JP2001284484A

JP2001284484A - 多層基板およびその製法

Info

Publication number: JP2001284484A
Application number: JP2000092470A
Authority: JP
Inventors: Norimitsu Fukamizu; 則光深水; Sentaro Yamamoto; 泉太郎山元; Yuzuru Matsumoto; 譲松本
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2000-03-29
Filing date: 2000-03-29
Publication date: 2001-10-12

Abstract

(57)【要約】【課題】デラミネーションを防止できるとともに、電子
部品の絶縁基体への接合強度を向上できる多層基板およ
びその製法を提供する。【解決手段】絶縁層１ａ〜１ｈを複数積層してなる絶縁
基体１と、該絶縁基体１表面に形成された電子部品６を
収納するためのキャビティ２と、該キャビティ２の底面
に形成された電極２１とを有する多層基板であって、キ
ャビティ２の隅部に、電極２１の厚みよりも厚い隅部導
体２３を形成してなるものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は多層基板およびその
製法に関し、特に、ＩＣチップ等の電子部品を収納する
キャビティが形成された高周波モジュール用の多層基板
およびその製法に関するものである。

【０００２】

【従来技術】近年、電子機器は小型軽量化、携帯化が進
んでおり、それに用いられる回路ブロックもその動向に
呼応する形で、小型軽量薄型化、表面実装化、更には複
合モジュール化が押し進められている。このような動向
の中で、セラミックを用いた高周波モジュール用多層基
板が、素子内蔵による小型化や低誘電損失性等の特徴か
ら多用されている。

【０００３】高周波モジュール用多層基板は、通常、基
板上にＩＣチップやチップコンデンサ等の小型部品が実
装され、ＩＣチップは、基板の小型化、特に低背化の要
求から、キャビティと呼ばれる多層基板の一部を矩形状
に掘り下げた凹部に収納されている。そして、キャビテ
ィ内のＩＣチップは、ワイヤーボンディングや半田を用
いて基板上の電極へ信号が伝達される構造となってい
る。

【０００４】このような多層基板の製法としては、従
来、（ａ）グリーンシートに、パンチングによりビアホ
ールおよび、必要に応じてキャビティとなる貫通穴を形
成する工程、（ｂ）ビアホール用貫通穴に導体ペースト
を充填する工程、（ｃ）グリーンシートに内部配線用の
導体ペーストを印刷する工程、上記（ａ）〜（ｃ）工程
によって作製した複数の未焼成のグリーンシートを積層
し、必要に応じてプレスを行ない、焼成することにより
作製していた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の高周波モジュール用多層基板は、次のような問題が
あった。

【０００６】即ち、第１に、キャビティ底部の基板にデ
ラミネーションが発生し易い点である。これは、キャビ
ティ底部に形成する導体とキャビティ上部の基板との密
着性が悪く、その界面にて剥離が発生し、基板の強度を
劣化させるという問題である。これは、グリーンシート
積層体のプレスにおいて、キャビティのみプレス圧力が
作用しないことによる積層体内部の生密度の不均一が原
因である。

【０００７】第２に、ＩＣチップをキャビティ底部に搭
載する際の接続信頼性が低いという問題である。キャビ
ティ隅部は角となっているため、製造工程中に発生する
不純物や微細なゴミ等の異物が残留し易いため、ＩＣチ
ップをキャビティ底部の電極上に半田を用いて接合する
際に、異物が接合時に半田中の異物として残留し、接合
強度を劣化させるという問題があった。

【０００８】本発明は、デラミネーションを防止できる
とともに、電子部品の絶縁基体への接合強度を向上でき
る多層基板およびその製法を提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の多層基板は、絶
縁層を複数積層してなる絶縁基体と、該絶縁基体表面に
形成された電子部品を収納するためのキャビティと、該
キャビティの底面に形成された電極とを有する多層基板
であって、前記キャビティの隅部に、前記電極の厚みよ
りも厚い隅部導体を形成してなるものである。

【００１０】本発明の多層基板では、キャビティの隅部
（角部）に、電極の厚みよりも厚い隅部導体を形成した
ので、キャビティ底面の電極とキャビティ上部の基板と
の接着面積を増加でき、特に隅部導体とキャビティ底面
の電極とが接続している場合、キャビティ底面に形成す
る電極と、キャビティ上部の基板との密着性を向上で
き、接合強度を向上でき、キャビティ底面の界面におけ
る剥離（デラミネーション）を防止できる。

【００１１】また、キャビティ内部には、製造工程中に
発生する不純物や微細なゴミ等の異物が残留し易く、特
にキャビティの隅部には残留し易いが、本発明では、キ
ャビティの隅部に、電極の厚みよりも厚い隅部導体を形
成したので、不純物や微細なゴミ等は、キャビティの隅
部からキャビティ底面中央部に移動し、エアを吹き付け
る等により簡単に除去することができ、ＩＣチップ等の
電子部品をキャビティ底部の電極上に半田を用いて接合
する際にも、半田中に異物が存在することがなく、電子
部品の絶縁基板への接合強度および接続信頼性を向上で
きる。

【００１２】本発明では、隅部導体の露出表面は、キャ
ビティの側面に対して傾斜していることが望ましい。こ
のような隅部導体を形成することにより、製造工程中に
発生する不純物や微細なゴミ等がキャビティの隅部に集
合しようとしても、隅部導体により阻止され、キャビテ
ィ底面中央部に集合することになる。

【００１３】また、本発明では、キャビティ底面の電極
表面が平坦であるとともに、該電極が隅部導体と連続し
ていることが望ましい。このような構成を採用すること
により、不純物や微細なゴミ等がキャビティ底面の電極
と隅部導体との間に残留することがない。また、キャビ
ティ底面に形成する導体と、キャビティ上部の基板とを
隅部導体により強固に接合することができ、キャビティ
底面の界面における剥離を防止できる。

【００１４】さらに、従来の方法では、基板の表面に形
成される表層電極の断面形状の凹凸が大きいため、ＩＣ
チップと基板の信号を伝達するワイヤボンディングと表
層電極の接合強度、および表層電極と基板の接合強度が
不充分であったが、本発明では、キャビティ周囲の絶縁
基体に、表面が露出する表層電極を埋設して設けること
により、キャビティ内に実装されたＩＣチップ等の電子
部品と、基板の信号を伝達するワイヤボンディングにお
いて、ワイヤボンディングと基板表面の表層電極、およ
び表層電極と基板の接合強度を向上できる。

【００１５】そして、このような多層基板は、絶縁基体
表面にキャビティを有する多層基板の製法であって、以
下の（ａ）〜（ｋ）の工程を具備する製法により作製で
きる。（ａ）少なくとも光硬化性樹脂および絶縁層材料を含有
するスリップ、少なくとも金属粉末材料および溶剤を含
有する導電性ペーストを作製する工程と、（ｂ）前記ス
リップを支持板上に塗布、乾燥して絶縁層成形体を作製
する工程と、（ｃ）該絶縁層成形体に露光、現像処理を
行ない、キャビティ用貫通孔を形成する工程と、（ｄ）
前記キャビティ用貫通孔に焼成時に消失する有機樹脂を
充填する工程と、（ｅ）前記（ｄ）工程で得られた絶縁
層成形体に、前記スリップを塗布、乾燥して絶縁層成形
体を作製する工程と、（ｆ）前記（ｅ）工程で得られた
絶縁層成形体に、前記（ｃ）、（ｄ）工程を前記キャビ
ティの形成に必要な層数だけ繰り返す工程と、（ｇ）前
記キャビティ用貫通孔内の有機樹脂表面に前記導電性ペ
ーストを塗布、乾燥し、導電部材を形成する工程と、
（ｈ）該導電部材表面および前記絶縁層成形体表面に、
前記スリップを塗布、乾燥して絶縁層成形体を作製し、
該絶縁層成形体を露光、硬化する工程と、（ｉ）前記
（ｈ）工程で得られた絶縁層成形体上に、前記スリップ
を塗布、乾燥して絶縁層成形体を作製し、該絶縁層成形
体を露光、硬化する工程を繰り返して積層成形体を作製
する工程と、（ｊ）前記積層成形体を前記支持板より剥
離する工程と、（ｋ）前記積層成形体を焼成する工程。

