JP2001297988A - 半導体製造装置の排気トラップ機構 - Google Patents
半導体製造装置の排気トラップ機構Info
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- JP2001297988A JP2001297988A JP2000112504A JP2000112504A JP2001297988A JP 2001297988 A JP2001297988 A JP 2001297988A JP 2000112504 A JP2000112504 A JP 2000112504A JP 2000112504 A JP2000112504 A JP 2000112504A JP 2001297988 A JP2001297988 A JP 2001297988A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】処理するガスの流量が多くなっても、所定領域
で十分なトラップ能力を発揮する半導体製造装置の排気
トラップ機構を提供する。 【解決手段】半導体製造装置本体１００は、拡散炉等、
ＰＯＣｌ3 （オキシ塩化リン）等、酸系の液体ソースを
使用する処理チャンバ１１を有する。排気配管１２の途
中の所定領域に第１トラップ１３と第２トラップ１４を
含む排気トラップ機構ＴＲＡＰが構成されている。第１
トラップ１３は、らせん形状管１３１と、それを取り囲
む冷却ユニット１３２が配備されている。冷却ユニット
１３２は、冷却水の供給管１５に連結している。さら
に、上記第１トラップ１３の後段には第２トラップ１４
が設けられ、第１トラップ１３で液化した酸系の排液
（例えばＰＯＣｌ3 自体または空気と反応したリン酸
液）が滴下され、それを取り込む。
で十分なトラップ能力を発揮する半導体製造装置の排気
トラップ機構を提供する。 【解決手段】半導体製造装置本体１００は、拡散炉等、
ＰＯＣｌ3 （オキシ塩化リン）等、酸系の液体ソースを
使用する処理チャンバ１１を有する。排気配管１２の途
中の所定領域に第１トラップ１３と第２トラップ１４を
含む排気トラップ機構ＴＲＡＰが構成されている。第１
トラップ１３は、らせん形状管１３１と、それを取り囲
む冷却ユニット１３２が配備されている。冷却ユニット
１３２は、冷却水の供給管１５に連結している。さら
に、上記第１トラップ１３の後段には第２トラップ１４
が設けられ、第１トラップ１３で液化した酸系の排液
（例えばＰＯＣｌ3 自体または空気と反応したリン酸
液）が滴下され、それを取り込む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に係
り、特に半導体製造装置内で生じる反応生成物のうち酸
系の処理に適用される半導体製造装置の排気トラップ機
構に関する。
り、特に半導体製造装置内で生じる反応生成物のうち酸
系の処理に適用される半導体製造装置の排気トラップ機
構に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置では、半導体素子の製造
工程（ウェハ工程）で各種のガスが扱われ、化学気相酸
化反応が利用される、このような半導体製造装置本体の
処理チャンバから化学気相酸化反応を経て発生する排ガ
スは、有害なものも含まれている。
工程（ウェハ工程）で各種のガスが扱われ、化学気相酸
化反応が利用される、このような半導体製造装置本体の
処理チャンバから化学気相酸化反応を経て発生する排ガ
スは、有害なものも含まれている。
【０００３】例えば、ウェット酸化機能、拡散機能を備
えた拡散炉などはＰＯＣｌ3 （オキシ塩化リン）等の液
体ソースを使用して高温（７００〜１０００℃）で処理
され、高温（２００℃程度）の酸系の排ガスを伴う。酸
系の排ガスは、排気配管の腐食、排気圧を制御するバル
ブの排気性能を低下させるなど半導体製造装置への悪影
響を及ぼす。よって、一般に酸系の排ガスはトラップに
より、冷却、液化され酸排水系へと導かれる。
えた拡散炉などはＰＯＣｌ3 （オキシ塩化リン）等の液
体ソースを使用して高温（７００〜１０００℃）で処理
され、高温（２００℃程度）の酸系の排ガスを伴う。酸
系の排ガスは、排気配管の腐食、排気圧を制御するバル
ブの排気性能を低下させるなど半導体製造装置への悪影
響を及ぼす。よって、一般に酸系の排ガスはトラップに
