JP2001308478A - 両面配線基板及びその製造方法 - Google Patents

両面配線基板及びその製造方法

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JP2001308478A JP2000113688A JP2000113688A JP2001308478A JP 2001308478 A JP2001308478 A JP 2001308478A JP 2000113688 A JP2000113688 A JP 2000113688A JP 2000113688 A JP2000113688 A JP 2000113688A JP 2001308478 A JP2001308478 A JP 2001308478A
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wiring layer
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interface layer
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Tatsunori Koyanagi
達則 小柳
Hirosuke Saito
裕輔 斉藤
Hideaki Yasui
秀明 安井
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3M Innovative Properties Co
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 凹部を用いて２つの配線層間の電気的接続を
図る基板において、上記電気的接続の信頼性を従来に比
べて向上する両面配線基板及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 絶縁体１０１の第１面側にて閉塞し第２
面に開口する凹部１０６を形成した両面配線基板にて、
上記凹部の閉塞部１０６１に対してレーザー光を照射し
て、異物の除去及び粗面化をした露出面１０３１を第１
導電層１０８に形成する。そして、上記露出面と接合し
上記第１導電層と電気的に接続する第２配線層１０５を
形成する。したがって、上記第１導電層と第２配線層と
は上記露出面の接合により、従来に比べてより強固に接
続される。よって、配線層間の電気的接続の信頼性を従
来に比べて向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリイミドフィル
ム等の絶縁体の両面上に銅等の導電体にてなる配線層を
形成し上記両面の配線層間を例えばブラインドビアにて
電気的に接続した両面配線基板、及び該両面配線基板の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばプリント配線基板のような配線基
板における配線密度を増すための一手法として、配線基
板となる板状の絶縁体の両面に配線を行いこれらの配線
間で電気的接続を取る方法があり、さらにこのような両
面配線基板を複数層に積層した多層配線基板も存在す
る。このような両面配線基板は、例えば以下のような工
程にて製造される。図１３に示すように、例えばポリイ
ミド等にてなるフィルム状の絶縁体１の第１面１ａ上
に、まずスパッタ又は蒸着によりＣｒ、Ｎｉ等の界面層
２を形成した後、該界面層２上にスパッタリング及びメ
ッキにより、例えば銅にてなる導電体の配線層３を形成
する。尚、界面層２を設けることで、絶縁体１に直接、
配線層３を形成する場合に比べて絶縁体１に対する配線
層３の密着力を増すことができる。上記第１面１ａに
は、アディティブ法又はサブトラクティブ法により配線
層３のパターニングを行う。次に、上記第１面１ａに対
向する、絶縁体１の第２面１ｂを選択的エッチングし
て、上記配線層３にて閉塞される凹状のビア部を形成す
る。さらに、上記ビア部を洗浄処理をした後、上記第２
