JP2001320451A

JP2001320451A - 携帯型情報機器

Info

Publication number: JP2001320451A
Application number: JP2000137373A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Yagi; 茂八木
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 2000-05-10
Filing date: 2000-05-10
Publication date: 2001-11-16
Also published as: US20010048081A1; US6541775B2

Abstract

(57)【要約】【課題】携帯電話、携帯電子メール機器、携帯ナビケ
ータ等の携帯型情報機器の表示機能を損なうことなく、
紫外線を測定することができる。【解決手段】携帯電話等の携帯型情報機器１０の情報
表示領域１２内に紫外線センサー１４を設けた。紫外線
センサー１４は紫外線のみに光感度を備えるセンサーで
あり、紫外線センサー１４の受光面が化合物半導体であ
るものが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、生活環境に存在す
る紫外線を容易に検出することができる紫外線センサー
を備えた携帯型情報機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、地球の環境問題の最大の問題の一
つとして、オゾン層の破壊による地上での紫外線量が増
加していることが挙げられる。このような紫外線は皮膚
ガンの発生やＤＮＡの損傷による光過敏症の増大、光老
化などの健康に重大な影響を及ぼす他、しみやそばかす
などの美容上の問題となる肌への影響が大きい。このた
め生活環境における紫外線の測定は美容や医療などで必
要性が増してきた。

【０００３】従来、紫外線量の測定には専用の紫外線検
量器を必要とし、またこのような専用のＵＶ測定器を身
につけることは面倒であり、このような点からも紫外線
を簡単に測定することは従来できなかった。また、従来
の紫外線センサーは可視光に感度のあるものを可視光カ
ットフィルターを付け、かつ遮光して使用することが必
要であつたためセンサーは厚くなり、また、センサーの
構造が複雑化し、コストも高くなり、簡単に使用できな
かった。また、センサーの色は黒色で、かつ遮光するた
め紫外線計量器は紫外線センサーを独立に設置する必要
性から大きくなり、デザイン上からも問題があった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、特別
に紫外線の測定機を用意しなくとも日常簡単に紫外線量
を測定できる携帯型情報機器を提供することにある。ま
た、本発明の目的はデザイン的にも優れた、紫外線量を
測定できる携帯型情報機器を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記した目的は、下記の
携帯型情報機器によって達成される。（１）所定の機能を有する携帯型情報機器の情報表示
領域内に、紫外線センサーを設けたことを特徴とする携
帯型情報機器である。（２）前記紫外線センサーが、実質的に紫外線光のみ
に光感度を備えるセンサーであることを特徴とする前記
（１）に記載の携帯型情報機器である。（３）前記情報表示領域が、情報表示手段と情報表示
手段を覆う可視光透過型保護カバーとを備え、前記紫外
線センサ受光面が前記保護カバー下に前記情報表示手段
と並列に配置されていることを特徴とする前記（１）に
記載の携帯型情報機器である。（４）前記紫外線センサーの前記受光面が、貴金属色
を有することを特徴とする前記（１）に記載の携帯型情
報機器である。（５）前記紫外線センサーの受光面が、化合物半導体
であり、前記センサーが貴金属色を有することを特徴と
する前記（４）に記載の携帯型情報機器である。（６）前記紫外線センサーの受光面が、化合物半導体
であり、前記化合物半導体が無色透明であることを特徴
とする前記（１）に記載の携帯型情報機器である。（７）前記受光面が、前記情報表示領域と同一または
近似色を有する前記（１）に記載の携帯型情報機器であ
る。（８）前記化合物半導体が、水素を有する非単結晶型
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である前記（１）に記載の携
帯型情報機器である。

【０００６】本発明によると、日常、最も頻度が高く使
用され、かつ常時携行される携帯型情報機器の情報表示
領域内に紫外線センサー受光面が取りつけられており、
紫外線センサーで発生する光電流あるいは光起電圧を利
用し、紫外線測定量を情報表示面に表示することができ
る。したがって、携帯型情報機器の情報表示面が有効に
利用され、特別な紫外線計量器を必要としない。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態について説明する。本発明において、携帯情報機器と
は通信による入力・出力の情報を電子的に表示する表示
面を有する機器を意味し、例えば、携帯電話、携帯電子
メール器、携帯ナビケータ、小型コンピューター、電卓
を兼ねた機器等が挙げられる。これらの携帯情報機器
は、小さい容積に多機能を搭載しているため、新たに大
きなセンサーを設置する場所はない。本発明において
は、極めて小さいセンサー受光面を使用することができ
るため、情報表示領域内にセンサー受光面を取りつける
ことができる。

【０００８】上記の携帯型情報機器の情報表示領域に
は、通常、ガラス、有機ガラス等が保護窓としては使用
されている。地上に到達する太陽光の紫外線は酸素の吸
収のため、２００ｎｍよりも長波長となる。さらに成層
圏オゾンによる吸収は３６０ｎｍから３００ｎｍに亘っ
ている。このなかで３２０ｎｍ以下の紫外線はＵＶ−Ｂ
と呼ばれ、４００−３２０ｎｍをＵＶ−Ａと呼ばれる。
ソーダガラスなどの通常のガラスでは３００ｎｍ以下の
紫外線はほとんど透さないが、３００ｎｍ以上の紫外線
はほとんど透過している。また、透明な有機ガラスとし
て多く使用されているエンジニアリングプラスチックの
多くも３００−４００ｎｍの紫外線を多く透過する。し
たがって、携帯型情報機器の情報表示領域内に紫外線セ
ンサーを取り付けることによって、紫外線を測定し、測
定結果を情報表示面に表示することができ、また、遠隔
地へ情報の入力・出力に用いることができる。

【０００９】ここで、情報表示領域内とは、情報を表示
する領域の内部を意味する。携帯型情報機器の情報表示
面は、その表面がガラスや有機ガラス面等の保護窓で構
成されており、その下面に偏光フィルム、液晶層等が介
在する。本発明において、紫外線センサーの受光面は保
護窓の裏面、偏光フィルム面または液晶層、電極面等の
紫外線が到達し、かつ情報表示に支障のない任意の部位
に取りつけられる。

【００１０】この場合、紫外線センサー受光面は、紫外
線センサー受光面の色相に応じて任意の形態を採用する
ことができる。例えば、紫外線センサー受光面が透明な
場合、情報表示に支障を生じないので、情報表示面の全
面または任意の領域に紫外線センサー受光面を取り付け
ることが可能である。また、紫外線センサー受光面の形
態あるいは色相は、携帯型情報機器の情報表示面におけ
るデザイン面を考慮して任意に設定することができる。
例えば、紫外線センサーの受光面を貴金属金の色相とす
ると、デザイン的に高級なイメージを付与することがで
き、また、紫外線センサーの受光面を情報表示色と同一
または近似した色相とすると、デザイン的に紫外線セン
サー受光面が取りつけられた領域を意識することがな
く、既存の情報表示面を意識させることができる。

【００１１】図１は、本発明の携帯型情報表示機器とし
ての携帯電話における紫外線センサー受光面の設置例を
示す説明図である。図１において、携帯電話１０の情報
表示面１２内の一隅部に紫外線センサ１４の受光面が取
りつけられている。図２は携帯電話における紫外線セン
サー受光面の他の設置例を示す説明図である。図２にお
いて、携帯電話１０の情報表示面１２を囲む窓枠材１６
とこの窓枠材１６を含む情報表示面１２との間の保護窓
との間に紫外線センサー１８の受光面が取りつけられて
いる。図３は、携帯電話における紫外線センサー受光面
の更に他の設置例を示す説明図であり、情報表示面１２
の全域あるいは一部の領域をセンサー受光面で覆った場
合を示している。この場合、発生した光起電力は電力と
して供給することができる。上記においては、特に携帯
電話を例に説明したが、紫外線センサーの設置機器部位
は、携帯電子メール器、携帯ナビケータ等の場合も同様
である。

【００１２】図４は、本発明における紫外線検知機構の
一実施の形態を示す構成図である。図４において、２０
は紫外線センサー、２２は電流増幅器、２４はＡ／Ｄ変
換器、２６はコンピュータ、２８はＬＣＤドライブ、３
０はＬＣＤ(情報表示面）である。本発明の紫外線セン
サー(受光面）２０では電極間に流れる光起電流として
取り出しても良いし、電圧を印加することによって、光
電流を取り出すことができる。携帯機器の電力を消費し
ない点から、光起電流型が好ましい。また、光起電圧を
測定してもよい。

