JP2001353536A - テープキャリア打抜き金型 - Google Patents
テープキャリア打抜き金型Info
- Publication number
- JP2001353536A JP2001353536A JP2000180729A JP2000180729A JP2001353536A JP 2001353536 A JP2001353536 A JP 2001353536A JP 2000180729 A JP2000180729 A JP 2000180729A JP 2000180729 A JP2000180729 A JP 2000180729A JP 2001353536 A JP2001353536 A JP 2001353536A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- punch
- tape carrier
- die
- stripper
- tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
Abstract
(57)【要約】
【課題】テープキャリアと柔らかいエラストマとを同時
に打ち抜く金型において、エラストマのカスによるパン
チの損傷を防ぎ、パンチの長寿命化を達成する。 【解決手段】ストリッパ１のパンチ穴８の内壁における
パンチ出口側領域に、パンチ挿通方向と直交する方向に
見たパンチガイド部内壁９ａからの幅が０．０１〜０．
５mmで、パンチ２が挿通する方向に見たパンチ穴下端面
９ｂからの深さが０．５〜１．５mmである、座グリ部５
を設ける。
に打ち抜く金型において、エラストマのカスによるパン
チの損傷を防ぎ、パンチの長寿命化を達成する。 【解決手段】ストリッパ１のパンチ穴８の内壁における
パンチ出口側領域に、パンチ挿通方向と直交する方向に
見たパンチガイド部内壁９ａからの幅が０．０１〜０．
５mmで、パンチ２が挿通する方向に見たパンチ穴下端面
９ｂからの深さが０．５〜１．５mmである、座グリ部５
を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｔａｐｅ−ＢＧＡ
型構造の半導体装置に用いられるテープキャリアの打抜
き金型に関する。
型構造の半導体装置に用いられるテープキャリアの打抜
き金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高速化、入出力容量の増大
に伴い、所定形状の配線パターンを有するテープキャリ
アを半導体装置の基材として使用し、これに半導体チッ
プを搭載し、さらに、配線パターンの所定の箇所にはん
だボールによる端子をアレイ状に配置したＴａｐｅ−Ｂ
ＧＡ（Ball Grid Array ）型構造の半導体装置が普及し
つつある。即ち、半導体チップと外部端子間のインタポ
ーザとしてテープキャリアを用いた半導体装置である。
に伴い、所定形状の配線パターンを有するテープキャリ
アを半導体装置の基材として使用し、これに半導体チッ
プを搭載し、さらに、配線パターンの所定の箇所にはん
だボールによる端子をアレイ状に配置したＴａｐｅ−Ｂ
ＧＡ（Ball Grid Array ）型構造の半導体装置が普及し
つつある。即ち、半導体チップと外部端子間のインタポ
ーザとしてテープキャリアを用いた半導体装置である。
【０００３】このタイプの半導体装置は、入出力の基点
を平面的に配置することが可能であるとともに、高密度
実装が可能であるため、近年の技術トレンドである高速
化、高密度実装に対応可能な半導体装置として注目され
ている。
を平面的に配置することが可能であるとともに、高密度
実装が可能であるため、近年の技術トレンドである高速
化、高密度実装に対応可能な半導体装置として注目され
ている。
【０００４】図３は、半導体装置のＬＳＩチップと外部
端子間のインタポーザとしてフレキシブル配線基板であ
るＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープを用いたＴ
ａｐｅ−ＢＧＡ型構造のものであり、金属板から成るス
ティフナ９０の下面中央部に一体曲げ加工により半導体
チップ搭載用の凹部２３を形成し、そのスティフナ下面
に、接着剤２４を介して、ポリイミド樹脂製のＴＡＢ基
材２２に配線パターン２１を設けて成るＴＡＢテープ２
０を固着し、その凹部底面中央部に半導体チップ４０を
固定してその電極とインナーリード２１ａとをシングル
ボンディングし、封止樹脂５０で封止した後、半田ボー
ル７０を搭載した構造を有する。パッケージ本体の頂面
にスティフナ９０を貼ることにより、パッケージの半田
ボール面での平坦性を確保し及び放熱性を良くするもの
である。
端子間のインタポーザとしてフレキシブル配線基板であ
るＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープを用いたＴ
ａｐｅ−ＢＧＡ型構造のものであり、金属板から成るス
ティフナ９０の下面中央部に一体曲げ加工により半導体
チップ搭載用の凹部２３を形成し、そのスティフナ下面
に、接着剤２４を介して、ポリイミド樹脂製のＴＡＢ基
