JP2001294618A - スチレン系重合体及びその製造方法 - Google Patents
スチレン系重合体及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001294618A JP2001294618A JP2000259207A JP2000259207A JP2001294618A JP 2001294618 A JP2001294618 A JP 2001294618A JP 2000259207 A JP2000259207 A JP 2000259207A JP 2000259207 A JP2000259207 A JP 2000259207A JP 2001294618 A JP2001294618 A JP 2001294618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- polymer
- titanium
- carbon atoms
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
度のシンジオタクチック構造を有するトリアルキルシリ
ルオキシスチレン系重合体を提供すること。 【解決手段】 下記一般式(1) 【化1】 で表わされる構造単位を有する数平均分子量が800以
上の重合体であり、かつそのタクティシティーが13C−
NMRによるラセミペンタッドで30%以上であるシン
ジオタクチック構造のトリアルキルシリルオキシスチレ
ン系重合体。及び、触媒として、(A)下記一般式
(2)および/又は一般式(3) MR2 aR3 bR4 cX1 4-(a+b+c) (2) MR2 dR3 eX1 3-(d+e) (3) で表される遷移金属化合物と、少なくとも一種の助触媒
との反応生成物を主たる触媒成分とするものを用いトリ
アルキルシリルオキシスチレン系単量体を重合させるこ
とを特徴とする上記トリアルキルスチレン系重合体の製
造方法。
Description
オタクチック構造を有するトリアルキルシリルオキシス
チレン重合体、その製造方法及び特定の構造式からなる
トリアルキルシリルオキシスチレン単量体に関するもの
である。
えばプリント配線基板、オフセットPS印刷版、フォト
レジストなどの素材として、さらには難燃性接着剤や金
属表面処理剤などとして有用なことが知られている。他
方、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体は、ア
タクチック構造のものに比べて耐熱性、耐薬品性及び電
気的特性に優れていることが知られており、従って、シ
ンジオタクチック構造のビニルフェノール系重合体も前
記性質に優れていることが考えられる。
ル系重合体の前駆体として、シンジオタクチック構造を
有するアルコキシ置換スチレン重合体の配位重合法によ
る製造方法が特開平5−310834号公報に開示され
ている。しかしながら、当該特許公報の実施例に於いて
開示されているのはp−メトキシスチレン重合体のみで
あった。一般にアルコキシ置換フェノール類は、容易に
フェノール類に変換されることが知られている〔Synthe
sis,第 417ページ(1977年)、TetrahedronLett.,第21
巻,第3731ページ(1980年)、Tetrahedron,第24巻,第
2289ページ(1968年)〕。しかしながら、p−メトキシ
スチレンの脱保護は非常に困難であり、コストの上昇を
招くなど工業的に実施するのには問題があった。
いるように、脱保護が容易なアルコキシ置換スチレン類
であるp−t−ブトキシスチレンを用いた重合ではアタ
クチック構造の重合体しか得られていなかった。さら
に、当該公開特許公報で開示されている単量体の具体例
としては、p−メトキシスチレン、m−メトキシスチレ
ン、p−エトキシスチレン、p−n−プロポキシスチレ
ン、p−n−ブトキシスチレンなどのアルコキシ置換ス
チレン類であって、トリアルキルシリルオキシスチレン
類については何ら記載されていなかった。
ンジルチタン/メチルアルミノキサン系触媒を用いたp
−メトキシスチレンやm−メトキシスチレンの重合に関
する報告があるが、〔Macromolecules, 第22巻,第 104
ページ(1989年)〕、この方法によるとアタクチック構
造のものしか得られない。一方、トリアルキルシリルオ
キシスチレン類の重合については、これまで種々の方法
が知られており、例えば、ラジカル重合法〔Polym. J.,
第12巻, 第277ページ(1980年)、米国特許第4689288
号公報〕、アニオン重合法〔Makromol. Chem. Rapid Co
mmun, 第3巻,第941ページ(1982年)〕などが報告され
ている。しかしながら、これらの方法は、いずれもアタ
クチック構造のポリトリアルキルシリルオキシスチレン
の製造方法である。また、特開平6−298862号公
報にはトリメチルシリルオキシスチレン、トリエチルシ
リルオキシエチレン、t−ブチルジメチルシリルオキシ
スチレンのようなトリアルキルシリルオキシスチレン類
の記載はあるが、具体的には何ら示されていなかった。
巻, 第12ページ(1993年)にはt−ブチルジメチルシリ
ルオキシスチレンをメチルシクロヘキサン溶媒中でアニ
オン重合させることにより、シンジオタクチックリッチ
なt−ブチルジメチルシリルオキシスチレン重合体が合
成できることが報告されている。しかしながら、この方
法によって合成された重合体の立体規則性は低く、その
シンジオタクチック構造は満足すべきものではなかっ
た。このように、高度のシンジオタクチック構造を有す
るトリアルキルシリルオキシスチレン重合体は、これま
で得られていなかった。
事情の下で、プリント配線基板、オフセットPS印刷
版、フォトレジストなどの素材として、あるいは難燃性
接着剤や金属表面処理剤などとして有用なシンジオタク
チック構造を有するビニルフェノール系重合体の前駆体
である高度のシンジオタクチック構造を有するトリアル
キルシリルオキシスチレン系重合体を提供することを主
たる目的とするものである。
ンジオタクチック構造を有するトリアルキルシリルオキ
シスチレン系重合体を開発すべく鋭意研究を重ねた結
果、特定の触媒の存在下にトリアルキルシリルオキシス
チレンを重合させることにより、高度のシンジオタクチ
ック構造を有するトリアルキルシリルオキシスチレン系
重合体が得られることを見出し、本発明を完成するに至
った。
キシ基、mは1〜3の整数であり、mが複数の場合R1
は同一であってもよいし、異なっていてもよい。)で表
わされる構造単位を有する数平均分子量が800以上の
重合体であり、かつそのタクティシティーが13C−NM
Rによるラセミペンタッドで30%以上であるシンジオ
タクチック構造のトリアルキルシリルオキシスチレン系
重合体を提供するものである。
レン系重合体は、触媒として、(A)下記一般式(2)
および/又は一般式(3) MR2 aR3 bR4 cX1 4-(a+b+c) (2) MR2 dR3 eX1 3-(d+e) (3) (式中、R2、R3、及びR4はそれぞれ水素原子、炭素
数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール
基、アルキルアリール基、アリールアルキル基、炭素数
1〜20のアシルオキシ基、炭素数1〜20のアルコキ
シ基、炭素数1〜20のチオアルコキシ基、炭素数6〜
20のチオアリーロキシ基、シクロペンタジエニル基、
置換シクロペンタジエニル基、インデニル基、置換イン
デニル基、フルオレニル基、あるいは置換フルオレニル
基を示す。Mはチタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)
又はハフニウム(Hf)からなる群から選ばれる遷移金
属、X 1はハロゲン原子を示す。これらR2、R3、及び
R4は同一のものであっても、異なるものであってもよ
い。さらにa,b,cはそれぞれ0〜4の整数を示し、
またd,eはそれぞれ0〜3の整数を示す。)で表され
る遷移金属化合物と、(B)下記(a)〜(d) (a)有機アルミニウムオキシ化合物、(b)前記遷移
金属化合物と反応してカチオン性遷移金属化合物を生成
できるイオン性化合物、(c)前記遷移金属化合物と反
応してカチオン性遷移金属化合物を生成できるルイス酸
化合物、(d)周期律表第1、2及び13族元素金属の
有機金属化合物、から選択される少なくとも一種の助触
媒との反応生成物を主たる触媒成分とするものを用いト
リアルキルシリルオキシスチレン系単量体を重合させる
ことにより製造することができる。
チレン系重合体を製造するための最も好ましい単量体に
関するものである。
て詳細に説明する。本発明のトリアルキルシリルオキシ
スチレン系重合体は、高度のシンジオタクチック構造を
有するが、通常下記一般式(1)
キシ基、mは1〜3の整数であり、mが複数の場合R1
は同一であってもよいし、異なっていてもよい。)で表
わされる構造単位を有する数平均分子量が800以上の
重合体であり、かつそのタクティシティーが13C−NM
Rによるラセミペンタッドで30%以上であるシンジオ
タクチック構造を有するものであることが好ましい。こ
こでいうシンジオタクチック構造とは、立体化学構造が
シンジオタクチック構造、即ち炭素−炭素結合から形成
される主鎖に対して側鎖であるフェニル基や置換フェニ
ル基が交互に反対方向に位置する立体構造を有するもの
であり、そのタクティシティーは同位体炭素による核磁
気共鳴法(13C−NMR法)により定量される。13C−
NMR法により測定されるタクティシティーは、連続す
る複数個の構造単位の存在割合、例えば2個の場合はダ
イアッド、3個の場合はトリアッド、5個の場合はペン
ダッドによって示すことができる。
造を有するトリアルキルシリルオキシスチレン系重合体
とは、前記一般式(1)で示されるようにトリアルキル
シリルオキシスチレン類の繰り返し単位の連鎖におい
て、好ましくはラセミダイアッドで75%以上、より好
ましくは85%以上、最も好ましくは90%以上、若し
くはラセミペンタッドで好ましくは30%以上、より好
ましくは50%以上、特に好ましくは70%以上、最も
好ましくは80%以上のシンジオタクティシティーを有
するものを示す。しかしながら、置換基の種類などによ
ってシンジオタクティシティーの度合いは若干変動す
る。
オタクチックトリアルキルシリルオキシスチレン系重合
体では、結合している繰り返し単位は、1種類の構造単
位相互間のみならず、2種類以上の両構造単位の相互間
がそれぞれシンジオタクチック構造(コシンジオタクチ
ック構造)となっている。また、これらの構造単位で構
成される共重合体は、ブロック共重合、ランダム共重合
あるいは交互共重合等の種々の態様のものがある。な
お、本発明にいう主としてシンジオタクチック構造のト
リアルキルシリルオキシスチレン系重合体は、必ずしも
単一の重合体である必要はない。シンジオタクティシテ
ィーが上記範囲に存する限り、アイソタクチックもしく
はアタクチック構造のスチレン系重合体との混合物やア
タクチック構造のスチレン系重合体が重合鎖中に組み込
まれたものであってもよい。
