JP2005101660A - 発光ダイオードランプ - Google Patents

発光ダイオードランプ Download PDF

Info

Publication number
JP2005101660A
JP2005101660A JP2004373133A JP2004373133A JP2005101660A JP 2005101660 A JP2005101660 A JP 2005101660A JP 2004373133 A JP2004373133 A JP 2004373133A JP 2004373133 A JP2004373133 A JP 2004373133A JP 2005101660 A JP2005101660 A JP 2005101660A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
light
blue light
diode lamp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004373133A
Other languages
English (en)
Inventor
Houki Michimori
方紀 道盛
Eiji Sasano
英二 笹野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Tottori Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Sanyo Electric Co Ltd, Tottori Sanyo Electric Co Ltd, Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2004373133A priority Critical patent/JP2005101660A/ja
Publication of JP2005101660A publication Critical patent/JP2005101660A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】 組立し易く、3原色方式に比べて発光ダイオードの数が少ない白色発光の発光ダイオードランプを提供すること。
【解決手段】 複数の色を混色して白色光を得るようにした発光ダイオードランプにおいて、青色発光ダイオードと黄色発光ダイオードが発する青色光と黄色光を混色して白色光を得るようにするとともに、前記青色発光ダイオードは、一方の面に陽極と陰極の両方の電極を有し、前記両電極が前記青色発光ダイオードの下側に位置する導電パターンと対面するように前記両電極を下に向けて配置したことを特徴とする。
【選択図】 図3

