JP2001244495A

JP2001244495A - 紫外線検出器

Info

Publication number: JP2001244495A
Application number: JP2000057176A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Yagi; 茂八木
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 2000-03-02
Filing date: 2000-03-02
Publication date: 2001-09-07

Abstract

(57)【要約】【課題】紫外線量を測定するとともに、例えば紫外線
防止剤の効果をリアルタイムで測定可能な安価な紫外線
検出器の提供。【解決手段】紫外線検出部２３と、少なくとも半導体
層２０及び電極２２からなる２以上の紫外線センサーと
を有する紫外線検出器であって、少なくとも一方の紫外
線センサーは、前記紫外線検出部に配置された試料２６
に紫外線を透過させた後の紫外線量を測定し、少なくと
も他方の紫外線センサーは、前記紫外線検出部に試料を
配置させない状態で紫外線量を測定することを特徴とす
る紫外線検出器である。紫外線量比較手段及び表示手段
を備える態様が好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、２以上の紫外線セ
ンサーにより、参照用の紫外線量及び測定用の紫外線量
を測定することができる紫外線検出器に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、地球環境の最大の問題の一つとし
て、オゾン層の破壊による地上での紫外線量が増加して
いることが挙げられる。特に顕著な影響は、南極上空で
のオゾンホールによる紫外線量の増大である。高緯度地
方のみならず中緯度地方においても成層圏のオゾン量は
低下しており、結果として地上に到達する紫外線量が増
加している。このような紫外線は、皮膚ガンの発生やＤ
ＮＡの損傷による光過敏症の増大、光老化等の健康に重
大な影響を及ぼす。光過敏症は先天的なものから後天的
なもの、特に薬の副作用によるものが多くこのため高齢
者の患者が多く、高齢福祉社会の問題にもなっている。
また、皮膚の老化は紫外線の被爆量に依存することが明
らかになっており、いつまでも若若しい肌を保つために
は、紫外線の暴露をできる限り避けたほうがよい。この
ため紫外線の照射を防止あるいは低減する紫外線防止剤
の利用が、光過敏症患者や女性を中心に広く行われてい
る。

【０００３】しかしながら、紫外線防止効果を直接確認
することはできず、期待効果によって多種類の紫外線防
止剤を選択している。これらの紫外線防止剤は、主に紫
外線を吸収する透明白色顔料である酸化チタンや酸化亜
鉛が用いられている。このため、紫外線防止効果の大き
いものは利用時には白色に見え、美容上から不自然に見
えたりする。このため紫外線量に適した紫外線防止剤を
使用することが好ましい。また季節変動や日日変動、時
間変動が大きく、また戸外の太陽紫外線や室内の蛍光灯
による紫外線等種類も多種にわたっている。このため使
用する紫外線防止剤も多種にわたる。また、これらの紫
外線防止剤は時間とともにその機能が低下することが多
く、紫外線防止剤の有効性と塗り替え時期等が不明であ
った。

【０００４】従来、試材の吸収を測定する装置として
は、光電子増倍管を用いた分光光度計や水銀灯を用いた
原子吸光装置等があるが、主に分析機器として用いられ
ており、高価で、かつ、光源を用い、参照光と測定用と
分けて用いたり、ロックインアンプを用いる等構成が複
雑であったため、日常的に広範に使用することには適し
ていなかった。また、紫外線領域のみの吸収測定を行え
るものはなかった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来に
おける問題を解決し、以下の目的を達成することを課題
とする。即ち、本発明は、紫外線量を測定するととも
に、例えば紫外線防止剤の効果をリアルタイムで測定可
能な安価な紫外線検出器を提供することを目的とする。
更に、本発明は、長波長紫外線及び短波長紫外線の紫外
線量を測定可能な紫外線検出器を提供することを目的と
する。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の手段は、以下の通りである。即ち、＜１＞紫外線検出部と、少なくとも半導体層及び電極
からなる２以上の紫外線センサーとを有する紫外線検出
器であって、少なくとも一方の紫外線センサーは、前記
紫外線検出部に配置された試料に紫外線を透過させた後
の紫外線量を測定し、少なくとも他方の紫外線センサー
は、前記紫外線検出部に試料を配置させない状態で紫外
線量を測定することを特徴とする紫外線検出器である。＜２＞前記試料に紫外線を透過させた後の紫外線量
と、前記試料を配置させない状態で測定した紫外線量と
を比較する紫外線量比較手段を備える前記＜１＞に記載
の紫外線検出器である。＜３＞紫外線量の比較結果を表示する表示手段を備え
る前記＜２＞に記載の紫外線検出器である。＜４＞前記試料が、紫外線防止剤である前記＜１＞か
ら＜３＞のいずれかに記載の紫外線検出器である。＜５＞前記２以上の紫外線センサーが、同一の紫外線
センサー２個からなる組を１組以上有する前記＜１＞か
ら＜４＞のいずれかに記載の紫外線検出器である。＜６＞１組の紫外線センサーと、他の１組の紫外線セ
ンサーとが、波長感度の異なる紫外線センサーである前
記＜５＞に記載の紫外線検出器である。＜７＞前記１組の紫外線センサーが３２０ｎｍより短
波長の紫外線量を検出し、前記他の１組の紫外線センサ
ーが３２０ｎｍより長波長の紫外線量を検出する前記＜
６＞に記載の紫外線検出器である。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の紫外線検出器は、紫外線検出部と２以上
の紫外線センサーとを備え、更に必要に応じて、その他
の手段を備えてなる。

【０００８】［紫外線センサー］前記紫外線センサー
は、少なくとも半導体層及び電極を有し、更に必要に応
じて、その他の部材を有してなる。本発明においては、
少なくとも一方の紫外線センサー（以下、「測定用の紫
外線センサー」と呼ぶことがある。）は、前記紫外線検
出部に配置された試料に紫外線を透過させた後の紫外線
量（以下、「測定用紫外線量」と呼ぶことがある。）を
測定し、少なくとも他方の紫外線センサー（以下、「参
照用の紫外線センサー」と呼ぶことがある。）は、前記
紫外線検出部に試料を配置させない状態で紫外線量（以
下、「参照用紫外線量」と呼ぶことがある。）を測定す
る。

【０００９】上記参照用紫外線量と測定用紫外線量の測
定は、同じ波長領域を検出することができる２以上の紫
外線センサーを設置し、一方を参照出力として、他の一
方を紫外線検出部上に、前記試料として例えば紫外線防
止剤を塗布し、その出力を比較することによって可能と
なる。本発明においては、前記２以上の紫外線センサー
が、同一の紫外線センサー２個からなる組を１組以上有
することが好ましい。更に、１組の紫外線センサーと、
他の１組の紫外線センサーとが、波長感度の異なる紫外
線センサーであると、長波長紫外線（Ａ波）量と短波長
紫外線（Ｂ波）量を測定するとともに、各々の紫外線に
対する紫外線防止剤の効果を測定することが可能となり
好ましい。例えば、前記１組の紫外線センサーが３２０
ｎｍより短波長の紫外線量を検出し、前記他の１組の紫
外線センサーが３２０ｎｍより長波長の紫外線量を検出
する紫外線検出器であることが好ましい。紫外線量を紫
外線防止効果とともに計測表示することもできる。

【００１０】本発明の紫外線検出器に用いられる２以上
の紫外線センサーは、異なる基板に設けたものを別々に
使用してもよいし、１つの基板上に形成したものを用い
てもよい。測定用の紫外線センサーは、それに対応する
紫外線検出部に前記試料として例えば紫外線防止剤を塗
布するため、参照用の紫外線センサーと距離をおいて設
置される。ここで、紫外線センサーは少なくとも半導体
層と電極とからなるが、距離をおいて設置するとは、１
つの基板上に半導体層を形成した場合には、２以上の電
極を互いに距離をおいて設置することを意味する。

【００１１】本発明の紫外線検出器は、紫外線領域に感
度のあるものを使用することができるが、紫外線波長の
領域を分けて測定することもできる。３２０ｎｍ付近で
紫外線量を分離測定するためには、短波長感度のある半
導体を用いた受光素子に、３２０ｎｍで透過率が変化す
るフィルターを付けたものと付けないものとを用いても
よい。また、光感度が４００ｎｍより短波長にあるもの
と３２０ｎｍ付近より短波長にあるものを用いてもよ
い。この場合、一方の４００ｎｍより短波長に感度のあ
るものには、短波長カットのフィルターを付けてもよ
い。また更には、前述したフィルターを組み合わせて設
けてもよい。更に、バンドギャップの異なる半導体を積
層構造にしたものでもよい。

【００１２】（半導体層）前記紫外線センサーにおける
半導体層には、紫外線感度のあるものならば、どのよう
なものでも使用することができる。例えば、Ｓｉダイオ
ードや水素化アモルファスシリコン、微結晶シリコン等
のシリコン系材料やａ−Ｓｉ_xＣ_1-x等のフォトダイオー
ド等を使用することができる。また、ＧａＡｓやＧａＰ
系の化合物半導体を用いたフォトダイオードを使用する
こともできる。これらの材料を用いる場合には、可視光
に感度があるため長波長カットフィルターとの組み合わ
せによって使用することができる。フィルターは短波長
透過となるため、その２倍の高調波にあたる波長にも感
度がある場合には、高調波もカットされなければならな
い。

【００１３】前記半導体層は、可視光に感度の無いワイ
ドバンドギャップの半導体を用いて形成されることが、
フィルターを使用しなくて済むため好ましい。中でも窒
化物系の化合物半導体と金属酸化物系半導体が、紫外線
領域にのみ感度を持たせることができるため好適であ
る。前記窒化物系の化合物半導体としては、Ａｌ，Ｇａ
及びＩｎから選ばれる１以上の元素と窒素元素とを含む
化合物半導体が好ましい。また、前記金属酸化物系半導
体としては、酸化チタンや酸化亜鉛等が好ましい。これ
らの半導体は単結晶でも非単結晶でもよい。非晶質ある
いは微結晶からなる非単結晶光半導体は、非晶質相でも
微結晶相でもよく、また微結晶相と非晶質相との混合状
態でもよい。また単結晶状の膜でもよく、単結晶でもよ
い。

【００１４】−窒化物系化合物半導体− 前記窒化物系化合物半導体の原料には、Ａｌ、Ｇａ及び
Ｉｎから選ばれる１以上の元素を含む有機金属化合物が
好ましく使用される。具体的には、例えば、トリメチル
アルミニウム、トリエチルアルミニウム、ｔ−ブチルア
ルミニウム、トリメチルガリウム、トリエチルガリウ
ム、ｔ−ブチルガリウム、トリメチルインジウム、トリ
エチルインジウム、ｔ−ブチルインジウム等の液体や固
体を気化して単独に又はキャリアガスでバブリングされ
た混合状態のガスを使用することができる。これらは、
１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
前記キャリアガスとしては、Ｈｅ，Ａｒ等の希ガス、Ｈ
₂，Ｎ₂等の単元素ガス、メタンやエタン等の炭化水素、
ＣＦ₄，Ｃ₂Ｆ₆等のハロゲン化炭素等を用いることがで
きる。

【００１５】また、前記窒化物系化合物半導体の窒素原
料としては、Ｎ₂、ＮＨ₃、ＮＦ₃、Ｎ₂Ｈ₄、モノメチル
ヒドラジン、ジメチルヒドラジン等の気体又はこれらを
キャリアガスでバブリングした混合ガスを使用すること
ができる。ここで使用されるキャリアガスは、先に例示
したものを使用することができる。

【００１６】IIIＡ族元素（Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ）の総
量と窒素元素との原子数比は０．５：１．０〜１．０：
０．５が好ましい。この範囲外の場合には、IIIＡ族元
素と窒素元素との結合において四面体型配置を取る部分
が少なくなるため欠陥が多くなり、良好な光起電力素子
として機能しなくなることがある。半導体層中の各元素
組成は、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）、エレクトロンマイ
クロプローブ、ラザフォードバックスキャタリング（Ｒ
ＢＳ）、二次イオン質量分析計等により測定することが
できる。

【００１７】前記窒化物系化合物半導体は、非単結晶の
場合には、０．５〜５０ａｔｏｍ％の水素を含むことが
好ましい。また一配位のハロゲン元素が含まれていても
よい。この半導体に含まれる水素が０．５ａｔｏｍ％未
満では、結晶粒界での結合欠陥あるいは非晶質相内部で
の結合欠陥や未結合手を水素との結合によって無くし、
バンド内に形成する欠陥準位を不活性化するのに不十分
であり、結合欠陥や構造欠陥が増大し、暗抵抗が低下し
光感度がなくなるため、実用的な光導電体として機能さ
せることが困難となる。

