JP2001352031A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
ルシート等に回路装置が実装された混成集積回路装置が
ある。しかしこれらの実装基板は、複雑な回路を構成す
るため、ジャンピング線が多用されていた。しかしヒー
トシンク等の大きな部品が載置された近傍でジャンピン
グ線を接続しようとすると、ボンディングツールが当た
り、ジャンピング線と前記部品の間隔を広げなくては成
らない制約があった。 【解決手段】 例えば、配線23が絶縁性樹脂24で封
止されたパッケージを用意し、これを実装基板に接続す
る。このパッケージの採用により金属細線をジャンピン
グ線として採用する必要が無くなり、前記部品との間隔
を広げなくては成らない制約が無くなる。
Description
し、特に金属細線によるボンディングを減らし、サイズ
の小さい混成集積回路装置を実現する半導体装置に関す
るものである。
回路装置は、例えばプリント基板、セラミック基板また
は金属基板の上に導電パターンが形成され、この上に
は、LSIまたはディスクリートTR等の能動素子、チ
ップコンデンサ、チップ抵抗またはコイル等の受動素子
が実装される。そして、前記導電パターンと前記素子が
電気的に接続されて所定の機能の回路が実現されてい
る。
オ回路を構成したものを図12に示す。
は、少なくとも表面が絶縁処理された実装基板1であ
る。そしてこの上には、Cuから成る導電パターン2が
貼着されている。この導電パターン2は、外部取り出し
用電極2A、配線2B、ダイパッド2C、ボンディング
パッド2D、受動素子3を固着する電極4等で構成され
ている。
複合素子またはLSI等がベアチップ状で、半田を介し
て固着されている。そしてこの固着されたチップ上の電
極と前記ボンディングパッド2Dが金属細線5A、5
B、5Cを介して電気的に接続されている。この金属細
線は、一般に、小信号と大信号用に分類され、小信号部
は約40μmφから成るAu線5AまたはAl線が採用
され、大信号部は約100〜300μmφのAu線また
はAl線が採用されている。特に大信号は、線径が大き
いため、コストの点が考慮され、150μmφのAl線
5B、300μmφのAl線5Cが選択されている。
の温度上昇を防止するために、ダイパッド2C上のヒー
トシンク7に固着されている。
パッド2C、ボンディングパッド2D、電極4を回路と
するため配線2Bが色々な所に延在される。また、チッ
プの位置、配線の延在の仕方の都合で、配線同士が交差
をする場合は、ジャンピング線8A、8Bが採用されて
いる。
んだ領域は、ヒートシンク7に固着されたパワーTR6
と、この近傍に配置されたジャンピング線8Cが配置さ
れた部分であり、この部分を図13に示した。第1のボ
ンディングパッド9Aと第2のボンディングパッド9B
をジャンピング線8Cで接続する所を説明したものであ
り、図のように、キャピラリー10の頭部にジャンピン
グ線8Cが取り付けられ、ワイヤーガイド11からこの
ジャンピング線8Cが供給されている。
ング時に、ワイヤーガイド11がヒートシンク7または
パワーTR6と当たるため、第2のボンディングパッド
9Bと前記ヒートシンク7(またはダイパッド2C)の
間隔を広げたり、ボンディングの順番やジャンピング線
の引き出し方向に制限が加わってしまう問題もあった。
いたり、ボンデイング工程を複雑にしてしまった。
に鑑みて成され、第1に、電気的に分離された配線と、
前記配線の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂と
を備え、前記配線の二領域が露出するように前記導電路
の裏面に絶縁被膜が設けられることで解決するものであ
る。
配線の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備
え、前記配線の二領域が他の配線の領域よりも凹んで設
けられることで解決するものである。
配線の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備
え、前記配線の二領域が前記絶縁性樹脂の裏面よりも突
出して設けられることで解決するものである。
パッドおよび配線と、ダイパッド上に固着された半導体
チップと、該半導体チップを被覆し且つ前記ダイパッド
と前記配線の間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏
面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、少な
くとも前記配線の二領域が露出するように絶縁被膜が設
