JPH01268074A - 光電子装置 - Google Patents

光電子装置

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JPH01268074A
JPH01268074A JP63095508A JP9550888A JPH01268074A JP H01268074 A JPH01268074 A JP H01268074A JP 63095508 A JP63095508 A JP 63095508A JP 9550888 A JP9550888 A JP 9550888A JP H01268074 A JPH01268074 A JP H01268074A
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JP
Japan
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light emitting
emitting diode
main surface
wire
wire bonding
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Pending
Application number
JP63095508A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoichi Yasuda
洋一 安田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPH01268074A publication Critical patent/JPH01268074A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

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  • Led Devices (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光電子装置、たとえば、サブマウント上に固
定された発光ダイオード素子の順方向電圧をワイヤボン
ディングによって選択できる光電子装置に関する。
〔従来の技術〕
発光ダイオードは、光通信用および情報処理用の光源と
して広く使用されている。たとえば、工業調査会発行「
電子材料J 19B7年9月号、昭和62年9月1日発
行、P63〜P71には、カメラのフォーカス表示用に
LED (発光ダイオード)が組み込まれていることが
表示されている。
また、発光ダイオードの一つとして、光発光部分がドー
ム形状をしたものが知られている。ドーム状の発光ダイ
オードについては、たとえば、日立評論社発行「日立評
論、1983年第10号、昭和58年10月25日発行
、P49〜P52に記載されている。この構造の発光ダ
イオ、−ド素子は、アノード電極およびカソード電極が
平坦な面に設けられていることから、主面に配線層を有
するサブマウント(支持板)に機械的かつ電気的に固定
した状態で使用される。
〔発明が解決しようとする課題〕
−船釣に、発光ダイオードの駆動電源は乾電池が使用さ
れることが多い、この場合、発光ダイオードは定電圧駆
動で使用される。°カメラオートフォーカス用の発光ダ
イオードも、同様に電源の制約から定電圧駆動である。
しかし、発光ダイオードはある程度の範囲で順方向電圧
がバラツクため、別に抵抗を取り付けて順方向電圧を一
定にした後使用されている。
すなわち、現状の製造技術においては、発光ダイオード
のシリーズ抵抗R8を完全に制御することは難しく、ウ
ェハロット間で順方向電圧のバラツキを生じる。この結
果、光出力を一定にする等、同一駆動条件で発光ダイオ
ードを駆動する必要がある場合、発光ダイオードの順方
向電圧に応じて外付けの抵抗を変えることにより、駆動
電流を一定にして使用している。
しかし、上記方法においては、順方向電圧のグレード別
は作業や発光ダイオードの取付けの際、別に所定値の抵
抗を新たに取り付ける等の作業が増え、コスト高騰を招
く。
本発明の目的は、光素子の順方向電圧の調整が可能な光
電子装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
〔課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明の発光ダイオード装置は、主面に配線
層を有するサブマウント上に発光ダイオード素子がその
電極を介して前記配線層に接続されている。また、この
サブマウントの主面には前記発光ダイオードと直列に繋
がる抵抗層が設けられている。また、この抵抗層の上に
は、接続された抵抗のシリーズ抵抗r、が異なるような
ワイヤボンディングパッドが複数設けられている。そし
て、実装される発光ダイオードのシリーズ抵抗R3に対
応して前記ワイヤボンディングパッドが選択され、その
選択されたワイヤボンディングパッドと外部引き出し端
子とが導電性のワイヤで接続されるようになっている。
〔作用〕
上記した手段によれば、本発明の発光ダイオード装置に
あっては、発光ダイオードのシリーズ抵抗R,とサブマ
ウントのシリーズ抵抗r、は直列に繋がり、駆動時の抵
抗Rは、R−Rs +rsとなることから、抵抗層上に
設けられた複数のワイヤボンディングパッドのうちから
所望のワイヤボンディングパッドを選んでワイヤを接続
することによって、発光ダイオードのシリーズ抵抗R9
のバラツキに応じてサブマウントのシリーズ抵抗r、の
選択を行うことができ、実質的に順方向電圧のバラツキ
の少ない発光ダイオード装置が得られる。
〔実施例〕
以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
第1図は本発明の一実施例による発光ダイオード装置を
示す断面図、第2図は同じくサブマウントに実装された
ドーム状発光ダイオード素子を示す断面図、第3図は同
じ(サブマウントの平面図、第4図は同じく発光ダイオ
ード素子の平面図である。
この実施例の発光ダイオード装置は、第1図に示される
ように、To−18型のステムlと、このステム1の主
面に固定されたサブマウント2と、このサブマウント2
の主面に取り付けられたドーム状の発光ダイオード素子
(チップ)3とからなっている。前記ステム1は金属か
らなるステム本体4と、このステム本体4の一部に埋め
込まれた絶縁体5とからなっている。前記ステム本体4
はコバール等の金属板を成形して形成され、中央部分は
一段高い円形台座部分6を構成し、周囲はキャップを取
り付けるためのフランジ7となっている。また、前記円
形台座部分6には二つ“の孔8゜9が設けられ、この孔
8.9にはアノードリード10またはカソードリード1
1がそれぞれ遊嵌かつ貫通状態で挿入されている。そし
て、前記円形台座部分6の裏側の富んだ部分には、ホウ
ケイ酸ガラスが充填され、前記アノードリード10およ
びカソードリード11が絶縁状態でステム本体4に固定
されている。
一方、前記サブマウント2はシリコン基板で形成されて
いるとともに、その主面にはS i Oを膜からなる絶
縁膜12が部分的に設けられている。
そして、この絶縁膜12上には、第2図および第4図に
示されるようなドーム状の発光ダイオード素子3の電極
パターンに一部が対応した配線層13が設けられている
。前記発光ダイオード素子3は光を出す面はドーム状と
なり、裏面は略平坦な面となっている。そして、この平
坦な面の中央には、第4図において破線で示すように円
形のアノード電極14が設けられるとともに、その周囲
には馬蹄形のカソード電極15が設けられている。
したがって、前記サブマウント2の主面に設けられた配
線層13は、第3図に示されるように、前記発光ダイオ
ード素子3のアノード電極14に対応する直線状に延在
するアノード配線層16と、前記カソード電極15に対
応する逆C字状のカソード配線層17とからなっている
。また、前記サブマウント2の主面の絶縁膜12は部分
的に除去されていて、この除去領域には所望の不純物が
拡散されて抵抗層18が形成されている。前記カソード
配線層I7はその一部が部分的に延在し、この抵抗層1
日に電気的に接続されている。
他方、前記抵抗層18の延在方向に沿ってその上面には
導体で形成されるワイヤボンディングパッド19.20
が設けられている。これら2つのワイヤボンディングパ
ッド19.20は前記カソード配線層17の接続端から
の距離がL+、Lxと異なることから、これらワイヤボ
ンディングパッド19.20における抵抗のシリーズ抵
抗r。
も、たとえば、rs++rsオと異なっている。
このようなステム1にあって、各部品はっぎのような手
順で取り付けられる。すなわち、最初にサブマウント2
をAu−3iによってステム1の円形台座部分6の主面
に固定する。その後、アノード配線層16の端とアノー
ドリード10の上端とがAuのワイヤ21で接続される
。また、カソードリード11の上端と2つのワイヤボン
ディングパッド19.20のどちらかがAuのワイヤ2
2で接続される。このワイヤ22の接続個所は、その後
に取り付けられる発光ダイオード素子3のシリーズ抵抗
R1の数値の如何によって判断される。したがって、発
光ダイオード素子3のシリーズ抵抗R8が小さい場合に
は、抵抗層18のシリーズ抵抗がr、!と大きくなるワ
イヤボンディングパッド20にワイヤ22が接続され、
発光ダイオード素子3のシリーズ抵抗R,が大きい場合
には、抵抗層18のシリーズ抵抗がr□と大きくなるワ
イヤボンディングパッド19にワイヤ22が接続される
この結果、発光ダイオード素子3をフェイスダウンボン
ディングでサブマウント2の主面の配線層13に固定し
た後の状態では、発光ダイオードとしてのシリーズ抵抗
R=−RS + r sをほぼ一定にすることが可能で
ある。
このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。
(1)本発明の発光ダイオード装置にあっては、ドーム
状の発光ダイオード素子はサブマウントに接続されてい
るが、前記サブマウントには前記発光ダイオード素子に
直列に繋がる抵抗層が設けられていて、外部端子となる
リードとの間を接続するワイヤは、前記抵抗層上に設け
られた2つのワイヤボンディングパッドのうちの1つに
、前記発光ダイオード素子のシリーズ抵抗R8の数値の
大小に基づいて選択して接続されていることから、発光
ダイオードとしてのシリーズ抵抗をほぼ規定の数値内に
することができるという効果が得られる。
(2)上記(1)により、本発明の発光ダイオード装置
は、シリーズ抵抗を一定にして供給することができるた
め、各種機器への取り付けの際、新たに単体部品である
抵抗を外付けする必要もなくなることからコストが安く
なるという効果が得られる。
(3)上記(2)により、本発明の発光ダイオード装置
はシリーズ抵抗が一定となることがら、各種機器への取
り付けの際、新たに単体の抵抗を組み込む必要もなくな
り、作業性が向上するという効果が得られる。
(4)上記(1)〜(3)により、本発明によれば、順
方向電圧(シリーズ抵抗)のバラツキの少ない発光ダイ
オード装置を安価に選択することができるため、この発
光ダイオード装置を組み込んだ機器のコスト低減が達成
できるという相乗効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、抵抗層上に設
けるワイヤボンディングパッドはさらに多くすれば、発
光ダイオード装置のシリーズ抵抗のバラツキをさらに小
さくできる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である発光ダイオード装置
の組立技術に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、半導体レーザ等にも同様に適
用できる。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
本発明の発光ダイオード装置にあっては、発光ダイオー
ドのシリーズ抵抗R8とサブマウントのシリーズ抵抗r
、は直列に繋がり、駆動時の抵抗Rは、R=R,+r、
となることから、抵抗層上に設けられた複数のワイヤボ
ンディングパッドのうちから所望のワイヤボンディング
パッドを選んでワイヤを接続することによって、発光ダ
イオードのシリーズ抵抗R8のバラツキに応じてサブマ
ウントのシリーズ抵抗「、の選択を行うことができ、実
質的に順方向電圧のバラツキの少ない発光ダイオード装
置が得られる。したがって、各種機器に組み込む場合、
従来のように新たに抵抗を選択して取り付ける必要もな
くなり、工数低減2部品点数削減から、各種機器の生産
コストの低減が達成できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による発光ダイオード装置を
示す断面図、 第2図は同じくサブマウントに実装されたドーム状発光
ダイオード素子を示す断面図、第3図は同じくサブマウ
ントの平面図、第4図は同じく発光ダイオード素子の平
面図である。 1・・・ステム、2・・・サブマウント、3・・・発光
ダイオード素子(チップ)、4・・・ステム本体、5・
・・絶縁体、6・・・円形台座部分、7・・・フランジ
、8.9・・・孔、10・・ ・アノードリード、11
・ ・ ・カソードリード、12・・・絶縁膜、13・
・・配線層、14・・・アノード電極、15・・・カソ
ード電極、16・・・アノード配線層、17・・・カソ
ード配線層、18・・・抵抗層、19.20・・・ワイ
ヤ第  1  図 O 第  2 図 マ /7−yy ソート引どま斥2印 l タ Zo−ワイq*’;プ’!’−り・ノv=tト
”22−ワイヤ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、主面に配線層を有する支持板と、この支持板の主面
    の配線層に電極を介して機械的かつ電気的に接続される
    光素子と、前記支持板主面に設けられかつ前記光素子と
    直列になる抵抗層と、この抵抗層上に設けられた複数の
    ワイヤボンディングパッドと、前記ワイヤボンディング
    パッドのいずれかに接続されたワイヤとを有することを
    特徴とする光電子装置。 2、前記抵抗層上の各ワイヤボンディングパッドでは前
    記光素子の順方向電圧が異なることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の光電子装置。
JP63095508A 1988-04-20 1988-04-20 光電子装置 Pending JPH01268074A (ja)