Description

本発明は発光ダイオードランプに関する。
従来、複数の発光ダイオードを用いた発光ダイオードランプが例えば特許文献1にて、図7の断面図と図8の平面図の様に示されている。これらの図に於て、キャン71の載置面上に2個の絶縁台72が載置され、その上に導電性接着剤を介してそれぞれ青色発光ダイオード73が載置されている。赤色発光ダイオード74と緑色発光ダイオード75がキャン71上に載置されている。各絶縁台72と各発光ダイオード73、74、75とキャン71と端子76乃至80に於て配線が施こされている。
特開平4−137569号公報
しかして上述のランプでは、各発光ダイオード73、74、75の発光接合面の高さを同一にするために、2個の絶縁台72が設けられているが、2個を別々に固定するので作業時間がかかる。また青色発光ダイオード73を絶縁台72上に固定するのに、手作業で行っているので作業時間がかかると共に、青色発光ダイオード73が位置ずれし易い第1の欠点がある。また上述のランプに於て白色光を得るために3原色混合方式により、赤色及び緑色及び青色発光ダイオードを合計3個以上必要とする。故に発光ダイオードの数が多く、端子も配線の数も多いのでコスト高になると共に消費電力が大きいという第2の欠点がある。本発明はかかる欠点を鑑みて、組立し易く、かつ従来より発光ダイオードの数が少ない発光ダイオードランプを提供するものである。
本発明の発光ダイオードランプは、請求項1に記載の様に、青色発光ダイオードと黄色発光ダイオードを透光性樹脂で覆い、前記各発光ダイオードが発する青色光と黄色光を混色して白色光を得ることを特徴とする。
本発明の発光ダイオードランプは、請求項2に記載の様に、青色発光ダイオードと黄色発光ダイオードは、共通の絶縁台上に配置したことを特徴とする。
本発明の発光ダイオードランプは、請求項3に記載の様に、前記青色発光ダイオードは、一方の面に陽極と陰極の両方の電極を有し、前記両電極が前記絶縁台の表面に位置する導電パターンと対面するように前記両電極を下に向けて配置したことを特徴とする。
上記の構成によれば、青色と黄色の2色で白色が得られるので、3原色混合式に比べて発光ダイオード数を削減することができる。また、青色発光ダイオードと黄色発光ダイオードを共通の絶縁台上に配置することによって、組立作業性を良好にすることができる。また、青色発光ダイオードは、その両電極が下側を向くので、上側に向いている場合に比べて、電極やそれに接続する配線による遮光を防止して光り取り出し効率を高めることができる。
本発明によれば、3原色方式に比べて発光ダイオードの数が少ない白色発光の発光ダイオードランプを提供することができる。また、共通の絶縁台上に発光ダイオードを配置することによって、組立作業性を良好にすることができる。また、サファイヤ基板を用いる青色発光ダイオードのように、一方の面に陽極と陰極の電極を有する発光ダイオードを使用した場合に、光り取り出し効率を高めることができる。
以下に本発明の第1実施例を図1と図2に従い説明する。図1は本実施例に係る発光ダイオードランプの断面図であり、図2はそのランプの平面図である。これらの図に於て、リード1(第1のリード)は鉄板等の金属板からなり、端部2と載置部3と反射部4からできている。端部2と載置部3によってリード1の先端にカップ形状が形成されることになる。
絶縁台5は例えば1011cm-3程度の低濃度不純物を含むシリコンからなり、平面から見れば長方形であり、側面から見れば階段状に高さが異なる様に形成されている。絶縁台5の表面には導電パターン6、7が形成され、電気的に分離している。導電パターン6、7には各々、切欠き8、9があり、部分的に電極が除かれている。これは自動機により発光ダイオードを絶縁台5上に載置する時に、載置場所を認識し易くすると共に、正確な載置位置を確保するためである。絶縁台5はリード1の載置部3の上に導電性接着剤10を介して載置されている。
青色発光ダイオード11は窒素を添加された炭化硅素(SiC)からなるN型基板12(層厚約100μm)上に、窒素とアルミニウムを添加された炭化硅素からなるN型エピタキシャル層13(層厚約9μm)及びアルミニウムを添加された炭化硅素からなるP型エピタキシャル層14(層厚約5μm)が形成され、表面電極15と裏面電極16が形成されたものである。
上述の様にN型エピタキシャル層13とP型エピタキシャル層14により形成される発光接合面は裏面電極16に近い側に設けられている。これは発光接合面と表面電極15との距離を遠ざけることにより、放出光が表面電極15に遮ぎられることを少なくし、光取出効率を向上させるためである。青色発光ダイオード11は絶縁台5の導電パターン6上に半田17を介して載置されている。
黄色発光ダイオード18は燐化ガリウム(GaP)からなるN型基板19(層厚約280μm)上に、テルルが添加されたGaAsX1-X(xはN型基板19から遠ざかるに従い、徐々に0から0.15に変化する)からなるN型勾配層20(層厚約30μm)及びテルルが添加されたGaAs0.150.85からなるN型エピタキシャル層21(層厚約15μm)及び窒素とテルルが添加されたGaAs0.150.85からなるN型エピタキシャル層22(層厚約15μm)及び亜鉛が添加されたGaAs0.150.85からなるP型エピタキシャル層23(層厚約5μm)が形成され、表面電極24と裏面電極25が形成されたものである。
そして黄色発光ダイオード18のN型エピタキシャル層22とP型エピタキシャル層23により形成された発光接合面と青色発光ダイオード11の発光接合面の高さが略同じになる様に、絶縁台5の段差の大きさが決められている。
他のリード26(第2のリード)と27(第3のリード)は鉄板等の金属板からなり、リード1の反射部4の外側に位置して設けられている。金属細線28、29、30、31はそれぞれ他のリード26と青色発光ダイオード11との間、及びリード1と導電パターン6との間、及びパターン電極6と黄色発光ダイオード18との間、及び導電パターン7と他のリード27との間に施こされている。透光性樹脂32は例えば光拡散剤が混入されたエポキシ樹脂からなり、少なくとも青色及び黄色発光ダイオード11と18を覆う様に形成されている。これらの部品により本実施例の発光ダイオードランプ33が構成されている。
上述の様に青色及び黄色発光ダイオード11、18はアノードコモンにしているので、リード1には陽極電圧が、他のリード26と27には陰極電圧が印加される。
