JP4450548B2 - 力検知素子と力検知素子の製造方法 - Google Patents
力検知素子と力検知素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4450548B2 JP4450548B2 JP2002297125A JP2002297125A JP4450548B2 JP 4450548 B2 JP4450548 B2 JP 4450548B2 JP 2002297125 A JP2002297125 A JP 2002297125A JP 2002297125 A JP2002297125 A JP 2002297125A JP 4450548 B2 JP4450548 B2 JP 4450548B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- force transmission
- transmission block
- force
- gauge
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、力検知素子と力検知素子の製造方法に関し、特に、ピエゾ抵抗素子を利用した力検知素子と、その製造方法とに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、エンジンのシリンダ内燃焼圧力等を検知するために使用される力検知素子として、ピエゾ抵抗素子を利用した小型の力検知素子が知られている。ピエゾ抵抗素子は、歪み(応力変形)に応じて歪みが生じた部分の抵抗率が変化する素子である。このピエゾ抵抗素子は、一般に、半導体製造技術により単結晶シリコン(Si)基板の主面上に形成されたゲージ抵抗によって構成されている。
【0003】
例えば、(110)面を主面とするSi基板上に、ピエゾ抵抗効果を持つ4つのゲージ抵抗を<100>方向及び<110>方向にメサ状に形成してホイートイーストンブリッジを構成し、このホイートイーストンブリッジの上に力伝達ブロックを配置した力検知素子が提案されている(特許文献1参照)。
【0004】
この力検知素子では、力伝達ブロックに力が作用すると、力伝達ブロックからSi基板の厚み方向に応力が伝達されるので、この応力の方向に対して垂直方向に電流が流れるように電圧を印加する。そして、応力に応じて発生するゲージ抵抗のピエゾ抵抗効果が<100>方向と<110>方向とで異なることから、抵抗値に差が生じ、この抵抗値の差を電圧差として検知することで、力伝達ブロックに作用した力を検知している。
【0005】
また、この力検知素子を製造するには、ゲージ抵抗が形成されたSiウエハとガラスウエハとを陽極接合した後、ダイシングしている。
【0006】
【特許文献1】
特開平8−271363号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ゲージ抵抗がメサ状に形成された従来の力検知素子では、メサ段差により生じるSi基板と力伝達ブロックとのギャップに、例えば、ダイシング時に発生する切粉等の塵埃が侵入する、という問題があった。Si基板と力伝達ブロックとのギャップに切粉が侵入すると、力伝達ブロックからSi基板に応力が正確に伝達されず、力検知素子の信頼性が低下する。
【0008】
本発明は上記問題を解決すべく成されたものであり、本発明の目的は、半導体基板と力伝達ブロックとのギャップに塵埃が侵入するのを防止して、信頼性に優れた力検知素子を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の力検知素子は、半導体基板と、前記半導体基板の一方の主面にメサ状に形成されると共に、押圧されたときに電気抵抗が変化するゲージ部と、前記ゲージ部と共に電流経路を形成するように、前記ゲージ部と電気的に接続された電極と、前記ゲージ部を面で押圧することにより、作用した力を半導体基板の厚み方向に伝達する力伝達ブロックと、前記半導体基板の前記主面が所定深さで除去されて前記ゲージ部がメサ状となるように段差が形成されたときに、除去されずに残された前記段差周辺の前記半導体基板の前記主面からなり、前記力伝達ブロックとが接合されて前記ゲージ部を封止する封止部と、を備え、少なくとも前記力伝達ブロックの押圧面の周縁と前記封止部とが接触して前記段差を覆うように、前記力伝達ブロックと前記半導体基板の前記主面とが接合された、ことを特徴とする。
【0011】
本発明の力検知素子において、力伝達ブロックと共にゲージ部を封止する封止部は、ゲージ部側だけに段差を備えるように形成されている。即ち、半導体基板の主面が所定深さで除去されてゲージ部がメサ状となるように段差が形成されたときに、除去されずに残された段差周辺の半導体基板の主面が封止部となり、この封止部と前記力伝達ブロックとが接合されて前記ゲージ部を封止する。ゲージ部及びその周辺の半導体基板の表面は、力伝達ブロックと封止部とが接合されて形成された密閉空間内に封止されているので、半導体基板と力伝達ブロックとの間に塵埃が入り込むことが無い。その結果、力検知素子の信頼性が向上する。
【0012】
また、上記の力検知素子は、一方の主面に複数のゲージ部がメサ状に形成された半導体ウエハの前記ゲージ部が形成された主面に、前記ゲージ部の各々を封止するための複数の封止部を形成し、前記封止部と共に前記ゲージ部を封止するように、前記半導体ウエハと複数の力伝達ブロック形成部が形成されたブロック基板とを接合し、前記ブロック基板が接合された半導体ウエハを、前記ブロック基板と共にブロック間でダイシングすることにより製造することができる。
【0013】
この方法によれば、製造後のみならず、製造工程においても、ダイシング時に発生する切粉が、半導体基板と力伝達ブロックとのギャップに侵入するのが防止され、更に信頼性に優れた力検知素子を得ることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
(第1の実施の形態)
第1の実施の形態に係る力検知素子は、図4(A)〜(D)に示すように、表面にp型半導体層が形成されたn型シリコン単結晶基板10について、ゲージ部42の周辺を塵埃侵入防止部44を残してエッチング等により所定深さで除去し、力伝達ブロック12によりゲージ部42が押圧されるようにしたものである。以下では、図1、図2に示すゲージ部や塵埃侵入防止部等をメサ状に形成する力検知素子(第1の参考例)の変形例として説明する。図1(A)及び(B)、図2(A)及び(B)に示すように、矩形状のn型シリコン単結晶基板10と、ガラス製の力伝達ブロック12と、が接合されて構成されている。シリコン単結晶基板10の接合面側の主面には、基板長手方向の両側に配置された1対の電極配置部14、両電極配置部を橋渡しするように長手方向に沿って形成された直線状のゲージ部16、電極配置部14とゲージ部16とを結び付けるリード部15、及びゲージ部16を取り囲む塵埃侵入防止部18が設けられている。塵埃侵入防止部18は、ゲージ部16に平行な1対の平行部と、ゲージ部16に垂直な1対の垂直部と、を四角形の辺に沿って連続させることにより形成されている。
【0016】
これら電極配置部14、リード部15、ゲージ部16、及び塵埃侵入防止部18の各々は、n型シリコン単結晶基板10の表面にボロンを拡散させる等してp型半導体層を形成し、所定パターンで所定深さ(通常は2〜3μm程度)までエッチングすることで、メサ状に形成される。これにより、メサの表面近傍にはp型半導体が配置される。
【0017】
ゲージ部16等が形成されたシリコン単結晶基板10の表面は、酸化シリコン(SiO2)膜等の絶縁膜20で被覆されている。また、電極配置部14の表面には、絶縁膜20を介してアルミニウム等の金属電極24が形成され、電極配置部14上の絶縁膜20には、電極配置部14と金属電極24とをコンタクトさせるためのコンタクトホール22が設けられている。
【0018】
力伝達ブロック12は、その頂面に加えられた力をゲージ部16に垂直に伝達するようにゲージ部16上に配置されると共に、その外周が塵埃侵入防止部18の平行部及び垂直部上面の略中央部分に位置するように塵埃侵入防止部18上に配置されている。このように配置することで、ゲージ部16及びその周辺が、力伝達ブロック12と塵埃侵入防止部18とが接合されて形成された密閉空間内に封止され、シリコン単結晶基板10と力伝達ブロック12との間に塵埃が入り込むことが無い。
【0019】
この力検知素子では、力伝達ブロック12の頂面に力が加えられると、力伝達ブロック12はその力をゲージ部16に垂直に伝達する。これにより、ゲージ部16のピエゾ抵抗係数が変化し、電極間に印加される電圧が変化する。この電圧変化により力伝達ブロック12に作用する力を検知することができる。
【0020】
次に、図3(A)〜(D)を参照して上記の力検知素子の製造方法について説明する。図3(A)に示すように、一方の主面に電極配置部14、リード部15、ゲージ部16、塵埃侵入防止部18、及び金属電極24を1組とする単位素子が複数形成されたシリコンウエハ30と、力伝達ブロック12に加工される部分32を複数含むと共に、表面に溝入れ加工を施して隣接する力伝達ブロック12間の不要部分34の厚みを除去し易いように薄くしたガラスウエハ36と、を用意する。
【0021】
そして、ガラスウエハ36とシリコンウエハ30とを、力伝達ブロック12の外周が塵埃侵入防止部18の平行部及び垂直部上面の略中央部分に位置するように、溝入れ加工が施された面をゲージ部16等が形成された面と対向させて重ね合わせ、陽極接合等の静電接合により接触部分を強固に固着する。これにより、ゲージ部16及びその周辺は、部分32と塵埃侵入防止部18とが接合されて形成された密閉空間内に封止される。
【0022】
次に、図3(B)に示すように、ガラスウエハ36の不要部分34をダイシングソー等の切削装置38により複数回上下動させて切削して除去する。これにより、ガラスウエハ36から不要部分34が除去され、シリコンウエハ30上に残存した部分は力伝達ブロック12として機能する。この切削工程では、ガラスウエハ36の切粉が大量に発生するが、上記の密閉空間内に切粉が入り込むことは無い。
【0023】
次に、図3(C)に示すように、電極を保護するために、力伝達ブロック12を含むシリコンウエハ30の表面全面を樹脂等の保護膜40で被覆した後、ダイシングソー等の切削装置38によりシリコンウエハ30をダイシングして、個々の力検知素子を切り出す。最後に、図3(D)に示すように、保護膜40を除去して、図1に示す力検知素子を得る。
【0024】
以上説明した通り、上記の力検知素子は、ゲージ部16及びその周辺のシリコン単結晶基板10表面が、力伝達ブロック12と塵埃侵入防止部18とが接合されて形成された密閉空間内に封止されているので、シリコン単結晶基板10と力伝達ブロック12との間に塵埃が入り込むことが無く、力検知性能に悪影響を及ぼすことが無い。この結果、力検知素子の信頼性が向上する。
【0025】
また、製造工程においても、力伝達ブロック12に加工される部分32を含むガラスウエハ36とシリコンウエハ30とを接合してゲージ部16及びその周辺を密閉空間内に封止した後にダイシングを行うので、シリコン単結晶基板10と力伝達ブロック12との間にダイシング時に発生する切粉が侵入するのを防止することができる。これにより、信頼性に優れた力検知素子を製造することができる。
【0026】
なお、上記では、ゲージ部や塵埃侵入防止部等をメサ状に形成する例について説明したが、本発明の実施の形態では、図4(A)〜(D)に示すように、表面にp型半導体層が形成されたn型シリコン単結晶基板10について、ゲージ部42の周辺を塵埃侵入防止部44を残してエッチング等により所定深さで除去し、力伝達ブロック12によりゲージ部42が押圧される。この場合には、ゲージ部42及びその周辺のシリコン単結晶基板10表面が、力伝達ブロック12と塵埃侵入防止部44とが接合されて形成された密閉空間内に封止されているので、シリコン単結晶基板10と力伝達ブロック12との間に塵埃が入り込むことが無く、力検知性能に悪影響を及ぼすことが無い。この結果、力検知素子の信頼性が向上する。なお、図1、図2に示す力検知素子と同じ構成部分については、同じ符号を付して説明を省略する。
【0041】
また、上記の実施の形態においては、半導体基板としてSOI(Silicon on Insulator)基板を用いてもよい。
【0042】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の力検知素子によれば、半導体基板と力伝達ブロックとのギャップに塵埃が侵入するのが防止され、信頼性が向上する、という効果が得られる。
【0043】
また、本発明の力検知素子の製造方法によれば、製造工程においても、ダイシング時に発生する切粉が、半導体基板と力伝達ブロックとのギャップに侵入するのが防止され、更に信頼性に優れた力検知素子を得ることができる、という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)は参考例に係る力検知素子の構造を示す斜視図であり、(B)は平面図である。
【図2】(A)は参考例に係る力検知素子をAA線で切断した場合の端面図であり、(B)はBB線で切断した場合の端面図である。
【図3】(A)〜(D)は参考例に係る力検知素子の製造工程を説明するための図である。
【図4】(A)は第1の実施の形態に係る力検知素子を示す斜視図であり、(B)は平面図であり、(C)は(A)の素子をAA線で切断した場合の端面図であり、(D)は(A)の素子をBB線で切断した場合の端面図である。
【符号の説明】
10,50 シリコン単結晶基板
12,52 力伝達ブロック
16,56 ゲージ部
18 塵埃侵入防止部
30 シリコンウエハ
36 ガラスウエハ
38 切削装置
Claims (2)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の一方の主面にメサ状に形成されると共に、押圧されたときに電気抵抗が変化するゲージ部と、
前記ゲージ部と共に電流経路を形成するように、前記ゲージ部と電気的に接続された電極と、
前記ゲージ部を面で押圧することにより、作用した力を半導体基板の厚み方向に伝達する力伝達ブロックと、
前記半導体基板の前記主面が所定深さで除去されて前記ゲージ部がメサ状となるように段差が形成されたときに、除去されずに残された前記段差周辺の前記半導体基板の前記主面からなり、前記力伝達ブロックとが接合されて前記ゲージ部を封止する封止部と、
を備え、
少なくとも前記力伝達ブロックの押圧面の周縁と前記封止部とが接触して前記段差を覆うように、前記力伝達ブロックと前記半導体基板の前記主面とが接合された、
ことを特徴とする力検知素子。 - 請求項1に記載の力検知素子を製造する力検知素子の製造方法であって、
一方の主面を所定深さで除去して複数の段差を形成することで複数のゲージ部がメサ状に形成されると共に、除去されずに残された前記段差周辺の主面が前記ゲージ部を封止する封止部として形成された半導体ウエハを用意し、
力伝達ブロックと前記半導体ウエハの前記主面とが接合されたときに、少なくとも前記力伝達ブロックの押圧面の周縁と前記半導体ウエハの前記主面とが接触して前記複数の段差の各々を覆うように、前記複数の封止部の各々に対応して複数の力伝達ブロック形成部が形成されたブロック基板を用意し、
前記半導体ウエハの前記段差周辺の前記主面と前記複数の力伝達ブロック形成部の各々とが接合されて前記複数のゲージ部を各々封止するように、前記半導体ウエハと前記複数の力伝達ブロック形成部が形成されたブロック基板とを接合し、
前記ブロック基板が接合された半導体ウエハを、前記ブロック基板と共にブロック間でダイシングして、力検知素子を製造する、
力検知素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002297125A JP4450548B2 (ja) | 2002-10-10 | 2002-10-10 | 力検知素子と力検知素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002297125A JP4450548B2 (ja) | 2002-10-10 | 2002-10-10 | 力検知素子と力検知素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004132811A JP2004132811A (ja) | 2004-04-30 |
JP4450548B2 true JP4450548B2 (ja) | 2010-04-14 |
Family
ID=32286906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002297125A Expired - Fee Related JP4450548B2 (ja) | 2002-10-10 | 2002-10-10 | 力検知素子と力検知素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4450548B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6075222B2 (ja) * | 2013-06-18 | 2017-02-08 | 株式会社豊田中央研究所 | 力検知素子 |
US10222281B2 (en) | 2014-03-26 | 2019-03-05 | Denso Corporation | Force detection apparatus having high sensor sensitivity |
US10288498B2 (en) | 2015-04-06 | 2019-05-14 | Denso Corporation | Force detection device |
JP6285889B2 (ja) | 2015-04-22 | 2018-02-28 | 株式会社豊田中央研究所 | 力検知装置 |
JP2021032805A (ja) * | 2019-08-28 | 2021-03-01 | Koa株式会社 | 荷重センサ素子及び荷重センサ素子の製造方法 |
-
2002
- 2002-10-10 JP JP2002297125A patent/JP4450548B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004132811A (ja) | 2004-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8497557B2 (en) | Semiconductor device | |
KR100502497B1 (ko) | 다이어프램식 반도체 압력 센서 | |
KR101107341B1 (ko) | 반도체 센서 및 그 제조 방법 | |
JP4710147B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP5220866B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP5639985B2 (ja) | 半導体圧力センサおよび半導体圧力センサの製造方法 | |
JP4450548B2 (ja) | 力検知素子と力検知素子の製造方法 | |
JP4258099B2 (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
US20070126072A1 (en) | Surface acoustic wave pressure sensors | |
US7319581B2 (en) | Capacitive pressure sensor | |
JP4250788B2 (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
JP2010281570A (ja) | 半導体圧力センサ | |
WO2009104545A1 (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
JP2876617B2 (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
JPS63237482A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
JP2003156509A (ja) | 半導体加速度センサおよびその製造方法 | |
JPH07273351A (ja) | 半導体センサ | |
JP6742483B1 (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
JPH06302836A (ja) | 半導体歪センサーの製造方法 | |
JP4120037B2 (ja) | 半導体力学量センサおよびその製造方法 | |
JP5139759B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP4134367B2 (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
JP2574889B2 (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
JPH09162419A (ja) | 力変換素子 | |
JPH10284737A (ja) | 静電容量型半導体センサの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050614 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070508 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070706 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070807 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071009 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20071120 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20080118 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100126 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4450548 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140205 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |