|
JP4145437B2
(ja)
*
|
1999-09-28 |
2008-09-03 |
住友電気工業株式会社 |
単結晶ＧａＮの結晶成長方法及び単結晶ＧａＮ基板の製造方法と単結晶ＧａＮ基板
|
|
JP2001144014A
(ja)
*
|
1999-11-17 |
2001-05-25 |
Ngk Insulators Ltd |
エピタキシャル成長用基板およびその製造方法
|
|
IL159165A0
(en)
*
|
2001-06-06 |
2004-06-01 |
Ammono Sp Zoo |
Process and apparatus for obtaining bulk monocrystalline gallium containing nitride
|
|
US6488767B1
(en)
*
|
2001-06-08 |
2002-12-03 |
Advanced Technology Materials, Inc. |
High surface quality GaN wafer and method of fabricating same
|
|
EP1453158A4
(en)
*
|
2001-10-26 |
2007-09-19 |
Ammono Sp Zoo |
NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
|
|
PL225235B1
(pl)
*
|
2001-10-26 |
2017-03-31 |
Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością |
Objętościowy monokryształ azotkowy oraz jego zastosowanie jako podłoże do epitaksji
|
|
AU2002354467A1
(en)
*
|
2002-05-17 |
2003-12-02 |
Ammono Sp.Zo.O. |
Light emitting element structure having nitride bulk single crystal layer
|
|
WO2003097906A1
(en)
*
|
2002-05-17 |
2003-11-27 |
Ammono Sp.Zo.O. |
Bulk single crystal production facility employing supercritical ammonia
|
|
US20060138431A1
(en)
*
|
2002-05-17 |
2006-06-29 |
Robert Dwilinski |
Light emitting device structure having nitride bulk single crystal layer
|
|
CN100339512C
(zh)
*
|
2002-06-26 |
2007-09-26 |
波兰商艾蒙诺公司 |
获得大单晶含镓氮化物的方法的改进
|
|
US7811380B2
(en)
*
|
2002-12-11 |
2010-10-12 |
Ammono Sp. Z O.O. |
Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
|
|
AU2003285769A1
(en)
*
|
2002-12-11 |
2004-06-30 |
Ammono Sp. Z O.O. |
A substrate for epitaxy and a method of preparing the same
|
|
JP4511801B2
(ja)
*
|
2003-03-14 |
2010-07-28 |
株式会社リコー |
Ｉｉｉ族窒化物結晶の研磨方法およびｉｉｉ族窒化物結晶および半導体デバイス
|
|
CN1723548A
(zh)
*
|
2003-06-16 |
2006-01-18 |
住友电气工业株式会社 |
加工氮化物半导体晶体表面的方法和由该方法得到的氮化物半导体晶体
|
|
PL1769105T3
(pl)
*
|
2004-06-11 |
2014-11-28 |
Ammono S A |
Objętościowy monokrystaliczny azotek galu oraz sposób jego wytwarzania
|
|
PL371405A1
(pl)
*
|
2004-11-26 |
2006-05-29 |
Ammono Sp.Z O.O. |
Sposób wytwarzania objętościowych monokryształów metodą wzrostu na zarodku
|
|
JP2007299979A
(ja)
*
|
2006-05-01 |
2007-11-15 |
Sumitomo Electric Ind Ltd |
Ｉｉｉ族窒化物結晶の表面処理方法およびｉｉｉ族窒化物結晶基板
|
|
KR101363316B1
(ko)
|
2006-07-26 |
2014-02-14 |
프라이베르게르 컴파운드 마터리얼스 게엠베하 |
Ⅲ-ｎ 기판의 평활화방법
|
|
US7585772B2
(en)
*
|
2006-07-26 |
2009-09-08 |
Freiberger Compound Materials Gmbh |
Process for smoothening III-N substrates
|
|
JP2009272380A
(ja)
|
2008-05-01 |
2009-11-19 |
Sumitomo Electric Ind Ltd |
Ｉｉｉ族窒化物結晶およびその表面処理方法、ｉｉｉ族窒化物積層体およびその製造方法、ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法
|