次に本実施例の発光ダイオードランプによる発光色を図6の色度図に従って説明する。横軸と縦軸はそれぞれCIE(国際照明委員会)1931色度図に於けるx座標とy座標である。青色発光ダイオード11を単独に点灯させた時の発光色を視感色彩計により実測したものが、この図に於てaで示されている。黄色発光ダイオード18を単独に点灯させた時の発光色を実測したものがbで示されている。そして両発光ダイオード11、18を同時に点灯した時の発光色がcで示されており、そのx座標は0.3、y座標は0.31である。上述のCIE1931色度図に於て、dで示された範囲内(中心値のx座標は0.33、y座標は0.33)が白色とされている。故に実測値cは白色の範囲内である。
更に、各発光ダイオードの材質が第1実施例と異なる本発明の第2実施例を図3と図4に従い説明する。図3は本実施例の発光ダイオードランプの断面図であり、図4はその平面図である。これらの図に於て、絶縁台34は例えば低濃度不純物を含むシリコンからなり、階段状に高さが異なり、その表面には導電パターン35、36が形成され、電気的に分離している。導電パターン35には切欠き37が、導電パターン36には切欠き38、39が形成され、自動機が認識し易い様にされている。絶縁台34は載置部3上に導電性接着剤10を介して載置されている。導電性接着剤10を介してリード1の載置部3の上に載置されているので、絶縁台5の裏面をリード1と同電位に保持することができる。したがって、絶縁台5の表面等を伝わって流れるリーク電流等を、リード1に導くこともできる。
青色発光ダイオード40はサファイア基板41上に、窒化アルミニウムからなるバッファー層42及びN+型窒化ガリウム層43及びN型窒化ガリウム層44及び低濃度の不純物が添加された窒化ガリウム層45からなり、その窒化ガリウム層45と接触する陽極電極46及びN+型窒化ガリウム層43と接触する陰極電極47からできている。この陽極電極46及び陰極電極47はそれぞれ絶縁基台34の導電パターン35と36上に導電性接着剤を介して載置されている。
黄色発光ダイオード48はN型砒化ガリウム基板49上に、シリコンが添加されたN型InGaAlPからなるN型クラッド層50及びInGaAlPからなる活性層51及び低濃度の亜鉛が添加されたP型InGaAlPからなるP型クラッド層52及び高濃度の亜鉛が添加されたP型GaAlAsからなるP電流拡散層53と表面電極54と裏面電極55から構成されている。
そして上述の青色発光ダイオード40のN型窒化ガリウム層44と窒化ガリウム層45により形成された発光接合面が黄色発光ダイオード48の活性層51と略同一の高さになる様に、絶縁台34の段差の大きさが決められている。金属細線56、57、58が配線されている。これらの図と図1及び図2に於て、同一番号のものは同一であることを示す。
次に本実施例の発光ダイオードランプによる発光色を図6にて説明する。青色発光ダイオード40と黄色発光ダイオード48を単独に点灯させた時の発光色を実測したものが、それぞれeとfで示されている。そしてこれらを同時に点灯した時の発光色はdで示された白色の範囲内にある。
更に青色発光ダイオードの材質が第1実施例と異なる本発明の第3実施例を図5の断面図にて説明する。この図に於て、絶縁台59は例えば低濃度不純物を含むシリコンからなり、階段状に高さが異なり、その表面には導電パターン60が連続して形成されている。絶縁台59は載置部3上に導電性接着剤10を介して載置されている。
青色発光ダイオード61は層厚約250μmのN型セレン亜鉛(ZnSe)からなる基板62及び塩素が添加されたN型セレン化亜鉛からなるN型エピタキシャル層63(層厚約5μm)及びリチウMが添加されたP型セレン化亜鉛からなるP型エピタキシャル層64(層厚約1μm)及び表面電極65及び裏面電極66から構成されている。青色発光ダイオード61は載置部3上に導電性接着剤を介して載置されている。
第1実施例と同一材質からなる黄色発光ダイオード18は載置部3上に導電性接着剤を介して載置されている。この図と図1及び図2に於て、同一番号のものは同一であることを示す。そして上述の青色発光ダイオード61の発光接合面が黄色発光ダイオード18の発光接合面と略同一の高さになる様に、絶縁台59の段差の大きさが決められている。また両発光ダイオードはカソードコモンに配線されている。
次にこの発光ダイオードランプの発光色を図6により説明する。青色発光ダイオード61と黄色発光ダイオード18を単独に点灯させた時の発光色を実測したものが、それぞれgとbで示されている。これらを同時に点灯した時の発光色はdで示された白色の範囲内にある。
上述の様に、1つの絶縁台の導電パターン上に複数の発光ダイオードを載置するので、従来の様に各々の絶縁台を固定する方式と比べて作業時間が早くなる。更に導電パターンに切欠きを設けることにより、自動機により載置場所を認識し易くなり、正確な位置に発光ダイオードを載置できる。
また、各発光ダイオードが載置される絶縁台の高さを階段状に変えることにより、発光色の異なる複数の発光ダイオードの発光接合面を略同一の高さに設けることができる。故に各発光ダイオードから放出される光は発光源の近くで混ざり合うので、互いの光が良く混ざり合うことができる。
更に望ましくは、炭化硅素又はセレン化亜鉛又は窒化ガリウムからなる青色発光ダイオードと、燐化ガリウム砒素又は燐化ガリウムアルミニウムインジウムからなる黄色発光ダイオードを設け両方を点灯することにより、青色光と黄色光が混合され白色光が得られる。故に3原色混合方式に比べて発光ダイオードの数と端子数と配線数が減りコスト安になり、消費電力も従来より少ない。
白色発光用の発光ダイオードランプとして利用することができる。
本発明の第1実施例に係る発光ダイオードランプの断面図である。 本発明の第1実施例に係る発光ダイオードランプの平面図である。 本発明の第2実施例に係る発光ダイオードランプの断面図である。 本発明の第2実施例に係る発光ダイオードランプの平面図である。 本発明の第3実施例に係る発光ダイオードランプの断面図である。 本発明の第1及び第2及び第3実施例に係る各々の発光ダイオードランプに於ける発光色の色度図である。 従来の発光ダイオードランプの断面図である。 従来の発光ダイオードランプの平面図である。
符号の説明
1 リード
5、34、59 絶縁台
6、7、35、36 導電パターン
11、40、59 青色発光ダイオード
18、48 黄色発光ダイオード
32 透光性樹脂

