JP2001295033A - Ｎｉ−Ｐ系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
Ｎｉ−Ｐ系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法Info
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- JP2001295033A JP2001295033A JP2000105070A JP2000105070A JP2001295033A JP 2001295033 A JP2001295033 A JP 2001295033A JP 2000105070 A JP2000105070 A JP 2000105070A JP 2000105070 A JP2000105070 A JP 2000105070A JP 2001295033 A JP2001295033 A JP 2001295033A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ハードディスクのシード膜等の硬質層形成に
用いられるＮｉ−Ｐ系スパッタリング用ターゲットおよ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ＮｉとＰとを主要成分とし、あらかじめ
合金化された粉末が焼結した組織を有するＮｉ−Ｐ系ス
パッタリング用ターゲットであって、ターゲットミクロ
組織中に確認される前記粉末を起源とする粉末痕跡相の
最大粒径１００μｍ以下、含有酸素量３００ｐｐｍ以下
であるＮｉ−Ｐ系スパッタリング用ターゲット。
用いられるＮｉ−Ｐ系スパッタリング用ターゲットおよ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ＮｉとＰとを主要成分とし、あらかじめ
合金化された粉末が焼結した組織を有するＮｉ−Ｐ系ス
パッタリング用ターゲットであって、ターゲットミクロ
組織中に確認される前記粉末を起源とする粉末痕跡相の
最大粒径１００μｍ以下、含有酸素量３００ｐｐｍ以下
であるＮｉ−Ｐ系スパッタリング用ターゲット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスクの
シード膜等の硬質層形成に用いられるＮｉ−Ｐ系スパッ
タリング用ターゲットおよびその製造方法に関するもの
である。
シード膜等の硬質層形成に用いられるＮｉ−Ｐ系スパッ
タリング用ターゲットおよびその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの外部記録媒体として使用
されるハードディスクなどの磁気記録媒体は、Ａｌ上に
ＮｉとＰで構成される硬質層を設けた後、メカニカルな
方法でテクスチャーを施した基板あるいはセラミックス
などの基板の上に、磁性薄膜の磁化容易軸を揃えること
のできるＣｒ合金等の下地膜、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ
などの磁性薄膜、潤滑層となるカーボン膜の順で積層し
た構造を有するものである。一方、ハードディスクは、
小型化等に伴なって、平滑性の優れたガラス基板を用い
たハードディスクが提案されている。従来硬質であるガ
ラス基板を用いる場合、硬質なＮｉ−Ｐ膜を特に必要と
せず、結晶粒径と配向性の制御のためにＡｌ合金等の薄
膜をシード膜に用い、磁気等方性媒体として製造されて
いた。
されるハードディスクなどの磁気記録媒体は、Ａｌ上に
ＮｉとＰで構成される硬質層を設けた後、メカニカルな
方法でテクスチャーを施した基板あるいはセラミックス
などの基板の上に、磁性薄膜の磁化容易軸を揃えること
のできるＣｒ合金等の下地膜、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ
などの磁性薄膜、潤滑層となるカーボン膜の順で積層し
た構造を有するものである。一方、ハードディスクは、
小型化等に伴なって、平滑性の優れたガラス基板を用い
たハードディスクが提案されている。従来硬質であるガ
ラス基板を用いる場合、硬質なＮｉ−Ｐ膜を特に必要と
せず、結晶粒径と配向性の制御のためにＡｌ合金等の薄
膜をシード膜に用い、磁気等方性媒体として製造されて
いた。
【０００３】最近、高い磁気特性、小さいビットシフ
ト、高い解像度、低いノイズおよびディスク全面にわた
る高い均一性を目的として、ガラス基板を用いたハード
ディスクでもＮｉ−Ｐ膜のアモルファス膜の性質を利用
してスパッタリングにより形成した後、メカニカルな方
法でテクスチャー加工を施すことにより磁気異方性媒体
としたハードディスクが製造されるようになってきた。
このＮｉ−Ｐ膜を形成するためのスパッタリング用ター
ゲットとしては、Ｐの蒸気圧が大きいために、溶解−鋳
造法では主成分の１つであるＰの組成制御が難しいこと
から、粉末焼結法を用いて製造されたものが主流であ
る。
ト、高い解像度、低いノイズおよびディスク全面にわた
る高い均一性を目的として、ガラス基板を用いたハード
ディスクでもＮｉ−Ｐ膜のアモルファス膜の性質を利用
してスパッタリングにより形成した後、メカニカルな方
法でテクスチャー加工を施すことにより磁気異方性媒体
としたハードディスクが製造されるようになってきた。
このＮｉ−Ｐ膜を形成するためのスパッタリング用ター
ゲットとしては、Ｐの蒸気圧が大きいために、溶解−鋳
造法では主成分の１つであるＰの組成制御が難しいこと
から、粉末焼結法を用いて製造されたものが主流であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】最近のハードディスク
では記録容量の増大化に対応するため、磁気ヘッドと回
転中のハードディスクをより接近させる必要があるが、
その膜中に異物が有ると膜に凹凸ができ、ヘッドが膜に
衝突したり、ヘッドの浮上量が変動したりして記録再生
時にエラーが発生するという問題が発生した。本発明は
異物の発生を抑制したＮｉ−Ｐ系スパッタリング用ター
ゲットとその製造方法を提供することを目的とする。
では記録容量の増大化に対応するため、磁気ヘッドと回
転中のハードディスクをより接近させる必要があるが、
その膜中に異物が有ると膜に凹凸ができ、ヘッドが膜に
衝突したり、ヘッドの浮上量が変動したりして記録再生
時にエラーが発生するという問題が発生した。本発明は
異物の発生を抑制したＮｉ−Ｐ系スパッタリング用ター
ゲットとその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者が検討したとこ
ろ、ハードディスクに発生する凹凸に起因するＮｉ−Ｐ
系膜中の異物の発生は、スパッタリング中にターゲット
から発生する巨大粒子がその原因の一つであることを確
認した。そして、更なる検討の結果、スパッタリング用
ターゲツトのミクロ組織の最適化と酸素量の低減化の相
乗効果により、Ｎｉ−Ｐ系膜中の異物を著しく抑制でき
ることを見いだした。
ろ、ハードディスクに発生する凹凸に起因するＮｉ−Ｐ
系膜中の異物の発生は、スパッタリング中にターゲット
から発生する巨大粒子がその原因の一つであることを確
認した。そして、更なる検討の結果、スパッタリング用
ターゲツトのミクロ組織の最適化と酸素量の低減化の相
乗効果により、Ｎｉ−Ｐ系膜中の異物を著しく抑制でき
ることを見いだした。
【０００６】すなわち、本発明は、ＮｉとＰとを主要成
分とし、あらかじめ合金化された粉末が焼結した組織を
有するＮｉ−Ｐ系スパッタリング用ターゲットであっ
て、ターゲットミクロ組織中に確認される前記粉末を起
源とする粉末痕跡相の最大粒径１００μｍ以下、含有酸
素量３００ｐｐｍ以下であるＮｉ−Ｐ系スパッタリング
用ターゲットである。
分とし、あらかじめ合金化された粉末が焼結した組織を