面１ｂにスパッタ又は蒸着によりＣｒ、Ｎｉ等の界面層
４を形成する。そして該界面層４上にスパッタリング及
びメッキにより、例えば銅にてなる導電体の配線層５を
形成する。以上の工程により、絶縁体１の第２面１ｂ側
に形成された上記凹部にも、図示するように、界面層４
及び配線層５が形成され、配線層３と配線層５とは電気
的に接続される。このようにして上記ビア部はブライン
ドビア６となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記洗浄処
理が不十分な場合や、第２面１ｂに対して行われるＣ
ｒ、Ｎｉ等の界面層４が存在する場合、さらに異物７が
混入した場合には、ブラインドビア６において配線層５
と配線層３との接合の信頼性に悪影響が生じる場合があ
る。又、近年の半導体素子の高密度化に伴いビア部の径
が微小化してきており、ウエット工程にて行われる上記
洗浄処理や、微小径のブラインドビア６内まで洗浄がで
きない場合も生じる。一般的には、エッチングによる形
成可能なビア径、及び上記ウエット工程による上記洗浄
処理が可能なビア径は、上記絶縁体１の厚み寸法程度で
ある。例えば上記洗浄処理が不十分であるときには、絶
縁体１のかす、破片等の異物７が上記第１面１ａに形成
した界面層２と上記第２面１ｂに形成した界面層４との
間に存在し、ブラインドビア６における配線層３と配線
層５との接続信頼性に大きな影響を与える。
【０００４】本発明はこのような問題点を解決するため
になされたもので、凹部を用いて２つの配線層間の電気
的接続を図る基板において、上記電気的接続の信頼性を
従来に比べて向上する両面配線基板、及び該両面配線基
板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成している。本発明の第１
態様における両面配線基板は、互いに対向する第１面及
び第２面を有する絶縁体の上記第１面側にて閉塞し上記
第２面に開口する凹部を形成した両面配線基板であっ
て、上記凹部の閉塞部に対する上記第２面側からのレー
ザー光照射により異物が除去されて露出しかつ粗面化さ
れた露出面を有する導電体にてなる第１導電層と、上記
露出面と接合し上記第１導電層と電気的に接続される導
電体にてなる第２配線層と、を備えたことを特徴とす
る。
【０００６】又、上記第１導電層は、上記第１面上に形
成された第１配線層とすることもできる。
【０００７】又、上記第１導電層は、上記第１面上に形
成された第１界面層、及び上記絶縁体との間に上記第１
界面層が位置するように上記第１界面層上に形成された
第１配線層にてなり、上記レーザー光照射にて除去され
る上記異物は、上記第１界面層、及び上記凹部と上記第
２面上とに形成された第２界面層とすることもできる。
【０００８】又、照射される上記レーザー光は、４００
ｎｍから１５０ｎｍの波長を有することもできる。
【０００９】又、本発明の第２態様における両面配線基
板の製造方法は、互いに対向する第１面及び第２面を有
する絶縁体の上記第１面上に形成した導電体にてなる第
１導電層を閉塞材として上記第２面に開口する凹部を有
する両面配線基板の製造方法であって、上記凹部の閉塞
部に対して上記第２面側からレーザー光を照射して異物
を除去しかつ粗面化した露出面を上記第１導電層に形成
し、上記露出面と接合し上記第１導電層と電気的に接続
される導電体にてなる第２配線層を形成する、ことを特
徴とする。
【００１０】又、本発明の第３態様における両面配線基
板の製造方法は、互いに対向する第１面及び第２面を有
する絶縁体の上記第１面上に第１界面層を形成し、上記
第１界面層上に導電体にてなる第１配線層を形成し、上
記第１界面層及び第１配線層にてなる第１導電層を閉塞
材として上記第２面に開口する凹部を上記絶縁体に形成
し、上記第２面上、上記凹部、及び上記凹部の閉塞部に
おける上記第１界面層上に第２界面層を形成し、上記凹
部の上記閉塞部に対して上記第２面側からレーザー光を
照射し、上記閉塞部における上記第２界面層及び上記第
１界面層を除去して上記第１配線層を露出させ、上記第
