JP2001308358A - 集積型薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 少なくとも１の結晶質光電変換ユニット層を
含む集積型薄膜太陽電池の光電変換特性をさらに改善し
得る製造方法を提供する。 【解決手段】 透明絶縁基板上で順に積層された透明電
極層、少なくとも１の結晶質半導体光電変換ユニット層
および裏面電極層が複数の光電変換セルを形成するよう
に分離溝によって分離されていてかつそれらのセルが電
気的に直列接続されており、さらに裏面電極層側が樹脂
封止層５と保護フィルム６によって覆われている集積型
薄膜太陽電池の製造方法において、封止樹脂シート５と
保護フィルム６とを裏面電極層上に積層接合するために
真空加熱圧着装置１００を利用し、その際に、真空加熱
圧着装置内の圧力が６６７Ｐａ以下にされるとともに、
基板の温度は封止樹脂シートの軟化点からその下１０℃
までの範囲内で少なくとも１秒以上保持される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は集積型薄膜太陽電池
の製造方法に関し、特に、高い光電変換効率を有する結
晶質シリコン系光電変換ユニット層を含む集積型薄膜太
陽電池の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１において、集積型薄膜太陽電池の典
型的な一例が、模式的な断面図で示されている。なお、
本願の各図において、長さや厚さなどの寸法関係は図面
の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際
の寸法関係を反映してはいない。

【０００３】図１に示されているような集積型薄膜太陽
電池１０において、基板１として、通常はガラス板が用
いられる。ガラス基板１上には、透明電極層２が形成さ
れている。この透明電極層２は、レーザスクライブによ
って形成された分離溝２ａによって、複数の光電変換セ
ルに対応する複数の透明電極に分離されている。なお、
透明電極層２としては、一般にＳｎＯ₂、ＩＴＯ（イン
ジウム錫酸化物）、ＺｎＯなどの透明導電性酸化物（Ｔ
ＣＯ）の膜またはこれらの積層が用いられ得る。

【０００４】透明電極層２上には、１以上の光電変換ユ
ニット層を含む半導体層３が形成されている。この半導
体層３も、レーザスクライブによって形成された分割溝
３ａによって、複数のセルに対応する複数の光電変換領
域に分割されている。

【０００５】半導体層３上には裏面電極層４が形成され
ており、半導体層分割溝３ａはこの裏面電極層４によっ
て埋められている。裏面電極層４も、レーザスクライブ
によって形成された分離溝４ａによって、複数のセルに
対応する複数の裏面電極に分離されている。なお、裏面
電極層４としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒなどの種々の金属
膜が用いられ得る。また、裏面電極層４は、ＴＣＯ膜と
金属膜の積層として形成されてもよい。

【０００６】図１からわかるように、集積型薄膜太陽電
池１０において、任意のセルの透明電極２はそのセルの
左側に隣接するセルの裏面電極４へ半導体層分割溝３ａ
を介して電気的に接続されている。すなわち、半導体層
分割溝３ａは接続用溝としても働き、これによって、左
右に隣接する複数のセルが直列接続されていることにな
る。このような集積型薄膜太陽電池１０の各セルにおい
て、透明電極２と裏面電極４とが重複している領域Ａが
有効発電領域となる。

【０００７】ところで、半導体層３には１以上の光電変
換ユニット層を含ませることが可能であるが、１つの光
電変換ユニットはｐ型層とｎ型層でサンドイッチされた
ｉ型層を含んでいる。光電変換ユニットの厚さの大部分
を占めるｉ型層は実質的に真性の半導体層であって、光
電変換作用は主としてこのｉ型層内で生じる。他方、ｐ
型やｎ型の導電型層は光電変換ユニット内に拡散電位を
生じさせる役割を果たし、この拡散電位の大きさによっ
て光電変換特性の１つである開放端電圧の値が左右され
る。しかし、これらの導電型層は光電変換に直接寄与し
ない不活性な層であり、導電型層にドープされた不純物
によって吸収される光は発電に寄与しない損失となる。
したがって、ｐ型とｎ型の導電型層は、十分な拡散電位
を生じさせることを前提として、できるだけ小さな厚さ
を有することが好ましい。

【０００８】このようなことから、光電変換ユニット
は、それに含まれるｐ型とｎ型の導電型層が非晶質か結
晶質かにかかわらず、その主要部を占めるｉ型の光電変
換層が非晶質のものは非晶質ユニットと称され、ｉ型層
が結晶質のものは結晶質ユニットと称される。ここで、
たとえばｉ型非晶質シリコンが光電変換し得る光の波長
は長波長側において８００ｎｍ程度までであるが、ｉ型
結晶質シリコンはそれより長い約１１００ｎｍ程度の波
長の光までを光電変換することができる。したがって、
結晶質光電変換ユニットは、非晶質光電変換ユニットに
比べて高い光電変換効率が得られるものとして期待され
ている。

【０００９】また、薄膜太陽電池の変換効率を向上させ
る方法として、２以上の光電変換ユニットを積層してタ
ンデム型にする方法がある。この方法においては、薄膜
太陽電池の光入射側に大きなエネルギバンドギャップを
有する光電変換層を含む前方ユニットを配置し、その後
ろに順に小さなバンドギャップを有する（たとえばＳｉ
Ｇｅ合金などの）光電変換層を含む後方ユニットを配置
することにより、入射光の広い波長範囲にわたって光電
変換を可能にし、これによって太陽電池全体としての光
電変換効率の向上が図られる。このようなタンデム型薄
膜太陽電池の中でも、非晶質光電変換ユニットと結晶質
光電変換ユニットを積層したものはハイブリッド薄膜太
陽電池と称される。すなわち、図１が集積型ハイブリッ
ド薄膜太陽電池を表わしている場合には、半導体層３は
順に積層された非晶質ユニットと結晶質ユニットとを含
むことになる。

【００１０】図１に示されているような集積型薄膜太陽
電池１０では、一般に、ガラス基板１と反対側の裏面
が、封止樹脂層と保護フィルムとを含む封止保護手段に
よって保護される。この封止保護手段は、薄膜太陽電池
の裏面側が外界からの物理的または化学的影響を受ける
ことによって光電変換特性が劣化することを防止するた
めのものであり、真空加熱圧着装置を用いて付与され得
る。

【００１１】図２において、真空加熱圧着装置の一例と
しての真空ラミネータが模式的な断面図で示されてい
る。この真空ラミネータ１００は下側容器１１と上側容
器１２とを含んでおり、これらは気密シール１３を介し
て互いに着脱可能である。下側容器１１と上側容器１２
とはそれぞれ吸排気ポート１１ａと１２ａを含むととも
に、上側容器１２は合成ゴム製のダイヤフラム１２ｂを
も含んでいる。このダイヤフラム１２ｂは、図示されて
いないヒータと金属板を介して加熱され得る。

【００１２】下側容器１１内には、ヒータを内蔵する載
置台１４が設けられている。載置台１４上には、図１に
示されているような薄膜太陽電池１０が配置され、その
上に封止樹脂シート（硬化剤を含む）５と保護フィルム
６が重ねられる。この状態で、気密シール１３を介して
下側容器１１と上側容器１２とが結合させられ、これら
両容器の内部が吸排気ポート１１ａと１１ｂを介してロ
ータリポンプ（図示せず）によって排気される。

【００１３】その後、載置台１４に内蔵されたヒータに
よって封止樹脂シート５が加熱され、そのシート５は軟
化・溶融させられる。この時点で吸排気ポート１２ａを
介して上側容器１２内に大気が導入され、ダイヤフラム
１２ｂは保護フィルム６上に押圧させられる。この状態
で、溶融された封止樹脂層５の硬化は、真空ラミネータ
１００内で完全に行なわしめることも可能である。しか
し、真空ラミネータ１００は高価でありかつ同時に多数
枚の薄膜太陽電池を処理できないので、封止樹脂層５が
部分的に硬化した段階で薄膜太陽電池１０が真空ラミネ
ータ１００から取出され、封止樹脂層５の完全な硬化は
複数枚の薄膜太陽電池を別途の硬化炉で同時に処理する
ことによって行なわれるのが一般的である。

【００１４】なお、封止保護手段の形成のために真空ラ
ミネータが利用される理由は、薄膜太陽電池１０の裏面
および保護フィルム６と封止樹脂層５との間に気泡が混
入することを防止するためである。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】上述のようにして製造
される集積型薄膜太陽電池において、近年ではかなり良
好な光電変換特性が得られるようになっており、既に実
用にも供されている。