有するＮｉ−Ｐ系スパッタリング用ターゲットであっ
て、ターゲットミクロ組織中に確認される前記粉末を起
源とする粉末痕跡相の最大粒径１００μｍ以下、含有酸
素量３００ｐｐｍ以下であるＮｉ−Ｐ系スパッタリング
用ターゲットである。
【０００７】本発明のターゲットは、例えば、ＮｉとＰ
とを主要成分とするガスアトマイズ粉末を得た後、得ら
れたガスアトマイズ粉末を、分級および／または粉砕に
より最大粒径１００μｍ以下とし、次いで加圧焼結する
ことによって得ることができる。
とを主要成分とするガスアトマイズ粉末を得た後、得ら
れたガスアトマイズ粉末を、分級および／または粉砕に
より最大粒径１００μｍ以下とし、次いで加圧焼結する
ことによって得ることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】上述したように、本発明の特徴
は、スパッタリング用ターゲツトのミクロ組織の最適化
と酸素量の低減化の相乗効果により、Ｎｉ−Ｐ系膜中の
異物を著しく抑制できたことにある。
は、スパッタリング用ターゲツトのミクロ組織の最適化
と酸素量の低減化の相乗効果により、Ｎｉ−Ｐ系膜中の
異物を著しく抑制できたことにある。
【０００９】以下詳しく説明する。本発明者は、焼結し
たＮｉ−Ｐ系ターゲットの異物の発生を詳細に検討した
ところ、スパッタリング期間中にターゲットのエロージ
ョン領域に凹凸が発生し、それが大きい場合、形成する
薄膜上に異物が多く発生することを確認した。そして、
ターゲットのエロージョン領域の凹凸の発生が、焼結す
る原料粉末の粒径、およびターゲット中に含有される酸
素量に依存することを突き止めた。具体的には、ターゲ
ットミクロ組織中に確認される原料粉末を起源とする粉
末痕跡相の最大粒径１００μｍ以下、含有酸素量３００
ｐｐｍ以下とすると、ターゲットのエロージョン部の表
面粗さが１０μｍＲｍａｘより細かくなり、異物の発生
が抑制できる。
たＮｉ−Ｐ系ターゲットの異物の発生を詳細に検討した
ところ、スパッタリング期間中にターゲットのエロージ
ョン領域に凹凸が発生し、それが大きい場合、形成する
薄膜上に異物が多く発生することを確認した。そして、
ターゲットのエロージョン領域の凹凸の発生が、焼結す
る原料粉末の粒径、およびターゲット中に含有される酸
素量に依存することを突き止めた。具体的には、ターゲ
ットミクロ組織中に確認される原料粉末を起源とする粉
末痕跡相の最大粒径１００μｍ以下、含有酸素量３００
ｐｐｍ以下とすると、ターゲットのエロージョン部の表
面粗さが１０μｍＲｍａｘより細かくなり、異物の発生
が抑制できる。
【００１０】粉末痕跡相の最大粒径を小さくすると、タ
ーゲットに発生する凹凸が減少する理由は、粉末を小さ
くすることにより、スパッタリングの方向性に影響する
結晶方位の影響が少なくなるためと考えられる。また、
酸素量を低減することで、ターゲットに発生する凹凸が
減少する理由は、Ｐは非常に酸化し易く、酸化物の部分
は他の部分よりスパッタイールドが低いことから突起を
形成しやすくなってしまうためと考えられる。
ーゲットに発生する凹凸が減少する理由は、粉末を小さ
くすることにより、スパッタリングの方向性に影響する
結晶方位の影響が少なくなるためと考えられる。また、
酸素量を低減することで、ターゲットに発生する凹凸が
減少する理由は、Ｐは非常に酸化し易く、酸化物の部分
は他の部分よりスパッタイールドが低いことから突起を
形成しやすくなってしまうためと考えられる。
【００１１】また、本発明のターゲットにおいて、その
密度は９５％以上の高密度品であることが、表面粗さの
粗大化抑制、異物発生の抑制の点で望ましい。本発明の
ターゲットを製造する場合には、原料粉末表面に吸着酸
素、酸化膜が存在して焼結が阻害され圧密が困難化する
場合がある。この場合ＨＩＰやホットプレス等により加
圧下で焼結することが好ましい。
密度は９５％以上の高密度品であることが、表面粗さの
粗大化抑制、異物発生の抑制の点で望ましい。本発明の
ターゲットを製造する場合には、原料粉末表面に吸着酸
素、酸化膜が存在して焼結が阻害され圧密が困難化する
場合がある。この場合ＨＩＰやホットプレス等により加
圧下で焼結することが好ましい。
【００１２】本発明のターゲットの製造方法において、
原料粉末は、ガスアトマイズ法などの急冷粉末をそのま
ま、または分級あるいは機械的粉砕さらにその組み合わ
せを併用することで実質的最大粒径１００μｍ以下、含
有酸素量３００ｐｐｍ以下とされる。
原料粉末は、ガスアトマイズ法などの急冷粉末をそのま
ま、または分級あるいは機械的粉砕さらにその組み合わ
せを併用することで実質的最大粒径１００μｍ以下、含
有酸素量３００ｐｐｍ以下とされる。
【００１３】本発明では、酸素量が３００ｐｐｍを超え
なければ鋳造インゴットを粉砕する方法などで製造する
ことも可能であるが、粉砕時の酸素増加が著しいため、
好ましくはガスアトマイズ法により原料粉末を製造す
る。上記の機械的粉砕は、ガスアトマイズ後の粉末また
は塊を、ボールミル、アトライター、遊星ボールミル、
振動ボールミル等により機械的に行なうとよい。ただ
し、粉砕中の酸素吸着による酸素含有量の増加を防ぐた
めに、真空中あるいはアルゴンガス等の不活性ガス雰囲
気中で行なうことが好ましい。
なければ鋳造インゴットを粉砕する方法などで製造する
ことも可能であるが、粉砕時の酸素増加が著しいため、
好ましくはガスアトマイズ法により原料粉末を製造す
る。上記の機械的粉砕は、ガスアトマイズ後の粉末また
は塊を、ボールミル、アトライター、遊星ボールミル、
振動ボールミル等により機械的に行なうとよい。ただ
し、粉砕中の酸素吸着による酸素含有量の増加を防ぐた
めに、真空中あるいはアルゴンガス等の不活性ガス雰囲
気中で行なうことが好ましい。
【００１４】焼結温度は、混合粉末が焼結中に液相を発
現しない温度であることが好ましい。好ましくは、共晶
温度より３０℃低い温度（共晶温度−３０℃）以下とす
る。これは、液相発現温度を局部的にも越えると、ホッ
トプレスのダイやＨＩＰの鉄製等の缶とＮｉやＰが反応
してターゲットが汚染される恐れがあるためである。ま
た、組織、組成分布の不均一性に基づく密度むらや局部
的な脆化の発生防止の観点からも固相焼結が好ましい。
現しない温度であることが好ましい。好ましくは、共晶
温度より３０℃低い温度（共晶温度−３０℃）以下とす
る。これは、液相発現温度を局部的にも越えると、ホッ
トプレスのダイやＨＩＰの鉄製等の缶とＮｉやＰが反応
してターゲットが汚染される恐れがあるためである。ま
た、組織、組成分布の不均一性に基づく密度むらや局部
的な脆化の発生防止の観点からも固相焼結が好ましい。
【００１５】
【実施の実施の形態】（実施例１）アトマイズ法により
８０Ｎｉ２０Ｐ（ａｔ％）の最大粒径１００μｍ、酸素
含有量１２０ｐｐmの合金原料粉末を得た。得られた粉
末を軟鉄製のＨＩＰ用の缶に充填し、１２０ＭＰａ、８
４０℃の条件でＨＩＰを行い、得られた焼結体を機械加
工によりφ１８０ｍｍ×１０ｍｍｔのターゲットとした
（試料Ｎｏ．１）。なお、酸素含有量は、ＨＩＰ焼結処
理で殆ど変化しないことが確認されている。
８０Ｎｉ２０Ｐ（ａｔ％）の最大粒径１００μｍ、酸素
含有量１２０ｐｐmの合金原料粉末を得た。得られた粉
末を軟鉄製のＨＩＰ用の缶に充填し、１２０ＭＰａ、８
４０℃の条件でＨＩＰを行い、得られた焼結体を機械加
工によりφ１８０ｍｍ×１０ｍｍｔのターゲットとした
（試料Ｎｏ．１）。なお、酸素含有量は、ＨＩＰ焼結処
理で殆ど変化しないことが確認されている。
【００１６】比較例１として、アトマイズ法により８０
Ｎｉ２０Ｐ（ａｔ％）の最大粒径２５０μｍ、酸素含有
量６０ｐｐｍの合金原料粉末を得た。この粉末を上記と
同様にＨＩＰを施し、機械加工により同一寸法のターゲ
ットとした（試料Ｎｏ．２)。比較例２として、Ｎｉと