２界面層上に形成され、かつ上記第１配線層と接合し上
記第１配線層と電気的に接続される導電体にてなる第２
配線層を形成する、ことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態における両面配
線基板、及び該両面配線基板の製造方法について、図を
参照しながら以下に説明する。尚、各図において同じ構
成部分については同じ符号を付している。又、本実施形
態では、両面配線基板として、一つの絶縁体の両面に導
電層を形成した基板を例に採るが、これに限定されるも
のではなく、本発明は、両面に導体層を有する絶縁体を
複数層に積層した多層両面配線基板に対しても適用可能
である。又、「凹部」の機能を果たす一例として本実施
形態ではブラインドビア部を例に採るが、これに限定さ
れるものではなく、本発明は、互いに対向する第１面及
び第２面を有する絶縁体の上記第１面側にて閉塞し上記
第２面に開口する凹部を形成した基板に適用可能であ
る。
【００１２】本実施形態の両面配線基板の概略を説明す
ると、図１に示すように、互いに対向する第１面１０１
ａ及び第２面１０１ｂを有する絶縁体１０１の上記第２
面１０１ｂに開口するブラインドビア部１０６を形成
し、該ブラインドビア部１０６の閉塞部１０６１に対し
て上記第２面１０１ｂ側からレーザー装置１５１にてレ
ーザー光を照射する。該レーザー光照射により上記閉塞
部１０６１に存在する異物１０７を除去して、上記第１
面１０１ａ側に設けた導電体にてなる第１配線層１０３
を露出させる。このように露出した第１配線層１０３の
露出面１０３１に対して、図２に示すように、該露出面
１０３１と接合し上記第１配線層１０３と電気的に接続
される導電体にてなる第２配線層１０５を形成する。
【００１３】尚、ブラインドビア部を有する基板におい
て、絶縁体の両面に形成された各配線層を上記ブライン
ドビア部を利用して電気的に接続する技術として、例え
ば特開平１０−１２９８７号公報、米国特許第5,567,32
9号、米国特許第5,906,043号がある。しかしながら、上
記特開平１０−１２９８７号公報に開示される技術は、
上記各配線層について半田にて電気的接続を図るもの
で、上述の本実施形態のようにレーザー光照射による異
物除去については一切開示も示唆もない。又、上記米国
特許第5,567,329号においても、複数のビアにて上記各
配線層の電気的接続を図る技術を開示したもので、本実
施形態のようにレーザー光照射による異物除去について
は一切開示も示唆もない。又、米国特許第5,906,043号
についても本実施形態のようにレーザー光照射による異
物除去については一切開示も示唆もない。以下に、本実
施形態の両面配線基板の製造工程について詳しく説明す
る。
【００１４】図３に示すように、例えばポリイミドにて
なる絶縁体１０１の第１面１０１ａに乾式メッキ方法、
例えばスパッタ又は蒸着によりＣｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｏ
等を単一若しくは複合物にて、厚み１０〜５００ｎｍ、
好ましくは１５０ｎｍにて形成した後、電解メッキ法に
て約５μｍ厚まで第１界面層１０２を形成する。該第１
界面層１０２及び後述の第２界面層１０４は、上述した
従来の場合と同様に、絶縁体１０１に直接、配線層を形
成する場合に比べて絶縁体１０１に対する配線層の密着
力を増すように作用する。尚、図３では、後述の第１配
線層に対応するように上記第１面１０１ａの一部に第１
界面層１０２を形成したように図示しているが、これに
限定されるものではない。次に、図４に示すように、第
１界面層１０２上に、金属等の導電体、本実施形態では
銅にてなる第１配線層１０３を電解メッキにて、１５〜
５０μｍの厚みにまで形成し、エッチング等により不要
部分を除去し所定パターンの第１配線層１０３を形成す
る。尚、上記第１界面層１０２及び第１配線層１０３に
て、第１導電層１０８を構成する。
【００１５】次に、図５に示すように、上記第１界面層