【００１６】しかしながら、薄膜太陽電池においては依
然としてさらなる光電変換特性の改善が望まれており、
特に結晶質光電変換ユニット層を含む薄膜太陽電池の特
性改善が期待されている。

【００１７】そこで、本発明は、結晶質光電変換ユニッ
ト層を含む集積型薄膜太陽電池の光電変換特性をさらに
改善することができる製造方法を提供することを目的と
している。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、透明絶
縁基板上で順に積層された透明電極層、少なくとも１の
結晶質半導体光電変換ユニット層、および裏面電極層が
複数の光電変換セルを形成するように複数の分離溝によ
って分離されていて、かつそれら複数のセルが複数の接
続用溝を介して電気的に直列接続されており、さらに裏
面電極層とこれを複数の領域に分離する裏面電極分離溝
は樹脂封止層と保護フィルムとを含む封止保護手段によ
って覆われている集積型薄膜太陽電池の製造方法におい
て、封止樹脂層となるべき封止樹脂シートと保護フィル
ムとを裏面電極層上に積層接合して封止保護手段を形成
するために真空加熱圧着装置を利用し、封止保護手段を
形成する際に、真空加熱圧着装置の圧力が６６７Ｐａ以
下にされるとともに、基板の温度は封止樹脂シートの軟
化点からその下１０℃までの範囲内で少なくとも１秒以
上保持されることを特徴としている。

【００１９】封止保護手段を形成する際に、真空加熱圧
着装置内の圧力は１３３Ｐａ以下にされることがより好
ましい。

【００２０】封止保護手段を形成する際に、基板の温度
は封止樹脂シートの軟化点からその下１０℃までの範囲
内で少なくとも１０秒以上保持されることがより好まし
い。

【００２１】封止樹脂シートとしてエチレン酢酸ビニル
共重合体を利用することができ、その場合には、封止保
護手段を形成する際に基板の温度は９０〜１００℃の範
囲内で１秒以上保持されることが好ましい。

【００２２】集積型薄膜太陽電池は、透明電極層と結晶
質半導体光電変換ユニット層との間に非晶質半導体光電
変換ユニット層をさらに含む集積型ハイブリッド薄膜太
陽電池として形成され得る。

【００２３】

【発明の実施の形態】（比較例１）本発明者は、比較例
１の集積型薄膜太陽電池として、従来と同様の方法と条
件の下で図１に示されているような薄膜太陽電池１０を
作製し、その裏面には図２に示されているような真空ラ
ミネータ１００を用いて封止保護手段が付与された。こ
のとき、１０ｃｍ×１０ｃｍの面積を有するガラス基板
１が用いられ、直列接続されたセルの段数は１０段であ
った。また、透明電極層２としては厚さ約７００ｎｍの
ＳｎＯ₂層が形成され、裏面電極層４は厚さ約８０ｎｍ
のＺｎＯ層と厚さ約３００ｎｍのＡｇ層を含んでいた。

【００２４】半導体層３としては、厚さ約２．５μｍの
単一の結晶質シリコン系光電変換ユニット層のみを含む
シングル型半導体層が形成されるとともに、厚さ約２５
０ｎｍの非晶質シリコン系光電変換ユニット層と厚さ約
２．５μｍの結晶質シリコン系光電変換ユニット層とが
積層されたハイブリッド型半導体層が形成された。以
後、このようなシングル型半導体層３を含む薄膜太陽電
池をシングル薄膜太陽電池と称し、ハイブリッド型半導
体層３を含む薄膜太陽電池をハイブリッド薄膜太陽電池
と称することとする。

【００２５】封止樹脂層５としては硬化（架橋）剤を含
むエチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）が用いられ、
保護フィルム６としてはポリフッ化ビニルフィルムであ
るテドラ（登録商標）フィルムが用いられた。１２５℃
に加熱された載置台１４上に集積型薄膜太陽電池１０の
裏面上に封止樹脂シート５と保護フィルム６が重ねられ
た状態で載置され、すぐに上側容器１２で下側容器１１
を閉じた後に両容器内が排気された。その後に、１２５
℃に加熱されたダイヤフラム１２ｂで保護フィルム６を
押圧することによって、その保護フィルム６は溶融後に
硬化する封止樹脂層５によって薄膜太陽電池１０の裏面
に接合された。

【００２６】この場合に、ＥＶＡ封止樹脂シート５が溶
融し始める１００℃の温度において、下側容器１１内の
真空度は１３３３Ｐａ（１０Ｔｏｒｒ）であった。な
お、封止樹脂層５の温度は熱電対によって測定された。
その後、封止樹脂層５は、別途の硬化炉内において１４
０℃で３０分かけて硬化が完了させられた。

【００２７】このようにして作製された比較例１におけ
る集積型薄膜太陽電池について、本発明者がソーラシミ
ュレータを用いてＡＭ１．５のスペクトル分布で１００
ｍＷ／ｃｍ²のエネルギ密度の擬似太陽光を照射して光
電変換特性を測定したところ、封止保護手段が付与され
る前において、集積型シングル薄膜太陽電池の曲線因子
（ＦＦ：Fill Factor）が６９．８％で変換効率が９．
０％であり、集積型ハイブリッド薄膜太陽電池のＦＦが
７１．０％で変換効率が１０．１％であった。他方、封
止保護手段が付与された後において、集積型シングル薄
膜太陽電池と集積型ハイブリッド薄膜太陽電池のＦＦは
それぞれ７０％と７１．５％であり、光電変換特性が改
善されていることがわかった。なお、変換効率はＦＦに
比例して改善される。

【００２８】このことは、結晶質光電変換ユニット層を
含む集積型薄膜太陽電池では、真空ラミネータを用いて
付与される封止保護手段が光電変換特性の劣化防止に役
立つだけでなく、むしろ光電変換特性を改善しているこ
とを意味している。このような改善効果（以後、これを
改善効果Ｅと称する）は、１以上の非晶質光電変換ユニ
ット層のみを含む集積型薄膜太陽電池では認識されてい
なかったことである。

【００２９】本発明者が初めて見出した上述のような改
善効果Ｅの原因としては、以下のような理由を考えるこ
とができる。すなわち、改善効果Ｅは、１以上の非晶質
光電変換ユニット層のみを含む集積型薄膜太陽電池で認
識されなくて、少なくとも１の結晶質光電変換ユニット
層を含む集積型薄膜太陽電池で検知されたことからし
て、非晶質光電変換層内に比べて結晶質光電変換層内に
おいてキャリアの移動度が顕著に大きいことが関係して
いると考えられる。そして、封止保護手段が付与される
前には裏面電極分離溝４ａの側壁に吸着されている水分
などの汚染物質がキャリアのトラップまたは消滅サイト
として作用し得るので、それらの吸着物質が光電変換特
性に及ぼす影響はキャリアがその高い移動度によって裏
面電極分離溝４ａの側壁に至る確率の高い結晶質光電変
換層に対して顕著であると考えられる。

【００３０】このような状況において真空ラミネータ内
で集積型薄膜太陽電池が短時間でも減圧下で加熱されれ
ば、裏面電極分離溝４ａの側壁における吸着汚染物質の
量が減少させられると考えられる。その結果として、結
晶質光電変換層を含む集積型薄膜太陽電池に封止保護手
段を真空ラミネータを用いて付与した後には、その付与
前に比べて光電変換特性が改善させられると考えられ
る。

【００３１】以上のような本発明者が新たに見出した知
見に基づいて、以下のような種々の実施例および比較例
としての集積型薄膜太陽電池がさらに作製された。

【００３２】（実施例１）実施例１における集積型薄膜
太陽電池は、基本的に比較例１の場合と同様の方法と条
件の下で作製された。ただし、載置板の温度は９０℃に
設定され、その上で集積型薄膜太陽電池１０の裏面上に
封止樹脂シート５と保護フィルム６が重ねられて十分に
均熱化された。そして、上側容器１２で下側容器１１を
閉じた後に、両容器内が排気された。このとき用いられ
た排気系の配管は、その径を従来に比べて拡大すること
などによって排気コンダクタンスが高められていた。そ
の後に、１２５℃に加熱されたダイヤフラム１２ｂで保
護フィルム６が押圧された。その際に封止樹脂層５の温
度が９０℃から１００℃に達するまで約３０秒を要し、
その１００℃における時点で下側容器１１内の真空度は
６６７Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）に高められていた。

【００３３】こうして作製された実施例１における集積
型シングル薄膜太陽電池のＦＦは７０．１％であり、集
積型ハイブリッド薄膜太陽電池のＦＦは７２．５％であ
った。

【００３４】（実施例２）実施例２における集積型薄膜
太陽電池は、基本的に実施例１の場合と同様の方法と条
件の下で作製された。ただし、真空ラミネータを排気す
るための真空ポンプとしてはさらに排気容量の大きなロ
ータリポンプが用いられた。そして、封止樹脂層５の温
度が１００℃の時点における下側容器１１内の真空度は
１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）にさらに高められていた。

【００３５】このようにして作製された実施例２におけ
る集積型シングル薄膜太陽電池のＦＦは７０．１％であ
り、集積型ハイブリッド薄膜太陽電池のＦＦは７３．０
％であった。

【００３６】（実施例３）実施例３としての集積型薄膜
太陽電池が、基本的には実施例２の場合と同様の方法と
条件の下で作製された。ただし、実施例３においては、
載置板１４上で集積型薄膜太陽電池１０、封止樹脂シー
ト５、および保護フィルム６が９０℃に均熱化された状
態で上側容器１２で下側容器１１を閉じた後に両容器が
排気され、下側容器１１内の圧力が１３３Ｐａまで減ぜ
られた。その後、載置板１４とダイヤフラム１２ｂの両
方が１２５℃まで加熱され、そのダイヤフラム１２ｂで
保護フィルム６が押圧された。このとき、封止樹脂層５
が９０℃から１２５℃まで温度上昇するのに１８０秒を
要した。

【００３７】このような実施例３において、得られた集
積型シングル薄膜太陽電池のＦＦは７０．１％であり、
集積型ハイブリッド薄膜太陽電池のＦＦは７３．５％で
あった。

【００３８】（実施例４）実施例４の集積型薄膜太陽電
池が、基本的には実施例３の場合と同様の方法と条件の
下で作製された。ただし、８０℃に維持された載置板１
４上で集積型薄膜太陽電池１０、封止樹脂シート５、お
よび保護フィルム６が均熱化され、そして上側容器１２
で下側容器１１を閉じた後に両容器が排気され、下側容
器１１内の真空度が１３３Ｐａまで達した後に載置板１
４とダイヤフラム１２ｂが１２５℃まで加熱された。こ
のとき、封止樹脂層５が８０℃から１２５℃まで昇温す
るのに２１０秒を要した。

【００３９】こうして得られた実施例４における集積型
シングル薄膜太陽電池のＦＦは７０．１％であり、集積
型ハイブリッド薄膜太陽電池のＦＦは７２．５％であっ
た。

【００４０】（比較例２）比較例２の集積型薄膜太陽電
池が、基本的には実施例４と同様の方法と条件の下で作
製された。ただし、載置板１４の温度は１０５℃に設定
され、その上で薄膜太陽電池１０、封止樹脂シート５、
および保護フィルム６が均熱化された。そして、上側容
器１２で下側容器１１を閉じた後に両容器が排気され、
１２５℃のダイヤフラム１２ｂが保護フィルム６に押圧
させられた。このとき、封止樹脂層５の温度が１０５℃
から１２５℃まで上昇するのに１２０秒を要し、１２５
℃における下側容器１１内の真空度は１３３Ｐａであっ
た。

【００４１】こうして得られた比較例２における集積型
シングル薄膜太陽電池のＦＦは７０．０％であり、集積
型タンデム薄膜太陽電池のＦＦは７１．５％であった。

【００４２】以上のような種々の比較例と実施例との比
較から、封止保護手段が付与された集積型薄膜太陽電池
の光電変換特性をさらに改善するためには、封止樹脂シ
ート５の溶融開始温度における真空度として６６７Ｐａ
以下の低圧が求められることがわかる。また、そのよう
な真空度は封止樹脂シートの軟化点からその下１０℃ま
での範囲内において所定時間以上、少なくとも１秒以上
保持されることが求められる。すなわち、比較例２にお
いては下側容器１１内が真空にされる前に１０５℃にお
いて既に封止樹脂シート５が溶融しているので、裏面電
極分離溝４ａの側壁における吸着汚染物質の除去が十分
には行なわれ得なかったものと考えられる。

【００４３】なお、上述の比較例と実施例において封止
樹脂シート５としてＥＶＡを利用した例が説明された
が、エチレン酢酸ビニルトリアリルイソシアネート（Ｅ
ＶＡＴ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ポリイソ
ブチレン（ＰＩＢ）なども用いることができる。また、
硬化剤としては、２，５−ジメチルヘキサン−２，５−
ジヒドロペルオキシドなどを用いることができる。さら
に、保護フィルム６としては、フッ素樹脂フィルムのほ
かに、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のような
有機フィルムや、アルミ箔のような金属箱を有機フィル
ムでサンドイッチしたような複合フィルムを用いること
もできる。

【００４４】また、真空ポンプとしては、ロータリーポ
ンプに加えてメカニカルブースターポンプなどの他の種
類のポンプを併用してもよいことはいうまでもない。

【００４５】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、少なく
とも１の結晶質光電変換ユニット層を含む集積型薄膜太
陽電池の光電変換特性をさらに改善し得る製造方法を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 集積型薄膜太陽電池の典型的な一例を示す模
式的な断面図である。

【図２】 真空加熱圧着装置の一例を示す模式的な断面
図である。

【符号の説明】

１ ガラス基板、２ 透明電極層、２ａ 透明電極分離
溝、３ 半導体層、３ａ 半導体層分割溝、４ 裏面電
極層、４ａ 裏面電極分離溝、５ 封止樹脂シート、６
保護フィルム、１０ 集積型薄膜太陽電池、１１ 下
側容器、１１ａ吸排気ポート、１２ 上側容器、１２ａ
吸排気ポート、１２ｂ ダイヤフラム、１３ 気密シ
ール、１４ 載置台、１００ 真空加熱圧着装置。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明絶縁基板上で順に積層された透明電
   極層、少なくとも１の結晶質半導体光電変換ユニット
   層、および裏面電極層が複数の光電変換セルを形成する
   ように複数の分離溝によって分離されていて、かつそれ
   ら複数のセルが複数の接続用溝を介して電気的に直列接
   続されており、さらに前記裏面電極層とこれを複数の領
   域に分離する裏面電極分離溝は樹脂封止層と保護フィル
   ムとを含む封止保護手段によって覆われている集積型薄
   膜太陽電池の製造方法であって、 前記封止樹脂層となるべき封止樹脂シートと前記保護フ
   ィルムとを前記裏面電極層上に積層接合して前記封止保
   護手段を形成するために真空加熱圧着装置を利用し、 前記封止保護手段を形成する際に、前記真空加熱圧着装
   置内の圧力が６６７Ｐａ以下にされるとともに、前記基
   板の温度は前記封止樹脂シートの軟化点からその下１０
   ℃までの範囲内で少なくとも１秒以上保持されることを
   特徴とする集積型薄膜太陽電池の製造方法。
2. 【請求項２】 前記封止保護手段を形成する際に、前記
   真空加熱圧着装置内の圧力が１３３Ｐａ以下にされるこ
   とを特徴とする請求項１に記載の集積型薄膜太陽電池の
   製造方法。
3. 【請求項３】 前記封止保護手段を形成する際に、前記
   基板の温度は前記封止樹脂シートの軟化点からその下１
   ０℃までの範囲内で少なくとも１０秒以上保持されるこ
   とを特徴とする請求項１または２に記載の集積型薄膜太
   陽電池の製造方法。
4. 【請求項４】 前記封止樹脂シートはエチレン酢酸ビニ
   ル共重合体からなり、前記封止保護手段を形成する際
   に、前記基板の温度は９０〜１００℃の範囲内で１秒以
   上保持されることを特徴とする請求項１から３のいずれ
   かの項に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
5. 【請求項５】 前記集積型薄膜太陽電池は前記透明電極
   層と前記結晶質半導体光電変換ユニット層との間に非晶
   質半導体光電変換ユニット層をさらに含む集積型ハイブ
   リッド薄膜太陽電池であることを特徴とする請求項１か
   ら４のいずれかの項に記載の集積型薄膜太陽電池の製造
   方法。