Ｐの粉末を８０Ｎｉ２０Ｐ（ａｔ％）となるようにに調
合し、Ｖ型ブレンダーで混合した後、Ｎ２雰囲気炉にて
８００℃で１２時間加熱し合金仮焼結体を得た。この仮
焼結体を粗粉砕後ボールミルに移し、ボールミル内をア
ルゴンガスで置換し、２時間粉砕して最大粒径１００μ
ｍの合金原料粉末を得た。該粉末の酸素含有量は２６０
０ｐｐmであった。この粉末を上記と同様にＨＩＰ処理
を施し、機械加工により同一寸法のターゲットとした
（試料Ｎｏ．３）。
Ｎｉ２０Ｐ（ａｔ％）の最大粒径２５０μｍ、酸素含有
量６０ｐｐｍの合金原料粉末を得た。この粉末を上記と
同様にＨＩＰを施し、機械加工により同一寸法のターゲ
ットとした（試料Ｎｏ．２)。比較例２として、Ｎｉと
Ｐの粉末を８０Ｎｉ２０Ｐ（ａｔ％）となるようにに調
合し、Ｖ型ブレンダーで混合した後、Ｎ２雰囲気炉にて
８００℃で１２時間加熱し合金仮焼結体を得た。この仮
焼結体を粗粉砕後ボールミルに移し、ボールミル内をア
ルゴンガスで置換し、２時間粉砕して最大粒径１００μ
ｍの合金原料粉末を得た。該粉末の酸素含有量は２６０
０ｐｐmであった。この粉末を上記と同様にＨＩＰ処理
を施し、機械加工により同一寸法のターゲットとした
（試料Ｎｏ．３）。
【００１７】また、本発明例としてアトマイズ法により
８０Ｎｉ２０Ｐ（ａｔ％）の最大粒径２５０μｍ、酸素
含有量１２０ｐｐｍの合金原料粉末を得、ボールミルに
移し、ボールミル内をアルゴンガスで置換して２時間粉
砕して最大粒径７５μｍ、酸素含有量２００ｐｐｍの合
金原料粉末を得た。この粉末を上記と同様にＨＩＰ処理
を施し、機械加工により同一寸法のターゲットとした
（試料Ｎｏ．４)。
８０Ｎｉ２０Ｐ（ａｔ％）の最大粒径２５０μｍ、酸素
含有量１２０ｐｐｍの合金原料粉末を得、ボールミルに
移し、ボールミル内をアルゴンガスで置換して２時間粉
砕して最大粒径７５μｍ、酸素含有量２００ｐｐｍの合
金原料粉末を得た。この粉末を上記と同様にＨＩＰ処理
を施し、機械加工により同一寸法のターゲットとした
（試料Ｎｏ．４)。
【００１８】以上によって得られた４種のターゲットの
顕微鏡観察写真（倍率１００倍）を図１〜４に示す。各
写真において、黒い斑点はポアまたは酸化物、暗い灰色
の部分はＮｉ３Ｐ（化合物）相、灰色の部分は金属Ｎｉ
相である。なお、これらの写真中で酸化物は、主にＰ酸
化物である。これらの写真から、粉末痕跡相を確認し
た。粉末痕跡相は、これらの図から確認できるもので原
料粉末の痕跡であり、実施例では、実質的に原料粉末の
粒径と同じであった。
顕微鏡観察写真（倍率１００倍）を図１〜４に示す。各
写真において、黒い斑点はポアまたは酸化物、暗い灰色
の部分はＮｉ３Ｐ（化合物）相、灰色の部分は金属Ｎｉ
相である。なお、これらの写真中で酸化物は、主にＰ酸
化物である。これらの写真から、粉末痕跡相を確認し
た。粉末痕跡相は、これらの図から確認できるもので原
料粉末の痕跡であり、実施例では、実質的に原料粉末の
粒径と同じであった。
【００１９】なお、本発明品である試料Ｎｏ．１は、ア
トマイズ時の急冷により細かく入り組んだ化合物相と金
属Ｎｉ相からなる粒子が、全体的に相互にポアを生ずる
ことなく結合している。本発明品である試料Ｎｏ．４は
含有酸素がやや多いため、粉砕粒子間に微細なポアを残
留しているが、その量は許容できる程度である。
トマイズ時の急冷により細かく入り組んだ化合物相と金
属Ｎｉ相からなる粒子が、全体的に相互にポアを生ずる
ことなく結合している。本発明品である試料Ｎｏ．４は
含有酸素がやや多いため、粉砕粒子間に微細なポアを残
留しているが、その量は許容できる程度である。
【００２０】比較例である試料Ｎｏ．２は、原料粉の含
有酸素量自体は低いが、組織中のアトマイズ粒が大径で
あり、かつ大粒のため粒間に大きなポアを残留してい
る。この大径粒であり、また大きなポアを残留している
ため、スパッタリングに供された時その面は表面粗さが
粗く、かつ突起物を有するものとなり、膜中に異物を発
生し易くなる。比較例である試料Ｎｏ．３は、原料粉の
含有有酸素量が高いため無数の酸化物を含有しており、
スパッタリングに供された時その面には多数の突起物を
有するものとなり、膜中に異物を発生し易くなる。
有酸素量自体は低いが、組織中のアトマイズ粒が大径で
あり、かつ大粒のため粒間に大きなポアを残留してい
る。この大径粒であり、また大きなポアを残留している
ため、スパッタリングに供された時その面は表面粗さが
粗く、かつ突起物を有するものとなり、膜中に異物を発
生し易くなる。比較例である試料Ｎｏ．３は、原料粉の
含有有酸素量が高いため無数の酸化物を含有しており、
スパッタリングに供された時その面には多数の突起物を
有するものとなり、膜中に異物を発生し易くなる。
【００２１】またＥＰＭＡにて酸化物を確認したが、本
発明品である試料Ｎｏ．１と試料Ｎｏ．４は粒径も細か
く酸化物もほとんどなかった。試料Ｎｏ．２は酸化物は
ほとんど無く、試料Ｎｏ．３は細かいが酸化物が多数残
存していた。
発明品である試料Ｎｏ．１と試料Ｎｏ．４は粒径も細か
く酸化物もほとんどなかった。試料Ｎｏ．２は酸化物は
ほとんど無く、試料Ｎｏ．３は細かいが酸化物が多数残
存していた。
【００２２】これらのターゲットを用いて２．５インチ
ガラス基板上にスパッタリングにより薄膜を形成する工
程を含む処理によりハードディスクを製作し、グライド
ヘッドにて凸欠陥の確認および表面粗さテストを行っ
た。以上の結果を表１にまとめて示す。但し、比較例は
針形触針のみで止め、本発明は針形およびおの形の両方
により、値の大きい方を記載した。表１から、本発明の
ターゲットＮｏ．１および４は、スパッタリング表面の
表面粗さが両触針とも１０μｍＲｍａｘ以下であり、グ
ライドヘッドによる凸欠陥が皆無であることが解る。
ガラス基板上にスパッタリングにより薄膜を形成する工
程を含む処理によりハードディスクを製作し、グライド
ヘッドにて凸欠陥の確認および表面粗さテストを行っ
た。以上の結果を表１にまとめて示す。但し、比較例は
針形触針のみで止め、本発明は針形およびおの形の両方
により、値の大きい方を記載した。表１から、本発明の
ターゲットＮｏ．１および４は、スパッタリング表面の
表面粗さが両触針とも１０μｍＲｍａｘ以下であり、グ
ライドヘッドによる凸欠陥が皆無であることが解る。
【００２３】
【表１】
【００２４】（実施例２）アトマイズによる８０Ｎｉ２
０Ｐ（ａｔ％）の最大粒径２５０μｍ、酸素含有量１２
０ｐｐｍの合金原料粉末をボールミルに移し、ボールミ
ル内をアルゴンガスで置換して粉砕して各々、最大粒径
と酸素量が異なる粉末を得た。得られた混合粉末を実施
例１と同様の処理によりターゲットとした（試料Ｎｏ．
５〜８)。またそのターゲットを使って実施例１と同様
にハードディスクを作成し、グライドヘッドにて凸欠陥
の確認および表面粗さテストを行った。その結果を表２
に示す。但し、表面粗さテスト要領は実施例１と同様と
した。表２から分かる通り、本発明のターゲット（試料
Ｎｏ．５、６）では欠陥が発生しなかったが、試料Ｎ
ｏ．７では含有酸素量が多いため、試料Ｎｏ．８では粒
径が大きいため、欠陥が発生している。
０Ｐ（ａｔ％）の最大粒径２５０μｍ、酸素含有量１２
０ｐｐｍの合金原料粉末をボールミルに移し、ボールミ
ル内をアルゴンガスで置換して粉砕して各々、最大粒径
と酸素量が異なる粉末を得た。得られた混合粉末を実施
例１と同様の処理によりターゲットとした（試料Ｎｏ．
５〜８)。またそのターゲットを使って実施例１と同様
にハードディスクを作成し、グライドヘッドにて凸欠陥
の確認および表面粗さテストを行った。その結果を表２
に示す。但し、表面粗さテスト要領は実施例１と同様と
した。表２から分かる通り、本発明のターゲット（試料
Ｎｏ．５、６）では欠陥が発生しなかったが、試料Ｎ
ｏ．７では含有酸素量が多いため、試料Ｎｏ．８では粒
径が大きいため、欠陥が発生している。
【００２５】
【表２】
【００２６】（実施例３）アトマイズによる７５Ｎｉ２
５Ｐ（ａｔ％）の最大粒径２５０μｍ、酸素含有量１２
０ｐｐｍの合金原料粉末をボールミルに移し、ボールミ
ル内をアルゴンガスで置換してから粉砕して、最大粒径
７５μｍ、酸素含有量１８０ｐｐｍの粉末を得た（試料
Ｎｏ．９)。アトマイズによる８０Ｎｉ２０Ｐ（ａｔ
％）の最大粒径２５０μｍ、酸素含有量１２０ｐｐｍの
合金原料粉末を、該粉末：Ｃｒの比率が９：１（ａｔ
％）になるように、最大粒径７０μｍのＣｒ粉をボール
ミルに移し、ボールミル内をアルゴンガスで置換してか
ら粉砕して、最大粒径７５μｍ、酸素含有量１８０ｐｐ
ｍの粉末を得た（試料Ｎｏ．１０）。
５Ｐ（ａｔ％）の最大粒径２５０μｍ、酸素含有量１２
０ｐｐｍの合金原料粉末をボールミルに移し、ボールミ
ル内をアルゴンガスで置換してから粉砕して、最大粒径
７５μｍ、酸素含有量１８０ｐｐｍの粉末を得た（試料
Ｎｏ．９)。アトマイズによる８０Ｎｉ２０Ｐ（ａｔ
％）の最大粒径２５０μｍ、酸素含有量１２０ｐｐｍの
合金原料粉末を、該粉末：Ｃｒの比率が９：１（ａｔ
％）になるように、最大粒径７０μｍのＣｒ粉をボール
ミルに移し、ボールミル内をアルゴンガスで置換してか
ら粉砕して、最大粒径７５μｍ、酸素含有量１８０ｐｐ
ｍの粉末を得た（試料Ｎｏ．１０）。
【００２７】得られた粉砕粉末および粉砕混合粉末を実
施例１と同様にターゲットとし、そのターゲットを使用
して実施例１と同様にハードディスクとし、グライドヘ
ッドにて凸欠陥の確認および表面粗さテストを行った。
その結果を表３に示す。但し、表面粗さテスト要領は実
施例１と同様とした。いずれも、スパッタリングに供さ
れた面の表面の表面粗さは１０μｍＲｍａｘ以下であ
り、ハードディスクの欠陥はなかった。
施例１と同様にターゲットとし、そのターゲットを使用
して実施例１と同様にハードディスクとし、グライドヘ
ッドにて凸欠陥の確認および表面粗さテストを行った。
その結果を表３に示す。但し、表面粗さテスト要領は実
施例１と同様とした。いずれも、スパッタリングに供さ
れた面の表面の表面粗さは１０μｍＲｍａｘ以下であ
り、ハードディスクの欠陥はなかった。
【００２８】
【表３】
【００２９】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明により組織
中の実質的最大粒径が１００μｍ以下、含有酸素量が３
００ｐｐｍ以下としたＮｉＰ合金スパッタリングターゲ
ットは、スパッタリングに供された面の表面の表面粗さ
が１０μｍＲｍａｘ以下となるから、欠陥の少ない、歩
留の高いハードディスクの製造が可能である。
中の実質的最大粒径が１００μｍ以下、含有酸素量が３
００ｐｐｍ以下としたＮｉＰ合金スパッタリングターゲ
ットは、スパッタリングに供された面の表面の表面粗さ
が１０μｍＲｍａｘ以下となるから、欠陥の少ない、歩
留の高いハードディスクの製造が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】試料Ｎｏ．１のターゲット（機械加工状態）の
ミクロ顕微鏡写真（倍率１００倍）である。
ミクロ顕微鏡写真（倍率１００倍）である。
【図２】試料Ｎｏ．４のターゲット（機械加工状態）の
ミクロ顕微鏡写真（倍率１００倍）である。
ミクロ顕微鏡写真（倍率１００倍）である。
【図３】試料Ｎｏ．２のターゲット（機械加工状態）の
ミクロ顕微鏡写真（倍率１００倍）である。
ミクロ顕微鏡写真（倍率１００倍）である。
【図４】試料Ｎｏ．３のターゲット（機械加工状態）の
ミクロ顕微鏡写真（倍率１００倍）である。
ミクロ顕微鏡写真（倍率１００倍）である。
Claims (2)
- 【請求項１】 ＮｉとＰとを主要成分とし、あらかじめ
合金化された粉末が焼結した組織を有するＮｉ−Ｐ系ス
パッタリング用ターゲットであって、ターゲットミクロ