【００１８】これに対し、前記半導体に含まれる水素が
５０ａｔｏｍ％を超えると、水素がIIIＡ族元素（Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｉｎ）及び窒素元素に２つ以上結合する確率
が増え、これらの元素が３次元構造を保たず、２次元及
び鎖状のネットワークを形成するようになり、特に結晶
粒界でボイドを多量に発生するため結果としてバンド内
に新たな準位を形成し、電気的な特性が劣化すると共
に、硬度等の機械的性質が低下することがある。更に該
半導体からなる膜（以下、単に「膜」と呼ぶことがあ
る。）が酸化されやすくなり、結果として膜中に不純物
欠陥が多量に発生することとになり、良好な光電気特性
が得られ難くなる。また、前記半導体中の水素が５０ａ
ｔｏｍ％を超えると、電気的特性を制御するためにドー
プするドーパントを水素が不活性化するようになるた
め、結果として電気的に活性な非晶質あるいは微結晶か
らなる非単結晶光半導体が得られ難くなる。

【００１９】また、前記窒化物系化合物半導体には、
ｐ、ｎ制御のための元素を含む化合物を導入して、膜中
にドープすることができる。ドーピング用ガスはIIIＡ
族元素（Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ）を含む有機金属化合物と
混合してもよいし別々に導入してもよい。また前記有機
金属化合物と同時に導入してもよいし、連続導入でもよ
い。

【００２０】ｎ型用の元素としては、ＩＡ族（ＩＵＰＡ
Ｃの1989年無機化学命名法改訂版による族番号は１）の
Ｌｉ、ＩＢ族（ＩＵＰＡＣの1989年無機化学命名法改訂
版による族番号は１１)のＣｕ，Ａｇ，Ａｕ、IIＡ族
（ＩＵＰＡＣの1989年無機化学命名法改訂版による族番
号は２）のＭｇ、IIＢ族（ＩＵＰＡＣの1989年無機化学
命名法改訂版による族番号は１２)のＺｎ、IVＡ族（Ｉ
ＵＰＡＣの1989年無機化学命名法改訂版による族番号は
１４)のＣ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ、VIＡ族（ＩＵＰ
ＡＣの1989年無機化学命名法改訂版による族番号は１
６)のＳ，Ｓｅ，Ｔｅを用いることができる。中でも
Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎが電荷担体の制御性の点から好ま
しい。

【００２１】ｐ型用の元素としては、ＩＡ族のＬｉ，Ｎ
ａ，Ｋ、ＩＢ族のＣｕ，Ａｇ，Ａｕ、IIＡ族のＢｅ，Ｍ
ｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｒａ、IIＢ族のＺｎ，Ｃｄ，Ｈ
ｇ、IVＡ族のＣ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ、VIＡ族（Ｉ
ＵＰＡＣの1989年無機化学命名法改訂版による族番号は
１６）のＳ，Ｓｅ，Ｔｅ、VIＢ族（ＩＵＰＡＣの1989年
無機化学命名法改訂版による族番号は６）のＣｒ，Ｍ
ｏ，Ｗ、VIII族のＦｅ（ＩＵＰＡＣの1989年無機化学命
名法改訂版による族番号は８）、Ｃｏ（ＩＵＰＡＣの19
89年無機化学命名法改訂版による族番号は９）、Ｎｉ
（ＩＵＰＡＣの1989年無機化学命名法改訂版による族番
号は１０)等を用いることができる。中でもＢｅ，Ｍ
ｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｓｒが電荷担体の制御性の点から好ま
しい。

【００２２】ｉ型用の元素としては、ｐ型用の元素と同
じものを低濃度で使用することができる。

【００２３】また、膜中の水素が、ドーパントに結合し
不活性化しないようにする必要があり、欠陥準位をパッ
シベーションするための水素をドーパントよりもIIIＡ
族元素（Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ）及び窒素元素に選択的に
結合させる観点から、ｎ型用の元素としては、特に、
Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎが好ましく、ｐ型用の元素として
は、特に、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｓｒが好ましく、
ｉ型用の元素としては、特に、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚ
ｎ，Ｓｒが好ましい。

【００２４】ドーピングにはｎ型用としては、Ｓｉ
Ｈ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、ＧｅＨ₄、ＧｅＦ₄、ＳｎＨ₄を、ｐ型用
としては、ＢｅＨ₂、ＢｅＣｌ₂、ＢｅＣｌ₄、シクロペ
ンタジエニルマグネシウム、ジメチルカルシウム、ジメ
チルストロンチウム、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛等
を、ｉ型用としては、ｐ型用の元素と同じ化合物を、ガ
ス状態で使用することができる。また、ドーピング元素
を元素のまま膜中に拡散させたり、イオンとして膜中に
取り込ませることもでき、熱拡散法、イオン注入法等の
公知の方法を採用することができる。

【００２５】以下に図を参照して、前記窒化物系化合物
半導体からなる半導体層の作製方法について説明する。
図７は、前記窒化物系化合物半導体からなる半導体層の
製造装置の一例を示す概略構成図である。この製造装置
は、円筒状の反応器１と、反応器１と上部開口を介して
連続する第１及び第２の原料活性化−供給部１３、１４
と、反応器１と下部開口を介して連続し、且つ反応器１
内のガスを排気するための排気管２と、反応器１内に配
置され、且つ基板を支持するための基板ホルダー３と、
基板ホルダー３の基板設置面側とは反対側に配置された
ヒーター４と、を備える。

【００２６】第１及び第２の原料活性化−供給部１３、
１４は、それぞれ、反応器１と連通し、且つ反応器１の
径方向外側に配置された円筒状の石英管５、６と、これ
ら石英管５、６の反応器１とは反対側と連通するガス導
入管９、１０とを備える。第１の原料活性化−供給部１
３は、更に石英管５と交差するように配置されたマイク
ロ波導波管８と、石英管５とマイクロ波導波管８との交
差位置より反応器１側で石英管５と連続するガス導入管
１１とを備える。マイクロ波導波管８は筐体状であり、
その中を石英管５が貫通している。また、第２の原料活
性化−供給部１４では、マイクロ波放電管８の代わりに
高周波コイル７が使用され、高周波コイル７は石英管６
の外周に巻き付けられ、図示しない高周波発振器に接続
されている。

【００２７】そして、第１及び第２の原料活性化−供給
部１３、１４のガス導入管９、１０、１１、１２は原料
ガスを供給する図示しない原料供給手段としてのボンベ
等にそれぞれ接続されている。更にガス導入管１１、１
２には原料ガスを間欠的に供給するための流量調節器
（マスフローコントローラ）（図示せず）が接続されて
いる。また、マイクロ波導波管８は図示しないマグネト
ロンを用いたマイクロ波発振器に接続されており、石英
管５内で放電させる。更に、排気管２は図示しない排気
手段としてのポンプに接続されており、反応器１内を略
真空まで排気可能とする。

