JP2001284197A - 積層セラミック電子部品のスクリーニング方法 - Google Patents
積層セラミック電子部品のスクリーニング方法Info
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- G01R31/1263—Testing dielectric strength or breakdown voltage ; Testing or monitoring effectiveness or level of insulation, e.g. of a cable or of an apparatus, for example using partial discharge measurements; Electrostatic testing of components, parts or materials of solid or fluid materials, e.g. insulation films, bulk material; of semiconductors or LV electronic components or parts; of cable, line or wire insulation
- G01R31/129—Testing dielectric strength or breakdown voltage ; Testing or monitoring effectiveness or level of insulation, e.g. of a cable or of an apparatus, for example using partial discharge measurements; Electrostatic testing of components, parts or materials of solid or fluid materials, e.g. insulation films, bulk material; of semiconductors or LV electronic components or parts; of cable, line or wire insulation of components or parts made of semiconducting materials; of LV components or parts
Abstract
(57)【要約】
【課題】 内部構造欠陥や寿命劣化などを起こすおそれ
の高い積層セラミック電子部品を効率よく選別・除去す
ることが可能な、信頼性の高い積層セラミック電子部品
のスクリーニング方法を提供する。 【解決手段】 積層セラミック電子部品に交流電圧を印
加した後、直流電圧を印加し、直流電圧印加時の絶縁抵
抗値により、積層セラミック電子部品の良・不良を判別
する。交流電圧として、破壊電圧の４０〜８０％の交流
電圧を印加する。交流電圧として、破壊電圧の５０〜７
０％の交流電圧を印加する。直流電圧として、定格電圧
の１〜２倍の直流電圧を印加する。本発明の方法を積層
セラミックコンデンサのスクリーニングに適用する。
の高い積層セラミック電子部品を効率よく選別・除去す
ることが可能な、信頼性の高い積層セラミック電子部品
のスクリーニング方法を提供する。 【解決手段】 積層セラミック電子部品に交流電圧を印
加した後、直流電圧を印加し、直流電圧印加時の絶縁抵
抗値により、積層セラミック電子部品の良・不良を判別
する。交流電圧として、破壊電圧の４０〜８０％の交流
電圧を印加する。交流電圧として、破壊電圧の５０〜７
０％の交流電圧を印加する。直流電圧として、定格電圧
の１〜２倍の直流電圧を印加する。本発明の方法を積層
セラミックコンデンサのスクリーニングに適用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品のスクリ
ーニング方法に関し、詳しくは、積層セラミックコンデ
ンサなどの積層セラミック電子部品の良否を判定するた
めのスクリーニング方法に関する。
ーニング方法に関し、詳しくは、積層セラミックコンデ
ンサなどの積層セラミック電子部品の良否を判定するた
めのスクリーニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
積層セラミックコンデンサや積層圧電部品など、セラミ
ック層と内部電極層が交互に積層された構造を有する積
層セラミック素子に、内部電極層と導通するように外部
電極を配設した構造を有する積層セラミック電子部品が
広く用いられており、このような積層セラミック電子部
品においては、薄膜化、多層化が進められている。そし
て、特に積層セラミックコンデンサについては、市場の
要求に応えるため、一層の薄膜化、多層化が進められて
いる。
積層セラミックコンデンサや積層圧電部品など、セラミ
ック層と内部電極層が交互に積層された構造を有する積
層セラミック素子に、内部電極層と導通するように外部
電極を配設した構造を有する積層セラミック電子部品が