Claims (3)

  1. 青色発光ダイオードと黄色発光ダイオードを透光性樹脂で覆い、前記各発光ダイオードが発する青色光と黄色光を混色して白色光を得ることを特徴とする発光ダイオードランプ。
  2. 青色発光ダイオードと黄色発光ダイオードは、共通の絶縁台上に配置したことを特徴とする請求項1記載の発光ダイオードランプ。
  3. 前記青色発光ダイオードは、一方の面に陽極と陰極の両方の電極を有し、前記両電極が前記絶縁台の表面に位置する導電パターンと対面するように前記両電極を下に向けて配置したことを特徴とする請求項2記載の発光ダイオードランプ。
JP2004373133A 2004-12-24 2004-12-24 発光ダイオードランプ Pending JP2005101660A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004373133A JP2005101660A (ja) 2004-12-24 2004-12-24 発光ダイオードランプ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004373133A JP2005101660A (ja) 2004-12-24 2004-12-24 発光ダイオードランプ

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP06188393A Division JP3649748B2 (ja) 1993-03-22 1993-03-22 発光ダイオードランプ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005101660A true JP2005101660A (ja) 2005-04-14

Family

ID=34464577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004373133A Pending JP2005101660A (ja) 2004-12-24 2004-12-24 発光ダイオードランプ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005101660A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7868332B2 (en) 2005-11-10 2011-01-11 Samsung Electronics Co., Ltd. High luminance light emitting diode and liquid crystal display device using the same
US9155157B2 (en) 2006-08-14 2015-10-06 Koninklijke Philips N.V. Electroluminescent device having a variable color point
US9991237B2 (en) 2014-09-19 2018-06-05 Nichia Corporation Light emitting device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62178551U (ja) * 1986-04-30 1987-11-12
JPH01137655A (ja) * 1987-11-25 1989-05-30 Hitachi Ltd 光デバイス
JPH01268074A (ja) * 1988-04-20 1989-10-25 Hitachi Ltd 光電子装置
JPH02118959U (ja) * 1989-03-10 1990-09-25

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62178551U (ja) * 1986-04-30 1987-11-12
JPH01137655A (ja) * 1987-11-25 1989-05-30 Hitachi Ltd 光デバイス
JPH01268074A (ja) * 1988-04-20 1989-10-25 Hitachi Ltd 光電子装置
JPH02118959U (ja) * 1989-03-10 1990-09-25

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7868332B2 (en) 2005-11-10 2011-01-11 Samsung Electronics Co., Ltd. High luminance light emitting diode and liquid crystal display device using the same
US9155157B2 (en) 2006-08-14 2015-10-06 Koninklijke Philips N.V. Electroluminescent device having a variable color point
US9991237B2 (en) 2014-09-19 2018-06-05 Nichia Corporation Light emitting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7473934B2 (en) Semiconductor light emitting device, light emitting module and lighting apparatus
KR101584201B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
US20180114888A1 (en) Led module
JPWO2005106978A1 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP3649748B2 (ja) 発光ダイオードランプ
US11510294B2 (en) Lumiphoric arrangements for light emitting diode packages
US20200176643A1 (en) Multiple led light source lens design in an integrated package
KR102577944B1 (ko) Led 조명용 실장 기판을 갖는 조명 장치
JP2015022859A (ja) 照明装置
JP6941923B2 (ja) Ledモジュールの製造方法及びledモジュール
JP2005101660A (ja) 発光ダイオードランプ
JPH11354836A (ja) フルカラー半導体発光装置
JP2012209291A (ja) 発光ダイオード
JP2002252374A (ja) 発光ダイオードランプ
JP3754445B2 (ja) 発光ダイオードランプ
JP2005101662A (ja) 発光ダイオードランプ
JP2010283196A (ja) 発光装置
JP2006059851A (ja) 半導体発光装置、それを用いた照明装置およびその製造方法
US10801710B2 (en) Mounting and wiring substrates for lighting device and method for manufacturing mounting and wiring substrates for lighting device
KR20100042093A (ko) 백색 led 패키지
JP2016115710A (ja) Led照明装置
US11929355B2 (en) Mixed light light-emitting diode device
JP2019087600A (ja) 側面照射型led発光装置
KR101602861B1 (ko) 발광 소자
JP2014220295A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050322

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20051206

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20051227

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060126

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20060206