材２２に配線パターン２１を設けて成るＴＡＢテープ２
０を固着し、その凹部底面中央部に半導体チップ４０を
固定してその電極とインナーリード２１ａとをシングル
ボンディングし、封止樹脂５０で封止した後、半田ボー
ル７０を搭載した構造を有する。パッケージ本体の頂面
にスティフナ９０を貼ることにより、パッケージの半田
ボール面での平坦性を確保し及び放熱性を良くするもの
である。
【０００５】また、図４に示すＴａｐｅ−ＢＧＡ構造の
半導体装置は、ポリイミド樹脂製絶縁フィルムから成る
ＴＡＢ基材２２の片面に薄膜配線パターン２１を設けた
ＴＡＢテープ２０を、接着剤２４を介して、金属板から
成るスティフナ９０と貼り合わせた構造を有する。そし
て、このスティフナ９０の中央部に設けてある半導体チ
ップ搭載用凹部２３に接着剤２５を用いて半導体チップ
４０を貼り付け、この半導体チップ４０の電極とボンデ
ィングパッド部２８とをボンディングワイヤ２７にて結
線し、さらに半導体チップ４０とボンディングワイヤ２
７とを封止樹脂５０によって封止することで構成され
る。なお、半田ボールパット部上には半田ボール７０が
搭載される。２６はソルダーレジストである。
半導体装置は、ポリイミド樹脂製絶縁フィルムから成る
ＴＡＢ基材２２の片面に薄膜配線パターン２１を設けた
ＴＡＢテープ２０を、接着剤２４を介して、金属板から
成るスティフナ９０と貼り合わせた構造を有する。そし
て、このスティフナ９０の中央部に設けてある半導体チ
ップ搭載用凹部２３に接着剤２５を用いて半導体チップ
４０を貼り付け、この半導体チップ４０の電極とボンデ
ィングパッド部２８とをボンディングワイヤ２７にて結
線し、さらに半導体チップ４０とボンディングワイヤ２
７とを封止樹脂５０によって封止することで構成され
る。なお、半田ボールパット部上には半田ボール７０が
搭載される。２６はソルダーレジストである。
【０００６】さらにまた、ＢＧＡ用エラストマ付ＴＡＢ
テープを用いて小型化を図ったＴａｐｅ−ＢＧＡ構造の
ものとして、図５の半導体装置がある。これは次のよう
にして組み立てたものである。まず、ＴＡＢ基材２２及
び配線パターン２１を具備して成るＴＡＢテープ２０に
フィルムエラストマ６０をラミネートしてＢＧＡ用エラ
ストマ付ＴＡＢテープ３０を形成する（図５（ａ））。
次いで、このＢＧＡ用エラストマ付ＴＡＢテープ３０の
不要部をパンチ等（図示せず）により打ち抜き除去する
（図５（ｂ））。さらに、接着剤２４（例えば、エラス
トマ）を介することより、ＢＧＡ用エラストマ付ＴＡＢ
テープ３０をスティフナ９０に貼り付けた後、キュアを
行い、長尺のＢＧＡ用エラストマ付ＴＡＢテープ３０を
個片化する（図５（ｃ））。そして、スティフナ９０の
半導体チップ搭載用凹部２３に接着剤２５を用いて半導
体チップ４０を貼付ける（図５（ｄ））。次いで、半導
体チップ４０の電極と配線パターン２１のボンディング
パッド部２８をワイヤボンディング２７により結線する
（図５（ｅ））。そして、半導体チップとボンディング
ワイヤとを封止樹脂５０によって封止する（図５
（ｆ））。最後に、半田ボール７０をＴＡＢテープ２０
のランド部に搭載する（図５（ｇ））。
テープを用いて小型化を図ったＴａｐｅ−ＢＧＡ構造の
ものとして、図５の半導体装置がある。これは次のよう
にして組み立てたものである。まず、ＴＡＢ基材２２及
び配線パターン２１を具備して成るＴＡＢテープ２０に
フィルムエラストマ６０をラミネートしてＢＧＡ用エラ
ストマ付ＴＡＢテープ３０を形成する（図５（ａ））。
次いで、このＢＧＡ用エラストマ付ＴＡＢテープ３０の
不要部をパンチ等（図示せず）により打ち抜き除去する
（図５（ｂ））。さらに、接着剤２４（例えば、エラス
トマ）を介することより、ＢＧＡ用エラストマ付ＴＡＢ
テープ３０をスティフナ９０に貼り付けた後、キュアを
行い、長尺のＢＧＡ用エラストマ付ＴＡＢテープ３０を
個片化する（図５（ｃ））。そして、スティフナ９０の
半導体チップ搭載用凹部２３に接着剤２５を用いて半導
体チップ４０を貼付ける（図５（ｄ））。次いで、半導
体チップ４０の電極と配線パターン２１のボンディング
パッド部２８をワイヤボンディング２７により結線する
（図５（ｅ））。そして、半導体チップとボンディング
ワイヤとを封止樹脂５０によって封止する（図５
（ｆ））。最後に、半田ボール７０をＴＡＢテープ２０
のランド部に搭載する（図５（ｇ））。
【０００７】このようにＬＳＩチップと外部端子間のイ
ンタポーザとしてテープキャリアを用いたＴａｐｅ−Ｂ
ＧＡ型構造の半導体装置においては、様々な線膨張係数
の異なる材料による複合材となっていることから、熱応
力による界面での応力集中を防ぐ為に、半導体チップあ
るいは放熱板とテープキャリアとの接着剤に、エラスト
マと呼ばれる低弾性率の接着剤が、応力緩和の役目も兼
ねて使われる傾向にある。
ンタポーザとしてテープキャリアを用いたＴａｐｅ−Ｂ
ＧＡ型構造の半導体装置においては、様々な線膨張係数
の異なる材料による複合材となっていることから、熱応
力による界面での応力集中を防ぐ為に、半導体チップあ
るいは放熱板とテープキャリアとの接着剤に、エラスト
マと呼ばれる低弾性率の接着剤が、応力緩和の役目も兼
