JP2001500341A - スルーイング制御手段を有する出力段 - Google Patents

スルーイング制御手段を有する出力段

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Abstract

(57)【要約】 出力段は、入力信号(Vi)を受け取る入力端子(IP)と、前記入力信号に応じて出力段信号(Vo)を分配する出力端子(OP)と、電源電圧(SV)を受け取る第1及び第2の電源端子(1,2)と、ゲート(GN)及び前記第1の電源端子(1)と出力端子(OP)との間に結合したソースとドレインとの間の主電流通路を具える電界効果トランジスタ(Q1)と、前記出力信号(Vo)が第1の安定状態(FST)から遷移領域(TRE)を経て第2の安定状態(SST)まで変化するとき、前記電界効果トランジスタ(Q1)のゲート(GN)の電圧変化の速度を遅くして前記電界効果トランジスタ(Q1)の主電流通路を流れる電流の変化の速度を遅くするスルーイング制御手段(SCM)とを具える。このスルーイング手段(SCM)は、電界効果トランジスタ(Q1)が非導通状態導通状態に変化して前記出力信号(Vo)を第1の安定状態(FST)から遷移領域(TRE)を経て第2の安定状態(SST)に変化させるときに、前記遷移領域(TRE)の少なくとも一部分において前記電界効果トランジスタ(Q1)のゲート−ソース電圧V(GN)を降下させる第1の手段を具える。この第1の手段は電界効果トランジスタ(Q1)が飽和状態からはずれるのを防止し、従って電界効果トランジスタ(Q1)を流れる電流の急激な変化を防止し、これにより第1の電源電圧(SV)及び/又は出力信号(Vo)における比較的大きな電圧スパイクの発生を防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】 スルーイング制御手段を有する出力段 本発明は、入力信号を受け取る入力端子と、前記入力信号に応じて出力段信号 を分配する出力端子と、電源電圧を受け取る第1及び第2の電源端子と、ゲート 及び前記第1の電源端子と出力端子との間に結合したソースとドレインとの間の 主電流通路を具える電界効果トランジスタと、前記出力信号が第1の安定状態か ら遷移領域を経て第2の安定状態まで変化するとき、前記電界効果トランジスタ のゲートの電圧変化の速度を遅くして前記電界効果トランジスタの主電流通路を 流れる電流の変化の速度を遅くするスルーイング(slewing)制御手段とを具え る出力段に関するものである。 このような出力段は米国特許第5013940号明細書から既知である。この 既知の出力段において、スルーイング制御手段は、出力信号が第2の(論理「ロ ー」)安定状態から遷移領域を経て第1の(論理「ハイ」)に変化することによ り電界効果トランジスタがターンオフする際この電界効果トランジスタのゲート −ソースキャパシタからの放電電流を制限している。これは、第1の電源端子を 流れる電流の変化の速度を制限することにより、つまり出力端子を流れる電流の 変化の速度を制限することにより行われる。第1の電源端子及び/又は出力端子 を流れる電流の変化速度を制限することは、第1の入力端子に直列の及び/又は 出力端子に直列の寄生インダクタンスにより生ずる第1の電源端子及び/又は出 力端子における寄生電圧スパイクを減少させるために必要である。 この既知の出力段において、出力信号が第1の(論理「ハイ」)安定状態から 遷移領域を経て第2の(論理「ロー」)に変化することにより電界効果トランジ スタがターンオンするとき、この電界効果トランジスタは遷移領域を通過する期 間中に急激にオフに切り替わる。この理由は、この電界効果トランジスタのドレ イン−ソース間電圧が存在していないことに起因してこの電界効果トランジスタ が飽和していないためである。これは、第1の電源端子及び/又は出力端子に比 較的大きな電圧スパイクを発生させる欠点となる。 本発明の目的は、上述した欠点を除去した改良された出力段を提供することに ある。 この目的を達成するため、本発明によれば、冒頭部で述べた形式の出力段にお いて、スルーイング制御手段が、前記電界効果トランジスタが非導通状態導通状 態に変化して前記出力信号を第1の安定状態から遷移領域を経て第2の安定状態 に変化させるときに、前記遷移領域の少なくとも一部分において前記電界効果ト ランジスタのゲート−ソース電圧Vを降下させる第1の手段を具えることを特徴 とする。 本発明は、電界効果トランジスタの飽和電圧がゲート−ソース電圧の降下にし たがって降下すると言う認識に基づいている。 本発明による出力段の実施例は、第1の手段が、前記電界効果トランジスタの ゲートと前記第1の電源端子との間に結合した電流源を具えることを特徴とする 。この電流源を設けることによる効果は、電界効果トランジスタのゲート−ソー ス電圧が低くなることである。 本発明による出力段の別の実施例は、電流源が、ディジタル論理回路に結合さ れ、前記電流源をオン又はオフに切り換えるディジタル制御信号を受け取る制御 入力部を有することを特徴とする。このように構成することにより、必要な場合 だけすなわち出力信号が第1の安定状態から第2の安定状態に変化する際の遷移 領域の一部の期間中にだけ電界効果トランジスタのゲート−ソース電圧を降下さ せることができる。 本発明による出力段の別の実施例は、ディジタル制御信号の値が出力信号の値 に依存することを特徴とする。このように構成することにより、出力信号が第1 の安定状態から第2の安定状態に変化する際遷移領域の一部の期間中に電流源を 自動的にオンに切替えることができる。 添付図面基づき本発明を詳細に説明する。ここで、 図1は、入力信号、出力信号、出力段の第1の電源端子と出力端子との間に容 量性負荷が接続された場合の出力端子を流れる電流を示す1組の線図でり、 図2は本発明による出力段の回路図であり、 図3は出力段の制御信号の1組の線図であり、 図4は第1の安定状態から遷移領域を経て第2の安定状態に変化する出力信号 及び出力段の電界効果トランジスタの対応するゲート−ソース電圧を示す1組の 線図であり、 図5は本発明による出力段の出力端子から制御信号を発生させる比較手段と共 に出力段を示す全体的な線図である。 図面において、同様な機能又は目的を有する部分又は素子には同一符号を付す 。 図1において、線図Iは図2に示す本発明による出力段の入力端子IPにおけ る入力信号Viを表す。線図IIは出力端子OPにおける出力信号Voを示す。出力 信号Voは第1の安定状態FST及び第2の安定状態SSTを含む。出力信号Vo が第1の安定状態FSTと第2の安定状態SSTとの間にある場合、この間の区 域は遷移域TREとする。線図IIIは、負荷キャパシタCLが出力段の出力端子O Pと第1の電源端子1との間に結合されている場合に出力段端子OPを流れる電 流ILを大まかに示す。遷移域TREの期間中、負荷キャパシタCLを流れる電流 ILの絶対値は始めに上昇し次に下降する。電流ILの増加は電流の立上スルーレ ート縁LCSRとして示され、電流ILの低下は電流の立下スルーレート縁TC SRとして示す。 上述した米国特許第5013940号で提示された既知の出力段は電流の立上 スルーレート縁LCSRの抑制だけと関連している。電流の立下スルーレート縁 TCSRは無視されている。電流の立下スルーレート縁TCSRは容易に抑制す ることはできない。この理由は、飽和していない電界効果トランジスタQ1によ り電流の立下スルーレート縁が生ずるためである。本発明による出力段は、特に 電流の立下スルーレート縁TCSRの抑制に関連するものである。 図2は本発明による出力段の回路構成を示す。電源電圧SVを第1の電源端子 1と第2の電源端子2との間に結合する。寄生インダクタンスLpを負荷キャパ シタCLに直列に示す。電流の立上スルーレート縁LCSR又は電流の立下スル ーレート縁TCSRが十分に抑制されていない場合、寄生インダクタンスLpに より比較的大きな電流スパイクが出力端子OPに生ずる。出力端子OPに直列の 寄生インダクタンスと同様に、第1の電源端子1又は第2の電源端子2と直列の 別のインダクタンスにより比較的大きな電圧スパイクが第1の電源端子1及び第 2の電源端子2にそれぞれ生じてしまう。一例として、本発明は寄生インダクタ ンスLpによる出力端子OPにおける電圧スパイクを軽減することだけについて 説明するが、本発明は第1及び第2の電源端子1,2における電圧スパイクも同 様な方法で軽減することができる。電界効果トランジスタQ1は、ゲートGN: 第1の電源端子に結合したソース、及び出力端子OPに結合したドレインを有す る。この電界効果トランジスタQ1のゲートーソース間電圧V(GN)(図4も 参照)はスルーイング(slewing)制御手段SCMにより制御する。このスルー イング制御手段SCMは、制御入力部CI1及び主電流通路を有する第1のトラ ンジスタT1と第2の電源端子2に結合した入力電極及び主電流通路を有する第 2のトランジスタT2とで構成される第1の手段と;入力電極及び第2の電源端 子2と電界効果トランジスタQ1のゲートGNとの間に結合した主電流通路を有 する第3のトランジスタT3で構成した第2の手段と;第1の電源端子1に結合 した入力電極及び主電流通路を有する第4のトランジスタT4と;入力電極及び 主電流通路を有する第5のトランジスタT5と;入力端子IPに結合した入力電 極及びゲートGNj第1の電源端子1との間に結合した主電流通路を有する第6 のトランジスタT6とを具え、第1及び第2のトランジスタの主電流通路は電界 効果トランジスタQ1のゲートGNと第1の電源端子1との間に直列に結合し、 第4及び第5のトランジスタT4,T5の主電流通路は第2の電源端子2とゲー トGNとの間に直列に結合する。 この出力段は、ゲートGP、第2の電源端子2に結合したソース及び出力端子 OPに結合したドレインを有する別の電界効果トランジスタQ2と;別のスルー イング手段FSCMと;ディジタル論理回路と;第1の制御端子ABV01と; 端子2の制御端子BLW05Nと;第3の制御端子ABV09と;第4の制御端 子BLW05Pとを具える。 別のスルーイング手段FSCMは、入力電極及び主電流通路を有する第7のト ランジスタT1Aと入力電極及び主電流通路を有する第8のトランジスタT2A とを具える電流源I2で構成した第3の手段と;入力電極及び第1の電源端子1 と別の電界効果トランジスタQ2のゲートGNとの間に結合した主電流通路を有 する第9のトランジスタT3Aで構成した第4の手段と;第2の電源端子2に結 合した入力電極及び主電流通路を有する第10のトランジスタT4Aと;入力電 極及び主電流通路を有する第11のトランジスタT5Aと;入力端子IPに結合 した入力電極及びゲートGPと第2の電源端子2との間に結合した主電流通路を 有する第12のトランジスタT6Aとを具え、第7及び第8のトランジスタT1 A,T2Aの主電流通路は別の電界効果トランジスタQ2のゲートGNと第2の 電源端子2にとの間に直列に結合し、第10及び第11のトランジスタT4A, T5Aの主電流通路は第1の電源端子1とゲートGPとの間に直列に結合する。 ディジタル論理回路は、第1の制御端子ABV01に結合した第1の入力部、 第2の制御端子BLW05Nに結合した第2の入力部、及び制御入力部CI1に 結合した出力部を有する第1の論理アンドゲートAND1と;入力端子IPに結 合した第1の入力部、第3の制御端子ABV09に結合した第2の入力部、及び 第9のトランジスタT3Aに結合した出力部を有する第2の論理アンドゲートA ND2と;入力端子IPに結合した第1の入力部、第4の制御端子BLW05P に結合した第2の入力部、及び第11のトランジスタT5Aに結合した出力部を 有する第3の論理アンドゲートAND3と;入力端子IPに結合した第1の入力 部、第1の制御端子ABV01に結合した第2の入力部、及び第3のトランジス タT3に結合した出力部を有する第1の論理オアゲートOR1と;入力端子IP に結合した第1の入力部、第2の制御端子BLW05Nに結合した第2の入力部 、及び第5のトランジスタT5に結合した出力部を有する第2の論理オアゲート OR2と;第3の制御端子ABV09に結合した第1の入力部、第4の制御端子 BLW05Pに結合した第2の入力部、及び第7のトランジスタTIAに結合し た出力部を有する第3の論理オアゲートOR3とを具える。 電界効果トランジスタQ1及び別の電界効果トランジスタQ2の動作は相補的 であり、すなわち出力端子OPの出力信号V0が第1の安定状態FSTから第2 の安定状態SSTに変化すると、電界効果トランジスタQ1は導通し別の電界効 果トランジスタQ2は非導通となる。この反転は、出力端子OPき出力信号V0 が第2の安定状態SSTから第1の安定状態FSTに変化する場合にも発生する 。以下の対の素子は相互に同様な動作を行う、Q1とQ2、I1とI2、SCM とFSCM、T1とTIA、T2とT2A、T3とT3A、T4とT4A、T5 と T5A、T6とT6A、AND1とOR3、OR1とAND2、OR2とAND 3、ABV01とABV09、BLW05NとBLW05Po同様な動作を行う ため、電界効果トランジスタQ1及び上述した対の初めの素子の動作だけについ て説明する。 図3において、第1の制御端子ABV01、第3の制御端子ABV09、第2 の制御端子BLW05N及び第4の制御端子BLW05Pにおける電圧を線図I 、II、III及びIVにそれぞれ示す。上述した制御端子の電圧は、後述するように 、出力信号Voの値及び/又は電源電圧SVの値に依存する。出力信号Voも各線 図I、II、III及びIVにそれぞれ示す。図3の線図に示すように、出力電圧Voが 電源電圧SVの10%を超えると第1の制御端子ABV01における電圧は論理 「ハイ」になり、出力電圧Voが電源電圧SVの90%以上になると第3の制御 端子ABV09の電圧は論理「ハイ」になり、出力電圧Voが電源電圧SVの5 0%以下になると第2の制御端子BLW05Nの電圧は論理「ハイ」になる。第 4の制御端子BLW05Pは、第3の制御端子ABV09の動作と同様である。 出力段の動作は以下の通りである。 初めに、出力信号Voは第1の安定状態FST(論理「ハイ」)に、すなわち 入力端子IPの入力信号Vi並びに第1の制御端子ABV01及び第3の制御端 子ABV09の電圧は論理「ハイ」にあるものとする。第2の制御端子BLW0 5Nの電圧は論理「ロー」とする。第1及び第2の論理オアゲートOR1,OR 2の出力部の電圧は論理「ハイ」となり、これにより第3及び第5のトランジス タT3,T5は非導通となる。第1の論理アンドゲートAND1の出力部の電圧 は論理「ロー」となり、電流源I1をオフに切り換える。第6のトランジスタT 6は、その入力電極入力端子IPに接続されているため、導通する。この結果、 ゲートGNの電圧は論理「ロー」となり、電界効果トランジスタQ1を非導通に 維持し、これにより出力端子OPの出力信号Voを端子1の安定状態FSTに維 持する。 次に、入力信号Viが論理「ハイ」から論理「ロー」に変化するものとする。 初めに、出力信号Voは依然として第1の安定状態にあり、従って第1の制御端 子ABV01及び第3の制御端子ABV09の電圧は依然として論理「ハイ」に あり、第2の制御端子BLW05Nの電圧は依然として論理「ロー」とする。こ の結果、電流源I1はオフに維持され、端子3のトランジスタT3は非導通状態 を維持する。入力端子IPにおける入力信号Viは論理「ハイ」から論理「ロー 」に変化し第2の制御入力BLW05Nの電圧は依然として論理「ロー」である ため、第2の論理オアゲートOR2の出力部における電圧は論理「ハイ」から論 理「ロー」に変化し第5のトランジスタT5は導通する。第6のトランジスタT 6は、その入力電極が入力端子IPに接続されているため、非導通となる。第4 及び第5の両方のトランジスタT4,T5は導通するので、ゲート−ソースキャ パシタ(図2において図示されていない)が充電され、ゲートGNの電圧を上昇 させる。第4のトランジスタT4は電流リミッタとして動作する。従って、ゲー トGNの電圧は急速には上昇せず、従って出力信号Voが急速に変化するのが防 止される。 図4において、線図Iは第1の安定状態FSTから遷移領域TREを経て第2 の安定状態に変化する出力信号Voの漸近的近似を示す。線図IIは電界効果トラ ンジスタQ1の対応するゲート−ソース電圧V(GN)の漸近的近似を示す。図 4に示すように、ゲート−ソース電圧V(GN)は論理「ロー」(文字Lで示す )から論理「ハイ」(文字Hで示す)に増大し、これにより出力信号Voは第1 の安定状態FSTから遷移領域TREに変化する。出力信号Voが電源電圧SV の50%以下に降下するまで、ゲート−ソース電圧V(GN)は論理「ハイ」を 保持する。出力信号Voが電源電圧SVの50%以下に降下すると、第2の制御 端子BLW05Nの電圧は論理「ロー」から論理「ハイ」に変化する。この結果 、第2の論理オアゲートOR2の出力部の電圧は論理「ロー」から論理「ハイ」 に変化し、これにより第5のトランジスタT5を非導通にし、第1の論理アンド ゲートAND1の出力は論理「ロー」から論理「ハイ」に変化し電流源I1をオ ンに切り換える。この結果、図4の線図IIに示すように、電界効果トランジスタ Q1のゲート−ソースキャパシタは放電しゲート−ソース電圧V(GN)を低下 させる。第2のトランジスタT2は電流リミッタとして作用するので、ゲート− ソース電圧V(GN)は急速に低下せず、従って電界効果トランジスタQ1の主 電流通路を流れる電流は減少するがこの電界効果トランジスタQ1は依然として 導 通する。電界効果トランジスタQ1は依然として導通するのて、出力信号Voは 減少し続ける。図4に示すように、出力信号Vo及びゲート−ソース電圧V(G N)の両方が降下する。出力信号Voが連続して減少するにもかかわらず、電界 降下トランジスタQ1は飽和状態を維持する。この理由は、ゲート−ソース電圧 V(GN)の降下の結果として電界降下トランジスタQ1のドレインとソース間 の必要な最小電圧も降下するからである。これにより、電界降下トランジスタQ 1は急激にターンオフせず、出力端子OPを流れる電流ILの急激な変化が回避 されることになる。 出力信号Voが電源電圧SVの10%以下に降下すると、第1の制御端子AB V01の電圧は論理「ハイ」から論理「ロー」に変化し、これにより第1の論理 アンドゲートAND1の出力部の電圧は論理「ハイ」から論理「ロー」に変化す る。この結果、電流源I1はオフに切り替わる。入力端子IPの入力信号Vi及 び第1の制御端子ABV01の電圧の両方が論理「ロー」にあるので、第lの論 理オアゲートOR1の出力部の電圧は論理「ハイ」から論理「ロー」に変化し、 これにより第3のトランジスタT3を導通させる。この結果、図4の線図IIに示 すように、ゲート−ソース電圧V(GN)は再び上昇する。電界降下トランジス タQ1はもはや飽和していない。しかしながら、これは、第1の電源電圧SV及 び/又は示す信号Voにおける大きな電圧スパイクの結果によるものではない。 この理由は、出力端子OPを流れる電流ILが既に小さくなっているからである 。出力信号Voが電源電圧SVの10%以下に降下した場合にゲート−ソース電 圧V(GN)を上昇させる目的は、電界効果トランジスタQ1がその主電流通路 を経て大きな直流電流を流すことができるようにするためであり、これにより出 力信号Voを第2の安定状態に維持する。これは、抵抗性負荷が第2の電源端子 2と出力端子OPとの間に接続された場合に重要である。 図5は、出力段OPSの出力端子OPから第1、第2、第3及び第4の制御信 号ABV01,BLW05N,ABV09,BLW05Pを発生する比較手段C MPMSを出力段OPSと共に示す全体的な線図である。比較手段CMPMSは 、示す端子OPに結合した少なくとも1個の入力部及び4個の示す部を有する。 これら4個の出力部の各々は第1、第2、第3又は第4の制御端子ABV01, B LW05N,ABV09,BLW05Pに接続する。比較手段CMPMSの目的 は、図3に示す必要な4個の制御信号を上述した4個の制御端子に供給すること である。比較手段CMPMSは、例えばバッファ及び/又はインバータで構成す ることができ、バッファ及び/又はインバータの入力トランジスタを適切な大き さとすることにより、これらバッファ及び/又はインバータの入力の論理「ロー 」及び論理「ハイ」の値が適切に決定される。 トランジスタT1〜T6及びT1A〜T6Aは、図2に示す電界効果トランジ スタの代わりにバイポーラトランジスタで構成することもできる。或いは、バイ ポーラトランジスタと電界効果トランジスタとの組合せも可能である。反対導電 型のトランジスタも使用することができる。例えば、P型の電界効果トランジス タT3は、コレクタが第2の電源端子2に接続されエミッタがゲートGNに結合 されているN型のバイポーラトランジスタで置換することができる。この場合、 第1の論理オアゲートOR1の出力部の電圧は反転させて上述したN型のバイポ ーラトランジスタのベースに結合する必要がある。ディジタル回路の論理ゲート は別の回路構成で構成することもできる。出力端子OPJ第1の電源端子1との 間に結合した容量性負荷の代わりに、出力端子OPと第1の電源端子1との間に 及び/又は出力端子OPJ第1の電源端子2との間にいかなる種類の負荷も結合 することができる。上述した出力信号Voの10%、50%及び90%のレベル は、一例として選択したものであり別の%レベルで置き換えることができる。本 出力段は集積回路で構成することができ或いは個別の回路素子により構成するこ ともできる。
───────────────────────────────────────────────────── 【要約の続き】 ト−ソース電圧V(GN)を降下させる第1の手段を具 える。この第1の手段は電界効果トランジスタ(Q1) が飽和状態からはずれるのを防止し、従って電界効果ト ランジスタ(Q1)を流れる電流の急激な変化を防止 し、これにより第1の電源電圧(SV)及び/又は出力 信号(Vo)における比較的大きな電圧スパイクの発生 を防止することができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.入力信号(Vi)を受け取る入力端子(IP)と、前記入力信号に応じて出 力段信号(Vo)を分配する出力端子(OP)と、電源電圧(SV)を受け取 る第1及び第2の電源端子(1,2)と、ゲート(GN)及び前記第1の電源 端子(1)と出力端子(OP)との間に結合したソースとドレインとの間の主 電流通路を具える電界効果トランジスタ(Q1)と、前記出力信号(Vo)が 第1の安定状態(FST)から遷移領域(TRE)を経て第2の安定状態(S ST)まで変化するとき、前記電界効果トランジスタ(Q1)のゲート(GN )の電圧変化の速度を遅くして前記電界効果トランジスタ(Q1)の主電流通 路を流れる電流の変化の速度を遅くするスルーイング制御手段(SCM)とを 具える出力段において、前記スルーイング制御手段(SCM)が、前記電界効 果トランジスタ(Q1)が非導通状態導通状態に変化して前記出力信号(Vo )を第1の安定状態(FST)から遷移領域(TRE)を経て第2の安定状態 (SST)に変化させるときに、前記遷移領域(TRE)の少なくとも一部分 において前記電界効果トランジスタ(Q1)のゲート−ソース電圧V(GN) を降下させる第1の手段を具えることを特徴とする出力段。 2.請求項1に記載の出力段において、前記第1の手段が、前記電界効果トラン ジスタ(Q1)のゲート(GN)と前記第1の電源端子(1)との間に結合し た電流源(I1)を具えることを特徴とする出力段。 3.請求項2に記載の出力段において、前記電流源(I1)が、ディジタル論理 回路に結合され、前記電流源(I1)をオン又はオフに切り換えるディジタル 制御信号を受け取る制御入力部(CI1)を有することを特徴とする出力段。 4.請求項3に記載の出力段において、前記ディジタル制御信号の値が前記出力 信号(Vo)の値に依存することを特徴とする出力段。 5.請求項3に記載の出力段において、前記電流源(I1)が主電流通路を有す る第1のトランジスタ(T1)及び主電流通路を有する第2のトランジスタ( T2)を具え、前記第1のトランジスタ(T1)及び第2のトランジスタ(T 2)の主電流通路を、前記電界効果トランジスタ(Q1)のゲート(GN)と 前記第電源端子(1)との間で直列に結合したことを特徴とする出力段。 6.請求項1に記載の出力段において、前記出力段信号(Vo)が第2の安定状 態にあるとき、前記電界効果トランジスタ(Q1)のゲート(GN)とソース との間のゲート−ソース電圧V(GN)を上昇させる第2の手段を具えること を特徴とする出力段。 7.請求項6に記載の出力段において、前記第2の手段が、前記第2の電源端子 (2)と電界効果トランジスタ(Q1)との間に結合した主電流通路及び前記 ディジタル回路に結合したゲートを有する第3のトランジスタ(T3)を具え ることを特徴とする出力段。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100577112B1 (ko) * 1997-12-23 2006-05-09 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 출력단
US6420924B1 (en) * 1998-09-09 2002-07-16 Ip-First L.L.C. Slew-controlled split-voltage output driver
US6255874B1 (en) * 1999-07-28 2001-07-03 National Semiconductor Corporation Transistor channel width and slew rate correction circuit and method
US6535035B2 (en) * 2000-11-17 2003-03-18 Texas Instruments Incorporated Driver and method for switching applications
US6489829B1 (en) * 2001-04-12 2002-12-03 Advanced Analogic Technologies, Inc. Multiple-stage control circuit to control rush current in a MOSFET load switch
US7820030B2 (en) * 2003-04-16 2010-10-26 Handylab, Inc. System and method for electrochemical detection of biological compounds
US7236021B2 (en) * 2005-01-31 2007-06-26 Texas Instruments Incorporated Method of controlling slope and dead time in an integrated output buffer with inductive load
US8115508B2 (en) * 2007-01-09 2012-02-14 International Business Machines Corporation Structure for time based driver output transition (slew) rate compensation
US7432730B2 (en) * 2007-01-09 2008-10-07 International Business Machines Corporation Time based driver output transition (slew) rate compensation
US8768679B2 (en) * 2010-09-30 2014-07-01 International Business Machines Corporation System and method for efficient modeling of NPskew effects on static timing tests
US8585110B2 (en) 2011-12-31 2013-11-19 National Oilwell Varco, L.P. Internal pipe gripping tool
US9490688B2 (en) * 2012-10-22 2016-11-08 Conti Temic Microelectronic Gmbh Method and circuit arrangement for switching a semiconductor switch
FR3084540B1 (fr) * 2018-07-24 2021-04-30 Valeo Systemes De Controle Moteur Bras de convertisseur de tension
US10848148B2 (en) * 2018-11-14 2020-11-24 Texas Instruments Incorporated Motor drive switch control with adaptive slew rate monitoring

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3708499A1 (de) * 1987-03-16 1988-10-20 Sgs Halbleiterbauelemente Gmbh Digitale gegentakt-treiberschaltung
US5013940A (en) * 1989-11-03 1991-05-07 Cypress Semiconductor Corporation Multi stage slew control for an IC output circuit
JP3014164B2 (ja) * 1991-05-15 2000-02-28 沖電気工業株式会社 出力バッファ回路
JPH05242674A (ja) * 1992-02-28 1993-09-21 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US5214320A (en) * 1992-06-12 1993-05-25 Smos Systems, Inc. System and method for reducing ground bounce in integrated circuit output buffers
GB2289808A (en) * 1994-05-19 1995-11-29 Motorola Gmbh CMOS driver with programmable switching speed
US5568081A (en) * 1995-06-07 1996-10-22 Cypress Semiconductor, Corporation Variable slew control for output buffers
US5877647A (en) * 1995-10-16 1999-03-02 Texas Instruments Incorporated CMOS output buffer with slew rate control

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