JP2001352031A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プリント基板、セラミック基板、フレキシブ
ルシート等に回路装置が実装された混成集積回路装置が
ある。しかしこれらの実装基板は、複雑な回路を構成す
るため、ジャンピング線が多用されていた。しかしヒー
トシンク等の大きな部品が載置された近傍でジャンピン
グ線を接続しようとすると、ボンディングツールが当た
り、ジャンピング線と前記部品の間隔を広げなくては成
らない制約があった。 【解決手段】 例えば、配線２３が絶縁性樹脂２４で封
止されたパッケージを用意し、これを実装基板に接続す
る。このパッケージの採用により金属細線をジャンピン
グ線として採用する必要が無くなり、前記部品との間隔
を広げなくては成らない制約が無くなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に金属細線によるボンディングを減らし、サイズ
の小さい混成集積回路装置を実現する半導体装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子機器にセットされる混成集積
回路装置は、例えばプリント基板、セラミック基板また
は金属基板の上に導電パターンが形成され、この上に
は、ＬＳＩまたはディスクリートＴＲ等の能動素子、チ
ップコンデンサ、チップ抵抗またはコイル等の受動素子
が実装される。そして、前記導電パターンと前記素子が
電気的に接続されて所定の機能の回路が実現されてい
る。

【０００３】混成集積回路装置の一例として、オーディ
オ回路を構成したものを図１２に示す。

【０００４】図１２に於いて、一番外側の矩形ライン
は、少なくとも表面が絶縁処理された実装基板１であ
る。そしてこの上には、Ｃｕから成る導電パターン２が
貼着されている。この導電パターン２は、外部取り出し
用電極２Ａ、配線２Ｂ、ダイパッド２Ｃ、ボンディング
パッド２Ｄ、受動素子３を固着する電極４等で構成され
ている。

【０００５】ダイパッド２Ｃには、ＴＲ、ダイオード、
複合素子またはＬＳＩ等がベアチップ状で、半田を介し
て固着されている。そしてこの固着されたチップ上の電
極と前記ボンディングパッド２Ｄが金属細線５Ａ、５
Ｂ、５Ｃを介して電気的に接続されている。この金属細
線は、一般に、小信号と大信号用に分類され、小信号部
は約４０μｍφから成るＡｕ線５ＡまたはＡｌ線が採用
され、大信号部は約１００〜３００μｍφのＡｕ線また
はＡｌ線が採用されている。特に大信号は、線径が大き
いため、コストの点が考慮され、１５０μｍφのＡｌ線
５Ｂ、３００μｍφのＡｌ線５Ｃが選択されている。

【０００６】また大電流を流すパワーＴＲ６は、チップ
の温度上昇を防止するために、ダイパッド２Ｃ上のヒー
トシンク７に固着されている。

【０００７】そして前記外部取り出し用電極２Ａ、ダイ
パッド２Ｃ、ボンディングパッド２Ｄ、電極４を回路と
するため配線２Ｂが色々な所に延在される。また、チッ
プの位置、配線の延在の仕方の都合で、配線同士が交差
をする場合は、ジャンピング線８Ａ、８Ｂが採用されて
いる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】図１２に於いて○で囲
んだ領域は、ヒートシンク７に固着されたパワーＴＲ６
と、この近傍に配置されたジャンピング線８Ｃが配置さ
れた部分であり、この部分を図１３に示した。第１のボ
ンディングパッド９Ａと第２のボンディングパッド９Ｂ
をジャンピング線８Ｃで接続する所を説明したものであ
り、図のように、キャピラリー１０の頭部にジャンピン
グ線８Ｃが取り付けられ、ワイヤーガイド１１からこの
ジャンピング線８Ｃが供給されている。

【０００９】しかし図に示すように、セカンドボンディ
ング時に、ワイヤーガイド１１がヒートシンク７または
パワーＴＲ６と当たるため、第２のボンディングパッド
９Ｂと前記ヒートシンク７（またはダイパッド２Ｃ）の
間隔を広げたり、ボンディングの順番やジャンピング線
の引き出し方向に制限が加わってしまう問題もあった。

【００１０】従って混成集積回路装置の基板の拡大を招
いたり、ボンデイング工程を複雑にしてしまった。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、前述した課題
に鑑みて成され、第１に、電気的に分離された配線と、
前記配線の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂と
を備え、前記配線の二領域が露出するように前記導電路
の裏面に絶縁被膜が設けられることで解決するものであ
る。

【００１２】第２に、電気的に分離された配線と、前記
配線の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備
え、前記配線の二領域が他の配線の領域よりも凹んで設
けられることで解決するものである。

【００１３】第３に、電気的に分離された配線と、前記
配線の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備
え、前記配線の二領域が前記絶縁性樹脂の裏面よりも突
出して設けられることで解決するものである。

【００１４】第４に、分離溝で電気的に分離されたダイ
パッドおよび配線と、ダイパッド上に固着された半導体
チップと、該半導体チップを被覆し且つ前記ダイパッド
と前記配線の間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏
面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、少な
くとも前記配線の二領域が露出するように絶縁被膜が設
けられることで解決するものである。

【００１５】第５に、分離溝で電気的に分離されたダイ
パッドおよび配線と、ダイパッド上に固着された半導体
チップと、該半導体チップを被覆し且つ前記ダイパッド
と前記配線の間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏
面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前記
配線の二領域が他の配線の領域よりも凹んで設けられる
ことで解決するものである。

【００１６】第６に、分離溝で電気的に分離されたダイ
パッドおよび配線と、ダイパッド上に固着された半導体
チップと、該半導体チップを被覆し且つ前記ダイパッド
と前記配線の間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏
面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前記
配線の二領域が前記絶縁性樹脂の裏面よりも突出して設
けられることで解決するものである。

【００１７】ジャンピング線として絶縁性樹脂にモール
ドされた半導体装置を採用するため、ワイヤーボンディ
ングが不要となる。しかも配線の裏面だけが露出されて
いるため、ヒートシンクやパワーＴＲに近接できる。よ
って混成集積回路装置の一構成である実装基板のサイズ
を小さくすることができる。

【００１８】また半導体チップが内蔵された半導体装置
に前記ジャンピング線の機能を果たす配線を設けること
により、実装基板へのボンディング数、半導体チップの
ダイボンディング数を減らせ、組立工程数を大幅に減ら
すことができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明は、混成集積回路装置にお
いて組み立て工程を簡略化できる半導体装置に関し、特
に金属細線のボンディング、半導体素子のダイボンディ
ングを減らせる半導体装置に関するものである。

【００２０】一般に、混成集積回路装置は、色々な回路
素子により電子回路が構成され、必要により、ＴＲチッ
プ、ＩＣチップまたはＬＳＩチップ等の能動素子、チッ
プコンデンサまたはチップ抵抗等の受動素子が実装され
ている。そしてこれらの回路素子は、実装基板上に形成
された導電パターンと電気的に接続される。また回路と
して実現するために、導電パターンには、配線が設けら
れ、また回路素子は、ロウ材、導電ボール、半田ボー
ル、導電ペーストまたは金属細線を介して電気的に接続
されている。

【００２１】本発明は、ジャンピング線として機能する
金属細線の代わりに、パッケージされた配線を代用し、
このクロスオーバー部とこの近傍に配置されたヒートシ
ンク（またはパワーＴＲ）の近接配置を可能としたもの
である。（図１を参照） またジャンピング線を前もってパッケージしておき、ク
ロスオーバー部とこの近傍に配置されたヒートシンク
（またはパワーＴＲ）との近接配置を可能としたもので
ある。（図２を参照） では、図１を参照して第１の実施の形態を説明する。太
線で示した矩形は、本発明の半導体装置２０を示し、そ
の周辺に波線で囲んだ領域が、混成集積回路装置に採用
される実装基板２１である。半導体装置２０は、３本の
配線２３Ａ〜２３Ｃが絶縁性樹脂２４で支持・封止され
て形成されている。図３〜図７の製造方法で明らかにな
るが、配線２３の裏面は、絶縁性樹脂２４から露出され
ているため、絶縁被膜２５で半導体装置２０の裏面がカ
バーされている。そして符号２６で示す○の所で、前記
配線２３の少なくとも一部が絶縁被膜２５から露出さ
れ、実装基板２１上の配線２７と電気的に接続されてい
る。

【００２２】実装基板２１の配線２８Ａ〜２８Ｄが紙面
に対して上下に延在されているため、絶縁被膜２５が設
けられてあることによって、配線２３Ａ〜２３Ｃは、ジ
ャンピング線として機能する。

【００２３】尚、符号２９は、実装基板２１に設けられ
たダイパッドであり、符号３０は、このダイパッド２９
上に固着されたヒートシンクである。更に符号３１は、
ヒートシンク３０に固着されたパワーＴＲである。

【００２４】従来は、図１３に示すように、金属細線８
Ｃをボンデイングするための装置、特にキャピラリー１
０やワイヤーガイド１１を採用するために、ボンディン
グパッド９Ｂとダイパッド２Ｃを十分に離間する必要が
あった。

【００２５】しかし本発明は、ジャンピング線として機
能する配線２３が絶縁性樹脂２４で封止されたパッケー
ジを用いるため、前記したような離間距離を全く考慮に
入れる必要が無くなった。

【００２６】また配線２３Ｃのコンタクト部２６Ａ、２
６Ｂは、配線の両端に位置しているが、この間に実装基
板２１側の配線２８が通過すれば良く、配線２３の任意
の箇所に少なくとも二カ所設けられればよい。尚、配線
２３Ａでは、コンタクトが３カ所に設けられている例を
示した。続いて、第２の実施の形態を図２を参照して説
明する。ここでは、ジャンピング線として金属細線３２
を採用したものである。ボンディングパッド３３Ａ〜３
３Ｆ、ボンディングパッド３３Ａ−３３Ｂ、３３Ｃ−３
３Ｄ、３３Ｅ−３３Ｆを電気的に接続する金属細線３２
Ａ〜３２Ｃが絶縁性樹脂２４で埋め込まれ半導体装置２
０として構成されている。

【００２７】図１と異なり、ボンディングパッドのみが
絶縁性樹脂で封止されてあるため、図１の絶縁被膜２５
を採用しなくても、半導体装置の裏面には、配線２８Ａ
〜２８Ｄを通過させられるメリットを有する。 半導体装置２０の製造方法の説明 次に図３〜図９を使って半導体装置２０の製造方法につ
いて説明する。

【００２８】まず図３の如く、シート状の導電箔６０を
用意する。この導電箔６０は、ロウ材の付着性、ボンデ
ィング性、メッキ性が考慮されてその材料が選択され、
材料としては、Ｃｕを主材料とした導電箔、Ａｌを主材
料とした導電箔またはＦｅ−Ｎｉの合金から成る導電
箔、Ａｌ−Ｃｕの積層体、Ａｌ−Ｃｕ−Ａｌの積層体等
が採用される。

【００２９】導電箔の厚さは、後のエッチングを考慮す
ると３５μｍ〜３００μｍ程度が好ましく、ここでは７
０μｍ（２オンス）の銅箔を採用した。しかし３００μ
ｍ以上でも１０μｍ以下でも基本的には良い。後述する
ように、導電箔６０の厚みよりも浅い分離溝６１が形成
できればよい。

【００３０】尚、シート状の導電箔６０は、所定の幅で
ロール状に巻かれて用意され、これが後述する各工程に
搬送されても良いし、所定の大きさにカットされた導電
箔が用意され、後述する各工程に搬送されても良い。
（以上図３を参照）続いて、少なくとも配線５１となる
領域を除いた導電箔６０を、導電箔６０の厚みよりも薄
く除去する工程がある。

【００３１】まず、Ｃｕ箔６０の上に、ホトレジスト
（耐エッチングマスク）ＰＲを形成し、配線５１となる
領域を除いた導電箔６０が露出するようにホトレジスト
ＰＲをパターニングする（以上図４を参照）。そして、
前記ホトレジストＰＲを介してエッチングすればよい。

【００３２】エッチングにより形成された分離溝６１の
深さは、例えば５０μｍであり、その側面は、粗面とな
るため絶縁性樹脂５０との接着性が向上される。

【００３３】またこの分離溝６１の側壁は、除去方法に
より異なる構造となる。この除去工程は、ウェットエッ
チング、ドライエッチング、レーザによる蒸発、ダイシ
ングが採用できる。またプレスで形成しても良い。ウェ
ットエッチングの場合エッチャントは、塩化第二鉄また
は塩化第二銅が主に採用され、前記導電箔は、このエッ
チャントの中にディッピングされるか、このエッチャン
トでシャワーリングされる。ここでウェットエッチング
は、一般に非異方性にエッチングされるため、側面は、
図５Ｂに示すように湾曲構造になる。

【００３４】またドライエッチングの場合は、異方性、
非異方性でエッチングが可能である。現在では、Ｃｕを
反応性イオンエッチングで取り除くことは不可能といわ
れているが、スパッタリングで除去できる。またスパッ
タリングの条件によって異方性、非異方性でエッチング
できる。

【００３５】またレーザでは、直接レーザ光を当てて分
離溝を形成でき、この場合は、どちらかといえば分離溝
６１の側面はストレートに形成される。

【００３６】尚、図５に於いて、ホトレジストＰＲの代
わりにエッチング液に対して耐食性のある導電被膜を選
択的に被覆しても良い。導電路と成る部分に選択的に被
着すれば、この導電被膜がエッチング保護膜となり、レ
ジストを採用することなく分離溝をエッチングできる。
この導電被膜として考えられる材料は、Ｎｉ、Ａｇ、Ａ
ｕ、ＰｔまたはＰｄ等である。しかもこれら耐食性の導
電被膜は、ダイパッド、ボンディングパッドとしてその
まま活用できる特徴を有する。

【００３７】例えばＡｇ被膜は、Ａｕと接着するし、ロ
ウ材とも接着する。よってチップ裏面にＡｕ被膜が被覆
されていれば、そのまま導電路５１上のＡｇ被膜にチッ
プを熱圧着でき、また半田等のロウ材を介してチップを
固着できる。またＡｇの導電被膜にはＡｕ細線が接着で
きるため、ワイヤーボンディングも可能となる。従って
これらの導電被膜をそのままダイパッド、ボンディング
パッドとして活用できるメリットを有する。（以上図５
を参照） 続いて、図６の如く、前記配線５１と成るＣｕ箔６０お
よび分離溝６１に絶縁性樹脂５０を付着する工程があ
る。これは、トランスファーモールド、インジェクショ
ンモールド、またはディッピングにより実現できる。樹
脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂がトラ
ンスファーモールドで実現でき、ポリイミド樹脂、ポリ
フェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はインジェク
ションモールドで実現できる。

【００３８】本実施の形態では、導電箔６０表面に被覆
された絶縁性樹脂の厚さは、約１００μｍ程度が被覆さ
れるように調整されている。この厚みは、強度を考慮し
て厚くすることも、薄くすることも可能である。

【００３９】本工程の特徴は、絶縁性樹脂５０を被覆す
るまでは、配線５１となる導電箔６０が支持基板となる
ことである。例えばプリント基板やフレキシブルシート
を採用したものでは、本来必要としない支持基板（プリ
ント基板やフレキシブルシート）を採用して導電路を形
成しているが、本発明では、支持基板となる導電箔６０
は、導電路として必要な材料である。そのため、構成材
料を極力省いて作業できるメリットを有し、コストの低
下も実現できる。

【００４０】また分離溝６１は、導電箔の厚みよりも浅
く形成されているため、導電箔６０が配線５１として個
々に分離されていない。従ってシート状の導電箔６０と
して一体で取り扱え、特に絶縁性樹脂をモールドする
際、金型への搬送、金型への実装の作業が非常に楽にな
る特徴を有する。

【００４１】続いて、導電箔６０の裏面を化学的および
／または物理的に除き、配線５１として分離する工程が
ある。ここでこの除く工程は、研磨、研削、エッチン
グ、レーザの金属蒸発等により施される。

【００４２】実験では研磨装置または研削装置により全
面を３０μｍ程度削り、分離溝６１から絶縁性樹脂５０
を露出させている。また、実装基板上の配線を下に通過
させるために、裏面に絶縁被膜ＲＦを形成している。そ
の結果、約４０μｍの厚さの導電路５１として分離され
る。（以上図７を参照） また図８の様に、実装基板側の配線が通過できる深さ
に、配線５１の一領域が凹む構造を採用しても良い。こ
の場合、ホトレジスト等でコンタクト部を覆い、凹み部
を露出させてエッチングすればよい。

【００４３】更には、図９の様に、配線５１のコンタク
ト部を絶縁性樹脂５０の裏面より突出させても良い。例
えば、図６に於いて、コンタクト部に耐エッチングマス
クを形成し、露出した配線をエッチングすれば、図９の
ような構成となる。

【００４４】最後に、必要によって露出したコンタクト
部に半田等の導電材を被着し半導体装置として完成す
る。

【００４５】尚、本製造方法では、配線だけがパッケー
ジされているが、図１０、図１１のように、半導体素
子、受動素子が実装されても良い。更には本半導体装置
１単位としてマトリックス状に配置しても良い。

【００４６】そしてマトリックス状に配置した場合、導
電路が分離された後に、ダイシング装置で個々に分離さ
れる。

【００４７】以上の製造方法によって、絶縁性樹脂５０
に配線５１が埋め込まれた半導体装置が実現できる。

【００４８】本製造方法は、絶縁性樹脂５０を支持基板
として活用し配線５１の分離作業ができる特徴を有す
る。絶縁性樹脂５０は、配線５１を埋め込む材料として
必要な材料であり、不要な支持基板を必要としない。従
って、最小限の材料で製造でき、コストの低減が実現で
きる特徴を有する。

【００４９】次に、図２の半導体装置について簡単に説
明する。前説明と実質同じであるため、図３〜図７を利
用して説明する。本半導体装置では、ボンディングパッ
ドを形成するため、図４のホトレジストＰＲは、ボンデ
ィングパッドに対応する部分に形成される。そして図５
のように、ホトレジストＰＲを介してエッチングされ
る。この段階で、ボンディングパッド以外がハーフエッ
チングされる。そしてこの後に、ボンディングパッドに
金属細線を接続し、図６のように絶縁性樹脂を使ってモ
ールドする。そして図７の様に裏面のＣｕ箔を取り除
き、ボンディングパッドを分離すればよい。

【００５０】尚、図６に於いて、複数の半導体装置が絶
縁性樹脂５０で一度にモールドされているが、前記分離
溝６１の間隔を広げ、一つ一つを個別モールドしてもよ
い。更に、図１０、図１１の様に、回路素子も一緒にモ
ールドする場合がある。前述した説明と同様に図３〜図
７を利用して説明する。本半導体装置では、ボンディン
グパッドの他に、配線、ダイパッド等を形成するため、
図４のホトレジストＰＲは、ボンディングパッド、配線
およびダイパッド等の導電路に対応する部分に形成され
る。そして図５のように、ホトレジストＰＲを介してエ
ッチングされる。この段階で、ボンディングパッド、ダ
イパッドおよび配線以外がハーフエッチングされる。そ
してこの後に、ダイパッドには半導体素子が固着され、
更にはボンディングパッドに金属細線が接続される。そ
して図６のように絶縁性樹脂を使ってモールドし、図７
の様に裏面のＣｕ箔を取り除き、導電路が分離される。

【００５１】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
では、ジャンピング線として絶縁性樹脂にモールドされ
た半導体装置を採用するため、実装基板上でのワイヤー
ボンディング数を減らすことができる。またヒートシン
クやパワーＴＲに近接して半導体装置を配置することが
可能となる。よって混成集積回路装置の一構成である実
装基板のサイズを小さくすることができる。

【００５２】また半導体チップが内蔵された半導体装置
に前記ジャンピング線の機能を果たす配線を設けること
により、実装基板へのボンディング数、半導体チップの
ダイボンディング数を減らせ、組立工程数を大幅に減ら
すことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置を説明する図である。

【図２】本発明の半導体装置を説明する図である。

【図３】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図４】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図５】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図６】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図７】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図８】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図９】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図１０】本発明の半導体装置を説明する図である。

【図１１】本発明の半導体装置を説明する図である。

【図１２】従来の混成集積回路装置を説明する図であ
る。

【図１３】従来の問題点を説明する図である。

【符号の説明】

２０半導体装置 ２１ 実装基板 ２３ 配線 ２４ 絶縁性樹脂 ２５ 絶縁被膜 ２６ コンタクト部 ２７ 実装基板上の配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阪本 純次 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 真下 茂明 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 大川 克実 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 前原 栄寿 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 高橋 幸嗣 群馬県伊勢崎市喜多町29番地 関東三洋電 子株式会社内

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電気的に分離された配線と、前記配線の
   裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前
   記配線の二領域が露出するように前記導電路の裏面に絶
   縁被膜が設けられることを特徴とした半導体装置。
2. 【請求項２】 電気的に分離された配線と、前記配線の
   裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前
   記配線の二領域が他の配線の領域よりも凹んで設けられ
   ることを特徴とした半導体装置。
3. 【請求項３】 電気的に分離された配線と、前記配線の
   裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前
   記配線の二領域が前記絶縁性樹脂の裏面よりも突出して
   設けられることを特徴とした半導体装置。
4. 【請求項４】 分離溝で電気的に分離されたダイパッド
   および配線と、ダイパッド上に固着された半導体チップ
   と、該半導体チップを被覆し且つ前記ダイパッドと前記
   配線の間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏面を露
   出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、 少なくとも前記配線の二領域が露出するように絶縁被膜
   が設けられることを特徴とした半導体装置。
5. 【請求項５】 分離溝で電気的に分離されたダイパッド
   および配線と、ダイパッド上に固着された半導体チップ
   と、該半導体チップを被覆し且つ前記ダイパッドと前記
   配線の間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏面を露
   出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、 前記配線の二領域が他の配線の領域よりも凹んで設けら
   れることを特徴とした半導体装置。
6. 【請求項６】 分離溝で電気的に分離されたダイパッド
   および配線と、ダイパッド上に固着された半導体チップ
   と、該半導体チップを被覆し且つ前記ダイパッドと前記
   配線の間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏面を露
   出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前記配線の
   二領域が前記絶縁性樹脂の裏面よりも突出して設けられ
   ることを特徴とした半導体装置。
7. 【請求項７】 前記配線の側面は、湾曲構造で成ること
   を特徴とした請求項１〜請求項６に記載の半導体装置。
8. 【請求項８】 前記配線上には導電被膜が設けられる請
   求項１〜請求項７に記載の半導体装置。
9. 【請求項９】 前記半導体チップは、少なくとも一つ実
   装されることを特徴とした請求項１〜請求項８に記載の
   半導体装置。
10. 【請求項１０】 前記半導体チップの他に能動素子およ
    び／または受動素子が、前記配線と電気的に接続されて
    内蔵され、前記能動素子および／または前記受動素子も
    含めて回路が形成されることを特徴とした請求項１〜請
    求項９のいずれかに記載の半導体装置。
11. 【請求項１１】 前記導電路はＣｕ、Ａｌ、Ｆｅ−Ｎｉ
    合金、Ｃｕ−Ａｌの積層体、Ａｌ−Ｃｕ−Ａｌの積層体
    から成ることを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれ
    かに記載された半導体装置。
12. 【請求項１２】 前記導電被膜は、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇま
    たはＰｄで成り、ひさしが形成されることを特徴とする
    請求項８に記載された半導体装置。
13. 【請求項１３】 前記導電路の導電被膜と前記半導体チ
    ップはボンディング細線またはロウ材で接続されること
    を特徴とする請求項１２に記載された半導体装置。