ねて使われる傾向にある。
【０００８】また、図５（ｂ）に示すように、最近では
テープキャリアにエラストマを貼付けた後、テープの不
要部をエラストマと一緒に金型を用いて打ち抜く作業が
行なわれている。
テープキャリアにエラストマを貼付けた後、テープの不
要部をエラストマと一緒に金型を用いて打ち抜く作業が
行なわれている。
【０００９】ここで従来使用されている打抜金型は図６
の如く構成されている。即ち、図６に示す金型はダイセ
ットとして、上方の天板１０と下方の台座１５とが、支
柱１１により同じ位置関係で上下動可能に装置されてい
る。その天板１０には、パンチバッキングプレート１９
及びパンチプレート１８が設けられ、これによりパンチ
２が取り付けられると共に、台座１５にはダイバッキン
グプレート１４を介してダイ１７が設けられ、両者はガ
イドポスト１６により位置決めされ、パンチ２とダイ穴
３ａの中心が一致するようになっている。また、パンチ
プレート１８とダイ１７との間には、ストリッパ１が配
設され、該ストリッパ１は、天板１０からパンチバッキ
ングプレート１９にかけて設けた縦穴１３内よりストッ
パーポール１２により吊下げられている。そして、ダイ
穴３ａを形成したダイ１７上に被加工材としてテープキ
ャリア１００を載置し、その上からストリッパ１のパン
チ穴８を通してパンチ２を下降させ、テープキャリア１
００を打ち抜く構造になっている。ストリッパ１は、こ
の打ち抜き動作の復動時に、ストッパポール上端のスト
ッパ１２ａが縦穴１３内で受けているコイルバネ１２ｂ
の力により、パンチ２の刃先端面の下方までストリッパ
下面が相対的に下移動して、パンチ２から被加工材を離
す働きをする。
の如く構成されている。即ち、図６に示す金型はダイセ
ットとして、上方の天板１０と下方の台座１５とが、支
柱１１により同じ位置関係で上下動可能に装置されてい
る。その天板１０には、パンチバッキングプレート１９
及びパンチプレート１８が設けられ、これによりパンチ
２が取り付けられると共に、台座１５にはダイバッキン
グプレート１４を介してダイ１７が設けられ、両者はガ
イドポスト１６により位置決めされ、パンチ２とダイ穴
３ａの中心が一致するようになっている。また、パンチ
プレート１８とダイ１７との間には、ストリッパ１が配
設され、該ストリッパ１は、天板１０からパンチバッキ
ングプレート１９にかけて設けた縦穴１３内よりストッ
パーポール１２により吊下げられている。そして、ダイ
穴３ａを形成したダイ１７上に被加工材としてテープキ
ャリア１００を載置し、その上からストリッパ１のパン
チ穴８を通してパンチ２を下降させ、テープキャリア１
００を打ち抜く構造になっている。ストリッパ１は、こ
の打ち抜き動作の復動時に、ストッパポール上端のスト
ッパ１２ａが縦穴１３内で受けているコイルバネ１２ｂ
の力により、パンチ２の刃先端面の下方までストリッパ
下面が相対的に下移動して、パンチ２から被加工材を離
す働きをする。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
打抜金型では、ストリッパ１のパンチ穴８におけるパン
チガイド部内壁とパンチ２の外周とのクリアランスが３
μｍ程度であり、且つそのクリアランスがストリッパ１
の厚さ方向に均一なものとなっていた。このため、次の
ような課題が生じた。
打抜金型では、ストリッパ１のパンチ穴８におけるパン
チガイド部内壁とパンチ２の外周とのクリアランスが３
μｍ程度であり、且つそのクリアランスがストリッパ１
の厚さ方向に均一なものとなっていた。このため、次の
ような課題が生じた。
【００１１】即ち、テープキャリアと柔らかいエラスト
マとを同時に打ち抜く際に、エラストマのカスがパンチ
に付着し、そのカスがストリッパのパンチ穴に蓄積す
る。その結果、パンチ穴の内壁とパンチとの間の隙間が
狭い場合は、カスと内壁との間がこすれて金属のバリが
発生し、それによってパンチの側面が損傷を受け、切れ
刃のチッピングを引き起こす恐れがある。従って、安定
したテープキャリアの打抜き作業を可能とする金型の提
供が望まれている。
マとを同時に打ち抜く際に、エラストマのカスがパンチ
に付着し、そのカスがストリッパのパンチ穴に蓄積す
る。その結果、パンチ穴の内壁とパンチとの間の隙間が
狭い場合は、カスと内壁との間がこすれて金属のバリが
発生し、それによってパンチの側面が損傷を受け、切れ
刃のチッピングを引き起こす恐れがある。従って、安定
したテープキャリアの打抜き作業を可能とする金型の提
供が望まれている。
【００１２】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、テープキャリアと柔らかいエラストマとを同時に打
ち抜く金型において、エラストマのカスによるパンチの
損傷を防ぎ、パンチの長寿命化を達成することにある。
し、テープキャリアと柔らかいエラストマとを同時に打
ち抜く金型において、エラストマのカスによるパンチの
損傷を防ぎ、パンチの長寿命化を達成することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、ストリッパのパンチ穴の出口に座グリ加
工を施し、長期にわたり安定した打ち抜き作業が行える
ようにしたものである。
め、本発明は、ストリッパのパンチ穴の出口に座グリ加
工を施し、長期にわたり安定した打ち抜き作業が行える
ようにしたものである。
【００１４】即ち、請求項１に記載の発明は、ダイ穴を
形成したダイ上に被加工材としてテープキャリアを載置
し、その上からストリッパを通してパンチを下降させて
前記テープキャリアを打ち抜く打抜金型において、前記
ストリッパのパンチ穴の内壁におけるパンチ出口側領域
に、パンチ挿通方向と直交する方向に見たパンチガイド
部内壁からの幅（図２のＬ）が０．０１〜０．５mmで、
パンチが挿通する方向に見たパンチ穴下端面からの深さ
（図２のＤ）が０．５〜１．５mmである、座グリ部を設
けたことを特徴とするテープキャリア打抜き金型であ
る。
形成したダイ上に被加工材としてテープキャリアを載置
し、その上からストリッパを通してパンチを下降させて
前記テープキャリアを打ち抜く打抜金型において、前記
ストリッパのパンチ穴の内壁におけるパンチ出口側領域
に、パンチ挿通方向と直交する方向に見たパンチガイド
部内壁からの幅（図２のＬ）が０．０１〜０．５mmで、
パンチが挿通する方向に見たパンチ穴下端面からの深さ
（図２のＤ）が０．５〜１．５mmである、座グリ部を設
けたことを特徴とするテープキャリア打抜き金型であ
る。
【００１５】上記座グリ部は、その幅がほぼ０．０１７
mmで、深さがほぼ１．５mmであることが好ましい（請求
項２）。
mmで、深さがほぼ１．５mmであることが好ましい（請求
項２）。
【００１６】ストリッパのパンチ穴の出口に、幅２０μ
ｍ程度の座グリ加工を施す理由は、座グリ加工を施さな
い従来の場合（パンチとパンチ穴のクリアランス３μｍ
程度）と比べて、カスが詰まった場合でもパンチの損傷
を防ぎ、長寿命化を達成することができるようにする為
である。
ｍ程度の座グリ加工を施す理由は、座グリ加工を施さな
い従来の場合（パンチとパンチ穴のクリアランス３μｍ
程度）と比べて、カスが詰まった場合でもパンチの損傷
を防ぎ、長寿命化を達成することができるようにする為
である。
【００１７】上記座グリ部の幅（図２のＬ）とそれがパ
ンチの長寿命化に寄与する作用効果との関係について
は、幅Ｌが０．０１mm未満では、パンチ穴の内壁とパン
チとの間の隙間が狭いため、カスと内壁との間がこすれ
て金属のバリが発生して長寿命化の効果が現れず、また
幅Ｌを０．０１mm以上とすると、徐々に効果の増大が見
られるが、幅Ｌが０．５mmを超えるとあまり効果に相違
が見られなくなることから、座グリ部の幅Ｌは、パンチ
ガイド部内壁から０．０１mm以上、０．５mm以下とする
必要がある。
ンチの長寿命化に寄与する作用効果との関係について
は、幅Ｌが０．０１mm未満では、パンチ穴の内壁とパン
チとの間の隙間が狭いため、カスと内壁との間がこすれ
て金属のバリが発生して長寿命化の効果が現れず、また
幅Ｌを０．０１mm以上とすると、徐々に効果の増大が見
られるが、幅Ｌが０．５mmを超えるとあまり効果に相違
が見られなくなることから、座グリ部の幅Ｌは、パンチ
ガイド部内壁から０．０１mm以上、０．５mm以下とする
必要がある。
【００１８】また、座グリ部のパンチ穴下端面からの深
さ（図２のＤ）については、深さＤが０．５mm未満では
浅すぎて、座グリ部の存在しない領域であるパンチガイ
ド部内壁（９ａ）内にパンチに付着したカスが蓄積して
来るため、座グリ部を設けた十分な効果が現れない。こ
れに対し、深さＤを０．５mm以上とすると、徐々に効果
の増大が見られるが、深さＤが１．５mmを超えると、あ
まり効果に相違が見られなくなる。従って、パンチのガ
イド部としての作用が不十分とならない範囲をも考慮し
て、パンチ穴下端面からの深さＤは０．５mm以上、１．
５mm以下とする必要がある。
さ（図２のＤ）については、深さＤが０．５mm未満では
浅すぎて、座グリ部の存在しない領域であるパンチガイ
ド部内壁（９ａ）内にパンチに付着したカスが蓄積して
来るため、座グリ部を設けた十分な効果が現れない。こ
れに対し、深さＤを０．５mm以上とすると、徐々に効果
の増大が見られるが、深さＤが１．５mmを超えると、あ
まり効果に相違が見られなくなる。従って、パンチのガ
イド部としての作用が不十分とならない範囲をも考慮し
て、パンチ穴下端面からの深さＤは０．５mm以上、１．
５mm以下とする必要がある。
【００１９】上記パンチの長寿命化の作用効果は、特に
被加工材が、半導体チップと外部端子間のインタポーザ
として用いられるエラストマ付のテープキャリアであ
り、エラストマを一緒に打ち抜く場合に発揮される（請
求項３）。
被加工材が、半導体チップと外部端子間のインタポーザ
として用いられるエラストマ付のテープキャリアであ
り、エラストマを一緒に打ち抜く場合に発揮される（請
求項３）。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００２１】図１は本発明によるテープキャリア打抜き
金型のうち、ストリッパ１と、パンチ２と、ダイ１７の
部分を示したものであり、図２はそのストリッパ１の部
