JP2001358060A5 - - Google Patents

Description

すなわち、同一のウエハに重ね合わされてそれぞれ形成された第一パターンと第二パターンとの位置ずれ量を計測して記憶する位置ずれ量記憶ステップと、
前記第一パターンの形成に使用された露光装置の情報および露光条件の情報を収集して記憶する第一パターン露光情報記憶ステップと、
前記第二パターンの形成に使用された露光装置の情報および露光条件の情報を収集して記憶する第二パターン露光情報記憶ステップと、
その後、前記第二パターン形成用フォトマスクが使用されてウエハに前記第一パターンに重ね合わされて前記第二パターンが形成される際に、その露光に使用される露光装置の情報および露光条件の情報と、前記位置ずれ量記憶ステップの位置ずれ量とから重ね合わせの補正値を計算するステップと、
を備えていることを特徴とする。

１．２枚以上のマスクを使い露光によりパターンを形成する半導体装置の製造方法において、２枚目の露光のための位置合わせを行うに当たり、
（１）１枚目で形成されたパターンと２枚目で形成されたパターンの位置ずれ量を計測し記憶するステップ、
（２）１枚目を露光するのに使用した露光装置情報、マスク情報、ウエハ露光情報を収集記憶するステップ、
（３）２枚目を露光するのに使用した露光装置情報、マスク情報、ウエハ露光情報を収集記憶するステップ、
（４）今回２枚目を露光するのに使用する露光装置情報、マスク情報、ウエハ露光情報とこのロットが１枚目のパターン形成に使用した前記（１）の情報の組み合わせから位置合わせの目標値を計算するステップ、
この位置合わせ目標値に基づいて位置合わせし露光パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

２．３枚以上のマスクを使い露光によりパターンを形成する半導体装置の製造方法において、３枚目の露光のための位置合わせを行うに当たり、前記１項のステップに加え、
（１）３枚目を露光するのに使用した露光装置情報、マスク情報、ウエハ露光情報を収集記憶するステップ、
（２）今回３枚目を露光するのに使用する露光装置情報、マスク情報、ウエハ露光情報とこのロットが１枚目、２枚目のパターン形成に使用した情報および１枚目と２枚目の位置ずれ量から位置合わせの目標値を計算するステップ、
この位置合わせ目標値に基づいて位置合わせし露光パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

以上のようにして補正量を算出すると、第六ステップＳ６において、ホストコンピュータ５は補正値を第二パターンの露光工程２６を実施する第二露光装置２に出力する。したがって、第二パターンの露光工程２６においては、この補正値を使用して第二パターンとしてのゲート電極１５のパターンがウエハ１０の上に被着されたレジスト膜に露光されることになる。

Claims (2)

1. 同一のウエハに重ね合わされてそれぞれ形成された第一パターンと第二パターンとの位置ずれ量を計測して記憶する位置ずれ量記憶ステップと、
   前記第一パターンの形成に使用された露光装置の情報および露光条件の情報を収集して記憶する第一パターン露光情報記憶ステップと、
   前記第二パターンの形成に使用された露光装置の情報および露光条件の情報を収集して記憶する第二パターン露光情報記憶ステップと、
   その後、前記第二パターン形成用フォトマスクが使用されてウエハに前記第一パターンに重ね合わされて前記第二パターンが形成される際に、その露光に使用される露光装置の情報および露光条件の情報と、前記位置ずれ量記憶ステップの位置ずれ量とから重ね合わせの補正値を計算するステップと、
   を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 同一のウエハに重ね合わされてそれぞれ形成された第一パターンと第二パターンとの位置ずれ量を計測して記憶する位置ずれ量記憶ステップと、
   前記第一パターンの形成に使用された第一パターン形成用フォトマスクの情報、前記第一パターンの形成に使用された露光装置の情報および露光条件の情報を収集して記憶する第一パターン露光情報記憶ステップと、
   前記第二パターンの形成に使用された第二パターン形成用フォトマスクの情報、前記第二パターンの形成に使用された露光装置の情報および露光条件の情報を収集して記憶する第二パターン露光情報記憶ステップと、
   その後、前記第二パターン形成用フォトマスクが使用されてウエハに前記第一パターンに重ね合わされて前記第二パターンが形成される際に、その露光に使用される露光装置の情報および露光条件の情報と、前記位置ずれ量記憶ステップの位置ずれ量とから重ね合わせの補正値を計算するステップと、
   を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。