１０２及び第１配線層１０３を閉塞材として、上記第２
面１０１ｂに開口するブラインドビア部１０６を絶縁体
１０１に形成する。
【００１６】次に、図１に示すように、上述の第１界面
層１０２と同様にして、第２界面層１０４を上記第２面
１０１ｂに約５μｍの厚みにて形成する。このとき、第
２界面層１０４は、図示するように、ブラインドビア部
１０６の閉塞部１０６１の第１界面層１０２上にも形成
される。第２界面層１０４の形成時には、上述した従来
の場合と同様に、上記閉塞部１０６１の第１界面層１０
２との間に、絶縁体１０１のかすや、酸化物等の異物１
０７が混入している場合がある。又、当該実施形態のよ
うに閉塞部１０６１の直径で約１００〜約３００μｍに
てなるブラインドビア部１０６では、上記直径が微小な
ことから、第２界面層１０４の形成前に行う上記洗浄処
理が十分に行えない可能性がある。よって、閉塞部１０
６１には従来と同様に絶縁体１０１等のかす等が除去さ
れずに残存している可能性もある。
【００１７】このような上記閉塞部１０６１に対して、
本実施形態では、レーザー装置１５１からレーザー光を
照射して、上記異物１０７や上記かす等が存在する可能
性のある第２界面層１０４及び第１界面層１０２を除去
する。上述したように、第２界面層１０４及び第１界面
層１０２はそれぞれ約５μｍの厚みを有するので、上記
レーザー光にて約１０μｍ前後の界面層を除去すること
になる。又、第２界面層１０４及び第１界面層１０２の
みならず、第１界面層１０２の直下に存在する第１配線
層１０３についても深さ５μｍ程度まで、第２界面層１
０４及び第１界面層１０２とともに上記レーザー光にて
除去し、凹部を形成することが好ましい。
【００１８】上述のレーザー光照射により、第２界面層
１０４及び第１界面層１０２の界面層、さらには第１配
線層１０３の一部を昇華、つまり蒸気金属化又は金属ヒ
ューム化させて除去することができ、レーザー光照射後
において、上記閉塞部１０６１には、図６に示すよう
に、第１配線層１０３の清浄な露出面１０３１を表出さ
せることができる。又、上記レーザー光が照射されるこ
とで、上記露出面１０３１は粗面化されている。
【００１９】次に、図２に示すように、絶縁体１０１の
第２面１０１ｂ、ブラインドビア部１０６、及び閉塞部
１０６１に、金属等の導電体、本実施形態では銅にてな
る第２配線層１０５をスパッタリング及びメッキにて、
約１５μｍの厚みにまで形成し、エッチング等により不
要部分を除去し所定パターンの第２配線層１０５を形成
する。このように形成される第２配線層１０５は、閉塞
部１０６１では、上記露出面１０３１上に形成されるこ
とから、第１配線層１０３と直接に接合し、かつ電気的
に接続される。よって、第１配線層１０３と第２配線層
１０５との界面には、上記界面層１０４、１０２、及び
異物１０７等が存在せず、かつ同一材どうしが接合する
ことから、従来に比べてより強固に第１配線層１０３と
第２配線層１０５とを接合することができ、電気的接続
の信頼性を従来に比べて向上することができる。又、上
述のように、第１配線層１０３の露出面１０３１はレー
ザー光にて粗面化されるているので、第１配線層１０３
と第２配線層１０５との接触面積が増す。この点も、よ
り強固な接合を可能にする一因となっている。
【００２０】尚、上述した、絶縁体１０１への第１界面
層１０２、第２界面層１０４、第１配線層１０３、第２
配線層１０５の形成方法は、乾式法や湿式法等の公知の
種々の方法を用いることができる。
【００２１】上述のレーザー光照射動作に関してさらに
詳しく説明する。上記レーザー装置１５１は、一般に市
販されている装置であり、図８に示すようにレーザ発生
装置１５１１にて発生したレーザー光を集光レンズ部１
５１２を通してテーブル１５１３上の両面配線基板１０
０に照射する装置である。上記テーブル１５１３は、両
面配線基板１００を載置し、レーザー光が上記閉塞部１
０６１を走査するように、互いに直交するＸ、Ｙ方向に
移動量が制御されながら移動するテーブルである。この
場合、該テーブルを例えばＹ方向にのみ移動させ、レー
ザ光装置側がＸ方向に移動するように構成することもで
きる。
【００２２】本実施形態にて使用しているレーザー光
は、アークランプ励起式又は高出力ダイオード励起式
で、Ｎｄ：ＹＡＧ素子から発生され、その波長は３５５
ｎｍである。又、図９には、出願人の実験による、上記
閉塞部１０６１の直径寸法と、レーザー光照射条件との
関係の一例を示している。尚、図９において、「切削部
径」は閉塞部１０６１の直径寸法に相当し、「切削深
さ」は上記界面層等の除去される厚み寸法に相当する。
「ビーム移動タイプ」は、上記閉塞部１０６１における
上記界面層等を除去する際のレーザービームの移動方法
を示し、「スパイラル」は渦巻き状にレーザービームを
移動させる方法を示している。「出力」はレーザー光の
強度に相当し、「ビーム速度」は上記閉塞部１０６１に
ついてレーザービームを移動させるときの速度である。
「ショットパルス数」は、レーザー光はパルス状に照射
されることから、そのパルス数を示す。「ビーム径」
は、閉塞部１０６１における上記界面層等におけるレー
ザー光の直径寸法である。尚、本実施形態では、上記界
面層等の除去対象物にレーザー光の焦点が一致するよう
にして照射を行う。「直径」は、走査されるレーザー光
の範囲を示すもので、この図９では、上述のようにスパ
イラル状にレーザービームが走査されるので、照射範囲
は直径寸法にて表示されており、「内径」は上記スパイ
ラル状の内周部の寸法であり、「周回数」は照射範囲に
おいてスパイラル状にレーザー光が周回する数を示して
いる。
【００２３】又、上記照射条件は一例であり、要する
に、ブラインドビア部１０６の閉塞部１０６１におい
て、上記界面層１０４、１０２、異物１０７を除去し第
１配線層１０３に上記露出面１０３１を表出させる照射
条件を設定することができる。本実施形態のように、閉
塞部１０６１における第２界面層１０４及び第１界面層
１０２、さらには第１配線層１０３のように導電体を除
去するときには、上記照射条件は該導電体、例えば金
属、特には銅を昇華させる程度の照射条件に設定すれば
よく、又、除去する材料の厚みの観点からすると、除去
対象となる材料の厚み分の材料を除去する程度の照射条
件、本実施形態では約１０〜１５μｍであるので、約１
０〜１５μｍの導電体を除去する程度の照射条件に設定
すればよい。又、上述のように導電体、例えば金属、特
には銅を除去する場合、レーザー光の波長が５００ｎｍ
以下になると急激に反射率が小さくなりトリミング処理
が可能となることから、レーザー光の波長は、実験によ
れば、約４００ｎｍ以下が特に有効であることがわかっ
た。尚、現在、使用可能なレーザー装置が約１５０〜４
００ｎｍの波長のレーザー光を発することから、上記波
長の好適例は約２６０〜３５５ｎｍと考えられる。
【００２４】尚、上述した実施形態では、絶縁体１０１
の第１面１０１ａには第１界面層１０２を、第２面１０
１ｂには第２界面層１０４を形成したことから、上記閉
塞部１０６１に対するレーザー光照射にて、閉塞部１０
６１における少なくとも第２界面層１０４及び第１界面
層１０２を昇華させた。しかしながら、図７に示すよう
に、絶縁体１０１の第１面１０１ａに直接第１配線層１
０３を形成することもできる。よって、このような場合
にも閉塞部１０６１の第１配線層１０３に対してレーザ
ー光を照射することができ、第１配線層１０３上に形成
されている可能性がある酸化膜等の不純物や異物を、レ
ーザー光照射により除去することができ、又、上記粗面
化を行うことができる。そして、第１配線層１０３に上
記露出面１０３１を形成することができる。
【００２５】又、絶縁体１０１の第１面１０１ａには直
接第１配線層１０３を形成し、一方、第２面１０１ｂに
は第２界面層１０４を形成する場合もあり得る。このよ
うな場合にも閉塞部１０６１に対してレーザー光を照射
することができ、閉塞部１０６１において、第１配線層
１０３上に形成された少なくとも第２界面層１０４を上
記レーザー光照射により除去、つまり昇華させることが
できる。よって、第１配線層１０３と第２界面層１０４
との間に混入した上記異物１０７等を取り除き、第１配
線層１０３に上記露出面１０３１を形成することができ
る。
【００２６】上述した本実施形態の両面配線基板１００
と、上記レーザー光照射を行っていない従来の両面配線
基板とにおいて、熱衝撃試験及びプレッシャークッカー
テストにて、ブラインドビア部１０６の引き剥がし評価
を行った。該ブラインドビア部１０６の引き剥がし動作
は、第１配線層１０３を挟持して第２配線層１０５の引
き剥がしを行い、破壊モードを確認した。又、上記熱衝
撃試験は、ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３のcondition Cに従
って行った。即ち、ＭＩＬ規格に規定されるように、高
温層として３Ｍ社製フロリナート：ＦＣ−４３を使用
し、低温層として３Ｍ社製フロリナート：ＦＣ−７７を
使用して、高温側を１５０℃で５分、低温側を−６５℃
で５分の熱サイクルを１サイクルとして、１０００サイ
クルまで試験を行った。その結果、従来品は、２５０サ
イクル未満の初期段階にて、既に、第１配線層１０３に
相当する第１配線層と、第２配線層１０５に相当する第
２配線層との界面にて剥離が発生した。一方、本実施形
態の両面配線基板１００では、１０００サイクル後にお
いても、第１配線層１０３と第２配線層１０５との界面
部分にて剥離が発生することは無く、第２配線層１０５
自体が破壊した。
【００２７】上記プレッシャークッカーテストは、１２
７℃で、湿度１００％で、１００時間までの条件下で評
価した。その結果、従来品は、初期段階にて、既に、上
記第１配線層と、上記第２配線層との界面にて剥離が発
生した。一方、本実施形態の両面配線基板１００では、
１００時間後においても、第１配線層１０３と第２配線
層１０５との界面部分にて剥離が発生することは無く、
第２配線層１０５自体が破壊した。
【００２８】これらの結果からも明らかなように、本実
施形態の両面配線基板１００では、第１配線層１０３と
第２配線層１０５との界面部分にて剥離が発生すること
は無く、従来に比べて第１配線層１０３と第２配線層１
０５とがより強固に接合し、配線層間の電気的接続の信
頼性が向上していることが証明できた。
【００２９】以上の説明では、ブラインドビア部１０６
において、直径で約１００〜約３００μｍにてなる上記
閉塞部１０６１に対するレーザー光の照射の場合を説明
したが、閉塞部１０６１の形状及び寸法は上記寸法に限
定されるものではない。即ち、互いに対向する第１面及
び第２面を有する絶縁体の上記第１面側にて閉塞し上記
第２面に開口する凹部を形成した両面配線基板におい
て、上記閉塞部１０６１に相当する、上記凹部の閉塞部
の大きさが、図１０、図１１に示すように、例えば１．
８５ｍｍ×２．２５ｍｍの大きさにてなる長方形状であ
ってもよい。尚、図１０に示す閉塞部１０６２、及び図
１１に示す閉塞部１０６３は、少なくとも上記第１配線
層１０３にて閉塞されている。このような広範囲の場
合、レーザー光照射による上記露出面１０３１の形成範
囲は、例えば以下のような形態を採ることができる。即
ち、図１０の閉塞部１０６２では、上述のスパイラルタ
イプではなく図１０において左右方向へレーザービーム
を移動させることで、斜線にて図示するように閉塞部１
０６２のほぼ全域にて第１配線層１０３に上記露出面１
０３１を形成することができる。又、図１１の閉塞部１
０６３では、上述のスパイラルタイプにてレーザービー
ムを移動させて直径１５０μｍの円形にてなる露出面１
０３１を複数箇所、図示した例では２５箇所に形成する
ことができる。このような円形の露出面１０３１を複数
箇所に形成する方法は、図１０のレーザービームを左右
方向へ移動させる場合に比べて短時間にて処理可能とい
う利点があり、実験値では図１０の場合で２０秒を要す
るのに対し、図１１の場合では１．３秒にて処理が行え
た。
【００３０】又、図１２は、図１１を参照して上述した
処理方法にて上記第１配線層１０３と上記第２配線層１
０５とを接合させた両面配線基板の応用例を示してい
る。即ち、第１配線層１０３の露出面１０３１を形成し
た後、絶縁体１０１の第２面１０１ｂ及び凹部１０６４
に上記第２配線層１０５を形成し、凹部１０６４に半導
体チップ１１１を設置し、該半導体チップ１１１と第２
配線層１０５とをワイヤ１１１１にて電気的接続した実
装済基板が示されている。このような実装済基板におい
ても、第１配線層１０３と第２配線層１０５とは露出面
１０３１にてより強固に接続されているので、電気的接
続の信頼性を従来に比べて向上させることができる。
【００３１】尚、上述した実施形態において、上記露出
面１０３１を形成するためにレーザービームを上記スパ
イラル状に移動させることを説明したが、該スパイラル
状にレーザービームを移動させた場合、該スパイラル形
状の中央部分では、上記界面層１０２、１０４や、上記
第１配線層１０３が切削されず、凸状の残存部を形成す
る場合がある。よって、まず第１照射として、上記スパ
イラル状にレーザービームを移動させた後、第２照射と
して上記残存部に対してレーザー光を照射して切除す
る、２ステップ照射動作を行うようにしてもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の第１態様の
両面配線基板、並びに第２態様及び第３態様における両
面配線基板の製造方法によれば、レーザー光照射により
形成した露出面を有する第１導電層を備え、上記露出面
に接合して電気的に接続する第２配線層を形成すること
で、上記第１導電層と第２配線層とは上記露出面の接合
により、従来に比べてより強固に接続される。よって、
配線層間の電気的接続の信頼性を従来に比べて向上させ
ることができる。
【００３３】又、上記第１導電層が第１配線層であると
きには、該第１配線層上に形成された酸化膜等の異物を
レーザー光にて除去でき、上記露出面を形成することが
できる。
【００３４】又、上記第１導電層が第１界面層及び第１
配線層であるときには、上記レーザー光にて第１配線層
上に形成されている第１界面層及び第２界面層を除去で
き、上記露出面を形成することができる。
【００３５】又、上記レーザー光が４００ｎｍから１５
０ｎｍの波長を有するときには、上記第１導電層及び上
記第２界面層の金属、特に銅を有効に除去することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施形態における両面配線基板の製
造工程の内、閉塞部に対するレーザー光照射状態を説明
する図である。
【図２】 本発明の実施形態における両面配線基板の断
面図である。
【図３】 本発明の実施形態における両面配線基板の製
造工程の内、第１界面層を形成した状態を示す図であ
る。
【図４】 図３の第１界面層上に第１配線層を形成した
状態を示す図である。
【図５】 図４に示す基板にブラインドビア部用の凹部
を形成した状態を示す図である。
【図６】 ブラインドビア部の閉塞部にレーザー光を照
射して第２界面層及び第１界面層を除去した状態を示す
図である。
【図７】 本発明の実施形態における両面配線基板の製
造工程の変形例を示す図であり、第１配線層に直接にレ
ーザー光を照射する状態を示す図である。
【図８】 レーザー光装置の構成を示す図である。
【図９】 レーザー光照射条件を示す図である。
【図１０】 レーザー光が照射される閉塞部の形状、及
び露出面形状の変形例を示す図である。
【図１１】 レーザー光が照射される閉塞部の形状、及
び露出面形状の変形例を示す図である。
【図１２】 図２に示す両面配線基板の変形例を示す図
である。
【図１３】 従来の両面配線基板の断面図である。
【符号の説明】
１００…両面配線基板、１０１…絶縁体、１０１ａ…第
１面、１０１ｂ…第２面、１０２…第１界面層、１０３
…第１配線層、１０４…第２界面層、１０５…第２配線
層、１０６…ブラインドビア部、１０３１…露出面、１
０６１…閉塞部、１０６４…凹部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安井 秀明 神奈川県相模原市南橋本３−８−８ 住友 スリーエム株式会社内 Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB11 CC31 CD01 CD05 CD11 CD27 GG09 GG11

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 互いに対向する第１面（１０１ａ）及び
    第２面（１０１ｂ）を有する絶縁体（１０１）の上記第
    １面側にて閉塞し上記第２面に開口する凹部（１０６）
    を形成した両面配線基板（１００）であって、 上記凹部の閉塞部（１０６１）に対する上記第２面側か
    らのレーザー光照射により異物が除去されて露出しかつ
    粗面化された露出面（１０３１）を有する導電体にてな
    る第１導電層（１０８）と、 上記露出面と接合し上記第１導電層と電気的に接続され
    る導電体にてなる第２配線層（１０５）と、を備えたこ
    とを特徴とする両面配線基板。
  2. 【請求項２】 上記第１導電層は、上記第１面上に形成
    された第１配線層（１０３）である、請求項１記載の両
    側配線基板。
  3. 【請求項３】 上記第１導電層は、上記第１面上に形成
    された第１界面層（１０２）、及び上記絶縁体との間に
    上記第１界面層が位置するように上記第１界面層上に形
    成された第１配線層（１０３）にてなり、上記レーザー
    光照射にて除去される上記異物は、上記第１界面層、及
    び上記凹部と上記第２面上とに形成された第２界面層
    （１０４）である、請求項１記載の両側配線基板。
  4. 【請求項４】 照射される上記レーザー光は、４００ｎ
    ｍから１５０ｎｍの波長を有する、請求項１から３のい
    ずれかに記載の両面配線基板。
  5. 【請求項５】 互いに対向する第１面（１０１ａ）及び
    第２面（１０１ｂ）を有する絶縁体（１０１）の上記第
    １面上に形成した導電体にてなる第１導電層（１０８）
    を閉塞材として上記第２面に開口する凹部（１０６）を
    有する両面配線基板の製造方法であって、 上記凹部の閉塞部（１０６１）に対して上記第２面側か
    らレーザー光を照射して異物を除去しかつ粗面化した露
    出面（１０３１）を上記第１導電層に形成し、 上記露出面と接合し上記第１導電層と電気的に接続され
    る導電体にてなる第２配線層（１０５）を形成する、 ことを特徴とする両面配線基板の製造方法。
  6. 【請求項６】 上記第１導電層は、上記第１面上に形成
    した第１配線層（１０３）であり、上記レーザー光照射
    により形成される上記露出面は上記第１配線層に形成さ
    れる、請求項５記載の両面配線基板の製造方法。
  7. 【請求項７】 互いに対向する第１面（１０１ａ）及び
    第２面（１０１ｂ）を有する絶縁体（１０１）の上記第
    １面上に第１界面層（１０２）を形成し、 上記第１界面層上に導電体にてなる第１配線層（１０
    ３）を形成し、 上記第１界面層及び第１配線層にてなる第１導電層（１
    ０８）を閉塞材として上記第２面に開口する凹部（１０
    ６）を上記絶縁体に形成し、 上記第２面上、上記凹部、及び上記凹部の閉塞部（１０
    ６１）における上記第１界面層上に第２界面層（１０
    ４）を形成し、 上記凹部の上記閉塞部に対して上記第２面側からレーザ
    ー光を照射し、上記閉塞部における上記第２界面層及び
    上記第１界面層を除去して上記第１配線層を露出させ、 上記第２界面層上に形成され、かつ上記第１配線層と接
    合し上記第１配線層と電気的に接続される導電体にてな
    る第２配線層（１０５）を形成する、ことを特徴とする
    両面配線基板の製造方法。
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