組織中に確認される前記粉末を起源とする粉末痕跡相の
最大粒径１００μｍ以下、含有酸素量３００ｐｐｍ以下
であることを特徴とするＮｉ−Ｐ系スパッタリング用タ
ーゲット。 - 【請求項２】 ＮｉとＰとを主要成分とするガスアトマ
イズ粉末を得た後、得られたガスアトマイズ粉末を、分
級および／または粉砕により最大粒径１００μｍ以下と
し、次いで加圧焼結することを特徴とするＮｉ−Ｐ系ス
パッタリング用ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000105070A JP2001295033A (ja) | 2000-04-06 | 2000-04-06 | Ｎｉ−Ｐ系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000105070A JP2001295033A (ja) | 2000-04-06 | 2000-04-06 | Ｎｉ−Ｐ系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001295033A true JP2001295033A (ja) | 2001-10-26 |
Family
ID=18618504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000105070A Pending JP2001295033A (ja) | 2000-04-06 | 2000-04-06 | Ｎｉ−Ｐ系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001295033A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013161254A1 (ja) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| KR20160135319A (ko) | 2014-03-27 | 2016-11-25 | 제이엑스금속주식회사 | Ni-P 합금 또는 Ni-Pt-P 합금으로 이루어지는 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 |
-
2000
- 2000-04-06 JP JP2000105070A patent/JP2001295033A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US20170121811A1 (en) * | 2014-03-27 | 2017-05-04 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering Target Comprising Ni-P Alloy or Ni-Pt-P Alloy and Production Method Therefor |
| EP3106540A4 (en) * | 2014-03-27 | 2017-10-18 | JX Nippon Mining & Metals Corp. | SPUTTERING TARGET COMPRISING Ni-P ALLOY OR Ni-Pt-P ALLOY AND PRODUCTION METHOD THEREFOR |
| US10337100B2 (en) * | 2014-03-27 | 2019-07-02 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target comprising Ni—P alloy or Ni—Pt—P alloy and production method therefor |
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