シスチレン系重合体の分子量は、数平均分子量で800
以上、好ましくは1000〜200万、より好ましくは
2000〜150万、特に好ましくは5000〜100
万の範囲にあるのが望ましい。分子量が小さすぎると機
械的強度が低いなど高分子としての物性が不十分にな
り、逆に、分子量が大きすぎると成形が困難になるとい
う問題を生じる。分子量分布については特に制限はない
が、シンジオタクチックトリアルキルシリルオキシスチ
レン系重合体の重量平均分子量(Mw)と数平均分子量
(Mn)の比である分子量分布(Mw/Mn)の好まし
い範囲は15 以下、より好ましくは10 以下であり、更に
好ましくは3.0以下、特に好ましくは2.0以下、最も好ま
しくは1.5以下である。分子量分布が広すぎると、物性
の低下という問題が生じるので好ましくない。なお、こ
こでいうシンジオタクチックトリアルキルシリルオキシ
スチレン系重合体の重量平均分子量(Mw)、数平均分
子量(Mn)及び分子量分布(Mw/Mn)とは、分子
量分布が単分散である標準ポリスチレンを標準試料とし
てキャリブレーションされたゲルパーミエーションクロ
マトグラフィーを用いて、示差屈折率計を検出器として
測定することにより求められる分子量及び分子量分布の
ことである。
ン系重合体で使用されるスチレン系単量体としては、下
記一般式(5)で表わされる1種以上のトリアルキルシ
リルオキシスチレン単量体が好ましく使用される。
キシ基、mは1〜3の整数であり、mが複数の場合R1
は同一であってもよいし、異なっていてもよい。)
体例としては、p−トリイソプロピルシリルオキシスチ
レン、m−トリイソプロピルシリルオキシスチレン、p
−トリ−n−プロピルシリルオキシスチレン、m−トリ
−n−プロピルシリルオキシスチレン、p−t−ブチル
ジメチルシリルオキシスチレン、m−t−ブチルジメチ
ルシリルオキシスチレン、p−イソプロピルジメチルシ
リルオキシスチレン、m−イソプロピルジメチルシリル
オキシスチレン、p−トリエチルシリルオキシスチレ
ン、m−トリエチルシリルオキシスチレン、p−トリメ
チルシリルオキシスチレン、m−トリメチルシリルオキ
シスチレンなどを挙げることができる。これらの内で、
分子量分布を狭くする観点から好適な単量体は、一般式
(5)中のR1の炭素数5以上の単量体である。最も好
適な単量体は下記構造式(4)で表されるp−トリイソ
プロピルシリルオキシスチレン、p−t−ブチルジメチ
ルシリルオキシスチレンである。
表わされる単量体の製造方法及びその精製方法について
は、Eur. Polym. J., 第11巻, 第653ページ(1975年).、
Makromol. Chem. Rapid Commun, 第3巻,第941ページ
(1982年).、Macromolecules,第26巻, 第4995ページ(1
993年).、特開昭59-53506号公報、特開平4-356505号公
報などに開示されている公知の方法を適宜使用すること
ができる。
種のみ用いてもよいし、二種以上を併用して用いてもよ
く、また、一般式(5)で表わされる単量体とともに、
本発明の効果を損なわない範囲内でこれと異なる他のス
チレン系単量体を用いて共重合させてもよい。この場合
のスチレン系単量体としては、例えばスチレン、p-メ
チルスチレン、m-メチルスチレン、o-メチルスチレ
ン、2,4-ジメチルスチレン、2,5-ジメチルスチレ
ン、3,4-ジメチルスチレン、3,5-ジメチルスチレ
ン、p-ターシャリーブチルスチレンなどのアルキルス
チレン、;p-クロロスチレン、m-クロロスチレン、o
-クロロスチレン、p-ブロモスチレン、m-ブロモスチ
レン、o-ブロモスチレン、p-フルオロスチレン、m-
フルオロスチレン、o-フルオロスチレン、o-メチル-
p-フルオロスチレンなどのハロゲン化スチレン;
ル、2-ビニルビフェニルなどのビニルビフェニル類;
1-(4-ビニルフェニル)ナフタレン、2-(4-ビニル
フェニル)ナフタレン、1-(3-ビニルフェニル)ナフ
タレン、2-(3-ビニルフェニル)ナフタレン、1-
(2-ビニルフェニル)ナフタレン、2-(2-ビニルフ
ェニル)ナフタレンなどのビニルフェニルナフタレン
類;1-(4-ビニルフェニル)アントラセン、2-(4-
ビニルフェニル)アントラセン、9-(4-ビニルフェニ
ル)アントラセン、1-(3-ビニルフェニル)アントラ
セン、2-(3-ビニルフェニル)アントラセン、9-
(3-ビニルフェニル)アントラセン、1-(2-ビニル
フェニル)アントラセン、2-(2-ビニルフェニル)ア
ントラセン、9-(2-ビニルフェニル)アントラセンな
どのビニルアントラセン類;1-(4-ビニルフェニル)
フェナントレン、2-(4-ビニルフェニル)フェナント
レン、
ン、4-(4-ビニルフェニル)フェナントレン、9-
(4-ビニルフェニル)フェナントレン、1-(3-ビニ
ルフェニル)フェナントレン、2-(3-ビニルフェニ
ル)フェナントレン、3-(3-ビニルフェニル)フェナ
ントレン、4-(3-ビニルフェニル)フェナントレン、
9-(3-ビニルフェニル)フェナントレン、1-(2-ビ
ニルフェニル)フェナントレン、2-(2-ビニルフェニ
ル)フェナントレン、3-(2-ビニルフェニル)フェナ
ントレン、4-(2-ビニルフェニル)フェナントレン、
9-(2-ビニルフェニル)フェナントレンなどのビニル
フェニルフェナントレン類;1-(4-ビニルフェニル)
ピレン、2-(4-ビニルフェニル)ピレン、1-(3-ビ
ニルフェニル)ピレン、2-(3-ビニルフェニル)ピレ
ン、1-(2-ビニルフェニル)ピレン、2-(2-ビニル
フェニル)ピレンなどのビニルフェニルピレン類;
m-ターフェニル、4-ビニル-o-ターフェニル、3-ビ
ニル-p-ターフェニル、3-ビニル-m-ターフェニル、
3-ビニル-o-ターフェニル、2-ビニル-p-ターフェニ
ル、2-ビニル-m-ターフェニル、2-ビニル-o-ターフ
ェニルなどのビニルターフェニル類;4-(4-ビニルフ
ェニル)-p-ターフェニルなどのビニルフェニルターフ
ェニル類;4-ビニル-4’-メチルビフェニル、4-ビニ
ル-3’-メチルビフェニル、4-ビニル-2’-メチルビ
フェニル、2-メチル-4-ビニルビフェニル、3-メチル
-4-ビニルビフェニルなどのビニルアルキルビフェニル
類;4-ビニル-4’-フルオロビフェニル、4-ビニル-
3’-フルオロビフェニル、4-ビニル-2’-フルオロビ
フェニル、4-ビニル-2-フルオロビフェニル、4-ビニ
ル-3-フルオロビフェニル、4-ビニル-4’-クロロビ
フェニル、
ニル-2’-クロロビフェニル、4-ビニル-2-クロロビ
フェニル、4-ビニル-3-クロロビフェニル、4-ビニル
-4’-ブロモビフェニル、4-ビニル-3’-ブロモビフ
ェニル、4-ビニル-2’-ブロモビフェニル、4-ビニル
-2-ブロモビフェニル、4-ビニル-3-ブロモビフェニ
ルなどのハロゲン化ビニルビフェニル類;4-ビニル-
4’-メトキシビフェニル、4-ビニル-3’-メトキシビ
フェニル、4-ビニル-2’-メトキシビフェニル、4-ビ
ニル-2-メトキシビフェニル、4-ビニル-3-メトキシ
ビフェニル、4-ビニル-4’-エトキシビフェニル、4-
ビニル-3’-エトキシビフェニル、4-ビニル-2’-エ
トキシビフェニル、4-ビニル-2-エトキシビフェニ
ル、4-ビニル-3-エトキシビフェニルなどのアルコキ
シビフェニル類;4-ビニル-4’-メトキシカルボニル
ビフェニル、
ェニルなどのアルコキシカルボニルビニルビフェニル
類;4-ビニル-4’-メトキシメチルビフェニルなどの
アルコキシアルキルビニルビフェニル類;4-ビニル-
4’-トリメチルシリルビフェニルなどのトリアルキル
シリルビニルビフェニル類;4-ビニル-4’-メチルス
タンニルビフェニル、4-ビニル-4’-トリブチルスタ
ンニルビフェニルなどのトリアルキルスタンニルビニル
ビフェニル類;4-ビニル-4’-トリメチルシリルメチ
ルビフェニルなどのトリアルキルシリルメチルビニルビ
フェニル類;4-ビニル-4’-トリメチルスタンニルメ
チルビフェニル、4-ビニル-4’-トリブチルスタンニ
ルメチルビフェニルなどのトリアルキルスタンニルメチ
ルビニルビフェニル類などのアリールスチレン類;p-
クロロエチルスチレン、m-クロロエチルスチレン、o-
クロロエチルスチレンなどのハロゲン置換アルキルスチ
レン;
ン、o-メトキシスチレン、p-エトキシスチレン、m-
エトキシスチレン、o-エトキシスチレンなどのアルコ
キシスチレン;p-メトキシカルボニルスチレン、m-メ
トキシカルボニルスチレンなどのアルコキシカルボニル
スチレン;アセチルオキシスチレン、エタノイルオキシ
スチレン、ベンゾイルオキシスチレンなどのアシルオキ
シスチレン;p-ビニルベンジルプロピルエーテルなど
のアルキルエーテルスチレン;p-トリメチルシリルス
チレンなどのアルキルシリルスチレン;p-トリメチル
スタンニルスチレン、p-トリブチルスタンニルスチレ
ン、p-トリフェニルスタンニルスチレンなどのアルキ
ルスタンニルスチレン;ビニルベンゼンスルホン酸エチ
ル、ビニルベンジルジメトキシホスファイド、p-ビニ
ルスチレンなどのビニルスチレンなどが挙げられ、これ
らの単位を含む共重合体であってもよい。上記一般式
(5)で表わされる単量体とともに使用できるこれら他
のスチレン系単量体の使用量は、本発明の重合体の用途
によっても異なり一義的に定められないが、全単量体
中、好ましくは45モル%以下、特に好ましくは0.1
〜30モル%である。
ルキルシリルオキシスチレン系重合体に必要に応じて本
発明の効果を損なわない範囲内でトリアルキルシリルオ
キシスチレン単量体と共重合可能なその他の単量体を共
重合することができる。この場合のトリアルキルシリル
オキシスチレン重合体単量体と共重合可能なその他の単
量体としては、エチレン、プロピレン、1−ブテンなど
のオレフイン、シクロペンテン、2−ノルボルネンなど
の環状オレフイン、1,3−ブタジエン、2−メチル−
1,3−ブタジエン、2,3−ジメチル−1,3−ブタ
ジエン,2−クロロ−1,3−ブタジエン、1,3−ペ
ンタジエン、1,3−ヘキサジエンなどの共役ジエン、
1,5−ヘキサジエン、1,6−ヘプタジエン、1,7
−オクタジエン、ジシクロペンタジエン、5−エチリデ
ン−2−ノルボルネンなどの非共役ジエン、メチルメタ
クリレート、メチルアクリレートなどの(メタ)アクリ
ル酸エステルなどが含まれる。
もに使用できる他の単量体の使用量は、本発明の重合体
の用途によっても異なり一義的に定められないが、全単
量体中、好ましくは45モル%以下、特に好ましくは
0.1〜30モル%である。本発明の高度のシンジオタ
クチック構造を有するトリアルキルシリルオキシスチレ
ン系重合体は、以下に示す触媒系を用いることにより極
めて効率よく製造することができる。すなわち、本発明
の方法においては、触媒成分として前記した(A)成分
の一般式(2)と一般式(3)で表される化合物の内か
ら選ばれた少なくとも一種の遷移金属化合物と、前記し
た(B)成分の(a)〜(d)から選択される少なくと
も一種の助触媒との反応生成物を主たる触媒成分として
含有するものを用いる。