【００１６】また、上記製法において、必要に応じて、
絶縁層成形体を露光、現像処理により貫通孔を形成し、
この貫通孔内に導電性ペーストを充填する工程、また
は、絶縁層成形体に導電性ペーストを塗布し、配線パタ
ーンを形成する工程が追加される。

【００１７】本発明の製法では、多層基板が、逐次塗布
積層（ビルドアップ）方式により形成されるため、従来
のグリーンシート加圧圧着方式のように、積層後に加圧
する必要が無く、デラミネーションの原因となるキャビ
ティの有無による基板内部の加圧ムラも無くすことがで
き、キャビティ底面の界面における剥離（デラミネーシ
ョン）をさらに防止できる。

【００１８】また、従来のグリーンシート積層方式で
は、ビアホール導体は、その導体ペースト充填工程にお
いて、導体の表面に露出した部分の形状を平坦にするこ
とが困難なため、結果的にキャビティ底面の電極が平坦
とならず、ＩＣチップ等の半田接合時において、半田厚
みを均一することができないことに起因して接合強度劣
化を招き、接続信頼性を低下させる原因となっていた。
本発明の製法では、多層基板がビルドアップ方式により
形成されるため、キャビティ底面の電極表面が平坦とな
り、電子部品との接続信頼性を向上できる。

【００１９】さらに、上記（ｂ）工程において、先に導
電性ペーストを塗布し、表層電極となる導電部材を作製
した後、スリップを塗布することにより、支持基板を除
去すると、キャビティ周囲の絶縁基体に、表面が露出す
る表層電極を埋設して設けることができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の多層基板の斜視
図を示すもので、符号１は絶縁基体を示しており、入出
力端子、電源端子、グランド端子等の端子が端面電極１
１として示されている。端面電極１１は絶縁基体１の側
面４面に計１０個所露出して形成されている。

【００２１】絶縁基体１の上面には、キャビティ２及び
表層電極３が形成されており、ＩＣチップ等の電子部品
６がキャビティ２内に収納されている。そして電子部品
６からはボンディング細線１２によって表層電極（配
線）３に接続され信号が伝達する。また、この表層電極
３には別途、抵抗器やコンデンサ等のチップ部品５が接
続されている。

【００２２】図２に、図２の多層基板の断面図を示す。
絶縁層１ａ〜１ｈはセラミックまたはガラス−セラミッ
ク材料からなり、その厚みは４０〜１００μｍとされて
いる。このような複数の絶縁層１ａ〜１ｈ間には、内部
配線７が形成されている。この内部配線７は、金系、銀
系、銅系の金属材料、例えば銀系導体からなっている。
また、異なる絶縁層１ａ〜１ｈ間の内部配線７は、絶縁
層１ａ〜１ｈの厚みを貫くビアホール導体８によって接
続されている。このビアホール導体８も内部配線７と同
様に金系、銀系、銅系の金属材料、例えば銀系導体から
なっている。

【００２３】そして、絶縁基体１の一方の面に形成され
るキャビティ２には、図３に示すように、その底面に絶
縁基体１内部から連続する平坦な電極２１が形成され、
ＩＣチップ等の電子部品６は該電極２１の中央部に半田
を介して接合されている。

【００２４】キャビティ２の隅部には、電極２１の厚み
よりも厚い隅部導体２３が形成されており、隅部導体２
３は電極２１と連続している。この隅部導体２３は、キ
ャビティ２の隅部であって、絶縁基体１内部から連続し
ている電極２１上に形成され、一体となっている。

【００２５】即ち、隅部導体２３の高さは電極２１の高
さよりも高く形成され、隅部導体２３はキャビティ２の
底面に環状に形成されている。この隅部導体２３の露出
表面は、キャビティ２の側面に対して所定の角度θで傾
斜して形成されている。