けられることで解決するものである。
パッドおよび配線と、ダイパッド上に固着された半導体
チップと、該半導体チップを被覆し且つ前記ダイパッド
と前記配線の間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏
面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前記
配線の二領域が他の配線の領域よりも凹んで設けられる
ことで解決するものである。
パッドおよび配線と、ダイパッド上に固着された半導体
チップと、該半導体チップを被覆し且つ前記ダイパッド
と前記配線の間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏
面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前記
配線の二領域が前記絶縁性樹脂の裏面よりも突出して設
けられることで解決するものである。
ドされた半導体装置を採用するため、ワイヤーボンディ
ングが不要となる。しかも配線の裏面だけが露出されて
いるため、ヒートシンクやパワーTRに近接できる。よ
って混成集積回路装置の一構成である実装基板のサイズ
を小さくすることができる。
に前記ジャンピング線の機能を果たす配線を設けること
により、実装基板へのボンディング数、半導体チップの
ダイボンディング数を減らせ、組立工程数を大幅に減ら
すことができる。
いて組み立て工程を簡略化できる半導体装置に関し、特
に金属細線のボンディング、半導体素子のダイボンディ
ングを減らせる半導体装置に関するものである。
素子により電子回路が構成され、必要により、TRチッ
プ、ICチップまたはLSIチップ等の能動素子、チッ
プコンデンサまたはチップ抵抗等の受動素子が実装され
ている。そしてこれらの回路素子は、実装基板上に形成
された導電パターンと電気的に接続される。また回路と
して実現するために、導電パターンには、配線が設けら
れ、また回路素子は、ロウ材、導電ボール、半田ボー
ル、導電ペーストまたは金属細線を介して電気的に接続
されている。
金属細線の代わりに、パッケージされた配線を代用し、
このクロスオーバー部とこの近傍に配置されたヒートシ
ンク(またはパワーTR)の近接配置を可能としたもの
である。(図1を参照) またジャンピング線を前もってパッケージしておき、ク
ロスオーバー部とこの近傍に配置されたヒートシンク
(またはパワーTR)との近接配置を可能としたもので
ある。(図2を参照) では、図1を参照して第1の実施の形態を説明する。太
線で示した矩形は、本発明の半導体装置20を示し、そ
の周辺に波線で囲んだ領域が、混成集積回路装置に採用
される実装基板21である。半導体装置20は、3本の
配線23A〜23Cが絶縁性樹脂24で支持・封止され
て形成されている。図3〜図7の製造方法で明らかにな
るが、配線23の裏面は、絶縁性樹脂24から露出され
ているため、絶縁被膜25で半導体装置20の裏面がカ
バーされている。そして符号26で示す○の所で、前記
配線23の少なくとも一部が絶縁被膜25から露出さ
れ、実装基板21上の配線27と電気的に接続されてい
る。
に対して上下に延在されているため、絶縁被膜25が設
けられてあることによって、配線23A〜23Cは、ジ
ャンピング線として機能する。
たダイパッドであり、符号30は、このダイパッド29
上に固着されたヒートシンクである。更に符号31は、
ヒートシンク30に固着されたパワーTRである。
Cをボンデイングするための装置、特にキャピラリー1
0やワイヤーガイド11を採用するために、ボンディン
グパッド9Bとダイパッド2Cを十分に離間する必要が
あった。
能する配線23が絶縁性樹脂24で封止されたパッケー
ジを用いるため、前記したような離間距離を全く考慮に
入れる必要が無くなった。
6Bは、配線の両端に位置しているが、この間に実装基
板21側の配線28が通過すれば良く、配線23の任意
の箇所に少なくとも二カ所設けられればよい。尚、配線
23Aでは、コンタクトが3カ所に設けられている例を
示した。続いて、第2の実施の形態を図2を参照して説
明する。ここでは、ジャンピング線として金属細線32
を採用したものである。ボンディングパッド33A〜3
3F、ボンディングパッド33A−33B、33C−3
3D、33E−33Fを電気的に接続する金属細線32
A〜32Cが絶縁性樹脂24で埋め込まれ半導体装置2
0として構成されている。
絶縁性樹脂で封止されてあるため、図1の絶縁被膜25
を採用しなくても、半導体装置の裏面には、配線28A