より、冷却、液化され酸排水系へと導かれる。
【０００４】上記トラップにおける排ガス液化手段は、
排ガスの排気配管途中で内部に冷却フィンを設けるもの
や、排気配管あるいはトラップに繋がる領域に冷却コイ
ル（冷却パイプ）を巻き付けるまたは管内に挿入すると
いった様々な構成がある。
排ガスの排気配管途中で内部に冷却フィンを設けるもの
や、排気配管あるいはトラップに繋がる領域に冷却コイ
ル（冷却パイプ）を巻き付けるまたは管内に挿入すると
いった様々な構成がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウェハ
の大口径化に伴い、処理するガスの流量が多くなってき
た。それに比べて排気配管トラップの構造は以前と同じ
方式がとられていた。この結果、高温で流量の多くなっ
た排ガスは十分に冷却することができずにトラップに至
ることになる。これにより、トラップで酸系の排ガスを
十分に液化することができなくなっている。
の大口径化に伴い、処理するガスの流量が多くなってき
た。それに比べて排気配管トラップの構造は以前と同じ
方式がとられていた。この結果、高温で流量の多くなっ
た排ガスは十分に冷却することができずにトラップに至
ることになる。これにより、トラップで酸系の排ガスを
十分に液化することができなくなっている。
【０００６】最悪の場合、トラップで取りきれずに排気
配管を流れる酸系のミストは配管の腐食を促進させた
り、排気圧を制御する排気制御バルブを詰まらせ、排気
性能を低下させる。従って、メンテナンスに費やす時間
が増え、スループットの低下を招くことになる。
配管を流れる酸系のミストは配管の腐食を促進させた
り、排気圧を制御する排気制御バルブを詰まらせ、排気
性能を低下させる。従って、メンテナンスに費やす時間
が増え、スループットの低下を招くことになる。
【０００７】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、処理するガスの流量が多くなっても、所定
領域で十分なトラップ能力を発揮する半導体製造装置の
排気トラップ機構を提供しようとするものである。
れたもので、処理するガスの流量が多くなっても、所定
領域で十分なトラップ能力を発揮する半導体製造装置の
排気トラップ機構を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
の排気トラップ機構は、半導体素子製造のための処理チ
ャンバ内における化学気相酸化反応に伴なって排出され
る排ガスを導く排気配管と、前記排気配管の途中の所定
領域をらせん形状とし、このらせん形状を取り囲む冷却
ユニットが配備された第１トラップと、前記排気配管の
途中において前記第１トラップの後段に設けられ液状の
反応生成物が取り込まれる第２トラップとを具備したこ
とを特徴とする。
の排気トラップ機構は、半導体素子製造のための処理チ
ャンバ内における化学気相酸化反応に伴なって排出され
る排ガスを導く排気配管と、前記排気配管の途中の所定
領域をらせん形状とし、このらせん形状を取り囲む冷却
ユニットが配備された第１トラップと、前記排気配管の
途中において前記第１トラップの後段に設けられ液状の
反応生成物が取り込まれる第２トラップとを具備したこ
とを特徴とする。
【０００９】本発明によれば、上記第１トラップにおい
て、排気配管の途中の所定領域がらせん形状になってい
る。これにより、直管に比べ排気の抵抗が大きくなると
共に排気配管の長さを稼ぎ、より多くの冷却時間を得
る。しかも冷却ユニットはらせん形状の配管を取り囲む
ように構成されるので、上記第２トラップでの排ガス冷
却効率は非常に高い。
て、排気配管の途中の所定領域がらせん形状になってい
る。これにより、直管に比べ排気の抵抗が大きくなると
共に排気配管の長さを稼ぎ、より多くの冷却時間を得
る。しかも冷却ユニットはらせん形状の配管を取り囲む
ように構成されるので、上記第２トラップでの排ガス冷
却効率は非常に高い。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態に係
る半導体製造装置の排気トラップ機構を示す概観図であ
る。半導体製造装置本体１００は、拡散炉等、ＰＯＣｌ
3 （オキシ塩化リン）等、酸系の液体ソースを使用する
処理チャンバ１１を有する。ガス排気配管１２は、チャ
ンバ１１内における反応後の排ガスを流す。すなわち、
化学気相酸化反応に伴なって排出される排ガスを導く配
管である。図示のガス排気配管１２は一部であり、図示
しないが、排ガスは最終的に除害装置等の排ガス処理系
に導かれる。
る半導体製造装置の排気トラップ機構を示す概観図であ
る。半導体製造装置本体１００は、拡散炉等、ＰＯＣｌ
3 （オキシ塩化リン）等、酸系の液体ソースを使用する
処理チャンバ１１を有する。ガス排気配管１２は、チャ
ンバ１１内における反応後の排ガスを流す。すなわち、
化学気相酸化反応に伴なって排出される排ガスを導く配
管である。図示のガス排気配管１２は一部であり、図示
しないが、排ガスは最終的に除害装置等の排ガス処理系
に導かれる。
【００１１】この実施形態では、排気配管１２の途中の
所定領域に排気トラップ機構ＴＲＡＰが構成されてい
る。排気トラップ機構ＴＲＡＰは、第１トラップ１３と
第２トラップ１４を含む。
所定領域に排気トラップ機構ＴＲＡＰが構成されてい
る。排気トラップ機構ＴＲＡＰは、第１トラップ１３と
第２トラップ１４を含む。
【００１２】第１トラップ１３は、排気配管１２の所定
領域をらせん形状とした、らせん形状管１３１を含む。
さらに、このらせん形状管１３１を取り囲むように冷却
ユニット１３２が配備されている。
領域をらせん形状とした、らせん形状管１３１を含む。
さらに、このらせん形状管１３１を取り囲むように冷却
ユニット１３２が配備されている。
【００１３】上記第１トラップ１３のらせん形状管１３
１は、一定の下向きの傾斜及びカーブを有する。これに
より、短い領域で排気配管の長さを稼ぐことができ、直
管に比べて排気の抵抗は大きくなり、反応生成物の衝突
回数が増える。従って、高温の排ガスに対し、より多く
の冷却時間が与えられる。らせん形状管１３１を含めて
排気配管１３の材料は、例えば高温に耐える石英管であ
る。
１は、一定の下向きの傾斜及びカーブを有する。これに
より、短い領域で排気配管の長さを稼ぐことができ、直
管に比べて排気の抵抗は大きくなり、反応生成物の衝突
回数が増える。従って、高温の排ガスに対し、より多く
の冷却時間が与えられる。らせん形状管１３１を含めて
排気配管１３の材料は、例えば高温に耐える石英管であ
る。
【００１４】上記第１トラップ１３における冷却ユニッ
ト１３２は、上記らせん形状管１３１の領域をまとめて
囲う例えば円筒または直方体の容器である。この冷却ユ
ニット１３２は、冷却水の給排水管１５に連結してい
る。冷却水は例えばこの半導体製造装置が含まれる半導
体製造プラントの用力で賄われており、循環するように
なっていてもよい。冷却ユニット１３２の材料はたとえ
ばテフロン（登録商標）である。
ト１３２は、上記らせん形状管１３１の領域をまとめて
囲う例えば円筒または直方体の容器である。この冷却ユ
ニット１３２は、冷却水の給排水管１５に連結してい
る。冷却水は例えばこの半導体製造装置が含まれる半導
体製造プラントの用力で賄われており、循環するように
なっていてもよい。冷却ユニット１３２の材料はたとえ
ばテフロン（登録商標）である。
【００１５】この実施形態では、さらに上記第１トラッ
プ１３の後段に液状の反応生成物が取り込まれる第２ト
ラップ１４が設けられている。この第２のトラップ１４
は、第１トラップ１３で液化した酸系の排液（例えばＰ
ＯＣｌ3 自体または空気と反応したリン酸液）が滴下さ
れ、それを取り込む。また、第１トラップ１３を介した
排気が第２のトラップ１４で液化（リン酸液など）さ
れ、それを取り込む。
プ１３の後段に液状の反応生成物が取り込まれる第２ト
ラップ１４が設けられている。この第２のトラップ１４
は、第１トラップ１３で液化した酸系の排液（例えばＰ
ＯＣｌ3 自体または空気と反応したリン酸液）が滴下さ
れ、それを取り込む。また、第１トラップ１３を介した
排気が第２のトラップ１４で液化（リン酸液など）さ
れ、それを取り込む。
【００１６】上記第２トラップ１４は、上部で排気用配
管口１６に連結され、さらに、下部で酸排水系に導かれ
る回収用配管口１７に連結されている。この第２のトラ
ップの材料も例えば石英であり、内壁に冷却フィン１４
１を設けていてもよい。
管口１６に連結され、さらに、下部で酸排水系に導かれ
る回収用配管口１７に連結されている。この第２のトラ
ップの材料も例えば石英であり、内壁に冷却フィン１４
１を設けていてもよい。
【００１７】上記構成によれば、処理チャンバ１１から
排気される２００℃程度の酸系の排ガスが第１トラップ
１３でほとんど液化される。すなわち、上記第１トラッ
プ１３のらせん形状管１３１は、一定の下向きの傾斜と
カーブを有し、かつ、その壁面は冷却ユニット１３２に
より効率良く冷却される。
排気される２００℃程度の酸系の排ガスが第１トラップ
１３でほとんど液化される。すなわち、上記第１トラッ
プ１３のらせん形状管１３１は、一定の下向きの傾斜と
カーブを有し、かつ、その壁面は冷却ユニット１３２に
より効率良く冷却される。
【００１８】これにより、液化した酸系の排液はほとん
ど第２トラップ１４へ滴下され、排気用配管口１６への
流入が防止される。また、第２トラップ１４に冷却フィ
ン１４１を設ければ、第２トラップ１４での排気流れに
対して副生成物のトラップ効率をも向上させることがで
きる。この結果、ウェハが大口径化され、処理するガス
の流量が多くなったとしても、トラップ能力は十分維持
できる。
ど第２トラップ１４へ滴下され、排気用配管口１６への
流入が防止される。また、第２トラップ１４に冷却フィ
ン１４１を設ければ、第２トラップ１４での排気流れに
対して副生成物のトラップ効率をも向上させることがで
きる。この結果、ウェハが大口径化され、処理するガス
の流量が多くなったとしても、トラップ能力は十分維持
できる。
【００１９】図２は、図１の排気トラップ機構を縦型拡
散炉に適用した概略図である。複数のウェハＷＦを収容
する炉心管（処理チャンバ）２１は、外周囲にヒータ２
２が設置され、ガス導入管２３から反応ガス、キャリア
ガスを導入する。排気配管２４は、排気コントローラ２
５等で排気制御され、炉心管２１内の反応生成物をキャ
リアガスと共に排出する。排気配管２４途中に本発明の
トラップ機構ＴＲＡＰが配備されている。ここでのトラ
ップ機構ＴＲＡＰも、図１のトラップ機構ＴＲＡＰと同
様の構成であるので、図１を参照する。
散炉に適用した概略図である。複数のウェハＷＦを収容
する炉心管（処理チャンバ）２１は、外周囲にヒータ２
２が設置され、ガス導入管２３から反応ガス、キャリア
ガスを導入する。排気配管２４は、排気コントローラ２
５等で排気制御され、炉心管２１内の反応生成物をキャ
リアガスと共に排出する。排気配管２４途中に本発明の
トラップ機構ＴＲＡＰが配備されている。ここでのトラ
ップ機構ＴＲＡＰも、図１のトラップ機構ＴＲＡＰと同
様の構成であるので、図１を参照する。
【００２０】トラップ機構については、第１トラップ１
３、第２トラップ１４とも、メンテナンス時にはその部
分だけ別に新しいものあるいはメンテナンス（清掃）済
みのものと交換できるようになっている。これにより、
半導体製造装置のスループットへの影響が少ない。
３、第２トラップ１４とも、メンテナンス時にはその部
分だけ別に新しいものあるいはメンテナンス（清掃）済
みのものと交換できるようになっている。これにより、
半導体製造装置のスループットへの影響が少ない。
【００２１】また、処理するガスによっては、第１トラ
ップ１３におけるらせん形状管１３１の巻き数（らせん
回数）を変えたり管の太さを変えたりして、同じ所定領
域において、扱う排ガスに適合したトラップ機構ＴＲＡ
Ｐを配備することができる。これにより、常に高信頼性
の状態が維持できる。
ップ１３におけるらせん形状管１３１の巻き数（らせん
回数）を変えたり管の太さを変えたりして、同じ所定領
域において、扱う排ガスに適合したトラップ機構ＴＲＡ
Ｐを配備することができる。これにより、常に高信頼性
の状態が維持できる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、第
１、第２のトラップを設けている。第１トラップにおい
て、排気配管の途中の所定領域をらせん形状とし、排気
配管の長さを稼ぎ、狭い領域で長い冷却時間を得ること
ができる。しかも、冷却ユニットによりらせん形状の配
管を取り囲むように構成しているので、第２トラップで
の排ガス冷却効率は非常に高いものとなる。また、メン
テナンスはユニット毎の交換と、清掃による繰り返し使
用を可能とすることで、メンテナンスの容易性、経済性
に寄与する。この結果、処理するガスの流量が多くなっ
ても、所定領域で十分なトラップ能力を発揮する半導体
製造装置の排気トラップ機構を提供することができる。
１、第２のトラップを設けている。第１トラップにおい
て、排気配管の途中の所定領域をらせん形状とし、排気
配管の長さを稼ぎ、狭い領域で長い冷却時間を得ること
ができる。しかも、冷却ユニットによりらせん形状の配
管を取り囲むように構成しているので、第２トラップで
の排ガス冷却効率は非常に高いものとなる。また、メン
テナンスはユニット毎の交換と、清掃による繰り返し使
用を可能とすることで、メンテナンスの容易性、経済性
に寄与する。この結果、処理するガスの流量が多くなっ
ても、所定領域で十分なトラップ能力を発揮する半導体
製造装置の排気トラップ機構を提供することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の排
気トラップ機構を示す概観図である。
気トラップ機構を示す概観図である。
【図２】図１の排気トラップ機構を縦型拡散炉に適用し
た概略図である。
た概略図である。
１００…半導体製造装置本体 １１…製造チャンバ １２…ガス排気配管 １３…排ガス処理機構 １３…第１トラップ １３１…らせん形状管 １３２…冷却ユニット １４…第２トラップ １４１…冷却フィン １５…冷却水の供給管 １６…排気用配管口 １７…回収用配管口 ２１…炉心管（処理チャンバ） ２２…ヒーター ２３…ガス導入管 ２４…排気配管 ２５…排気コントローラ ＴＲＡＰ…トラップ機構 ＷＦ…ウェハ
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子製造のための処理チャンバ内
における化学気相酸化反応に伴なって排出される排ガス
を導く排気配管と、 前記排気配管の途中の所定領域をらせん形状管とし、こ
のらせん形状管を取り囲む冷却ユニットが配備された第
１トラップと、 前記排気配管の途中において前記第１トラップの後段に
設けられ液状の反応生成物が取り込まれる第２トラップ
と、を具備したことを特徴とする半導体製造装置の排気
トラップ機構。 - 【請求項２】 前記第１トラップにおける冷却ユニット
は、内部に冷却水が供給されることを特徴とする請求項
１記載の半導体製造装置の排気トラップ機構。 - 【請求項３】 前記冷却ユニットへの冷却水の供給は、
この半導体製造装置が含まれるプラントの用力で賄われ
ていることを特徴とする請求項２記載の半導体製造装置
の排気トラップ機構。 - 【請求項４】 前記第２トラップは、その上部で排気用
配管口に、かつ、その下部で回収用配管口に連結されて
いることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置の
排気トラップ機構。 - 【請求項５】 前記第２トラップは、内壁に冷却フィン
が設けられていることを特徴とする請求項４記載の半導
体製造装置の排気トラップ機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000112504A JP2001297988A (ja) | 2000-04-13 | 2000-04-13 | 半導体製造装置の排気トラップ機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000112504A JP2001297988A (ja) | 2000-04-13 | 2000-04-13 | 半導体製造装置の排気トラップ機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001297988A true JP2001297988A (ja) | 2001-10-26 |
Family
ID=18624660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000112504A Withdrawn JP2001297988A (ja) | 2000-04-13 | 2000-04-13 | 半導体製造装置の排気トラップ機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001297988A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004358407A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 排気系のトラップ構造及び補助トラップ並びに排気系における排気トラップの捕集効率を高める方法 |