【００２６】また、絶縁基板１表面には、図２に示した
ように、ビアホール導体８と接続する表層電極３が形成
されており、この表層電極３上には、必要に応じてメッ
キ処理が施され、この表層電極３には、電子部品６や各
種チップ部品５がボンディング細線１２や半田によって
接合されている。表層電極３は絶縁層１ｈ内に埋設され
ており、その上面が絶縁基体１の表面に露出し、絶縁基
体１の表面と表層電極３の露出面は同一面とされてい
る。

【００２７】この表層電極３は、ワイヤボンディングさ
れる部分の表層電極３については、絶縁基体１の表面か
らの突出量が、表層電極３の全膜厚の２０％以下とされ
ている。この範囲内ならば、ワイヤボンディング細線１
２と絶縁基板１表面の表層電極３、および表層電極３と
絶縁基板１の接合強度を向上できる。逆に、表面からの
突出量が、表層電極３の全膜厚の２０％よりも大きい
と、ワイヤボンディングにおける接合強度が不充分とな
り製品の接続信頼性が低下する傾向にある。

【００２８】以上のように構成された多層基板では、キ
ャビティ２の隅部に、電極２１の厚みよりも高く隅部導
体２３を形成したので、キャビティ２底面の電極２１と
キャビティ２上部の基板との接着面積を増加でき、キャ
ビティ２底面に形成する電極２１と、キャビティ２上部
の基板との密着性を向上でき、接合強度を向上でき、キ
ャビティ２底面の界面における剥離（デラミネーショ
ン）を防止できる。

【００２９】また、キャビティ２の隅部に、電極２１の
厚みよりも高い位置まで隅部導体２３を形成したので、
不純物や微細なゴミ等は、キャビティ２の隅部からキャ
ビティ２底面中央部に移動し、エアを吹き付ける等によ
り簡単に除去することができ、ＩＣチップ等の電子部品
６をキャビティ底部の電極２１上に半田を用いて接合す
る際にも、半田中に異物が存在することがなく、電子部
品６の絶縁基板１への接合強度および接続信頼性を向上
できる。

【００３０】このような多層基板は、図４に示す製造工
程によって製造される。先ず、絶縁層１ａ〜１ｈとなる
スリップ材を作製する。スリップ材は、例えば、ガラス
セラミックスまたはセラミック原料粉末、光硬化可能な
モノマー、例えばポリオキシエチル化トリメチロールプ
ロパントリアクリレートと、有機バインダ、例えばアル
キルメタクリレートと、可塑剤とを、有機溶剤、例えば
エチルカルビトールアセテートに混合し、ボールミルで
混練して作製される。

【００３１】セラミック原料粉末としては、例えば、金
属元素として少なくともＭｇ、Ｔｉ、Ｃａを含有する複
合酸化物であって、その金属元素酸化物による組成式を
（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ₃−ｘＣａＴｉＯ₃（但し、式中ｘ
は重量比を表し、０．０１≦ｘ≦０．１５）で表される
主成分１００重量部に対して、硼素含有化合物をＢ₂Ｏ₃
換算で３〜３０重量部、アルカリ金属含有化合物をアル
カリ金属炭酸塩換算で１〜２５重量部添加含有してなる
ものが用いられる。

【００３２】尚、上述の実施例では溶剤系スリップ材を
作製しているが、親水性の官能基を付加した光硬化可能
なモノマー、例えば多官能基メタクリレートモノマー、
有機バインダ、例えばカルボキシル変性アルキルメタク
リレートを用いて、イオン交換水で混練した水系スリッ
プ材であっても良い。セラミック原料粉末としては、例
えば、ガラス材料であるＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、
ＭｇＯ、Ｂ₂Ｏ₃を主成分とする結晶化ガラス粉末７０重
量％とセラミック材料であるアルミナ粉末３０重量％と
からなるものも用いられる。セラミック原料粉末は、特
に限定されるものではない。

【００３３】また、ビアホール導体８、内部配線７およ
び表層電極３、隅部導体２３、電極２１となる導電性ペ
ーストを作製する。導電性ペーストは、低融点で且つ低
抵抗の金属材料である例えば銀粉末と、硼珪酸系低融点
ガラス、例えばＢ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＢａＯガラス、Ｃａ
Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂ガラス、ＣａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｂ₂Ｏ
₃−ＳｉＯ₂ガラスと、有機バインダ、例えばエチルセル
ロースとを、有機溶剤、例えば２，２，４−トリメチル
−１，３−ペンタジオールモノイソブチレートに混合
し、３本ローラーにより均質混練して作製される。

【００３４】本発明の多層基板の製法は、まず、図４
（ａ）に示すように、支持基板３３上に、上述の表層電
極３となる導電性ペーストをスクリーン印刷法により形
成し、その後、８０℃で１０分間乾燥し、導電部材３１
を形成する。尚、支持基板３３としては、ガラス板上に
マイラーフイルムをコートした物を用い、焼成工程前に
取り外される。

【００３５】次に、上述のスリップ材をドクターブレー
ド法によって塗布・乾燥して、絶縁層１ｈを形成する絶
縁層成形体１０ｈを形成する。

【００３６】次に、この絶縁層成形体１０ｈに露光処理
を行ない、図５（ｂ）に示すように、ビアホール用貫通
孔３５ｈ、及びキャビティ形成用貫通孔４１ｈ（以下、
単に貫通孔３５ｈ、４１ｈということもある）の形成を
行う。貫通孔３５ｈ、４１ｈの形成は、露光処理、現像
処理、洗浄・乾燥処理により行う。

【００３７】露光処理は、絶縁層成形体１０ｈ上に、貫
通孔３５ｈ、４１ｈが形成される領域が遮光されるよう
なフォトターゲットを載置して、例えば、超高圧水銀灯
（１０ｍＷ／ｃｍ²）を光源として用いて露光を行な
う。

【００３８】これにより、貫通孔３５ｈ、４１ｈが形成
される領域の絶縁層成形体１０ｈにおいては、光硬化可
能なモノマの光重合反応がおこらず、貫通孔３５ｈ、４
１ｈが形成される領域以外の絶縁層成形体１０ｈにおい
ては、光重合反応が起こる。ここで光重合反応が起こっ
た部位を不溶化部といい、光重合反応が起こらない部位
を溶化部という。

【００３９】現像処理は、絶縁層成形体１０ｈの溶化部
を現像液で除去するもので、具体的には、例えば、トリ
エタノールアミン水溶液を現像液として用いてスプレー
現像を行う。この現像処理により、図４（ｃ）に示すよ
うに、絶縁層成形体１０ｈに貫通孔３５ｈ、４１ｈを形
成することができる。その後、絶縁層成形体１０ｈを現
像により生じる不要なカスなどを洗浄、乾燥工程により
完全に除去する。

【００４０】これに用いる現像装置は、パドル処理漕、
スプレー処理漕、純水洗浄処理漕の３つの処理漕からな
り、ワークはコンベアにより各漕を順に搬送され、各漕
の終端にはエアーシャワーを設け、現像液及び純粋は充
分に除去される構造となっている。

【００４１】まず初めに投入されるパドル処理漕は、希
釈濃度５〜１０％の現像液を使用し、乾燥膜の表面にノ
ズルを用いて放水し、表面張力によりワーク上に現像液
を載置することにより３０〜６０秒間浸漬させる処理漕
であり、おもに未露光部の溶解を行う処理漕である。

【００４２】続いて投入されるスプレー処理漕は、希釈
濃度１〜２％の現像液を使用し、乾燥膜の表面にスプレ
ーを用いて霧状にして３０〜６０秒間噴霧する処理漕で
あり、おもに未露光部で溶解した膜を除去する処理漕と
する。

【００４３】これによりワークはスプレーから噴霧され
た現像液を受けながら、ノズルの下を一定速度で移動
し、搬送速度に応じて設定された時間だけ現像処理を行
う。

【００４４】続いて投入される純水洗浄漕は、純水を使
用して、乾燥膜の表面にノズルを用いて放水し、３０〜
６０秒間洗浄する処理漕であり、おもに現像液を洗い流
す処理漕とする。これにより所望の孔が形成される。

【００４５】次に、ビアホール用貫通孔３５ｈへ導電性
ペーストを充填し、導電部材４２ｈを形成する。具体的
には、図４（ｄ）に示すように、上述の工程で形成した
貫通孔３５ｈ内に貫通孔３５ｈに相当する部位のみに印
刷可能なスクリーンを用いて印刷によって充填し、その
後、８０℃で１０分乾燥する。

【００４６】次に、キャビティ形成用貫通孔４１ｈへ焼
成時の温度で消失可能な有機樹脂４３ｈを充填する。有
機樹脂４３ｈは、例えばアクリル系樹脂や、メタクリル
系樹脂を使用し、概ね５００℃の温度にて分解を完了す
るものを使用する。具体的には、導体ペーストの充填と
同様にスクリーン印刷法により充填を行なうが、充填量
を制御した上で、メタルマスクを用いた方法や、ディス
ペンサーを用いた方法でも構わない。

【００４７】この後、上記と同様の工程を繰り返して図
４（ｅ）に示すように、絶縁層成形体１０ｂｇ、貫通孔
３５ｇ、キャビティ形成用貫通孔４１ｇを形成し、これ
らの貫通孔３５ｇ、４１ｇ内に導電部材４２ｇ、有機樹
脂４３ｇを形成する。次に、必要に応じて、キャビティ
底部に相当する有機樹脂４３ｇの表面形状をプレスや、
研磨によって整える。ここで、有機樹脂４３ｂとキャビ
ティ形成用貫通孔４１ｂの壁面との間に、隙間となる空
間４４を積層方向の上方に向けて広がるように制御す
る。即ち、空間４４は、有機樹脂４３ｇの周りに環状に
形成されることになる。

【００４８】次に、図４（ｆ）に示すように、内部配線
７となる配線パターン４５を形成する。配線パターン４
５は上述の導電性ペーストをスクリーン印刷法を用い、
絶縁層成形体１０ｇ上、導電部材４２ｇ上、有機樹脂４
３ｇ上に導電性ペーストを塗布し、これにより配線パタ
ーン４５を形成すると同時に、空間４４内に導電性ペー
ストを充填し、８０℃で１０分乾燥することにより形成
する。

【００４９】この配線パターン４５の上面に、上記した
ようにスリップ材を塗布し、露光、硬化し、必要に応じ
て貫通孔を形成し、この貫通孔内に導電性ペーストを充
填し、導電性ペーストを塗布して配線パターンを形成
し、図４（ｇ）に示すような積層成形体５１を作製す
る。

【００５０】この後、支持板３３を除去することによ
り、図４（ｈ）に示すような積層成形体５１が得られ、
次に、必要に応じて、積層成形体５１の両面から、回路
ブロックに分割される位置に鋭利な刃を押し付けて分割
溝を形成する。

【００５１】この後、脱バインダー工程と、本焼成工程
からなる焼成を行ない、脱バインダー工程において、含
まれている有機バインダ、光硬化可能なモノマー、キャ
ビティに充填した有機樹脂を消失し、本焼成工程により
焼結する。

【００５２】最後に、表面処理として、厚膜抵抗膜や厚
膜保護膜の印刷・焼きつけ、メッキ処理を行ない、多層
基板を得る。本多層基板においては、この後、半田を用
いてＩＣチップを含む電子部品６の接合を行う。さらに
は、ワイヤボンディングにてＩＣチップと基板の接続が
行われる。

【００５３】

【発明の効果】以上のように、本発明の多層基板は、キ
ャビティの隅部に、電極の厚みよりも高い位置まで隅部
導体を形成したので、キャビティ下部の基板とキャビテ
ィ上部の基板との接着面積を増加でき、キャビティ底面
に形成する導体と、キャビティ上部の基板との密着性を
向上でき、接合強度を向上でき、キャビティ底面の界面
における剥離（デラミネーション）を防止できる。