〜28Dを通過させられるメリットを有する。 半導体装置20の製造方法の説明 次に図3〜図9を使って半導体装置20の製造方法につ
いて説明する。
用意する。この導電箔60は、ロウ材の付着性、ボンデ
ィング性、メッキ性が考慮されてその材料が選択され、
材料としては、Cuを主材料とした導電箔、Alを主材
料とした導電箔またはFe−Niの合金から成る導電
箔、Al−Cuの積層体、Al−Cu−Alの積層体等
が採用される。
ると35μm〜300μm程度が好ましく、ここでは7
0μm(2オンス)の銅箔を採用した。しかし300μ
m以上でも10μm以下でも基本的には良い。後述する
ように、導電箔60の厚みよりも浅い分離溝61が形成
できればよい。
ロール状に巻かれて用意され、これが後述する各工程に
搬送されても良いし、所定の大きさにカットされた導電
箔が用意され、後述する各工程に搬送されても良い。
(以上図3を参照)続いて、少なくとも配線51となる
領域を除いた導電箔60を、導電箔60の厚みよりも薄
く除去する工程がある。
(耐エッチングマスク)PRを形成し、配線51となる
領域を除いた導電箔60が露出するようにホトレジスト
PRをパターニングする(以上図4を参照)。そして、
前記ホトレジストPRを介してエッチングすればよい。
深さは、例えば50μmであり、その側面は、粗面とな
るため絶縁性樹脂50との接着性が向上される。
より異なる構造となる。この除去工程は、ウェットエッ
チング、ドライエッチング、レーザによる蒸発、ダイシ
ングが採用できる。またプレスで形成しても良い。ウェ
ットエッチングの場合エッチャントは、塩化第二鉄また
は塩化第二銅が主に採用され、前記導電箔は、このエッ
チャントの中にディッピングされるか、このエッチャン
トでシャワーリングされる。ここでウェットエッチング
は、一般に非異方性にエッチングされるため、側面は、
図5Bに示すように湾曲構造になる。
非異方性でエッチングが可能である。現在では、Cuを
反応性イオンエッチングで取り除くことは不可能といわ
れているが、スパッタリングで除去できる。またスパッ
タリングの条件によって異方性、非異方性でエッチング
できる。
離溝を形成でき、この場合は、どちらかといえば分離溝
61の側面はストレートに形成される。
わりにエッチング液に対して耐食性のある導電被膜を選
択的に被覆しても良い。導電路と成る部分に選択的に被
着すれば、この導電被膜がエッチング保護膜となり、レ
ジストを採用することなく分離溝をエッチングできる。
この導電被膜として考えられる材料は、Ni、Ag、A
u、PtまたはPd等である。しかもこれら耐食性の導
電被膜は、ダイパッド、ボンディングパッドとしてその
まま活用できる特徴を有する。
ウ材とも接着する。よってチップ裏面にAu被膜が被覆
されていれば、そのまま導電路51上のAg被膜にチッ
プを熱圧着でき、また半田等のロウ材を介してチップを
固着できる。またAgの導電被膜にはAu細線が接着で
きるため、ワイヤーボンディングも可能となる。従って
これらの導電被膜をそのままダイパッド、ボンディング
パッドとして活用できるメリットを有する。(以上図5
を参照) 続いて、図6の如く、前記配線51と成るCu箔60お
よび分離溝61に絶縁性樹脂50を付着する工程があ
る。これは、トランスファーモールド、インジェクショ
ンモールド、またはディッピングにより実現できる。樹
脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂がトラ
ンスファーモールドで実現でき、ポリイミド樹脂、ポリ
フェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はインジェク
ションモールドで実現できる。
された絶縁性樹脂の厚さは、約100μm程度が被覆さ
れるように調整されている。この厚みは、強度を考慮し
て厚くすることも、薄くすることも可能である。
るまでは、配線51となる導電箔60が支持基板となる
ことである。例えばプリント基板やフレキシブルシート
を採用したものでは、本来必要としない支持基板(プリ
ント基板やフレキシブルシート)を採用して導電路を形
成しているが、本発明では、支持基板となる導電箔60
は、導電路として必要な材料である。そのため、構成材
料を極力省いて作業できるメリットを有し、コストの低
下も実現できる。
く形成されているため、導電箔60が配線51として個
々に分離されていない。従ってシート状の導電箔60と
して一体で取り扱え、特に絶縁性樹脂をモールドする
際、金型への搬送、金型への実装の作業が非常に楽にな
る特徴を有する。
/または物理的に除き、配線51として分離する工程が
ある。ここでこの除く工程は、研磨、研削、エッチン
グ、レーザの金属蒸発等により施される。
面を30μm程度削り、分離溝61から絶縁性樹脂50
を露出させている。また、実装基板上の配線を下に通過
させるために、裏面に絶縁被膜RFを形成している。そ
の結果、約40μmの厚さの導電路51として分離され
る。(以上図7を参照) また図8の様に、実装基板側の配線が通過できる深さ
に、配線51の一領域が凹む構造を採用しても良い。こ
の場合、ホトレジスト等でコンタクト部を覆い、凹み部
を露出させてエッチングすればよい。
ト部を絶縁性樹脂50の裏面より突出させても良い。例
えば、図6に於いて、コンタクト部に耐エッチングマス
クを形成し、露出した配線をエッチングすれば、図9の
ような構成となる。
部に半田等の導電材を被着し半導体装置として完成す
る。
ジされているが、図10、図11のように、半導体素
子、受動素子が実装されても良い。更には本半導体装置
1単位としてマトリックス状に配置しても良い。
電路が分離された後に、ダイシング装置で個々に分離さ
れる。
に配線51が埋め込まれた半導体装置が実現できる。
として活用し配線51の分離作業ができる特徴を有す
る。絶縁性樹脂50は、配線51を埋め込む材料として
必要な材料であり、不要な支持基板を必要としない。従
って、最小限の材料で製造でき、コストの低減が実現で
きる特徴を有する。
明する。前説明と実質同じであるため、図3〜図7を利
用して説明する。本半導体装置では、ボンディングパッ
ドを形成するため、図4のホトレジストPRは、ボンデ
ィングパッドに対応する部分に形成される。そして図5
のように、ホトレジストPRを介してエッチングされ
る。この段階で、ボンディングパッド以外がハーフエッ
チングされる。そしてこの後に、ボンディングパッドに
金属細線を接続し、図6のように絶縁性樹脂を使ってモ
ールドする。そして図7の様に裏面のCu箔を取り除
き、ボンディングパッドを分離すればよい。
縁性樹脂50で一度にモールドされているが、前記分離
溝61の間隔を広げ、一つ一つを個別モールドしてもよ
い。更に、図10、図11の様に、回路素子も一緒にモ
ールドする場合がある。前述した説明と同様に図3〜図
7を利用して説明する。本半導体装置では、ボンディン
グパッドの他に、配線、ダイパッド等を形成するため、
図4のホトレジストPRは、ボンディングパッド、配線
およびダイパッド等の導電路に対応する部分に形成され
る。そして図5のように、ホトレジストPRを介してエ
ッチングされる。この段階で、ボンディングパッド、ダ
イパッドおよび配線以外がハーフエッチングされる。そ
してこの後に、ダイパッドには半導体素子が固着され、
更にはボンディングパッドに金属細線が接続される。そ
して図6のように絶縁性樹脂を使ってモールドし、図7
の様に裏面のCu箔を取り除き、導電路が分離される。
では、ジャンピング線として絶縁性樹脂にモールドされ
た半導体装置を採用するため、実装基板上でのワイヤー
ボンディング数を減らすことができる。またヒートシン
クやパワーTRに近接して半導体装置を配置することが
可能となる。よって混成集積回路装置の一構成である実
装基板のサイズを小さくすることができる。
に前記ジャンピング線の機能を果たす配線を設けること
により、実装基板へのボンディング数、半導体チップの
ダイボンディング数を減らせ、組立工程数を大幅に減ら
すことができる。
ある。
ある。
ある。
ある。
ある。
ある。
ある。
る。
Claims (13)
- 【請求項1】 電気的に分離された配線と、前記配線の
裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前
記配線の二領域が露出するように前記導電路の裏面に絶
縁被膜が設けられることを特徴とした半導体装置。 - 【請求項2】 電気的に分離された配線と、前記配線の
裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前
記配線の二領域が他の配線の領域よりも凹んで設けられ
ることを特徴とした半導体装置。 - 【請求項3】 電気的に分離された配線と、前記配線の
裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前
記配線の二領域が前記絶縁性樹脂の裏面よりも突出して
設けられることを特徴とした半導体装置。 - 【請求項4】 分離溝で電気的に分離されたダイパッド
および配線と、ダイパッド上に固着された半導体チップ
と、該半導体チップを被覆し且つ前記ダイパッドと前記
配線の間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏面を露