【００１３】光起電流は、電流増幅器２２を介して増幅
された後、Ａ／Ｄ変換２４を通して、デジタル信号に変
換され、コンピュータ２６に至る。コンピュータ２６で
は、例えば、人体に有害な紫外線量の閾値が予め設定さ
れており、測定された紫外線量がこの閾値を超えたとき
にＬＣＤドライブ２８を介してＬＣＤ(情報表示面）３
０に有害な紫外線量であることを表示あるいは警報ブザ
ー出力を出すことができる。このＬＣＤ(情報表示面）
３０には、情報表示面１２自体に表示できるようにする
ことによって、既存の携帯電話の機構をそのまま利用す
ることができる。

【００１４】なお、この時表示はエネルギー表示（紫外
線量）でもＵＶ指標でも良い。出力変換は出力電流を適
当な抵抗を加えることによるアナログ変換でも良いし、
係数を設定したデジタルによる変換でも良い。

【００１５】紫外線センサーの厚みは、このセンサーを
取り付ける部位、例えば、保護窓（窓材）、偏光フィル
ム、液晶層等の厚みに支配されるが、０．０５〜２ｍ
ｍ、好ましくは０．１〜０．５ｍｍの厚さが好ましい。

【００１６】このような紫外線センサーとして使用でき
るのは、可視域に感度があるＧａＰやＳｉなどのフォト
ダイオードなどをフィルターで可視部をカットした紫外
線センサーを用いることができるし、酸化チタンや酸化
亜鉛などの酸化物半導体を使用することもできる。特に
光応答が速く、吸収域を組成によって調整でき、表示部
に余分なスペースを必要としない小型で薄型などの点や
色などのデザイン性に優れた窒化物系化合物半導体を用
いた紫外線センサーが望ましい。

【００１７】本発明の紫外線センサーに用いることがで
きる半導体は、基板の上にAl, Ga,Inの少なくとも一つ
以上の元素とチッ素からなる化合物半導体を形成したも
のが用いることが望ましい。この半導体は単結晶でも非
単結晶でも良い。また、光感度は主に４００ｎｍより短
波長にあるものを用いることができるが、感度の長波長
のすそは４００ｎｍより長波長側に延びていても良い。
本発明において、紫外線センサーとして窒化物系化合物
半導体を用いた紫外線センサーは、可視光に感度が無い
ため明るいままで使用できる利点がある。この半導体受
光素子は一つでも良いし、複数並べて設けても良い。

【００１８】窒化物系化合物半導体としての非晶質ある
いは微結晶からなる非単結晶光半導体は、非晶質相であ
っても微結晶相からなっていてもまた微結晶相と非晶質
相の混合状態であっても良い。また単結晶状の膜であっ
ても良い。結晶系は立方晶あるいは6方晶系のいずれか
一つであっても複数の結晶系が混合された状態でもよ
い。微結晶の大きさは5nmから5μmであり、X線回折や電
子線回折および断面の電子顕微鏡写真を用いた形状測定
などによって測定できることができる。また柱状成長し
たものでも良いし、Ｘ線回折スペクトルで単一ピークで
あり、結晶面方位が高度に配向した膜でも良いし、また
単結晶でも良い。

【００１９】半導体は、非単結晶の場合には水素濃度が
0.5at%以上から50at%以下の水素を含む半導体であって
も良い。また、一配位のハロゲン元素が含まれていても
良い。この半導体に含まれる水素が0.5原子%未満では、
結晶粒界での結合欠陥とあるいは非晶質相内部での結合
欠陥や未結合手を水素との結合によって無くし、バンド
内に形成する欠陥準位を不活性化するのに不十分であ
り、結合欠陥や構造欠陥が増大し、暗抵抗が低下し光感
度がなくなるため実用的な光導電体として機能すること
ができない。

【００２０】これに対し、膜中に水素が50原子%をこえ
ると、水素がＩＩＩ族元素及びＶ族元素に2つ以上結合
する確率が増え、これらの元素が3次元構造を保たず、2
次元および鎖状のネットワークを形成するようになり、
とくに結晶粒界でボイドを多量に発生するため結果とし
てバンド内に新たな準位を形成し、電気的な特性が劣化
すると共に硬度などの機械的性質が低下する。さらに膜
が酸化されやすくなり、結果として膜中に不純物欠陥が
多量に発生することとになり、良好な光電気特性が得ら
れなくなる。

【００２１】また、膜中の水素が50原子%をこえると、
電気的特性を制御するためにドープするドーパントを水
素が不活性化するようになるため結果として電気的に活
性な非晶質あるいは微結晶からなる非単結晶光半導体が
得られない。水素量についてはハイドジェンフォワード
スキャタリング(HFS)により絶対値を測定することがで
きる。また加熱による水素放出量の測定あるいはIRスペ
クトルの測定によっても推定することができる。また、
これらの水素結合状態は赤外吸収スペクトルによって容
易に測定することできる。

【００２２】ＩＩＩ族とチッ素の原子数比は0.5:1.0以
下の場合, あるいは1:0.5以上ではＩＩＩ族とＶ族の結
合において閃亜鉛鉱(Zincblende)型を取る部分が少なく
なり欠陥が多くなり良好な半導体として機能しなくな
る。

【００２３】膜の光学ギャップはＩＩＩ族元素の混合比
によって任意にかえることができる。GaN:Hを基準にす
ると3.2-3.5eVより大きくする場合にはAlを加えること
によって３００ｎｍから３３０ｎｍの吸収が可能なバン
ドギャップ程度まで変化させることができ、主にＵＶ−
Ｂの紫外線を測定することができる。またＡｌとＩｎを
同時に加えることによってもバンドギヤップを調整する
ことができる。

【００２４】膜中の各元素組成はX線光電子分光(XPS)、
エレクトロンマイクロプローブ、ラザフォードバックス
キャタリング(RBS)、二次イオン質量分析計等の方法で
測定することが出来る。

【００２５】次に本発明の紫外線測定器のAl, Ga, Inの
少なくとも一つ以上の元素とチッ素からなる半導体層
は、次のように製造することができる。以下、図に従っ
て説明する。図５の方法はプラズマを活性化手段とする
方法である。５１は真空に排気しうる容器、５２は排気
口、５３は基板ホルダー、５４は基板加熱用のヒータ
ー、５６は容器５１に接続された石英管であり、ガス導
入管５９、６０に連通している。また、石英管５５には
ガス導入管６１に接続され、石英管５６にはガス導入管
６２が接続されている。

【００２６】この装置においては、チッ素元素源とし
て、例えば、N₂を用いガス導入管５９から石英管５５
に導入する。マグネトロンを用いたマイクロ波発振器
(図示せず)に接続されたマイクロ導波管５８に2.45GHz
のマイクロ波が供給され石英管５５内に放電を発生させ
る。別のガス導入口６０から、例えばH₂を石英管５６
に導入する。高周波発振器(図示せず)から高周波コイル
５７に13.56MHzの高周波を供給し、石英管５６内に放電
を発生させる。放電空間の下流側よりトリメチルガリウ
ムをガス導入管６２より導入することによって基板上に
非晶質あるいは微結晶の非単結晶チッ化ガリウム光半導
体を成膜することができる。

【００２７】非晶質あるいは微結晶、あるいは高度に配
向した柱状成長した多結晶、単結晶になるかは基板の種
類、基板温度,ガスの流量圧力、放電条件に依存する。
基板温度は100℃〜600℃である。基板温度が高い場合又
は／及びＩＩＩ族原料ガスの流量が少ない場合には微結
晶や単結晶状になりやすい。基板温度が300℃より低い
場合にはＩＩＩ族原料ガスの流量が少ない場合に結晶性
となり、また基板温度が300℃より高い場合には低温条
件よりもＩＩＩ族原料ガスの流量が多い場合でも結晶性
となりやすい。また例えばH₂放電を行った場合には行な
わないよりも結晶化を進めることができる。トリメチル
ガリウムの代わりにインジウム、アルミニウムを含む有
機金属化合物を用いることもできるし、また混合するこ
ともできる。また、これらの有機金属化合物は、ガス導
入管６１から別々に導入しても良い。

【００２８】また、C,Si,Ge,Snから選ばれた少なくとも
一つ以上の元素を含むガス、あるいはBe,Mg,Ca,Zn,Srか
ら選ばれた少なくとも1つ以上の元素を含むガスを放電
空間の下流側(ガス導入管６１又はガス導入管６２から
導入することによってn型、p型等任意の伝導型の非晶質
あるいは微結晶のチッ化物半導体を得ることができる。
Cの場合には条件によっては有機金属化合物の炭素を使
用してもよい。

【００２９】上述のような装置において放電エネルギー
により形成される活性チッ素あるいは活性水素を独立に
制御してもよいし、NH₃のようなチッ素と水素原子を同
時に含むガスを用いてもよい。さらにH₂を加えてもよ
い。また、有機金属化合物から活性水素が遊離生成する
条件を用いることもできる。このようにすることによっ
て、基板上には活性化されたＩＩＩ族原子、チッ素原子
が制御された状態で存在し、かつ水素原子がメチル基や
エチル基をメタンやエタン等の不活性分子にするために
低温にも拘わらず、炭素が入らず、膜欠陥が抑えられた
非晶質あるいは結晶が生成できる。またプラズマCVD装
置を用いてもよい。

【００３０】上述の装置において活性化手段として、高
周波発振器、マイクロ波発振器、エレクトロサイクロト
ロン共鳴方式やヘリコンプラズマ方式であっても良い
し、これらの一つを用いても良いし、二つ以上を用いて
もよい。また、二つ共マイクロ波発振器であっても良い
し、2つ共高周波発振器で有っても良い。また高周波放
電の場合、誘導型でも容量型でも良い。また2つ共エレ
クトロンサイクロトロン共鳴方式を用いても良い。異な
る活性化手段(励起手段)を用いる場合には、同じ圧力で
同時に放電が生起できるようにする必要があり、放電内
と成膜部(容器５１内)に圧力差を設けても良い。また同
一圧力で行う場合、異なる活性化手段(励起手段)、例え
ば、マイクロ波と高周波放電を用いると励起種の励起エ
ネルギーを大きく変えることができ、膜質制御に有効で
ある。

【００３１】本発明の携帯型情報機器に用いることがで
きる半導体層は反応性蒸着法やイオンプレーイング、リ
アクティブスパッターなど少なくとも水素が活性化され
た雰囲気で成膜を行うことも可能である。

【００３２】本発明で使用する基板としては導電性でも
絶縁性でも良く、結晶あるいは非晶質でも良い。導電性
基板としては、アルミニウム、ステンレススチール、ニ
ッケル、クロム等の金属及びその合金結晶、Si,GaAs,Ga
P,GaN,SiC,ZnOなどの半導体を挙げることができる。

【００３３】また、基板表面に導電化処理を施した絶縁
性基板を使用することもできる。絶縁性基板としては、
高分子フィルム、ガラス、石英、セラミック等を挙げる
ことができる。導電化処理は、上記の金属又は金、銀、
銅等を蒸着法、スパッター法、イオンプレーティング法
などにより成膜して行う。また、光の入射は基板側から
でも、半導体側でも良い。透明導電性基板側から光入射
を行う場合には透光性支持体としては、ガラス、石英、
サファイア、MgO,LiF,CaF₂等の透明な無機材料、また、
弗素樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエチ
レン、ポリエチレンテレフタレート、エポキシ等の透明
な有機樹脂のフィルムまたは板状体等が使用できる。

【００３４】上記透光性支持体上に設ける透光性電極と
しては、ITO、酸化亜鉛、酸化錫、酸化鉛、酸化インジ
ウム、ヨウ化銅等の透明導電性材料を用い、蒸着、イオ
ンプレーティング、スパッタリング等の方法により形成
したもの、あるいはAl,Ni,Au等の金属を蒸着やスパッタ
リングにより半透明になる程度に薄く形成したものが用
いられる。３３０ｎｍ以下の短波長を測定する場合には
蒸着した半透明の金属電極が望ましく、この電極を通し
て光入射が行えば良い。

【００３５】また、半導体層の上に透光性電極を直接設
けても良いし、また電極が一定の隙間を挟んで設置した
一対の電極であっても良い。電極材料としては透光性電
極としては、ITO、酸化亜鉛、酸化錫、酸化鉛、酸化イ
ンジウム、ヨウ化銅等の透明導電性材料を用い、蒸着、
イオンプレーティング、スパッタリング等の方法により
形成したもの、あるいはAl,Ni,Au等の金属を蒸着やスパ
ッタリングにより半透明になる程度に薄く形成したもの
が用いられる。あるいは不透光電極としてはこれらの金
属を厚くしたものが用いられる。