【００２８】この装置において、窒素元素源として、例
えば、Ｎ₂を用いガス導入管９から石英管５に導入す
る。マグネトロンを用いたマイクロ波発振器（図示せ
ず）に接続されたマイクロ波導波管８にマイクロ波が供
給され、石英管５内に放電を発生させる。別のガス導入
管１０から、例えばＨ₂を石英管６に導入する。高周波
発振器（図示せず）から高周波コイル７に高周波を供給
し、石英管６内に放電を発生させる。放電空間の下流側
より例えばトリメチルガリウムをガス導入管１２より導
入することによって、基板上に窒化ガリウム半導体を成
膜することができる。

【００２９】非晶質になるか、微結晶になるか、あるい
は高度に配向した柱状成長した多結晶、単結晶になるか
は、基板の種類、基板温度、ガスの流量圧力、放電条件
に依存する。基板温度は１００〜６００℃が好ましい。
基板温度が高い場合及び／又はIIIＡ族元素の原料ガス
の流量が少ない場合には、微結晶や単結晶状になりやす
い。基板温度が３００℃より低い場合には、IIIＡ族原
料ガスの流量が少ない場合に結晶性となりやすく、基板
温度が３００℃より高い場合には、IIIＡ族元素の原料
ガスの流量が低温条件よりも多くても結晶性となりやす
い。また、例えばＨ₂放電を行った場合には、行わない
場合よりも微結晶化を進めることができる。トリメチル
ガリウムの代わりに、例えば、インジウム、アルミニウ
ムを含む有機金属化合物を用いることもでき、また混合
することもできる。また、これらの有機金属化合物は、
ガス導入管１１から別々に導入してもよい。

【００３０】また、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選択され
る１以上の元素を含むガス、あるいはＢｅ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｚｎ、Ｓｒから選択される１以上の元素を含むガス
を放電空間の下流側（ガス導入管１１又はガス導入管１
２）から導入することによってｎ型、ｐ型等の任意の伝
導型の非晶質又は微結晶若しくは結晶の半導体層を得る
ことができる。Ｃの場合には条件によっては有機金属化
合物の炭素を使用してもよい。

【００３１】上記装置において放電エネルギーにより形
成される活性窒素あるいは活性水素を独立に制御しても
よく、ＮＨ₃のような窒素原子と水素原子とを同時に含
むガスを用いてもよい。更にＨ₂を加えてもよい。ま
た、前記有機金属化合物から活性水素が遊離生成する条
件を用いることもできる。このようにすることによっ
て、基板上には活性化されたIIIＡ族元素の原子、窒素
原子が制御された状態で存在し、かつ水素原子がメチル
基やエチル基をメタンやエタン等の不活性分子にするた
め低温にも拘わらず炭素が入らず、膜欠陥が抑えられた
非晶質膜又は微結晶膜若しくは結晶膜を生成することが
できる。また、プラズマＣＶＤ装置を用いてもよい。

【００３２】上記装置における原料活性化−供給部の活
性化方法としては、直流放電、低周波放電、高周波放
電、マイクロ波放電、エレクトロンサイクロトロン共鳴
方式、ヘリコンプラズマ方式のいずれであってもよく、
また加熱フィラメントによるものでもよい。これらは１
種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
また、高周波放電の場合、誘導結合形でも、容量形でも
よい。１つの空間において、２種以上の活性化方法を用
いる場合には、同じ圧力で同時に放電が生起できるよう
にする必要があり、マイクロ波導波管内（又は高周波導
波管内）と石英管内（又は反応器内)とに圧力差を設け
てもよい。またこれらの圧力を同一とする場合、異なる
原料活性化手段、例えば、マイクロ波放電と高周波放電
とを用いることによって活性種の励起エネルギーを大き
く変えることができ、これによって膜質を制御すること
ができる。本発明の紫外線検出器に用いる半導体層は、
反応性蒸着法やイオンプレーティング、リアクティブス
パッター等、少なくとも水素が活性化された雰囲気で成
膜を行うことも可能である。

【００３３】−金属酸化物系半導体− 前記半導体層は、酸化チタンや酸化亜鉛等の金属酸化物
系半導体からなる場合には、蒸着法や反応性蒸着、スパ
ッタリング、反応性スパッタリング、イオンプレーティ
ング法等を用いて作製することができる。暗電流を低下
させ、感度を向上させ、応答性を向上させるため水素に
よる還元処理を行うことが望ましい。前記金属酸化物系
半導体は、前記窒化物化合物半導体と同様に、水素を
０．５〜５０ａｔｏｍ％含むことが好ましい。また、伝
導型を制御するためにドーピングを行ってもよい。ドー
ピング元素としてはIIIＡ族元素のＡｌ，Ｇａ，Ｉｎや
ＶＡ族元素のＮ，Ｐ，Ａｓ等を用いることができる。こ
れらを別々にドープしてもよいし、同時にドープしても
よい。同時にドープすることによって、局在準位に存在
する多様な欠陥を補償し、半導体としてよりよく機能さ
せることが可能になる。

【００３４】（電極）本発明における紫外線センサー
は、前記半導体層の上に電極が設けられる。該電極とし
ては、透光性電極が用いられ、例えば、ＩＴＯ、酸化亜
鉛、酸化錫、酸化鉛、酸化インジウム、ヨウ化銅等の透
明導電性材料を用い、蒸着、イオンプレーティング、ス
パッタリング等の方法により形成したもの、又はアルミ
ニウム、ニッケル、クロム、金、銀、銅等の金属あるい
はそれらの合金を蒸着やスパッタリングにより半透明に
なる程度に薄く形成したものが用いられる。これらの電
極は、半導体層の上に直接設けてもよく、また、電極が
一定の隙間を挟んで設置された一対の電極であってもよ
い。

【００３５】［紫外線検出部］前記紫外線検出部は、測
定用の試料を配置することができるものであれば特に制
限はなく、前記紫外線検出部としては、基板あるいは窓
等が挙げられる。

【００３６】（基板）前記基板上には、前記半導体層及
び電極がこの順に形成される。該半導体層及び電極が形
成された側面と反対側の基板側面には、測定用の試料を
配置することができる。本発明で使用される基板は、絶
縁性でも導電性でもよい。導電性基材を基板として使用
する場合、そのまま電極とすることができ、基材が絶縁
性であれば、絶縁性基材に導電化処理を施すことによっ
て電極として使用してもよい。また、本発明で使用され
る基板は、結晶又は非晶質でもよい。前記導電性基材と
しては、アルミニウム、ステンレススチール、ニッケ
ル、クロム等の金属及びその合金結晶、Ｓｉ，ＧａＡ
ｓ，ＧａＰ，ＧａＮ，ＳｉＣ，ＺｎＯ等の半導体が挙げ
られる。また、前記絶縁性基材としては、高分子フィル
ム、ガラス、石英、セラミック等が挙げられ、絶縁性基
材には、上記の金属又は金、銀、銅等を、蒸着法、スパ
ッター法、イオンプレーティング法等により成膜し導電
化処理を施すことができる。

【００３７】光（紫外線）の入射は、基板側からでも、
半導体層及び電極側からでもよい。透明基板を構成する
透光性基材としては、例えば、ガラス、石英、サファイ
ア、ＭｇＯ、ＬｉＦ、ＣａＦ₂等の透明な無機材料、ま
た、弗素樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ
エチレン、ポリエチレンテレフタレート、エポキシ等の
透明な有機樹脂のフィルム又は板状体が挙げられる。３
２０ｎｍ以下の紫外線を測定する場合には、石英、サフ
ァイア、ＭｇＯ、ＬｉＦ、ＣａＦ₂、ポリエチレン等が
好ましい。

【００３８】上記透光性基材が絶縁性である場合には、
導電化処理を施して使用してもよく、例えば、ＩＴＯ、
酸化亜鉛、酸化錫、酸化鉛、酸化インジウム、ヨウ化銅
等の透明導電性材料を用い、蒸着、イオンプレーティン
グ、スパッタリング等の方法により形成したもの、ある
いはＡｌ，Ｎｉ，Ａｕ等の金属を蒸着やスパッタリング
により半透明になる程度に薄く形成したものが用いられ
る。前記導電化処理により形成された膜は、透光性電極
として用いることができる。３２０ｎｍ以下の短波長を
測定する場合には、蒸着した半透明の金属電極が好まし
い。本発明においては、前記透光性電極と半導体層上の
電極との間に流れる光起電流を取り出してもよいし、電
圧を印加することによって、光電流を取り出してもよ
い。

【００３９】（窓）前記紫外線検出部として、紫外線セ
ンサーの電極上に、窓を設置することができる。窓とし
ては、測定用の試料を配置することができ、かつ、透光
性の材料からなるものであれば、特に制限なく用いるこ
とができる。透光性の材料としては、例えば、ガラス、
石英、サファイア、ＭｇＯ、ＬｉＦ、ＣａＦ₂等の透明
な無機材料、また、弗素樹脂、ポリエステル、ポリカー
ボネート、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレー
ト、エポキシ等の透明な有機樹脂のフィルム又は板状体
が挙げられる。３２０ｎｍ以下の紫外線を測定する場合
には、石英、サファイア、ＭｇＯ、ＬｉＦ、ＣａＦ₂、
ポリエチレン等が好ましい。この場合、光（紫外線）の
入射は、窓側から行うことができる。

【００４０】窓としてプラスチックを用いる場合には、
表面をハードコート材料で被覆したものが好ましい。ハ
ードコート材料は、シリコン系ハードコートでもアクリ
ル系ハードコートでもよい。ハードコート材料で表面が
覆われていることにより、紫外線防止剤の塗布と清掃の
繰り返しによっても傷が付かず、また少量の溶剤による
プラスチックの結晶化等の劣化を引き起こすことがなく
なる。また、耐衝撃性が増し、安全に使用することがで
きる。前記プラスチックとしては、エンジニアリングプ
ラスチックとして使用できるものがよい。例えば、ポリ
カーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレ
ン、ポリエーテルサルフォン、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニール等が挙げられる。

【００４１】窓としてガラスを用いる場合、ソーダガラ
ス、ホウ珪酸ガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ社の７７４０商品
名：Ｐｙｒｅｘや７７４０等）等は、３００から３２０
ｎｍまで紫外線を透過する。また、２４０ｎｍ付近まで
の紫外線に対しては、例えばＣｏｒｎｉｎｇ社の９７２
０、９７４１や７９１０（Ｖｙｃｏｒ）ガラス等を用い
ることができる。更に、短波長に対しては溶融石英が用
いられる。光透過量は厚さに依存するため、より透過率
を高くするためには薄い基板を用いることができる。３
２０ｎｍ以下の紫外線を測定する場合には、石英が好ま
しく用いられる。

【００４２】以下に、本発明の紫外線検出器の実施形態
を、図面を用いて説明する。図１は、本発明の紫外線検
出器の第１の実施形態を示す概略構成図である。第１の
実施形態の紫外線検出器は、基板２３上に、半導体層２
０が形成され、その上に２つの電極２２が設けられてい
る。基板２３は、基材２４上に透光性電極２５が形成さ
れてなり、紫外線検出部として機能している。半導体層
２０が形成されていない基板２３側面に、試料として紫
外線防止剤２６が塗布されている。紫外線防止剤２６が
塗布された側から光（紫外線）が照射される。ここで
は、半導体層２０及び電極２２からなる紫外線センサー
は２つあり、図面上、右側の紫外線センサーが測定用紫
外線量を測定し、左側の紫外線センサーが参照用紫外線
量を測定する。第１の実施形態の紫外線検出器は、同一
基板上に紫外線センサーを設けているが、これらの紫外
線センサーは別々の基板に設けられたものでもよい。以
下の第２〜第５の実施形態の紫外線検出器についても同
様である。

【００４３】図２は、本発明の紫外線検出器の第２の実
施形態を示す概略構成図である。図２において、図１と
同じ符号は、図１と同様の部材及び構成を示している。
第２の実施形態の紫外線検出器は、第１の実施形態の紫
外線検出器と異なり、基板２３は基材２４のみからな
り、透光性電極２５が形成されていない。また、一定の
隙間を挟んで形成された電極対が２組設置され、２つの
紫外線センサーが設けられている。これら電極対に電圧
を印加することができる。

【００４４】図３は、本発明の紫外線検出器の第３の実
施形態を示す概略構成図である。図３において、図１と
同じ符号は、図１と同様の部材及び構成を示している。
第３の実施形態の紫外線検出器は、第１の実施形態の紫
外線検出器と異なり、電極２２上に、窓２７が設置され
ている。窓２７は、紫外線検出部として機能し、窓２７
の表面には、試料として紫外線防止剤２６が塗布されて
いる。そして、窓２７側から光（紫外線）が照射され
る。

【００４５】図４は、本発明の紫外線検出器の第４の実
施形態を示す概略構成図である。図４において、図３と
同じ符号は、図３と同様の部材及び構成を示している。
第４の実施形態の紫外線検出器は、第３の実施形態の紫
外線検出器と異なり、半導体層２０及び電極２２からな
る紫外線センサーが４つ設けられている。そして、図面
上、右側２つの紫外線センサー上に窓２７が設置され、
左側２つの紫外線センサー上に吸収波長の異なる材質か
らなる窓２８が設置されている。２つの窓２７及び２８
の表面には、試料として紫外線吸収剤２６が塗布されて
おり、長波長紫外線（Ａ波）量と短波長紫外線（Ｂ波）
量を測定するとともに、各々の紫外線に対する紫外線防
止剤の効果を測定することができる。

【００４６】図５は、本発明の紫外線検出器の第５の実
施形態を示す概略構成図である。図５において、図４と
同じ符号は、図４と同様の部材及び構成を示している。
第５の実施形態の紫外線検出器は、第４の実施形態の紫
外線検出器と異なり、窓が同じ材質のもので構成されて
いる代わりに、基板２３上に、波長感度の異なる２種類
の半導体層２０及び２１が形成されている。このように
半導体層２０及び電極２２からなる２つの紫外線センサ
ーと、半導体層２１及び電極２２からなる２つの紫外線
センサーとを用いることにより、長波長紫外線（Ａ波）
量と短波長紫外線（Ｂ波）量を測定するとともに、各々
の紫外線に対する紫外線防止剤の効果を測定することが
できる。

【００４７】［その他の手段］（紫外線量比較手段・表示手段）本発明の紫外線検出器
は、測定用紫外線量と参照用紫外線量とを比較する紫外
線量比較手段を備えることが好ましく、更に、紫外線量
の比較結果を表示する表示手段を備えることが好まし
い。図６に、本発明の紫外線検出器に用いることができ
る紫外線量比較手段及び表示手段の一例の概略図を示
す。紫外線センサー３０は、参照用紫外線量を測定する
ものであり、紫外線センサー３１は、例えば紫外線吸収
剤を通した測定用紫外線量を測定するものである。２つ
の紫外線センサーには、全面に紫外線を透過する窓を設
置してもよい。紫外線センサーには、電圧を逆バイアス
を印加して使用してもよく、電圧を印加せず光起電力モ
ードで使用してもよい。後者の場合には消費電力がない
ため好都合である。紫外線センサー３０，３１からの出
力を紫外線量比較手段３２に入力し、差信号あるいは比
信号として出力し、表示手段により表示させることがで
きる。

【００４８】図６における紫外線量比較手段３２は、ア
ナログ−デジタル変換器３３，３４及び比較計数器３５
からなる。紫外線センサー３０，３１からの２つの出力
電流は、アナログ−デジタル変換器３３，３４によっ
て、デジタル量に変換され、比較計数器３５によって、
演算が行われる。参照用紫外線量と紫外線吸収剤の測定
用紫外線量も測定値として、保存している。

【００４９】測定値あるいは比較演算結果は、液晶表示
板３６（表示手段）に表示される。表示はアナログ量を
示すものでもよいし、デジタル量を示すものでもよい。
測定値と演算結果が同時に表示されてもよく、また切り
替えによって表示されてもよい。また、積分値を表示あ
るいは事前に設定した光量に対して警告をブザー等で示
してもよい。２つの紫外線センサー３０，３１の出力
は、経時によって特に紫外線吸収剤の付着や傷等の窓の
汚れ等により変化するため、測定側に試料を設置しない
時にお互いに校正を行い、測定精度を維持する。これに
より、特に複数の化粧品を重ねて利用する場合等にも、
また長い時間の化粧時間で参照光の強度が変動する場合
でも、また外光条件の異なる時に、途中で紫外線吸収剤
を追加変更する場合でも、常にリアルタイムで測定がで
きるため正確な防御指数を呈示することができる。

【００５０】上記構成の本発明の紫外線検出器によれ
ば、紫外線防止剤の効果を測定することができる他、例
えば、実際に使用する条件で紫外線防止剤を塗った皮膚
上への紫外線を推定することができる。

【００５１】

【実施例】以下に、本発明の実施例を説明するが、本発
明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。（実施例１）［紫外線検出器の作製］洗浄した硼珪酸ガラス基材に、
透光性電極として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を１０
００Åスパッタした基板を基板ホルダー３に載せ、排気
管２を介して反応器１内を真空排気後、ヒーター４によ
り基板を３５０℃に加熱した。Ｎ₂ガスを第１の原料活
性化−供給部１３のガス導入管９より直径２５ｍｍの石
英管５内に１０００ｓｃｃｍ導入し、マイクロ波導波管
８を介して２．４５ＧＨｚのマイクロ波を出力２５０Ｗ
にセットしチューナでマッチングを取り、放電を行っ
た。この時の反射波は０Ｗであった。一方、Ｈ₂ガスを
第２の原料活性化−供給部１４のガス導入管１０より直
径３０ｍｍの石英管６内に５００ｓｃｃｍ導入し、１
３．５６ＭＨｚの高周波放電を行った。高周波電力の出
力は１００Ｗであり、反射波は０Ｗであった。この状態
で第２の原料活性化−供給部１４のガス導入管１２より
０℃で保持されたトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）の蒸
気を水素をキャリアガスとして用い、１０⁶Ｐａ圧でバ
ブリングしながらマスフローコントローラーを通して
０．５ｓｃｃｍ導入した。更に、第２の原料活性化−供
給部１４のガス導入管１２より２０℃に保持したシクロ
ペンタジエニルマグネシウムにＨ₂ガスを圧力６５００
０Ｐａで導入し、マスフローコントローラーを通して１
ｓｃｃｍ反応領域に導入した。この時バラトロン真空計
で測定した反応圧力は６６．５Ｐａであった。成膜を３
０分行い、０．１μｍのＭｇドープＧａＮ：Ｈ膜（半導
体層）を作製した。得られた膜は透明であった。

【００５２】この半導体層上に、直径５ｍｍのＡｕの半
透明電極を２つ真空蒸着で作製し、半導体層と電極とか
らなる２つの紫外線センサーを得た（図１参照）。これ
らのＡｕ電極と上記ＩＴＯの透光性電極に銀線を端子と
して接続した。これらのＡｕ電極と基板のＩＴＯ間の出
力をＡＤ変換し、その大きさを比較計数器３５（図６参
照）に接続した。更に、液晶駆動ＬＳＩを通して液晶表
示板３６に接続した。これらの２つの紫外線センサーを
備えた紫外線検出器は、紫外線量を表示することがで
き、２つの紫外線センサーの出力の差信号あるいは比信
号の強度を表示することもできる。表示はデジタル量で
もよいし、アナログ的な表示、例えば色によって示すこ
ともできる。

【００５３】＜評価＞上記硼珪酸ガラス基材にＩＴＯを
有する基板（紫外線検出部として機能）側から太陽光を
入射し、片方の紫外線センサーに対応する基板側面には
何も塗布せず、紫外線による光起電流を紫外線光量とし
て表示した。このとき、ガラスとＩＴＯの吸収で短波長
感度は３２０ｎｍから３００ｎｍまでであった。一方、
もう片方の紫外線センサーに対応する基板側面にはサン
スクリーン剤（紫外線防止剤）を塗布し、その出力との
比を表示し、紫外線防止効果を示した。その結果、防御
率は９０％であった。この効果は、主にＵＶ−Ａ（４０
０〜３２０ｎｍ）の紫外線防止効果に相当するものであ
った。

【００５４】（実施例２）実施例１において、Ａｕ電極
側に石英板を載せた以外は、実施例１と同様にして紫外
線検出器を作製した（図３参照）。上記石英板（紫外線
検出部として機能）側から太陽光を入射し、片方の紫外
線センサーに対応する石英板側面には何も塗布せず、紫
外線による光起電流を紫外線光量として表示した。この
とき、石英の吸収領域までの紫外線波長で２００ｎｍか
ら４００ｎｍまでの感度があった。一方、もう片方の紫
外線センサーに対応する石英板側面にはサンスクリーン
剤を塗布し、その出力との比を表示し、紫外線防止効果
を示した。その結果、防御率は９９％であった。この効
果はＵＶ−Ａ（４００〜３２０ｎｍ）とＵＶ−Ｂ（３２
０〜３００ｎｍ）の全紫外線防止効果に相当するもので
あった。

【００５５】（実施例３）［紫外線検出器の作製］実施例１において、基板として
溶融石英基板を用い、更に電極として、長さ２ｍｍで幅
０．５ｍｍの金電極を間隔１ｍｍで形成した電極対を２
組真空蒸着で作製して２つの紫外線センサーを得た（図
２参照）以外は、実施例１と同様にして紫外線検出器を
作製した。それぞれの電極に銀線を端子として接続し、
これらの一組の電極間に３Ｖを印加した。

【００５６】＜評価＞上記溶融石英基板（紫外線検出部
として機能）側から太陽光を入射し、２００ｎｍから４
００ｎｍまでの領域での紫外線量に相当する光量出力を
得た。そのうち、片方の紫外線センサーに対応する基板
側面には何も塗布せず、紫外線による光起電流を紫外線
光量として表示した。一方、もう片方の紫外線センサー
に対応する基板側面にはサンスクリーン剤を塗布し、そ
の出力との比を表示し、紫外線防止効果を示した。その
結果、防御率は９５％であった。この効果はＵＶ−Ａと
ＵＶ−Ｂの全紫外線量に対する効果に相当するものであ
った。

【００５７】（実施例４）［紫外線検出器の作製］実施例１において、電極とし
て、直径５ｍｍのＡｕの半透明電極を４つ真空蒸着で作
製し、半導体層と電極とからなる４つの紫外線センサー
を設け、更に、２つの電極の上に基材と同じ硼珪酸ガラ
スを載せ、残りの２つの電極の上に石英板を載せた以
外、実施例１と同様にして紫外線検出器を作製した（図
４参照）。

【００５８】＜評価＞このとき、硼珪酸ガラスと石英の
４００ｎｍでの透過率は同じとみなせた。石英（紫外線
検出部として機能）を表面にもつ２つの紫外線センサー
をＡ１，Ａ２とし、硼珪酸ガラス（紫外線検出部として
機能）を表面にもつ２つの紫外線センサーをＢ１，Ｂ２
として対で使用した。紫外線センサーＡ２及びＢ２に対
応する石英及び硼珪酸ガラス上にサンスクリーン剤を塗
布し、太陽光をこれら４つの紫外線センサーに照射し
た。紫外線センサーＡ１の出力は全紫外線量を示し、紫
外線センサーＢ１の出力はＵＶ−Ａの紫外線量に相当す
る。[（紫外線センサーＡ１の出力）−（紫外線センサ
ーＢ１の出力）]は、ＵＶ−Ｂの紫外線量に相当する。
また、紫外線センサーＡ２とＡ１の出力比は全紫外線量
に対するサンスクリーン剤の防止効果を表し、防御率は
９０％であった。また、紫外線センサーＢ２とＢ１の出
力比はＵＶ−Ａに対するサンスクリーン剤の防止効果を
表し、防御率は７０％であった。更に、[（紫外線セン
サーＡ２の出力）−（紫外線センサーＢ２の出力）]
と、[（紫外線センサーＡ１の出力）−（紫外線センサ
ーＢ１の出力）]の出力比は、ＵＶ−Ｂに対するサンス
クリーン剤の防止効果を表し、防御率は９５％であっ
た。波長感度補正を行うことによって、より正確な特性
を求めることができる。

【００５９】（実施例５）［紫外線検出器の作製］洗浄した硼珪酸ガラス基材に、
透光性電極として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を１０
００Åスパッタした基板を、一部アルミ箔によりマスク
をしたものを用いた以外、実施例１と同様にしてＧａ
Ｎ：Ｈ，Ｍｇ膜（半導体層）を作製した。更に、この基
板のマスクをはずし、成膜したＧａＮ：Ｈ，Ｍｇ膜（半
導体層）にマスクをして基板ホルダー３に載せ、排気管
２を介して反応器１内を真空排気後、ヒーター４により
基板を３５０℃に加熱した。Ｎ₂ガスを第１の原料活性
化−供給部１３のガス導入管９より直径２５ｍｍの石英
管５内に１０００ｓｃｃｍ導入し、マイクロ波導波管８
を介して２．４５ＧＨｚのマイクロ波を出力２５０Ｗに
セットしチューナでマッチングを取り、放電を行った。
この時の反射波は０Ｗであった。一方、Ｈ₂ガスを第２
の原料活性化−供給部１４のガス導入管１０より直径３
０ｍｍの石英管６内に５００ｓｃｃｍ導入し、１３．５
６ＭＨｚの高周波放電を行った。高周波電力の出力は１
００Ｗであり、反射波は０Ｗであった。この状態で第２
の原料活性化−供給部１４のガス導入管１２より０℃で
保持されたトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）の蒸気を水
素をキヤリアガスとして用い、１０⁶Ｐａ圧でバブリン
グしながらマスフローコントローラーを通して０．５ｓ
ｃｃｍ導入した。更に、第２の原料活性化−供給部１４
のガス導入管１２より２０℃に保持したシクロペンタジ
エニルマグネシウムにＨ₂ガスを圧力６５０００Ｐａで
導入し、マスフローコントローラーを通して１ｓｃｃｍ
反応領域に導入した。更に、第２の原料活性化−供給部
１４のガス導入管１２より２０℃に保持したトリメチル
アルミニウム（ＴＭＡｌ）にＨ₂ガスを圧力１０１ｋＰ
ａで導入し、マスフローコントローラーを通して３ｓｃ
ｃｍ反応領域に導入した。この時バラトロン真空計で測
定した反応圧力は６６．５Ｐａであった。成膜を３０分
行い、０．１μｍのＭｇドープＡｌＧａＮ：Ｈ膜（半導
体層）を作製した（図５参照）。

【００６０】このＧａＮ：Ｈ，Ｍｇ膜（半導体層）は吸
収と感度が４００ｎｍ以下にあり、ＡｌＧａＮ：Ｈ，Ｍ
ｇ膜（半導体層）は３３０ｎｍ以下にあった。この２つ
半導体層上に、それぞれ別に直径３ｍｍの半透明金電極
を２つづつ真空蒸着で形成し、銀線を端子として接着し
た。ＧａＮ：Ｈ，Ｍｇ膜（半導体層）と電極とからなる
２つの紫外線センサーをＣ１，Ｃ２とし、ＡｌＧａＮ：
Ｈ，Ｍｇ膜（半導体層）と電極とからなる２つの紫外線
センサーをＤ１，Ｄ２とした。これらの電極の上に石英
板を積層し、紫外線検出部として機能させた。

【００６１】＜評価＞紫外線センサーＣ２及びＤ２に対
応する石英板上にサンスクリーン剤を塗布し、太陽光を
これら４つの紫外線センサーに照射した。紫外線センサ
ーＣ１の出力は全紫外線量を示し、紫外線センサーＤ１
の出力はＵＶ−Ｂの紫外線量に相当する。[（紫外線セ
ンサーＣ１の出力）−（紫外線センサーＤ１の出力）]
はＵＶ−Ａの紫外線量に相当する。また、紫外線センサ
ーＣ２とＣ１の出力比は全紫外線量に対するサンスクリ
ーン剤の防止効果を表し、防御率は７０％であった。ま
た、紫外線センサーＤ２とＤ１の出力比はＵＶ−Ｂに対
するサンスクリーン剤の防止効果を表し、防御率は９９
％であった。更に、[（紫外線センサーＣ２の出力）−
（紫外線センサーＤ２の出力）]と、[（紫外線センサー
Ｃ１の出力）−（紫外線センサーＤ１の出力）]の出力
比は、ＵＶ−Ａに対するサンスクリーン剤の防止効果を
表し、防御率は６０％であった。波長感度補正を行うこ
とによって、より正確な特性を求めることができる。

【００６２】

【発明の効果】本発明によれば、紫外線量を測定すると
ともに、例えば紫外線防止剤の効果をリアルタイムで測
定可能な安価な紫外線検出器を提供することができる。
更に、本発明によれば、長波長紫外線及び短波長紫外線
の紫外線量を測定可能な紫外線検出器を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の紫外線検出器の第１の実施形態を示
す概略構成図である。

【図２】本発明の紫外線検出器の第２の実施形態を示
す概略構成図である。

【図３】本発明の紫外線検出器の第３の実施形態を示
す概略構成図である。

【図４】本発明の紫外線検出器の第４の実施形態を示
す概略構成図である。

【図５】本発明の紫外線検出器の第５の実施形態を示
す概略構成図である。

【図６】本発明の紫外線検出器に用いることができる
紫外線量比較手段及び表示手段を示す概略図である。

【図７】本発明の紫外線検出器の製造装置の一例を示
す概略構成図である。

【符号の説明】１反応器２排気管３基板ホルダー４ヒーター５，６石英管７高周波コイル８マイクロ波導波管９〜１２ガス導入管１３第１の原料活性化−供給部１４第２の原料活性化−供給部２０半導体層２１半導体層２２電極２３基板２４基材２５透光性電極２６紫外線防止剤（試料）２７窓２８窓３０紫外線センサー（参照用）３１紫外線センサー（測定用）３２紫外線量比較手段３３アナログ−デジタル変換器３４アナログ−デジタル変換器３５比較計数器３６液晶表示板（表示手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 31/0248 Ｈ０１Ｌ 31/08 ＦＭ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】紫外線検出部と、少なくとも半導体層及
び電極からなる２以上の紫外線センサーとを有する紫外
線検出器であって、少なくとも一方の紫外線センサー
は、前記紫外線検出部に配置された試料に紫外線を透過
させた後の紫外線量を測定し、少なくとも他方の紫外線
センサーは、前記紫外線検出部に試料を配置させない状
態で紫外線量を測定することを特徴とする紫外線検出
器。
【請求項２】前記試料に紫外線を透過させた後の紫外
線量と、前記試料を配置させない状態で測定した紫外線
量とを比較する紫外線量比較手段を備える請求項１に記
載の紫外線検出器。
【請求項３】紫外線量の比較結果を表示する表示手段
を備える請求項２に記載の紫外線検出器。
【請求項４】前記試料が、紫外線防止剤である請求項
１から３のいずれかに記載の紫外線検出器。
【請求項５】前記２以上の紫外線センサーが、同一の
紫外線センサー２個からなる組を１組以上有する請求項
１から４のいずれかに記載の紫外線検出器。
【請求項６】１組の紫外線センサーと、他の１組の紫
外線センサーとが、波長感度の異なる紫外線センサーで
ある請求項５に記載の紫外線検出器。
【請求項７】前記１組の紫外線センサーが３２０ｎｍ
より短波長の紫外線量を検出し、前記他の１組の紫外線
センサーが３２０ｎｍより長波長の紫外線量を検出する
請求項６に記載の紫外線検出器。