3個の入力を有している。マルチプレクサ160への1つの入 力はシュミットトリガ150によって供給される(シュミットトリガは入力バッ ファ設計の技術分野における当業者にとって公知である)。イネーブルされると 、シュミットトリガ150は該信号をパッド線197上へ通過させる。入力マル チプレクサ160への第二入力は差動増幅器140によって供給され、該増幅器 は、1実施例においては、パッド線197上の電圧レベルを基準入力VREF上 の入力基準電圧と比較するNMOS差動増幅器である。 パッド線197上の電圧レベルが基準入力VREF上の入力基準電圧よりも高い 場合には、NMOS差動増幅器140の出力は高であり、そうでなければ該出力 は低である。NMOS差動増幅器140は、基準入力VREF上の入力基準電圧 が約0.7Vより高い場合にのみ正確に機能する。従って、1実施例においては 、NMOS差動増幅器140は、約0.7Vより高い入力基準電圧を特定するI /Oスタンダードに準拠する場合にのみアクティブ即ち活性状態として形態特定 される。入力マルチプレクサ160への3番目の入力は差動増幅器141によっ て供給され、該増幅器は、1実施例においては、PMO S差動増幅器である。1実施例においては、PMOS差動増幅器141は約0. 7Vより低い入力基準電圧を特定するI/Oスタンダードに準拠する場合にのみ 、アクティブ即ち活性状態として形態特定される。1実施例においては、コンフ ィギュレーションロジック即ち形態特定論理が未使用のシュミットトリガ及び/ 又は差動増幅器をディスエーブル即ち動作不能状態とさせ電力消費を減少させる 。然しながら、この能力は本発明の入力/出力バッファの基本的な部分ではない 。基準入力VREF上の入力基準電圧はI/Oスタンダードに依存し且つユーザ によって供給される。 この実施例においては、入力バッファ199は正の電圧供給源として入力供給 電圧VCCI(図1には示していない)を使用する。 本発明の1実施例においては、各入力/出力バッファは別々に形態特定するこ とが可能である。然しながら、2個又はそれ以上の入力/出力バッファが同一の コンフィギュレーションビット即ち形態特定ビットによって制御されるようにそ れらをグループ化させることが可能である。本発明の別の実施例においては、形 態特定可能な入力バッファのみを設けることが可能である。本発明の更に別の実 施例においては、形態特定可能な出力バッファのみを設ける ことが可能である。 図2は出力バッファ設計の技術において公知の従来のプレドライバ196を示 している。アクティブ高イネーブル信号ENがインバータ201によって反転さ れてアクティブ低イネーブル信号ENBを発生する。アクティブ高イネーブル信 号EN及び出力信号線OUTは2入力NANDゲート202を駆動し、該ゲート は信号線UPBを発生する。アクティブ低イネーブル信号ENB及び出力信号線 OUTは2入力NORゲート203を駆動し、該ゲートは信号線DNを発生する 。入力信号OUT,EN及び出力信号UPB,DNに対する状態表(state −table)を図2Aに示してある。図2Aから、プルアップ100,101 ,102,103,108は、出力信号線OUT及びイネーブル信号ENの両方 が高である場合にのみ活性化される(即ち、信号線UPBのみが低である)こと が理解される。形態特定可能なプルダウン104,105,106,107は、 出力信号線OUTが低であり且つイネーブル信号ENが高である場合にのみ活性 化される(即ち、信号線DNのみが高である)。 この実施例においては、プレドライバ196(NANDゲート202を有して いる)のプルアップ側の全論理は正の電圧供給源として出力電圧供給源V CCO(図2には示していない)を使用する。プレドライバ196のプルダウン 側における全論理(NORゲート203及びインバータ201を有している)は 、正の電圧供給源としてコア供給電圧VCCC(図2には示していない)を使用 する。 図3は図1の入力バッファ199のより詳細な概略図を示している。この実施 例においては、図1のマルチプレクサ160が3個の伝達ゲート360,361 ,362として実現されており、各ゲートは1個のNチャンネルトランジスタと 1個のPチャンネルトランジスタとを有している。伝達ゲート362は形態特定 可能にNMOS差動増幅器340の出力を入力信号線INへ通過させ、コンフィ ギュレーションメモリセル172におけるコンフィギュレーションビット及びイ ンバータ375によって発生される線380上のその補元信号によってイネーブ ルされる。伝達ゲート361はPMOS差動増幅器341の出力を形態特定可能 に入力信号線INへ通過させ、コンフィギュレーションメモリセル171におけ るコンフィギュレーションビット及びインバータ374によって発生される信号 線379上のその補元信号によってイネーブルされる。