JP2001343299A - 半導体圧力センサおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイヤフラムの裏面端部に丸め形状が形成さ
れた裏面受圧型半導体圧力センサにおいて、半導体基板
と台座との接合強度を向上させる。 【解決手段】 ダイヤフラム部３における受圧面である
凹部２側の面の端部と凹部２の側面との境界部が丸めら
れた形状となっており、半導体基板１と台座４との接合
部に、凹部２の側面と台座４の接合面とのなす角度θが
８０°以上となっている部分を設けることにより、当該
接合部の剥離耐圧がダイヤフラム部３の破壊耐圧よりも
大きくなっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の一面
に凹部を形成することにより該半導体基板にダイヤフラ
ム部を形成し、このダイヤフラム部の凹部側の面から受
圧させるようにした半導体圧力センサに関し、例えば、
給湯器において湯の供給系統中の圧力をシリコンオイル
等を圧力媒体として検出するセンサ等に適用される。

【０００２】

【従来の技術】この種の半導体圧力センサとしては、例
えば特開平４−３２０３７９号公報等に記載のものが提
案されている。このものは、半導体基板（シリコン基
板）の一面から異方性エッチングやドライエッチング等
により半導体基板に形成された凹部と、半導体基板のう
ち凹部の底面側に形成された圧力検出用のダイヤフラム
部と、半導体基板の一面に接合された台座と、この台座
に形成され凹部と連通する圧力導入通路とを備え、圧力
導入通路から凹部内へ被測定圧力を導入して、ダイヤフ
ラム部における凹部側の面（裏面）に受圧させるように
している。

【０００３】このようなダイヤフラム部の裏面から受圧
させるようにした半導体圧力センサ（以下。裏面受圧型
半導体圧力センサという）においては、ダイヤフラム部
の破壊強度を向上させる必要がある。ここで、特開平１
１−９７４１３号公報では、ダイヤフラム部の破壊強度
を向上させるために、ダイヤフラム部における裏面端部
と凹部の側面との境界部を、エッチングすることにより
丸めた形状とする方法が記載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、本発明者等の
検討によれば、ダイヤフラム部の裏面端部に丸め形状を
形成することでダイヤフラム部の破壊耐圧は向上するも
のの、そのような耐圧の高いダイヤフラム部構成を採用
する場合、今度は、半導体基板と台座との接合部にて破
壊が発生する可能性があることが判明した。

【０００５】そこで、本発明は上記問題に鑑み、ダイヤ
フラム部の裏面端部に丸め形状が形成された裏面受圧型
半導体圧力センサにおいて、半導体基板と台座との接合
強度を向上させることを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明では、ダイヤフラム部（３）の裏面
端部に丸め形状が形成された裏面受圧型半導体圧力セン
サにおいて、半導体基板（１）と台座（４）との接合部
に、凹部（２）の側面と台座の接合面とのなす角度
（θ）が８０°以上となっている部分を設けることによ
り、当該接合部の剥離耐圧をダイヤフラム部の破壊耐圧
よりも大きくしたことを特徴としている。

【０００７】本発明者等は、凹部の側面と台座の接合面
とのなす角度（以下、接合角度という）と、半導体基板
と台座との接合部に加わる歪み（以下、接合部歪みとい
う）との関係をシミュレーションした。その結果、接合
角度が大きくなるにつれて接合部歪みが低下していき、
接合角度が８０°以上では、その低下傾向がほぼ飽和し
て非常に小さい歪み値を示すことがわかった。

【０００８】よって、本発明のように、接合部の剥離耐
圧がダイヤフラム部の破壊耐圧よりも大きくなるよう
に、半導体基板と台座との接合部のうち接合角度が８０
°以上となっている部分をある割合以上設ければ、半導
体基板と台座との接合強度を向上させることができ、当
該接合部の信頼性を確保することができる。

【０００９】また、請求項２の発明では、半導体基板
（１）と台座（４）との接合部のうち前記角度（θ）が
８０°以上となっている部分を、当該接合部全体の５０
％以上としたことを特徴としている。

【００１０】本発明者等の検討によれば、ダイヤフラム
部の裏面端部に丸め形状が形成された裏面受圧型半導体
圧力センサにおいて、ダイヤフラム部の破壊耐圧の上限
は、ダイヤフラム部の厚さにもよるが、現状の実用レベ
ルでは約６ＭＰａ程度である。半導体基板と台座との接
合部のうち接合角度が８０°以上の部分が、当該接合部
全体の５０％以上であれば、接合部の剥離耐圧を前記の
ダイヤフラム部の破壊耐圧の上限よりも大きいものとで
きる。

【００１１】さらに、請求項３の発明のように、接合部
の剥離耐圧を前記のダイヤフラム部の破壊耐圧の上限よ
りも大きくするには、半導体基板（１）と台座（４）と
の接合部のうち接合角度（θ）が８０°以上の部分が、
当該接合部全体の８０％以上であればより好ましく、請
求項４の発明のように、当該接合部の全体にわたって接
合角度（θ）が８０°以上であれば、更に好ましい。

【００１２】また、請求項６の発明のように、半導体基
板（１）の一面が（１１０）面であるものとすれば、異
方性エッチングを用いて、容易に請求項１〜請求項５の
発明に記載された接合角度を有するセンサを作ることが
できる。この場合、異方性エッチングにより形成される
凹部（２）の側面が（１１１）面となるため、接合角度
（θ）を実質９０°とすることができる。

【００１３】また、請求項７の発明は、請求項１〜請求
項５の発明に記載の半導体圧力センサを製造する方法で
あって、半導体基板（１）の一面側から半導体基板に対
して異方性エッチングを行い、続いて異方性垂直エッチ
ングを行うことにより、凹部（２）を形成した後、半導
体基板の一面に台座（４）を接合することを特徴として
いる。

【００１４】本製造方法によれば、半導体基板の一面側
から半導体基板に対して、まず、異方性エッチングを行
い、ある程度の深さの凹部を形成する。この後、続いて
異方性垂直エッチングを行うことにより、先の凹部にお
ける側面及び底面が基板垂直方向にエッチングされるた
め、出来上がった凹部（２）における開口部の側面は、
基板に対して実質９０°となる。そして、台座を接合す
ることで、接合部のほぼ全体にわたって接合角度が８０
°以上の部分を有する半導体圧力センサが出来上がる。

【００１５】このように、本製造方法によれば、先に異
方性エッチングによって形成される凹部の形状によら
ず、接合角度を８０°以上とすることができるため、半
導体基板の面方位や異方性エッチングのマスクパターン
等に依存することなく、請求項１〜請求項５の半導体圧
力センサを適切に製造することができる。

【００１６】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。

【００１７】

【発明の実施の形態】（第１実施形態）以下、本発明を
図に示す実施形態について説明する。図１は、本発明の
第１実施形態に係る半導体圧力センサＳ１の概略断面図
であり、（ａ）は全体構成図、（ｂ）は（ａ）中のＡ部
拡大図である。１は半導体基板であり、本例では面方位
が（１１０）面である単結晶シリコン基板としている。
半導体基板１には、半導体基板１の一面から凹んだ凹部
２が形成されている。

【００１８】この凹部２の形成に伴い薄肉部となった凹
部２の底面側には、圧力検出用のダイヤフラム部３が形
成されている。そして、図１（ｂ）に示す様に、ダイヤ
フラム部３における凹部２側の面（以下、ダイヤフラム
部３の裏面という）の端部と凹部２の側面との境界部が
丸められた形状（以下、ダイヤフラム部端部の丸め形状
という）となっており、丸め部２ａを形成している。

【００１９】このダイヤフラム部３は次のようにして形
成することができる。即ち、半導体基板１の一面から、
ＫＯＨやＴＭＡＨ等を用いた異方性エッチングを行うこ
とにより、凹部２を形成し、更に、特開平１１−９７４
１３号公報に示されているような陽極酸化による等方性
エッチングを行うことにより、丸め部２ａを形成する。
こうして、ダイヤフラム部３が形成される。なお、凹部
２の形成はドライエッチングで行っても良い。

【００２０】また、ダイヤフラム部３の表面（半導体基
板の他面側）には、図示しない歪みゲージが拡散等の半
導体プロセスにより形成されている。この歪みゲージは
ブリッジ回路を構成しており、このブリッジ回路によっ
て、圧力印加時におけるダイヤフラム部３の歪みに基づ
く電気信号が発生し、印加された圧力の検出が可能とな
っている。

【００２１】また、半導体基板１の一面には、ガラスよ
りなる台座４が凹部２を覆うように陽極接合等により接
合されている。この台座４には、外部と凹部２とを連通
する圧力導入通路５が形成されており、この圧力導入通
路５から、凹部２内へ被測定圧力を導入してダイヤフラ
ム部３の裏面に受圧させることが可能となっている。な
お、台座４はシリコンよりなるものでもよい。

【００２２】ここで、本実施形態では、半導体基板１と
台座４との接合部において、凹部２の側面と台座４の接
合面とのなす角度θ（以下、接合角度θという）が８０
°以上となっている部分を多く設けることにより、この
接合部の剥離耐圧がダイヤフラム部３の破壊耐圧よりも
大きくした独自の構成を採用している。

【００２３】この独自の構成は、本発明者等が行った次
のような検討結果に基づくものである。図２は、接合角
度θ（°）と、半導体基板と台座との接合部にて発生す
る歪み（単位：％、以下、接合部歪みという）との関係
を、ＦＥＭ（有限要素法）によりシミュレーションした
図である。

【００２４】図２からわかるように、接合角度θが大き
くなるにつれて接合部歪みが低下していき、接合角度θ
が８０°以上では、その低下傾向がほぼ飽和して非常に
小さい歪み値を示すことがわかった。なお、ダイヤフラ
ム部３のエッチングにおいては、多少の加工誤差はある
ものの接合角度θは実質９０°までが限度である。

【００２５】よって、上記接合部の剥離耐圧がダイヤフ
ラム部３の破壊耐圧よりも大きくなるように、半導体基
板１と台座４との接合部のうち接合角度θが８０°以上
となっている部分をある割合以上設ければ、半導体基板
１と台座４との接合強度を向上させることができ、当該
接合部の信頼性を確保することができる。

【００２６】この接合強度向上の効果について、本例の
半導体圧力センサＳ１に基づき、より具体的に述べる。
図３は、本例のセンサＳ１におけるダイヤフラム部形成
用のマスクパターンの平面形状を示す図であり、図４
は、このマスクパターンで形成されるダイヤフラム部３
の詳細形状を示す図である。ここで、図４中、（ａ）は
半導体基板１の一面から見たダイヤフラム部３の平面形
状を示す図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ部分断面図、
（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｃ部分断面図、（ｄ）は（ａ）の
Ｄ−Ｄ部分断面図である。

【００２７】本例では、半導体基板１として面方位が
（１１０）面である単結晶シリコン基板を採用してい
る。そして、ダイヤフラム部３を形成するための上記エ
ッチング用のマスクパターンとして、半導体基板１の一
面に、図３に示す様な８角形の開口部（図中、斜線ハッ
チング部分）を有するマスクＫ１を形成する。このマス
クＫ１の開口部は、＜１００＞結晶軸方向に長軸を持ち
且つ＜１１１＞結晶軸と直交する方向に４辺を持つ菱形
において、各角部が切り取られた形の８角形をなしてい
る。

【００２８】このマスクパターンにて上記異方性エッチ
ングを行うと、図４（ａ）に示す様に、６つの辺Ｌ１、
Ｌ２よりなる６角形の開口部を有する凹部２が形成さ
れ、ダイヤフラム部３は、凹部２の底面形状に応じた８
角形（図中、破線ハッチング部分）となる。このとき、
図４（ｂ）及び（ｄ）に示す様に、凹部２の開口部を構
成する辺のうち＜１１１＞結晶軸と直交する方向の辺Ｌ
１においては、（１１１）面である凹部２の側面と半導
体基板１の一面とのなす角度、即ち、上記接合角度θが
実質的に９０°となる。

【００２９】本例の半導体圧力センサＳ１においては、
半導体基板１と台座４との接合部のうち接合角度θが９
０°となっている部分が、当該接合部全体の８８％とな
っている。この割合は、上記した凹部２の開口部を構成
する６つの辺Ｌ１、Ｌ２の全長（沿面長）に対して接合
角度θが９０°である辺の長さ（つまり、４つの辺Ｌ１
全体の長さ）の割合である。

【００３０】ここで、図５は、本例（実施形態）のセン
サＳ１における接合強度向上の効果について、接合角度
θが９０°の部分が接合部全体の２３％であるもの（比
較例）と比較して調べた結果を示す図である。ここで、
両例ともｎ数は１０である。この比較例は、ダイヤフラ
ム部形成用のマスクパターンを変えることにより作成し
た。

【００３１】図５に用いた本例と比較例とのダイヤフラ
ム部３の平面形状を並べて図６に示す。図６中、ダイヤ
フラム部３には斜線ハッチングを施してあり、凹部２の
開口部の各辺において、実線、一点鎖線、破線は、それ
ぞれ、その辺における接合角度θが、９０°、４５°、
３５．３°であることを示す。なお、図６中のダイヤフ
ラム部３の寸法Ｗ１、Ｗ２は、両例ともＷ１が１．３ｍ
ｍ、Ｗ２が１．４ｍｍとした。

【００３２】本発明者等の検討によれば、この種の半導
体圧力センサにおけるダイヤフラム部３の破壊耐圧の上
限は、現状の実用レベルでは約６ＭＰａ程度である。そ
こで、図５からわかるように、比較例では、ダイヤフラ
ム部３よりも先に半導体基板１と台座４との接合部が剥
離してしまうのに対し、本例では、当該接合部の剥離耐
圧をダイヤフラム部３の破壊耐圧よりも大きいものとで
きるため、接合部の剥離を防止することができる。

【００３３】更に、本発明者等は、接合角度θが９０°
である部分が接合部全体に占める割合と接合部の剥離耐
圧との関係について検討を行った。図７は、上記沿面長
に対する接合角度θが９０°である部分の比率（％）と
接合部の剥離耐圧（ＭＰａ）との関係を、ＦＥＭ解析に
よるシミュレーションによって求めたもので、図中の黒
丸プロットは、本例及び上記比較例の実測値である。

【００３４】この図７から、接合部の剥離耐圧がダイヤ
フラム部３の破壊耐圧よりも大きくなるように、上記比
率を設定すれば、半導体基板１と台座４との接合強度を
向上させることができ、当該接合部の信頼性を確保する
ことができる。例えば、現状の実用レベルにおけるダイ
ヤフラム部３の破壊耐圧の上限（６ＭＰａ）を、接合部
の剥離耐圧の目標下限値とすると、上記比率が５０％以
上であれば良い。

【００３５】また、本例では上記比率が８８％である
が、これは、接合部の剥離耐圧において、より安全率を
見込んで設計した結果であり、そのような観点からは、
上記比率は８０％以上であることが好ましい。また、上
記図２からわかるように、接合角度θが８０°以上であ
れば、接合部歪みの低減度合は接合角度θが９０°の場
合とほぼ同じで飽和している。そのため、接合角度θが
８０°以上であれば、図７に示す傾向と同様のことが言
える。

【００３６】以上のように、本実施形態によれば、ダイ
ヤフラム部３の裏面端部に丸め部２ａが形成された裏面
受圧型半導体圧力センサにおいて、半導体基板１と台座
４との接合部のうち接合角度θが８０°以上となってい
る部分をある割合以上設ければ、半導体基板１と台座４
との接合強度をダイヤフラム部３の破壊耐圧以上にまで
向上させることができ、当該接合部の信頼性を確保する
ことができる。

【００３７】なお、上記比率が１００％、即ち、接合部
の全体にわたって接合角度θが９０°であれば、接合強
度向上の効果にとって更に好ましいことは勿論である。
このような構成とした本実施形態の変形例を図８及び図
９に示す。

【００３８】図８は、本変形例のセンサＳ１におけるダ
イヤフラム部形成用のマスクパターンの平面形状を示す
図であり、図９は、このマスクパターンで形成されるダ
イヤフラム部３の詳細形状を示す図である。ここで、図
９中、（ａ）は半導体基板１の一面から見たダイヤフラ
ム部３の平面形状を示す図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ部
分断面図、（ｃ）は（ａ）のＦ−Ｆ部分断面図である。

【００３９】本変形例では、面方位が（１１０）面であ
る半導体基板１の一面に、ダイヤフラム部３を形成する
ためのマスクパターンとして、図８に示す様な菱形の開
口部（図中、斜線ハッチング部分）を有するマスクＫ２
を形成する。このマスクＫ２の開口部は、＜１００＞結
晶軸方向に長軸を持ち且つ＜１１１＞結晶軸と直交する
方向に４辺を持つ菱形をなしている。

【００４０】このマスクパターンにて上記異方性エッチ
ングを行うと、図９（ａ）に示す様に、４つの辺Ｌ１よ
りなる菱形の開口部を有する凹部２が形成され、ダイヤ
フラム部３は、凹部２の底面形状に応じた８角形（図
中、破線ハッチング部分）となる。このとき、図９
（ｂ）及び（ｃ）に示す様に、凹部２の開口部を構成す
る全ての辺Ｌ１において、接合角度θが実質的に９０°
となる。

【００４１】ただし、接合強度向上の効果のみを考えた
場合、本変形例のようなダイヤフラム形状が良いと考え
られるが、センサの感度を向上させること等を考える
と、上記図４に示したようなダイヤフラム部３の方が、
チップ内において効率よくダイヤフラム部３の面積を広
くすることができるため好ましいと考えられる。

【００４２】（第２実施形態）上記第１実施形態では、
半導体基板１の一面が（１１０）面であるものを採用し
たため、異方性エッチングを用いて、容易に接合角度θ
を９０°とした構成を実現することができた。本第２実
施形態は、ダイヤフラム部３の形成方法に係るものであ
り、半導体基板１の面方位やマスクパターン形状に関係
なく、半導体基板１と台座４との接合部の全体にわたっ
て接合角度θが９０°である部分を形成することができ
るようにしたものである。

【００４３】図１０に、本実施形態に係るダイヤフラム
部３の形成方法を示す。まず、図１０（ａ）に示す様
に、マスク（図示せず）が形成された半導体基板１の一
面側から半導体基板１に対して、上記第１実施形態と同
様に、ＫＯＨやＴＭＡＨ等を用いて異方性エッチングを
行う（異方性エッチング工程）。このときのエッチング
深さは、最終的に形成される凹部２（図中、破線にて図
示）の深さの約２／３以上とする。

【００４４】続いて、ここまで形成された凹部に対し
て、上記第１実施形態に示したのと同様の方法にて、底
面と側面との境界部に丸め部を形成する（丸め部形成工
程）。その後、ＣＦ４系ガスを用いたプラズマエッチン
グ等の異方性垂直エッチングを行うことにより、更に、
エッチングを進め、凹部２を形成する（異方性垂直エッ
チング工程）。

【００４５】このとき、異方性垂直エッチングの特性に
より、凹部２の開口部の全体に渡って、接合角度θが９
０°となる。また、丸め部形成工程にて形成された丸め
部の形状は、最終的に形成された凹部２において継承さ
れる。この後、マスクを除去し、半導体基板１の一面に
台座４を接合することで、半導体圧力センサＳ２が完成
する。

【００４６】本実施形態の半導体圧力センサＳ２におけ
るダイヤフラム部３の詳細形状を図１１、図１２に示
す。図１１は、半導体基板１として面方位が（１１０）
面である単結晶シリコン基板を採用し、マスクパターン
として上記図４に示すパターンを採用した第１の例であ
り、（ａ）は半導体基板１の一面から見たダイヤフラム
部３の平面形状（図中のハッチング領域）を示す図、
（ｂ）は（ａ）のＧ−Ｇ部分断面図、（ｃ）は（ａ）の
Ｈ−Ｈ部分断面図、（ｄ）は（ａ）のＪ−Ｊ部分断面図
である。

【００４７】一方、図１２は、半導体基板１として面方
位が（１００）面である単結晶シリコン基板を採用し、
マスクパターンとして正方形のパターンを採用した第２
の例であり、（ａ）は半導体基板１の一面から見たダイ
ヤフラム部３の平面形状（図中のハッチング領域）を示
す図、（ｂ）は（ａ）のＭ−Ｍ部分断面図、（ｃ）は
（ａ）のＮ−Ｎ部分断面図である。

【００４８】図１１、図１２共に、半導体基板１と台座
４との接合部の全体にわたって接合角度θが９０°とな
っている。図１１に示す例では、上記図４において、接
合角度θが３５．３°であった部分（辺Ｌ２の部分）ま
でも接合角度θが９０°となっている。

【００４９】このように、本実施形態によれば、ダイヤ
フラム部３を形成するためのエッチング工程において、
最後に異方性垂直エッチングを行うことにより、半導体
基板１の面方位やマスクパターン形状に関係なく、半導
体基板１と台座４との接合部の全体にわたって接合角度
θが９０°の部分を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体圧力センサ
の概略断面図である。

【図２】接合角度θと接合部歪みとの関係を示す図であ
る。

【図３】第１実施形態におけるダイヤフラム部形成用の
マスクパターンの平面形状を示す図である。

【図４】図３に示すマスクパターンで形成されるダイヤ
フラム部の詳細形状を示す図である。

【図５】接合強度向上の効果を示す図である。

【図６】第１実施形態及び比較例のダイヤフラム部の平
面形状を示す図である。

【図７】沿面長に対する接合角度θが９０°の部分の比
率と接合部の剥離耐圧との関係を示す図である。

【図８】第１実施形態の変形例におけるダイヤフラム部
形成用のマスクパターンの平面形状を示す図である。

【図９】図８に示すマスクパターンで形成されるダイヤ
フラム部の詳細形状を示す図である。

【図１０】本発明の第２実施形態に係るダイヤフラム部
の形成方法を示す概略断面図である。

【図１１】第２実施形態の第１の例におけるダイヤフラ
ム部の詳細形状を示す図である。

【図１２】第２実施形態の第２の例におけるダイヤフラ
ム部の詳細形状を示す図である。

【符号の説明】

１…半導体基板、２…凹部、３…ダイヤフラム部、４…
台座、５…圧力導入通路、θ…半導体基板と台座との接
合部において凹部の側面と台座の接合面とのなす角度。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 康利 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB20 CC02 DD04 EE14 FF49 GG13 GG15 HH05 4M112 AA01 BA01 CA05 CA16 DA04 DA18 EA03 EA13 FA07

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板（１）と、 前記半導体基板の一面から前記半導体基板に形成された
   凹部（２）と、 前記半導体基板のうち前記凹部の底面側に形成された圧
   力検出用のダイヤフラム部（３）と、 前記半導体基板の一面に接合された台座（４）と、 この台座に形成され、前記凹部内へ被測定圧力を導入し
   て前記ダイヤフラム部における前記凹部側の面に受圧さ
   せるための圧力導入通路（５）とを備え、 前記ダイヤフラム部における前記凹部側の面の端部と前
   記凹部の側面との境界部が丸められた形状となっている
   半導体圧力センサにおいて、 前記半導体基板と前記台座との接合部に、前記凹部の側
   面と前記台座の接合面とのなす角度（θ）が８０°以上
   となっている部分を設けることにより、前記接合部の剥
   離耐圧が前記ダイヤフラム部の破壊耐圧よりも大きくな
   っていることを特徴とする半導体圧力センサ。
2. 【請求項２】 前記半導体基板（１）と前記台座（４）
   との接合部のうち前記角度（θ）が８０°以上となって
   いる部分が、当該接合部全体の５０％以上であることを
   特徴とする請求項１に記載の半導体圧力センサ。
3. 【請求項３】 前記半導体基板（１）と前記台座（４）
   との接合部のうち前記角度（θ）が８０°以上となって
   いる部分が、当該接合部全体の８０％以上であることを
   特徴とする請求項２に記載の半導体圧力センサ。
4. 【請求項４】 前記半導体基板（１）と前記台座（４）
   との接合部の全体において、前記角度（θ）が８０°以
   上となっていることを特徴とする請求項３に記載の半導
   体圧力センサ。
5. 【請求項５】 前記角度（θ）が９０°であることを特
   徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導
   体圧力センサ。
6. 【請求項６】 前記半導体基板（１）の一面が（１１
   ０）面であり、前記凹部（２）の側面が（１１１）面で
   あることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つ
   に記載の半導体圧力センサ。
7. 【請求項７】 請求項１ないし５のいずれか１つに記載
   の半導体圧力センサを製造する方法であって、 前記半導体基板（１）の一面側から前記半導体基板に対
   して異方性エッチングを行い、続いて異方性垂直エッチ
   ングを行うことにより、前記凹部（２）を形成した後、
   前記半導体基板の一面に前記台座（４）を接合すること
   を特徴とする半導体圧力センサの製造方法。