一般式(2)と(3)で表される遷移金属化合物よりな
る群から選ばれた少なくとも一種の化合物である。前記
した一般式(2)又は(3)中のR2、R3、及びR4は
それぞれ水素原子,炭素数1〜20のアルキル基(具体
的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ア
ミル基、イソアミル基、イソブチル基、オクチル基、2
-エチルヘキシル基など)、炭素数6〜20のアリール
基、アルキルアリール基、アリールアルキル基(具体的
にはフェニル基、トリル基、キシリル基、ベンジル基な
ど)、炭素数1〜20のアシルオキシ基(具体的にはヘ
プタデシルカルボニルオキシ基など)、炭素数1〜20
のアルコキシ基(具体的にはメトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基、アミルオキシ基、ヘキシル
オキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基など)、炭素数
1〜20のチオアルコキシ基(具体的にはチオメトキシ
基など)、炭素数6〜20のチオアリーロキシ基(具体
的にはチオフェノキシ基など)、シクロペンタジエニル
基、置換シクロペンタジエニル基(具体的にはメチルシ
クロペンタジエニル基、1,2-ジメチルシクロペンタ
ジエニル基、ペンタメチルシクロペンタジエニル基な
ど)、インデニル基、置換インデニル基、フルオレニル
基、あるいは置換フルオレニル基を示す。
又はハフニウム(Hf)からなる群から選ばれる遷移金
属、X1はハロゲン原子(具体的には塩素、臭素、沃
素、弗素)を示す。一般式(2)及び(3)中のR2、
R3、及びR4は同一のものであっても、異なるものであ
ってもよい。さらにa,b,cはそれぞれ0〜4の整数
を示し、またd,eはそれぞれ0〜3の整数を示す。
の点で最も好適に使用されるのはチタン化合物である。
更に好適なチタン化合物としては下記一般式(6)で表
されるモノ(シクロペンタジエニル)チタン化合物、モ
ノ(インデニル)チタン化合物、モノ(フルオレニル)
チタン化合物がある。 TiR5XYZ (6) (式中、R5はシクロペンタジエニル基、置換シクロペ
ンタジエニル基、インデニル基、置換インデニル基、フ
ルオレニル基あるいは置換フルオレニル基などを示し、
X,Y及びZはそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜1
2のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素
数1〜20のチオアルコキシ基、炭素数6〜20のアリ
ール基、炭素数6〜20のアリールオキシ基、炭素数6
〜20のチオアリーロキシ基、炭素数6〜20のアリー
ルアルキル基又はハロゲン原子を示す。)
タジエニル基は、例えば炭素数1〜6のアルキル基で1
個以上置換されたシクロペンタジエニル基、具体的には
メチルシクロペンタジエニル基;1,3-ジメチルシク
ロペンタジエニル基;1,2,4-トリメチルシクロペ
ンタジエニル基;1,2,3,4-テトラメチルシクロ
ペンタジエニル基;トリメチルシリルシクロペンタジエ
ニル基;1,3-ジ(トリメチルシリル)シクロペンタ
ジエニル基;ターシャリーブチルシクロペンタジエニル
基;1,3-ジ(ターシャリーブチル)シクロペンタジ
エニル基;ペンタメチルシクロペンタジエニル基などで
ある。
原子、炭素数1〜12のアルキル基(具体的にはメチル
基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、イソブチル
基、アミル基、イソアミル基、オクチル基、2-エチル
ヘキシル基など)、炭素数1〜12のアルコキシ基(具
体的にはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基、アミルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチル
オキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基など)、炭素数
1〜20のチオアルコキシ基(具体的にはチオメトキシ
基など)、炭素数6〜20のアリール基(具体的にはフ
ェニル基、ナフチル基など)、炭素数6〜20のアリー
ロキシ基(具体的にはフェノキシ基など)、炭素数6〜
20のチオアリーロキシ基(具体的にはチオフェノール
基など)、炭素数6〜20のアリールアルキル基(具体
的にはベンジル基)又はハロゲン原子(具体的には塩
素、臭素、沃素あるいは弗素)を示す。
化合物の具体例としては、シクロペンタジエニルトリメ
チルチタン;シクロペンタジエニルトリエチルチタン;
シクロペンタジエニルトリプロピルチタン;シクロペン
タジエニルトリブチルチタン;メチルシクロペンタジエ
ニルトリメチルチタン;1,2-ジメチルシクロペンタ
ジエニルトリメチルチタン;1,2,4-トリメチルシ
クロペンタジエニルトリメチルチタン;1,2,3,4
-テトラメチルシクロペンタジエニルトリメチルチタ
ン;ペンタメチルシクロペンタジエニルトリメチルチタ
ン;ペンタメチルシクロペンタジエニルトリエチルチタ
ン;
ロピルチタン;ペンタメチルシクロペンタジエニルトリ
ブチルチタン;シクロペンタジエニルメチルチタンジク
ロリド;シクロペンタジエニルエチルチタンジクロリ
ド;ペンタメチルシクロペンタジエニルメチルチタンジ
クロリド;ペンタメチルシクロペンタジエニルエチルチ
タンジクロリド;シクロペンタジエニルジメチルチタン
モノクロリド;シクロペンタジエニルジエチルチタンモ
ノクロリド;シクロペンタジエニルチタントリメトキシ
ド;シクロペンタジエニルチタントリエトキシド;
シド;シクロペンタジエニルチタントリフェノキシド;
ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリメトキシ
ド;ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリエト
キシド;ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリ
プロポキシド;ペンタメチルシクロペンタジエニルチタ
ントリブトキシド;ペンタメチルシクロペンタジエニル
チタントリフェノキシド;
ド;ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリクロ
リド;シクロペンタジエニルメトキシチタンジクロリ
ド;シクロペンタジエニルジメトキシチタンクロリド;
ペンタメチルシクロペンタジエニルメトキシチタンジク
ロリド;シクロペンタジエニルトリベンジルチタン;ペ
ンタメチルシクロペンタジエニルメチルジエトキシチタ
ン;インデニルチタントリクロリド;インデニルチタン
トリメトキシド;インデニルチタントリエトキシド;イ
ンデニルトリメチルチタン;インデニルトリベンジルチ
タン;ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリチ
オメトキシド;ペンタメチルシクロペンタジエニルチタ
ントリチオフェノキシドなどが挙げられる。
(7)で表される縮合チタン化合物を用いてもよい。
〜20のアルコキシ基又はアシロキシ基を示し、kは2
〜20の整数を示す。)
合物は、典型的には三塩化チタンなどの三ハロゲン化チ
タン、シクロペンタジエニルチタンジクロリドなどのシ
クロペンタジエニルチタン化合物が挙げられ、このほか
四価チタン化合物を還元して得られるものが挙げられ
る。これら三価チタン化合物はエステル、エーテルなど
と錯体を形成したものを用いてもよい。
ム化合物は、テトラベンジルジルコニウム、ジルコニウ
ムテトラエトキシド、ジルコニウムテトラブトキシド、
ビスインデニルジルコニウムジクロリド、トリイソプロ
ポキシジルコニウムクロリド、ジルコニウムベンジルジ
クロリド、トリブトキシジルコニウムクロリドなどがあ
り、ハフニウム化合物は、テトラベンジルハフニウム、
ハフニウムテトラエトキシド、ハフニウムテトラブトキ
シドなどがあり、さらにバナジウム化合物は、バナジル
ビスアセチルアセトナート、バナジルトリアセチルアセ
トナート、トリエトキシバナジル、トリプロポキシバナ
ジルなどがある。これら遷移金属化合物のなかではチタ
ン化合物が特に好適である。また、上記したチタン化合
物等は、エステルやエーテルなどと錯体を形成させたも
のを用いてもよい。
ついては、共役π電子を有する配位子を2個有する遷移
金属化合物、例えば、下記一般式(8)で表される遷移
金属化合物よりなる群から選ばれた少なくとも1種の化
合物がある。 M1R8R9R10R11 (8) (式中、M1はチタン、ジルコニウムあるいはハフニウ
ムを示し、R8及びR9はそれぞれシクロペンタジエニル
基、置換シクロペンタジエニル基、インデニル基あるい
はフルオレニル基を示し、R10及びR11はそれぞれ水素
原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20の炭化水素基、炭
素数1〜20のアルコキシ基、アミノ基あるいは炭素数
1〜20のチオアルコキシ基を示す。ただし、R7及び
R8は炭素数1〜5の炭化水素基、炭素数1〜20及び
珪素数1〜5のアルキルシリル基あるいは炭素数1〜2
0及びゲルマニウム数1〜5のゲルマニウム含有炭化水
素基によって架橋されていてもよい。)
ンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル基(具体的
にはメチルシクロペンタジエニル基;1,3-ジメチル
シクロペンタジエニル基;1,2,4-トリメチルシク
ロペンタジエニル基;1,2,3,4-テトラメチルシ
クロペンタジエニル基;ペンタメチルシクロペンタジエ
ニル基;トリメチルシリルシクロペンタジエニル基;
1,3-ジ(トリメチルシリル)シクロペンタジエニル
基;1,2,4-トリ(トリメチルシリル)シクロペン
タジエニル基;ターシャリーブチルシクロペンタジエニ
ル基;1,3-ジ(ターシャリーブチル)シクロペンタ
ジエニル基;
シクロペンタジエニル基など)、インデニル基,置換イ
ンデニル基(具体的にはメチルインデニル基;ジメチル
インデニル基;トリメチルインデニル基など)、フルオ
レニル基あるいは置換フルオレニル基(例えばメチルフ
ルオレニル基)を示し、R8,R9は同一でも異なっても
よく、更にR8とR9が炭素数1〜5のアルキリデン基
(具体的には、メチン基、エチリデン基、プロピリデン
基、ジメチルカルビル基など)又は炭素数1〜20及び
珪素数1〜5のアルキルシリル基(具体的には、ジメチ
ルシリル基、ジエチルシリル基、ジベンジルシリル基な
ど)により架橋された構造のものでもよい。
が、より詳しくは、それぞれ独立に、水素原子、炭素数
1〜20のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル
基、n-ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミ
ル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基など)、炭素
数6〜20のアリール基(具体的には、フェニル基、ナ
フチル基など)、炭素数7〜20のアリールアルキル基
(具体的には、ベンジル基など)、炭素数1〜20のア
ルコキシ基(具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基、アミルオキシ基、ヘキシルオ
キシ基、オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ
基など)、炭素数6〜20のアリールオキシ基(具体的
には、フェノキシ基など)、さらにはアミノ基や炭素数
1〜20のチオアルコキシ基を示す。
属化合物の具体例としては、ビスシクロペンタジエニル
チタンジメチル;ビスシクロペンタジエニルチタンジエ
チル;ビスシクロペンタジエニルチタンジプロピル;ビ
スシクロペンタジエニルチタンジブチル;ビス(メチル
シクロペンタジエニル)チタンジメチル;ビス(ターシ
ャリーブチルシクロペンタジエニル)チタンジメチル;
ビス(1,3-ジメチルシクロペンタジエニル)チタン
ジメチル;ビス(1,3-ジターシャリーブチルシクロ
ペンタジエニル)チタンジメチル;ビス(1,2,4-
トリメチルシクロペンタジエニル)チタンジメチル;ビ
ス(1,2,3,4-テトラメチルシクロペンタジエニ
ル)チタンジメチル;ビスシクロペンタジエニルチタン
ジメチル;ビス(トリメチルシリルシクロペンタジエニ
ル)チタンジメチル;
クロペンタジエニル)チタンジメチル;ビス(1,2,
4-トリ((トリメチルシリル)シクロペンタジエニ
ル)チタンジメチル;ビスインデニルチタンジメチル;
ビスフルオレニルチタンジメチル;メチレンビスシクロ
ペンタジエニルチタンジメチル;エチリデンビスシクロ
ペンタジエニルチタンジメチル;メチレンビス(2,
3,4,5-テトラメチルシクロペンタジエニル)チタ
ンジメチル;エチリデンビス(2,3,4,5-テトラ
メチルシクロペンタジエニル)チタンジメチル;ジメチ
ルシリルビス(2,3,4,5-テトラメチルシクロペ
ンタジエニル)チタンジメチル;メチレンビスインデニ
ルチタンジメチル;エチリデンビスインデニルチタンジ
メチル;ジメチルシリルビスインデニルチタンジメチ
ル;
ル;エチリデンビスフルオレニルチタンジメチル;ジメ
チルシリルビスフルオレニルチタンジメチル;メチレン
(ターシャリーブチルシクロペンタジエニル)(シクロ
ペンタジエニル)チタンジメチル;メチレン(シクロペ
ンタジエニル)(インデニル)チタンジメチル;エチリ
デン(シクロペンタジエニル)(インデニル)チタンジ
メチル;ジメチルシリル(シクロペンタジエニル)(イ
ンデニル)チタンジメチル;メチレン(シクロペンタジ
エニル)(フルオレニル)チタンジメチル;エチリデン
(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)チタンジメ
チル;ジメチルシリル(シクロペンタジエニル)(フル
オレニル)チタンジメチル;メチレン(インデニル)
(フルオレニル)チタンジメチル;
ル)チタンジメチル;ジメチルシリル(インデニル)
(フルオレニル)チタンジメチル;ビスシクロペンタジ
エニルチタンジベンジル;ビス(ターシャリーブチルシ
クロペンタジエニル)チタンジベンジル;ビス(メチル
シクロペンタジエニル)チタンジベンジル;ビス(1,
3-ジメチルシクロペンタジエニル)チタンジベンジ
ル;ビス(1,2,4-トリメチルシクロペンタジエニ
ル)チタンジベンジル;ビス(1,2,3,4-テトラ
メチルシクロペンタジエニル)チタンジベンジル;ビス
ペンタメチルシクロペンタジエニルチタンジベンジル;
ビス(トリメチルシリルシクロペンタジエニル)チタン
ジベンジル;ビス(1,3-ジ-(トリメチルシリル)シ
クロペンタジエニル)チタンジベンジル;
ル)シクロペンタジエニル)チタンジベンジル;ビスイ
ンデニルチタンジベンジル;ビスフルオレニルチタンジ
ベンジル;メチレンビスシクロペンタジエニルチタンジ
ベンジル;エチリデンビスシクロペンタジエニルチタン
ジベンジル;メチレンビス(2,3,4,5-テトラメ
チルシクロペンタジエニル)チタンジベンジル;エチリ
デンビス(2,3,4,5-テトラメチルシクロペンタ
ジエニル)チタンジベンジル;ジメチルシリルビス
(2,3,4,5-テトラメチルシクロペンタジエニ
ル)チタンジベンジル;メチレンビスインデニルチタン
ジベンジル;エチリデンビスインデニルチタンジベンジ
ル;ジメチルシリルビスインデニルチタンジベンジル;
メチレンビスフルオレニルチタンジベンジル;
ジル;ジメチルシリルビスフルオレニルチタンジベンジ
ル;メチレン(シクロペンタジエニル)(インデニル)
チタンジベンジル;エチリデン(シクロペンタジエニ
ル)(インデニル)チタンジベンジル;ジメチルシリル
(シクロペンタジエニル)(インデニル)チタンジベン
ジル;メチレン(シクロペンタジエニル)(フルオレニ
ル)チタンジベンジル;エチリデン(シクロペンタジエ
ニル)(フルオレニル)チタンジベンジル;ジメチルシ
リル(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)チタン
ジベンジル;メチレン(インデニル)(フルオレニル)
チタンジベンジル;エチリデン(インデニル)(フルオ
レニル)チタンジベンジル;ジメチルシリル(インデニ
ル)(フルオレニル)チタンジベンジル;
シド;ビスシクロペンタジエニルチタンジエトキシド;
ビスシクロペンタジエニルチタンジプロポキシド;ビス
シクロペンタジエニルチタンジブトキシド;ビスシクロ
ペンタジエニルチタンジフェノキシド;ビス(メチルシ
クロペンタジエニル)チタンジメトキシド;ビス(1,
3-ジメチルシクロペンタジエニル)チタンジメトキシ
ド;ビス(1,2,4-トリメチルシクロペンタジエニ
ル)チタンジメトキシド;ビス(1,2,3,4-テイ
ラメチルシクロペンタジエニル)チタンジメトキシド;
ビスペンタメチルシクロペンタジエニルチタンジメトキ
シド;ビス(トリメチルシリルシクロペンタジエニル)
チタンジメトキシド;ビス(1,3-ジ(トリメチルシ
リル)シクロペンタジエニル)チタンジメトキシド;
ル)シクロペンタジエニル)チタンジメトキシド;ビス
インデニルチタンジメトキシド;ビスフルオレニルチタ
ンジメトキシド;メチレンビスシクロペンタジエニルチ
タンジメトキシド;エチリデンビスシクロペンタジエニ
ルチタンジメトキシド;メチレンビス(2,3,4,5
-テトラメチルシクロペンタジエニル)チタンジメトキ
シド;エチリデンビス(2,3,4,5-テトラメチル
シクロペンタジエニル)チタンジメトキシド;ジメチル
シリルビス(2,3,4,5-テトラメチルシクロペン
タジエニル)チタンジメトキシド;メチレンビスインデ
ニルチタンジメトキシド;メチレンビス(メチルインデ
ニル)チタンジメトキシド;エチリデンビスインデニル
チタンジメトキシド;ジメチルシリルビスインデニルチ
タンジメトキシド;
シド;メチレンビス(メチルフルオレニル)チタンジメ
トキシド;エチリデンビスフルオレニルチタンジメトキ
シド;ジメチルシリルビスフルオレニルチタンジメトキ
シド;メチレン(シクロペンタジエニル)(インデニ
ル)チタンジメトキシド;エチリデン(シクロペンタジ
エニル)(インデニル)チタンジメトキシド;ジメチル
シリル(シクロペンタジエニル)(インデニル)チタン
ジメトキシド;メチレン(シクロペンタジエニル)(フ
ルオレニル)チタンジメトキシド;エチリデン(シクロ
ペンタジエニル)(フルオレニル)チタンジメトキシ
ド;ジメチルシリル(シクロペンタジエニル)(フルオ
レニル)チタンジメトキシド;メチレン(インデニル)
(フルオレニル)チタンジメトキシド;エチリデン(イ
ンデニル)(フルオレニル)チタンジメトキシド;ジメ
チルシリル(インデニル)(フルオレニル)チタンジメ
トキシドなどが挙げられる。
リデンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジメトキ
シド、ジメチルシリルビスシクロペンタジエニルジルコ
ニウムジメトキシドなどがあり、更にハフニウム化合物
としては、エチリデンビスシクロペンタジエニルハフニ
ウムジメトキシド、ジメチルシリルビスシクロペンタジ
エニルハフニウムジメトキシドなどがある。これらのな
かでも特にチタン化合物が好ましい。更にこれらの組合
せの他、2,2' -チオビス(4-メチル-6-t-ブチル
フェニル)チタンジイソプロポキシド;2,2' -チオ
ビス(4-メチル-6-t-ブチルフェニル)チタンジメト
キシド等の2座配位型錯体であってもよい。
した一般式(6)で示されるようなπ配位子を1個もつ
遷移金属化合物が好適に用いられる。本発明で用いられ
る重合用触媒においては、上記(A)成分の遷移金属化
合物は一種用いてもよいし、二種以上を組み合わせて用
いてもよい。
(A)成分である遷移金属化合物と助触媒である(B)
成分との反応生成物を主たる触媒成分として含有する
が、助触媒である(B)成分は、次の(a)〜(d)か
ら選択される少なくとも1種の助触媒を使用する。 (a)有機アルミニウムオキシ化合物 (b)前記遷移金属化合物と反応してカチオン性遷移金
属化合物を生成できるイオン性化合物 (c)前記遷移金属化合物と反応してカチオン性遷移金
属化合物を生成できるルイス酸化合物 (d)周期律表1、2及び13族元素金属の有機金属化
合物
物は、好ましくは下記一般式(9)で表される直鎖状ま
たは環状重合体であり、いわゆるアルミノキサンであ
る。
たR12そのものがハロゲン原子および/またはR13−O
基で置換されたものでもよい。) ここでR12またはR13の具体例としては、メチル、エチ
ル、プロピル、イソブチルなどのアルキル基が挙げら
れ、中でもメチル基が好ましい。nは重合度を示し、好
ましくは 5 以上、さらに好ましくは 10〜100、最も好
ましくは 10〜50の範囲である。重合度nが 5 に満たな
いと、重合活性が低下するので好ましくなく、100 より
大きくなると、重合活性の低下及び脱灰処理が困難にな
る等の問題を生ずるので好ましくない。
一般式(3)で示される遷移金属化合物と反応してカチ
オン性遷移金属化合物を形成できるイオン性化合物とし
ては、非配位性アニオンとカチオンとが挙げられる。こ
こで非配位性アニオンとしては、例えば、テトラ(フェ
ニル)ボレート、テトラ(フルオロフェニル)ボレー
ト、テトラキス(ジフルオロフェニル)ボレート、テト
ラキス(トリフルオロフェニル)ボレート、テトラキス
(テトラフルオロフェニル)ボレート、テトラキス(ペ
ンタフルオロフェニル)ボレート、テトラキス(テトラ
フルオロメチルフェニル)ボレート、テトラ(トリイ
ル)ボレート、テトラ(キシイル)ボレート、トリフェ
ニルペンタフルオロフェニルボレート、トリス(ペンタ
フルオロフェニル)フェニルボレートなどが挙げられ
る。
キス(ペンタフルオロフェニル)ボレートであるものが
特に好ましい。具体例としては、例えばトリフェニルカ
ルベニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレ
ート;4,4’,4”−トリ(メトキシフェニル)カル
ベニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレー
ト;トリ(トルイル)カルベニウムテトラキス(ペンタ
フルオロフェニル)ボレート;4,4’,4”−トリ
(クロロフェニル)カルベニウムテトラキス(ペンタフ
ルオロフェニル)ボレート;トリフェニルシリルテトラ
キス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;トリメトキ
シシリルテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレー
ト;トリ(チオイソプロピル)シリルテトラキス(ペン
タフルオロフェニル)ボレート;トリメチルシリルテト
ラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;4,
4’,4”−トリ(メトキシフェニル)シリルテトラキ
ス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;トリ(トルイ
ル)シリルテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレ
ート;4,4’,4”−トリ(クロロフェニル)シリル
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートなどが
挙げられる。
ムカチオン、b)オキソニウムカチオン、c)アンモニ
ウムカチオン、d)ホスホニウムカチオン、e)遷移金
属を有するフェロセニウムカチオンなどが挙げられる。 a)カルボニウムカチオンの具体例としては、トリフェ
ニルカルボニウムカチオン、トリ置換フェニルカルボニ
ウムカチオンなどの三置換カルボニウムカチオンを挙げ
ることができる。トリ置換フェニルカルボニウムカチオ
ンの具体例としては、トリ(メチルフェニル)カルボニ
ウムカチオン、トリ(ジメチルフェニル)カルボニウム
カチオンが挙げられる。
は、ヒドロキソニウムカチオンOH 3+、メチルオキソニ
ウムカチオンCH3OH2+などのアルキルオキソニウム
カチオン、ジメチルオキソニウムカチオン(CH3)2O
H+などのジアルキルオキソニウムカチオン、トリメチ
ルオキソニウムカチオン(CH3)3O+、トリエチルオ
キソニウムカチオン(C2H5)3O+などのトリアルキル
オキソニウムカチオンなどが挙げられる。
は、トリメチルアンモニウムカチオン、トリエチルアン
モニウムカチオン、トリプロピルアンモニウムカチオ
ン、トリブチルアンモニウムカチオンなどのトリアルキ
ルアンモニウムカチオン、N,N-ジエチルアニリニウムカ
チオン、N,N-2,4,6-ペンタメチルアニリニウムカチオン
などのN,N-ジアルキルアニリニウムカチオン、ジ(i-プ
ロピル)アンモニウムカチオン、ジシクロヘキシルアン
モニウムカチオンなどのジアルキルアンモニウムカチオ
ンが挙げられる。
は、トリフェニルホスホニウムカチオン、トリ(メチル
フェニル)ホスホニウムカチオン、トリ(ジメチルフェ
ニル)ホスホニウムカチオンなどのトリアリールホスホ
ニウムカチオンが挙げられる。
例示した非配位性アニオンおよびカチオンの中から、そ
れぞれ任意に選択して組み合わせたものを用いることが
できる。上記のうち、特にトリフェニルカルボニウムテ
トラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート、N,N-ジメチ
ルアニリニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレ
ート、1,1'-ジメチルフェロセニウムテトラ(ペンタフ
ルオロフェニル)ボレートなどのイオン性化合物がより
好ましく用いることができる。
一般式(3)で示される遷移金属化合物と反応してカチ
オン性遷移金属化合物を生成できるルイス酸化合物の具
体例としては、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボロ
ン、トリス(モノフルオロフェニル)ボロン、トリス
(ジフルオロフェニル)ボロン、トリフェニルボロンが
挙げられる。
属の有機金属化合物には、狭義の有機金属化合物のみな
らず、周期律表1、2及び13族元素金属の有機金属ハ
ロゲン化合物、水素化有機金属化合物も含まれる。ここ
で、 ・周期律表1の元素金属には:Li,Na ・周期律表2の元素金属には:Mg,Be ・周期律表13の元素金属には:Al,Bが挙げられ
る。 これらの内、好ましい元素金属としては、Li,Mg,
Alであり、特に好ましくはAlである。
チルリチウム、ブチルリチウム、フェニルリチウム、ジ
ブチルマグネシウム、トリメチルアルミニウム、トリエ
チルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリ
ヘキシルアルミニウム、トリオクチルアルミニウムなど
が挙げられ、トリアルキルアルミニウムが好ましい。
(d)の有機金属ハロゲン化合物として、例えば、エチ
ルマグネシウムクロライド、ブチルマグネシウムクロラ
イド、ジメチルアルミニウムクロライド、ジエチルアル
ミニウムクロライド、セスキエチルアルミニウムクロラ
イド、エチルアルミニウムジクロライドなどが挙げられ
る。(d)の水素化有機金属化合物として、例えば、ジ
エチルアルミニウムハイドライド、セスキエチルアルミ
ニウムハイドライドなどが挙げられる。
(d)を単独で用いても、組み合わせて用いてもよい。
好ましい助触媒は(a)単独、(c)単独、(a)と
(d)、(b)と(d)、(c)と(d)の組み合わせ
である。狭い分子量分布の重合体を得る目的のために、
特に好ましいのは(b)と(d)及び(c)と(d)の
組み合わせである。
リアルキルシリルオキシスチレン系重合体製造用触媒は
上記(A)成分と(B)成分を触媒の主成分として含有
するものであるが、この他に本発明の効果を損なわない
範囲内で他の触媒成分を加えてもよい。本発明の触媒中
の(A)成分と(B)成分の割合は、化合物の種類及び
各種重合条件などにより異なり、一義的に定められない
が、通常それぞれ独立に定められる(B)成分の各化合
物(a)、(b)、(c)、(d)と(A)成分の遷移
金属化合物のモル比が、下記の範囲内にあることが望ま
しい。
アルミニウム/(A)遷移金属化合物のモル比は通常 1
〜1000,000、好ましくは 5〜50,000、より好ましくは 3
0〜5,000 である。 (b)イオン性化合物/(A)遷移金属化合物のモル比
は、通常 0.01〜100、好ましくは 0.1〜10である。 (c)ルイス酸性化合物/(A)遷移金属化合物のモル
比は、通常 0.01〜100、好ましくは 0.1〜10 である。
ここで助触媒成分としてルイス酸化合物を用いる場合に
は、周期律表1、2及び13族元素金属の有機金属化合
物を併用することが好ましい。 (d)有機金属化合物を使用する場合には、(d)有機
金属化合物/(A)遷移金属化合物のモル比は通常 0.1
〜10,000、好ましくは 1〜1,000 である。上記の範囲を
外れると重合活性が低下するので好ましくない。
合物を、前記した周期律表1、2及び13族元素金属の
有機金属化合物、有機金属ハロゲン化合物、水素化有機
金属化合物などと併用してスチレン系単量体を重合して
もよい。ここで水素化金属化合物としては、例えば、N
aH,LiH,CaH2、LiAlH4,NaBH4などが
挙げられる。周期律表1、2及び13族元素金属の主元
素金属の有機金属化合物、有機金属ハロゲン化合物及び
水素化有機金属化合物などは、前記したものが挙げられ
る。
び/又は一般式(3)で示される遷移金属化合物単独、
またはこれと前記(a)〜(d)から選択される少なく
とも一種の助触媒を担体に担持して用いることができ
る。担体としては、無機化合物または有機高分子化合物
が挙げられる。無機化合物としては、無機酸化物、無機
塩化物、無機水酸化物などが好ましく、少量の炭酸塩、
硫酸塩を含有したものでもよい。好ましいものはシリ
カ、アルミナ、マグネシア、チタニア、ジルコニア、カ
ルシアなどの無機酸化物、および塩化マグネシウムなど
の無機塩化物である。これらの無機化合物は、平均粒子
径が 5〜150μm、比表面積が 2〜800 m2/g の多孔性
微粒子が好ましく、例えば 100〜800 ℃で熱処理して用
いることができる。
環、置換芳香族環、またはヒドロキシ基、カルボキシル
基、エステル基、ハロゲン原子などの官能基を有するも
のが好ましい。有機高分子化合物の具体例としては、エ
チレン、プロピレン、ブテンなどの単位を有する重合体
を化学変成することによって得られる官能基を有するα
-オレフイン単独重合体、α-オレフイン共重合体、アク
リル酸、メタクリル酸、塩化ビニル、ビニルアルコー
ル、スチレン、ジビニルベンゼンなどの単位を有する重
合体、および、それらの化学変成物を挙げることができ
る。これらの有機高分子化合物は、平均粒子径が 5〜25
0 μmの球状微粒子が用いられる。遷移金属化合物、助
触媒を単体に担持することによって、触媒の重合反応器
への付着による汚染を防止することができる。
金属化合物と、上記(a)〜(d)から選択される少な
くとも一種の助触媒である(B)成分とを接触させた触
媒の存在下に、1種以上の前記した一般式(5)で示さ
れるトリアルキルシリルオキシスチレン系単量体を重合
させる。具体的には、以下のような方法(I)〜(VII)
で重合を実施すればよい。なお、下記の説明において
(A)成分は遷移金属化合物を、(B)成分は助触媒を
表わす。
させた後さらにトリアルキルシリルオキシスチレン系単
量体等の単量体成分と接触させて重合を行う。 (II)(A)成分、(B)成分及び少量のトリアルキル
シリルオキシスチレン系単量体成分を予め接触させた
後、さらにトリアルキルシリルオキシスチレン系単量体
等の単量体成分と接触させて重合を行う。 (III)(A)成分と(B)成分を混合し、担体と接触
させ、生成した担持触媒を分離して、担持触媒とトリア
ルキルシリルオキシスチレン系単量体等の単量体成分と
を接触させて重合を行う。 (IV)(A)成分と担体を接触させた後、さらに(B)
成分と接触させ、生成した担持触媒を分離して、担持触
媒とトリアルキルシリルオキシスチレン系単量体等の単
量体成分とを接触させて重合を行う。
さらに(A)成分と接触させ、生成した担持触媒を分離
して、担持触媒とトリアルキルシリルオキシスチレン系
単量体等の単量体成分とを接触させて重合を行う。 (VI)(A)成分とトリアルキルシリルオキシスチレン
系単量体等の単量体成分とを混合させた後、(B)成分
を接触させて重合を行う。 (VII)(B)成分とトリアルキルシリルオキシスチレ
ン系単量体等の単量体成分とを混合させた後、(A)成
分を接触させて重合を行う。
効率と重合活性を向上させる点と、得られる重合体の分
子量分布をさらに狭くさせうる点から、(I)及び(I
I)の方法が好ましい。
れ、溶液、スラリーのいずれの状態のものでも使用可能
であるが、より高い重合活性を得るためには溶液状態の
ものが好ましい。溶液またはスラリーとして調製するた