伝達ゲート360はシュ ミットトリガ350の出力を形態特定可能に入力信号線INへ通過させ、NOR ゲート37 3の出力(信号線376)及びインバータ377によって発生される信号線37 8上のその補元信号によってイネーブルされる。NORゲート373はコンフィ ギュレーションメモリセル171,172におけるコンフィギュレーションビッ トによって駆動される。 1実施例においては、図3の入力バッファにおける装置寸法は以下の如くであ る。 インバータ374: 1/1 インバータ375: 1/1 インバータ377: 1/1 伝達ゲート360: 3/3 伝達ゲート361: 3/3 伝達ゲート362: 3/3 NORゲート373: 1/1 図4は図3の入力バッファにおけるシュミットトリガ350の概略表示を示し ている。シュミットトリガ350の動作についての本明細書における説明は割愛 する。何故ならば、シュミットトリガ入力バッファは当該技術分野において慣用 されているからである。このような1つのシュミットトリガは「シュミットトリ ガを具備するTTL/CMOS互換性入力バッファ(TTL/CMOS Com patible Input Buffer with S chmitt Trigger)」という名称の米国再発行特許第34,808 号に記載されている。 然しながら、1つの特徴がシュミットトリガ350を典型的なシュミットトリ ガから区別させており、且つそれはイネーブル及びディスエーブルされる能力で ある。シュミットトリガ350は伝達ゲート405のNチャンネル及びPチャン ネルトランジスタを夫々駆動するイネーブル信号線376及び378によって、 Nチャンネルトランジスタ406を駆動するイネーブル信号線378によって、 且つPチャンネルトランジスタ407を駆動するイネーブル信号線376によっ て制御される。線376上の信号が高であり且つ線378上の相補的信号が低で ある場合には、シュミットトリガ350は典型的なシュミットトリガとして機能 する。線376上の信号が低であり且つ線378上の相補的信号が高である場合 には、シュミットトリガ350はディスエーブルされて電力を節約する。ディス エーブルされると、シュミットトリガ350は、パッド線197上の電圧に拘ら ずに、入力電源VCCIから電流を最早引出すことはない。 1実施例においては、図4のシュミットトリガにおける装置寸法は以下の如く である。 Pチャンネル401: 20 Nチャンネル402: 11 Nチャンネル403: 9 伝達ゲート405: 2/2 Nチャンネル406: 2 Nチャンネル404: 11 インバータ420: 12/6 Pチャンネル407: 2 図5は図3の入力バッファにおけるNMOS差動増幅器340の概略表示を示 している。NMOS差動増幅器340の動作は本明細書においては割愛する。何 故ならば、NMOS差動増幅器は当該技術分野において慣用されているからであ る。このような1つのNMOS差動増幅器はアジソン・ウエズリィ出版社によっ て1993年に出版されたNeil H.E.WESTE及びKamran E shraghian著「CMOSVLSI設計の原理:システム概観(Prin ciples of CMOS VLSI Design:A Systems Perspective)」、第二版、の84乃至86頁に記載されている。 然しながら、1つの特徴がNMOS差動増幅器340を典型的なNMOS差動 増幅器から区別しており、且つそれはイネーブル及びディスエーブルされる能力 である。NMOS差動増幅器340は、伝達 ゲート505のNチャンネル及びPチャンネルトランジスタを夫々駆動するイネ ーブル信号線372及び380によって及びNチャンネルトランジスタ506を 駆動するイネーブル信号線380によって制御される。線372上の信号が高で あり且つ線380上の相補的信号が低である場合には、NMOS差動増幅器34 0は典型的なNMOS差動増幅器として機能する。線372上の信号が低であり 且つ線380上の相補的信号が高である場合には、NMOS差動増幅器340は ディスエーブルされて電力を節約する。ディスエーブルされると、NMOS差動 増幅器340は、パッド線197上の電圧に拘らずに、入力電源VCCIから最 早電流を引出すことはない。 1実施例においては、図5のNMOS差動増幅器における装置寸法は以下の如 くである。 Pチャンネル532: 18 Pチャンネル533: 18 Pチャンネル534: 2 伝達ゲート505: 2/2 Nチャンネル530: 55 Nチャンネル531: 55 インバータ520: 18/6 Nチャンネル560: 2 Nチャンネル504: 12 図6は図3の入力バッファにおけるPMOS差動増幅器341の概略表示を示 している。PMOS差動増幅器341の動作は本明細書においては割愛する。何 故ならば、PMOS差動増幅器は当該技術分野において慣用されているからであ る。PMOS差動増幅器341はNMOS差動増幅器340と同じ態様で動作す る。図5及び6を比較すると、接地電圧レベルGNDと入力供給電圧VCCIが 逆になっており且つNチャンネル及びPチャンネルトランジスタが逆になってい る点を除いてこれら2つの回路は鏡像であることが理解される。Nチャンネル及 びPチャンネル装置の間の差のために、トランジスタ幅もこれら2つの差動増幅 器において異なっている。 1つの特徴がPMOS差動増幅器341を典型的なPMOS差動増幅器から区 別しており、且つそれはイネーブル及びディスエーブルされる能力である。PM OS差動増幅器341は伝達ゲート605のNチャンネル及びPチャンネルトラ ンジスタを夫々駆動するイネーブル信号線371及び379によって、且つPチ ャンネルトランジスタ606を駆動するイネーブル信号線371によって制御さ れる。線371上の信号が高であり且つ線379上の相補的信号が低である場合 には、PMOS差動増幅器341は典型的なPMOS差動増幅器として機能する 。線3 71上の信号が低であり且つ線379上の相補的信号が高である場合には、PM OS差動増幅器341はディスエーブルされて電力を節約する。ディスエーブル されると、PMOS差動増幅器341は、パッド線197上の電圧に拘らずに、 入力電源VCCIから最早電流を引出すことはない。 1実施例において、図6のPMOS差動増幅器における装置寸法は以下の如く である。 Nチャンネル632: 22.5 Nチャンネル633: 22.5 Nチャンネル634: 2 伝達ゲート605: 2/2 Pチャンネル630: 65 Pチャンネル631: 65 インバータ620: 11.25/22.5 Pチャンネル606: 2 Pチャンネル604: 22.5本発明の2番目の実施例 図7は本発明の2番目の実施例に基づくコンフィギャラブル即ち形態特定可能 な入力バッファを示している。図7の入力バッファは図3の入力バッファに類似 しているが、入力基準電圧線VREFI及びVREF2上に2つの別個の入力基 準電圧が供給される点が異なっている。NMOS差動増幅器340 はパッド線197上の電圧レベルを入力基準線VREF1上の入力基準電圧と比 較する。PMOS差動増幅器341はパッド線197上の電圧レベルを入力基準 線VREF2上の入力基準電圧と比較する。本発明の2番目の側面 図8は本発明の2番目の側面に基づくIOBを示している。図8のIOBはプ レドライバ196と、出力バッファ798と、パッド180と、入力バッファ7 99とを有している。この実施例においては、I/Oパッド180は入力基準電 圧VREFを供給するため又は信号パッドとして使用することが可能である。パ ッド180へ接続されているパッド線197は伝達ゲート702を介して入力基 準電圧線(この実施例においては、基準入力VREFと同じ)へ形態特定可能に 接続されている。伝達ゲート702はコンフィギュレーションメモリセル703 内のコンフィギュレーションビット及びインバータ701によって発生されるそ の補元によってイネーブルされる。入力基準電圧はこのような態様で伝達ゲート 702を介して入力バッファへ移行することが可能である。何故ならば、伝達ゲ ート702はそれを介しての信号通過に関し電圧レベルにおける降下を発生する ことがないからである。入力バッファ799は図1の入力バッファ199と同じ くコンフィギャ ラブル即ち形態特定可能なものとさせることが可能であるが、非コンフィギャラ ブル即ち形態特定不可能なバッファを使用することも可能である。出力バッファ 798は図1の出力バッファ198と同じく形態特定可能なものとすることが可 能であるが、形態特定不可能なバッファを使用することも可能である。 この構成は、任意の形態特定可能なIOBから入力基準電圧を供給するために 使用することが可能である。本発明の3番目の側面 図9は本発明の3番目の側面に従って、基準入力VREFが2つの使用可能な 入力基準電圧のうちのいずれか一方へ形態特定可能に接続されているIOBを示 している。この実施例においては、マルチプレクサ802が2つの入力基準線V REF1及びVREF2の間で選択を行う。マルチプレクサ802はメモリセル 801内に格納されているコンフィギュレーションビットによって制御される。 マルチプレクサ802は基準入力VREFを入力バッファ799へ供給する。そ の他の実施例においては、2個を超える入力基準電圧を使用することが可能であ り、且つ2入力マルチプレクサ802は1つを超えるコンフィギュレーションビ ットによって制御されるよ り幅広のマルチプレクサによって置換される。これ及びその他の修正例は本発明 の範囲内のものである。 