【００５４】また、キャビティの隅部に、電極の厚みよ
りも厚い隅部導体を形成したので、不純物や微細なゴミ
等の異物は、キャビティの隅部からキャビティ底面中央
部に移動し、エアを吹き付ける等により簡単に除去する
ことができ、ＩＣチップ等の電子部品をキャビティ底部
の電極上に半田を用いて接合する際にも、半田中に異物
が存在することがなく、電子部品の絶縁基板への接合強
度および接続信頼性を向上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層基板を示す斜視図である。

【図２】図１の一部の断面図である。

【図３】図２のキャビティ付近を拡大して示す断面図で
ある。

【図４】本発明の製法を説明するための工程図である。

【符号の説明】

１・・・絶縁基体１ｈ〜１ｈ・・・絶縁層２・・・キャビティ３・・・表層電極６・・・電子部品２１・・・電極２３・・・隅部導体３３・・・支持板１０ａ〜１０ｈ・・・絶縁層成形体層４１ａ、４１ｂ・・・キャビティ用貫通孔４３ａ、４３ｂ・・・有機樹脂５１・・・積層成形体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E346 AA12 AA15 AA38 AA43 AA60 BB01 BB15 BB16 CC17 CC18 CC31 CC32 CC38 CC39 DD02 DD34 EE23 EE29 FF18 FF45 GG02 GG03 GG04 GG06 HH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁層を複数積層してなる絶縁基体と、該
絶縁基体表面に形成された電子部品を収納するためのキ
ャビティと、該キャビティの底面に形成された電極とを
有する多層基板であって、前記キャビティの隅部に、前
記電極の厚みよりも厚い隅部導体を形成してなることを
特徴とする多層基板。
【請求項２】隅部導体の露出表面が、キャビティの側面
に対して傾斜していることを特徴とする請求項１記載の
多層基板。
【請求項３】キャビティ底面の電極表面が平坦であると
ともに、該電極が隅部導体と連続していることを特徴と
する請求項１または２記載の多層基板。
【請求項４】キャビティ周囲の絶縁基体に、表面が露出
する表層電極を埋設して設けたことを特徴とする請求項
１乃至３のうちいずれかに記載の多層基板。
【請求項５】絶縁基体表面にキャビティを有する多層基
板の製法であって、以下の（ａ）〜（ｋ）の工程を具備
することを特徴とする多層基板の製法。（ａ）少なくとも光硬化性樹脂および絶縁層材料を含有
するスリップ、少なくとも金属粉末材料および溶剤を含
有する導電性ペーストを作製する工程と、（ｂ）前記ス
リップを支持板上に塗布、乾燥して絶縁層成形体を作製
する工程と、（ｃ）該絶縁層成形体に露光、現像処理を
行ない、キャビティ用貫通孔を形成する工程と、（ｄ）
前記キャビティ用貫通孔に焼成時に消失する有機樹脂を
充填する工程と、（ｅ）前記（ｄ）工程で得られた絶縁
層成形体に、前記スリップを塗布、乾燥して絶縁層成形
体を作製する工程と、（ｆ）前記（ｅ）工程で得られた
絶縁層成形体に、前記（ｃ）、（ｄ）工程を前記キャビ
ティの形成に必要な層数だけ繰り返す工程と、（ｇ）前
記キャビティ用貫通孔内の有機樹脂表面に前記導電性ペ
ーストを塗布、乾燥し、導電部材を形成する工程と、
（ｈ）該導電部材表面および前記絶縁層成形体表面に、
前記スリップを塗布、乾燥して絶縁層成形体を作製し、
該絶縁層成形体を露光、硬化する工程と、（ｉ）前記
（ｈ）工程で得られた絶縁層成形体上に、前記スリップ
を塗布、乾燥して絶縁層成形体を作製し、該絶縁層成形
体を露光、硬化する工程を繰り返して積層成形体を作製
する工程と、（ｊ）前記積層成形体を前記支持板より剥
離する工程と、（ｋ）前記積層成形体を焼成する工程。