| KR100629261B1 (ko) | 2004-07-14 | 2006-09-29 | 삼성전자주식회사 | 파티클응착장치를 갖는 반도체 제조설비 |
| JP2009016635A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| KR100901479B1 (ko) | 2007-10-08 | 2009-06-08 | 세메스 주식회사 | 가스 배기 장치 |
| CN103088429A (zh) * | 2013-01-17 | 2013-05-08 | 陈功 | 一种磷扩散炉的三氯氧磷排除方法 |
| KR20140138186A (ko) | 2012-03-29 | 2014-12-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 트랩 기구, 배기계 및 성막 장치 |
| JP2015211169A (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-24 | 三菱電機株式会社 | 不純物拡散装置 |
| CN105194949A (zh) * | 2015-09-28 | 2015-12-30 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种用于减压扩散炉的尾气真空除酸过滤器 |
| CN108344825A (zh) * | 2018-02-02 | 2018-07-31 | 上海东化环境工程有限公司 | 气体收集器及其收集系统、丙烯催化氧化产物的分析方法 |
-
2000
- 2000-04-13 JP JP2000112504A patent/JP2001297988A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2004358407A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 排気系のトラップ構造及び補助トラップ並びに排気系における排気トラップの捕集効率を高める方法 |
| KR100629261B1 (ko) | 2004-07-14 | 2006-09-29 | 삼성전자주식회사 | 파티클응착장치를 갖는 반도체 제조설비 |
| JP2009016635A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| KR100901479B1 (ko) | 2007-10-08 | 2009-06-08 | 세메스 주식회사 | 가스 배기 장치 |
| KR20140138186A (ko) | 2012-03-29 | 2014-12-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 트랩 기구, 배기계 및 성막 장치 |
| US10036090B2 (en) | 2012-03-29 | 2018-07-31 | Tokyo Electron Limited | Trap mechanism, exhaust system, and film formation device |
| CN103088429A (zh) * | 2013-01-17 | 2013-05-08 | 陈功 | 一种磷扩散炉的三氯氧磷排除方法 |
| JP2015211169A (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-24 | 三菱電機株式会社 | 不純物拡散装置 |
| CN105194949A (zh) * | 2015-09-28 | 2015-12-30 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种用于减压扩散炉的尾气真空除酸过滤器 |
| CN108344825A (zh) * | 2018-02-02 | 2018-07-31 | 上海东化环境工程有限公司 | 气体收集器及其收集系统、丙烯催化氧化产物的分析方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070703 |