同様に、IOBの出力電圧供給は2つ又はそれ以上の使用可能な出力供給電圧 (VCCO)のうちのいずれかへIOBにおいて形態特定可能に接続することが 可能である。図9Aに示した1実施例においては、出力パッド197上の各プル アップ103が2つ又はそれ以上の付加的なPチャンネルトランジスタ901, 902と直列接続されており、その各々は異なる出力供給電圧(VCCO1,V CCO2)へ接続しており、且つその各々はメモリセル911,912のうちの 1つにおけるコンフィギュレーションビットによって形態特定可能にイネーブル 又はディスエーブルさせることが可能である。1実施例においては、2つの出力 供給電圧がFPGA内の各IOBに対して使用可能であり、且つ各IOBは該2 つの出力供給電圧のうちのいずれかを使用するために独立的に形態特定すること が可能である。 図10は図8及び9の新規な側面を結合する本発明の実施例を示している。こ の実施例においては、I/Oパッド180は(1)2つの入力基準電圧のうちの 1つを入力基準線VREF1及びVREF2へ供給するため、又は(2)基準入 力を供給するために入力基準線VREF1及びVREF2のうちの いずれかを使用する入力バッファ799を具備する入力パッドとして使用するこ とが可能である。I/Oパッド180は伝達ゲート805及び808を介して、 夫々、入力基準線VREF1及びVREF2へ形態特定可能に接続されている。 伝達ゲート805はコンフィギュレーションメモリセル804内のコンフィギュ レーションビット及びインバータ803によって発生されるその補元によってイ ネーブルされる。伝達ゲート808はコンフィギュレーションメモリセル807 内のコンフィギュレーションビット及びインバータ806によって発生されるそ の補元によってイネーブルされる。図9を参照して説明したように、マルチプレ クサ802はVREF1及びVREF2の間でプログラミングによって選択を行 い且つ基準入力VREFを発生する。図10は本発明の範囲内のものである多数 の結合及び変形例のうちの1つのみを示している。本発明の4番目及び5番目の側面 図11は4つの全てのエッジ即ち端部に沿って複数個のIOBを示しているF PGAI/Oパッドリングの簡単化した図を示している(FPGAは、典型的に 、図11に示したものよりも多数のIOBを有しているが、図面をぼやかすこと がないように単に32個のIOBが示されているに過ぎない)。図 11のFPGAは8組のIOBを有しており、8個の別々の入力基準電圧及び8 個の別々の出力電圧供給源が設けられている。従って、各組のIOBは少なくと も1個の関連する入力基準電圧パッドと少なくとも1個の関連する出力供給電圧 パッドとを有している。異なる組のIOBと関連している入力基準電圧パッドが 互いに電気的に分離されており、且つ異なる組のIOBと関連している出力供給 電圧パッドが互いに電気的に分離されている。然しながら、異なる入力基準電圧 パッド及び/又は異なる基準電圧パッドをFPGA外部において一緒に接続する ことが可能である。1実施例においては、各組の10Bと関連している1個又は それ以上の出力供給電圧パッドからなる1つの組が存在している。各組のIOB はこのような組の出力供給電圧パッドのうちの異なる1つへ接続可能である。 図11の実施例においては、各エッジ即ち端部は2つの別個の入力基準電圧線 (VREF1及びVREF2、VREF3及びVREF4、VREF5及びVR EF6、VREF7及びVREF8)及び2つの別個の出力電圧線(VCCO1 及びVCCO2、VCCO3及びVCCO4、VCCO5及びVCCO6、VC CO7及びVCCO8)を有している。従って、図11のFPGAは最大で8個 の異なるI /Oスダンードに準拠して他のICとインターフェースすることが可能である。 別個の入力基準電圧及び出力電圧供給源の数は2個、4個、16個又はその他の 任意の数とすることが可能である。本発明のこの側面は、更に、FPGA以外の ICへ適用することが可能である。本発明の利点 本発明の1番目の側面に基づく形態特定可能な入力/出力バッファは2つ又は それ以上の異なるI/Oスタンダートとの互換性があるという利点を提供してい る。1実施例においては、各I/Oは別個に形態特定することが可能である。別 の実施例においては、幾つかのI/Oを1つのグループとして形態特定する。従 って、単一のFPGAは2つ又はそれ以上の異なるI/Oスタンダードに準拠す る2つ又はそれ以上の異なるICと同時にインターフェースすることが可能であ る。各入力/出力バッファが準拠するI/Oスタンダードは単にFPGAを再度 形態特定することによって変更することが可能であるので、その結果得られるF PGAは柔軟性のある入力/出力インターフェースを有しており、それは、又、 I/Oスタンダード及び動作電圧レベルにおける変化に対して半導体業界と共に 適合することが可能である。 I/Oパッドの1つ又はそれ以上の入力基準線に対する形態特定可能な接続は 、I/Oパッドが本発明の2番目の側面に従って、入力基準電圧を供給すること を可能とする。本発明のこの側面は、FPGAにおいて柔軟性のあるピンアウト 割当ての利点を提供している。本発明のこの側面によれば、入力基準電圧を任意 の形態特定可能なI/Oパッドへ印加することが可能である。本発明の3番目の 側面に基づく2つ又はそれ以上の入力基準電圧線のうちのいずれかへ形態特定可 能に接続される基準入力は、幾つかの入力基準線の各々をFPGA内の全ての入 力/出力バッファへ供給することを可能とさせる。 本発明の4番目及び5番目の側面に基づく入力基準電圧及び/又は出力電圧供 給源の分離は、FPGAを異なる電圧レベルで動作する複数個のICと比較的容 易にインターフェースさせることを可能とする。 従って、本発明はFPGA又はその一部における多数の新規な側面を具備する 入力/出力インターフェースを提供するものであることが理解される。 本発明の関連技術における当業者は、本明細書の好適実施例の開示の結果とし て可能とされる種々の修正例及び付加を想起するものである。従って、このよう な修正例及び付加の全ての本発明の範囲内に 入るものと思料され、本発明の範囲は添付の請求の範囲及びそれらの均等物によ ってのみ制限されるべきものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 コンダパリー,ベニュ エム. アメリカ合衆国,カリフォルニア 95014, クパチーノ,ミラー アベニュー 10200, ナンバー 301

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.入力/出力バッファにおいて、 パッド線によって駆動される入力バッファ、 前記パッド線を駆動する出力バッファであって、複数個の形態特定可能なプル アップ及び複数個のプルダウンを有している出力バッファ、 複数個の供給電圧のうちの1つを前記出力バッファへ形態特定可能に接続する 手段、 を有しており、前記出力バッファを複数個のI/Oスタンダードに従って形態特 定することが可能である入力/出力バッファ。 2.フィールドプログラマブルゲートアレイにおける入力/出力バッファに おいて、前記入力/出力バッファが、 複数個の入力経路を具備している形態特定可能な入力バッファであってパッド 線によって駆動される形態特定可能な入力バッファ、 前記パッド線を形態特定可能に駆動する出力バッファ、 前記入力バッファが複数個のI/Oスタンダードに従って形態特定することが 可能であるように前記複数個の入力経路のうちの1つを選択するために前記入力 バッファを形態特定するコンフィギュレーションメモリセル、 を有している入力/出力バッファ。 3.形態特定可能な出力バッファにおいて、 前記出力バッファによって駆動されるパッド線、 前記パッド線を高電圧レベルへプルする複数個のプルアップ、 前記パッド線を低電圧レベルへプルする複数個のプルダウン、 前記複数個のプルアップのうちの選択したものをイネーブル及びディスエーブ ルさせる手段、 前記複数個のプルダウンのうちの選択したものをイネーブル及びディスエーブ ルさせる手段、 を有している形態特定可能な出力バッファ。 4.請求項3の形態特定可能な出力バッファにおいて、前記複数個のプルア ップのうちの選択したものをイネーブル及びディスエーブルさせる前記手段及び 前記複数個のプルダウンのうちの選択したものをイネーブル及びディスエーブル させる前記手段の各々が1個又はそれ以上のコンフィギュレーションメモリセル によって制御される形態特定論理を有していることを特徴とする形態特定可能な 出力バッファ。 5.複数個の供給電圧レベルと適合性を有する フィールドプログラマブルゲートアレイ入力/出力ブロックにおいて、 パッド、 入力信号線、 複数個の入力経路を具備する入力バッファであって、前記パッド上の電圧に応 答して前記入力信号線へ入力電圧を供給し、1つ又はそれ以上のコンフィギュレ ーションメモリセル内に格納されているデータに基づいて前記複数個の入力経路 のうちの選択した1つに対して形態特定することの可能な入力バッファ、 少なくとも1つのこのような経路上において、前記入力電圧を前記パッド上の 電圧と関連付けるために高及び低電圧レベルの間のトリップ点を設定するために 前記IC外部から供給される入力基準電圧に応答するレベル選択手段、 を有しているフィールドプログラマブルゲートアレイ入力/出力ブロック。
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