広く用いられており、このような積層セラミック電子部
品においては、薄膜化、多層化が進められている。そし
て、特に積層セラミックコンデンサについては、市場の
要求に応えるため、一層の薄膜化、多層化が進められて
いる。
【０００３】しかし、積層セラミックコンデンサにおい
ては、セラミック層の薄層化に伴い、誘電体内部のわず
かな構造欠陥も、製品の信頼性を低下させることになる
ため、不良品の発生を完全に防止することは困難になっ
ており、製品を検査し、不良品を除去するスクリーニン
グが不可欠になっている。
ては、セラミック層の薄層化に伴い、誘電体内部のわず
かな構造欠陥も、製品の信頼性を低下させることになる
ため、不良品の発生を完全に防止することは困難になっ
ており、製品を検査し、不良品を除去するスクリーニン
グが不可欠になっている。
【０００４】ところで、スクリーニングの方法として
は、 直流電圧を一定の極性で印加して、絶縁抵抗を測定す
る方法、 直流電圧を極性の正逆を変えて印加し、それぞれの絶
縁抵抗を測定する方法、 加熱状態で直流電圧を印加し、絶縁抵抗を測定する方
法 直流電圧を印加し、そのときの漏洩電流の挙動変化を
捉えることにより、不良品を選別除去する方法 などの方法が知られているが、これらの方法は、いずれ
も直流電圧を印加するものであって、検査対象である積
層セラミックコンデンサに対する電気的な負荷は直流電
圧負荷のみとなる。
は、 直流電圧を一定の極性で印加して、絶縁抵抗を測定す
る方法、 直流電圧を極性の正逆を変えて印加し、それぞれの絶
縁抵抗を測定する方法、 加熱状態で直流電圧を印加し、絶縁抵抗を測定する方
法 直流電圧を印加し、そのときの漏洩電流の挙動変化を
捉えることにより、不良品を選別除去する方法 などの方法が知られているが、これらの方法は、いずれ
も直流電圧を印加するものであって、検査対象である積
層セラミックコンデンサに対する電気的な負荷は直流電
圧負荷のみとなる。
【０００５】そのため、内部構造欠陥や寿命劣化などを
引き起こしやすい状態にある積層セラミックコンデンサ
を検出することはできず、実際に使用した場合に、不具
合が発生したり、短時間で寿命が尽きてしまったりする
という問題点がある。
引き起こしやすい状態にある積層セラミックコンデンサ
を検出することはできず、実際に使用した場合に、不具
合が発生したり、短時間で寿命が尽きてしまったりする
という問題点がある。
【０００６】また、上記問題点は、積層セラミックコン
デンサの場合に限らず、他の積層セラミック電子部品の
場合にもあてはまるものである。
デンサの場合に限らず、他の積層セラミック電子部品の
場合にもあてはまるものである。
【０００７】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、内部構造欠陥や寿命劣化などを起こすおそれの高い
積層セラミック電子部品を効率よく選別・除去すること
が可能な、信頼性の高い積層セラミック電子部品のスク
リーニング方法を提供することを目的とする。
り、内部構造欠陥や寿命劣化などを起こすおそれの高い
積層セラミック電子部品を効率よく選別・除去すること
が可能な、信頼性の高い積層セラミック電子部品のスク
リーニング方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明（請求項１）の積層セラミック電子部品のス
クリーニング方法は、セラミック素子中に、セラミック
層を介して内部電極が積層された構造を有する積層セラ
ミック電子部品のスクリーニング方法であって、積層セ
ラミック電子部品に交流電圧を印加した後、直流電圧を
印加し、直流電圧印加時の絶縁抵抗値を測定することに
より、積層セラミック電子部品の良・不良を判別するこ
とを特徴としている。
に、本発明（請求項１）の積層セラミック電子部品のス
クリーニング方法は、セラミック素子中に、セラミック
層を介して内部電極が積層された構造を有する積層セラ
ミック電子部品のスクリーニング方法であって、積層セ
ラミック電子部品に交流電圧を印加した後、直流電圧を
印加し、直流電圧印加時の絶縁抵抗値を測定することに
より、積層セラミック電子部品の良・不良を判別するこ
とを特徴としている。
【０００９】積層セラミック電子部品に交流電圧を印加
した場合、積層セラミック電子部品への電流の負荷が加
わるため、電力的な耐久性を確認することができるよう
になる。すなわち、実際に使用した場合に、内部構造欠
陥及び寿命劣化を引き起こす可能性に高い状態にある積
層セラミック電子部品について、潜在的な不良を短時間
で顕在化させることが可能になる。したがって、積層セ
ラミック電子部品に交流電圧を印加した後、直流電圧を
印加し、直流電圧印加時の絶縁抵抗値を測定して、積層
セラミック電子部品の良・不良を判別することにより、
従来の方法では選別することが困難であった、内部構造
欠陥や寿命劣化などを起こすおそれの高い積層セラミッ
ク電子部品を効率よく選別して除去することが可能にな
る。
