JP2001513268A - 弾性被覆を備えた基板を有する薄膜部品 - Google Patents
弾性被覆を備えた基板を有する薄膜部品Info
- Publication number
- JP2001513268A JP2001513268A JP53352899A JP53352899A JP2001513268A JP 2001513268 A JP2001513268 A JP 2001513268A JP 53352899 A JP53352899 A JP 53352899A JP 53352899 A JP53352899 A JP 53352899A JP 2001513268 A JP2001513268 A JP 2001513268A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- film component
- layer
- thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 15
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 11
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 58
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003336 CuNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/006—Thin film resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
- H01F27/292—Surface mounted devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
Abstract
(57)【要約】
本発明は、例えばコンデンサ、抵抗、コイル及びこれらの組合せ等の薄膜部品に関するものである。該部品は電気絶縁材料(好ましくは、ガラス)の基板を有し、該基板には2つのU字状の側部接触子及び電気的構体が設けられ、該電気的構体は上記両側部接触子に電気的に接続されている。本発明は、可撓性の層(好ましくは、ポリイミド)が上記基板と上記U字状側部接触子の各々の両脚部の少なくとも一方との間に配置されると共に該可撓性層が上記基板の表面上に直に設けられ、該可撓性層の材料の弾性係数が50GPaよりも小さいことを特徴としている。このような対策により、本部品は標準曲げ試験に対して一層良好な抗力を示すようになる。結果として、これら部品が可撓性PCB又は振動を受けるPCBに使用される場合は、製品故障率が減少する。
Description
【発明の詳細な説明】
弾性被覆を備えた基板を有する薄膜部品
技術分野
本発明は、電気的絶縁材料の基板を有し、該基板にはU字状の側部接触子と電
気的構体とが設けられ、該電気的構体が上記両側部接触子に電気的に接続されて
いるような薄膜部品に関する。斯かる電気的構体の例は、抵抗膜、コンデンサ構
体、コイル構体及びこれらの組合せを含む。
背景技術
冒頭で述べたような型式の薄膜部品自体は既知である。例えば、米国特許第44
53199号には、この型式の薄膜コンデンサが示されている。更に詳細には、該コ
ンデンサはガラスの基板を有し、該基板上にはコンデンサ構体が真空蒸着及びス
パッタリングにより設けられている。このコンデンサ構体は、アルミニウム又は
ニッケルの電極層と、二酸化ケイ素の誘電体層とからなっている。該コンデンサ
構体には、更に、ポリイミドのような合成樹脂の不活性化又は絶縁被覆層が設け
られている。該コンデンサは、上記コンデンサ構体が上記基板と被覆層との間に
位置されるように構成されている。この既知の部品は、2つの側部接触子も有し
ている。これらの側部接触子は、スパッタリングにより設けられるクロム、ニッ
ケル及び銀の3層構造からなっている。
実際には、上記既知の型式の薄膜部品が大きな欠点、即ち、この型式の部品の
許容することができないくらい高い割合が標準曲げ試験を通らないという欠点を
有していることが分かった。これらの試験においては、当該部品が半田付けされ
た印刷回路基板(PCB)が特定の角度にわたり曲げられる間に、該部品の電気
的機能が監視される。斯様な曲げ試験は、上記のような部品の可撓性PCB又は
振動をうけるPCB上への採用の可能性及び、そうなら、信頼性の目安を与える
。
発明の開示
本発明の目的は、上述したような欠点を除去することにある。更に詳細には、
本発明は標準曲げ試験に耐える能力が上記既知の部品のものより良好な薄膜部品
を提供することにある。
本発明の上記及び他の目的は、冒頭で述べたような型式の薄膜部品であって、
本発明により、可撓性の層が前記基板と前記U字状側部接触子の各々の両脚部の
少なくとも一方との間に配置されると共に、該可撓性層が前記基板の表面上に直
に設けられ、且つ、該層の材料の弾性係数が50GPaよりも小さいことを特徴と
するような薄膜部品により達成される。
また、本発明は、既知の部品をPCB上に半田付けした後では、機械的応力集
中が基板に半田付けされた上記側部接触子の脚部と基板自体との間に発生し得る
という実験的に得られた理解にも基づいている。曲げ試験に失敗した多数の部品
の視覚調査により、これらの応力集中は基板内に破断を生じさせることが立証さ
れた。これは、しばしば、当該部品の電気的機能に好ましくない変化を生じさせ
る結果となる。標準曲げ試験を通らない部品の割合は、両U字状側部接触子の半
田付けされるべき脚部の間に可撓性の層を設けることによりかなり減少させるこ
とができる。該可撓性層が上記応力集中に対処することができることが分かった
。
可撓性層とは、弾性係数が50GPaよりも小さい材料の層を意味するものとす
ることに注意されたい。或る材料の弾性係数は該材料に所定の程度の変形を生じ
させるに必要な該材料の単位表面当たりの力である。実際には、弾性係数が50
GPaを越える材料は、上記応力集中を充分な程度に吸収するには柔軟さが不十分
である。最良の結果は、弾性係数が10GPaよりも小さい材料の可撓性層により
達成される。
原理的に、例えば酸化アルミニウムのような例えば焼結された基板等の無機材
料の基板のような、電気的に絶縁な材料の全ての種類の基板を本発明による部品
に使用することができる。また、本発明はシリコンの基板を持つ薄膜部品にも成
功裏に使用することができる。しかし、最も効果的には、本薄膜部品にはガラス
の基板が使用される。しかしながら、半田付けされた側部接触子付近の応力集中
に起因する破断の問題が、ガラス基板を有する部品において最も顕著であること
も分かっている。ガラスの弾性係数は約100GPaであることに注意されたい。
本発明による薄膜部品の有利な実施例は、上記可撓性層が基板の電気的構体か
ら遠い側に面する面上に設けられ、該層が上記面を略完全に被覆することを特徴
とする。この実施例は、ガラスウェファからの薄膜部品の製造において、非常に
大きな生産技術的な利点を提供する。前記電気的構体が基板の一方の主面上に設
けられ、上記可撓性層が他方の主面上に設けられるような実施例の場合は、該可
撓性層は、リソグラフィ工程及びエッチング工程無しで単一の過程で付着させて
上記ウェファの主面を略完全に覆うことができる。本発明の該特徴は、実施例に
おいて詳細に説明されるであろう。
最後に述べた実施例による部品はPCB上に、前記電気的構体が該PCBから
遠い側に面するようにしてのみ半田付けすることができることに注意されたい。
他の例として、本発明は、半田付け処理の後に前記電気的構体がPCBに対向す
るような部品にも使用することができる。その場合は、上記可撓性層と電気的構
体とは基板の同一主面上に設けられなければならず、該可撓性層は好ましくは両
U字状側部接触子の脚部の位置にのみ存在するようにする。これは、該可撓性層
が設けられる際に、付加的なリソグラフィ工程及びエッチング工程を必要とする
。最後に、本発明は、上述した両方の構成において、PCB上に半田付け可能で
なければならないような薄膜部品にも使用することができることに注意されたい
。その場合、上記可撓性層は基板の両方の主面上に存在していなければならない
。
本薄膜部品の他の興味のある実施例は、上記可撓性層が主に有機合成樹脂から
なることを特徴とする。特に、多数の有機合成樹脂(特に有機ポリマ)が所望の
弾性係数を有していることが分かった。本目的のために非常に好適に使用するこ
とができるポリマは、ポリイミドである。所望の可撓性とは別に、このポリマの
ガラス基板への接着性は非常に優れている。
上記可撓性層の厚さは好ましくは5マイクロメートルと50マイクロメートル
との間の範囲であることが分かった。5マイクロメートルより薄い厚さを持つ層
の場合は、本発明の効果(曲げ試験における改善された抗力)は殆ど見ることが
できない。上記層が50マイクロメートルよりも厚い場合は、ウェファからの個
々の部品の製造での問題が発生する。両方の悪い効果の間の最適な妥協は、10
マイクロメートルと40マイクロメートルとの間の範囲内の厚さを持つ可撓性
層を使用する場合に達成される。
本発明の上記及び他の特徴は、以下に説明する実施例を参照して明らかになる
であろう。
図面の簡単な説明
第1図は、発明された薄膜部品の第1実施例の概略断面図、
第2図は、発明された薄膜部品の第2実施例の概略断面図、
第3図は、発明された薄膜部品の第3実施例の概略断面図である。
尚、これら図は明瞭化のために寸法通りには描かれていないことに注意された
い。
発明を実施するための最良の形態
第1図は、発明された薄膜部品の薄膜抵抗の形態の第1実施例を示す。この抵
抗は、1.6mmx0.8mmの寸法及び0.42mmの厚さを有するガラス(Schott AF
45)の基板(1)を有している。該基板の両主面の一方における2つの端部には、
この場合はポリイミドであるような有機合成樹脂(50GPaより低い弾性係数)
製の可撓性層(2)が設けられている。該可撓性層の厚さは20マイクロメートル
である。更に、2つのU字状側部接触子(3)が設けられている。これらの側部接
触子は真空蒸着されたニッケルの層からなっている。該側部接触子は、当該基板
の両端部における上記可撓性層が該基板の表面と各側部接触子の脚部(6)の一方
との間に正確に位置するように設けられる。
上記基板には、薄膜抵抗性通路(4)の形態の電気的構体も設けられている。こ
の通路は、約20ナノメータの厚さを持つスパッタリングされたNiCr材料からな
っている。該抵抗性通路の端部は上記両側部接触子に電気的に接続されている。
好ましくは、該抵抗性通路は被覆層(5)により絶縁され、該層は好ましくは主に
有機ポリマからなっている。良好な結果は、ポリイミドの保護層により達成され
る。
第1図に示す薄膜部品はPCB上に、上記可撓性層に直接接触する上記側部接
触子の脚部(6)が該PCB上に半田付けされるようにして、固着されなければな
らない。該部品をPCBに固着した後、基板(1)は抵抗性通路(4)の保護層として
作
用する。
第2図は、発明された薄膜部品の薄膜コンデンサの形態の他の実施例を示して
いる。このコンデンサも、1.6mmx0.8mmの寸法及び0.42mmの厚さを有す
るガラス(Schott AF45)の基板(11)を有している。該基板の電気的構体から遠
い側に面する主面には、この場合はポリイミドであるような、有機合成樹脂(5
0GPaより低い弾性係数)の閉じた可撓性層(12)が設けられている。該可撓性層
の厚さは約15マイクロメートルである。更に、2つのU字状側部接触子(13)が
設けられている。これら接触子は約350ナノメートルの厚さを持つスパッタリ
ング形成された銅の層からなっている。これら側部接触子は、上記可撓性層が上
記基板面と各側部接触子の脚部(18)の一方との間に正確に位置されるように、設
けられる。また、本例においては、上記可撓性層は上記基板上に直に、即ち中間
層なしで、設けられる。
当該基板の他方の主面には、薄膜コンデンサの形の電気的構体が設けられてい
る。このコンデンサは約2マイクロメートルの厚さを持つアルミニウムの蒸着さ
れた第1及び第2電極層(14,15)を有し、これら層の間には約2マイクロメート
ルの層厚を持つスパッタリングされた窒化ケイ素の誘電体層(16)が挟まれている
。上記電極の各々の端部の一方は上記側部接触子(13)の一方に接続されている。
好ましくは、該コンデンサ構体は被覆層(17)により絶縁され、該層は好ましくは
主に有機ポリマからなるものとする。良好な結果は、ポリイミドの保護層により
達成される。
第2図に示す薄膜部品はPCBに、上記可撓性層に直接接触する上記側部接触
子の脚部(18)が該PCB上に半田付けされるようにして、固着されなければなら
ない。該部品をPCBに固着した後、上記電気的構体は基板(11)の該PCBから
遠い側の面上に位置することになる。この構成では、当該部品は被覆層(17)によ
り保護される。
第3図は、発明された薄膜部品の薄膜抵抗の形態の更に他の実施例を示して
いる。この抵抗は、1.2mmx0.6mmの寸法及び0.42mmの厚さを有するガラ
ス(Schott AF45)の基板(21)を有している。該基板の一方の主面の2つの端部
及び他方の主面全体には、この場合はポリイミドであるような、有機合成樹脂(
5
0GPaより低い弾性係数)の可撓性層(22)の部分及び可撓性層(22)が設けられて
いる。該可撓性層の厚さは約35マイクロメートルである。更に、2つのU字状
側部接触子(23)が設けられている。これら接触子はスパッタリング形成されたニ
ッケルの層からなっている。これら側部接触子は、当該基板の両主面上の上記可
撓性層が該基板面と上記側部接触子の各々の両脚部(24)との間に正確に位置され
るように、設けられる。
当該基板には、薄膜抵抗性通路(25)の形の電気的構体が設けられている。この
抵抗性通路は約20ナノメートルの厚さを持つスパッタリングされたCuNi材料か
らなっている。該抵抗性通路の端部は、上記両側部接触子に電気的に接続されて
いる。好ましくは、該抵抗性通路は保護層(26)により絶縁され、該層は好ましく
は主に有機ポリマからなるものとする。良好な結果は、ポリイミドの保護層によ
り達成される。
第3図に示す薄膜部品は、該部品が2つの向きでPCBに固着することができ
るという大きな利点を有している。上記電気的構体はPCBに対向させるか、又
はPCBと反対側に向けることができる。何れの場合にも、本発明の効果(即ち
、曲げに対する改善された抗力)は達成される。
下記の表は標準曲げ試験のデータを掲載している。この試験では、第2図に関
して説明したような本発明による20個の薄膜部品の系列Aが、可撓性層(12)の
ない20個の薄膜部品の系列Bと比較された。両系列の部品は標準手順に従って
PCB上に半田付けされた。このPCBが端部で固定されている間に、該PCB
の底面側が圧縮力を受けるようにした。該圧縮力は該PCBを或る角度にわたり
屈曲させた。該表の最上行に掲げられた値Xは、上記圧力が発生された位置にお
ける該PCBの、両固定点の間の仮想接続線に対するたわみ(mm)を示している
。上記固定点間の距離は90mmであった。Xの各値について、両系列からの10
%を越える容量値の変化を呈した部品の数が(非累算的に)示されている。
上記表は、本発明による部品が標準曲げ試験に対して本発明によらない部品よ
りも大幅に高い抗力を呈することを示している。
上記各図に示した部品は単一の電気的構体しか有していないことに注意された
い。しかしながら、本発明は2以上の電気的構体を有する所謂集積薄膜部品にも
等しく良好に使用することができる。斯かる部品の例は、RC、RL及びRCL
部品を含む。斯かる部品の他の例は、抵抗アレイ又はコンデンサアレイのような
、同一の型式の2以上の電気的構体を有する部品である。
本発明による薄膜部品は、例えば6インチのガラスウェファ等の基板上に標準
のリソグラフィ技術を用いて製造することができる。該基板の洗浄の後、先ず、
可撓性層が付着される。部品の型式に応じて、連続した可撓性層を設けることが
できるか(第2図参照)、又は該可撓性層に先ず構造化操作を施さねばならない(
第1図参照)。次いで、前記電気的構体の層及び、必要なら、前記保護層が設け
られる。次に、該基板は、例えば切断又は破断により条片にされる。前記側部接
触子を設けた後、各条片は例えば切断又は破断により個々の部品になされる。
本発明による薄膜部品には、基板と各U字状側部接触子の脚部の少なくとも一
方との間に位置される薄い可撓性層が設けられる。この層のお陰で、本発明によ
、る部品は標準曲げ試験に対して一層良好な抗力を示す。結果として、これら部
品が可撓性PCB又は振動に曝されるPCBに採用される場合、製品故障率は低
減される。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ヴェネマ ヨハム ペトラス
オランダ国 5656 アーアー アインドー
フェン プロフ ホルストラーン 6
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.電気的に絶縁な材料の基板を有し、該基板には2つのU字状側部接触子及び 電気的構体が設けられ、該電気的構体が前記両側部接触子に電気的に接続され るような薄膜部品において、 可撓性の層が前記基板と前記U字状側部接触子の各々の両脚部の少なくとも 一方との間に配置されると共に、該可撓性層は前記基板の表面上に直に設けら れ、 前記層の材料の弾性係数が50GPaよりも小さい、 ことを特徴とする薄膜部品。 2.請求項1に記載の薄膜部品において、前記基板がガラスからなることを特徴 とする薄膜部品。 3.請求項1又は請求項2に記載の薄膜部品において、前記可撓性層は前記基板 の前記電気的構体から遠い側に面する面上に設けられ、前記層は該面を略完全 に被覆することを特徴とする薄膜部品。 4.請求項1、2又は3に記載の薄膜部品において、前記可撓性層が主に有機合 成樹脂からなることを特徴とする薄膜部品。 5.請求項4に記載の薄膜部品において、前記有機合成樹脂がポリイミドを有し ていることを特徴とする薄膜部品。 6.請求項1ないし5の何れか一項に記載の薄膜部品において、前記可撓性層の 厚さが5マイクロメートルと50マイクロメートルとの間の範囲内にあること を特徴とする薄膜部品。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP97204027.3 | 1997-12-19 | ||
EP97204027 | 1997-12-19 | ||
PCT/IB1998/002021 WO1999033111A2 (en) | 1997-12-19 | 1998-12-14 | Thin-film component comprising a substrate with an elastic coating |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001513268A true JP2001513268A (ja) | 2001-08-28 |
Family
ID=8229090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53352899A Pending JP2001513268A (ja) | 1997-12-19 | 1998-12-14 | 弾性被覆を備えた基板を有する薄膜部品 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6201682B1 (ja) |
EP (1) | EP0966759A2 (ja) |
JP (1) | JP2001513268A (ja) |
TW (1) | TW405129B (ja) |
WO (1) | WO1999033111A2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004320014A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Agilent Technol Inc | 薄膜抵抗体素子 |
JP2017050455A (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | Koa株式会社 | チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法 |
WO2018123422A1 (ja) * | 2016-03-15 | 2018-07-05 | ローム株式会社 | チップ抵抗器およびその製造方法 |
Families Citing this family (76)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9814317D0 (en) * | 1997-07-23 | 1998-09-02 | Murata Manufacturing Co | Ceramic electronic part and method for producing the same |
EP1048042A1 (en) * | 1998-09-02 | 2000-11-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thin-film capacitor |
US6689976B1 (en) * | 2002-10-08 | 2004-02-10 | Agilent Technologies, Inc. | Electrically isolated liquid metal micro-switches for integrally shielded microcircuits |
US7078849B2 (en) * | 2001-10-31 | 2006-07-18 | Agilent Technologies, Inc. | Longitudinal piezoelectric optical latching relay |
US6741767B2 (en) * | 2002-03-28 | 2004-05-25 | Agilent Technologies, Inc. | Piezoelectric optical relay |
US20030194170A1 (en) * | 2002-04-10 | 2003-10-16 | Wong Marvin Glenn | Piezoelectric optical demultiplexing switch |
US6750594B2 (en) | 2002-05-02 | 2004-06-15 | Agilent Technologies, Inc. | Piezoelectrically actuated liquid metal switch |
US6927529B2 (en) | 2002-05-02 | 2005-08-09 | Agilent Technologies, Inc. | Solid slug longitudinal piezoelectric latching relay |
US6756551B2 (en) | 2002-05-09 | 2004-06-29 | Agilent Technologies, Inc. | Piezoelectrically actuated liquid metal switch |
US6774324B2 (en) * | 2002-12-12 | 2004-08-10 | Agilent Technologies, Inc. | Switch and production thereof |
US6743990B1 (en) | 2002-12-12 | 2004-06-01 | Agilent Technologies, Inc. | Volume adjustment apparatus and method for use |
US6855898B2 (en) * | 2002-12-12 | 2005-02-15 | Agilent Technologies, Inc. | Ceramic channel plate for a switch |
US20040112727A1 (en) * | 2002-12-12 | 2004-06-17 | Wong Marvin Glenn | Laser cut channel plate for a switch |
US7022926B2 (en) * | 2002-12-12 | 2006-04-04 | Agilent Technologies, Inc. | Ultrasonically milled channel plate for a switch |
US6787719B2 (en) * | 2002-12-12 | 2004-09-07 | Agilent Technologies, Inc. | Switch and method for producing the same |
US7019235B2 (en) * | 2003-01-13 | 2006-03-28 | Agilent Technologies, Inc. | Photoimaged channel plate for a switch |
US6809277B2 (en) * | 2003-01-22 | 2004-10-26 | Agilent Technologies, Inc. | Method for registering a deposited material with channel plate channels, and switch produced using same |
US6747222B1 (en) | 2003-02-04 | 2004-06-08 | Agilent Technologies, Inc. | Feature formation in a nonphotoimagable material and switch incorporating same |
US6825429B2 (en) * | 2003-03-31 | 2004-11-30 | Agilent Technologies, Inc. | Hermetic seal and controlled impedance RF connections for a liquid metal micro switch |
US6882088B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-19 | Agilent Technologies, Inc. | Bending-mode latching relay |
US7070908B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-07-04 | Agilent Technologies, Inc. | Feature formation in thick-film inks |
US6891116B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-05-10 | Agilent Technologies, Inc. | Substrate with liquid electrode |
US6803842B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-10-12 | Agilent Technologies, Inc. | Longitudinal mode solid slug optical latching relay |
US6841746B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-01-11 | Agilent Technologies, Inc. | Bent switching fluid cavity |
US6961487B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-11-01 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a pusher-mode piezoelectrically actuated liquid metal optical switch |
US6920259B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-07-19 | Agilent Technologies, Inc. | Longitudinal electromagnetic latching optical relay |
US6903490B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-06-07 | Agilent Technologies, Inc. | Longitudinal mode optical latching relay |
US6903493B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-06-07 | Agilent Technologies, Inc. | Inserting-finger liquid metal relay |
US6765161B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-07-20 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a slug caterpillar piezoelectric latching reflective optical relay |
US6816641B2 (en) * | 2003-04-14 | 2004-11-09 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a solid slug caterpillar piezoelectric optical relay |
US6798937B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-09-28 | Agilent Technologies, Inc. | Pressure actuated solid slug optical latching relay |
US6946776B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-09-20 | Agilent Technologies, Inc. | Method and apparatus for maintaining a liquid metal switch in a ready-to-switch condition |
US6768068B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-07-27 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a slug pusher-mode piezoelectrically actuated liquid metal switch |
US6740829B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-05-25 | Agilent Technologies, Inc. | Insertion-type liquid metal latching relay |
US6770827B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-08-03 | Agilent Technologies, Inc. | Electrical isolation of fluid-based switches |
US6818844B2 (en) * | 2003-04-14 | 2004-11-16 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a slug assisted pusher-mode piezoelectrically actuated liquid metal optical switch |
US6774325B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-08-10 | Agilent Technologies, Inc. | Reducing oxides on a switching fluid in a fluid-based switch |