分の拡大図である。この金型は、ストリッパ１とダイ１
７の構成が次に述べるように異なるだけで、他は図６と
同じ構成であり、打ち抜き対象のテープキャリア（被加
工材）を挟み込み、金型をプレス機によって押し下げ
て、テープキャリアの上からストリッパ１を通してパン
チ２を下降させることにより、テープキャリアはパンチ
２およびダイに沿って打ち抜かれる。
金型のうち、ストリッパ１と、パンチ２と、ダイ１７の
部分を示したものであり、図２はそのストリッパ１の部
分の拡大図である。この金型は、ストリッパ１とダイ１
７の構成が次に述べるように異なるだけで、他は図６と
同じ構成であり、打ち抜き対象のテープキャリア（被加
工材）を挟み込み、金型をプレス機によって押し下げ
て、テープキャリアの上からストリッパ１を通してパン
チ２を下降させることにより、テープキャリアはパンチ
２およびダイに沿って打ち抜かれる。
【００２２】図１において、まず、本発明の中心である
ストリッパ１の材質にはスチールを用い、そのストリッ
パ１のパンチ穴８の内壁におけるパンチ出口側領域に座
グリ部５を設けている。
ストリッパ１の材質にはスチールを用い、そのストリッ
パ１のパンチ穴８の内壁におけるパンチ出口側領域に座
グリ部５を設けている。
【００２３】また、パンチ２にはタングステン・カーバ
イト（ＷＣ）等の超硬合金を用い、ストリッパ１のパン
チ穴８のパンチガイド部内壁９ａとのクリアランスＣ
（図２）を約０．００３mm程度としている。
イト（ＷＣ）等の超硬合金を用い、ストリッパ１のパン
チ穴８のパンチガイド部内壁９ａとのクリアランスＣ
（図２）を約０．００３mm程度としている。
【００２４】さらにまた、ダイ１７は、クリアランス調
整を可能とする為に、ダイプレート３をダイホルダ７内
に入れた、入れ駒の構造となっている。ここでは、ダイ
ホルダ７内に、厚さ約１mmのスペーサ４を介して、焼入
れ鋼から成るダイプレート３を入れた構造となってい
る。このダイプレート３には打ち抜き後のカスを落とす
ためのダイ穴３ａが設けられている。そして、このダイ
穴３ａの上端切り刃部３ｂはストレート（幅寸法又は内
径が均一な形状）に加工されており、同じくストレート
に加工された超硬合金のパンチ２の外周面に対し、両者
のクリアランスを片側で約０．００３mm程度としてい
る。
整を可能とする為に、ダイプレート３をダイホルダ７内
に入れた、入れ駒の構造となっている。ここでは、ダイ
ホルダ７内に、厚さ約１mmのスペーサ４を介して、焼入
れ鋼から成るダイプレート３を入れた構造となってい
る。このダイプレート３には打ち抜き後のカスを落とす
ためのダイ穴３ａが設けられている。そして、このダイ
穴３ａの上端切り刃部３ｂはストレート（幅寸法又は内
径が均一な形状）に加工されており、同じくストレート
に加工された超硬合金のパンチ２の外周面に対し、両者
のクリアランスを片側で約０．００３mm程度としてい
る。
【００２５】図２に、パンチ出口側領域の座グリ部５及
び下面の座グリ加工部６を拡大して示す。この実施形態
の場合、座グリ部５は、パンチ挿通方向と直交する方向
に見たパンチガイド部内壁９ａからの幅Ｌがほぼ０．０
１７mmで、パンチ２が挿通する方向に見たパンチ穴下端
面９ｂからの深さＤがほぼ１．５mmになるように設けら
れている。
び下面の座グリ加工部６を拡大して示す。この実施形態
の場合、座グリ部５は、パンチ挿通方向と直交する方向
に見たパンチガイド部内壁９ａからの幅Ｌがほぼ０．０
１７mmで、パンチ２が挿通する方向に見たパンチ穴下端
面９ｂからの深さＤがほぼ１．５mmになるように設けら
れている。
【００２６】従って、ストリッパ１のパンチ穴８は、上
側のパンチガイド部９とパンチ出口側領域の座グリ部５
とから成り、パンチ２が上側のパンチガイド部内壁９ａ
との間でなすクリアランスＣ（図２）はほぼ０．００３
mm、パンチ２が下側の座グリ部５との間でなすクリアラ
ンスないし隙間はほぼ０．０２mmとなっている。
側のパンチガイド部９とパンチ出口側領域の座グリ部５
とから成り、パンチ２が上側のパンチガイド部内壁９ａ
との間でなすクリアランスＣ（図２）はほぼ０．００３
mm、パンチ２が下側の座グリ部５との間でなすクリアラ
ンスないし隙間はほぼ０．０２mmとなっている。
【００２７】以上の座グリ部５の寸法を、従来例との比
較にして表１に示す。
較にして表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】従来例ではパンチ２とパンチ穴８とのクリ
アランスは、パンチガイド部９及びパンチ穴出口の座グ
リ部５共に同じでほぼ３μｍと狭いので、テープキャリ
アと柔らかいエラストマとを同時に打抜いた場合、エラ
ストマのカスがパンチに付着し、そのカスがストリッパ
のパンチ穴に蓄積し、そのカスと内壁との間がこすれて
金属のバリが発生し、パンチ２の寿命を縮めた。これに
対し、本実施例ではパンチガイド部９のクリアランスＣ
についてはほぼ３μｍと同じであるが、パンチ穴出口に
おけるクリアランス（Ｃ＋Ｌ）は座グリ部５の存在によ
りほぼ２０μｍと拡がっている。このため、テープキャ
リアと柔らかいエラストマとを同時に打抜いた場合の従
