JP2001505560A - キラル配位子としてのヘテロアリール―アリールジホスフィン - Google Patents

キラル配位子としてのヘテロアリール―アリールジホスフィン

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ティツィアーナ、ベニンコーリ
パトリツィア、アントニャッツァ
セラフィーノ、グラディアーリ
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ケミ、ソシエタ、ペル、アチオニ
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Abstract

(57)【要約】 ホスフィン基を有する主鎖が５原子のヘテロ芳香族環および炭素環式芳香族環の相互結合により構成されて、Ｃ１対称を有するアトロプ異性キラル系を形成している、混合ヘテロアリールーアリール型のジホスフィン。前記キラルジホスフィンは、遷移金属、特にＲｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｎｉとのキラル錯体を形成するための配位子として好都合に使用される。そのように得られたキラル錯体は立体制御反応、特にジアステレオ選択的およびエナンチオ選択的還元反応、ヒドロホルミル化反応、ヒドロシリル化反応、ヒドロシアン化反応、二重結合の異性化反応、炭素−炭素結合形成の他の反応のためのキラル触媒として使用される。

Description

【発明の詳細な説明】 キラル配位子としてのヘテロアリール−アリールジホスフィン 発明の目的 本発明は、混合ヘテロアリールーアリール型のキラルジホスフィン、遷移金属 の配位子としての前記ジホスフィンの使用、および前記ジホスフィンと前記遷移 金属との間の錯体に関する。 本発明は、また、立体制御（立体選択的）反応、例えば、ジアステレオ選択的 およびエナンチオ選択的還元反応、または非対称異性化反応、ヒドロホルミル化 反応、ヒドロシアン化反応、ならびに炭素−炭素結合形成の他の反応、のための キラル触媒としての前記錯体の使用に関する。 さらに、本発明は、前記混合ヘテロアリールーアリール型のキラルジホスフィ ンの製造方法、ならびに前記ジホスフィンと前記遷移金属との間の前記錯体の製 造方法に関する。 そのうえ、本発明は、また、前記キラル触媒の使用により実現される、立体選 択的反応、例えば、ジアステレオ選択的およびエナンチオ選択的還元反応に関す る。 技術水準 知られているように、立体選択的反応、特に立体制御反応、例えば、ジアステ レオ選択的およびエナンチオ選択的水素化反応は非常に重要であり、そして多年 にわたって研究されてきている。このような反応は、光学的に活性な化合物の形 成に直接的につながるものであるが、別の方法では、この化合物は慣用技術に従 い個々の鏡像異性体に分割されることとなるラセミ体としてのみ得ることができ る。これらの場合において、除去および／または再変換しなくてはならない、同 一量の望ましくない鏡像異性体が同時に生成する。立体選択的反応の実現によっ て前述の問題の大部分を排除することができ、したがって、重要性の高い研究分 野を開くこととなる。 一般に、例えば、キラル触媒により実現される、立体制御反応は、しばしば適 度に鏡像異性体が過剰である、光学的に活性な反応生成物を得ることができる。 この分野において利用される、特に立体制御還元反応のための、既知の型のキラ ル触媒は、例えば、遷移金属と、キラルホスフィン、例えば、ＤＩＰＡＭＰ［Ｋ ＮＯＷＬＥＳ Ｗ．Ｓ．ｅｔ ａｌ．、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏ ｍｍｕｎ．１０（１９７２）；ＶＩＮＥＹＡＲＤ Ｂ．Ｄ．ｅｔ ａｌ．、Ｊ． Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．９９、５９４６（１９７７）］またはＣＨＩＲＡＰＨ ＯＳ［ＦＲＹＺＵＫ Ｍ．Ｄ．ｅｔ ａｌ．、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．９ ９、６５６２６（１９７７）］、との間の錯体により構成される。キラルホスフ ィンの他の例は、例えば、ＢＩＮＡＰ、ＢＩＰＨＥＭＰ、ＢＩＣＨＥＰ［ＮＯＹ ＯＲＩ Ｔ．ｅｔ ａｌ．、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１０２、７９３２（ １９８０）；ＳＣＨＭＩＤ Ｒ．ｅｔ ａｌ．、Ｈｅｌｖ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ ７１、８９７（１９８８）；ＭＩＹＡＳＨＩＴＡ Ａ．ｅｔ ａｌ．Ｃｈｅｍ ．Ｌｅｔｔ．１８４９（１９８９）］を包含する。後者は、キラリティーがアト ロプ異性ジアリール系（Ｃ２対称系）の存在に起因するホスフィンであり、それ らは非常に効率的なキラル系の製造に利用されてきている。しかしながら、この ホスフィン合成プロセスはかなり複雑であり、かつ多数の複雑な工程を含むこと から、対応するキラル触媒が非常に高価なものとなる。 また、二複素環式の５原子の芳香族系（Ｃ２対称アトロプ異性系）により構成 されたキラルジホスフィンが記載されており［ＷＯ９６／０１８３１号、本出願 人による］、これらは、遷移金属との錯体化により、非常に効率よいキラル触媒 を形成する。ここで、前述のジホスフィンは、前述のＢＩＮＡＰ、ＢＩＰＨＥＭ ＰおよびＢＩＣＨＥＰについて利用された合成プロセスに比較してより簡単な合 成プロセスにより製造され、その結果、対応するキラル触媒がより安価なものと なる。これにもかかわらず、二複素環式型の前述のキラルジホスフィンの合成プ ロセスは、多数のステップを必要とするので、なお複雑である。そのうえ、上記 プロセスは、２つのリン原子が互いに常に同様の置換基を担持するキラルホスフ ィンを製造できるにすぎない。 また、Ｃ１対称ホスフィン系と遷移金属との間の錯体により構成された既知の キラル触媒がある。ここで、これらの触媒は、一般に比較的安価であるが、また 、対応するＣ２対称触媒よりも効率がよくない。なぜなら、異なる、同等でない 触媒種が反応環境において発生し、これらが反対の立体選択性を生ずることがあ るからである。 発明の目的 本発明の目的は、既知の型のキラルジホスフィンに比較して、合成的観点から 容易にアクセス可能であるキラルジホスフィンを提供することである。 本発明の他の目的は、経済的観点から好都合であるキラルジホスフィンを提供 することである。 本発明の更なる目的は、特に安定な配位結合を形成させるために遷移金属のた めの配位子として使用するキラルジホスフィンを提供することである。 本発明のなお他の目的は、簡単な工程を含み、コストが低くかつ工業的用途を 有する、キラルジホスフィンの製造方法を提供することである。 本発明のなおそれ以上の目的は、リン原子以外の置換基を有するジホスフィン を製造することができる、前記キラルジホスフィンの製造方法を提供することで ある。本発明のなおそれ以上の目的は、安定でありかつ立体制御反応のためのキ ラル触媒としての使用に適した、前記キラルジホスフィンと前記遷移金属との間 の錯体を提供することである。 本発明の他の目的は、高度に反応性でありかつ高いレギオ選択性、化学選択性 、ジアステレオ選択性およびエナンチオ選択性を得ることができる、立体制御反 応のためのキラル触媒を提供することである。 本発明のなお他の目的は、温和な反応条件において操作することができるが、 高い反応速度を保持できる、立体制御反応のためのキラル触媒を提供することで ある。 本発明のなお他の目的は、キラル触媒の使用を含み、かつジアステレオマーま たは鏡像異性体が非常に過剰な、光学的に活性な生成物の形成に導く、立体制御 反応、特に還元反応および異性化反応、を実現することである。 発明の説明 これらの目的およびさらに他の目的および下記においていっそうよく明らかに なる関係する利点は、下記の一般式を有する混合型のキラルヘテロアリール−ア リールジホスフィンにより達成される： 式中、 Ｘ＝Ｙまたはｘ≠Ｙ、かつＸ、Ｙは直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ3−Ｃ10アル キル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、フェニル、アリール、置換フェニルまたは置換ア リール（ここで置換基は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10、ハロゲン、ＯＲ7 から選択され、Ｒ7は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルである ）から選択され、 Ｒ1は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、 ＯＲ11（ここでＲ11は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルであ る）、ＮＲ12Ｒ13、（ここでＲ12およびＲ13は同一であるか、または異なること ができ、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、フェニル、アリール、 置換フェニルまたは置換アリールから選択され、ここで置換基は直鎖状もしくは 分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、ハロゲン、ＯＲ7から選択され、ここでＲ7は水 素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルである）から選択され、 Ｒ2は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アル キル、フェニル、アリール、置換フェニルまたは置換アリール〔ここで置換基は 直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、ハロゲン、ＯＲ7（ここでＲ7は 水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルである）から選択される〕 、ＣＯＯＲ10（ここでＲ10は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルであ る）、ＮＲ12Ｒ13（ここでＲ12およびＲ13は同一であるか、または異なることが でき、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、ＯＲ11から選択され、Ｒ1 1 は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルと同等になるように選択 される）から選択されるか、あるいは５原子の複素環式芳香族環がベンゼン環ま たは置換もしくは非置換のナフタレン環に縮合し（ここで置換基は直鎖状もしく は分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、ハロゲンから選択さ れる）、この場合において、Ｒ1またはＲ2またはそれらの双方は前記ベンゼンま たはナフタレン環の一部分であることができ、 Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は同一であるか、または異なることができ、水素、直鎖状 もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、ハロゲン、Ｏ Ｒ11（ここでＲ11は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、ＳＯ3 Ｈまたは対応する塩と同等になるように選択される）、ＮＲ12Ｒ13（ここでＲ12 およびＲ13は同一であるか、または異なることができ、直鎖状もしくは分枝鎖状 のＣ1−Ｃ10アルキルから選択されるか、あるいはＲ12およびＲ13はＮ原子とモ ルホリン、ピロリドン、ピペリジン環を形成する）から選択され、あるいは隣接 するＲ3〜Ｒ6置換基の対が前記ジホスフィンのアリール環に縮合したベンゼン環 を形成する（ここで置換基は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環 状Ｃ5〜Ｃ6アルキル、ハロゲンの中から選択される）。 本発明による式（ＩＡ）、（ＩＢ）の混合ヘテロアリールーアリール型のアト ロプ異性体のキラルジホスフィンは、混合型のヘテロアリール系により実質的に 特徴づけられる。このようなヘテロアリール系は、置換および／または縮合して いてもよい芳香族炭素環式環の基に結合した、置換および／または縮合していて もよい５原子の複素環式芳香族環の基により構成されている。複素環式系を炭素 環式系に結合させる結合の回りのエネルギー回転障害は、２つの光学鏡像体の分 離を可能とするようなものでなくてはならない。 特に、常に本発明によれば、前記５原子の複素環式芳香族基の前記基は、フリ ル、チエニル、ピロリル、２−イミダゾリルおよび対応するベンゾコンデンセー ト、５−ピラゾリル、２−［１，３，４−トリアゾリル］、４−チアゾリル、４ −イソキサゾリルから選択される。 常に本発明によれば、下記式を有するヘテロアリールーアリールキラルジホス フィンは、特に有利であることが見出された。 