出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、 少なくとも前記配線の二領域が露出するように絶縁被膜
が設けられることを特徴とした半導体装置。 - 【請求項5】 分離溝で電気的に分離されたダイパッド
および配線と、ダイパッド上に固着された半導体チップ
と、該半導体チップを被覆し且つ前記ダイパッドと前記
配線の間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏面を露
出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、 前記配線の二領域が他の配線の領域よりも凹んで設けら
れることを特徴とした半導体装置。 - 【請求項6】 分離溝で電気的に分離されたダイパッド
および配線と、ダイパッド上に固着された半導体チップ
と、該半導体チップを被覆し且つ前記ダイパッドと前記
配線の間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏面を露
出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前記配線の
二領域が前記絶縁性樹脂の裏面よりも突出して設けられ
ることを特徴とした半導体装置。 - 【請求項7】 前記配線の側面は、湾曲構造で成ること
を特徴とした請求項1〜請求項6に記載の半導体装置。 - 【請求項8】 前記配線上には導電被膜が設けられる請
求項1〜請求項7に記載の半導体装置。 - 【請求項9】 前記半導体チップは、少なくとも一つ実
装されることを特徴とした請求項1〜請求項8に記載の
半導体装置。 - 【請求項10】 前記半導体チップの他に能動素子およ
び/または受動素子が、前記配線と電気的に接続されて
内蔵され、前記能動素子および/または前記受動素子も
含めて回路が形成されることを特徴とした請求項1〜請
求項9のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項11】 前記導電路はCu、Al、Fe−Ni
合金、Cu−Alの積層体、Al−Cu−Alの積層体
から成ることを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれ
かに記載された半導体装置。 - 【請求項12】 前記導電被膜は、Ni、Au、Agま
たはPdで成り、ひさしが形成されることを特徴とする
請求項8に記載された半導体装置。 - 【請求項13】 前記導電路の導電被膜と前記半導体チ
ップはボンディング細線またはロウ材で接続されること
を特徴とする請求項12に記載された半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000172530A JP3778778B2 (ja) | 2000-06-08 | 2000-06-08 | 半導体装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000172530A JP3778778B2 (ja) | 2000-06-08 | 2000-06-08 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2001352031A true JP2001352031A (ja) | 2001-12-21 |
JP3778778B2 JP3778778B2 (ja) | 2006-05-24 |
Family
ID=18674914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000172530A Expired - Lifetime JP3778778B2 (ja) | 2000-06-08 | 2000-06-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111564402A (zh) * | 2020-07-14 | 2020-08-21 | 深圳新益昌科技股份有限公司 | 跳片自动安装机 |
WO2021182016A1 (ja) * | 2020-03-10 | 2021-09-16 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
2000
- 2000-06-08 JP JP2000172530A patent/JP3778778B2/ja not_active Expired - Lifetime
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