【００３６】半導体の原料としては、Al,Ga,Inのなかか
ら選ばれる一つ以上の元素を含む有機金属化合物を用い
ることができる。これらの有機金属化合物としてはトリ
メチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ターシ
ャリーブチルアルミニウム、トリメチルガリウム、トリ
エチルガリウム、ターシャリーブチルガリウム、トリメ
チルインジウム、トリエチルインジウム、ターシャリー
ブチルインジウムなどの液体や固体を気化して単独にあ
るいはキャリアガスでバブリングすることによって混合
状態で使用することができる。キャリアガスとしては水
素,N₂,メタン,エタンなどの炭化水素、CF₄,C₂F₆ など
のハロゲン化炭素などを用いることができる。

【００３７】チッ素原料としてはN₂,NH₃,NF₃,N
₂H₄、メチルヒドラジンなどの気体、液体を気化あるい
はキャリアガスでバブリングすることによって使用する
ことができる。

【００３８】また、半導体では、p,n制御のために元素
を膜中にドープすることができる。n型用の元素として
はＩa族のLi, Ｉb族のCu,Ag,Au, ＩＩa族のMg,ＩＩb族
のZn,IVa族のSi,Ge,Sn,Pb,VIa族のS,Se,Teを用いること
ができる。p型用の元素としてはＩa族のLi,Na, K, Ｉb
族のCu,Ag,Au, ＩＩa族のBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Ra,ＩＩb族の
Zn,Cd,Hg,ＩＶa族のC,Si,Ge,Sn,Pb, ＶＩa族のS,Se,T
e、ＶＩb族のCr,Mo,W, ＶＩＩＩa族のFe,Co,Niなどを用
いることができる。

【００３９】半導体膜はアンドープ膜は弱いｎ型であ
り、光感度を得るためにショットキーバリアを形成した
り、ｐｎ接合を形成したりして、内部に電界を形成する
ことができる。また内部の空乏層を広げるためにｉ型と
することもできる。この点から、特に、Be,Mg,Ca,Zn,Sr
が好ましい。

【００４０】ドーピングの方法としてはn型用としてはS
iH₄,Si₂H₆,GeH₄,GeF₄,SnH₄を、ｉ型化およびp型
用としてはBeH₂,BeCl₂,BeCl₄,シクロペンタジエニル
マグネシウム、ジメチルカルシウム、ジメチルストロン
チウム、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、などのガス状態
で使用できる。また元素を膜中にドーピングするには、
熱拡散法、イオン注入法等の公知の方法を採用すること
ができる。

【００４１】本発明の紫外線センサーは単層型であって
も、異なるバンドギャップの半導体層を形成し異なる波
長帯の紫外線を分離測定できるようにした積層型であっ
てもよい。

【００４２】前記のように構成することによって、特別
な紫外線測定器を用意しなくとも日常常備している携帯
電話や携帯電子メール機器さらに屋外での携帯用のナビ
ゲータなどで、大きさや重さ、機能を損なわずに、デザ
イン上も優れた紫外線測定機能を有する携帯型情報機器
を構成することができる。

【００４３】

【実施例】以下に実施例をあげて説明をする。（実施例１）厚さ０．２ｍｍの硼珪酸ガラス基板に酸化
インジウムスズ（ＩＴＯ）を１００ｎｍスパッタし透明
電極とした基板にリモートプラズマ有機金属気相成長法
を用いて、厚さ１００ｎｍのＭｇドープ水素化GaN膜を
作製した。この膜は透明であった。この上に直径２ｍｍ
のＡｕの電極を真空蒸着で作製した。それぞれの電極に
銀線を導電性接着剤にて端子として接続した。この素子
は金色で厚さが０．２ｍｍと薄く、センサーの大きさは
４ｘ４ｍｍであった。このセンサーの分光感度特性グラ
フを図６に示す。図６から前記センサーは、４００ｎｍ
付近から感度があり、３５０ｎｍ付近で感度がＭａｘで
あることを示している。このセンサーは光起電流が発生
し紫外線を無電圧で測定できた。この紫外線センサー７
０を図７に示すように携帯電話の表示面（保護窓）７２
の裏側で、液晶部７４の文字の無い部分に透明な接着材
をＡｕ電極面を避けて付着させ貼りつけた。このセンサ
ーは金色であり、表示面の文字や記号の間に設置され、
デザイン上も特に問題とはならなかった。このセンサー
からの紫外線による光起電流をＡＤ変換器を通して表示
用ドライバーに接続することによって、紫外線測定機能
を有する携帯電話とすることができる。

【００４４】（実施例２）実施例１の紫外線センサー７
０を図８に示すようにアイコンの間になるように液晶部
７４の表面上に透明粘着テープを用いて貼りつけた。こ
の場合、紫外線センサーの取りつけ部位として液晶素子
表面を利用できるためデザイン上も特に問題とはならな
かった。この紫外線センサーからの紫外線による光起電
流をＡＤ変換器を通して表示用ドライバーに接続するこ
とによって、紫外線測定機能を有する携帯電話とするこ
とができる。

【００４５】（実施例３）実施例１の透明な厚さ１００
ｎｍのＭｇドープ水素化GaN膜上に半透明のＡｕ電極を
作製し、紫外線センサーとした。この紫外線センサーを
液晶表面の文字上に透明粘着剤を用いて貼りつけた。こ
のセンサーはうすい青色であり、下の文字を透過できる
ため、デザイン上も特に問題とはならなかった。この紫
外線センサーからの紫外線による光起電流をＡＤ変換器
を通して表示用ドライバーに接続することによって、紫
外線測定機能を有する携帯電話とすることができる。

【００４６】

【発明の効果】本発明は従来、専用の紫外線測定器によ
って測定されていた紫外線量を手軽にかつ簡便に常時、
高精度で測定することを可能とし、機能的にもデザイン
的にも本来の携帯機器の性能を損なうことなく低価格で
紫外線測定機能を有する携帯型情報機器を提供すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の携帯型情報機器としての携帯電話の
一実施の形態を示す概略的構成図である。

【図２】本発明の携帯型情報機器としての携帯電話の
他の実施の形態を示す概略的構成図である。

【図３】本発明の携帯型情報機器としての携帯電話の
更に他の実施の形態を示す要部の概略的構成図である。

【図４】本発明の携帯型情報機器における紫外線測定
機構の構成図である。

【図５】本発明における紫外線センサーを構成する半
導体を製造するための方法を示す説明図である。

【図６】実施例１で得られたセンサーの分光感度特性
グラフである。

【図７】携帯電話の情報表示面の一実施の形態を示す
要部断面の概略的構成図である。

【図８】携帯電話の情報表示面の他の実施の形態を示
す要部断面の概略的構成図である。

【符号の説明】

１０携帯電話１２情報表示面１４紫外線センサー１６窓枠材１８紫外線センサー７０紫外線センサー７２保護窓７４液晶部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の機能を有する携帯型情報機器の情
報表示領域内に、紫外線センサーを設けたことを特徴と
する携帯型情報機器。
【請求項２】前記紫外線センサーが、実質的に紫外線
光のみに光感度を備えるセンサーであることを特徴とす
る請求項１に記載の携帯型情報機器。
【請求項３】前記情報表示領域が、情報表示手段と情
報表示手段を覆う可視光透過型保護カバーとを備え、前
記紫外線センサ受光面が前記保護カバー下に前記情報表
示手段と並列に配置されていることを特徴とする請求項
１に記載の携帯型情報機器。
【請求項４】前記紫外線センサーの受光面が、貴金属
色を有することを特徴とする請求項１に記載の携帯型情
報機器。
【請求項５】前記紫外線センサーの受光面が、化合物
半導体であり、前記センサーが貴金属色を有することを
特徴とする請求項１に記載の携帯型情報機器。
【請求項６】前記紫外線センサーの受光面が、化合物
半導体であり、前記化合物半導体が無色透明であること
を特徴とする請求項４に記載の携帯型情報機器。
【請求項７】前記受光面が、前記情報表示領域と同一
または近似色を有することを特徴とする請求項１に記載
の携帯型情報機器。
【請求項８】前記化合物半導体が、水素を有する非単
結晶型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であることを特徴とす
る請求項１に記載の携帯型情報機器。