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JP63095508A JPH01268074A (ja) 1988-04-20 1988-04-20 光電子装置

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JP63095508A JPH01268074A (ja) 1988-04-20 1988-04-20 光電子装置

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JPH01268074A true JPH01268074A (ja) 1989-10-25

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ID=14139534

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JP (1) JPH01268074A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001326387A (ja) * 2000-05-12 2001-11-22 Rohm Co Ltd 丸型led素子及び配線基板
EP0942474A3 (de) * 1998-03-11 2002-06-05 Siemens Aktiengesellschaft Leuchtdiode
JP2005101660A (ja) * 2004-12-24 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオードランプ
JP2005101661A (ja) * 2004-12-24 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオードランプ
JP2005101662A (ja) * 2004-12-24 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオードランプ
JP2007129188A (ja) * 2005-10-07 2007-05-24 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置、半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0942474A3 (de) * 1998-03-11 2002-06-05 Siemens Aktiengesellschaft Leuchtdiode
JP2001326387A (ja) * 2000-05-12 2001-11-22 Rohm Co Ltd 丸型led素子及び配線基板
JP2005101660A (ja) * 2004-12-24 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオードランプ
JP2005101661A (ja) * 2004-12-24 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオードランプ
JP2005101662A (ja) * 2004-12-24 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオードランプ
JP2007129188A (ja) * 2005-10-07 2007-05-24 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置、半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法

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