来の問題点であった、カスがストリッパのパンチ穴に蓄
積して金属のバリを発生させるという不都合を防止する
ことができ、パンチ２の長寿命化を達成することができ
た。
アランスは、パンチガイド部９及びパンチ穴出口の座グ
リ部５共に同じでほぼ３μｍと狭いので、テープキャリ
アと柔らかいエラストマとを同時に打抜いた場合、エラ
ストマのカスがパンチに付着し、そのカスがストリッパ
のパンチ穴に蓄積し、そのカスと内壁との間がこすれて
金属のバリが発生し、パンチ２の寿命を縮めた。これに
対し、本実施例ではパンチガイド部９のクリアランスＣ
についてはほぼ３μｍと同じであるが、パンチ穴出口に
おけるクリアランス（Ｃ＋Ｌ）は座グリ部５の存在によ
りほぼ２０μｍと拡がっている。このため、テープキャ
リアと柔らかいエラストマとを同時に打抜いた場合の従
来の問題点であった、カスがストリッパのパンチ穴に蓄
積して金属のバリを発生させるという不都合を防止する
ことができ、パンチ２の長寿命化を達成することができ
た。
【００３０】上記座グリ部５の作用効果は、その寸法を
上記表１の値にした場合に限られるものではなく、スト
リッパのパンチ穴の出口を、幅Ｌが０．０１〜０．５m
m、深さＤが０．５〜１．５mmの範囲で座グリ加工する
ことによって、得ることができるものである。
上記表１の値にした場合に限られるものではなく、スト
リッパのパンチ穴の出口を、幅Ｌが０．０１〜０．５m
m、深さＤが０．５〜１．５mmの範囲で座グリ加工する
ことによって、得ることができるものである。
【００３１】また、本実施形態においては、上記の他、
ストリッパ１の下面に、打痕防止の為にストリッパ不要
部としての座グリ加工部６を、ほぼ０．２mmの深さで設
けている。この座グリ加工部６は、テープキャリアと柔
らかいエラストマとを同時に打ち抜く際、テープ上に異
物が付着した場合、その上から金型による打ち抜き作業
をしたときに柔らかいエラストマ上に打痕が発生しない
ようにするためのものである。したがって、この座グリ
加工部６は面的に広く、またエラストマに接触する面積
が小さくなるように複数個に分けて設けるのが好まし
い。図１の例では、内側座グリ加工部６ａと外側座グリ
加工部６ｂの２箇所に分けて設けてあり、両座グリ加工
部の下面からの深さｄ１、ｄ２は、ほぼ０．２mmで同じ
になっている。
ストリッパ１の下面に、打痕防止の為にストリッパ不要
部としての座グリ加工部６を、ほぼ０．２mmの深さで設
けている。この座グリ加工部６は、テープキャリアと柔
らかいエラストマとを同時に打ち抜く際、テープ上に異
物が付着した場合、その上から金型による打ち抜き作業
をしたときに柔らかいエラストマ上に打痕が発生しない
ようにするためのものである。したがって、この座グリ
加工部６は面的に広く、またエラストマに接触する面積
が小さくなるように複数個に分けて設けるのが好まし
い。図１の例では、内側座グリ加工部６ａと外側座グリ
加工部６ｂの２箇所に分けて設けてあり、両座グリ加工
部の下面からの深さｄ１、ｄ２は、ほぼ０．２mmで同じ
になっている。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
トリッパのパンチ穴の内壁におけるパンチ出口側領域
に、パンチ挿通方向と直交する方向に見たパンチガイド
部内壁からの幅が０．０１〜０．５mmで、パンチが挿通
する方向に見たパンチ穴下端面からの深さが０．５〜
１．５mmである座グリ部を設けたので、テープキャリア
と柔らかいエラストマとを同時に打抜いた場合の従来の
問題点であった、ストリッパのパンチ穴にカスが蓄積し
て金属のバリを発生させるという不都合を防止し、パン
チの長寿命化を図り、長期間に渡り安定した打抜き性を
約束した金型を得ることができる。
トリッパのパンチ穴の内壁におけるパンチ出口側領域
に、パンチ挿通方向と直交する方向に見たパンチガイド
部内壁からの幅が０．０１〜０．５mmで、パンチが挿通
する方向に見たパンチ穴下端面からの深さが０．５〜
１．５mmである座グリ部を設けたので、テープキャリア
と柔らかいエラストマとを同時に打抜いた場合の従来の
問題点であった、ストリッパのパンチ穴にカスが蓄積し
て金属のバリを発生させるという不都合を防止し、パン
チの長寿命化を図り、長期間に渡り安定した打抜き性を
約束した金型を得ることができる。
【図１】本発明のテープキャリア打抜き金型の主要部の
断面図である。
断面図である。
【図２】図１のテープキャリア打抜き金型のストリッパ
の部分拡大図である。
の部分拡大図である。
【図３】本発明の金型で打ち抜き対象とするテープキャ
リアを用いた半導体装置の第１の構成例を示す断面図で
ある。
リアを用いた半導体装置の第１の構成例を示す断面図で
ある。
【図４】本発明の金型で打ち抜き対象とするテープキャ
リアを用いた半導体装置の第２の構成例を示す断面図で
ある。
リアを用いた半導体装置の第２の構成例を示す断面図で
ある。
【図５】本発明の金型で打ち抜き対象とするエラストマ
付テープキャリアを用いた半導体装置の製造工程を示す
断面図である。
付テープキャリアを用いた半導体装置の製造工程を示す
断面図である。
【図６】従来公知の金型の構造を示す断面図である。
１ ストリッパ ２ パンチ ３ ダイプレート ３ａ ダイ穴 ３ｂ 上端切り刃部 ４ スペーサ ５ 座グリ部 ８ パンチ穴 ９ パンチガイド部 ９ａ パンチガイド部内壁 ９ｂ パンチ穴下端面 Ｌ 幅 Ｄ 深さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大高 達也 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社総合技術研究所内 (72)発明者 杉本 洋 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社総合技術研究所内 (72)発明者 萩谷 重男 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社総合技術研究所内 (72)発明者 高萩 茂治 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社総合技術研究所内 Ｆターム(参考） 3C060 AA04 AA10 BA01 BD01 BE07 BG02 4E048 LA10 LA17 5F067 DB00
Claims (3)
- 【請求項１】ダイ穴を形成したダイ上に被加工材として
テープキャリアを載置し、その上からストリッパを通し
てパンチを下降させて前記テープキャリアを打ち抜く打
抜金型において、 前記ストリッパのパンチ穴の内壁におけるパンチ出口側
領域に、パンチ挿通方向と直交する方向に見たパンチガ
イド部内壁からの幅が０．０１〜０．５mmで、パンチが
挿通する方向に見たパンチ穴下端面からの深さが０．５
〜１．５mmである、座グリ部を設けたことを特徴とする
テープキャリア打抜き金型。 - 【請求項２】前記座グリ部の幅がほぼ０．０１７mmで、
深さがほぼ１．５mmであることを特徴とする請求項１記
載のテープキャリア打抜き金型。 - 【請求項３】前記被加工材が、半導体チップと外部端子
間のインタポーザとして用いられるエラストマ付のテー
プキャリアであることを特徴とする請求項１又は２記載
のテープキャリア打抜き金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000180729A JP3714121B2 (ja) | 2000-06-12 | 2000-06-12 | テープキャリア打抜き金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000180729A JP3714121B2 (ja) | 2000-06-12 | 2000-06-12 | テープキャリア打抜き金型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001353536A true JP2001353536A (ja) | 2001-12-25 |
| JP3714121B2 JP3714121B2 (ja) | 2005-11-09 |
Family
ID=18681758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000180729A Expired - Fee Related JP3714121B2 (ja) | 2000-06-12 | 2000-06-12 | テープキャリア打抜き金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3714121B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006088260A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd | 接着剤層付きフレキシブル樹脂基板の穴開け加工方法 |
| JP2007069281A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Nitta Haas Inc | 金型装置 |
| JP2014216378A (ja) * | 2013-04-23 | 2014-11-17 | 三菱電機株式会社 | 樹脂バリ打ち抜き加工装置及びタイバー打ち抜き加工装置 |
| CN107891088A (zh) * | 2017-12-18 | 2018-04-10 | 天津市北方高效石化设备制造有限公司 | 自动舌型浮阀模具 |
-
2000
- 2000-06-12 JP JP2000180729A patent/JP3714121B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006088260A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd | 接着剤層付きフレキシブル樹脂基板の穴開け加工方法 |
| JP2007069281A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Nitta Haas Inc | 金型装置 |
| JP2014216378A (ja) * | 2013-04-23 | 2014-11-17 | 三菱電機株式会社 | 樹脂バリ打ち抜き加工装置及びタイバー打ち抜き加工装置 |
| CN107891088A (zh) * | 2017-12-18 | 2018-04-10 | 天津市北方高效石化设备制造有限公司 | 自动舌型浮阀模具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3714121B2 (ja) | 2005-11-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3285815B2 (ja) | リードフレーム，樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100553281B1 (ko) | 반도체 장치 및 반도체 소자 탑재용 기판 및 이들의 제조 방법 | |
| JPH10308421A (ja) | Ｔａｂ装置とｔａｂ装置の製造方法 | |
| KR20070098526A (ko) | 리드 커터, 및 반도체 장치를 제조하는 방법 | |
| JP2003236632A (ja) | 金属板及びその成形方法 | |
| US5659199A (en) | Resin sealed semiconductor device | |
| JP2002026044A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2001353536A (ja) | テープキャリア打抜き金型 | |
| JP3427492B2 (ja) | 凸型ヒートシンク付き半導体装置及びその凸型ヒートシンクの製造方法 | |
| EP1729342A1 (en) | Heat sink board and manufacturing method thereof | |
| JP2001353695A (ja) | テープキャリア打抜き金型 | |
| JP2002184927A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60120543A (ja) | 半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム | |
| KR100381349B1 (ko) | 판형체, 리드 프레임 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP4248528B2 (ja) | リードフレーム及び該リードフレームを用いる樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP4042400B2 (ja) | 打抜金型 | |
| JPS61269338A (ja) | 樹脂封止半導体装置およびその製造に用いるモ−ルド型 | |
| JPH0645497A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3013133B2 (ja) | 複合リ−ドフレ−ム | |
| JP4850216B2 (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
| JP2004165646A (ja) | リードフレーム，樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2001044312A (ja) | 金属製スティフナ付き配線基板 | |
| JP2008218933A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH06236948A (ja) | 電子部品搭載用基板及びその製造方法 | |
| JP2001267351A (ja) | ワイヤボンディング構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050725 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050802 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050815 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100902 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100902 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120902 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120902 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130902 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |