JP2001326387A - 丸型ｌｅｄ素子及び配線基板 - Google Patents
丸型ｌｅｄ素子及び配線基板Info
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、実装不良の発生しにくいＬＥＤ
素子とこれを実装する配線基板を提供することを目的と
する。 【解決手段】 本発明の丸型ＬＥＤ素子１は、円形状の
基板２の表面の中心に位置する第１電極３１とその周縁
に位置する円環状の第２電極３２が形成されている。裏
面にはその中心に位置する第３電極と周縁に位置する円
環状の第４電極が形成されている。第１電極３１と第３
電極はスルーホールによって導通しており、第２電極３
２と第４電極とは基板２の側面に形成された導電膜によ
って導通している。そして、第３電極は本発明の配線基
板７の第１ランド８１に接合し、第４電極は該第１ラン
ド８１を中心にした円環状の第２ランド８２に接合す
る。
素子とこれを実装する配線基板を提供することを目的と
する。 【解決手段】 本発明の丸型ＬＥＤ素子１は、円形状の
基板２の表面の中心に位置する第１電極３１とその周縁
に位置する円環状の第２電極３２が形成されている。裏
面にはその中心に位置する第３電極と周縁に位置する円
環状の第４電極が形成されている。第１電極３１と第３
電極はスルーホールによって導通しており、第２電極３
２と第４電極とは基板２の側面に形成された導電膜によ
って導通している。そして、第３電極は本発明の配線基
板７の第１ランド８１に接合し、第４電極は該第１ラン
ド８１を中心にした円環状の第２ランド８２に接合す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、丸型のＬＥＤ素子
とそれを実装するための配線基板に関するものである。
とそれを実装するための配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来のＬＥＤ素子の斜視図であ
り、配線基板に実装された状態を示している。該ＬＥＤ
素子５１は、矩形状の基板５２に形成されたランド５３
１,５３２にＬＥＤチップ５をワイヤーボンディングに
て実装すると共に、これをモールド樹脂６にて封止して
成るものである。そして、基板５２の両端に形成された
電極５３１',５３２'で配線基板５７のランド５８,５
８'にハンダ５９にて実装されている。
り、配線基板に実装された状態を示している。該ＬＥＤ
素子５１は、矩形状の基板５２に形成されたランド５３
１,５３２にＬＥＤチップ５をワイヤーボンディングに
て実装すると共に、これをモールド樹脂６にて封止して
成るものである。そして、基板５２の両端に形成された
電極５３１',５３２'で配線基板５７のランド５８,５
８'にハンダ５９にて実装されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、配線基板５７
のランド５８,５８'にハンダ５９が一様に塗布されてい
れば、図４に示すようにＬＥＤ素子５１はＸ−Ｙ方向に
正しく実装される。しかしながら、ハンダ５９の塗布量
に偏りがあればハンダ５９の表面張力を受けてＬＥＤ素
子５１は位置ズレする。
のランド５８,５８'にハンダ５９が一様に塗布されてい
れば、図４に示すようにＬＥＤ素子５１はＸ−Ｙ方向に
正しく実装される。しかしながら、ハンダ５９の塗布量
に偏りがあればハンダ５９の表面張力を受けてＬＥＤ素
子５１は位置ズレする。
【０００４】例えば、図５(ａ)に示すＬＥＤ素子５１で
はハンダ(図示せず)の表面張力によって位置ズレしてい
る。このＬＥＤ素子５１が、同図(ｂ)に示すようにバッ
クライトとして他の複数のＬＥＤ素子５１'と共に配線
基板上に並んで実装されている場合、位置ズレによって
他のＬＥＤ素子５１'と出射光の指向(点線Ｌ)が揃わな
くなるので、バックライト全体として光の照射が一様で
なくなる。
はハンダ(図示せず)の表面張力によって位置ズレしてい
る。このＬＥＤ素子５１が、同図(ｂ)に示すようにバッ
クライトとして他の複数のＬＥＤ素子５１'と共に配線
基板上に並んで実装されている場合、位置ズレによって
他のＬＥＤ素子５１'と出射光の指向(点線Ｌ)が揃わな
くなるので、バックライト全体として光の照射が一様で
なくなる。
【０００５】また、ハンダの塗布量の偏りが著しいとＬ
ＥＤ素子５１の位置ズレはいっそう大きくなり、ランド
とＬＥＤ素子５１の電極との接合面積が非常に小さい
か、或いは全く接合しないことがある。ランドと電極と
の接合面積が非常に小さいとその接合強度は弱く、リフ
ロー工程の乾燥炉内で空気が吹き付けられたり、酸化防
止のために窒素ガスが吹き付けられた際にはその風圧で
ＬＥＤ素子５１の基板５２はランドから剥がれて立ち上
がってしまうことがある。このようになると、ランドと
電極とが接合しない場合と同様にＬＥＤ素子５１は点灯
しない。
ＥＤ素子５１の位置ズレはいっそう大きくなり、ランド
とＬＥＤ素子５１の電極との接合面積が非常に小さい
か、或いは全く接合しないことがある。ランドと電極と
の接合面積が非常に小さいとその接合強度は弱く、リフ
ロー工程の乾燥炉内で空気が吹き付けられたり、酸化防
止のために窒素ガスが吹き付けられた際にはその風圧で
ＬＥＤ素子５１の基板５２はランドから剥がれて立ち上
がってしまうことがある。このようになると、ランドと
電極とが接合しない場合と同様にＬＥＤ素子５１は点灯
しない。
【０００６】また、従来のＬＥＤ素子５１を配線基板５
２に実装する工程では、エンボステープにまとめられた
多数のＬＥＤ素子５１をノズルの吸引により１個ずつチ
ャッキングする。このとき、ＬＥＤ素子５１のＸ−Ｙ方
向を正確にとらなければ、図５(ｂ)に示すＬＥＤ素子５
１と同様に配線基板５２上に位置ズレしたまま実装され
る。しかしながら、ＬＥＤ素子５１のＸ−Ｙ方向を正確
にとるのは容易ではなく、実装不良が生じやすかった。
２に実装する工程では、エンボステープにまとめられた
多数のＬＥＤ素子５１をノズルの吸引により１個ずつチ
ャッキングする。このとき、ＬＥＤ素子５１のＸ−Ｙ方
向を正確にとらなければ、図５(ｂ)に示すＬＥＤ素子５
１と同様に配線基板５２上に位置ズレしたまま実装され
る。しかしながら、ＬＥＤ素子５１のＸ−Ｙ方向を正確
にとるのは容易ではなく、実装不良が生じやすかった。
【０００７】本発明は上記課題をかんがみて成されたも
のであり、実装不良の発生しにくいＬＥＤ素子とこれを
実装する配線基板を提供することを目的とする。
のであり、実装不良の発生しにくいＬＥＤ素子とこれを
実装する配線基板を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のＬＥＤ素子は基板が円形状であって、その
表面には中心に位置する第１電極と周縁に位置する第２
電極が設けられ、その裏面には中心に位置する第３電極
と周縁に位置する円環状の第４電極が設けられている。
ＬＥＤチップは、第１電極上に位置しながら該第１電極
及び第２電極に接続されてモールド封止されている。そ
して、第１電極と第３電極とは基板内で導通していると
共に、第２電極と第４電極とは基板の側面にて導通して
いる。
に、本発明のＬＥＤ素子は基板が円形状であって、その
表面には中心に位置する第１電極と周縁に位置する第２
電極が設けられ、その裏面には中心に位置する第３電極
と周縁に位置する円環状の第４電極が設けられている。
ＬＥＤチップは、第１電極上に位置しながら該第１電極
及び第２電極に接続されてモールド封止されている。そ
して、第１電極と第３電極とは基板内で導通していると
共に、第２電極と第４電極とは基板の側面にて導通して
いる。
【０００９】このように、基板が円形状であってその中
心にある第１電極上にＬＥＤチップが載っていると、出
射光の指向は円形状を示す。故に、このＬＥＤ素子はど
のような向きでも同じ状態となるので方向性は生じな
い。
心にある第１電極上にＬＥＤチップが載っていると、出
射光の指向は円形状を示す。故に、このＬＥＤ素子はど
のような向きでも同じ状態となるので方向性は生じな
い。
【００１０】また、本発明の配線基板は上記ＬＥＤ素子
を実装するためのものであって、その上面には第１ラン
ドと該第１ランドを中心にした円環状の第２ランドとが
設けられている。そして、ＬＥＤ素子の第３電極は第１
ランドに接合されると共に、第４電極は第２ランドに接
合される。この配線基板の第２ランドにハンダを塗布し
てＬＥＤ素子の第４電極を接合させたとき、ハンダは円
環状の第２ランド上を広がってほぼ均一な厚さの層を形
成する。
を実装するためのものであって、その上面には第１ラン
ドと該第１ランドを中心にした円環状の第２ランドとが
設けられている。そして、ＬＥＤ素子の第３電極は第１
ランドに接合されると共に、第４電極は第２ランドに接
合される。この配線基板の第２ランドにハンダを塗布し
てＬＥＤ素子の第４電極を接合させたとき、ハンダは円
環状の第２ランド上を広がってほぼ均一な厚さの層を形
成する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本実施形態のＬＥＤ素子と該
ＬＥＤ素子を実装するための配線基板を示す斜視図であ
る。このＬＥＤ素子１は基板２が円形状に構成されてい
る。
参照して説明する。図１は本実施形態のＬＥＤ素子と該
ＬＥＤ素子を実装するための配線基板を示す斜視図であ
る。このＬＥＤ素子１は基板２が円形状に構成されてい
る。
【００１２】図２は上記ＬＥＤ素子１の基板２の斜視図
であり、(ａ)は基板２の表面を示しており、(ｂ)は基板
２の裏面を示している。同図(ａ)において、表面の中心
にはチップボンディング用の第１電極３１が設けられて
おり、周縁にはワイヤーボンディング用の円環状の第２
電極３２が設けられている。また、同図(ｂ)において、
裏面の中心には第３電極３３が設けられており、周縁に
は円環状の第４電極３４が設けられている。
であり、(ａ)は基板２の表面を示しており、(ｂ)は基板
２の裏面を示している。同図(ａ)において、表面の中心
にはチップボンディング用の第１電極３１が設けられて
おり、周縁にはワイヤーボンディング用の円環状の第２
電極３２が設けられている。また、同図(ｂ)において、
裏面の中心には第３電極３３が設けられており、周縁に
は円環状の第４電極３４が設けられている。
【００１３】裏面の第３電極３３にはスルーホール４が
形成されており、表面の第１電極３１に導通している。
また、基板２の側面には銅メッキなどの導電膜(図示せ
ず)が一部に形成されていて、表面の第２電極３２と裏
面の第４電極３４とを導通している。
形成されており、表面の第１電極３１に導通している。
また、基板２の側面には銅メッキなどの導電膜(図示せ
ず)が一部に形成されていて、表面の第２電極３２と裏
面の第４電極３４とを導通している。
【００１４】図１に示すように、ＬＥＤチップ５はこの
基板２の表面の第１電極３１上に接合されていると共
に、第２電極３２の突出した一部分にワイヤーボンディ
ングされている。そして、モールド樹脂６によって封止
されている。尚、図１に示すモールド樹脂６は円柱状で
あるが、その形状はこれに限らない。
基板２の表面の第１電極３１上に接合されていると共
に、第２電極３２の突出した一部分にワイヤーボンディ
ングされている。そして、モールド樹脂６によって封止
されている。尚、図１に示すモールド樹脂６は円柱状で
あるが、その形状はこれに限らない。
【００１５】また、図１に示す本実施形態の配線基板７
は複数の基板を積層して成る多層基板であって、その最
上に位置する基板の上面には第１ランド８１と該第１ラ
ンド８１を中心にした円環状の第２ランド８２が形成さ
れている。第１ランド８１は最上に位置する基板の下側
に積層された基板の導電層に接続されており、該第１ラ
ンド８１への配線は最上に位置する基板の上面には現れ
ない。
は複数の基板を積層して成る多層基板であって、その最
上に位置する基板の上面には第１ランド８１と該第１ラ
ンド８１を中心にした円環状の第２ランド８２が形成さ
れている。第１ランド８１は最上に位置する基板の下側
に積層された基板の導電層に接続されており、該第１ラ
ンド８１への配線は最上に位置する基板の上面には現れ
ない。
【００１６】この配線基板７上にＬＥＤ素子１を実装す
るには、配線基板７の第１及び第２ランド８１,８２に
ハンダを塗布して、第１ランド８１には基板２の第３電
極３３を接合させ、第２ランド８２には基板２の第４電
極３４を接合させる。ここでは、第２ランド８２は円環
状であることから、ハンダが均一に塗布されていなくて
も、第１ランド８１と第３電極３３とを接合させたとき
の圧力によってハンダは第１ランド８１上を広がりその
厚さはほぼ均一になる。
るには、配線基板７の第１及び第２ランド８１,８２に
ハンダを塗布して、第１ランド８１には基板２の第３電
極３３を接合させ、第２ランド８２には基板２の第４電
極３４を接合させる。ここでは、第２ランド８２は円環
状であることから、ハンダが均一に塗布されていなくて
も、第１ランド８１と第３電極３３とを接合させたとき
の圧力によってハンダは第１ランド８１上を広がりその
厚さはほぼ均一になる。
【００１７】このように、ハンダの塗布量に偏りが生じ
ないと、ハンダの表面張力によってＬＥＤ素子１が位置
ズレするということはない。同様に、ＬＥＤ素子１と配
線基板７との接合強度も一様となるので、配線基板７か
らＬＥＤ素子１が剥がれるということもない。
ないと、ハンダの表面張力によってＬＥＤ素子１が位置
ズレするということはない。同様に、ＬＥＤ素子１と配
線基板７との接合強度も一様となるので、配線基板７か
らＬＥＤ素子１が剥がれるということもない。
【００１８】また、本実施形態のＬＥＤ素子１は基板２
が円形状であってその中心にＬＥＤチップ５が位置して
いるので、出射光の指向は円形状を示す。故に、従来の
ＬＥＤ素子５１(図４参照)のようにＸ−Ｙ方向は決まっ
ておらず、どのような向きで実装しても同じ状態とな
る。
が円形状であってその中心にＬＥＤチップ５が位置して
いるので、出射光の指向は円形状を示す。故に、従来の
ＬＥＤ素子５１(図４参照)のようにＸ−Ｙ方向は決まっ
ておらず、どのような向きで実装しても同じ状態とな
る。
【００１９】従って、このＬＥＤ素子１を配線基板７に
実装する工程では、エンボステープにまとめられたＬＥ
Ｄ素子１をノズルで吸引してチャッキングするとき、Ｌ
ＥＤ素子１を方向に関係なく掴むことができる。故に、
従来技術のようにチャッキングの不備から実装不良が生
じるということがない。
実装する工程では、エンボステープにまとめられたＬＥ
Ｄ素子１をノズルで吸引してチャッキングするとき、Ｌ
ＥＤ素子１を方向に関係なく掴むことができる。故に、
従来技術のようにチャッキングの不備から実装不良が生
じるということがない。
【００２０】次に、上記本実施形態のＬＥＤ素子１の製
造について説明する。一般に、ＬＥＤ素子の基板は１枚
の大きな基板を所定の形状にて多数個に分割すること
で、ＬＥＤ素子１個の基板を得ている。本実施形態のＬ
ＥＤ素子１も同様であり、図３には分割される前の基板
を示している。
造について説明する。一般に、ＬＥＤ素子の基板は１枚
の大きな基板を所定の形状にて多数個に分割すること
で、ＬＥＤ素子１個の基板を得ている。本実施形態のＬ
ＥＤ素子１も同様であり、図３には分割される前の基板
を示している。
【００２１】この基板２０は１枚の大きな基板を加工し
て、複数の円が隣接する円と４ヶ所でつながった形状に
したものである。厳密にいうと、いずれの円もその接線
で隣接する円とつながっており、基板２０として適度な
強度が保たれている。尚、ここでは隣接する円と４ヶ所
でつながった場合を示しているが、基板２０の強度に問
題なければ２ヶ所や３ヶ所でつながった構成にしてもよ
い。
て、複数の円が隣接する円と４ヶ所でつながった形状に
したものである。厳密にいうと、いずれの円もその接線
で隣接する円とつながっており、基板２０として適度な
強度が保たれている。尚、ここでは隣接する円と４ヶ所
でつながった場合を示しているが、基板２０の強度に問
題なければ２ヶ所や３ヶ所でつながった構成にしてもよ
い。
【００２２】この基板２０に第１から第４の電極３１〜
３４(図２に図示)を形成する。このとき、スルーホール
４(図２に図示)を形成すると共に、間隙３０の基板２の
側面にメッキ処理を施して第２電極３２と第４電極３４
とを導通させる。つまり、該ＬＥＤ素子１では基板２の
側面の一部分に形成された導電膜(図示せず)にて第２電
極３２と第４電極３４とが導通され、それ以外の部分で
は基板２が露出した状態となる。
３４(図２に図示)を形成する。このとき、スルーホール
４(図２に図示)を形成すると共に、間隙３０の基板２の
側面にメッキ処理を施して第２電極３２と第４電極３４
とを導通させる。つまり、該ＬＥＤ素子１では基板２の
側面の一部分に形成された導電膜(図示せず)にて第２電
極３２と第４電極３４とが導通され、それ以外の部分で
は基板２が露出した状態となる。
【００２３】この後、第１電極３１上にＬＥＤチップ５
(図１に図示)を接合すると共に、第２電極３２にワイヤ
ーボンディングし、モールド樹脂６(図１に図示)にて封
止する。そして、基板２０を一点鎖線Ａで切り離し、図
１に示すＬＥＤ素子１とする。
(図１に図示)を接合すると共に、第２電極３２にワイヤ
ーボンディングし、モールド樹脂６(図１に図示)にて封
止する。そして、基板２０を一点鎖線Ａで切り離し、図
１に示すＬＥＤ素子１とする。
【００２４】ここでは、基板２０から多数の基板２を取
り出す方法について説明したが、もちろん基板２０をポ
ンチなどで打ち抜いて多数の基板２を作り、それぞれに
ついて電極形成や電極の導通処理を行ってもよい。
り出す方法について説明したが、もちろん基板２０をポ
ンチなどで打ち抜いて多数の基板２を作り、それぞれに
ついて電極形成や電極の導通処理を行ってもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の丸型ＬＥ
Ｄ素子は基板を円形状とし、その中心にＬＥＤ素子を位
置させたことで、出射する光の指向を方向性のないもの
にしている。従って、実装の際には従来技術のように方
向を考慮する必要がないので簡単になる。また、誤った
実装による不良品の発生も少なくなる。
Ｄ素子は基板を円形状とし、その中心にＬＥＤ素子を位
置させたことで、出射する光の指向を方向性のないもの
にしている。従って、実装の際には従来技術のように方
向を考慮する必要がないので簡単になる。また、誤った
実装による不良品の発生も少なくなる。
【００２６】また、本発明の配線基板は基板が円形状の
丸型ＬＥＤ素子を実装するために、円環状の第２ランド
を設けている。これによって、ハンダの塗布量に偏りが
あっても、ＬＥＤ素子の第４電極を接合するとその圧力
によってハンダは均一に広がって偏りは解消される。従
って、ハンダの表面張力でＬＥＤ素子が位置ズレした
り、接合強度が弱いのでＬＥＤ素子が配線基板から剥が
れて立ち上がるという不都合は生じない。故に、実装不
良の発生を抑えることができる。
丸型ＬＥＤ素子を実装するために、円環状の第２ランド
を設けている。これによって、ハンダの塗布量に偏りが
あっても、ＬＥＤ素子の第４電極を接合するとその圧力
によってハンダは均一に広がって偏りは解消される。従
って、ハンダの表面張力でＬＥＤ素子が位置ズレした
り、接合強度が弱いのでＬＥＤ素子が配線基板から剥が
れて立ち上がるという不都合は生じない。故に、実装不
良の発生を抑えることができる。
【図１】 本発明に係る一実施形態の丸型ＬＥＤ素子と
これを実装する配線基板の斜視図である。
これを実装する配線基板の斜視図である。
【図２】 上記丸型ＬＥＤ素子の基板について、(ａ)表
面を示す斜視図と(ｂ)裏面を示す斜視図である。
面を示す斜視図と(ｂ)裏面を示す斜視図である。
【図３】 上記丸型ＬＥＤ素子の製造に用いられる基板
の正面図である。
の正面図である。
【図４】 従来のＬＥＤ素子とこれを実装した配線基板
の斜視図である。
の斜視図である。
【図５】 従来のＬＥＤ素子による実装不良の状態を示
した説明図である。
した説明図である。
１ 丸型ＬＥＤ素子 ２ 基板 ３１ 第１電極 ３２ 第２電極 ３３ 第３電極 ３４ 第４電極 ４ スルーホール ５ ＬＥＤチップ ６ モールド樹脂 ７ 配線基板 ８１ 第１ランド ８２ 第２ランド
Claims (2)
- 【請求項１】 基板が円形状であって、その表面には中
心に位置する第１電極と周縁に位置する第２電極が設け
られ、その裏面には中心に位置する第３電極と周縁に位
置する円環状の第４電極が設けられており、ＬＥＤチッ
プが前記第１電極上に位置しながら該第１電極及び前記
第２電極に接続されてモールド封止されており、前記第
１電極と前記第３電極とは前記基板内で導通していると
共に前記第２電極と前記第４電極とは前記基板の側面に
て導通していることを特徴とする丸型ＬＥＤ素子。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＬＥＤ素子を実装する
ためのものであって、上面には第１ランドと該第１ラン
ドを中心にした円環状の第２ランドとが設けられてお
り、前記第１ランドは前記ＬＥＤ素子の前記第３電極に
接合すると共に前記第２ランドは前記第４電極に接合す
ることを特徴とする配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000139756A JP2001326387A (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | 丸型ｌｅｄ素子及び配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000139756A JP2001326387A (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | 丸型ｌｅｄ素子及び配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001326387A true JP2001326387A (ja) | 2001-11-22 |
Family
ID=18647153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000139756A Pending JP2001326387A (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | 丸型ｌｅｄ素子及び配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001326387A (ja) |
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- 2000-05-12 JP JP2000139756A patent/JP2001326387A/ja active Pending
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| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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| A02 | Decision of refusal |
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