本発明によれば、一般式（ＩＡ）、（ＩＢ）のジホスフィンはＣ１対称アトロ プ異性キラル系であり、ここでホスフィン基を担持する主鎖は、前述したように 、５原子の複素環式芳香族環および炭素環式環の相互結合により構成されている 。 それらの構造的特徴のために、本発明によるジホスフィンはこれらの方法は制 限された数のステップからなる、非常に簡単な方法により合成することができ、 そして極めて有利なコストで高い純度のホスフィンを高い収率で得ることができ る。 そのうえ、それらは混合型の複素環式系であるので、ＸおよびＹが互いに異な り、したがって、ジホスフィンの意図する用途に従い、適切に選択されうる、式 （ＩＡ）、（ＩＢ）を有するキラルジホスフィンを製造することができる。例え ば、式（ＶＡ、ＶＢ）、（ＶＩＡ、ＶＩＢ）、（ＶＩＩＡ、ＶＩＩＢ）を有する ジホスフィンは、本発明の目的であり、特に有利であることが見出された。 反対に、既知の技術に従うアトロプ異性キラルジホスフィン系において、これ らの系はＣ２対称を有するので、リン原子の置換基は必然的に互いに同等でなく てはならない。 式（ＩＡ）、（ＩＢ）のキラルジホスフィンは、遷移金属との錯体の形成にお ける配位子として使用するに際し、非常に有利であることが証明された。特に、 前記錯体は安定であり、そのうえ、それらは簡単な有効な方法により製造される 。前述したように、経済的観点から非常に有利である方法により、反応物として 作用するジホスフィンが合成されるので、遷移金属との錯化により得られる対応 するキラル錯体はまた、特に既知の技術に従ってジホスフィンにより製造される キラル錯体のコストと比較する場合、経済的に有利である。 本発明による式（ＩＡ）、（ＩＢ）のジホスフィンと遷移金属との前述のキラ ル錯体は、立体制御反応、特にジアステレオ選択的およびエナンチオ選択的還元 反応および異性化反応、におけるキラル触媒として使用される。 既知の技術によるキラル触媒は、Ｃ２対称キラルジホスフィンと遷移金属との 間の錯体により構成され、立体制御反応を実施するために使用するとき、かなり 有効であるが、前述したように、非常に高価であり、結局、それらの使用はかな りの負担となる。 常に既知の技術によるが、既知の型のＣ１対称ジホスフィン系と遷移金属との 間の錯体により構成されたキラル触媒は、それほど高価でなく、したがって、既 知の型のＣ２対称ジホスフィンからなる触媒よりも経済的観点からいっそう有利 であるが、反応の環境において、反対の立体選択性を生ずる、異なった、同等で ない触媒種を発生することがあるので、有効性に劣ることがある。 反対に、式（ＩＡ）、（ＩＢ）のキラルジホスフィンと遷移金属との間の錯体 により構成されるとともに、全く同一のＣ１対称系であるが、本発明によるキラ ル触媒は、経済的観点から非常に有利であるばかりでなく、かつまた驚くべきこ とには高度の立体選択性を生じる、したがって、高度の立体選択性および非常に 限定されたコストを保証しつつ、立体選択的反応において有利に利用することが できる。 本発明の式（ＩＡ）、（ＩＢ）のヘテロアリール−アリールキラルジホスフィ ンは、例えば、下記の工程を含む、下記の合成スキームに従い、好都合に製造す ることができる： − オルト−ハロゲン−アリール複素環式系の既知の型の方法に従う合成、ここ で複素環式系は環内の金属化可能な結合に隣接する位置を有する、 − 金属化アリール複素環式系を得る、環内結合に隣接する前記位置の第１金属 化反応、あるいはそのアリール環上のハロゲンの金属−ハロゲン交換反応、 − ホスフィンヘテロアリール系またはホスフィニルヘテロアリール系を得る、 前記金属化系とクロロホスフィンまたは塩化ホスフィニルとの反応、 − ヘテロアリールホスフィン系またはヘテロアリールホスフィニル金属化系を 得る、アリール環上のハロゲンの金属−ハロゲン交換の第２反応、あるいは環内 結合に隣接する前記位置の金属化反応、 − ヘテロアリールジホスフィニック、ヘテロアリールホスフィニリックまたは ヘテロアリールホスフィニックホスフィニリックラセミ体系を得る、前記ヘテロ アリールホスフィン系またはヘテロアリールホスフィニル金属化系とクロロホス フィンまたは塩化ホスフィニルとの反応、 − 既知の技術に従う酸化反応による、前記ヘテロアリールジホスフィニック、 ヘテロアリールホスフィニリックまたはヘテロアリールホスフィニックホスフィ ニリックラセミ体系の、ヘテロアリールジホスフィニルラセミ体系への必要に応 じて行なう変換、 − ２つのジアステレオ化付加物を得る、前記ヘテロアリールジホスフィニルラ セミ体系と酸分割キラル剤との反応、 − 分別結晶化による前記ジアステレオマー付加物の分離、 − 対応する鏡像異性的に純粋なヘテロアリールジホスフィニル系を得る、前記 分離されたジアステレオマー付加物の各々の塩基処理、 − 鏡像異性的に純粋なヘテロアリールジホスフィンキラル系（ＩＡ）（ＩＢ） を得る、前記鏡像異性的に純粋なヘテロアリールジホスフィニル系の、既知の型 の還元剤による還元。 常に本発明によれば、前記金属化反応および金属−ハロゲン交換反応を、また 、同時に実施して、ビス−金属化系を得ることができる。この場合において、前 記ビス−金属化系をクロロホスフィンまたは塩化ホスフィニルと反応させること によって、ヘテロアリールジホスフィンまたはヘテロアリールジホスフィニルラ セミ体系を直接的に得て、引き続いてこれらを前述したように処理する。 本発明の方法によれば、還元剤は、例えば、シラン類の中から有利に選択され る。そのうえ、前記ジホスフィンラセミ体系を、また、キラル手段、例えば、静 止ステージ、溶離剤系等、を使用して、カラムクロマトグラフィーにより直接的 に分割することができる。常に、本発明による前記ジアステレオマー付加物を形 成させる場合において、酸分割キラル剤は好ましくは、例えばジベンゾイル酒石 酸、ジトリル酒石酸、ショウノウスルホン酸等から選択される。 前述の方法によれば、金属化反応を引き続く段階において実施するとき、Ｘ≠ Ｙである、一般式（ＩＡ）、（ＩＢ）のヘテロアリールーアリールジホスフィン を合成することができる。ここで、前述したように、この型のジホスフィンは既 知の技術ではＣ２対称系の場合において得ることができない。反対に、Ｘ＝Ｙで ある、キラルジホスフィン（ＩＡ）、（ＩＢ）の場合において、この方法を２つ の位置の同時の金属化およびクロロホスフィンまたは塩化ホスフィニルとの反応 により好都合に実施させて、ヘテロアリールジホスフィンまたはヘテロアリール ジホスフィニル系を直接得ることができる。前述の方法は当業者に知られている 代替的手順を排除するものではない。 前述したように、本発明のヘテロアリールジホスフィン系を、遷移金属、例え ば、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、の錯化のための配位子として使用し てキラル錯体を得、引き続いてこれを立体制御反応のための触媒として使用する 。常に本発明によれば、前記キラル錯体は好ましくはヘテロアリールジホスフィ ン系と選択した金属の錯体との間の交換反応により得られ、この錯体において、 金属と配位子との間の結合は、金属とヘテロアリールジホスフィン系との間で形 成する結合よりも不安定である。このようにして、ヘテロアリールジホスフィン 系は金属に対する配位において配位子を置換して、好ましい配位結合を形成する 。前述の交換反応において金属を配位子、例えば、１，５−シス，シス−シクロ オクタジエン、ノルボナジエン、（エチレン）2、トリアリールスチルベン、ベ ンゾニトリル、ビスメタリル、およびその他、との配位において使用する。選択 した金属および配位子により構成された錯体を適当な溶媒中に溶解させる。次い で、 ヘテロアリールジホスフィン系を固体状態で、あるいは適当な溶媒の溶液として 添加する。この反応の進行、したがって、錯体の形成を、可能な色変化の検査に よるか、あるいは、また、分光タイプ（例えば、31Ｐ−ＮＭＲ）、または分析法 （例えば、ＧＣ）、によりコントロールする。反応が完結すると、溶媒を除去し 、そのようにして得られたキラル錯体をそのまま使用してもよいし、あるいはそ れを既知の技術に従いさらに精製してもよい。前記キラル錯体の製造に使用する ことが好ましい溶媒は、例えば、塩素化溶媒、アルコール、芳香族炭化水素、エ ーテル、ジメチルホルムアミドである。本発明によるキラル錯体は、好ましくは 、それらを立体制御反応におけるキラル触媒として使用しなくてはならないとき 、製造される。 本発明のキラル錯体をキラル触媒として使用して実現される立体選択的反応は 、高い反応速度、例えば圧力および温度の条件に関して、温和な反応条件、およ び触媒の使用量により特徴づけられ、そのうえ、生態学的に衝撃性の低い溶媒の 使用を可能とする。 常に本発明によれば、本発明のキラル錯体を、前述したように、立体制御反応 、特にジアステレオ選択的およびエナンチオ選択的反応、例えば、オレフィン（ −Ｃ＝Ｃ−）の還元、ケトンのカルボニル基（−Ｃ＝Ｏ）の還元、イミン基（− Ｃ＝Ｎ−）の還元、エナミン（−Ｎ−Ｃ＝Ｃ−）の還元、における触媒として有 利に使用して、高いジアステレオマーおよび鏡像異性体を過剰に有する光学的に 活性な化合物を得ることができる。常に本発明によれば、前記キラル触媒は、ま た、ヒドロホルミル化反応、ヒドロホウ素化反応、ヒドロシリル化反応、ヒドロ シアン化反応、炭素−炭素結合の形成反応の他の反応および二重結合の異性化反 応を実施するために有利に使用される。 本発明の非限定的例により、実際的実現のいくつかの例を下に記載するが、特 に本発明による、いくつかのヘテロアリールーアリールキラルジホスフィンの製 造、前記ジホスフィンと金属、例えば、ＲｕおよびＲｈとの間の、いくつかのキ ラル錯体の製造、ならびに立体選択的反応を実施するときのキラル触媒としての 前記キラル錯体の使用を説明する。 例１ ３−［（２−ジフェニルホスフィノ）フェニル］−２−ジフェニルホスフィノ− ４，６−ジメチル［ｂ］フラン（ＩＩＡ、ＩＩＢ）の製造 ａ） １−［（２−ブロモ）フェニル］−２−（３，５−ジメチルフェノキシ ）エタノンの製造 メチルアルコール（１５ｍｌ）中に金属ナトリウム（１ｇ）を溶解させて得ら れた、ＭｅＯＮａのメチルアルコール溶液を、３，５−ジメチルフェノール（４ ．３９ｇ）のメチルアルコール溶液に滴下した。反応混合物を３０分間撹拌し、 溶媒を減圧下に除去した。Ｒ．Ｅ．ＬＵＴＺ ｅｔ ａｌ．、Ｊ．Ｏ．Ｃ．ｖｏ ｌ．１２、ｐ．６１７（１９４７）に記載されるようにして得られた１−［（２ −ブロモ）フェニル］−２−ブロモエタノン（１０ｇ）のＤＭＦ（３０ｍｌ）溶 液を、前述したように調製した、ナトリウム塩（５．２ｇ）のＤＭＦ（５０ｍｌ ）溶液に滴下し、反応混合物を３日間撹拌した。その溶媒を減圧下で除去した。 残留物をＨ2Ｏで処理し、塩化メチレンで徹底的に抽出した。集められた有機相 を無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶媒を減圧下に除去した。溶離剤としてヘキサン− 塩化メチレンの６：４（ｖ／ｖ）の混合物を使用して、反応粗生成物をクロマト グラフィーにかけた。中間の画分から、固体が得られ、これをイソプロピルエー テル中に溶解させると、純粋な１−［（２−ブロモ）フェニル］−２−（３，５ −ジメチルフェノキシ）エタノン（０．７ｇ）融点＝７４℃）が５０％の収率で 得られた。テイル画分から、３，５−ジメチルフェノールが得られた。 1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：２．２６（６Ｈ、ｓ）、５．１（２Ｈ、ｓ）、６ ．５２（２Ｈ、ｓ）、６．６３（１Ｈ、ｓ）、７．３５（１Ｈ、ｄ）、７．４ （１Ｈ、ｔ）、７．４８（１Ｈ、ｄｄ）、７．６１（１Ｈ、ｄ）。 ｂ） ３−［（２−ブロモ）フェニル］−４，６−ジメチルベンゾ［ｂ］フラ ンの製造 １−［（２−ブロモ）フェニル］−２−（３，５−ジメチルフェノキシ）エタ ノン（１．３ｇ）を８０℃に予熱したポリリン酸（ＰＰＡ）（１３ｇ）に激しく 撹拌しながら添加し、その反応混合物を３０分間撹拌した。次いで、反応混合物 をＨ2Ｏ中に注ぎ、ＮＨ3でアルカリ性のｐＨとし、塩化メチレンで徹底的に抽出 した。集められた有機相を水で洗浄し、無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、その溶媒を減 圧下に除去した。溶離剤としてヘキサンを使用して、残留物をクロマトグラフィ ーにかけた。ヘッド画分から、３−［（２−ブロモ）フェニル］−４，６−ジメ チルベンゾ［ｂ］フラン（１．１ｇ）が得られた。 1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）（ｐｐｍ）：２．１（３Ｈ、ｓ、ＣＨ3）、２．４ ３（３Ｈ、ｓ、ＣＨ3）、６．８２（１Ｈ、ｓ）、７．２９（４Ｈ、ｍ）、７． ４７（１Ｈ、ｓ）、７．６８（１Ｈ、ｄ）。 ｃ） ３−［（２−ジフェニルホスフィニル）フェニル］−２−ジフェニルホ スフィニル］−４，６−ジメチルベンゾ［ｂ］フランの製造 ヘキサン（５．２ｍｌ）中のＢｕＬｉの１．６Ｍの溶液を、−７０℃に冷却さ れた、３−［（２−ブロモ）フェニル］−４，６−ジメチルベンゾ［ｂ］フラン （１．１５ｇ）およびＴＭＥＤＡ（１．２ｍｌ）のＴＨＦ（１００ｍｌ）溶液に 滴下した。この反応は発熱性であり、温度は−５０℃に到達した。温度を２０℃ まで上昇させ、この温度において反応混合物を３０分間撹拌した。次いで、ジフ ェニルクロロホスフィン（０．９ｇ）を添加し、反応混合物を３時間撹拌した。 溶媒を減圧下に除去した。Ｈ2Ｏ（２０ｍｌ）、ＣＨ2Ｃｌ2（１００ｍｌ）およ びＨ2Ｏ2（５ｍｌ）を添加し、反応混合物を２時間撹拌した。相分離後、水相を 塩化メチレンで数回抽出した。集められた有機相を無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶 媒を減圧下で除去した。ＡｃＯＥｔ−ＣＨ2Ｃｌ2 ３：７（ｖ／ｖ）を溶離剤と して使用して、残留物をクロマトグラフィーにかけた。テイル画分から、３−［ （２−ジフェニルホスフィニル）フェニル］−２−ジフェニルホスフィニル−４ ，６−ジメチルベンゾ［ｂ］フラン（１ｇ、融点＝２１８℃）が得られた。 1Ｈ（ＣＤＣｌ3）（ｐｐｍ）：１．９７（３Ｈ、ｓ、ＣＨ3）、２．１７（３ Ｈ、ｓ、ＣＨ3）、６．６１（１Ｈ、ｓ）、７．０２（１Ｈ、ｓ）、７．４８（ １４Ｈ、ｍ）、７．７（６Ｈ、ｍ）、７．８９（４Ｈ、ｍ）、７．７（６Ｈ、ｍ ）、７．８９（４Ｈ、ｍ）。 ｄ） ３−［（２−ジフェニルホスフィノ）フェニル］−２−ジフェニルホス フィノ−４，６−ジメチルベンゾ［ｂ］フラン（ＩＩＡ、ＩＩＢ）の製造 例２ ３−［（２−ジフェニルホスフィノ）フェニル］−２−ジフェニルホスフィノ− ナフトチオフェン（ＩＩＩＡ、ＩＩＩＢ）の製造 ａ） １−［（２−ブロモ）フェニル］−２−ナフチル）チオエタノンの製造 メチルアルコール（１５ｍｌ）中に金属ナトリウム（０．９６ｇ）を溶解させ て得られた、ＭｅＯＮａのメチルアルコール溶液を、２−チアナフトール（５． ５ｇ）のメチルアルコール溶液に滴下した。反応混合物を３０分間撹拌し、溶媒 を減圧下で除去した。１−［（２−ブロモ）フェニル］−２−ブロモエタノン（ １０ｇ）のＤＭＦ溶液を、前述したように調製した、ナトリウム塩（６．２ｇ） のＤＭＦ（３０ｍｌ）溶液に添加した。反応は発熱性であり、かつ瞬間的であっ た。溶媒を減圧下に除去し、反応粗生成物をＨ2Ｏおよび塩化メチレンで処理し た。集められた有機相を無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶媒を減圧下で除去した。溶 離剤としてヘキサン−塩化メチレンの４：６（ｖ／ｖ）の混合物を使用して、反 応粗生成物をクロマトグラフィーにかけた。ヘッド画分から、１−［（２−ブロ モ）フェニル］−２−（２−ナフチル）チオエタノン（４．０ｇ）が得られた。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）（ｐｐｍ）：７．２８（３Ｈ、ｍ）、７．４６（４ Ｈ、ｍ）、７．７２（４Ｈ、ｍ）。 ｂ） ３−［（２−ブロモ）フェニル］−ナフトチオフェンの製造 １−［（２−ブロモ）フェニル］−２−（２−ナフチル）チオエタノン（０． ５ｇ）を８０℃に予熱したＰＰＡ（７．２８ｇ）の部分に激しく撹拌しながら添 加した。反応混合物を８０℃において２時間撹拌し、次いで氷上に注ぎ、アンモ ニアでアルカリ性のｐＨとした。有機相を塩化メチレンで徹底的に抽出した。収 集した有機相を水で洗浄し、無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶媒を減圧下に除去した 。塩化メチレン−ヘキサン１：１（ｖ／ｖ）混合物を使用して、残留物をクロマ トグラフィーにかけた。ヘッド画分から、３−［（２−ブロモ）フェニル］−ナ フトチオフェン（６．０ｇ、融点＝９９℃）が得られた。 1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）（ｐｐｍ）：７．２８（１Ｈ、ｔ）、７．３８（１ Ｈ、ｓ）、７．４８（５Ｈ、ｍ）、７．７８（２Ｈ、ｄ）、７．９３（２Ｈ、ｄ ）。 ｃ） ３−［（２−ジフェニルホスフィニル）フェニル−２−ジフェニルホス フィニル−ナフトチオフェンの製造 ＢｕＬｉの１．６Ｍのヘキサン（８ｍｌ）溶液を、−７０℃に冷却させた、３ −［（２−ブロモ）フェニル］−ナフトチオフェン（２ｇ）およびＴＭＥＤＡ（ ２ｍｌ）のＴＨＦ（５０ｍｌ）溶液に滴下した。この反応は発熱性であり、温度 は−５０℃に到達した。温度を２０℃まで上昇させ、この温度において反応混合 物を１時間撹拌した。ジフェニルクロロホスフィン（２．４ｍｌ）を反応混合物 に添加し、これを一夜撹拌した。溶媒を減圧下に除去し、Ｈ2Ｏ（２０ｍｌ）、 ＣＨ2Ｃｌ2（５０ｍｌ）およびＨ2Ｏ2（６ｍｌ）を残留物に添加し、反応混合物 を２時間撹拌した。相分離後、水相を塩化メチレンで徹底的に抽出した。集めら れた有機相を無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶媒を減圧下に除去した。ＡｃＯＥｔ− ＣＨ2Ｃl2 ３：７（ｖ／ｖ）を溶離剤として使用して、残留物をクロマトグラ フィーにかけた。テイル画分から、３−［（２−ジフェニルホスフィニル）フェ ニル］−２−ジフェニルホスフィニル−ナフトチオフェン（１．１ｇ、融点＝３ ０３℃）が得られた。 1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）（ｐｐｍ）：７．３４（ｍ、３０Ｈ）。 31Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：２０．４（ｓ、１Ｐ）、２８（ｓ、１Ｐ）。 ｄ） ３−［（２−ジフェニルホスフィノ）フェニル］−２−ジフェニルホス フィノ−ナフトチオフェン（ＩＩＩＡ、ＩＩＩＢ）の製造 アルゴン雰囲気下に維持しながら、キシレン（２０ｍｌ）およびトリエチルア ミン（２．８ｍｌ）中に３−［（２−ジフェニルホスフィニル）フェニル］−２ −ジフェニルホスフィニル−ナフトチオフェン（１ｇ）を溶解させた溶液に、ト リクロロシラン（２ｍｌ）を撹拌しながら添加した。反応混合物を撹拌しながら １１０℃に６時間加熱し、脱気された水で処理した。水相を脱気された塩化メチ レンで数回抽出した。収集した有機相を無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶媒を減圧下 に除去した。残留物をメチルアルコール中に溶解すると、３−［（２−ジフェニ ルホスフィノ）フェニル］−２−ジフェニルホスフィノ−ナフトチオフェン（Ｉ ＩＩＡ、ＩＩＩＢ）（０．９ｇ、融点＝１９０℃）が得られた。 31Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：−２４．９６（ｓ、１Ｐ）、−１４．０９（ｓ 、１Ｐ）。 例３ ３−［（２−ジフェニルホスフィノ）フェニル］−２−ジフェニルホスフィノ− ナフトフラン（ＩＶＡ、ＩＶＢ）の製造 ａ） １−［（２−ブロモ）フェニル］−２−（２−ナフチル）オキシ−エタ ノンの製造 メチルアルコール（２５ｍｌ）中に金属ナトリウム（３ｇ）を溶解させて得ら れた、ＭｅＯＮａのメチルアルコール溶液を、２−ナフトール（２５ｇ）の溶液 に滴下した。その反応混合物を３０分間撹拌し、溶媒を減圧下で除去した。１− ［（２−ブロモ）フェニル］−２−ブロモ−エタノン（２１ｇ）のＤＭＦ（５０ ｍｌ）溶液を、前述したように調製した、ナトリウム塩（１６．５ｇ）のＤＭＦ （１００ｍｌ）溶液に滴下し、反応混合物を３日間撹拌した。溶媒を減圧下に除 去した。残留物をＨ2Ｏで処理し、塩化メチレンで徹底的に抽出した。集められ た有機相を無水化（Ｎａ2ＳＯ4）して、溶媒を減圧下に除去した。溶離剤として クロロホルムを使用して、反応粗生成物をクロマトグラフィーにかけた。テイル 画分から、１−［（２−ブロモ）フェニル］−２−（２−ナフチル）オキシ−エ タノンが得られた（１６ｇ、収率６２％）。 1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）（ｐｐｍ）：５．２２（ｓ、２Ｈ）、７．３９（ｍ 、１１Ｈ）。 ｂ） ３−［（２−ブロモ）フェニル］−ナフトフランの製造 １−［（２−ブロモ）フェニル］−２−（２−ナフチル）オキシ−エタノン（ １６ｇ）を８０℃に予熱したポリリン酸（ＰＰＡ）に激しく撹拌しながら添加し た。反応混合物を８０℃において１時間３０分間撹拌した。反応混合物をＨ2Ｏ 中に注ぎ、ＮＨ2でアルカリ性のｐＨとし、塩化メチレンで徹底的に抽出した。 集められた有機相を水で洗浄し、無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶媒を減圧下に除去 すると、３−［（２−ブロモ）フェニル］−ナフトフラン（１１ｇ、収率７２％ ）が得られた。 1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）（ｐｐｍ）：７．４８（ｍ、７Ｈ）、７．７７（ｍ 、３Ｈ）、７．９６（ｄ、１Ｈ）。 ｃ） ３−［（２−ジフェニルホスフィニル）フェニル］−２−ジフェニルホ スフィニル−ナフトフランの製造 ＢｕＬｉの１．６Ｍのヘキサン（２５ｍｌ）溶液を、−７０℃に冷却された、 ＴＨＦ（１００ｍｌ）中に３−［（２−ブロモ）フェニル］−ナフトフラン（５ ．７８ｇ）およびＴＭＥＤＡ（６ｍｌ）を溶解させた溶液に滴下した。この反応 は発熱性であり、温度は−５０℃に到達した。温度を２０℃まで上昇させ、この 温度において反応混合物を３０分間撹拌した。ジフェニルホスフィン（７．４ｍ ｌ）を反応混合物に添加し、反応混合物を１時間撹拌した。溶媒を減圧下に除去 した。Ｈ2Ｏ（２０ｍｌ）、ＣＨ2Ｃｌ2（１００ｍｌ）およびＨ2Ｏ2（２０ｍｌ ）を残留物に添加した。反応混合物を２時間撹拌した。相分離後、水相を塩化メ チレンで数回抽出した。収集した有機相を無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶媒を減圧 下で除去した。ＡｃＯＥｔＣｌ2３：７（ｖ／ｖ）を溶離剤として使用して、残 留物をクロマトグラフィーにかけた。３−［（２−ジフェニルホスフィニル）フ ェニル］−２−ジフェニルホスフィニル−ナフトフラン（６ｇ、融点＝１５５〜 １６５℃）。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）（ｐｐｍ）：６．６３（２Ｈ、ｍ）、７ ．３５（２０Ｈ、ｍ）、７．７８（８Ｈ、ｍ）。 ｄ） ３−［（２−ジフェニルホスフィノ）フェニル］−２−ジフェニルホス フィノ−ナフトフランの製造 アルゴン雰囲気下で、キシレン（５０ｍｌ）およびトリエチルアミン（１２． ５ｍｌ）中に３−［（２−ジフェニルホスフィニル）フェニル］−２−ジフェニ ルホスフィニル−ナフトフラン（６ｇ）を溶解させた溶液に、トリクロロシラン （１０．６ｍｌ）を撹拌しながら添加した。反応混合物を撹拌しながら１００℃ において１時間、１２０℃において１時間、１４０℃において３時間撹拌した。 この反応混合物を脱気された水で処理した。水相を脱気された塩化メチレンで数 回抽出した。収集した有機相を、無水化（Ｎａ2ＳＯ4）して、溶媒を減圧下で除 去した。残留物をアルゴン雰囲気下で、脱気されたメチルアルコール中に溶解さ せると、３−［（２−ジフェニルホスフィノ）フェニル］−２−ジフェニルホス フィノ−ナフトフラン （ＩＶＡ、ＩＶＢ）（４．２ｇ、収率＝７２％）が得られた。 31Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：−３２．１０（１Ｐ、ｓ）、−１３．７２（１ Ｐ、ｓ）。 1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）（ｐｐｍ）：６．９３（２Ｈ、ｔ）、７．３２（２ ５Ｈ、ｍ）、７．６２（１Ｈ、ｄ）、７．７５（１Ｈ、ｄ）、７．９１（１Ｈ、 ｄ）。 例４ ａ） 分割：（＋）−３−［（２−ジフェニルホスフィニル）フェニル］−２ −ジフェニルホスフィニル−ナフトチオフェン（ＩＩＩＡ、ＩＩＩＢ） 例２のｃ）において得られた１．７１ｇのラセミ体ジホスフィンオキシドの混 合物および０．９７５ｇの（−）−ｏ，ｏ’−ジベンゾイル−Ｌ−酒石酸(DＢＴ Ａ）を、ＡｃＯＥｔ／ＣＨＣｌ3 ３５：２５（ｖ／ｖ）により構成された６０ ｍｌの混合物の中で加熱して溶解させた。室温において２５時間後、濾過により 、［α］D 25＝＋６０．５°（ＥｔＯＨ中でｃ＝０．３５）の、１．０７８ｇの ジホスフィンオキシド（＋）とＤＢＴＡ（−）との間の付加物（Ｖ）が得られた 。 １．０４３ｇのジホスフィンオキシド（＋）とＤＢＴＡ（−）との間の付加物 （Ｖ）を、３８．５ｍｌのＡｃＯＥｔ／ＣＨＣｌ3 ２２．５：１６（ｖ／ｖ） により構成された混合物の中で加熱して溶解させた。室温において２５時間後、 濾過により、融点＝１６５〜１８５℃および［α］D 25＝＋６４．７°（ＥｔＯ Ｈ中でｃ＝０．３６）の、０．９７３ｇのジホスフィンオキシド（＋）とＤＢＴ Ａ（−）との間の付加物（Ｖ）が得られた。 ｂ） 前述の付加物（Ｖ）の脱ブロック ０．９３７g（Ｖ）の付加物を１６ｍｌのＮａＯＨで処理し、この混合物を各 ２０ｍｌの二分割されたＣＨ2Ｃｌ2で２回抽出した。そのようにして得られた有 機相を一緒にし、２０ｍｌの水で洗浄し、Ｎａ2ＳＯ4で乾燥させた。この混合物 を濾過して、溶媒を減圧下に蒸発除去すると、０．５ｇの光学的に純粋なジホス フィンオキシド（＋）が得られた。そのようにして得られたジホスフィンオキシ ド（＋）は、［α］D 25＝＋３１６°値（ｃ＝０．４１、溶媒：ベンゼン）を有 した。 ｃ） 分割：ジホスフィンオキシド（−） 前述のａ）の方法から得られた濾液から、溶媒を減圧下で除去すると、１．５ ８ｇの残留物が得られ、これを２４ｍｌの０．７５Ｎ ＮａＯＨで処理し、２０ ｍｌのＣＨ2Ｃｌ2で３回抽出した。集められた有機相を４０ｍｌの水で洗浄し、 次いで無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶媒を減圧下に除去すると、０．９２７ｇの粗 製のジホスフィンオキシド（−）が得られた。そのようにして得られた生成物を ０．５２５ｇのＤＢＴＡ（＋）と一緒にして、全体を加熱し、３５ｍｌのＡｃＯ Ｅｔ／ＣＨＣｌ3 ２０：１５（ｖ／ｖ）により構成される溶液で溶解させた。 ２４時間後、混合物を濾過すると、［α］D 25＝−６７（ｃ＝０．４９、ＥｔＯ Ｈ）および融点＝１６５〜１８５℃の、０．６０３ｇのジホスフィンオキシド（ −）とＤＢＴＡ（＋）との間の付加物（ＩＶ）により構成される固体が得られた 。 付加物（IV）を前述したようにｂ）に従い脱ブロックすると、ジホスフィンオ キシドが得られ、これは［α］D 25＝−２６５°（ｃ＝０．３８、溶媒：ベンゼ ン）により特徴づけられた。 この生成物を２−プロパノールで粉砕すると、［α］D 25＝−３１０．２°（ ｃ＝０．３６、溶媒：ベンゼン）の、（−）ジホスフィンオキシドが得られた。 例５ 還元 例４のｂ）において得られた０．４７０ｇの（＋）−３−［（２−ジフェニル ホスフィニル）フェニル］−２−ジフェニルジホスフィニル−ナフトチオフェン を２５ｍｌのキシレン中に溶解させ、次いで不活性条件下で１．１ｍｌのＥｔ3 Ｎおよび０．８ｍｌのＨＳｉＣｌ3を添加した。反応混合物を１２５℃で３時間 加熱し、次いでキシレンおよびトリクロロシランを減圧下除去し、残留物を水で 処理し、２０×３ｍｌのＣＨ2Ｃｌ2で抽出した。収集した有機相を無水化し、溶 媒を減圧下除去し、そのようにして得られた粗物質をメチルアルコール中に溶解 させた。０．３５ｇの（＋）−３−［（２−ジフェニルホスフィノ）フェニル］ −２−ジフェニルホスフィン−ナフトチオフェンが得られ、これは［α］D 25＝ ＋１７２°値（ｃ＝０．４、溶媒：ベンゼン）により特徴づけられた。 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：６．９〜７．９（３０Ｈ、ｍ）。 ３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：−１４．２５（ｄ、１Ｐ）、−２５．３（ｄ 、１Ｐ）。 例４のｃ）において得られたジホスフィンオキシド（−）を類似の方法により ジホスフィンに還元し、類似の収率が得られた。このジホスフィン（−）は［α ］D 25＝−１６８°（ｃ＝０．４、溶媒：ベンゼン）により特徴づけられた。 例６ （ＩＩＩＡ、ＩＩＩＢ）および（ＩＩＡ、ＩＩＢ）の特性決定 ａ） （±）−［（Ｓ）−ジメチル（ａ−メチルベンジル）アミネート−Ｃ2 Ｎ］［Ｒ，Ｓ）−３−｛（２ジフェニルホスフィノ）フェニル｝−２−ジフェニ ルホスフィノ−ナフトチオフェン］パラジウム（ＩＩ）クロライド ＮＭＲ管において、１３ｍｇの（−）ジ−μ−クロロ−ビス［（Ｓ）−Ｎ，Ｎ −ジメチル（α−メチルベンジル）アミネート−２−Ｃ，Ｎ］ジパラジウム（Ｉ Ｉ）を、ＣＤＣｌ3中に３０ｍｇの（Ｒ，Ｓ）−３−［（２−ジフェニルホスフ ィノ）フェニル］−２−ナフトチオフェンを溶解させた溶液に添加した。出発生 成物が完全に消失するまで、反応をＴＬＣでモニターした。31Ｐ ＮＭＲス ペクトルは、４つの異性体の形成を示した。 31Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）（ｐｐｍ）：６．７０（１Ｐ、ｄ、Ｊ＝４０．９ Ｈｚ）、７．４２（１Ｐ、ｄ、Ｊ＝４０．３Ｈｚ）、１２．２３（２Ｐ、ｄ、Ｊ ＝４１．５Ｈｚ）、２９．１４（１Ｐ、ｄ）Ｊ＝４２．７Ｈｚ）、３６．４０（ １Ｐ、ｄ、Ｊ＝４０．３）、３７．３９（１Ｐ、ｄ、Ｊ＝４０．９）。 ｂ） （±）−［（Ｓ）−ジメチル（ａ−メチルベンジル）アミネート−Ｃ2 Ｎ］［Ｒ，Ｓ）−３−｛（２ジフェニルホスフィノ）フェニル｝−２−ジフェニ ルホスフィノ−４，６−ジメチルベンゾ［ｂ］フラン］パラジウム（ＩＩ）クロ ライド ＮＭＲ管において、１７ｍｇの（−）ジ−μ−クロロ−ビス［（Ｓ）−Ｎ，Ｎ −ジメチル（α−メチルナフチル）アミネート−２−Ｃ，Ｎ］ジパラジウム（Ｉ Ｉ）を、ＣＤＣｌ3中に３０ｍｇの（Ｒ，Ｓ）−３−［（２−ジフェニルホスフ ィノ）フェニル］−２−４，６−ジメチルベンゾ［ｂ］フラン（ＩＩＡ、ＩＩＢ ）を溶解させた溶液に添加した。出発生成物が完全に消失するまで、反応をＴＬ Ｃでモニターした。31Ｐ ＮＭＲスペクトルは、４つの異性体の形成を示した。 31Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）（ｐｐｍ）：２．５８（１Ｐ、ｄ、Ｊ＝３９．７ Ｈｚ）、３．８３（１Ｐ、伸張したｄ）、１２．８３（１Ｐ、ｄ、Ｊ＝４０．４ Ｈｚ）、２０．９５（１Ｐ、ｄ、Ｊ＝４１．２Ｈｚ）、２５．２２（１Ｐ、ｄ、 Ｊ＝４１．９Ｈｚ）、３７．４３（１Ｐ、ｄ、Ｊ＝３９．７０ｚ）、４１．９１ （１Ｐ、ｄ、Ｊ＝３８．９Ｈｚ）。 例７ ［（＋）−３−｛（２−ジフェニルホスフィノ）フェニル｝−２−ジフェニルホ スフィノ−ナフトチオフェン）ＲＵＣｌ2］n錯体の製造 側面のタップ、エメリコーンおよびテフロン被覆された撹拌棒を装備した試験 管を反復して空にしかつアルゴンで加圧した。この操作を３回反復した。試験管 の中に、順番に、例５において得られた１４ｍｇの（＋）キラルジホスフィン（ ２．２２×１０-2ｍｍｏｌ）、４．５ｍｇの［ＲｕＣｌ2（Ｃ6Ｈ6）］2（１．８ ×１０-2ｍｍｏｌ）および５ｍｌの不活性雰囲気中で新たに蒸留されかつアルゴ ンで１５分間脱気されたジメチルホルムアミドを導入した。この赤−褐色の懸濁 液を撹拌しながら１００℃に１５分間加熱した。この懸濁液は透明な黄−オレン ジ色溶液に急速に転化した。この溶液を５０℃に冷却し、それが乾燥するまで蒸 発させた。残留物を機械的真空下に１時間放置し、引き続いてアルゴンで加圧し た。そのようにして得られたルテニウム錯体を、それ以上精製することなく、ケ トエステルの鏡像異性選択的還元において使用した。 例８ ［（＋）−３−｛（２−ジフェニルホスフィノ）フェニル｝−２−ジフェニルホ スフィノ−ナフトチオフェン）Ｒｕ（η3−２−メチルアリル）2］錯体の製造 側面のタップ、エメリコーンおよびテフロン被覆された撹拌棒を装備した試験 管を反復して空にしかつアルゴンで加圧した。この操作を少なくとも３回反復し た。試験管の中に、順番に、例５において得られた１５ｍｇの（＋）キラルジホ スフィン（２．３８×１０-2ｍｍｏｌ）、６．９ｍｇの［（１，５−シクロオク タジエン）Ｒｕ−ビス−（メタリル）］（２．１６×１０-2ｍｍｏｌ）および５ ｍｌの蒸留されかつアルゴンで脱気されたトルエンを導入した。この懸濁液を磁 気的に撹拌しながら１００℃に２時間加熱した。反応の終わりにおいて、透明な 黄−オレンジ色溶液が得られた。この溶液を冷却し、それが乾燥するまで蒸発さ せた。残留物を機械的真空下に２時間放置し、次いでアルゴンで加圧した。この ルテニウム錯体を、それ以上精製することなく、ａ，ｂ−不飽和カルボン酸の還 元において使用した。 例９ エチル３−オキソーブチレートの（Ｒ）−（−）−３−エチルヒドロキシブチレ ートへの還元 ガラスライナー、機械的撹拌機および加熱システムを装備したステンレス鋼製 オートクレーブを水素で５０気圧に数回加圧し（このサイクルを少なくとも５回 反復した）、４０℃に恒温制御した。例７に記載した方法に従って製造された触 媒に、０．６６７ｇ（５．１３×１０-3ｍｍｏｌ）のエチル３−オキソ−ブチレ ートおよび前もってアルゴンで３０分間脱気した２０ｍｌのメチルアルコール／ 水混合物（９９．５：０．５ｖ／ｖ）を添加した。この溶液を注入器でオートク レーブに移し、これを１００気圧に加圧した。３時間３０分後、オートクレーブ を冷却し、開放し、溶媒を蒸発させると、油状褐色残留物が得られた。試料をＧ Ｃにより分析した（ＰＥＧ ２０Ｍのカラム、炉温度１００℃、ＦＩＤおよびイ ンジェクター温度２００℃）。結果は出発物質の定量的変換を示した。残留物を ７５〜８０℃の温度および１７ｍｍＨｇにおいて真空蒸留した。精製された生成 物の試料の分析において、化学的に純粋なエチル３−ヒドロキシブチレートが水 素化反応から得られたことが示された。 1Ｈ ＮＭＲ（２００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）（ｐｐｍ）：４．２（３Ｈ、重なっ たｑおよびｍ）、２．４（２Ｈ、ｄ）、１．２（６Ｈ、重なったｔおよびｄ）。 鏡像異性体過剰をＨＰＬＣ（ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＣＥＬ ＯＤカラム、 溶離剤：ヘキサン−２−プロパノール９０：１０ｖ／ｖ、１ｍｌ／分）により測 定し、Ｒ鏡像異性体が９６％であることが示された。 例１０ エチルベンジルアセテートの（Ｓ）−エチル−３−ヒドロキシ−３−フェニルプ ロピオネートへの還元 ガラスライナー、機械的撹拌機および加熱システムを装備したステンレス鋼製 オートクレーブを水素で５０気圧に数回加圧し（このサイクルを少なくとも５回 反復した）、５５℃恒温制御した。触媒の製造手順は例７の手順と同一であった 。 例５において得られた１８．８ｍｇの（＋）キラルジホスフィンおよび６．３ｍ ｇの［ＲｕＣｌ2（Ｃ6Ｈ6）］2を使用した。この触媒に、１．１７ｇのエチルベ ンゾイルアセテート（６．０６×１０-3ｍｍｏｌ）および前もってアルゴンで３ ０分間脱気された２０ｍｌのメチルアルコール／水混合物（９９．５：０．５ｖ ／ｖ）を添加した。この溶液を注入器でオートクレーブに移し、これを１００気 圧に加圧した。６時間後、オートクレーブを冷却し、開放し、溶媒を蒸発させる と、液状褐色残留物が得られた。試料を1Ｈ ＮＭＲにより分析し、この分析は ６４％の変換率を示した。残留物をフラッシュクロマトグラフィーにより精製し た。ここでこのクロマトグラフィーではヘキサン：酢酸エチル混合物（７０：３ ０ｖ／ｖ）を使用した。収集した画分を一緒にし、溶媒を蒸発させた。得られた 生成物は、エチル−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロピオネートであった。 1Ｈ ＮＭＲ（２００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）（ｐｐｍ）：７．４〜７．３（５Ｈ 、ｍ）、５．１（１Ｈ、ｄ、ｄ）、４．１５（２Ｈ、ｑ）、３．３（１Ｈ、ｓ） 、２．７５（２Ｈ、ｍ）、１．２５（１Ｈ、ｔ）。 鏡像異性体過剰をＨＰＬＣ（ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＣＥＬ ＯＤカラム、 溶離剤：ヘキサン／２−プロパノール９０：１０ｖ／ｖ、１ｍｌ／分）により測 定し、Ｓ鏡像異性体が７３％であることが示された。 例１１ アトロパ酸の（Ｒ）（−）−２−フェニルプロピオン酸への還元 ガラスライナー、機械的撹拌機および加熱システムを装備したステンレス鋼製 オートクレーブを水素で５０気圧に数回加圧し（このサイクルを少なくとも５回 反復した）、４５℃恒温制御した。例８に記載した方法に従い製造した触媒に、 ０．４６９ｇのアトロパ酸（３．１６×１０-3ｍｍｏｌ）および前もってアルゴ ンで脱気された２０ｍｌのメチルアルコールを添加した。この溶液を注入器でオ ートクレーブに移し、これを５２気圧に加圧した。８０分後、オートクレーブを 冷却し、開放し、溶媒を蒸発させると、油状褐色残留物が得られた。試料を1Ｈ ＮＭＲにより分析した。分析は出発物質の定量的変換を示した。残留物をフラ ッシュクロマトグラフィーにより精製した。ここで、このクロマトグラフィーで は０．５％の酢酸を含有するヘキサン：酢酸エチル混合物（７０：３０ｖ／ｖ） を使用した。収集された画分から溶媒を蒸発させると、化学的に純粋な還元生成 物が得られた。 1Ｈ ＮＭＲ（２００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）（ｐｐｍ）：７．３５（５Ｈ、ｍ） 、３．７５（１Ｈ、ｑ）、１．５（３Ｈ、ｄ）。 鏡像異性体過剰をＨＰＬＣ（ＲＲ ＷＨＥＬＫカラム、溶離剤：ヘキサン／２ −プロパノール／ＣＨ3ＣＯＯＨ ９９：１：０．５ｖ／ｖ、１ｍｌ／分）によ り測定し、Ｒ鏡像異性体が６５％であることが示された。 例１２ ２−アセトアミドアクリル酸のメチルエステルの還元のための錯体［Ｒｈ（１， ５−シクロオクタジエン）Ｃｌ2］／（＋）ジホスフィン（ＩＩＩＡ、ＩＩＩＢ ）の製造および使用 窒素雰囲気下にジホスフィン（ＩＩＩＡ、ＩＩＩＢ）（１．１×１０-2ｍｍｏ ｌ）および［Ｒｈ（ＣＯＤ）Ｃｌ］2（５×１０-3ｍｍｏｌ）を含有する２５０ ｍｌの耐圧ガラス容器の中に、溶媒（１０ｍｌの１：１ベンゼン／ＭｅＯＨ混合 物）を添加した。すべての固体が溶解したとき、２−アセトアミドアクリル酸の メチルエステル（１ｍｍｏｌ）を添加した。 反応器を機械的ポンプにより窒素から空にし、次いで水素で３．７気圧に加圧 し、パール（Ｐａｒｒ）水素化装置中、室温で６２時間撹拌した。反応の終わり において、溶媒を減圧除去し、生成物を蒸留により精製した（１５０℃、４０Ｐ ａ）。 収率：９８％、鏡像異性体の純度７２％、Ｓ立体配置。 変換率および鏡像異性体過剰の分析をＣｙｃｌｏｄｅｘ−Ｂキラルカラム、２ ０ｍ（等温で１０５℃、キャリヤーガスはＨｅ、５５ｋｐａ）のクロマトグラフ ィーにより実施した。Ｎ−アセチルアミンのメチルエーテルの保持時間は、（Ｒ ）鏡像異性体および（Ｓ）鏡像異性体について、それぞれ、２４．０分および２ ４．７分である。 例１３ ３−［（２−ジシクロヘキシルホスフィノ）フェニル］−２−（ジシクロヘキシ ルホスフィノ）ナフトチオフェン（ＶＩＩＩＡ、ＶＩＩＩＢ）の製造 ａ） ３−［（２−ジシクロヘキシルホスフィニル）フェニル］−２−（ジシ クロヘキシルホスフィニル）ナフトチオフェンの製造 ＢｕＬｉの２．５Ｍ（２．６ｍｌ）例２におけるようにして製造した）を、− ７０℃に冷却されたＴＨＦ（４０ｍｌ）中に３−（ｏ−ブロモフェニル）ナフト チオフェン（１ｇ）およびＴＭＥＤＡ（１ｍｌ）を溶解させた溶液に注意して滴 下した。温度を上昇させ、２０℃において反応混合物を１時間撹拌した。ジシク ロヘキシルクロロホスフィン（１．５ｇ）を滴下し、一夜撹拌した。溶媒を減圧 下除去し、残留物をＨ2Ｏ（２ｍｌ）で処理した。ＣＨ2Ｃｌ2（２５ｍｌ）およ びＨ2Ｏ2（１０ｍｌ、３５％）を添加した。この混合物を２時間撹拌した。相分 離後、水相を塩化メチレンで数回抽出した。有機相を無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、 溶媒を減圧下で除去した。ＡｃＯＥｔ−ＣＨ2Ｃｌ2 １：１を溶離剤として使用 して、残留物をクロマトグラフィーにかけると、３−（２−ジシクロヘキシルホ スフィニルフェニル）−２−ジシクロヘキシルホスフィニルナフトチオフェン（ ０．７ｇ、融点＝２７４℃、Ｍ+＝６８４）が得られた。 31Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：４３．０４（１Ｐ、ｓ、チオフェン上のＰ）、 ４４．９０（１Ｐ、ｓ、Ｐｈ上のＰ）。 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：０．５〜２．５（４４Ｈ、ｓ）シクロヘキシル） 、 ７．０〜７．９５（１０Ｈｍ、ｍ、芳香族）。 ｂ） ３−［（２−ジシクロヘキシルホスフィノ）フェニル］−２−（ジシク ロヘキシルホスフィノ）ナフトチオフェンの製造 アルゴン雰囲気下に維持しながら、キシレンおよびトリエチルアミン（０．２ ５ｍｌ）中に３−（２−ジシクロヘキシルホスフィニルフェニル）−２−ジシク ロヘキシルホスフィニルーナフトチオフェン（０．１３ｇ）を溶解させた溶液に 、ＨＳｉＣｌ3（０．２０ｍｌ）を注意して添加し、撹拌した。反応混合物を１ ００℃に１時間、１２０℃に１時間、１４０℃に１時間保持した。溶媒を減圧下 除去し、次いで混合物をＮａＯＨ（１０％、１０ｍｌ）で処理し、６０℃で１５ 分間加熱した。水相を脱気された塩化メチレンで数回抽出した。集められた有機 相を無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶媒を減圧下除去した。残留物をメチルアルコー ル中に溶解すると、３−（２−ジシクロヘキシルホスフィノフェニル）−２−ジ シクロヘキシルホスフィノナフトチオフェン（０．０９８ｇ）融点＝２００℃（ 分解））が得られた。 31Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：−１７．５（１Ｐ、ｄ、Ｊ＝１１Ｈｚ）、−９ ．５４（１Ｐ、ｄ、Ｊ＝１１Ｈｚ）。 ｃ） ３−（２−ジシクロヘキシルホスフィニルフェニル）−２−ジシクロヘ キシルホスフィニルナフトチオフェンの分割 （±）−３−（２−ジシクロヘキシルホスフィニルフェニル）−２−ジシクロ ヘキシルホスフィニルナフトチオフェン（０．２８ｇ）および（−）−Ｏ，Ｏ’ −ジベンゾイル−Ｌ−酒石酸（０．２８ｇ）をクロロホルム／Ｅｔ2Ｏ １：５ の混合物（１０ｍｌ）中に溶解させ、５分間加熱還流させた。２４時間後、濾過 により（−）−ジホスフィンオキシドと（−）−ＤＢＴＡとの間の付加物〔（０ ．２７０ｇ）、［α］D 25＝−４５．８°（ｃ＝０．３３、ＥｔＯＨ）〕が得ら れた。この付加物を０．７５Ｎの希薄炭酸ナトリウム（５ｍｌ）で処理して切り 放 し、（−）−ジホスフィンオキシドを塩化メチレンで徹底的に抽出した。集めら れた有機相を水で洗浄し、無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶媒を減圧除去した。残留 物をｉＰｒ2Ｏで粉砕すると、（−）−３−（２−ジシクロヘキシルホスフィニ ルフェニル）−２−ジシクロヘキシルホスフィニルナフトチオフェン（０．０７ ｇ）が得られた。 ［α］D 25＝−７１°（ｃ＝０．３１、Ｃ5Ｈ6）。 例１４ ３−［（２−ジシクロヘキシルホスフィノ）フェニル］−２−（ジフェニルホス フィノ）ナフトチオフェン（ＶＩＡ、ＶＩＢ）の製造 ａ） ３−［（２−ジシクロヘキシルホスフィノ）フェニル］−２−（ジフェ ニルホスフィノ）ナフトチオフェンの製造 ＬＤＡ（０．０１１７ｍｏｌ）を、−７０℃に冷却された、ＴＨＦ（４０ｍｌ ）中に３−（ｏ−ブロモフェニル）ナフトチオフェン（４ｇ）を溶解させた溶液 に注意して滴下した。この混合物を−７０℃に１５分間保持し、次いで温度を− ４０℃まで上昇させ、ジフェニルクロロホスフィン（２．１６ｍｌ、０．０１７ ｍｏｌ）を撹拌しながら３０分かけて滴下した。その温度を室温まで上昇させた 。溶媒を減圧下除去し、残留物をＨ2Ｏ（８ｍｌ）で処理し、ＣＨ2Ｃl2（８０ｍ ｌ）およびＨ2Ｏ2（１５ｍｌ、３５％）を添加した。この混合物を２時間撹拌し た。相分離後、水相を塩化メチレンで数回抽出した。有機相を無水化（Ｎａ2Ｓ Ｏ4）し、溶媒を減圧下に除去した。残留物をＡｃＯＥｔで粉砕すると、３−（ ｏ−ブロモフェニル）−２−ジフェニルホスフィニルナフトチオフェンが得られ た（４．３８ｇ）融点＝１９３℃、Ｍ+＝５３９）。 元素分析：Ｃ＝６６．３３％、Ｈ＝３．６６％。 31Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：１９．１５（１Ｐ、ｓ）。 1Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：７．１〜７．９（２０Ｈ、Ｍ、芳香族）。 ｂ） ３−（２−シクロヘキシルホスフィニルフェニル）−２−ジフェニルホ スフィニルナフトチオフェンの製造 ｔ−ＢｕＬｉ（２．５ｍｌ、１．５Ｍ）を、−７８℃に冷却されたＥｔ2Ｏ（ ４０ｍｌ）中に３−（ｏ−ブロモフェニル）−２−ジフェニルホスフィニルナフ トチオフェン（１ｇ）を溶解させた溶液に注意して滴下した。温度を１０℃まで 上昇させ、ジシクロヘキシルクロロホスフィン（０．０１８ｍｏｌ）を滴下した 。この混合物を室温に５時間保持した。溶媒を減圧下除去し、残留物をＨ2Ｏ（ ３ｍｌ）で処理し、ＣＨ2Ｃｌ2（３０ｍｌ）およびＨ2Ｏ2（４ｍｌ、３５％）を 添加した。この混合物を２時間撹拌した。相分離後、水相を塩化メチレンで数回 抽出した。一緒にした有機相を無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶媒を減圧下除去した 。ＣＨ2Ｃｌ2：ＡｃＯＥｔ（３：７）を溶離液として使用して、残留物をクロマ トグラフィーにかけた。分離した生成物をｉＰｒ2Ｏで粉砕すると、３−（２− ジシクロヘキシルホスフィニルフェニル）−２−ジフェニルホスフィニルナフト チオフェンが得られた（０．５ｇ、融点＝２４２℃、Ｎ+＝６７２）。 31Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：２８．７（０．８Ｐ、ｓ）、４４．１６（１． ２Ｐ、ｓ）。 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：０．７〜２．１（２２Ｈ、ｍ、シクロヘキシル） 、６．７〜７．９（２０Ｈ、ｍ、芳香族）。 ｃ） ３−（２−ジシクロヘキシルホスフィノフェニル）−２−ジフェニルホ スフィノナフトチオフェンの製造 アルゴン雰囲気下に、撹拌しながら、キシレン（６ｍｌ）およびトリエチルア ミン（０．３５ｍｌ）中に３−（２−ジシクロヘキシルホスフィニルフェニル） ２−ジフェニルホスフィノナフトチオフェン（０．２ｇ）を溶解させた溶液に、 ＨＳｉＣｌ3（０．２４ｍｌ）を注意して添加した。反応混合物を１００℃に１ 時間、１２０℃に１時間、１４０℃に２時間保持した。溶媒を減圧下に除去し、 次いで混合物をＮａＯＨ（１０％、１５ｍｌ）で処理し、６０℃に１５分間加熱 した。水相を脱気された塩化メチレンで数回抽出した。集められた有機相を無水 化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶媒を減圧下に除去した。残留物をメチルアルコール中で 粉砕すると、３−（２−ジシクロヘキシルホスフィノフェニル）−２−ジフェニ ルホスフィノナフトチオフェン（０．１２ｇ、融点＝１５７℃（分解））が得ら れた。 31Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：−１８．２３（１．２Ｐ、ｓ）、−１６．２３ （０．８Ｐ、ｓ）。 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：０．７〜２．０（２２Ｈ、ｍ、シクロヘキシル） 、６．６５〜７．８５（２０Ｈ、ｍ、芳香族）。 例１５ ｛［（−）−３−［（２−ジフェニルホスフィノフェニル）−２−ジフェニルホ スフィノナフトチオフェン］ＲｕＣｌ2（ＤＭＦ｝］｝nを使用するエチルシクロ ペンタノンカルボキシレートの還元 ｛［（−）−３−［（２−ジフェニルホスフィノフェニル）−２−ジフェニル ホスフィノナフトチオフェン］ＲｕＣｌ2（ＤＭＦ｝］｝n（０．０１６ｍｍｏｌ ）を含有するテイルド（ｔａｉｌｅｄ）試験管の中に、不活性雰囲気下に、Ｍｅ ＯＨ／Ｈ2Ｏ（３０ｍｌ／０．５ｍｌ）中に溶解したエチルシクロペンタノンカ ルボキシレート（２．５０ｇ、１６ｍｍｏｌ）の溶液を導入した。得られた溶液 を前もって水素で順化されたオートクレーブの中に注入した。撹拌しながら１０ ０気圧、４０℃において還元を８時間実施した。溶液を収集し、ＭｅＯＨを減圧 下に除去し、水相をＣＨ2Ｃｌ2で抽出した。集められた有機相を無水化（Ｎａ2 ＳＯ4）し、溶媒を減圧下に除去した。 反応粗生成物の1Ｈ ＮＭＲ分析は、エチル２−ヒドロキシシクロペンタノン カルボキシレートへの変換が完結したことを示した。 生成物をクロマトグラフィーにより精製したが、溶離剤としてはヘキサン／Ａ ｃＯＥｔを６：４の比で使用した。 鏡像異性体過剰をキラル静止相のＨＰＬＣ（ＣＨＩＲＡＣＥＬ ＯＤ；ヘキサ ン／イソプロパノール（９／１）；流速：１ｍｌ／分）により測定した結果、ア ンチ立体異性体について９７％であることが示された。ガスクロマトグラフィー 分析により測定されたジアステレオマー過剰は、トランスジアステレオマーにつ いて７４％である。 例１６ ｛［（±）−３−（２−ジシクロヘキシルホスフィノフェニル）−２−ジシクロ ヘキシルホスフィノナフトチオフェン］ＲｕＣｌ2（ＤＭＦ）｝nを使用するエチ ルシクロペンタノンカルボキシレートの還元 不活性雰囲気下で、｛［（±）−３−（２−ジシクロヘキシルホスフィノフェ ニル）−２−ジシクロヘキシルホスフィノナフトチオフェン］ＲｕＣｌ2（ＤＭ Ｆ）｝n（０．００７６ｍｍｏｌ）を含有するテイルド試験管の中に、ＭｅＯＨ ／Ｈ2Ｏ（３０ｍｌ／０．５ｍｌ）中に溶解したエチルシクロペンタノンカルボ キシレート（１．１５ｇ、７．４ｍｍｏｌ）の溶液を導入した。得られた溶液を 前もって水素で順化されたオートクレーブの中に注入した。撹拌しながら１００ 気圧、５０℃において還元を２８時間実施した。溶液を収集し、ＭｅＯＨを減圧 下に除去し、水相をＣＨ2Ｃｌ2で抽出した。集められた有機相を無水化（Ｎａ2 ＳＯ4）し、溶媒を減圧下除去した。 反応粗生成物の1Ｈ ＮＭＲ分析は、エチル２−ヒドロキシ−シクロペンタン カルボキシレートへの変換が完結したことを示した。 ガスクロマトグラフィー分析により測定されたジアステレオマー過剰は、トラ ンスジアステレオマーについて６６％であった。例１７ ｛［（±）−３−（２−ジシクロヘキシルホスフィノフェニル）−２−ジフェニ ルホスフィノナフトチオフェン］ＲｕＣｌ2（ＤＭＦ）｝nを使用するエチルシク ロペンタノンカルボキシレートの還元 不活性雰囲気下で、｛［（±）−３−［（２−ジシクロヘキシルホスフィノフ ェニル）−２−ジフェニルホスフィノナフトチオフェン］ＲｕＣｌ2（ＤＭＦ） ｝n（０．００７８ｍｍｏｌ）を含有するテイルド試験管の中に、ＭｅＯＨ／Ｈ2 Ｏ（２３ｍｌ／０．５ｍｌ）中に溶解したエチルシクロペンタノンカルボキシレ ート（１．２ｇ、７．６８ｍｍｏｌ）の溶液を導入した。得られた溶液を前もっ て水素で順化されたオートクレーブの中に注入した。撹拌しながら１００気圧、 ４５℃において還元を３０時間実施した。溶液を収集し、ＭｅＯＨを減圧下に除 去し、水相をＣＨ2Ｃｌ2で抽出した。集められた有機相を無水化（Ｎａ2ＳＯ4） し、溶媒を除去した。 反応粗生成物の1Ｈ ＮＭＲ分析は、エチル２−ヒドロキシ−シクロペンタノ ンカルボキシレートへの変換が完結したことを示した。 ガスクロマトグラフィー分析により測定されたジアステレオマー過剰は、トラ ンスジアステレオマーについて４５％である。
【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１０年１０月２６日（１９９８．１０．２６） 【補正内容】 − 金属化アリール複素環式系を得る、環内結合に隣接する前記位置の第１金属 化反応、あるいはそのアリール環上のハロゲンの金属−ハロゲン交換反応、 − ホスフィンヘテロアリール系またはホスフィニルヘテロアリール系を得る、 前記金属化系とクロロホスフィンまたは塩化ホスフィニルとの反応、 − ヘテロアリールホスフィン系またはヘテロアリールホスフィニル金属化系を 得る、アリール環上のハロゲンの金属−ハロゲン交換の第２反応、あるいは環内 結合に隣接する前記位置の金属化反応、 − ヘテロアリールジホスフィニック、ヘテロアリールホスフィニリックまたは ヘテロアリールホスフィニックホスフィニリックラセミ体系を得る、前記ヘテロ アリールホスフィン系またはヘテロアリールホスフィニル金属化系とクロロホス フィンまたは塩化ホスフィニルとの反応、 − 既知の技術に従う酸化反応による、前記ヘテロアリールジホスフィニック、 ヘテロアリールホスフィニリックまたはヘテロアリールホスフィニックホスフィ ニリックラセミ体系の、をヘテロアリールジホスフィニルラセミ体系への必要に 応じて行なう変換、 ２つのジアステレオマー付加物を得る、前記ヘテロアリールジホスフィニルラ セミ体系と酸分割キラル剤との反応、 − 分別結晶化による前記ジアステレオマー付加物の分離、 − 対応する鏡像異性的に純粋なヘテロアリールジホスフィニル系を得る、前記 分離されたジアステレオマー付加物の各々の塩基処理、 − 鏡像異性的に純粋なヘテロアリールジホスフィニルキラル系の（ＩＡ）（Ｉ Ｂ）を得る、前記鏡像異性的に純粋なヘテロアリールジホスフィニル系の、既知 の型の還元剤による還元。 常に本発明によれば、前記金属化反応および金属−ハロゲン交換反応を、また 、同時に実施して、ビス−金属化系を得ることができる。この場合において、前 記 ビス−金属化系をクロロホスフィンまたは塩化ホスフィニルと反応させることに よって、ヘテロアリールジホスフィンまたはヘテロアリールジホスフィニルラセ ミ体系を直接的に得て、引き続いてこれらを前述したように処理する。 本発明の方法によれば、還元剤は、例えば、シラン類の中から有利に選択され る。そのうえ、前記ジホスフィンラセミ体系を、また、キラル手段、例えば、静 止段階、溶離剤系等、を使用して、カラムクロマトグラフィーにより直接的に分 割することができる。常に、本発明による前記ジアステレオマー付加物を形成 集められた有機相を水で洗浄し、無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶媒を減圧下に除去 すると、３−［（２−ブロモ）フェニル］−ナフトフラン（１１ｇ、収率７２％ ）が得られた。 1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）（ｐｐｍ）：７．４８（ｍ、７Ｈ）、７．７７（ｍ 、３Ｈ）、７．９６（ｄ、１Ｈ）。 ｃ） ３−［（２−ジフェニルホスフィニル）フェニル］−２−ジフェニルホ スフィニル−ナフトフランの製造 ＢｕＬｉの１．６Ｍのヘキサン（２５ｍｌ）溶液を、−７０℃に冷却された、 ＴＨＦ（１００ｍｌ）中に３−［（２−ブロモ）フェニル］−ナフトフラン（５ ．７８ｇ）およびＴＭＥＤＡ（６ｍｌ）を溶解させた溶液に滴下した。この反応 は発熱性であり、温度は−５０℃に到達した。温度を２０℃まで上昇させ、この 温度において反応混合物を３０分間撹拌した。ジフェニルホスフィン（７．４ｍ ｌ）を反応混合物に添加し、その反応混合物を１時間撹拌した。溶媒を減圧下に 除去した。Ｈ2Ｏ（２０ｍｌ）、ＣＨ2Ｃｌ2（１００ｍｌ）およびＨ2Ｏ2（２０ ｍｌ）を残留物に添加した。反応混合物を２時間撹拌した。相分離後、水相を塩 化メチレンで数回抽出した。収集した有機相を無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶媒を 減圧下に除去した。ＡｃＯＥｔ／ＣＨ2Ｃｌ2 ３：７（ｖ／ｖ）を溶離剤として 使用して、残留物をクロマトグラフィーにかけた。３−［（２−ジフェニルホス フィニル）フェニル］− 還元 実施例４のｂ）において得られた０．４７０ｇの（＋）−３−［（２−ジフェ ニルホスフィニル）フェニル］−２−ジフェニルジホスフィニル−ナフトチオフ ェンを２５ｍｌのキシレン中に溶解させ、次いで不活性条件下で１．１ｍｌのＥ ｔ3Ｎおよび０．８ｍｌのＨＳｉＣｌ3を添加した。反応混合物を１２５℃で３時 間加熱し、次いでキシレンおよびトリクロロシランを減圧下に除去し、残留物を 水で処理し、３×２０ｍｌのＣＨ2Ｃｌ2で抽出した。収集した有機相を無水化し 、溶媒を減圧下に除去し、そのようにして得られた粗物質をメチルアルコール中 に溶解させた。０．３５ｇの（＋）−３−［（２−ジフェニルホスフィノ）フェ ニル］−２−ジフェニルホスフィン−ナフトチオフェンが得られ、これは［α］D 25 ＝＋１７２°（ｃ＝０．４、溶媒：ベンゼン）により特徴づけられた。 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：６．９〜７．９（３０Ｈ、ｍ）。 ３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：−１４．２５（ｄ、１Ｐ）、−２５．３（ｄ 、１Ｐ）。 例４のｃ）において得られたジホスフィンオキシド（−）を類似の方法により ジホスフィンに還元し、類似の収率が得られた。このジホスフィン（−）は［α ］D 25＝−１６８°（ｃ＝０．４、溶媒：ベンゼン）により特徴づけられた。 例６ （ＩＩＩＡ、ＩＩＩＢ）および（ＩＩＡ、ＩＩＢ）の特性決定 に急速に転化した。この溶液を５０℃に冷却し、それが乾燥するまで蒸発させた 。残留物を機械的真空下に１時間放置し、引き続いてアルゴンで加圧した。その ようにして得られたルテニウム錯体を、それ以上精製することなく、ケトエステ ルの鏡像異性選択的還元において使用した。 例８ ［（＋）−３−｛（２−ジフェニルホスフィノ）フェニル｝−２−ジフェニルホ スフィノ−ナフトチオフェン）Ｒｕ（η3−２−メチルアリル）2］錯体の製造 側面のタップ、エメリコーンおよびテフロン被覆された撹拌棒を装備した試験 管を反復して空にしかつアルゴンで加圧した。この操作を少なくとも３回反復し た。試験管の中に、順番に、実施例５において得られた１５ｍｇの（＋）キラル ジホスフィン（２．３８×１０-2ｍｍｏｌ）、６．９ｍｇの［（１，５−シクロ オクタジエン）Ｒｕ−ビス−（メタリル）］（２．１６×１０-2ｍｍｏｌ）およ び５ｍｌの蒸留されかつアルゴンで脱気されたトルエンを導入した。この懸濁液 を磁気的に撹拌しながら１００℃に２時間加熱した。反応の終わりにおいて、透 明な黄−オレンジ色溶液が得られた。この溶液を冷却し、それが乾燥するまで蒸 発させた。残留物を機械的真空下に２時間放置し、次いでアルゴンで加圧した。 このルテニウム錯体を、それ以上精製することなく、α，β−不飽和カルボン酸 の還元において使用した。 し、溶媒を減圧下で除去した。残留物をメチルアルコールで処理すると、３−（ ２−ジシクロヘキシルホスフィノフェニル）−２−ジシクロヘキシルホスフィノ ナフトチオフェン（０．０９８ｇ、融点＝２００℃（分解））が得られた。 31Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：−１７．５（１Ｐ、ｄ、Ｊ＝１１Ｈｚ）、−９ ．５４（１Ｐ、ｄ、Ｊ＝１１Ｈｚ）。 ｃ） ３−（２−ジシクロヘキシルホスフィニルフェニル）−２−ジシクロヘ キシルホスフィニルナフトチオフェンの分割 （±）−３−（２−ジシクロヘキシルホスフィニルフェニル）−２−ジシクロ ヘキシルホスフィニルナフトチオフェン（０．２８ｇ）および（−）−Ｏ，Ｏ’ −ジベンゾイル−Ｌ−酒石酸（０．２８ｇ）をクロロホルム／Ｅｔ2Ｏ １：５ の混合物（１０ｍｌ）中に溶解させ、５分間加熱還流させた。２４時間後、濾過 により（−）−ジホスフィンオキシドと（−）−ＤＢＴＡとの間の付加物〔（０ ．２７０ｇ）、［α］D 25＝−４５．８°（ｃ＝０．３３、ＥｔＯＨ）〕が得ら れた。 この付加物を０．７５Ｎの希薄炭酸ナトリウム（５ｍｌ）で処理して切り放し 、（−）−ジホスフィンオキシドを塩化メチレンで徹底的に抽出した。一緒にし た有機相を水で洗浄し、無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶媒を減圧下に除去した。残 留物をｉＰｒ2Ｏで処理すると、（−）−３−（２−ジシクロヘキシルホスフィ ニルフェニル）−２−ジシクロヘキシルホスフィニルナフトチオフェン（０．０ ７ｇ）が得られた。 ［α］D 25＝−７１°（ｃ＝０．３１、Ｃ5Ｈ6）。 例１４ ３−［（２−ジシクロヘキシルホスフィノ）フェニル］−２−（ジフェニルホス フィノ）ナフトチオフェン（ＶＩＡ、ＶＩＢ）の製造 ａ） ３−［（２−ジシクロヘキシルホスフィニル）フェニル］−２−（ジフ ェニルホスフィニル）ナフトチオフェンの製造 ＬＤＡ（リチオジイソプロピルアミン）（０．０１１７ｍｏｌ）を、−７０℃ に冷却された、ＴＨＦ（４０ｍｌ）中に３−（ｏ−ブロモフェニル）ナフトチオ フェン（４ｇ）を溶解させた溶液に注意して滴下した。この混合物を−７０℃に １５分間保持し、次いで温度を−４０℃まで上昇させ、ジフェニルクロロホスフ ィン（２．１６ｍｌ、０．０１７ｍｏｌ）を撹拌しながら３０分かけて滴下した 。その温度を室温まで上昇させた。溶媒を減圧下に除去し、残留物をＨ2Ｏ（８ ｍｌ）で処理し、ＣＨ2Ｃｌ2（８０ｍｌ）およびＨ2Ｏ2（１５ｍｌ、３５％）を 添加した。この混合物を２時間撹拌した。相分離後、水相を塩化メチレンで数回 抽出した。有機相を無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶媒を減圧下に除去した。残留物 をＡｃＯＥｔで処理すると、３−（ｏ−ブロモフェニル）ナフトチオフェンが得 られた（４．３８ｇ）融点＝１９３℃、Ｍ+＝５３９）。 元素分析：Ｃ＝６６．３３％、Ｈ＝３．６６％。 31Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：１９．１５（１Ｐ、ｓ）。 1Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：７．１〜７．９（２０Ｈ、Ｍ、芳香族）。 ｂ） ３−（２−シクロヘキシルホスフィニルフェニル）−２−ジフェニルホ スフィニルナフトチオフェンの製造 ｔ−ＢｕＬｉ（２．５ｍｌ、１．５Ｍ）を、−７８℃に冷却された、Ｅｔ2Ｏ （４０ｍｌ）中に３−（ｏ−ブロモフェニル）−２−ジフェニルホスフィニルチ オフェン（１ｇ）を溶解させた溶液に注意して滴下した。温度を１０℃まで上昇 させ、ジシクロヘキシルクロロホスフィン（０．０１８ｍｏｌ）を滴下した。こ の混合物を室温に５時間保持した。溶媒を減圧下で除去し、残留物をＨ2Ｏ（３ ｍｌ）で処理し、ＣＨ2Ｃｌ2（３０ｍｌ）およびＨ2Ｏ2（４ｍｌ、３５％）を添 加した。この混合物を２時間撹拌した。相分離後、水相を塩化メチレンで数回抽 出した。一緒にした有機相を無水化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶媒を減圧下に除去した 。 ＣＨ2Ｃｌ2：ＡｃＯＥｔ（３：７）を溶離剤として使用して、残留物をクロマト グラフィーにかけた。分離した生成物をｉＰｒ2Ｏで処理すると、３−（２−ジ シクロヘキシルホスフィノフェニル）−２−ジフェニルホスフィノナフトチオフ ェンが得られた（０．５ｇ、融点＝２４２℃、Ｎ+＝６７２）。 31Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：２８．７（０．８Ｐ、ｓ）、４４．１６（１． ２Ｐ、ｓ）。 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：０．７〜２．１（２２Ｈ、ｍ、シクロヘキシル） 、６．７〜７．９（２０Ｈ、ｍ、芳香族）。 ｃ） ３−(2−ジシクロヘキシルホスフィノフェニル）−２−ジフェニルホス フィノナフトチオフェンの製造 アルゴン雰囲気下に、撹拌しながら、キシレン（６ｍｌ）およびトリエチルア ミン（０．３５ｍｌ）中に３−（２−ジシクロヘキシルホスフィニルフェニル） ２−ジフェニルホスフィノナフトチオフェン（０．２ｇ）を溶解させた溶液に、 ＨＳｉＣｌ3（０．２４ｍｌ）を注意して添加した。反応混合物を１００℃に１ 時間、１２０℃に１時間、１４０℃に２時間保持した。溶媒を減圧下に除去し、 次いで混合物をＮａＯＨ（１０％、１５ｍｌ）で処理し、６０℃に１５分間加熱 した。水相を脱気された塩化メチレンで数回抽出した。集められた有機相を無水 化（Ｎａ2ＳＯ4）し、溶媒を減圧下に除去した。残留物をメチルアルコールで処 理すると、３−（２−ジシクロヘキシルホスフィノフェニル）−２−ジフェニル ホスフィノナフトチオフェン（０．１２ｇ）融点＝１５７℃（分解））が得られ た。 31Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：−１８．２３（１．２Ｐ、ｓ）、−１６．２３ （０．８Ｐｓ）。 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：０．７〜２．０（２２Ｈ、ｍ、シクロヘキシル） 、６．６５〜７．８５（２０Ｈ、ｍ、芳香族）。例１５ ｛［（−）−３−［（２−ジフェニルホスフィノフェニル）−２−ジフェニルホ スフィノナフトチオフェン］ＲｕＣｌ2（ＤＭＦ｝］｝nを使用するエチルシクロ ペンタノンカルボキシレートの還元 請求の範囲 １０． 前記ＸおよびＹが互いに異なり、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ3−Ｃ1 0 アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、フェニル、アリール、置換フェニルまたは 置換アリール（ここで置換基は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10、ハロゲン 、ＯＲ7から選択され、ここでＲ7は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10 アルキルである）から選択されることを特徴とする、請求項１に記載のキラルジ ホスフィン。 １１． 前記ＸおよびＹが互いに等しく、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ3−Ｃ1 0 アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、フェニル、アリール、置換フェニルまたは 置換アリール（ここで置換基は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10、ハロゲン 、ＯＲ7から選択され、ここでＲ7は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10 アルキルである）から選択されることを特徴とする、請求項１に記載のキラルジ ホスフイン。 １２． 下記の工程を含んでなることを特徴とする、請求項１に記載のヘテロ アリール−アリールキラルジホスフィンを製造する方法： − オルト−ハロゲン−アリール複素環式系の既知の型の方法に従う合成（ここ で複素環式系は金属化することができる環内結合に隣接する位置を有する）、 − 金属化アリール複素環式系を得る、環内結合に隣接する前記位置の第１金属 化反応、あるいはそのアリール環上のハロゲンの金属−ハロゲン交換反応、 − ホスフィンヘテロアリール系またはホスフィニルヘテロアリール系を得る、 前記金属化系とクロロホスフィンまたは塩化ホスフィニルとの反応、 − ヘテロアリールホスフィン系またはヘテロアリールホスフィニル金属化系を 得る、アリール環上のハロゲンの金属−ハロゲン交換の第２反応、あるいは環内 結合に隣接する前記位置の金属化反応、 − ヘテロアリールジホスフィニック、ヘテロアリールホスフィニリックまたは ヘテロアリールホスフィニックホスフィニリックラセミ体系を得る、前記ヘテロ アリールホスフィン系またはヘテロアリールホスフィニル金属化系とクロロホス フィンまたは塩化ホスフィニルとの反応、 − 既知の技術に従う酸化反応による、前記ヘテロアリールジホスフィニック、 ヘテロアリールホスフィニリックまたはヘテロアリールホスフィニックホスフィ ニリックラセミ体系の、ヘテロアリールジホスフィニルラセミ体系への必要に応 じて行なう変換、 − ２つのジアステレオマー付加物を得る、前記ヘテロアリールジホスフィニル ラセミ体系と酸分割キラル剤との反応、 − 分別結晶化による前記ジアステレオマー付加物の分離、 − 対応する鏡像異性的に純粋なヘテロアリールジホスフィン系を得る、前記分 離されたジアステレオマー付加物の各々の塩基処理、 − 鏡像異性的に純粋なヘテロアリールジホスフィンキラル系（ＩＡ）（ＩＢ） を得る、前記鏡像異性的に純粋なヘテロアリールジホスフィン系の、既知の型の 還元剤による還元。 １３． 前記金属化反応および金属−ハロゲン交換反応を同時に実施して、ビ ス−金属化系を直接的に得ることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。 １４． 前記還元剤がシランであることを特徴とする、請求項１２に記載の方 法。 １５． キラル静止相またはキラル要素を使用して、前記ラセミ体ヘテロアリ ールジホスフィン系をカラムクロマトグラフィーにより直接的に分割することを 特徴とする、請求項１２に記載の方法。 １６． 前記分割剤がジベンゾイル酒石酸、ジトリル酒石酸、ショウノウスル ホン酸から選択されることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。 １７． 遷移金属との錯体を製造するためのキラル配位子としての、請求項１ に記載のヘテロアリールーアリールキラルジホスフィンの使用。 １８． 配位子として少なくとも１つの請求項１に記載のヘテロアリールキラ ルジホスフィンと、少なくとも１つの遷移金属とを含んでなるキラル錯体。 １９． 前記金属がＲｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉから選択されること を特徴とする、請求項１８に記載のキラル錯体。 ２０． 前記ヘテロアリールキラルジホスフィンと、不安定な配位結合により 配位子に配位した前記金属の錯体との間の交換反応を含んでなる、請求項１８に 記載のキラル錯体を製造する方法。 【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１０年１２月１６日（１９９８．１２．１６） 【補正内容】 Ｒ2は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状シクロＣ5− Ｃ6アルキル、フェニル、アリール、置換フェニルまたは置換アリール〔ここで 置換基は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、ハロゲン、ＯＲ7（ここ でＲ7は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルである）から選択さ れる〕、ＣＯＯＲ10（ここでＲ10は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキ ルである）、ＮＲ12Ｒ13（ここでＲ12およびＲ13は同一であるか、または異なる ことができ、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、ＯＲ11から選択さ れ、Ｒ11は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルと同等になるよ うに選択される）から選択されるか、あるいは５原子の複素環式芳香族環がベン ゼン環または置換もしくは非置換のナフタレン環に縮合し（ここで置換基は直鎖 状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、ハロゲンか ら選択される）、この場合において、Ｒ1またはＲ2またはそれらの双方は前記ベ ンゼンまたはナフタレン環の一部分であることができ、かつ、炭素環式芳香族環 がベンゼン環または置換されていてもよいナフタレン環（ここで置換基は直鎖状 もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、ハロゲンから 選択される）に縮合されており、 Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は同一であるか、または異なることができ、水素、直鎖状 もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、ハロゲン、Ｏ Ｒ11（ここでＲ11は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、ＳＯ3 Ｈまたは対応する塩と同等となるように選択される）、ＮＲ12Ｒ13（ここでＲ12 およびＲ13は同一であるか、または異なることができ、直鎖状もしくは分枝鎖状 のＣ1−Ｃ10アルキルから選択されるか、あるいはＲ12およびＲ13はＮ原子とモ ルホリン、ピロリドン、ピペリジン環を形成する）から選択され、 （ここでｃｙはシクロヘキシルを意味する。） 本発明によれば、一般式（ＩＡ）、（ＩＢ）のジホスフィンはＣ１対称アトロ プ異性キラル系であり、ここでホスフィン基を担持する主鎖は、前述したように 、 請求の範囲 １． 下記の一般式を有する混合ヘテロアリールーアリール型のジホスフィン ： ここで、式中、 Ｘ＝ＹまたはＸ≠Ｙ、かつＸ、Ｙは直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ3−Ｃ10アル キル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、フェニル、アリール、置換フェニルまたは置換ア リール（ここで置換基は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10、ハロゲン、ＯＲ7 から選択され、Ｒ7は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルである ）から選択され、 Ｒ1は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、 ＯＲ11（ここでＲ11は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルであ る）、ＮＲ12Ｒ13（ここでＲ12およびＲ13は同一であるか、または異なることが でき、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、フェニル、アリール、置 換フェニルまたは置換アリールから選択され、ここで置換基は直鎖状もしくは分 枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、ハロゲン、ＯＲ7から選択され、ここでＲ7は水素 、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルである）から選択され、 Ｒ2は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アル キル、フェニル、アリール、置換フェニルまたは置換アリール（ここで置換基は 直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、ハロゲン、ＯＲ7（ここでＲ7は 水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルである）から選択される〕 、ＣＯＯＲ10（ここでＲ10は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルであ る）、ＮＲ12Ｒ13（ここでＲ12およびＲ13は同一であるか、または異なることが でき、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、ＯＲ11から選択され、Ｒ1 1 は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルと同等になるように選択 される）から選択されるか、あるいは５原子の複素環式芳香族環がベンゼン環ま たは置換もしくは非置換のナフタレン環に縮合し（ここで置換基は直鎖状もしく は分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、ハロゲンから選択さ れる）、この場合において、Ｒ1またはＲ2またはそれらの双方は前記ベンゼンま たはナフタレン環の一部分であることができ、 Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は同一であるか、または異なることができ、水素、直鎖状 もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、ハロゲン、Ｏ Ｒ11（ここでＲ11は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、ＳＯ3 Ｈまたは対応する塩と同等になるように選択される）、ＮＲ12Ｒ13（ここでＲ12 およびＲ13は同一であるか、または異なることができ、直鎖状もしくは分枝鎖状 のＣ1−Ｃ10アルキルから選択されるか、あるいはＲ12およびＲ13はＮ原子とモ ルホリン、ピロリドン、ピペリジンを形成する）から選択され、あるいは隣接す るＲ3〜Ｒ6置換基の対が前記ジホスフィンのアリール環に縮合したベンゼン環を 形成する（ここで置換基は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状 Ｃ5〜Ｃ6アルキル、ハロゲンの中から選択される）。 ７． 下記式を有する請求項１に記載のキラルジホスフィン： （ここでｃｙはシクロヘキシルを意味する。） ８． 下記式を有する請求項１に記載のキラルジホスフィン： （ここでｃｙはシクロヘキシルを意味する。） ９． 下記式を有する請求項１に記載のキラルジホスフィン： （ここでｃｙはシクロヘキシルを意味する。） ２９． ヒドロホルミル化反応であることを特徴とする、請求項２６に記載の 立体制御反応。 ３０． ヒドロシアン化反応であることを特徴とする、請求項２６に記載の立 体制御反応。 ３１． 二重結合の異性化反応であることを特徴とする、請求項２６に記載の 立体制御反応。 ３２． 炭素−炭素結合の形成反応であることを特徴とする、請求項２６に記 載の立体制御反応。 ３３． ヒドロホウ素化反応であることを特徴とする、請求項２６に記載の立 体制御反応。 ３４． ヒドロシリル化反応であることを特徴とする、請求項２６に記載の立 体制御反応。 ３５． 下記式を有する、請求項１に記載のキラルジホスフィン。（ここでｃｙはシクロヘキシルを意味する。）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｃ 69/675 Ｃ０７Ｃ 69/675 69/732 69/732 Ｚ 69/757 69/757 Ｃ 233/47 233/47 Ｃ０７Ｆ 9/6553 Ｃ０７Ｆ 9/6553 15/00 15/00 Ａ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｍ 7:00

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １． 下記の一般式を有する混合ヘテロアリール−アリール型のジホスフィン ： ここで、式中、 Ｘ＝ＹまたはＸ≠Ｙ、かつＸ、Ｙは直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ3−Ｃ10アル キル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、フェニル、アリール、置換フェニルまたは置換ア リール（ここで置換基は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10、ハロゲン、ＯＲ7 から選択され、Ｒ7は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルである ）から選択され、 Ｒ1は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、 ＯＲ11（ここでＲ11は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルであ る）、ＮＲ12Ｒ13（ここでＲ12およびＲ13は同一であるか、または異なることが でき、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、フェニル、アリール、置 換フェニルまたは置換アリールから選択され、ここで置換基は直鎖状もしくは分 枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、ハロゲン、ＯＲ7から選択され、ここでＲ7は水素 、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルである）から選択され、 Ｒ2は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アル キル、フェニル、アリール、置換フェニルまたは置換アリール〔ここで置換基は 直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、ハロゲン、ＯＲ7（ここでＲ7は 水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルである）から選択される〕 、ＣＯＯＲ10（ここでＲ10は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルであ る）、ＮＲ12Ｒ13（ここでＲ12およびＲ13は同一であるか、または異なることが でき、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、ＯＲ11から選択され、こ こでＲ11は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキルと同等になるよ うに選択される）から選択されるか、あるいは５原子の複素環式芳香族環がベン ゼン環または置換もしくは非置換のナフタレン環に縮合し、（ここで置換基は直 鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、ハロゲン から選択される）、この場合において、Ｒ1またはＲ2またはそれらの双方は前記 ベンゼンまたはナフタレン環の一部分であることができ、 Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は同一であるか、または異なることができ、水素、直鎖状 もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、ハロゲン、Ｏ Ｒ11（ここでＲ11は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、ＳＯ3 Ｈまたは対応する塩と同等になるように選択される）、NＲ12Ｒ13（ここでＲ12 およびＲ13は同一であるか、または異なることができ、直鎖状もしくは分枝鎖状 のＣ1−Ｃ10アルキルから選択されるか、あるいはＲ12およびＲ13はＮ原子とモ ルホリン、ピロリドン、ピペリジンを形成する）から選択され、あるいは隣接す るＲ3〜Ｒ6置換基の対が前記ジホスフィンのアリール環に縮合したベンゼン環を 形成する（ここで置換基は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状 Ｃ5〜Ｃ6アルキル、ハロゲンの中から選択される）。 ２． 芳香族炭素環式環の基に結合した５原子の複素環式芳香族環を含み、５ 原子の複素環式芳香族環の前記基は、フリル、チエニル、ピロリル、２−イミダ ゾリルおよび対応するベンゾコンデンセート、５−ピラゾリル、２−［１，３， ４−トリアゾリル］、４−チアゾリル、４−イソキサゾリルから選択される、請 求項１に記載のキラルジホスフィン。 ３． 前記５原子の複素環式芳香族環がベンゼン環または置換されていてもよ いナフタレン環に縮合されており（ここで置換基は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1 −Ｃ10アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、ハロゲンから選択される）、この場 合において、Ｒ1またはＲ2またはそれらの双方は前記ベンゼンまたはナフタレン 環の一部分であることができ、そして前記炭素環式芳香族環がベンゼン環または 置換されていてもよいナフタレン環に縮合されている（ここで置換基は直鎖状も しくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、ハロゲンから選 択される）ことを特徴とする、請求項２に記載のキラルジホスフィン。 ４． 下記式を有する請求項１に記載のキラルジホスフィン： ５． 下記式を有する請求項１に記載のキラルジホスフィン： ６． 下記式を有する請求項１に記載のキラルジホスフィン： ７． 下記式を有する請求項１に記載のキラルジホスフィン： ８． 下記式を有する請求項１に記載のキラルジホスフィン： ９． 下記式を有する請求項１に記載のキラルジホスフィン： １０． 前記ＸおよびＹが互いに異なり、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ3−Ｃ1 0 アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、フェニル、アリール、置換フェニルまたは 置換アリール（ここで置換基は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10、ハロゲン 、ＯＲ7から選択され、Ｒ7は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10アルキ ルである）から選択されることを特徴とする、請求項１に記載のキラルジホスフ ィン。 １１． 前記ＸおよびＹが互いに等しく、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ3−Ｃ1 0 アルキル、環状Ｃ5−Ｃ6アルキル、フェニル、アリール、置換フェニルまたは 置換アリール（ここで置換基は直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10、ハロゲン 、ＯＲ7から選択され、ここでＲ7は水素、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ1−Ｃ10 アルキルである）から選択されることを特徴とする、請求項１に記載のキラルジ ホスフィン。 １２． 下記の工程を含んでなることを特徴とする、請求項１に記載のヘテロ アリール−アリールキラルジホスフィンを製造する方法： − オルト−ハロゲン−アリール複素環式系の既知の型の方法に従う合成（ここ で、複素環式系は金属化することができる環内結合に隣接する位置を有する）、 − 金属化アリール複素環式系を得る、環内結合に隣接する前記位置の第１金属 化反応、あるいはそのアリール環上のハロゲンの金属−ハロゲン交換反応、 − ホスフィンヘテロアリール系またはホスフィニルヘテロアリール系を得る、 前記金属化系とクロロホスフィンまたは塩化ホスフィニルとの反応、 − ヘテロアリールホスフィン系またはヘテロアリールホスフィニル金属化系を 得る、アリール環上のハロゲンの金属−ハロゲン交換の第２反応、あるいは環内 結合に隣接する前記位置の金属化反応、 − ヘテロアリールジホスフィニック、ヘテロアリールホスフィニリックまたは ヘテロアリールホスフィニックホスフィニリックラセミ体系を得る、前記ヘテロ アリールホスフィン系またはヘテロアリールホスフィニル金属化系とクロロホス フィンまたは塩化ホスフィニルとの反応、 − 既知の技術に従う酸化反応による、前記ヘテロアリールジホスフィニック、 ヘテロアリールホスフィニリックまたはヘテロアリールホスフィニックホスフィ ニリックラセミ体系の、ヘテロアリールジホスフィニルラセミ体系への必要に応 じて行なう変換、 − ２つのジアステレオマー付加物を得る、前記ヘテロアリールジホスフィニル ラセミ体系と酸分割キラル剤との反応、 − 分別結晶化による前記ジアステレオマー付加物の分離、 − 対応する鏡像異性的に純粋なヘテロアリールジホスフィン系を得る、前記分 離されたジアステレオマー付加物の各々の塩基処理、 − 鏡像異性的に純粋なヘテロアリールジホスフィンキラル系（ＩＡ）（ＩＢ） を得る、前記鏡像異性的に純粋なヘテロアリールジホスフィン系の、既知の型の 還元剤による還元。 １３． 前記金属化反応および金属−ハロゲン交換反応を同時に実施して、ビ ス−金属化系を直接的に得ることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。 １４． 前記還元剤がシランであることを特徴とする、請求項１２に記載の方 法。 １５． キラル静止相またはキラル要素を使用して、前記ラセミ体ヘテロアリ ールジホスフィン系をカラムクロマトグラフィーにより直接的に分割することを 特徴とする、請求項１２に記載の方法。 １６． 前記分割剤がジベンゾイル酒石酸、ジトリル酒石酸、ショウノウスル ホン酸から選択されることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。 １７． 遷移金属との錯体を製造するためのキラル配位子としての、請求項１ に記載のヘテロアリールーアリールキラルジホスフィンの使用。 １８． 配位子として少なくとも１つの請求項１に記載のヘテロアリールキラ ルジホスフィンと、少なくとも１つの遷移金属とを含んでなるキラル錯体。 １９． 前記金属がＲｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉから選択されること を特徴とする、請求項１８に記載のキラル錯体。 ２０． 前記ヘテロアリールキラルジホスフィンと、不安定な配位結合により 配位子に配位した前記金属の錯体との間の交換反応を含んでなる、請求項１８に 記載のキラル錯体を製造する方法。 ２１． 前記配位子が、１，５−シス，シス−シクロオクタジエン、ノルボル ナジエン、（エチレン）2、トリアリールスチビン、ベンゾニトリル、ビスメタ リルから選択されることを特徴とする、請求項２０に記載の方法。 ２２． 塩素化溶媒、アルコール、芳香族炭化水素、エーテル、ジメチルホル ムアミドから選択される溶媒を使用して実施することを特徴とする、請求項２０ に記載の方法。 ２３． 立体制御反応のためのキラル触媒としての、請求項１に記載のキラル 錯体の使用。 ２４． 少なくとも１つの請求項１に記載のヘテロアリールキラルジホスフィ ンと、遷移金属との間の錯体を含んでなる立体制御反応のためのキラル触媒。 ２５． 立体制御反応を実現するための、請求項２４に記載のキラル触媒の使 用。 ２６． 請求項２４に記載のキラル触媒を使用する立体制御反応。 ２７． ジアステレオ選択的およびエナンチオ選択的還元反応であることを特 徴とする、請求項２６に記載の立体制御反応。 ２８． オレフィン（−Ｃ＝Ｃ−）の還元、ケトンのカルボニル基（−Ｃ＝Ｏ ）の還元、イミン基（−Ｃ＝Ｎ−）の還元、エナミン（−Ｎ−Ｃ＝Ｃ−）の還元 の反応であることを特徴とする、請求項２７に記載の立体制御反応。 ２９． ヒドロホルミル化反応であることを特徴とする、請求項２６に記載の 立体制御反応。 ３０． ヒドロシアン化反応であることを特徴とする、請求項２６に記載の立 体制御反応。 ３１． 二重結合の異性化反応であることを特徴とする、請求項２６に記載の 立体制御反応。 ３２． 炭素−炭素結合の形成反応であることを特徴とする、請求項２６に記 載の立体制御反応。 ３３． ヒドロホウ素化反応であることを特徴とする、請求項２６に記載の立 体制御反応。 ３４． ヒドロシリル化反応であることを特徴とする、請求項２６に記載の立 体制御反応。 ３５． 下記式を有する、請求項１に記載のキラルジホスフイン。
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