した場合、積層セラミック電子部品への電流の負荷が加
わるため、電力的な耐久性を確認することができるよう
になる。すなわち、実際に使用した場合に、内部構造欠
陥及び寿命劣化を引き起こす可能性に高い状態にある積
層セラミック電子部品について、潜在的な不良を短時間
で顕在化させることが可能になる。したがって、積層セ
ラミック電子部品に交流電圧を印加した後、直流電圧を
印加し、直流電圧印加時の絶縁抵抗値を測定して、積層
セラミック電子部品の良・不良を判別することにより、
従来の方法では選別することが困難であった、内部構造
欠陥や寿命劣化などを起こすおそれの高い積層セラミッ
ク電子部品を効率よく選別して除去することが可能にな
る。
【００１０】また、請求項２の積層セラミック電子部品
のスクリーニング方法は、前記交流電圧として、破壊電
圧の４０〜８０％の交流電圧を印加することを特徴とし
ている。
のスクリーニング方法は、前記交流電圧として、破壊電
圧の４０〜８０％の交流電圧を印加することを特徴とし
ている。
【００１１】交流電圧として、破壊電圧の４０〜８０％
の交流電圧を印加することにより、内部構造欠陥及び寿
命劣化を引き起こす可能性に高い状態にある積層セラミ
ック電子部品について、潜在的な不良を確実に顕在化さ
せることが可能になり、本発明を実効あらしめることが
できる。
の交流電圧を印加することにより、内部構造欠陥及び寿
命劣化を引き起こす可能性に高い状態にある積層セラミ
ック電子部品について、潜在的な不良を確実に顕在化さ
せることが可能になり、本発明を実効あらしめることが
できる。
【００１２】なお、交流電圧を破壊電圧の４０〜８０％
の範囲としたのは、交流電圧が破壊電圧の４０％未満に
なると、内部構造欠陥及び寿命劣化などの不良を顕在化
させる効果が小さくなり、また、交流電圧が破壊電圧の
８０％を越えると、良品まで破壊するおそれが生じて好
ましくないことによる。
の範囲としたのは、交流電圧が破壊電圧の４０％未満に
なると、内部構造欠陥及び寿命劣化などの不良を顕在化
させる効果が小さくなり、また、交流電圧が破壊電圧の
８０％を越えると、良品まで破壊するおそれが生じて好
ましくないことによる。
【００１３】また、請求項３の積層セラミック電子部品
のスクリーニング方法は、前記交流電圧として、破壊電
圧の５０〜７０％の交流電圧を印加することを特徴とし
ている。
のスクリーニング方法は、前記交流電圧として、破壊電
圧の５０〜７０％の交流電圧を印加することを特徴とし
ている。
【００１４】交流電圧を破壊電圧の５０〜７０％とする
ことにより、さらに確実に、良品を破壊することなく、
内部構造欠陥及び寿命劣化などの不良を短時間で、確実
に顕在化させることが可能になり、本発明をより実効あ
らしめることができるようになる。
ことにより、さらに確実に、良品を破壊することなく、
内部構造欠陥及び寿命劣化などの不良を短時間で、確実
に顕在化させることが可能になり、本発明をより実効あ
らしめることができるようになる。
【００１５】また、請求項４の積層セラミック電子部品
のスクリーニング方法は、前記直流電圧として、定格電
圧の１〜２倍の直流電圧を印加することを特徴としてい
る。
のスクリーニング方法は、前記直流電圧として、定格電
圧の１〜２倍の直流電圧を印加することを特徴としてい
る。
【００１６】直流電圧を定格電圧の１〜２倍として、直
流電圧印加時の絶縁抵抗値を測定することにより、絶縁
抵抗不良などの欠陥を有する積層セラミック電子部品を
確実に検出することが可能になり、全体的にみて、信頼
性の高いスクリーニングを行うことができるようにな
る。
流電圧印加時の絶縁抵抗値を測定することにより、絶縁
抵抗不良などの欠陥を有する積層セラミック電子部品を
確実に検出することが可能になり、全体的にみて、信頼
性の高いスクリーニングを行うことができるようにな
る。
【００１７】また、請求項５の積層セラミック電子部品
のスクリーニング方法は、前記積層セラミック電子部品
が積層セラミックコンデンサであることを特徴としてい
る。
のスクリーニング方法は、前記積層セラミック電子部品
が積層セラミックコンデンサであることを特徴としてい
る。
【００１８】積層セラミック電子部品の中でも、積層セ
ラミックコンデンサは特に多層化、薄層化が進んでお
り、絶縁不良、内部構造欠陥、寿命劣化などが問題にな
りやすいが、本発明の方法を適用することにより、効率
よく、しかも確実に不良品を除去することが可能にな
り、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供する
ことが可能になる。
ラミックコンデンサは特に多層化、薄層化が進んでお
り、絶縁不良、内部構造欠陥、寿命劣化などが問題にな
りやすいが、本発明の方法を適用することにより、効率
よく、しかも確実に不良品を除去することが可能にな
り、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供する
ことが可能になる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を示し
て、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
て、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００２０】なお、この実施形態では、以下の積層セラ
ミックコンデンサについてスクリーニングを行う場合を
例にとって説明する。
ミックコンデンサについてスクリーニングを行う場合を
例にとって説明する。
【００２１】［積層セラミックコンデンサの条件］ 寸法 ：長さＬ＝４．５mm、幅Ｗ＝３．２mm、高さ
Ｔ＝２．６mm 容量 ：０．１μＦ 定格電圧：５００Ｖ 破壊電圧：ＤＣ１０００Ｖ
Ｔ＝２．６mm 容量 ：０．１μＦ 定格電圧：５００Ｖ 破壊電圧：ＤＣ１０００Ｖ
【００２２】［スクリーニングの実施］ 交流電圧の印加 上記の積層セラミックコンデンサに、４００Ｖの交流電
圧を１秒間印加する。なお、積層セラミックコンデンサ
の破壊電圧は１０００Ｖであるから、印加する交流電圧
（４００Ｖ）は、定格電圧の４０％となる。
圧を１秒間印加する。なお、積層セラミックコンデンサ
の破壊電圧は１０００Ｖであるから、印加する交流電圧
（４００Ｖ）は、定格電圧の４０％となる。
【００２３】直流電圧の印加・絶縁抵抗の測定 交流電圧を上記の条件で印加した後の積層セラミックコ
ンデンサに、５００Ｖの交流電圧を１秒間印加する。な
お、積層セラミックコンデンサの定格電圧は５００Ｖで
あるから、印加する直流電圧（５００Ｖ）は、定格電圧
の１倍となる。
ンデンサに、５００Ｖの交流電圧を１秒間印加する。な
お、積層セラミックコンデンサの定格電圧は５００Ｖで
あるから、印加する直流電圧（５００Ｖ）は、定格電圧
の１倍となる。
【００２４】［比較例］比較のため、上記の交流電圧
の印加の工程を省いた以外は、上記実施形態の場合と同
じ条件でスクリーニングを行った。
の印加の工程を省いた以外は、上記実施形態の場合と同
じ条件でスクリーニングを行った。
【００２５】［評価］同じロットから１００００個ずつ
の積層セラミックコンデンサを選び、上記実施形態の方
法と、上記比較例の方法によりスクリーニングを行った
場合の評価について説明する。
の積層セラミックコンデンサを選び、上記実施形態の方
法と、上記比較例の方法によりスクリーニングを行った
場合の評価について説明する。
【００２６】 比較例の方法でスクリーニングを行った場合 (a)１回目のスクリーニング：３個の不良品を検出 (b)２回目のスクリーニング：２個の不良品を検出 (c)３回目のスクリーニング：１個の不良品を検出 (d)４回目のスクリーニング：０個の不良品を検出 このように、交流電圧を印加する工程を備えていない比
較例の方法では、合計３回のスクリーニングですべての
不良品（７個）を検出することができた。そして、その
ことが４回目のスクリーニングを行うことによりはじめ
て確認された。
較例の方法では、合計３回のスクリーニングですべての
不良品（７個）を検出することができた。そして、その
ことが４回目のスクリーニングを行うことによりはじめ
て確認された。
【００２７】実施形態の方法でスクリーニングを行っ
た場合 (a)１回目のスクリーニング：７個の不良品を検出 (b)２回目のスクリーニング：０個の不良品を検出 交流電圧を印加する工程を備えている実施形態の方法で
スクリーニングを行った場合、１回のスクリーニングで
すべての不良品（７個）を検出することができた。そし
て、そのことを、２回目のスクリーニングを行うことに
より確認された。
た場合 (a)１回目のスクリーニング：７個の不良品を検出 (b)２回目のスクリーニング：０個の不良品を検出 交流電圧を印加する工程を備えている実施形態の方法で
スクリーニングを行った場合、１回のスクリーニングで
すべての不良品（７個）を検出することができた。そし
て、そのことを、２回目のスクリーニングを行うことに
より確認された。
【００２８】したがって、比較例のスクリーニング方法
の場合には、不良品が検出されなくなるまで、すなわち
４回目まで、スクリーニングを繰り返して行うことが必
要になるが、本発明の実施形態にかかるスクリーニング
方法の場合、一回のスクリーニングですべての不良品を
検出することが確認された後は、１回のスクリーニング
で済ませることが可能になり、大幅に効率を向上させる
ことが可能になる。
の場合には、不良品が検出されなくなるまで、すなわち
４回目まで、スクリーニングを繰り返して行うことが必
要になるが、本発明の実施形態にかかるスクリーニング
方法の場合、一回のスクリーニングですべての不良品を
検出することが確認された後は、１回のスクリーニング
で済ませることが可能になり、大幅に効率を向上させる
ことが可能になる。
【００２９】なお、積層セラミックコンデンサに印加す
る交流電圧を変え、積層セラミックコンデンサの破壊電
圧に対する交流印加電圧の割合と、スクリーニング性
（スクリーニングにより不良品を検出することができる
割合）の関係、及び破壊電圧に対する交流印加電圧の割
合と、良品が破壊されて不良品になる割合の関係を調べ
た結果を図１に示す。
る交流電圧を変え、積層セラミックコンデンサの破壊電
圧に対する交流印加電圧の割合と、スクリーニング性
（スクリーニングにより不良品を検出することができる
割合）の関係、及び破壊電圧に対する交流印加電圧の割
合と、良品が破壊されて不良品になる割合の関係を調べ
た結果を図１に示す。
【００３０】図１より、交流電圧として、破壊電圧の４
０％を超えるような交流電圧を印加することにより、ほ
とんどの不良品を検出することが可能になり、交流電圧
が破壊電圧の５０％に達すると、すべての不良品を検出
することが可能になることがわかる。
０％を超えるような交流電圧を印加することにより、ほ
とんどの不良品を検出することが可能になり、交流電圧
が破壊電圧の５０％に達すると、すべての不良品を検出
することが可能になることがわかる。
【００３１】また、図１より、交流電圧として、破壊電
圧の７０％までの交流電圧を印加した場合には、良品を
破壊することなく、すべての不良品を検出することがで
きるが、破壊電圧の７５％を超えるような交流電圧を印
加すると、良品が破壊されるようになり、８０％を超え
ると、その割合が無視できない程度になることがわか
る。
圧の７０％までの交流電圧を印加した場合には、良品を
破壊することなく、すべての不良品を検出することがで
きるが、破壊電圧の７５％を超えるような交流電圧を印
加すると、良品が破壊されるようになり、８０％を超え
ると、その割合が無視できない程度になることがわか
る。
【００３２】したがって、本発明においては、交流電圧
として、破壊電圧の４０〜８０％の交流電圧を印加する
ことが望ましく、さらには、破壊電圧の５０〜７０％の
交流電圧を印加することが望ましい。
として、破壊電圧の４０〜８０％の交流電圧を印加する
ことが望ましく、さらには、破壊電圧の５０〜７０％の
交流電圧を印加することが望ましい。
【００３３】なお、上記実施形態では、積層セラミック
コンデンサを対象としてスクリーニングを行うようにし
た場合について説明したが、本発明は、積層セラミック
コンデンサに限らず、セラミック素子中に、複数の内部
電極がセラミック層を介して積層された構造を有する種
々の積層セラミック電子部品についてスクリーニングを
行う場合に広く適用することが可能である。
コンデンサを対象としてスクリーニングを行うようにし
た場合について説明したが、本発明は、積層セラミック
コンデンサに限らず、セラミック素子中に、複数の内部
電極がセラミック層を介して積層された構造を有する種
々の積層セラミック電子部品についてスクリーニングを
行う場合に広く適用することが可能である。
【００３４】本発明は、さらにその他の点においても上
記実施形態に限定されるものではなく、積層セラミック
電子部品の寸法、交流電圧の印加時間などに関し、発明
の要旨の範囲内において、種々の応用、変形を加えるこ
とが可能である。
記実施形態に限定されるものではなく、積層セラミック
電子部品の寸法、交流電圧の印加時間などに関し、発明
の要旨の範囲内において、種々の応用、変形を加えるこ
とが可能である。
【００３５】
【発明の効果】上述のように、本発明（請求項１）の積
層セラミック電子部品のスクリーニング方法は、積層セ
ラミック電子部品に交流電圧を印加した後、直流電圧を
印加して、直流電圧印加時の絶縁抵抗値を測定すること
により、積層セラミック電子部品の良・不良を判別する
ようにしており、積層セラミック電子部品に交流電圧を
印加することによって、積層セラミック電子部品への電
流の負荷が加わるため、実際に使用した場合に、内部構
造欠陥及び寿命劣化を引き起こす可能性に高い状態にあ
る積層セラミック電子部品について、潜在的な不良を短
時間で顕在化させることが可能になる。したがって、積
層セラミック電子部品に交流電圧を印加した後、直流電
圧を印加し、直流電圧印加時の絶縁抵抗値を測定して、
積層セラミック電子部品の良・不良を判別することによ
り、従来の方法では選別することが困難であった、内部
構造欠陥や寿命劣化などを起こすおそれの高い積層セラ
ミック電子部品を効率よく選別して除去することが可能
になる。
層セラミック電子部品のスクリーニング方法は、積層セ
ラミック電子部品に交流電圧を印加した後、直流電圧を
印加して、直流電圧印加時の絶縁抵抗値を測定すること
により、積層セラミック電子部品の良・不良を判別する
ようにしており、積層セラミック電子部品に交流電圧を
印加することによって、積層セラミック電子部品への電
流の負荷が加わるため、実際に使用した場合に、内部構
造欠陥及び寿命劣化を引き起こす可能性に高い状態にあ
る積層セラミック電子部品について、潜在的な不良を短
時間で顕在化させることが可能になる。したがって、積
層セラミック電子部品に交流電圧を印加した後、直流電
圧を印加し、直流電圧印加時の絶縁抵抗値を測定して、
積層セラミック電子部品の良・不良を判別することによ
り、従来の方法では選別することが困難であった、内部
構造欠陥や寿命劣化などを起こすおそれの高い積層セラ
ミック電子部品を効率よく選別して除去することが可能
になる。
【００３６】また、請求項２の積層セラミック電子部品
のスクリーニング方法のように、交流電圧として、破壊
電圧の４０〜８０％の交流電圧を印加するようにした場
合、内部構造欠陥及び寿命劣化を引き起こす可能性に高
い状態にある積層セラミック電子部品について、潜在的
な不良を確実に顕在化させることが可能になり、信頼性
の高いスクリーニングを行うことができるようになる。
のスクリーニング方法のように、交流電圧として、破壊
電圧の４０〜８０％の交流電圧を印加するようにした場
合、内部構造欠陥及び寿命劣化を引き起こす可能性に高
い状態にある積層セラミック電子部品について、潜在的
な不良を確実に顕在化させることが可能になり、信頼性
の高いスクリーニングを行うことができるようになる。
【００３７】また、請求項３の積層セラミック電子部品
のスクリーニング方法のように、交流電圧として、破壊
電圧の５０〜７０％の交流電圧を印加するようにした場
合、さらに確実に、良品を破壊することなく、内部構造
欠陥及び寿命劣化などの不良を顕在化させることが可能
になり、さらに信頼性の高いスクリーニングを行うこと
ができるようになり、本発明をより実効あらしめること
ができる。
のスクリーニング方法のように、交流電圧として、破壊
電圧の５０〜７０％の交流電圧を印加するようにした場
合、さらに確実に、良品を破壊することなく、内部構造
欠陥及び寿命劣化などの不良を顕在化させることが可能
になり、さらに信頼性の高いスクリーニングを行うこと
ができるようになり、本発明をより実効あらしめること
ができる。
【００３８】また、請求項４の積層セラミック電子部品
のスクリーニング方法のように、直流電圧として、定格
電圧の１〜２倍の直流電圧を印加することにより、通常
の絶縁抵抗不良などを確実に検出することが可能にな
り、全体的にみて、信頼性の高いスクリーニングを行う
ことが可能になる。
のスクリーニング方法のように、直流電圧として、定格
電圧の１〜２倍の直流電圧を印加することにより、通常
の絶縁抵抗不良などを確実に検出することが可能にな
り、全体的にみて、信頼性の高いスクリーニングを行う
ことが可能になる。
【００３９】また、積層セラミック電子部品の中でも、
積層セラミックコンデンサは特に多層化、薄層化が進ん
でおり、絶縁不良、内部構造欠陥、寿命劣化などが問題
になりやすいが、請求項５のように、本発明の方法を適
用することにより、効率よく、しかも確実に不良品を除
去することが可能になり、信頼性の高い積層セラミック
コンデンサを提供することが可能になる。
積層セラミックコンデンサは特に多層化、薄層化が進ん
でおり、絶縁不良、内部構造欠陥、寿命劣化などが問題
になりやすいが、請求項５のように、本発明の方法を適
用することにより、効率よく、しかも確実に不良品を除
去することが可能になり、信頼性の高い積層セラミック
コンデンサを提供することが可能になる。
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）にかかる方
法で、積層セラミックコンデンサのスクリーニングを行
った場合の、積層セラミックコンデンサの破壊電圧に対
する交流印加電圧の割合と、スクリーニング性（スクリ
ーニングにより不良品を検出することができる割合）の
関係、及び破壊電圧に対する交流印加電圧の割合と、良
品が破壊されて不良品になる割合の関係を示す図であ
る。
法で、積層セラミックコンデンサのスクリーニングを行
った場合の、積層セラミックコンデンサの破壊電圧に対
する交流印加電圧の割合と、スクリーニング性（スクリ
ーニングにより不良品を検出することができる割合）の
関係、及び破壊電圧に対する交流印加電圧の割合と、良
品が破壊されて不良品になる割合の関係を示す図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G028 AA02 BB06 CG03 DH03 DH21 FK02 2G036 AA20 AA24 AA27 BB02 CA06 5E082 AB03 BC40 FG26 MM01 MM38 PP01
Claims (5)
- 【請求項１】セラミック素子中に、セラミック層を介し
て内部電極が積層された構造を有する積層セラミック電
子部品のスクリーニング方法であって、 積層セラミック電子部品に交流電圧を印加した後、直流
電圧を印加し、直流電圧印加時の絶縁抵抗値を測定する
ことにより、積層セラミック電子部品の良・不良を判別
することを特徴とする積層セラミック電子部品のスクリ
ーニング方法。 - 【請求項２】前記交流電圧として、破壊電圧の４０〜８
０％の交流電圧を印加することを特徴とする請求項１記
載の積層セラミック電子部品のスクリーニング方法。 - 【請求項３】前記交流電圧として、破壊電圧の５０〜７
０％の交流電圧を印加することを特徴とする請求項１記
載の積層セラミック電子部品のスクリーニング方法。 - 【請求項４】前記直流電圧として、定格電圧の１〜２倍
の直流電圧を印加することを特徴とする請求項１〜３の
いずれかに記載の積層セラミック電子部品のスクリーニ
ング方法。 - 【請求項５】前記積層セラミック電子部品が積層セラミ
ックコンデンサであることを特徴とする請求項１〜４の
いずれかに記載の積層セラミック電子部品のスクリーニ
ング方法。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP2000093877A JP2001284197A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 積層セラミック電子部品のスクリーニング方法 |
| SG200100765A SG126673A1 (en) | 2000-03-30 | 2001-02-12 | Method for screening multi-layer ceramic electronic component |
| US09/784,903 US6509741B2 (en) | 2000-03-30 | 2001-02-16 | Method for screening multi-layer ceramic electronic component |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000093877A JP2001284197A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 積層セラミック電子部品のスクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001284197A true JP2001284197A (ja) | 2001-10-12 |
Family
ID=18609000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000093877A Pending JP2001284197A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 積層セラミック電子部品のスクリーニング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2001284197A (ja) |
| SG (1) | SG126673A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002207019A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電セラミック素子の検査方法 |
| JP2019212843A (ja) * | 2018-06-07 | 2019-12-12 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサの良否判定方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| DE19842735A1 (de) * | 1998-09-18 | 2000-03-23 | Torsten Vos | Elektrochemischer Sensor mit direkt elektrisch heizbaren Elektrodenflächen |
-
2000
- 2000-03-30 JP JP2000093877A patent/JP2001284197A/ja active Pending
-
2001
- 2001-02-12 SG SG200100765A patent/SG126673A1/en unknown
- 2001-02-16 US US09/784,903 patent/US6509741B2/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2019212843A (ja) * | 2018-06-07 | 2019-12-12 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサの良否判定方法 |
| JP7127369B2 (ja) | 2018-06-07 | 2022-08-30 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサの良否判定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020000825A1 (en) | 2002-01-03 |
| US6509741B2 (en) | 2003-01-21 |
| SG126673A1 (en) | 2006-11-29 |
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