US6891315B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-05-10 | Agilent Technologies, Inc. | Shear mode liquid metal switch |
US6888977B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-05-03 | Agilent Technologies, Inc. | Polymeric liquid metal optical switch |
US6879088B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-12 | Agilent Technologies, Inc. | Insertion-type liquid metal latching relay array |
US6838959B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-01-04 | Agilent Technologies, Inc. | Longitudinal electromagnetic latching relay |
US6894237B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-05-17 | Agilent Technologies, Inc. | Formation of signal paths to increase maximum signal-carrying frequency of a fluid-based switch |
US6762378B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-07-13 | Agilent Technologies, Inc. | Liquid metal, latching relay with face contact |
US6876131B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-05 | Agilent Technologies, Inc. | High-frequency, liquid metal, latching relay with face contact |
US6903492B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-06-07 | Agilent Technologies, Inc. | Wetting finger latching piezoelectric relay |
US7012354B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-03-14 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a pusher-mode piezoelectrically actuated liquid metal switch |
US7071432B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-07-04 | Agilent Technologies, Inc. | Reduction of oxides in a fluid-based switch |
US7048519B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-05-23 | Agilent Technologies, Inc. | Closed-loop piezoelectric pump |
US6900578B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-05-31 | Agilent Technologies, Inc. | High frequency latching relay with bending switch bar |
US6885133B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-26 | Agilent Technologies, Inc. | High frequency bending-mode latching relay |
US6876130B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-05 | Agilent Technologies, Inc. | Damped longitudinal mode latching relay |
US6946775B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-09-20 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a slug assisted longitudinal piezoelectrically actuated liquid metal optical switch |
US6876132B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-05 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a solid slug caterpillar piezoelectric relay |
US6730866B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-05-04 | Agilent Technologies, Inc. | High-frequency, liquid metal, latching relay array |
US6879089B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-12 | Agilent Technologies, Inc. | Damped longitudinal mode optical latching relay |
US6831532B2 (en) * | 2003-04-14 | 2004-12-14 | Agilent Technologies, Inc. | Push-mode latching relay |
US6906271B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-06-14 | Agilent Technologies, Inc. | Fluid-based switch |
US6925223B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-08-02 | Agilent Technologies, Inc. | Pressure actuated optical latching relay |
US6876133B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-05 | Agilent Technologies, Inc. | Latching relay with switch bar |
US6870111B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-03-22 | Agilent Technologies, Inc. | Bending mode liquid metal switch |
US6924443B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-08-02 | Agilent Technologies, Inc. | Reducing oxides on a switching fluid in a fluid-based switch |
US6894424B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-05-17 | Agilent Technologies, Inc. | High frequency push-mode latching relay |
US6794591B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-09-21 | Agilent Technologies, Inc. | Fluid-based switches |
US6903287B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-06-07 | Agilent Technologies, Inc. | Liquid metal optical relay |
US6956990B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-10-18 | Agilent Technologies, Inc. | Reflecting wedge optical wavelength multiplexer/demultiplexer |
US6750413B1 (en) | 2003-04-25 | 2004-06-15 | Agilent Technologies, Inc. | Liquid metal micro switches using patterned thick film dielectric as channels and a thin ceramic or glass cover plate |
US6777630B1 (en) | 2003-04-30 | 2004-08-17 | Agilent Technologies, Inc. | Liquid metal micro switches using as channels and heater cavities matching patterned thick film dielectric layers on opposing thin ceramic plates |
US6759610B1 (en) | 2003-06-05 | 2004-07-06 | Agilent Technologies, Inc. | Multi-layer assembly of stacked LIMMS devices with liquid metal vias |
US6759611B1 (en) | 2003-06-16 | 2004-07-06 | Agilent Technologies, Inc. | Fluid-based switches and methods for producing the same |
US6833520B1 (en) * | 2003-06-16 | 2004-12-21 | Agilent Technologies, Inc. | Suspended thin-film resistor |
US6781074B1 (en) | 2003-07-30 | 2004-08-24 | Agilent Technologies, Inc. | Preventing corrosion degradation in a fluid-based switch |
US6787720B1 (en) | 2003-07-31 | 2004-09-07 | Agilent Technologies, Inc. | Gettering agent and method to prevent corrosion in a fluid switch |
JP6087279B2 (ja) | 2011-05-17 | 2017-03-01 | ローム株式会社 | チップ抵抗器の製造方法 |
TWI497535B (zh) | 2011-07-28 | 2015-08-21 | Cyntec Co Ltd | 具有軟性材料層之微電阻元件及其製造方法 |
KR101681429B1 (ko) * | 2015-10-08 | 2016-11-30 | 삼성전기주식회사 | 전자 부품 및 그 실장 기판 |
TWI679657B (zh) * | 2019-01-14 | 2019-12-11 | 光頡科技股份有限公司 | 可撓式電阻元件和其製作方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5922386A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-02-04 | アルカテル・エヌ・ブイ | 電子部品構造体 |
US4453199A (en) | 1983-06-17 | 1984-06-05 | Avx Corporation | Low cost thin film capacitor |
US4855872A (en) * | 1987-08-13 | 1989-08-08 | General Electric Company | Leadless ceramic chip carrier printed wiring board adapter |
US4847136A (en) * | 1988-03-21 | 1989-07-11 | Hughes Aircraft Company | Thermal expansion mismatch forgivable printed wiring board for ceramic leadless chip carrier |
US5194934A (en) * | 1988-07-27 | 1993-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Mounting structure for a semiconductor chip having a buffer layer |
FR2653588B1 (fr) * | 1989-10-20 | 1992-02-07 | Electro Resistance | Resistance electrique sous forme de puce a montage de surface et son procede de fabrication. |
US5679977A (en) * | 1990-09-24 | 1997-10-21 | Tessera, Inc. | Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same |
JPH04216589A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | 電子回路の接続構造 |
JP3356568B2 (ja) * | 1994-11-30 | 2002-12-16 | 鐘淵化学工業株式会社 | 新規なフレキシブル銅張積層板 |
-
1998
- 1998-07-09 TW TW087111101A patent/TW405129B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-12-14 JP JP53352899A patent/JP2001513268A/ja active Pending
- 1998-12-14 WO PCT/IB1998/002021 patent/WO1999033111A2/en not_active Application Discontinuation
- 1998-12-14 EP EP98957080A patent/EP0966759A2/en not_active Withdrawn
- 1998-12-16 US US09/212,629 patent/US6201682B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004320014A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Agilent Technol Inc | 薄膜抵抗体素子 |
JP2017050455A (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | Koa株式会社 | チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法 |
WO2018123422A1 (ja) * | 2016-03-15 | 2018-07-05 | ローム株式会社 | チップ抵抗器およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0966759A2 (en) | 1999-12-29 |
WO1999033111A2 (en) | 1999-07-01 |
TW405129B (en) | 2000-09-11 |
US6201682B1 (en) | 2001-03-13 |
WO1999033111A3 (en) | 1999-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001513268A (ja) | 弾性被覆を備えた基板を有する薄膜部品 | |
JP3932302B2 (ja) | 圧力センサ | |
JP3980300B2 (ja) | 膜状感圧抵抗体および感圧センサ | |
KR101811084B1 (ko) | 저전류 퓨즈 | |
US8035476B2 (en) | Chip resistor and method for making the same | |
JPH07504296A (ja) | 薄膜表面実装ヒューズ | |
WO2020059681A1 (ja) | 歪センサ抵抗器 | |
CN111276305A (zh) | 芯片电阻器及其制造方法 | |
WO2002071418A1 (fr) | Resistance | |
US4309687A (en) | Resistance strain gauge | |
TW408342B (en) | Resistor and its manufacturing method | |
US6529115B2 (en) | Surface mounted resistor | |
KR20070001000A (ko) | 가속도 센서 및 그것을 이용한 자기 디스크 장치 | |
KR101892751B1 (ko) | 칩 저항기 및 그 제조 방법 | |
CN1918675B (zh) | 片状电阻的制造方法 | |
KR20050005421A (ko) | 이방 도전 시트 및 그 제조 방법 | |
JPH08138903A (ja) | チップ電子部品 | |
JP3652568B2 (ja) | チップ部品及びチップ部品の製造方法 | |
US20020008321A1 (en) | Connection structure | |
JP2001126901A (ja) | チップ部品 | |
JP2003163422A (ja) | 可撓性電子回路およびその製造方法 | |
JPS5928996B2 (ja) | 電子部品の取付方法 | |
JP2000323805A (ja) | フレキシブルプリント基板 | |
JPH0821301B2 (ja) | 表面実装型薄膜ヒューズおよびその製造方法 | |
JP2000356650A (ja) | 電気的特性測定治具 |