めに用いる溶媒は、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプ
タン、オクタン、シクロヘキサン、ミネラルオイル、ベ
ンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素溶媒、また
は、クロロホルム、メチレンクロライド、ジクロロエタ
ン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素溶媒であ
る。好ましい溶媒はトルエン、ベンゼンなどの芳香族炭
化水素である。また、2種以上の溶媒を混合して用いて
もよい。
トリアルキルシリルオキシスチレン系単量体を重合させ
るが、重合方法としては、塊状重合、溶液重合、懸濁重
合のいずれの方法も用いることができる。この重合反応
においては、一般的には重合温度は−100〜250
℃、好ましくは−50〜120℃、特に好ましくは−3
0〜70℃の範囲である。典型的な重合時間は30秒〜
36時間、好ましくは1分〜20時間、さらに好ましく
は5分〜10時間である。所望のポリマーを生成させる
のに必要な最適時間は用いられる温度、溶剤及び他の重
合条件によって変化する。また、重合は大気圧よりも低
い圧力並びに大気圧よりも高い圧力において行うことが
できる。重合混合物の最も低い成分が気化するまでの減
圧においても行われる。しかしながら、大気圧付近の圧
力を用いるのが好ましい。重合方法としては、通常、不
活性溶媒中での溶液重合法、スラリー重合法、モノマー
を希釈剤とするバルク重合法によって行われる。これら
の方法の中でも、溶液重合法及びバルク重合法が好まし
い。
肪族、環式脂肪族、芳香族及びハロゲン化芳香族炭化水
素、並びにそれらの混合物が挙げられる。重合のための
好ましい不活性溶媒は、C4〜C26アルカン、特に分岐
アルカン、トルエン、エチルベンゼン、及びそれらの混
合物である。0.5〜100 重量%のモノマー濃度を与える
のに適当な溶媒が使用される。また、アニソール、ジフ
ェニルエーテル、エチルエーテル、ジグライム、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類、トリエチ
ルアミン、テトラメチルエチレンジアミンなどのアミン
類などの極性化合物を本発明の効果を損なわない範囲で
少量添加して重合反応を行ってもよい。
の効果を損なわない範囲内で連鎖移動剤を添加すること
もできる。連鎖移動剤としては、1,2-ブタジエンな
どのアレン類、シクロオクタジエンなどの環状ジエン
類、および、水素が好ましく使用される。
明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定される
ものではない。
測定方法について述べる。 1)触媒活性 触媒金属1mmol 1時間当たりのポリマー生成量(グラ
ム)で表した。 2)ポリマーの分子量、及び分子量分布 東ソー社製8020型ゲルパーミエーションクロマトグラフ
ィーを用いて、示差屈折率計を検出器として装着して測
定を行った。 3)%シンジオタクティシティー 日本電子製LA600型核磁気共鳴分光装置を用い、13
C-NMR分析により、ペンタッド(ラセミペンタッ
ド)を測定することによって決定した。13 C−NMR測定条件 重テトラクロロエタンの 74.2ppm基準 測定温度:50℃
ン雰囲気下、以下に示すプロファイルに従い、c)に於
ける結晶融解ピークのピークトップ温度により、結晶融
解温度(Tm)及びガラス転移温度(Tg)を決定し
た。 a)10℃/min で0℃→220℃まで昇温。 b)10℃/min で220℃→0℃まで降温。 c)再び 10℃/min で0℃→350℃まで昇温。
内容積300ml のガラス製三ツ口フラスコにp−ビニルフ
ェノール 0.134 mol、イミダゾール 0.343 mol、溶媒と
してジメチルホルムアミド 90ml を入れ、トリイソプロ
ピルシリルクロリド 0.174 molをジメチルホルムアミド
90mlに溶解させた溶液を 0 ℃で 50 分かけて滴下させ
た。その後、反応温度を室温まで上昇させ、そのまま10
時間反応させた。水を添加し、反応生成物をクロロホル
ムで抽出した。溶媒を留去した後、ジエチルエーテルに
溶解し、水酸化ナトリウム水溶液と水で洗浄を行った。
硫酸マグネシウムで生成物を乾燥させた後、濾過し、さ
らに水素化カルシウムで乾燥させた。その後、反応生成
物を窒素気流下で減圧蒸留を行い、目的のp−トリイソ
プロピルシリルオキシスチレンを70%の収率で得た。
R、IR、元素分析により確認した。 1H−NMR
(C2D2Cl4)δ7.22-6.75(4H、dd、Ar)、6.61-
6.56(1H、dd、CH=)、5.56-5.05(2H、dd、CH
2=)、1.20-1.15(3H、m、SiCH)、1.03-1.01(18
H、t、SiCH3)13 C−NMR(C2D2Cl4)δ156.2(ArC4)、13
6.6(CH=)、130.7(ArC1)、127.7(ArC2 and
C6)、120.3(ArC3 and C5)、112.0(CH
2=)、18.3(CH3)、12.9(SiCH) IR(KBr)1266、988、913、840、790 cm-1 元素分析:計算(C,73.85;H,10.21)、分析(C,
73.96;H,10.39)
フラスコを用い、窒素雰囲気下で重合反応を行った。ト
ルエン 68.1 mlとトリオクチルアルミニウム 0.2 mmol
をガラス製三ツ口フラスコに仕込み、10 分間室温でエ
ージングを行った。ここに、(トリメチル)ペンタメチ
ルシクロペンタジエニルチタニウム 0.1 mmol、続いて
トリス(ペンタフルオロフェニル)ボロン 0.09 mmolを
仕込み室温で 10 分間エージングを行った。次に、-25
℃の恒温とし、30 分間エージングを行った。
シスチレン 0.9 mmolを仕込んで、-25 ℃にて 60 分間
重合反応を行った。少量のメタノールを添加して重合反
応を停止し、重合溶液を大量のメタノールに注ぎ込み重
合体を析出させた。得られた重合体をトルエンに再溶解
させ、濾過後、再度溶液を大量のメタノールに注ぎ込み
重合体を析出させた。洗浄、濾別、乾燥、秤量して、重
合体 0.193 g(収率:76.4 wt%)を得た。重合活性
は 1.93 (g of polymer)/((mmol Ti)×hr)であっ
た。得られた重合体の重量平均分子量(Mw)は 4560
0、数平均分子量(Mn)は 36300、分子量分布(Mw
/Mn)は 1.26 であった。また、13C-NMR測定に
より求められるシンジオタクティシティーは、ラセミペ
ンタッドで 95 %以上であった。また、熱分析を行った
ところ、251℃付近にTm、116℃付近にTgが観
測された。
フラスコを用い、窒素雰囲気下で重合反応を行った。ト
ルエン 68.1 mlと(トリメチル)ペンタメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウム 0.1 mmolをガラス製三ツ口フ
ラスコに仕込み、続いてトリス(ペンタフルオロフェニ
ル)ボロン 0.09 mmolを仕込んで、10分間室温でエージ
ングを行った。ここに、トリオクチルアルミニウム 0.2
mmolを仕込み室温で 10 分間エージングを行った。次
に、-25 ℃の恒温とし、30 分間エージングを行った。
シスチレン 0.9 mmolを仕込んで、-25 ℃にて 15 分間
重合反応を行った。少量のメタノールを添加して重合反
応を停止し、重合溶液を大量のメタノールに注ぎ込み重
合体を析出させた。得られた重合体をトルエンに再溶解
させ、濾過後、再度溶液を大量のメタノールに注ぎ込み
重合体を析出させた。洗浄、濾別、乾燥、秤量して、重
合体 0.041 g(収率:16.2 wt%)を得た。重合活性
は 1.64 (g of polymer)/((mmol Ti)×hr)であっ
た。得られた重合体の重量平均分子量(Mw)は 1850
0、数平均分子量(Mn)は 13400、分子量分布(Mw
/Mn)は 1.38 であった。また、13C-NMR測定に
より求められるシンジオタクティシティーは、ラセミペ
ンタッドで 95 %以上であった。また、熱分析を行った
ところ、250℃付近にTm、114℃付近にTgが観
測された。
フラスコを用い、窒素雰囲気下で重合反応を行った。ト
ルエン 69.0 mlと(トリメチル)ペンタメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウム 0.1 mmolをガラス製三ツ口フ
ラスコに仕込み、続いてトリス(ペンタフルオロフェニ
ル)ボロン 0.09 mmolを仕込んで、10分間室温でエージ
ングを行った。ここに、トリオクチルアルミニウム 0.2
mmolを仕込み室温で 10 分間エージングを行った。次
に、-25 ℃の恒温とし、30 分間エージングを行った。
シスチレン 2.0 mmolを仕込んで、-25 ℃にて 30 分間
重合反応を行った。少量のメタノールを添加して重合反
応を停止し、重合溶液を大量のメタノールに注ぎ込み重
合体を析出させた。得られた重合体をトルエンに再溶解
させ、濾過後、再度溶液を大量のメタノールに注ぎ込み
重合体を析出させた。洗浄、濾別、乾燥、秤量して、重
合体 0.233 g(収率:48.5 wt%)を得た。重合活性
は 4.66 (g of polymer)/((mmol Ti)×hr)であっ
た。得られた重合体の重量平均分子量(Mw)は 6900
0、数平均分子量(Mn)は 55200、分子量分布(Mw
/Mn)は 1.25 であった。また、13C-NMR測定に
より求められるシンジオタクティシティーは、ラセミペ
ンタッドで 95 %以上であった。
フラスコを用い、窒素雰囲気下で重合反応を行った。ト
ルエン 69.0 mlと(トリメチル)ペンタメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウム 0.1 mmolをガラス製三ツ口フ
ラスコに仕込み、続いてトリス(ペンタフルオロフェニ
ル)ボロン 0.09 mmolを仕込んで、10分間室温でエージ
ングを行った。ここに、トリオクチルアルミニウム 0.2
mmolを仕込み室温で 10 分間エージングを行った。次
に、-25 ℃の恒温とし、30 分間エージングを行った。
シスチレン 2.0 mmolを仕込んで、-25 ℃にて 60 分間
重合反応を行った。少量のメタノールを添加して重合反
応を停止し、重合溶液を大量のメタノールに注ぎ込み重
合体を析出させた。得られた重合体をトルエンに再溶解
させ、濾過後、再度溶液を大量のメタノールに注ぎ込み
重合体を析出させた。洗浄、濾別、乾燥、秤量して、重
合体 0.383 g(収率:79.7 wt%)を得た。重合活性
は 3.83 (g of polymer)/((mmol Ti)×hr)であっ
た。得られた重合体の重量平均分子量(Mw)は 10200
0、数平均分子量(Mn)は 81700、分子量分布(Mw
/Mn)は 1.25 であった。また、13C-NMR測定に
より求められるシンジオタクティシティーは、ラセミペ
ンタッドで95 %以上であった。
チック構造であることの確認 図1(a)(b)に実施例2で得られた重合体の13C−
NMRを、図2(a)(b)に実施例2で用いた単量体
を使用して熱重合により合成されたアタクチック構造を
有する重合体の13C−NMRを示す。図1(a)におい
て、137.87ppmのフェニルC1 炭素に帰属する
ピークが、図2(a)(アタクチック)に比べ非常にシ
ャープになっていること、そして図1(b)の44.7
2ppmの主鎖メチン炭素に帰属するピークが、図2
(b)に比べ、非常にシャープになっていることから、
実施例1で得られた重合体は、非常に立体規則性の高い
ものであることがわかる。また、DSC測定で観察され
たの吸熱ピーク(融点)の存在もこのことを支持する。
さらに、Macromolecules,第21巻,第12号,第3356ペー
ジ(1988年)にて示されるように、一般にシンジオタク
チック構造に由来するラセミペンタッド構造のピーク
は、アタクチック構造の複雑なピークと比較すると、高
磁場側に位置するのに対し、図1(a)の実施例1で得
られた重合体のフェニルC1炭素のピーク137.87
ppmは、図2(a)の 137.0〜 141.0pp
mのアタクチック構造のフェニルC1炭素の複雑なピー
クの中で、高磁場側に位置する。これらのことから、実
施例1で得られた重合体はシンジオタクチック構造のも
のであることがわかる。
フラスコを用い、窒素雰囲気下で重合反応を行った。ト
ルエン 68.1 mlとトリオクチルアルミニウム 0.1 mmol
をガラス製三ツ口フラスコに仕込み、10 分間室温でエ
ージングを行った。ここに、(トリメチル)ペンタメチ
ルシクロペンタジエニルチタニウム 0.1 mmol、続いて
トリス(ペンタフルオロフェニル)ボロン 0.09 mmolを
仕込み室温で 10 分間エージングを行った。次に、-25
℃の恒温とし、10 分間エージングを行った。
キシスチレン0.1mmolのトルエン溶液を仕込んで。さら
に-25 ℃の温度で60分間エージングを行った。最後に、
p-tert-ブチルジメチルシリルオキシスチレン2.0mmolの
トルエン溶液を仕込んで、-25 ℃にて 5 分間重合反応
を行った。少量のメタノールを添加して重合反応を停止
し、重合溶液を大量のメタノールに注ぎ込み重合体を析
出させた。得られた重合体をトルエンに再溶解させ、濾
過後、再度溶液を大量のメタノールに注ぎ込み重合体を
析出させた。洗浄、濾別、乾燥、秤量して、重合体 0.1
19 g(収率:24.2 wt%)を得た。重合活性は 14.3
(g of polymer)/((mmolTi)×hr)であった。得られ
た重合体の重量平均分子量(Mw)は 31600、数平均分
子量(Mn)は29300、分子量分布(Mw/Mn)は 1.
08 であった。また、13C-NMR測定により求められる
シンジオタクティシティーは、ラセミペンタッドで 95
%以上であった。また、熱分析を行ったところ、104 ℃
にTgが観測された。
フラスコを用い、窒素雰囲気下で重合反応を行った。ト
ルエン 68.1 mlとトリオクチルアルミニウム 0.1 mmol
をガラス製三ツ口フラスコに仕込み、10 分間室温でエ
ージングを行った。ここに、(トリメチル)ペンタメチ
ルシクロペンタジエニルチタニウム 0.1 mmol、続いて
トリス(ペンタフルオロフェニル)ボロン 0.09 mmolを
仕込み室温で 10 分間エージングを行った。次に、-25
℃の恒温とし、10 分間エージングを行った。
キシスチレン0.1mmolのトルエン溶液を仕込んで。さら
に-25 ℃の温度で60分間エージングを行った。最後に、
p-tert-ブチルジメチルシリルオキシスチレン2.0mmolの
トルエン溶液を仕込んで、-25 ℃にて 10 分間重合反応
を行った。少量のメタノールを添加して重合反応を停止
し、重合溶液を大量のメタノールに注ぎ込み重合体を析
出させた。得られた重合体をトルエンに再溶解させ、濾
過後、再度溶液を大量のメタノールに注ぎ込み重合体を
析出させた。洗浄、濾別、乾燥、秤量して、重合体 0.2
27 g(収率:46.2 wt%)を得た。重合活性は 13.6
(g of polymer)/((mmolTi)×hr)であった。得られた
重合体の重量平均分子量(Mw)は 46800、数平均分子
量(Mn)は44000、分子量分布(Mw/Mn)は 1.06
であった。また、13C-NMR測定により求められるシ
ンジオタクティシティーは、ラセミペンタッドで 95 %
以上であった。また、熱分析を行ったところ、105 ℃に
Tgが観測された。
フラスコを用い、窒素雰囲気下で重合反応を行った。ト
ルエン 68.1 mlとトリオクチルアルミニウム 0.1 mmol
をガラス製三ツ口フラスコに仕込み、10 分間室温でエ
ージングを行った。ここに、(トリメチル)ペンタメチ
ルシクロペンタジエニルチタニウム 0.1 mmol、続いて
トリス(ペンタフルオロフェニル)ボロン 0.09 mmolを
仕込み室温で 10 分間エージングを行った。次に、-25
℃の恒温とし、10 分間エージングを行った。
キシスチレン0.1mmolのトルエン溶液を仕込んで。さら
に-25 ℃の温度で60分間エージングを行った。最後に、
p-tert-ブチルジメチルシリルオキシスチレン2.0mmolの
トルエン溶液を仕込んで、-25 ℃にて 20 分間重合反応
を行った。少量のメタノールを添加して重合反応を停止
し、重合溶液を大量のメタノールに注ぎ込み重合体を析
出させた。得られた重合体をトルエンに再溶解させ、濾
過後、再度溶液を大量のメタノールに注ぎ込み重合体を
析出させた。洗浄、濾別、乾燥、秤量して、重合体 0.3
64 g(収率:73.9 wt%)を得た。重合活性は 10.9
(g of polymer)/((mmolTi)×hr)であった。得られ
た重合体の重量平均分子量(Mw)は 65500、数平均分
子量(Mn)は60800、分子量分布(Mw/Mn)は 1.
08 であった。また、13C-NMR測定により求められる
シンジオタクティシティーは、ラセミペンタッドで 95
%以上であった。また、熱分析を行ったところ、105 ℃
にTgが観測された。
フラスコを用い、窒素雰囲気下で重合反応を行った。ト
ルエン 68.1 mlとトリオクチルアルミニウム 0.1 mmol
をガラス製三ツ口フラスコに仕込み、10 分間室温でエ
ージングを行った。ここに、(トリメチル)ペンタメチ
ルシクロペンタジエニルチタニウム 0.1 mmol、続いて
トリス(ペンタフルオロフェニル)ボロン 0.09 mmolを
仕込み室温で 10 分間エージングを行った。次に、-25
℃の恒温とし、10 分間エージングを行った。
キシスチレン0.1mmolのトルエン溶液を仕込んで、さら
に-25 ℃の温度で60分間エージングを行った。最後に、
p-tert-ブチルジメチルシリルオキシスチレン2.0mmolの
トルエン溶液を仕込んで、-25 ℃にて 30 分間重合反応
を行った。少量のメタノールを添加して重合反応を停止
し、重合溶液を大量のメタノールに注ぎ込み重合体を析
出させた。得られた重合体をトルエンに再溶解させ、濾
過後、再度溶液を大量のメタノールに注ぎ込み重合体を
析出させた。洗浄、濾別、乾燥、秤量して、重合体 0.4
44 g(収率:90.2 wt%)を得た。重合活性は 8.88
(g of polymer)/((mmolTi)×hr)であった。得られ
た重合体の重量平均分子量(Mw)は 89900、数平均分
子量(Mn)は82400、分子量分布(Mw/Mn)は 1.
09 であった。また、13C-NMR測定により求められる
シンジオタクティシティーは、ラセミペンタッドで 95
%以上であった。また、熱分析を行ったところ、105 ℃
にTgが観測された。
チック構造であることの確認 図3(a)(b)に実施例8で得られた重合体の13C−
NMRを、図4(a)(b)に実施例8で用いた単量体
を使用して熱重合により合成されたアタクチック構造を
有する重合体の13C−NMRを示す。図3(a)におい
て、138.01ppmのフェニルC1炭素に帰属するピーク
が、図4(a)(アタクチック)に比べ非常にシャープ
になっていること、そして図3(b)において44.73p
pmの主鎖メチン炭素に帰属するピークが、図4(b)
に比べ、非常にシャープになっていることから、実施例
8で得られた重合体は、非常に立体規則性の高いもので
あることがわかる。さらに、Macromolecules,第21巻,
第12号,第3356ページ(1988年)にて示されるように、
一般にシンジオタクチック構造に由来するラセミペンタ
ッド構造のピークは、アタクチック構造の複雑なピーク
と比較すると、高磁場側に位置するのに対し、図3の実
施例8で得られた重合体のフェニルC1炭素のピーク13
8.01ppmは、図4の 137.0〜 140.5ppmのアタクチ
ック構造のフェニルC1炭素の複雑なピークの中で、高
磁場側に位置する。これらのことから、実施例8で得ら
れた重合体はシンジオタクチック構造のものであること
がわかる。
フラスコを用い、窒素雰囲気下で重合反応を行った。ト
ルエン 47.1 mlとトリオクチルアルミニウム 0.1 mmol
を仕込み、室温で10 分間エージングを行った。続いて
ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウム 0.1 mmo
l、及び、トリフェニルカルベニウムテトラキス(ペン
タフルオロフェニル)ボレート 0.09 mmol を仕込ん
で、10分間室温でエージングを行った。次に、-25 ℃
の恒温とし、10 分間エージングを行った。
キシスチレン 0.1 mmolのトルエン溶液を仕込んで、さ
らに-25 ℃の温度で60分間重分間エージングを行っ
た。最後に、p-tert-ブチルジメチルシリルオキシスチ
レン 2.0 mmolのトルエン溶液を仕込んで、-25 ℃にて
5分間重合反応を行った。少量のメタノールを添加して
重合反応を停止し、重合溶液を大量のメタノールに注ぎ
込み重合体を析出させた。得られた重合体をトルエンに
再溶解させ、濾過後、再度溶液を大量のメタノールに注
ぎ込み重合体を析出させた。洗浄、濾別、乾燥、秤量し
て、重合体 0.372 g(収率:75.6 wt%)を得た。重
合活性は 44.8 (g of polymer)/((mmol Ti)×hr)
であった。得られた重合体の重量平均分子量(Mw)は
96200、数平均分子量(Mn)は 53900、分子量分布
(Mw/Mn)は 1.78 であった。また、13C-NMR
測定により求められるシンジオタクティシティーは、ラ
セミペンタッドで 95 %以上であった。
フラスコを用い、窒素雰囲気下で重合反応を行った。ト
ルエン 47.1 mlとトリイソブチルアルミニウム0.1 mmol
を仕込み、室温で10 分間エージングを行った。続いて
ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウム 0.1 mmo
l、及び、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボロン 0.
09 mmol を仕込んで、10分間室温でエージングを行っ
た。次に、-25 ℃の恒温とし、10 分間エージングを行
った。
キシスチレン 0.1 mmolのトルエン溶液を仕込んで、さ
らに-25 ℃の温度で60分間重分間エージングを行っ
た。最後に、p-tert-ブチルジメチルシリルオキシスチ
レン 2.0 mmolのトルエン溶液を仕込んで、-25 ℃にて
20分間重合反応を行った。少量のメタノールを添加し
て重合反応を停止し、重合溶液を大量のメタノールに注
ぎ込み重合体を析出させた。得られた重合体をトルエン
に再溶解させ、濾過後、再度溶液を大量のメタノールに
注ぎ込み重合体を析出させた。洗浄、濾別、乾燥、秤量
して、重合体 0.485 g(収率:98.5 wt%)を得た。
重合活性は 14.6 (g of polymer)/((mmol Ti)×h
r)であった。得られた重合体の重量平均分子量(M
w)は 31000、数平均分子量(Mn)は 26800、分子量
分布(Mw/Mn)は 1.16 であった。また、13C-N
MR測定により求められるシンジオタクティシティー
は、ラセミペンタッドで 95 %以上であった。
レンは、トリアルキルシリルオキシスチレン重合体の製
造に用いることができ、本発明のトリアルキルシリルオ
キシスチレン重合体は、高度のシンジオタクチック構造
を有するものであって、プリント配線基板、オフセット
PS印刷版、フォトレジストなどの素材として、あるい
は難燃性接着剤や金属表面処理剤などとして有用なビニ
ルフェノール系重合体に容易に導くことができる。ま
た、本発明の製造方法によると、該トリアルキルシリル
オキシスチレンスチレン重合体を効率よく製造すること
ができる。
ートである。
ク構造を有する重合体の13C−NMRチャートである。
ートである。
たアタクチック構造を有する重合体の13C−NMRチャ
ートである。
Claims (3)
- 【請求項1】 下記一般式(1) 【化1】 (式中、R1 は炭素数3〜30のトリアルキルシリルオ
キシ基、mは1〜3の整数であり、mが複数の場合R1
は同一であってもよいし、異なっていてもよい。)で表
わされる構造単位を有する数平均分子量が800以上の
重合体であり、かつそのタクティシティーが13C−NM
Rによるラセミペンタッドで30%以上であるシンジオ
タクチック構造のトリアルキルシリルオキシスチレン系
重合体。 - 【請求項2】 触媒として、(A)下記一般式(2)お
よび/又は一般式(3) MR2 aR3 bR4 cX1 4-(a+b+c) (2) MR2 dR3 eX1 3-(d+e) (3) (式中、R2、R3、及びR4はそれぞれ水素原子、炭素
数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール
基、アルキルアリール基、アリールアルキル基、炭素数
1〜20のアシルオキシ基、炭素数1〜20のアルコキ
シ基、炭素数1〜20のチオアルコキシ基、炭素数6〜
20のチオアリーロキシ基、シクロペンタジエニル基、
置換シクロペンタジエニル基、インデニル基、置換イン
デニル基、フルオレニル基、あるいは置換フルオレニル
基を示す。Mはチタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)
又はハフニウム(Hf)からなる群から選ばれる遷移金
属、X 1はハロゲン原子を示す。これらR2、R3、及び
R4は同一のものであっても、異なるものであってもよ
い。さらにa,b,cはそれぞれ0〜4の整数を示し、
またd,eはそれぞれ0〜3の整数を示す。)で表され
る遷移金属化合物と、(B)下記(a)〜(d) (a)有機アルミニウムオキシ化合物、(b)前記遷移
金属化合物と反応してカチオン性遷移金属化合物を生成
できるイオン性化合物、(c)前記遷移金属化合物と反
応してカチオン性遷移金属化合物を生成できるルイス酸
化合物、(d)周期律表第1、2及び13族元素金属の
有機金属化合物、から選択される少なくとも一種の助触
媒との反応生成物を主たる触媒成分とするものを用いト
リアルキルシリルオキシスチレン系単量体を重合させる
ことを特徴とする請求項1に記載のトリアルキルスチレ
ン系重合体の製造方法。 - 【請求項3】 下記式(4) 【化2】 で表わされる構造式からなることを特徴とするトリアル
キルシリルオキシスチレン系単量体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000259207A JP4899201B2 (ja) | 2000-02-10 | 2000-08-29 | スチレン系重合体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000-33702 | 2000-02-10 | ||
JP2000033702 | 2000-02-10 | ||
JP2000033702 | 2000-02-10 | ||
JP2000259207A JP4899201B2 (ja) | 2000-02-10 | 2000-08-29 | スチレン系重合体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001294618A true JP2001294618A (ja) | 2001-10-23 |
JP4899201B2 JP4899201B2 (ja) | 2012-03-21 |
Family
ID=26585215
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000259207A Expired - Lifetime JP4899201B2 (ja) | 2000-02-10 | 2000-08-29 | スチレン系重合体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4899201B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001294619A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-10-23 | Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti | スチレン系重合体及びその製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54122257A (en) * | 1978-03-11 | 1979-09-21 | Cosmo Co Ltd | Silicon-containing vinylphenol derivative and its preparation |
JPS5953506A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-28 | Tounen Sekiyu Kagaku Kk | スチレン誘導体の重合体の製造方法 |
JPH0586130A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-06 | Shoei Chem Ind Co | ポリ(4−トリメチルシリルオキシスチレン)の製造方法 |
JPH0782310A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-03-28 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スチレン系重合体の製造方法 |
JP2962145B2 (ja) * | 1994-05-16 | 1999-10-12 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型パターン形成材料 |
JP2000256413A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-19 | Agency Of Ind Science & Technol | シンジオタクチックスチレン系樹脂製造用触媒及びスチレン系樹脂 |
JP2000319323A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-11-21 | Agency Of Ind Science & Technol | シンジオタクチックスチレン系重合体およびその製造方法 |
JP2001294619A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-10-23 | Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti | スチレン系重合体及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-08-29 JP JP2000259207A patent/JP4899201B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54122257A (en) * | 1978-03-11 | 1979-09-21 | Cosmo Co Ltd | Silicon-containing vinylphenol derivative and its preparation |
JPS5953506A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-28 | Tounen Sekiyu Kagaku Kk | スチレン誘導体の重合体の製造方法 |
JPH0586130A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-06 | Shoei Chem Ind Co | ポリ(4−トリメチルシリルオキシスチレン)の製造方法 |
JPH0782310A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-03-28 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スチレン系重合体の製造方法 |
JP2962145B2 (ja) * | 1994-05-16 | 1999-10-12 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型パターン形成材料 |
JP2000256413A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-19 | Agency Of Ind Science & Technol | シンジオタクチックスチレン系樹脂製造用触媒及びスチレン系樹脂 |
JP2000319323A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-11-21 | Agency Of Ind Science & Technol | シンジオタクチックスチレン系重合体およびその製造方法 |
JP2001294619A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-10-23 | Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti | スチレン系重合体及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001294619A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-10-23 | Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti | スチレン系重合体及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4899201B2 (ja) | 2012-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4625901B2 (ja) | シンジオタクチック芳香族ビニル系ブロック共重合体およびその製造方法 | |
CA1308848C (en) | Styrene copolymer and process for producing said copolymers | |
JP3194438B2 (ja) | スチレン系重合体の製造方法及びその触媒 | |
JPS6381107A (ja) | 増加した1,2−微構造を有する重合体の製造法 | |
WO1992022589A1 (en) | Process for producing styrenic polymer and catalyst therefor | |
JP2948630B2 (ja) | スチレン系重合体の製造方法 | |
JP2531583B2 (ja) | スチレン系共重合体およびその製造方法 | |
EP0299391A1 (en) | Process for production of styrene-based polymers | |
JP3107251B2 (ja) | スチレン系ブロック共重合体及びその製造方法 | |
JP2000154221A (ja) | 共役ジエン系ブロック共重合体の製造方法、共役ジエン系ブロック共重合体、およびブタジエン系ブロック共重合体 | |
JP4899200B2 (ja) | スチレン系重合体及びその製造方法 | |
JP2001294618A (ja) | スチレン系重合体及びその製造方法 | |
JPH11286508A (ja) | ブタジエン系重合体、および共役ジエン系重合体の製造方法 | |
JP2001278933A (ja) | シンジオタクチックスチレン系共重合体およびその製造方法 | |
JP2000319323A (ja) | シンジオタクチックスチレン系重合体およびその製造方法 | |
KR20170075529A (ko) | 전이 금속 화합물, 이를 포함하는 촉매 조성물 및 이를 이용한 올레핀 중합체의 제조 방법 | |
US7026406B1 (en) | Syndiotactic styrene polymers and process for the production thereof | |
JP2000256413A (ja) | シンジオタクチックスチレン系樹脂製造用触媒及びスチレン系樹脂 | |
US6221983B1 (en) | Dispersion polymerization in the presence of metallocene catalyst | |
JP2001081121A (ja) | シンジオタクチックスチレン系重合体の製造方法 | |
JP2003119222A (ja) | シンジオタクチック置換ヒドロキシスチレン系重合体の製造方法 | |
JP2000319319A (ja) | 末端変性シンジオタクチックスチレン系重合体およびその製造方法 | |
JP4486744B2 (ja) | フォトレジスト組成物とその工業製品 | |
JPH11286509A (ja) | 共役ジエン系共重合体の製造方法 | |
KR0164878B1 (ko) | 스티렌계 공중합체 및 그의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070322 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080423 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080430 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080423 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080430 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101029 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101116 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110412 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110613 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111129 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4899201 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150113 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150113 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150113 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |